CN111811645A - 一种Ga2O3纳米线阵列薄膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及纳米光电探测、纳米高温气敏探测器、半导体纳米材料与纳米技术领域，具体为一种Ga2O3纳米线阵列薄膜及其制备方法，所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜可用于纳米光电探测器、纳米高温气敏探测器或其他纳米光电子器件。该薄膜为外延生长的具有固定倾斜角度的一维Ga2O3纳米线阵列。Ga2O3纳米线阵列中单根氧化镓纳米线的直径为50～100纳米，纳米线长度为5～50微米，并且在纳米线表面自催化生成氧化镓纳米片。该Ga2O3纳米线阵列薄膜采用一步法制备而成，制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜尺寸及阵列密度可控，具有工艺流程简单，实施方便，重复性好，可大批量制备等优点。

Description

一种Ga2O3纳米线阵列薄膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及纳米光电探测、纳米高温气敏探测器、半导体纳米材料与纳米技术领域，具体为一种Ga2O3纳米线阵列薄膜及其制备方法，所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜可用于纳米光电探测器、纳米高温气敏探测器或其他纳米光电子器件。
背景技术
相较于块体材料，纳米材料，尤其是一维纳米材料(纳米线)，具有尺寸小、比表面积大、光捕获能力强等特点，使其具有独特的物理化学性质。在电子、光电子器件小型化及环境催化净化方面有巨大的应用前景，受到了广泛的关注和研究。
一维Ga2O3纳米线继承了块体材料的超宽带隙和极好的热稳定性，在纳米盲紫外光电探测器和高温气体探测领域具有很好的运用前景。
与杂乱无章的纳米线薄膜相比，具有特定取向的纳米线阵列能够增大纳米线表面对光和气体等的接触面积，进而增强纳米线的利用率。目前，虽有少量Ga2O3纳米线阵列的报道，但制备得到的氧化镓纳米线阵列长度较短，成本较高，并且关于Ga2O3纳米线阵列的密度和尺寸调控至今还未有报道。
发明内容
本发明的目的在于提供一种Ga2O3纳米线阵列薄膜及其制备方法，可在蓝宝石衬底上制备Ga2O3纳米线阵列材料，并且纳米线取向高度有序，结晶性良好，制备方法工艺简单，操作容易。
为了实现上述发明的目的，本发明采用如下技术方案：
一种Ga2O3纳米线阵列薄膜，Ga2O3纳米线阵列薄膜为外延生长的、具有固定倾斜角度的一维Ga2O3纳米线阵列排布而成，其与基体呈特定角度为50～52度。
所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜，每根Ga2O3纳米线的直径为50～100nm，每根Ga2O3纳米线的长度在5～50μm之间可调控。
所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜，每根Ga2O3纳米线表面光滑，其顶端有圆形金颗粒催化剂，金颗粒的粒度为50～100nm。
所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜，每根Ga2O3纳米线表面通过自催化生成氧化镓纳米片，氧化镓纳米片的宽度为0.1～2μm，长度在5～20μm之间可调控，厚度为20～70nm。
所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法，该方法为一步法，包括如下步骤：
(1)称取金属镓置于瓷舟内，将瓷舟转移至石英管中；
(2)将步骤(1)中石英管放置于三温区管式炉，并使瓷舟位于三温区管式炉的中温区中央；
(3)将放有衬底材料的石英片放置于石英管内的瓷舟后方；
(4)在石英管中通入高纯氮气清洗石英管，气流速率为50～100sccm，通入时间为10～30min；
(5)将通入氮气的流速降至20～50sccm，在该条件的氮气气氛下，将三温区管式炉上温区、中温区和下温区分别同时加热到750～850℃、850～1050℃和700～900℃，保温时间为20～60min，即获得所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜。
所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法，所用瓷舟为刚玉舟。
所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法，步骤(1)中，金属镓的质量为0.2～0.5g。
所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法，所用石英管的直径为Φ15～25mm。
所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法，步骤(3)中，衬底材料与金属镓的距离为2.5～5cm。
所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法，步骤(3)中，衬底材料为(0001)蓝宝石衬底，其中蓝宝石衬底表面喷有Au层，Au层厚度为1～10nm。
本发明的设计思想是：使用具有外延关系的(0001)蓝宝石衬底提供特定的氧化镓纳米线生长方向，利用金属催化剂提供具有低形核能的形核位点，从而实现氧化镓纳米线的生长和阵列化。通过调整温度和气体流量，实现对氧化镓纳米线尺寸和密度的简单、有效调控。
本发明具有如下的优点以及技术效果：
1、本发明可得到Ga2O3纳米线阵列薄膜，阵列取向高度有序，结晶性良好，生长产额高。
2、本发明用到的设备低廉，工艺简单，工艺参数易于调控。
3、本发明所用的衬底材料是(0001)蓝宝石衬底，成本低，衬底制作工艺成熟且化学性质稳定。
4、本产品制备的Ga2O3纳米线阵列长度可以在5微米～50微米之间调控，可用于制备盲紫外光电探测器件及高温气敏探测器件。
附图说明
图1是实施例1制备Ga2O3纳米线阵列薄膜材料的SEM图，其中(a)为Ga2O3纳米线阵列的俯视SEM图；(b)为Ga2O3纳米线阵列的截面SEM图。
图2是实施例1制备Ga2O3纳米线阵列薄膜材料的Raman谱图和XRD谱图，其中：(a)为Ga2O3纳米线阵列薄膜材料在532nm激光激发下产生的拉曼谱图，横坐标Raman Shift代表拉曼位移(cm-1)，纵坐标Intensity代表强度(cps)；(b)为Ga2O3纳米线阵列薄膜材料的X射线衍射图谱，横坐标2-Theta代表衍射角(degree)，纵坐标Intensity代表相对强度(a.u.)。
图3是实施例1制备Ga2O3纳米线阵列薄膜材料的TEM结果，其中：(a)为Ga2O3纳米线的低倍透射图；(b)为Ga2O3纳米线的高分辨率透射图；(c)为Ga2O3纳米线的快速傅里叶变换图。
图4是实施例1制备Ga2O3纳米线阵列薄膜材料的三温区管式炉示意图，图中：1-石英管，2-刚玉舟，3-金属镓，4-石英片，5-喷金蓝宝石衬底。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明进行进一步的描述。对于这些实施例的详细描述，应该理解为本领域的技术人员可以通过本发明来实践，并可以通过使用其它实施例，在不脱离所附权利要求书的精神和本发明范畴的情况下，对所示实例进行更改和/或改变。此外，虽然在一个实施例中公布了本发明的特定特征，但是这种特定特征可以与其他实施例的一个或多个特征相结合，实现本发明的功能。
实施例1：
如图4所示，本实施例Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法如下：
1.称取0.2g的金属镓3，置于刚玉舟2内。
2.按照图4布置方式将步骤1中刚玉舟2转移至石英管1中，所用石英管1的直径为Φ20mm。再将石英管1置于三温区(上温区、中温区、下温区)管式炉中，并使刚玉舟2位于中温区的加热中心。
3.将放有喷金蓝宝石衬底5的石英片4放置于石英管1内的刚玉舟2后方，衬底材料与金属镓3的距离为4cm。喷金蓝宝石衬底5的位置在三温区管式炉的下温区，其作用是：为氧化镓纳米线的生长提供具有低形核能的形核位点。喷金层厚度为5nm。
4.将步骤2中的石英管1连接上高纯氮气(体积纯度99.999％)，以100sccm的气流速率通入氮气30min。
5.将步骤4中的氮气气流流速降至50sccm，以该流速持续通入，将管式炉上温区、中温区和下温区分别加热至850℃、950℃和850℃，采用三温区加热的作用是实现对反应源温度和衬底温度的独立调控，保温时间为60min，即得到Ga2O3纳米线阵列薄膜材料。
如图1所示，本实施例制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料的SEM图，以测定纳米材料的微观形貌，从图中可以看出，所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料中纳米线的平均直径在50～150纳米，纳米线长度在5微米至50微米，纳米线阵列有六个互成正六边形生长方向，并且与基体呈特定角度50～52°。Ga2O3纳米线表面光滑，顶端有圆形金颗粒催化剂，金颗粒的粒度为50～100nm。Ga2O3纳米线表面有氧化镓纳米片存在，氧化镓纳米片的规格尺寸为宽度0.5～1μm，长度5～15μm，厚度为20～50nm。
如图2所示，本实施例制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料的Raman光谱和XRD谱图，以测定纳米材料的晶体结构类型，从图中可以看出，所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料为β-Ga2O3。
如图3所示，本实施例制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料的TEM结果，从图中可以看出，所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料是单晶，生长取向为[001]方向，且结晶良好，无结构缺陷。
实施例2：
如图4所示，本实施例Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法如下：
1.称取0.5g金属镓3，置于刚玉舟2内。
2.按照图4布置方式将步骤1中刚玉舟2转移至石英管1中，所用石英管1的直径为Φ25mm。再将石英管1置于三温区管式炉中温区的加热中心。
3.将放有喷金蓝宝石衬底5的石英片4放置于石英管1内的刚玉舟2后方，衬底材料与金属镓3的距离为3cm。喷金蓝宝石衬底5的位置在三温区管式炉的下温区，其作用是：为氧化镓纳米线的生长提供具有低形核能的形核位点。喷金层厚度为6nm。
4.将步骤2中的石英管1连接上高纯氮气(体积纯度99.999％)，以50sccm的气流速率通入氮气30min。
5.将步骤4中的氮气气流流速降至30sccm，以该速率持续通入，将管式炉上温区、中温区和下分别加热至850℃、1050℃和850℃，保温时间为60min，即得到Ga2O3纳米线阵列薄膜材料。
本实施例所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料其形貌结构同实施例1。
所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料中纳米线的平均直径在50～150纳米，纳米线长度在5微米至50微米，纳米线阵列有六个互成正六边形生长方向，并且与基体呈特定角度50～52°。Ga2O3纳米线表面光滑，顶端有圆形金颗粒催化剂，金颗粒的粒度为50～150nm。Ga2O3纳米线表面有氧化镓纳米片存在，氧化镓纳米片的规格尺寸为宽度0.5～2μm，长度5～20μm，厚度为20～70nm。
以测定纳米材料的晶体结构类型，所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料为β-Ga2O3，所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料是单晶，生长取向为[001]方向，且结晶良好，无结构缺陷。
实施例3：
如图4所示，本实施例Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法如下：
1.称取0.3g金属镓3，置于刚玉舟2内。
2.按照图4布置方式将步骤1中刚玉舟2转移至石英管1中，所用石英管1的直径为Φ15mm。再将石英管1置于三温区管式炉中温区的加热中心。
3.将放有喷金蓝宝石衬底5的石英片4放置于石英管1内的刚玉舟2后方，衬底材料与金属镓3的距离为5cm。喷金蓝宝石衬底5的位置在三温区管式炉的下温区，其作用是：为氧化镓纳米线的生长提供具有低形核能的形核位点。喷金层厚度为4nm。
4.将步骤2中的石英管1连接上高纯氮气(体积纯度99.999％)，以80sccm的气流速率通入氮气20min。
5.将步骤4中的氮气气流流速降至40sccm，以该速率持续通入，将管式炉上温区、中温区和下分别加热至800℃、900℃和750℃，保温时间为30min，即得到Ga2O3纳米线阵列薄膜材料。
本实施例所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料其形貌结构同实施例1。
所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料中纳米线的平均直径在50～150纳米，纳米线长度在5微米至50微米，纳米线阵列有六个互成正六边形生长方向，并且与基体呈特定角度50～52°。Ga2O3纳米线表面光滑，顶端有圆形金颗粒催化剂，金颗粒的粒度为50～90nm。Ga2O3纳米线表面有氧化镓纳米片存在，氧化镓纳米片的规格尺寸为宽度0.2～1μm，长度5～10μm，厚度为20～50nm。
以测定纳米材料的晶体结构类型，所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料为β-Ga2O3，所制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜材料是单晶，生长取向为[001]方向，且结晶良好，无结构缺陷。
实施例结果表明，本发明的薄膜为外延生长的具有固定倾斜角度的一维Ga2O3纳米线阵列。本发明的Ga2O3纳米线阵列中单根氧化镓纳米线的直径为50～100纳米，纳米线长度在5～50微米之间可控制备，并且在纳米线表面自催化生成氧化镓纳米片。该Ga2O3纳米线阵列薄膜采用一步法制备而成，具有工艺流程简单，实施方便，重复性好，可大批量制备等优点。本发明制备的Ga2O3纳米线阵列薄膜尺寸及阵列密度可控，适合于构筑盲紫外光电探测器件及高温气敏探测器件。
以上所述的仅是本发明所列举的最优实施方式。需要指出，对于本技术领域的所有技术人员，在不脱离所附权利要求书的精神和本发明所示原理的范畴情况下，还可以对所示实例进行更改和/或改变，这些改变也应被视作本发明的权利保护范围。

Claims (10)

1.一种Ga2O3纳米线阵列薄膜，其特征在于，Ga2O3纳米线阵列薄膜为外延生长的、具有固定倾斜角度的一维Ga2O3纳米线阵列排布而成，其与基体呈特定角度为50～52度。
2.根据权利要求1所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜，其特征在于，每根Ga2O3纳米线的直径为50～100nm，每根Ga2O3纳米线的长度在5～50μm之间可调控。
3.根据权利要求1所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜，其特征在于，每根Ga2O3纳米线表面光滑，其顶端有圆形金颗粒催化剂，金颗粒的粒度为50～100nm。
4.根据权利要求1所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜，其特征在于，每根Ga2O3纳米线表面通过自催化生成氧化镓纳米片，氧化镓纳米片的宽度为0.1～2μm，长度在5～20μm之间可调控，厚度为20～70nm。
5.一种权利要求1至4之一所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，该方法为一步法，包括如下步骤：
(1)称取金属镓置于瓷舟内，将瓷舟转移至石英管中；
(2)将步骤(1)中石英管放置于三温区管式炉，并使瓷舟位于三温区管式炉的中温区中央；
(3)将放有衬底材料的石英片放置于石英管内的瓷舟后方；
(4)在石英管中通入高纯氮气清洗石英管，气流速率为50～100sccm，通入时间为10～30min；
(5)将通入氮气的流速降至20～50sccm，在该条件的氮气气氛下，将三温区管式炉上温区、中温区和下温区分别同时加热到750～850℃、850～1050℃和700～900℃，保温时间为20～60min，即获得所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜。
6.根据权利要求5所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，所用瓷舟为刚玉舟。
7.根据权利要求5所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，金属镓的质量为0.2～0.5g。
8.根据权利要求5所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，所用石英管的直径为Φ15～25mm。
9.根据权利要求5所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，衬底材料与金属镓的距离为2.5～5cm。
10.根据权利要求6所述的Ga2O3纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，衬底材料为(0001)蓝宝石衬底，其中蓝宝石衬底表面喷有Au层，Au层厚度为1～10nm。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113097055A (zh) * 2021-04-02 2021-07-09 吉林大学 一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法
CN113652670A (zh) * 2021-08-17 2021-11-16 陕西科技大学 一种氧化镓纳米线及其制备方法和应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005239524A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Japan Science & Technology Agency β−Ｇａ２Ｏ３ナノロッドとその製造方法
CN1797797A (zh) * 2004-12-23 2006-07-05 伊光光电股份有限公司 发光二极管元件
CN102226297A (zh) * 2011-06-17 2011-10-26 浙江大学 一种斜向ZnO纳米线阵列及其生长方法
KR101646440B1 (ko) * 2015-01-29 2016-08-05 조선대학교산학협력단 분말 스퍼터링 방법으로 인듐을 도핑한 산화갈륨 나노와이어의 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005239524A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Japan Science & Technology Agency β−Ｇａ２Ｏ３ナノロッドとその製造方法
CN1797797A (zh) * 2004-12-23 2006-07-05 伊光光电股份有限公司 发光二极管元件
CN102226297A (zh) * 2011-06-17 2011-10-26 浙江大学 一种斜向ZnO纳米线阵列及其生长方法
KR101646440B1 (ko) * 2015-01-29 2016-08-05 조선대학교산학협력단 분말 스퍼터링 방법으로 인듐을 도핑한 산화갈륨 나노와이어의 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113097055A (zh) * 2021-04-02 2021-07-09 吉林大学 一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法
CN113097055B (zh) * 2021-04-02 2022-04-29 吉林大学 一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法
CN113652670A (zh) * 2021-08-17 2021-11-16 陕西科技大学 一种氧化镓纳米线及其制备方法和应用

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