CN111808126B - 一种A-π-D-π-A型的BODIPY小分子光伏材料及其制备方法和应用 - Google Patents

一种A-π-D-π-A型的BODIPY小分子光伏材料及其制备方法和应用 Download PDF

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Abstract

一种A‑π‑D‑π‑A型的BODIPY小分子光伏材料及其制备方法和应用,其属于有机合成的技术领域。该类化合物以咔唑、芴、吲哚咔唑、吩噻嗪、三苯胺、苯并二噻吩、引达省并二噻吩、二噻吩并吡咯和环戊二噻吩等为给电子单元(D),分别通过不同个数的噻吩(π)桥联X和Y基取代的BODIPY单元(A)。利用不同D单元和π桥个数来协同调控分子的HOMO能级和带隙,从而提高材料的光电转换效率。该类化合物具备成为高效率、高电流有机小分子光伏材料的潜力,为开发不同分子骨架的BODIPY光伏材料拓宽了研究思路。

Description

一种A-π-D-π-A型的BODIPY小分子光伏材料及其制备方法和 应用
技术领域
本发明属于有机光伏技术领域,具体涉及一类基于不同给电子单元(D)为核,通过不同个数的噻吩来桥联X和Y基取代的吸电子单元BODIPY(A)的A-π-D-π-A型小分子及其制备方法,以及这类分子作为光活性层中的p型材料在有机太阳能电池领域中的应用。
背景技术
一直以来,能源是促进经济社会发展的重要因素,而太阳能被视作是目前解决能源危机的有效方案之一。由于质量轻、成本低、可溶液加工、可弯曲和大面积制备等优点,有机太阳能电池的研究(包括p型和n型材料设计、器件工程等)已成为研究者的重要研究内容。相比聚合物材料,有机小分子具有明确的分子结构、易于批次重复性合成、分离和提纯相对简单等,研究者们逐渐转向开发不同结构的p型和n型小分子光伏材料。最近,高性能的n型材料的结构主要以大共轭稠合的给电子单元(D)为核(如引达省及其衍生结构)、强吸电子(A)为端基(如1,3-茚满二酮及其衍生结构)构筑的A-D-A型共轭骨架。这类分子吸收强、带隙窄,但是其合成较为复杂、步骤多、材料的种类也有限。此外,这些n型材料大多与p型的聚合物材料能够实现光谱上的吸收互补和分子的能级匹配,故而更多地应用于聚合物太阳能电池领域。
尽管A-D-A骨架的n型材料具有强而宽的光谱吸收特征,但是当前文献报道的基于该骨架的p型材料大多在可见光区甚至在更低波长范围内存在吸收,并且吸收系数也不高。因此,基于A-D-A骨架的、具有强吸收的近红外p型材料亟需研究,尤其是含有BODIPY发色团的A-π-D-π-A型共轭骨架的近红外分子设计和合成。尽管过去几十年中,不同种类的高性能p型有机小分子光伏材料被开发出来,且其结构中多为有机发色团组成,如吡咯并吡咯二酮、异靛、卟啉等,这些材料的共轭骨架主要有:D-A-D、D-π-A-π-D、D-A-A′、D-π-A-A′、A-D-A、A-π-D-π-A、A-π-D-π-D-π-A和D′-A-π-D-π-A-D′等(Sci.Rep.,2015,5,11143;Chem.Commun.,2016,52,210;Adv.Energy Mater.,2018,8,1703603;Chem.Commun.,2014,50,10251;Chem.Commun.,2015,51,4936;ACS Appl.Mater.Interfaces,2017,9,4614;J.Mater.Chem.A,2017,5,25460;J.Mater.Chem.A,2016,4,2252;ACS Appl.EnergyMater.,2019,2,4730)。但是,具有这些结构的材料吸收范围普遍在可见光区,达不到近红外区域,而且这些材料对太阳光的吸收强度也不高。对p型材料而言,一方面,材料在可见光区尤其是近红外区对太阳光具有较强的吸收,因为这将直接影响器件短路电流密度(Jsc)的高低,即要求材料的光学带隙足够小、吸收系数高。另一方面,在满足窄带隙的情况下,要确保分子的HOMO能级足够深,以便能够获得较高的开路电压(Voc)值。此外,材料应具有良好的成膜性,以满足溶液过程的制备要求来提高光伏器件的填充因子(FF)。
目前为止,基于A-π-D-π-A型的BODIPY共轭小分子种类少、器件效率普遍低,并且这类骨架分子主要是利用Suzuki偶联反应(或Sonogashira偶联反应)构筑的。另外,也缺乏对A-π-D-π-A型BODIPY共轭小分子中π桥的系统研究。因此,通过改变D单元和π桥个数来协同调控分子带隙和能级,以期开发出新型高效的A-π-D-π-A型BODIPY小分子光伏材料。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供一类吸收强、带隙窄、空穴传输性高以及分子轨道能级合适的A-π-D-π-A型BODIPY共轭骨架小分子,并作为p型材料应用在有机太阳能电池中。一方面,BODIPY发色团本身具有强吸收、高量子产率的特征;另一方面,通过改变不同的D核和噻吩π桥来整体调控分子的能级和带隙,以获得高Voc和Jsc值,为开发出高性能BODIPY光伏材料奠定一定的理论基础。
本发明提供了一种A-π-D-π-A型的BODIPY小分子化合物,其结构通式为:
Figure BDA0002620228980000021
其中,π桥分别指带有R3基的单联噻吩、二联噻吩以及三联噻吩;
π桥选用下列结构之一:
Figure BDA0002620228980000022
上述π桥中的R3选自氢、C1~C8的直链或支链烷基和烷氧基。
A指X和Y基取代的吸电子单元BODIPY。吸电子单元A可以选用满足以下情况之一的结构:
X可以为氢、
Figure BDA0002620228980000031
中的任意一种,且R1选自C1~C16的烷氧基,R2选自C1~C16的直链或支链烷基。同时,Y可以为氢、
Figure BDA0002620228980000032
中的任意一种。需要指出的是,在本文基础上拓展的BODIPY单元(如Aza-BODIPY、稠合的吡咯环等)也适用。
给电子单元D可以选用下列结构之一:
Figure BDA0002620228980000033
上述D单元中的R4选自C1~C20的直链或支链烷基。需要指出的是,除了上述D单元外,基于上述D单元的其它衍生结构也适用于本发明(比如环的稠合和侧链的烷硫基化等)。
上述A-π-D-π-A型的BODIPY小分子化合物,其制备按照以下策略进行:
Figure BDA0002620228980000041
现提供如下结构分别表示化合物M、化合物TnSn、化合物MTn、化合物MTnSn和化合物ABr:
化合物M为:
Figure BDA0002620228980000042
上述化合物M中的R4选自C1~C20的直链或支链烷基。
化合物Tn为:
Figure BDA0002620228980000043
上述化合物Tn中的R3选自氢、C1~C8的直链(或支链)烷基和烷氧基。
此外,n选自1、2和3时分别对应化合物T1、化合物T2和化合物T3
化合物TnSn为:
Figure BDA0002620228980000051
上述化合物TnSn中的R′选自甲基或正丁基;R3选自氢、C1~C8的直链或支链烷基和烷氧基。此外,n选自1、2和3时,分别对应化合物T1Sn、化合物T2Sn和化合物T3Sn。
化合物MTn为:
Figure BDA0002620228980000052
上述化合物MTn中的D选自化合物M中未溴代的给电子单元;n选自1~3的整数。
化合物MTnSn为:
Figure BDA0002620228980000053
上述化合物MTnSn中的D单元与化合物MTn中的要求一致;R′选自甲基或正丁基;n选自1~3的整数。
化合物ABr为:
Figure BDA0002620228980000054
上述化合物ABr可以任选以下情况之一:X可以为氢、
Figure BDA0002620228980000055
Figure BDA0002620228980000056
中的任意一种,且R1选自C1~C16的烷氧基,R2选自C1~C16的直链或支链烷基;Y可以为氢、
Figure BDA0002620228980000061
中的任意一种。
现提供基于A-π-D-π-A型结构的BODIPY共轭小分子的合成,其步骤如下:(1)噻吩有机锡化合物TnSn的合成:
Figure BDA0002620228980000062
在-78℃和氮气条件下,按照摩尔比1:1.1~1.3将正丁基锂(2.5M的正己烷溶液)缓慢滴加到带有R3取代基的噻吩(化合物Tn)/THF溶液中,滴毕,在此温度下继续反应1.5h,随后将有机锡试剂(摩尔比为1:1.1~1.3)一次性注入到反应体系中,撤去冷浴并恢复室温,继续搅拌过夜。减压除去溶剂,粗产物以石油醚/三乙胺(体积比为25:1)为展开剂进行柱色谱分离,得到中间体TnSn并用氮气保护以备下步反应使用。需要指出的是,带有R3取代基的单联噻吩(化合物T1)、二联噻吩(化合物T2)以及三联噻吩(化合物T3)分别参照相关的文献进行拓展性制备(Dyes Pigm.,2015,118,37;Macromolecules,2013,46,5184;J.Org.Chem.,2000,65,3894)。
(2)π-D-π骨架化合物MTn的合成:
Figure BDA0002620228980000063
在氮气条件下,按照摩尔比为1:3~5,将带有R4取代基的双溴代D单元(化合物M)与上述制备的中间体TnSn溶于THF中,在1~5%当量的钯催化剂(如:四(三苯基膦)钯、二(三苯基膦)二氯化钯、三(二亚苄基丙酮)二钯中的一种或多种)作用下,加热回流反应24~48h,以TLC检测反应结束。减压除去反应液中的溶剂,粗产物以不同体积比的石油醚/二氯甲烷混合液进行柱色谱分离,得到相应的偶联化合物MTn。需要指出的是,D单元的双溴代化合物M按照现有相关文献的步骤进行拓展性制备或者直接从试剂厂家购买,这里不再叙述。
以D为咔唑、π为正辛基取代的三联噻吩为例(即化合物CZT3)进行说明,其制备过程如下:
Figure BDA0002620228980000071
氮气保护下,将化合物2,7-二溴-9-辛基咔唑(0.962g,2.2mmol)、二(三苯基膦)二氯化钯(31mg,0.044mmol)溶于15mL四氢呋喃中,然后将含有三丁基(3,3”-二辛基-[2,2':5',2”-三噻吩]-5-基)锡烷(5.028g,6.60mmol)的15mL四氢呋喃溶液注入到反应体系中,70℃下回流72h。以TLC检测反应结束,除去反应液中的溶剂,粗产物以石油醚/二氯甲烷(体积比为10:1)混合液进行柱色谱分离,最终得到红色固体(化合物CZT3)1.182g,产率44%。
需要说明的是,其它MTn系列化合物的制备过程可以参照CZT3的步骤进行拓展性制备,但不仅仅局限于上述步骤,与之相似的反应条件也在本发明的解释范围内。
(3)π-D-π锡化中间体MTnSn的合成:
Figure BDA0002620228980000072
在-78℃和氮气条件下,按照摩尔比1:2.1~2.3将正丁基锂(2.5M的正己烷溶液)缓慢滴加到溶有化合物MTn的THF溶液中,滴毕,在此温度下继续反应1.5h,随后将有机锡试剂(摩尔比为1:2.1~2.3)一次性注入到反应体系中,撤去冷浴并恢复室温,继续搅拌过夜。减压除去溶剂,粗产物以石油醚/三乙胺/二氯甲烷的混合液进行柱色谱分离,得到中间体MTnSn后用氮气保护以备下步反应使用。
(4)单溴代BODIPY化合物ABr的合成:
(I)当Y为氢时,X可以为氢、
Figure BDA0002620228980000081
中的任意一种,且R1选自C1~C16的烷氧基,R2选自C1~C16的直链或支链烷基。具体合成过程如下:
Figure BDA0002620228980000082
在黑暗条件下,按照摩尔比为1:1,缓慢滴加N-溴代丁二酰亚胺(NBS)的DMF溶液(体积为化合物A当量的4倍)到溶有化合物A的CHCl3体系中。滴毕,室温搅拌过夜,以TLC检测反应结束。减压除去溶剂,粗产物以不同体积比的石油醚/二氯甲烷混合液进行柱色谱分离,得到化合物ABr。
(II)当Y为
Figure BDA0002620228980000083
中的任意一种时,X可以为氢、
Figure BDA0002620228980000084
中的任意一种,且R1选自C1~C16的烷氧基,R2选自C1~C16的直链或支链烷基。具体合成过程如下:
Figure BDA0002620228980000085
首先,将X取代的甲酰化BODIPY(化合物AF)经过溴代,其制备过程参照上述第一种情况进行。其次,在氮气保护和室温条件下,化合物AFBr与吡咯(或甲基取代的吡咯)按照摩尔比为1:80~1:100在三氟乙酸(TFA)(10~15%当量)的催化下进行缩合。接着,在同样的反应条件下,按照摩尔比为1:1:5,在DDQ(二氯二氰基苯醌)/三乙胺共同作用下经过氧化得到相应的中间体。最后,氮气保护下,用摩尔比为1:6~1:8的三氟化硼/乙醚溶液进行配位反应,并在甲苯溶液中回流12~24h。TLC检测反应结束,减压除去溶剂,粗产物以不同体积比的石油醚/二氯甲烷混合液进行柱色谱分离,得到化合物ABr。
以X为4-辛氧基苯、Y为meso-BODIPY为例进行说明,其制备过程如下:
Figure BDA0002620228980000091
首先,氮气保护下,将化合物AF′(2.164g,4.3mmol)溶于24mL吡咯(23.048g,344mmol)中,然后将0.04mL的TFA(0.064g,0.56mmol)加入到反应体系中,室温下搅拌过夜。以TLC检测反应结束,用饱和氢氧化钠溶液调至中性,二氯甲烷萃取(15mL×3),合并有机相。无水硫酸钠干燥,过滤掉干燥剂,减压除去溶剂。粗产物以石油醚/二氯甲烷(体积比为1:1)混合液进行柱色谱分离,得到红色油状物1.198g,产率45%。
其次,氮气保护下,将DDQ(0.438g,1.93mmol)加入到溶有化合物AF′(1.198g,1.93mmol)的40mL甲苯中,继续搅拌0.5h。另取1.3mL的三乙胺于上述体系中,继续搅拌1.5h。最后,取1.7mL三氟化硼/乙醚溶液于上述体系中,80℃下回流12h。以TLC检测反应结束,减压移除溶剂,粗产物以石油醚/二氯甲烷(体积比为1:2)混合液进行柱色谱分离,得到棕黑色固体(化合物ABr′)0.809g,产率63%。
需要说明的是,其它ABr系列化合物的制备过程可以参照上述步骤进行拓展性制备,但不仅仅局限于上述步骤,与之相似的反应条件也在本发明的解释范围内。
(5)A-π-D-π-A型BODIPY小分子化合物的合成:
Figure BDA0002620228980000101
在氮气条件下,按照摩尔比为2.5:1~4:1,将带有X和Y取代基的单溴代BODIPY单元(化合物ABr)与上述制备的锡化中间体MTnSn溶于甲苯中,在1~5%当量的钯催化剂(如:四(三苯基膦)钯、二(三苯基膦)二氯化钯、三(二亚苄基丙酮)二钯中的一种或多种)作用下,加热回流48~72h,以TLC检测反应结束。减压除去反应液中的溶剂,粗产物以不同体积比的石油醚/二氯甲烷混合液进行柱色谱分离,以7~34%的收率得到相应的A-π-D-π-A型骨架的BODIPY有机小分子。
所述A-π-D-π-A型的BODIPY小分子具有合适的前线轨道能级,可作为有机小分子太阳能光伏器件的p型材料,它与受体材料[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯(PC71BM)混合作为光活性层,应用于溶液过程本体异质结有机太阳能电池的研究。
所述的光伏器件的结构为:ITO/PEDOT:PSS/Donors:PC71BM/Al,Donors为A-π-D-π-A型的BODIPY小分子。其中,ITO(氧化铟锡)为阳极;PEDOT:PSS为空穴传输层,PEDOT为聚(3,4-乙烯二氧噻吩),PSS为聚苯乙烯磺酸盐;Donors:PC71BM为光活性层;Al(铝)为阴极。
太阳能电池的制作过程为:在预处理的ITO导电玻璃上涂布PEDOT:PSS水溶液;加热冷却后涂布给体与受体的氯苯(或氯仿)溶液;蒸镀铝层。
与现有发明技术相比,本发明具有以下优点与有益效果:
(1)本发明首次对“π-D-π”片段中的π桥进行有机锡化,然后与溴代的BODIPY单元经过Stille偶联反应构筑A-π-D-π-A型的BODIPY共轭小分子,这与当前利用Suzuki反应和Sonogashira反应构建此类材料的策略是不同的;
(2)本发明首次通过改变D单元和π桥个数来协同调控分子的带隙和HOMO能级;
(3)本发明合成出的A-π-D-π-A型BODIPY共轭小分子均具有窄的光学带隙值和合适深度的HOMO能级,且呈现出近红外吸收的特征,其带隙值低至1.42~1.65eV,HOMO能级值保持在-5.54~-5.34eV;
(4)本发明合成出的基于A-π-D-π-A型的BODIPY共轭小分子Q1,其光伏器件性能达到最佳,测试结果为:Jsc=14.84mAcm-2,Voc=0.92V,FF=0.30,PCE=4.16%。与现有文献相比,化合物Q1同时呈现出高Voc和Jsc值,这是目前具有“双高”的BODIPY类p型材料。研究表明,所述化合物具备成为高效率、高电流有机小分子光伏材料的潜力,为开发不同分子骨架的BODIPY光伏材料拓宽了研究思路。
附图说明
图1为实施例1中Q1在氯仿溶液和成膜状态时归一化的紫外-可见光谱吸收图。
图2为实施例1中Q1在0.1M的四丁基四氟硼酸铵/二氯甲烷(Bu4NBF4/CH2Cl2)溶液中的循环伏安曲线。
图3为实施例1中Q1与PC71BM在质量混合比例为1:2(w/w)、总浓度为12mg/mL氯苯溶液时器件的电流-电压特征曲线。
图4为实施例2中Q2在氯仿溶液和成膜状态时归一化的紫外-可见光谱吸收图。
图5为实施例2中Q2在0.1M的四丁基四氟硼酸铵/二氯甲烷(Bu4NBF4/CH2Cl2)溶液中的循环伏安曲线。
图6为实施例2中Q2与PC71BM在质量混合比例为1:2(w/w)、总浓度为12mg/mL氯苯溶液时器件的电流-电压特征曲线。
图7为实施例3中Q3在氯仿溶液和成膜状态时归一化的紫外-可见光谱吸收图。
图8为实施例3中Q3在0.1M的四丁基四氟硼酸铵/二氯甲烷(Bu4NBF4/CH2Cl2)溶液中的循环伏安曲线。
图9为实施例3中Q3与PC71BM在质量混合比例为1:2(w/w)、总浓度为12mg/mL氯苯时器件的电流-电压特征曲线。
图10为实施例4中Q4在氯仿溶液和成膜状态时归一化的紫外-可见光谱吸收图。
图11为实施例4中Q4在0.1M的四丁基四氟硼酸铵/二氯甲烷(Bu4NBF4/CH2Cl2)溶液中的循环伏安曲线。
图12为实施例4中Q4与PC71BM在质量混合比例为1:2(w/w)、总浓度为12mg/mL氯仿溶液时器件的电流-电压特征曲线。
图13为实施例4中Q5在氯仿溶液和成膜状态时归一化的紫外-可见光谱吸收图。
图14为实施例4中Q5在0.1M的四丁基四氟硼酸铵/二氯甲烷(Bu4NBF4/CH2Cl2)溶液中的循环伏安曲线。
图15为实施例4中Q5与PC71BM在质量混合比例为1:2(w/w)、总浓度为12mg/mL氯苯溶液时器件的电流-电压特征曲线。
具体实施方式
按照如上合成策略所述,现提供四种A-π-D-π-A型的BODIPY小分子的具体合成过程。
实施例1
本实施例公开了化合物Q1的合成,具体合成步骤如下:
在氮气条件下,将化合物ABr(0.720g,1.52mmol)、四(三苯基膦)钯(26mg,0.023mmol)溶于15mL甲苯中,然后将含有9-辛基-2,7-双{5-(三丁基锡基)-噻吩-2-基}咔唑(0.409g,0.40mmol)的15mL甲苯溶液注入到反应体系中,110℃下回流48h。以TLC检测反应结束,除去反应液中的溶剂,粗产物以石油醚/二氯甲烷(体积比为2:1)混合液进行柱色谱分离,最终得到墨绿色固体0.168g,产率34%。
制备上述化合物Q1的反应式如下:
Figure BDA0002620228980000131
参见图1,是实施例1中化合物Q1在氯仿溶液和成膜状态下归一化的紫外-可见光谱吸收图。由图可见,在氯仿溶液中,化合物Q1在300-700nm范围内呈现出两个特征吸收带,短波长处的吸收峰是由分子内π-π*电子跃迁引起,而长波长处的吸收峰则是由给电子咔唑和吸电子BODIPY之间的分子内电荷传输(ICT)作用所引起的。在溶液中,化合物Q1的最大吸收峰(λmax sol)位于604nm处。从溶液到薄膜态,化合物的吸收范围拓宽至近红外区的1100nm处,其最大吸收波长峰(λmax film)红移至639nm处,红移量为35nm。从化合物Q1薄膜态的吸收边缘波长计算出的光学带宽(Eg opt)为1.51eV。
参见图2,是实施例1中化合物Q1在0.1M的Bu4NBF4/CH2Cl2溶液中测得的循环伏安曲线。由图可见,材料的起始还原电位(Ered)为-1.04V,根据经验公式:LUMOCV=-(Ered-E1/2 Fc/Fc++4.8)eV。其中,E1/2 Fc/Fc+为0.05V(相比Ag/Ag+电极),故而计算得到其LUMO能级值为-5.46eV。而根据溶液态下的光学带隙可以推算出材料的HOMO能级值,其HOMO为-5.46eV。
参见图3,是以实施例1中化合物Q1和PC71BM按照质量比1:2、总浓度为12mg/mL制作的光伏器件所获得的电流-电压特征曲线。光活性层经过氯苯溶液悬涂后,初步得到器件的光伏性能为:Jsc为14.84mAcm-2,Voc为0.92V,FF为0.30,PCE为4.16%。上述结果表明,化合物Q1同时表现出高的Voc和Jsc值,这是目前具有“双高”的BODIPY类p型小分子材料。
实施例2
本实施例公开了化合物Q2的合成,具体合成步骤如下:
在氮气条件下,将化合物ABr(0.948g,2.00mmol)、四(三苯基膦)钯(46mg,0.04mmol)溶于20mL甲苯中,然后将含有5,11-二辛基-2,8-双{5-(三丁基锡基)-噻吩-2-基}吲哚[3,2-b]咔唑(0.819g,0.67mmol)的20mL甲苯溶液注入到反应体系中,110℃下回流48h。以TLC检测反应结束,除去反应液中的溶剂,粗产物以石油醚/二氯甲烷(体积比为1:1)混合液进行柱色谱分离,最终得到墨绿色固体0.144g,产率15%。
制备上述化合物Q2的反应式如下:
Figure BDA0002620228980000141
参见图4,是实施例2中化合物Q2在氯仿溶液和成膜状态下归一化的紫外-可见光谱吸收图。由图可见,在氯仿溶液中,化合物Q2在更宽的300-750nm范围内呈现出两个特征吸收带,与实施例1中的化合物Q1相比,其吸收范围进一步拓宽,而且在接近420nm处出现一个新的吸收峰。在溶液中,化合物Q2的λmax sol峰位于622nm处。从溶液到薄膜态,化合物的吸收范围拓宽至近红外区的1000nm处,其固态的λmax film峰红移至679nm处,红移量高达57nm,是所有实施例化合物中的最大值。相比其它中心单元(咔唑、芴),吲哚[3,2-b]咔唑中具有两个N烷基取代位置,通过N---H氢键作用,更有利于溶剂化作用的产生,增强了固态薄膜下分子间的堆积作用。从化合物Q2薄膜态的吸收边缘波长计算出的Eg opt为1.56eV。
参见图5,是实施例2中化合物Q2在0.1M的Bu4NBF4/CH2Cl2溶液中测得的循环伏安曲线。由图可见,材料的Ered为-1.07V,相应的LUMOCV为-3.68eV,并且其HOMO为-5.34eV。相比实施例1中的化合物,由于吲哚咔唑强的供电子特性,致使材料具有相对较高的HOMO能级,这将不利于器件获得高的Voc
参见图6,是以实施例2中化合物Q2和PC71BM按照质量比1:2、总浓度为12mg/mL制作的光伏器件所获得的电流-电压特征曲线。光活性层经过氯苯溶液悬涂后,初步得到器件的光伏性能为:Jsc为12.23mAcm-2,Voc为0.80V,FF为0.33,PCE为3.18%。
实施例3
本实施例公开了化合物Q3的合成,具体合成步骤如下:
在氮气条件下,将化合物ABr(1.896g,4.00mmol)、四(三苯基膦)钯(46mg,0.040mmol)溶于20mL甲苯中,然后将含有9,9-二辛基-2,7-双{5-(三丁基锡基)-噻吩-2-基}芴(1.812g,1.60mmol)的20mL甲苯溶液注入到反应体系中,110℃下回流48h。以TLC检测反应结束,除去反应液中的溶剂,粗产物以石油醚/二氯甲烷(体积比为1:2)混合液进行柱色谱分离,最终得到墨绿色固体0.150g,产率7%。
制备上述化合物Q3的反应式如下:
Figure BDA0002620228980000151
参见图7,是实施例3中化合物Q3在氯仿溶液和成膜状态下归一化的紫外-可见光谱吸收图。由图可见,在氯仿溶液中,与实施例1中的化合物Q1相似,化合物Q3也在300-700nm范围内呈现出两个特征吸收带。溶液态下,化合物Q3的λmax sol峰位于604nm处。从溶液到薄膜态,化合物的吸收范围拓宽至1000nm处,其固态的λmax film峰红移至618nm处,红移量仅为14nm。与实施例1和实施例2中的化合物相比,当中心给电子单元为芴时,由于没有可以形成氢键的位点,故而化合物Q3的溶剂化作用极弱,因而红移量最小。而从化合物Q3薄膜态的吸收边缘波长计算出的Eg opt也相对较宽,为1.64eV。
参见图8,是实施例3中化合物Q3在0.1M的Bu4NBF4/CH2Cl2溶液中测得的循环伏安曲线。由图可见,材料的Ered为-1.03V,相应的LUMOCV为-3.72eV,并且其HOMO为-5.46eV。该材料表现出与实施例1中相似的电化学行为,这是因为芴和咔唑均是弱给电子单元,并且两者具有极其相似的共轭结构。
参见图9,是以实施例3中化合物Q3和PC71BM按照质量比1:2、总浓度为12mg/mL制作的光伏器件所获得的电流-电压特征曲线。光活性层经过氯苯溶液悬涂后,初步得到器件的光伏性能为:Jsc为10.83mAcm-2,Voc为0.96V,FF为0.29,PCE为3.03%。
实施例4
本实施例公开了化合物Q4的合成,具体合成步骤如下:
在氮气条件下,将化合物ABr(0.474g,1.00mmol)、四(三苯基膦)钯(29mg,0.025mmol)溶于10mL甲苯中,然后将含有2,7-双{3,3″-二辛基-5″-(三丁基锡基)-[2,2′:5′,2″-三噻吩]-5-基}-9-辛基-咔唑(0.720g,0.40mmol)的10mL甲苯溶液注入到反应体系中,110℃下回流48h。以TLC检测反应结束,除去反应液中的溶剂,粗产物以石油醚/二氯甲烷(体积比为2:1)混合液进行柱色谱分离,最终得到墨绿色固体0.161g,产率20%。
制备上述化合物Q4的反应式如下:
Figure BDA0002620228980000171
参见图10,是实施例4中化合物Q4在氯仿溶液和成膜状态下归一化的紫外-可见光谱吸收图。由图可见,在氯仿溶液中,化合物Q4在更宽的300-750nm范围内呈现出两个特征吸收带,与实施例1中的化合物Q1相比,吸收范围进一步拓宽。这说明,三联噻吩要比单联噻吩作为π桥更有利于拓宽分子的光吸收范围。在溶液中,化合物Q4的λmax sol峰位于604nm处。从溶液到薄膜态,化合物的吸收范围拓宽至近红外区的1000nm处,其固态的λmax film峰红移至636nm处,红移量为32nm。该化合物的红移量与化合物Q1相近,这说明通过增加噻吩π桥的个数基本还是保持了原有分子Q1的共轭平面性。而从化合物Q4薄膜态的吸收边缘波长计算出的Eg opt也仅为1.51eV。
参见图11,是实施例4中化合物Q4在0.1M的Bu4NBF4/CH2Cl2溶液中测得的循环伏安曲线。由图可见,材料的Ered为-1.02V,相应的LUMOCV为-3.73eV,并且其HOMO为-5.42eV。这说明三联噻吩作为π桥更多的是对材料HOMO能级的影响而不是LUMO能级,也就是说长共轭的π桥可以略微抬高材料的HOMO能级,进而降低了分子带隙,这与理论计算分析的结果相吻合。
参见图12,是以实施例4中化合物Q4和PC71BM按照质量比1:2、总浓度为12mg/mL制作的光伏器件所获得的电流-电压特征曲线。光活性层经过氯仿溶液悬涂后,初步得到器件的光伏性能为:Jsc为12.89mAcm-2,Voc为0.93V,FF为0.34,PCE为4.04%。
实施例5
本实施例公开了化合物Q5的合成,具体合成步骤如下:
在氮气条件下,将化合物ABr(0.797g,1.20mmol)、四(三苯基膦)钯(29mg,0.025mmol)溶于12mL甲苯中,然后将含有9-辛基-2,7-双{5-(三丁基锡基)-噻吩-2-基}咔唑(0.490g,0.48mmol)的12mL甲苯溶液注入到反应体系中,110℃下回流72h。以TLC检测反应结束,除去反应液中的溶剂,粗产物以石油醚/二氯甲烷(体积比为1:1)混合液进行柱色谱分离,最终得到黑色固体0.193g,产率25%。
Figure BDA0002620228980000181
参见图13,是实施例5中化合物Q5在氯仿溶液和成膜状态下归一化的紫外-可见光谱吸收图。由图可见,在氯仿和薄膜态下,Q5呈现出三个吸收特征峰,这与实施例1和4中的化合物表现出的性质是不同的,主要是因为BODIPY单元的β-位引入了另外一个氟硼二吡咯结构,进而拓宽了材料的吸收范围。在氯仿溶液中,化合物Q5的λmax sol峰位于644nm处。成膜后,化合物的吸收范围拓宽至近红外区的1000nm处,其固态的λmax film峰红移至666nm处,红移量为22nm。与实施例1和4中的化合物相比,该材料的红移量有所降低,说明材料的分子间堆积作用有所减弱。可能是因为在β-位引入了另一个BODIPY结构后,整体分子骨架的平面性有所扭曲,这将不利于分子内的电荷传输过程,进而不利于器件光伏性能的提升。
参见图14,是实施例5中化合物Q5在0.1M的Bu4NBF4/CH2Cl2溶液中测得的循环伏安曲线。由图可见,相比其它化合物,该材料表现出两个还原峰,这是说明结构中存在两个BODIPY单元。另外,该材料表现出较强的还原性,其第一起始还原电位为-0.79V,对应的LUMO能级值为-3.96eV,计算得到相应的HOMO能级为-5.54eV。由此可见,β-取代的双联BODIPY可以有效降低材料的LUMO能级,进而降低分子带隙。相比其它实施例中的化合物,Q5的光学带隙也最低,仅有1.42eV。
参见图15,是以实施例5中化合物Q5和PC71BM按照质量比1:2、总浓度为12mg/mL制作的光伏器件所获得的电流-电压特征曲线。光活性层经过氯苯溶液悬涂后,初步得到器件的光伏性能为:Jsc为0.60mAcm-2,Voc为0.75V,FF为0.27,PCE为0.12%。器件的光伏性能不佳的原因主要是材料的LUMO能级过低,致使激子分离成电荷的程度不高,器件的Jsc极低。另外,由于材料的溶解性差,使得活性层成膜性不高,这也不利于FF值的提升。
表1实施例1~5中所合成化合物的光物理、电化学和光伏数据
Figure BDA0002620228980000191
由表1可知,本发明实施例中可以看出,一方面,除Q5外,当D单元中含有“N”这个活性位点后,材料表现出优越的Jsc,主要归功于这些材料的混合膜表现出强的光电转换效率、高的载流子迁移率以及较好的成膜性。另一方面,在保持π桥不变的情况下,随着中心D单元给电子性的增强,材料的HOMO能级也随之提高,这将不利于器件获得高的Voc。而延长π桥共轭长度后,能够更好地平衡分子的前线轨道能级和带隙,同时保证了低带隙和高Voc。而Q5中β-位取代的二联BODIPY单元可以有效降低分子的LUMO能级,进而减小分子带隙,仅为1.42eV。但是,由于其LUMO能级过低,导致器件载流子极低,同时材料的成膜性也不高,导致光伏器件性能整体不佳。总体来看,所有分子均呈现出强而宽的吸收特征,在膜态下的吸收范围接近近红外区域。值得一提的是,基于Q1材料的光伏器件获得了14.84mAcm-2的Jsc和0.92V的Voc,这是目前具有“双高”的BODIPY类p型材料。
总之,通过改变中心D单元、π桥以及BODIPY单元来调控分子的前线轨道以及带隙,系统研究了这些片段对A-π-D-π-A型BODIPY类共轭材料的光电和光伏性质影响,所述这些化合物具备成为高效率、高电流有机小分子光伏材料的潜力,为开发不同分子骨架的BODIPY光伏材料奠定了理论基础。

Claims (5)

1.一种A-π-D-π-A型的BODIPY小分子化合物,特征在于,该类化合物的通式为:
Figure FDA0003426237900000011
其中,X选自为氢、
Figure FDA0003426237900000012
中的任意一种,且R1选自C1~C16的烷氧基,R2选自C1~C16的直链或支链烷基;Y为氢;
π桥指噻吩单元,π桥选用下列结构之一:
Figure FDA0003426237900000013
上述π桥中的R3选自氢、C1~C8的直链或支链烷基和烷氧基;
给电子单元D选用下列结构之一:
Figure FDA0003426237900000014
上述D单元中的R4选自C1~C20的直链或支链烷基。
2.根据权利要求1所述的一种A-π-D-π-A型的BODIPY小分子化合物,特征在于,该类化合物的通式为:
Figure FDA0003426237900000021
其中:Y为
Figure FDA0003426237900000022
X、π、D的定义同权利要求1。
3.权利要求1或2所述的一种A-π-D-π-A型的BODIPY小分子化合物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
Figure FDA0003426237900000023
(1)将双溴代D单元与带有R3取代基的噻吩有机锡中间体按照摩尔比为1:3~5在钯催化剂作用下,发生Stille交叉偶联反应,得到相应的偶联化合物;
(2)偶联化合物在低温条件下与正丁基锂/有机锡试剂发生有机锡化反应,得到含有噻吩π桥的锡化中间体;
(3)含有噻吩π桥的锡化中间体与带有X和Y取代基的单溴代BODIPY单元按照摩尔比为1:2.5~3在钯催化剂作用下,发生Stille交叉偶联反应,最终制备得到A-π-D-π-A型的BODIPY小分子化合物。
4.根据权利要求3所述的一种A-π-D-π-A型的BODIPY小分子化合物的制备方法,其特征在于:所述钯催化剂为四(三苯基膦钯)、二(三苯基膦)二氯化钯、三(二亚苄基丙酮)二钯中的一种或多种;所述有机锡试剂为三甲基氯化锡或三丁基氯化锡。
5.根据权利要求1或2所述的一种A-π-D-π-A型的BODIPY小分子化合物的应用,其特征在于:所述BODIPY小分子化合物作为p型材料,以[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯为n型材料,应用于本体异质结有机太阳能电池中。
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CN105348308B (zh) * 2015-10-13 2017-04-19 东莞理工学院 一种中位含芴桥联的双氟化硼络合二吡咯甲川衍生物及其制备方法
CN105732680B (zh) * 2016-01-28 2017-12-08 东莞理工学院 一种中位烷氧基苯基取代及2,6位强给电子基取代的bodipy衍生物及其制备方法
CN106188112B (zh) * 2016-07-09 2019-02-26 东莞理工学院 一种2-位噻吩基取代的非对称型氟硼络合二吡咯甲川衍生物及其制备方法
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