CN111799299A - 显示面板 - Google Patents

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CN111799299A
CN111799299A CN202010227243.4A CN202010227243A CN111799299A CN 111799299 A CN111799299 A CN 111799299A CN 202010227243 A CN202010227243 A CN 202010227243A CN 111799299 A CN111799299 A CN 111799299A
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layer
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金东辉
金喆镐
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Abstract

提供了一种显示面板，所述显示面板包括：基底，包括显示区域和传感器区域，传感器区域包括透射部分。显示元件层设置在基底上，显示元件层包括位于显示区域中的电连接到第一薄膜晶体管的第一像素和位于传感器区域中的电连接到第二薄膜晶体管的第二像素。导电层设置在第二薄膜晶体管与基底之间，导电层在其边缘处具有两个或更多个台阶。

Description

显示面板
本专利申请要求于2019年4月1日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0037958号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明涉及显示面板和包括该显示面板的显示装置。
背景技术
显示装置已经被并入到诸如智能电话、平板PC等的各种电子设备中。由于显示装置的厚度和重量已经减小，所以显示装置的使用范围已经增大。
已经开发了设计显示装置的形状的不同方法，并且已经将更多功能并入到显示装置中。
发明内容
根据本发明的示例性实施例，提供了一种显示面板，该显示面板包括基底，基底包括显示区域和传感器区域，传感器区域包括透射部分。显示元件层设置在基底上，显示元件层包括位于显示区域中的电连接到第一薄膜晶体管的第一像素和位于传感器区域中的电连接到第二薄膜晶体管的第二像素。导电层设置在第二薄膜晶体管与基底之间，导电层在其边缘处具有两个或更多个台阶。
根据本发明的示例性实施例，显示元件层还包括在第一方向上延伸的扫描线。扫描线向第二像素提供扫描信号，导电层经由接触孔电连接到扫描线。
根据本发明的示例性实施例，显示元件层还包括在第二方向上延伸的驱动电压线。驱动电压线将驱动电压施加到第二像素，导电层经由接触孔电连接到驱动电压线。
根据本发明的示例性实施例，导电层具有
Figure BDA0002428122250000011
或更大的厚度。
根据本发明的示例性实施例，导电层中的两个或更多个台阶中的一个具有小于
Figure BDA0002428122250000021
的厚度。
根据本发明的示例性实施例，导电层包括第一导电层和位于第一导电层上的第二导电层。第一导电层和第二导电层包括彼此不同的材料。
根据本发明的示例性实施例，第一导电层包括第一导电材料，并且第二导电层包括具有比第一导电材料的蚀刻速率大的蚀刻速率的第二导电材料。
根据本发明的示例性实施例，第二导电层在第一方向上的宽度比第一导电层的宽度小。
根据本发明的示例性实施例，导电层的边缘的厚度比导电层的中心部分的厚度小。
根据本发明的示例性实施例，传感器区域包括辅助像素区域和透射区域。辅助像素区域具有第二像素中的至少一个第二像素和包括透射部分的透射区域，并且辅助像素区域和透射区域以网格形状布置。
根据本发明的示例性实施例，所述至少一个第二像素包括像素电极、共电极和中间层，共电极面对像素电极，并且中间层布置在像素电极与共电极之间，并且共电极包括与透射区域对应的开口。
根据本发明的示例性实施例，在传感器区域中提供的图像具有比在显示区域中提供的图像的分辨率小的分辨率。
根据本发明的示例性实施例，提供了一种显示装置，该显示装置包括基底。基底包括显示区域和传感器区域，传感器区域包括透射部分。显示元件层设置在基底上，显示元件层包括位于显示区域中的电连接到第一薄膜晶体管的第一像素和位于传感器区域中的电连接到第二薄膜晶体管的第二像素。导电层设置在第二薄膜晶体管与基底之间，导电层具有两个或更多个台阶，并且组件在传感器区域中布置在基底下方。
根据本发明的示例性实施例，组件包括用于发射光或接收光的电子元件。
根据本发明的示例性实施例，显示元件层还包括扫描线和驱动电压线。扫描线在第一方向上延伸并且向辅助像素提供扫描信号，驱动电压线在与第一方向相交的第二方向上延伸并且向第二像素施加驱动电压。导电层经由接触孔电连接到扫描线或驱动电压线。
根据本发明的示例性实施例，导电层具有
Figure BDA0002428122250000022
或更大的厚度。
根据本发明的示例性实施例，导电层中的两个或更多个台阶均具有小于
Figure BDA0002428122250000023
的厚度。
根据本发明的示例性实施例，导电层包括第一导电层和位于第一导电层上的第二导电层。第一导电层和第二导电层包括彼此不同的材料。
根据本发明的示例性实施例，第一导电层包括第一导电材料，并且第二导电层包括具有比第一导电材料的蚀刻速率大的蚀刻速率的第二导电材料。
根据本发明的示例性实施例，在传感器区域中提供的图像具有比在显示区域中提供的图像的分辨率小的分辨率。
根据本发明的示例性实施例，提供了一种显示面板，显示面板包括基底，基底包括显示区域。第一像素和传感器区域设置在显示区域中。传感器区域包括第二像素和透射部分。感测组件与第二像素和透射部分叠置。光阻挡层设置在感测组件与第二像素之间。
附图说明
通过参照附图详细地描述发明的示例性实施例，本发明的以上特征和其他特征将变得更加明显，在附图中：
图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置的透视图；
图2是根据本发明的示例性实施例的沿着图1的线A-A'截取的显示装置的剖视图；
图3是根据本发明的示例性实施例的显示面板的平面图；
图4是示出根据本发明的示例性实施例的图3的传感器区域SA的放大视图的平面图；
图5是根据本发明的示例性实施例的像素的等效电路图；
图6是根据本发明的示例性实施例的像素的等效电路图；
图7是根据本发明的示例性实施例的显示面板的剖视图；
图8、图9、图10和图11是根据本发明的示例性实施例的显示面板的剖视图；
图12是根据本发明的示例性实施例的显示面板的剖视图；
图13和图14是根据本发明的示例性实施例的显示面板的剖视图；以及
图15是根据本发明的示例性实施例的显示面板的剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。在整个详细描述和附图中，同样的附图标记可以表示同样的元件。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，它可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于解释，可以夸大附图中的组件的尺寸。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是根据本发明的示例性实施例的显示装置1的透视图。
参照图1，显示装置1包括在其上显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。显示装置1可以经由从布置在显示区域DA中的多个主像素Pm发射的光来提供主图像。
显示装置1包括传感器区域SA。传感器区域SA可以是诸如传感器的组件被构造为使用红外线、可见光线或声音来检测输入的区域。传感器区域SA可以包括入射到组件或源自组件的光和/或声音输出通过其透射到外部的透射部分TA。根据本发明的示例性实施例，当光透射通过传感器区域SA时，光透射率可以为约10％或更大。例如，通过传感器区域SA的光透射率可以是20％或更大、25％或更大、50％或更大、85％或更大或者90％或更大。
根据本发明的示例性实施例，可以在传感器区域SA中布置多个辅助像素Pa，并且可以通过使用从多个辅助像素Pa发射的光来提供预定图像。从传感器区域SA提供的图像是辅助图像，辅助图像的分辨率比由设置在显示区域DA中的主像素Pm提供的图像的分辨率小。换言之，传感器区域SA包括光和/或声音可以透射通过其的透射部分TA，因此，在显示区域DA中每单位面积的辅助像素Pa的数量可以比每单位面积的主像素Pm的数量小。
传感器区域SA可以至少部分地被显示区域DA围绕。例如，如图1中所示，传感器区域SA可以完全被显示区域DA围绕并且可以设置在显示区域DA中。根据本发明的示例性实施例，传感器区域SA可以以规则间隔散布在整个显示区域DA中。例如，传感器区域SA可以具有相对于显示区域DA的部分的交错的布置，或者可以具有与显示区域DA的部分的交替的布置。
在下文中，根据本发明的示例性实施例，认为显示装置1是有机发光显示装置，但是显示装置1不限于此。例如，显示装置1可以是无机发光显示器、量子点发光显示器等。
参照图1，传感器区域SA在矩形形状的显示区域DA的一部分(右上部分)中，但是本发明不限于此。例如，显示区域DA可以具有圆形形状、椭圆形形状或诸如三角形、五边形等的多边形形状，并且传感器区域SA的位置和传感器区域SA的数量可以进行各种修改。
图2是根据本发明的示例性实施例的显示装置1的剖视图。图2示出了沿着图1的线A-A'截取的剖面。
参照图2，显示装置1可以包括包含显示元件的显示面板10和位于显示面板10下方以对应于传感器区域SA的组件20。例如，组件20可以在厚度方向(例如，z方向)上与透射部分TA和有机发光二极管OLED至少部分地叠置。然而，本发明不限于此。例如，组件20可以接触相邻显示区域DA的侧壁，并且主像素Pm的有机发光二极管OLED可以接触透射部分TA的外边界以提高空间效率和分辨率。
显示面板10可以包括基底100、缓冲层111、在基底100上的显示元件层200以及作为用于密封显示元件层200的密封构件的薄膜封装层300。另外，显示面板10还可以包括布置在基底100下方的下保护膜175。例如，下保护膜175的部分可以在第一方向(例如，x方向)上与组件20间隔开，并且可以与显示区域DA对应。
基底100可以包括玻璃和/或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯和/或乙酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和/或无机层的多层结构。
显示元件层200可以包括包含薄膜晶体管TFTm和TFTa的电路层、作为显示元件的有机发光二极管OLED以及在薄膜晶体管TFTm和TFTa与有机发光二极管OLED之间的绝缘层IL。
均包括主薄膜晶体管TFTm和连接到主薄膜晶体管TFTm的有机发光二极管OLED的主像素Pm布置在显示区域DA中，均包括辅助薄膜晶体管TFTa和连接到辅助薄膜晶体管TFTa的有机发光二极管OLED的辅助像素Pa以及布线可以布置在传感器区域SA中。
另外，其中没有布置辅助薄膜晶体管TFTa和显示元件的透射部分TA可以位于传感器区域SA中。透射部分TA可以被理解为从组件20发射的光/信号和/或入射到组件20的光/信号通过其向外透射的区域。
组件20可以位于传感器区域SA中。组件20可以是使用光或声音的电子元件。例如，组件20可以是用于接收光的传感器(例如，红外线传感器)、输出和感测光或声音以测量距离或感测指纹等的传感器、发射光的小尺寸灯、或者输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用诸如可见光、IR、紫外(UV)线等各种波段的光。多个组件20可以布置在传感器区域SA中。例如，发光器件和光接收器件可以作为组件20设置在一个传感器区域SA中。可选地，一个组件20可以包括发光部分和光接收部分。
根据本发明的示例性实施例，层BSM可以指导电层、声音阻挡层和/或光阻挡层。为了便于描述，下文将描述包括导电层BSM的示例性实施例。导电层BSM可以布置在传感器区域SA中。导电层BSM可以在传感器区域SA中对应于辅助像素Pa。例如，导电层BSM可以对应于辅助薄膜晶体管TFTa的下部分布置。导电层BSM可以防止从组件20发射的外部光到达包括辅助薄膜晶体管TFTa的辅助像素Pa。
根据本发明的示例性实施例，恒定电压或信号被施加到导电层BSM以防止由于静电放电而对像素电路造成损坏。导电层BSM可以与连接到辅助像素Pa以向辅助像素Pa施加电气电力或信号的布线电接触，使得恒定电压或信号可以被施加到导电层BSM。例如，导电层BSM可以接收接地电压或辅助像素Pa的预定电压。例如，导电层BSM可以从扫描线或驱动电压线接收电压或信号，但是本发明不限于此。
薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这点上，参照图2，薄膜封装层300可以相应地包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的一种或更多种无机绝缘材料。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚磺酸乙二醇酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷和/或丙烯酰类的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)。
下保护膜175附着到基底100的下部分，并且可以保护并支撑基底100。下保护膜175可以包括与传感器区域SA对应的开口175OP。由于下保护膜175包括开口175OP，因此可以提高传感器区域SA的透光率。下保护膜175可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯和/或聚酰亚胺。
传感器区域SA在第一方向(例如，x方向)上的宽度可以比组件20在第一方向(例如，x方向)上的宽度大。在图2中，传感器区域SA的宽度等于开口175OP的宽度，但是下保护膜175中的开口175OP的宽度可以不等于传感器区域SA的宽度。例如，开口175OP的宽度可以小于传感器区域SA的宽度。
诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑矩阵的抗反射构件、透明窗等的组件可以进一步布置在显示面板10上。
薄膜封装层300也可以在这里被称为用于密封显示元件层200的封装构件300。例如，经由密封剂或玻璃料接合到基底100的封装基底可以被用作用于显示元件层200的封装构件300。
根据本发明的示例性实施例，当在剖视图中观看时，传感器区域SA可以包括两个辅助像素Pa和设置在两个辅助像素Pa之间的透射部分TA。
根据本发明的示例性实施例，当在剖视图中观看时，辅助像素Pa可以设置在两个透射部分TA之间。
根据本发明的示例性实施例，传感器区域SA可以按行和/或列设置。在这样的实施例中，辅助像素Pa可以相对于主像素Pm稍微较大，以减小传感器区域SA的非透射区域的尺寸。例如，辅助像素Pa可以接触透射部分TA或者可以与透射部分TA部分地叠置。(多个)组件20可以单独地或共同地在第二方向(例如，y方向)上延伸。(多个)组件20可以在第一方向(例如，x方向)上具有基本上与透射部分TA在第一方向(例如，x方向)上的宽度对应的宽度。
根据本发明的示例性实施例，透射部分TA可以在由第一方向(例如，x方向)和第二方向(例如，y方向)限定的平面中具有环形形状且使辅助像素Pa设置在其中心处。在该实施例中，组件20可以是直径与透射部分TA基本上相同并且与透射部分TA叠置的环形或实心圆形状。导电层BSM可以具有直径比透射部分TA和组件20小的圆形形状。
根据本发明的示例性实施例，组件20可以作为基底100上的层设置在辅助像素Pa和导电层BSM下方，并且显示装置1的基本上所有像素都可以是辅助像素Pa。在这样的情况下，透射部分TA可以设置在相邻的辅助像素Pa之间。
图3是根据本发明的示例性实施例的显示面板10的平面图，图4是示出根据本发明的示例性实施例的图3的传感器区域SA的放大视图的平面图。
参照图3，显示面板10布置在显示区域DA中并且包括多个主像素Pm。每个主像素Pm可以包括诸如有机发光二极管OLED的显示元件。每个主像素Pm可以经由有机发光二极管OLED发射光，例如，红光、绿光、蓝光或白光。如上所述，主像素Pm可以被理解为发射红光、绿光、蓝光或白光的像素。显示区域DA被上面参照图2描述的封装构件300覆盖，以被保护免受外部空气或湿气的影响。
传感器区域SA可以布置在显示区域DA中，并且多个辅助像素Pa布置在传感器区域SA中。每个辅助像素Pa可以包括诸如有机发光二极管OLED的显示元件。每个辅助像素Pa可以经由有机发光二极管OLED发射光，例如红光、绿光、蓝光或白光。如上所述，辅助像素Pa可以被理解为发射红光、绿光、蓝光或白光的像素。另外，传感器区域SA包括相邻辅助像素Pa之间的透射部分TA。
传感器区域SA包括透射部分TA，因此传感器区域SA的分辨率可以比显示区域DA的分辨率小。例如，传感器区域SA的分辨率可以是显示区域DA的其余部分的分辨率的一半。根据本发明的示例性实施例，显示区域DA的分辨率可以是400PPI或更大，传感器区域SA的分辨率可以是约200PPI或更大。
参照图4，传感器区域SA可以包括辅助像素区域PaA和透射区域TAA，辅助像素区域PaA包括至少一个辅助像素Pa，透射区域TAA包括透射部分TA。辅助像素区域PaA和透射区域TAA可以以网格形状布置。
根据本发明的示例性实施例，辅助像素区域PaA可以包括发射红光的第一辅助像素Par、发射绿光的第二辅助像素Pag和发射蓝光的第三辅助像素Pab。图4示出了Pentile型的辅助像素Pa，但是辅助像素Pa可以以条状图案形成。此外，在图4中，在辅助像素区域PaA中包括八个辅助像素Pa，但是辅助像素Pa的数量可以根据传感器区域SA的分辨率而改变。
根据本发明的示例性实施例，一个主像素Pm和一个辅助像素Pa可以包括相同的像素电路。然而，本发明不限于此。换言之，包括在主像素Pm中的像素电路和包括在辅助像素Pa中的像素电路可以彼此不同。
参照图3，主像素Pm和辅助像素Pa中的每个可以电连接到布置在非显示区域NDA中的组件。例如，在非显示区域NDA中，可以布置第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源线160和第二电源线170。
第一扫描驱动电路110可以经由在第一方向(例如，x方向)上延伸的扫描线SL向每个像素Pm或Pa提供扫描信号。第一扫描驱动电路110可以经由发射控制线EL向每个像素Pm或Pa提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可以平行于第一扫描驱动电路110布置并使显示区域DA布置在它们之间。布置在显示区域DA中的像素Pm和Pa中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路110，而其他的像素可以连接到第二扫描驱动电路120。根据本发明的示例性实施例，可以省略第二扫描驱动电路120。
端子140可以布置在基底100的一侧处。端子140可以不被绝缘层覆盖而是被暴露，并且可以电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示面板10的端子140。印刷电路板PCB可以将控制器的信号或电力传递到显示面板10。由控制器产生的控制信号可以经由印刷电路板PCB分别传递到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路120。控制器可以经由第一连接线161和第二连接线171分别向第一电源线160和第二电源线170提供第一电力电压ELVDD和第二电力电压ELVSS(见图5和图6)。第一电力电压ELVDD经由连接到第一电源线160且在第二方向(例如，y方向)上延伸的驱动电压线PL被供应到每个主像素Pm或辅助像素Pa，第二电力电压ELVSS可以被提供到每个像素Pm或Pa的连接到第二电源线170的对电极。
数据驱动电路150电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以经由连接到端子140的连接线151和连接到连接线151的数据线DL被提供到像素Pm和Pa中的每个。虽然图3示出了数据驱动电路150布置在印刷电路板PCB上，但是数据驱动电路150可以布置在根据本发明的示例性实施例的基底100上。例如，数据驱动电路150可以布置在端子140与第一电源线160之间。
第一电源线160可以包括第一子线162和第二子线163，第一子线162和第二子线163在第一方向(例如，x方向)上彼此平行地延伸且使显示区域DA处于它们之间。第二电源线170呈具有开口侧从而部分地围绕显示区域DA的环形形状。
图5是根据本发明的示例性实施例的像素的等效电路图，图6是根据本发明的示例性实施例的像素的等效电路图。
图5或图6的等效电路图可以应用于主像素Pm和/或辅助像素Pa。
参照图5，主像素Pm和辅助像素Pa中的每个可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL并且根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传递到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关薄膜晶体管T2传递的电压和供应到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有预定亮度的光。
图5示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的示例，但是本发明不限于此。如图6中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参照图6，主像素Pm和辅助像素Pa中的每个包括像素电路PC和连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管和存储电容器。薄膜晶体管和存储电容器可以连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL。
在图6中，每个像素Pm或Pa连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL，但是一个或更多个实施例不限于此。作为另一实施例，信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL中的至少一者可以被相邻像素共享。
多个薄膜晶体管可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFTT4、操作控制TFT T5、发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
信号线包括传递扫描信号Sn的扫描线SL、将前一扫描信号Sn-1传递到第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7的前一扫描线SL-1、将发射控制信号En传递到操作控制TFT T5和发射控制TFT T6的发射控制线EL以及与扫描线SL相交并传递数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传递到驱动TFT T1，初始化电压线VL传递用于初始化驱动TFTT1和像素电极的初始化电压Vint。
驱动TFT T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1，驱动TFT T1的驱动源电极S1经由操作控制TFT T5连接到驱动电压线PL，驱动TFT T1的驱动漏电极D1经由发射控制TFT T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动TFT T1根据开关TFT T2的开关操作接收数据信号Dm，从而将驱动电流IOLED提供给有机发光二极管OLED。
开关TFT T2的开关栅电极G2连接到扫描线SL，开关TFT T2的开关源电极S2连接到数据线DL，开关TFT T2的开关漏电极D2连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1并且同时经由操作控制TFT T5连接到驱动电压线PL。开关TFT T2根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn导通，并且执行将通过数据线DL传递的数据信号Dm传递到驱动TFT T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿TFT T3的补偿栅电极G3连接到扫描线SL，补偿TFT T3的补偿源电极S3连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1并且同时经由发射控制TFT T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极，补偿TFT T3的补偿漏电极D3连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。补偿TFT T3根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn导通，以将驱动TFT T1的驱动栅电极G1和驱动TFT T1的驱动漏电极D1彼此电连接，从而使驱动TFT T1以二极管的形式连接。
第一初始化TFT T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线SL-1，第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL，第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板Cst1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和驱动TFT T1的驱动栅电极G1。第一初始化TFTT4根据通过前一扫描线SL-1传递的前一扫描信号Sn-1导通，从而将初始化电压Vint传递到驱动TFT T1的驱动栅电极G1并执行用于使驱动TFT T1的驱动栅电极G1处的电压初始化的初始化操作。
操作控制TFT T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线EL，操作控制TFT T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线PL，操作控制TFT T5的操作控制漏电极D5连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1和开关TFT T2的开关漏电极D2。
发射控制TFT T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线EL，发射控制TFT T6的发射控制源电极S6连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1和补偿TFT T3的补偿源电极S3，发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6电连接到第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制TFT T5和发射控制TFT T6根据通过发射控制线EL传递的发射控制信号En同时导通，从而将驱动电压ELVDD传递到有机发光二极管OLED并允许驱动电流IOLED在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化TFT T7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线SL-1，第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7连接到发射控制TFT T6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL。第二初始化TFT T7根据通过前一扫描线SL-1传递的前一扫描信号Sn-1导通，从而使有机发光二极管OLED的像素电极初始化。
在图6中，第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7连接到前一扫描线SL-1，但是根据本发明的像素电路不限于此。根据本发明的示例性实施例，第一初始化TFT T4可以连接到前一扫描线SL-1以根据前一扫描信号Sn-1操作，并且第二初始化TFT T7可以连接到单独的信号线(例如，后一扫描线)以根据传递到该信号线的信号来操作。
存储电容器Cst的第二存储电容器板Cst2连接到驱动电压线PL，有机发光二极管OLED的对电极连接到共电压(即，第二电力电压)ELVSS。因此，有机发光二极管OLED通过从驱动TFT T1接收驱动电流IOLED而发光以显示图像。
在图6中，补偿TFT T3和第一初始化TFT T4具有双栅电极，但是补偿TFT T3和第一初始化TFT T4可以均具有一个栅电极。
根据本发明的示例性实施例，主像素Pm和辅助像素Pa可以包括相同的像素电路PC。然而，本发明不限于此。主像素Pm和辅助像素Pa可以具有拥有彼此不同结构的像素电路PC。例如，主像素Pm可以采用图6中所示的像素电路PC，而辅助像素Pa可以采用图5中所示的像素电路PC。
图7是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的剖视图。图7是传感器区域SA的辅助像素Pa的剖视图。
辅助像素Pa和透射部分TA可以位于传感器区域SA中。在下文中，将基于辅助像素Pa来描述一个像素结构，但是相同的结构也可以应用于主像素Pm。
基底100可以包括玻璃和/或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、乙酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有包括包含聚合物树脂的层和无机层的多层结构。
缓冲层111和阻挡层101位于基底100上，以减少或阻挡杂质、湿气或外部空气从基底100的下部分渗透并且在基底100上提供平坦表面。缓冲层111和阻挡层101可以包括诸如氧化物材料或氮化物材料的无机材料、有机材料和/或无机-有机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。参照图7至图15，导电层BSM可以布置在阻挡层101与缓冲层111之间。作为另一实施例，可以省略阻挡层101并且导电层BSM可以直接布置在基底100上。
辅助薄膜晶体管TFTa1和TFTa2可以布置在缓冲层111上。在图7中，辅助像素Pa包括两个辅助薄膜晶体管TFTa1和TFTa2，但是可以包括三个或更多个辅助薄膜晶体管。
半导体层A可以布置在缓冲层111上。半导体层A可以包括例如非晶硅。根据本发明的示例性实施例，半导体层A可以包括氧化物半导体，该氧化物半导体包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和/或锌(Zn)。例如，半导体层A可以包括氧化物半导体，诸如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)和/或氧化锌铟(ZIO)。
栅电极G布置在半导体层A上并使栅极绝缘层113处于它们之间。栅电极G可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可以具有单层结构或多层结构。作为示例，栅电极G可以包括包含Mo的单层。
栅极绝缘层113可以包括绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)，氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnO2)。
源电极S和/或漏电极D布置在栅电极G上并使层间绝缘层115处于它们之间。源电极S和/或漏电极D包括Mo、Al、Cu和/或Ti，并且可以均具有单层结构或多层结构。例如，源电极S和/或漏电极D可以均具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117覆盖源电极S和/或漏电极D的上表面，并且可以具有用于使像素电极210平坦化的平坦上表面。平坦化层117可以包括包含有机材料的单层结构或多层结构。平坦化层117可以包括苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化物类聚合物、对二甲苯类聚合物和/或乙烯醇类聚合物。平坦化层117可以包括无机材料。平坦化层117可以包括绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)。当平坦化层117包括无机材料时，如果需要，可以执行化学平坦化抛光。可选地，平坦化层117可以包括有机材料和无机材料两者。
像素电极210可以包括半透射电极或反射电极。根据本发明的示例性实施例，像素电极210可以包括反射层和在反射层上的透明电极层或半透明电极层，反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和/或Cr。透明电极层或半透明电极层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铝锌(AZO)。根据本发明的示例性实施例，像素电极210可以包括包含ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以位于平坦化层117上，并且像素限定层119包括使像素电极210的中心部分暴露的开口从而限定像素的发光区域。此外，像素限定层119使像素电极210的边缘与像素电极210上的对电极230之间的距离增大，以防止在像素电极210的边缘处产生电弧。像素限定层119可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和/或酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以通过诸如旋涂的工艺形成。
有机发光二极管OLED的中间层220可以包括有机发光层。有机发光层可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料的有机材料。有机发光层可以包括低分子量有机材料和/或聚合物有机材料，并且诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层可以选择性地布置在有机发光层之下和之上。中间层220可以与多个像素电极210中的每个对应。然而，本发明的示例性实施例不限于此。中间层220可以进行各种修改。换言之，中间层220可以被布置为遍及多个像素电极210。
对电极230可以包括透射电极或反射电极。根据本发明的示例性实施例，对电极230可以包括透明电极或半透明电极，并且可以被设置为包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag和/或Mg的金属薄膜。此外，诸如ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的透明导电氧化物(TCO)还可以设置在金属薄膜上。对电极230被布置为遍及显示区域DA和非显示区域NDA，并且布置在中间层220和像素限定层119上。对电极230可以相对于多个有机发光二极管OLED一体地设置，以对应于多个像素电极210。
当像素电极210是反射电极并且对电极230是透射电极时，从中间层220发射的光朝向对电极230发射，并且显示装置是顶部发射型。当像素电极210是透明电极或半透明电极并且对电极230是反射电极时，从中间层220发射的光朝向基底100放出，并且显示装置可以是底部发射型。然而，本发明的示例性实施例不限于此。根据本发明的示例性实施例的显示装置可以是其中光发射到其顶表面和底表面的双发射型。
上面的像素结构可以应用于主像素Pm和辅助像素Pa两者。
另外，导电层BSM可以布置在辅助像素Pa下方。导电层BSM可以布置在辅助薄膜晶体管TFTa的半导体层A与基底100之间。导电层BSM可以与辅助像素Pa的整个下表面叠置，或者可以被图案化为与辅助薄膜晶体管TFTa的半导体层A叠置。导电层BSM可以防止从组件20发射的外部光到达辅助像素Pa。例如，导电层BSM的上台阶可以在厚度方向(例如，z方向)上与辅助薄膜晶体管TFTa1和TFTa2叠置。
另外，可以向导电层BSM施加预定的恒定电压或信号。下面将参照图12和图13对此进行详细描述。
导电层BSM可以被设置为在其边缘处具有两个或更多个台阶。导电层BSM的台阶可以形成为阶梯形状。这样，导电层BSM的边缘可以具有比导电层BSM的中心部分的厚度小的厚度。根据本发明的示例性实施例，导电层BSM可以具有延伸超过由像素限定层119限定的沟槽的下台阶，并且导电层BSM的上台阶可以与有机发光二极管OLED的发光区域的像素电极210的宽度对应。
根据本发明的示例性实施例，为了阻挡从组件20(见图2)发射的光，导电层BSM必须具有预定的厚度或更大的厚度。在实验示例中，当具有940nm波长的光照射到包括Mo的导电层BSM时，透光率在导电层BSM的厚度为约
Figure BDA0002428122250000161
的情况下为约8％，在导电层BSM的厚度为约
Figure BDA0002428122250000162
的情况下为约3％，在导电层BSM的厚度为约
Figure BDA0002428122250000163
的情况下为约1％，并且在导电层BSM的厚度为约
Figure BDA0002428122250000164
或更大的情况下为0％。因此，为了完全阻挡从组件20发射的光，导电层BSM将要具有约
Figure BDA0002428122250000165
或更大的厚度。
然而，在另一实验示例中，当导电层BSM具有约
Figure BDA0002428122250000166
或更大的厚度时，由于台阶导致在导电层BSM上的无机层和辅助薄膜晶体管TFTa的半导体层A中出现裂纹，并且出现诸如断开的缺陷。
因此，在根据本发明的示例性实施例的显示面板10中，在其边缘处具有两个或更多个台阶的导电层BSM极大地减少了裂纹缺陷和断开缺陷的发生。下面将参照图8至图11对此进行详细描述。
图8至图11是示出根据本发明的示例性实施例的包括导电层BSM的显示面板的剖视图。参照图8，导电层BSM可以在基底100与缓冲层111之间。根据本发明的示例性实施例，除了缓冲层111之外的有机层或无机层可以进一步布置在导电层BSM上。如图7中所示，辅助薄膜晶体管TFTa的半导体层A可以布置在缓冲层111上。
导电层BSM可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、玻璃、锰(Mn)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。导电层BSM可以具有包括上面所述材料的单层结构或多层结构。根据本发明的示例性实施例，导电层BSM可以包括Mo层。根据本发明的示例性实施例，当组件20是红外传感器时，限定在导电层BSM的上台阶之间的区域(对应于厚度T12)可以包括吸收外部可见光的材料，并且限定在导电层BSM的下台阶之间的区域(对应于厚度T11)可以包括红外吸收材料。
导电层BSM的厚度T1可以为约
Figure BDA0002428122250000171
或更大，例如，约
Figure BDA0002428122250000172
或更大。根据本发明的示例性实施例，导电层BSM的厚度T1可以为约
Figure BDA0002428122250000173
或更大、约
Figure BDA0002428122250000174
或更大、约
Figure BDA0002428122250000175
或更大、约
Figure BDA0002428122250000176
或更大、约
Figure BDA0002428122250000177
或更大或者约
Figure BDA0002428122250000178
或更大。
导电层BSM可以在其边缘部分B处具有两个或更多个台阶。导电层BSM具有两个或更多个台阶，以允许导电层BSM具有约
Figure BDA0002428122250000179
或更大(例如，
Figure BDA00024281222500001710
Figure BDA00024281222500001711
或更大)的厚度，并且同时防止由于层之间的台阶导致的在导电层BSM上的无机层和辅助薄膜晶体管TFTa的半导体层A中的裂纹或断开。因此，在本发明的示例性实施例中，导电层BSM中的各个台阶的厚度T11和T12均可以小于
Figure BDA00024281222500001712
例如，当导电层BSM的厚度T1为
Figure BDA00024281222500001713
时，台阶的厚度T11和厚度T12可以均为
Figure BDA00024281222500001714
参照图9，根据本发明的示例性实施例，导电层BSM可以包括通过台阶区分的第一导电层BSM1和第二导电层BSM2。第二导电层BSM2可以在第一导电层BSM1上。根据本发明的示例性实施例，第一导电层BSM1和第二导电层BSM2可以具有彼此不同的导电材料。可以理解的是，具有彼此不同的导电材料的第一导电层BSM1和第二导电层BSM2包括具有彼此不同的蚀刻速率的金属材料。
第一导电层BSM1包括第一导电材料，第二导电层BSM2包括第二导电材料。这里，上层处的第二导电材料可以是具有比下层处的第一导电材料的蚀刻速率大的蚀刻速率的金属材料。蚀刻速率是以速度表示的参数，该速度表明经由相同蚀刻剂在预定时间段内可以去除的膜的量。蚀刻速率由下面的等式1定义。
[等式1]
E/R＝x/t(x：蚀刻厚度，t：蚀刻时间，单位：nm/min、nm/sec或
Figure BDA00024281222500001715
Figure BDA00024281222500001716
)。
为了获得导电材料的不同蚀刻速率，第二导电层BSM2处的第二导电材料可以具有比第一导电层BSM1的杨氏模量小的杨氏模量。由于具有小杨氏模量的金属材料很可能变形，所以可以选择具有相对较大杨氏模量的金属材料作为第一导电层BSM1，并且可以选择具有相对较小杨氏模量的金属材料作为第二导电层BSM2。根据本发明的示例性实施例，杨氏模量以Al、Ti、Mo和W的顺序增大，第一导电层BSM1和第二导电层BSM2可以通过使用所述金属材料的组合来获得。例如，当第一导电层BSM1包括Mo时，第二导电层BSM2可以包括Al。
根据本发明的示例性实施例，导电层BSM可以通过湿蚀刻工艺或干蚀刻工艺形成。根据本发明的示例性实施例，当使用干蚀刻时，为了提高上层处的第二导电层BSM2的蚀刻速率，可以考虑第二导电材料的特性来使用适当的混合气体。在这种情况下，即使当具有相对较大杨氏模量的金属材料位于上层处时，也可以通过施加适当的蚀刻气体来获得导电层BSM的台阶结构。例如，当SF6(80sccm)用作蚀刻气体，下层处的第一导电层BSM1包括Ti并且上层处的第二导电层BSM2包括W时，因为W的蚀刻速率比Ti的蚀刻速率大，所以可以获得导电层BSM的边缘部分B'处的台阶结构。
根据本发明的示例性实施例，当第一导电层BSM1包括Ti时，第二导电层BSM2可以包括Al。在这种情况下，如有需要，可以使用改性的蚀刻气体。
参照图10，在导电层BSM中，第三导电层BSM3在第一方向(例如，x方向)上的宽度可以比第二导电层BSM2的宽度小。
参照图10，图10的显示面板可以包括具有三个或更多个台阶的导电层BSM。导电层BSM可以在基底100与缓冲层111之间，并且辅助薄膜晶体管TFTa的半导体层A可以如图7中所示在缓冲层111上。
导电层BSM的厚度T1'可以是约
Figure BDA0002428122250000181
或更大，例如，约
Figure BDA0002428122250000182
或更大。根据本发明的示例性实施例，导电层BSM的厚度T1'可以是约
Figure BDA0002428122250000183
或更大、约
Figure BDA0002428122250000184
或更大、约
Figure BDA0002428122250000185
或更大、约
Figure BDA0002428122250000186
或更大、约
Figure BDA0002428122250000187
或更大或者约
Figure BDA0002428122250000188
或更大。
导电层BSM可以在其边缘部分C处具有三个或更多个台阶。导电层BSM具有三个或更多个台阶，以允许导电层BSM具有约
Figure BDA0002428122250000189
或更大(例如，
Figure BDA00024281222500001810
Figure BDA00024281222500001811
或更大)的厚度，并且同时防止由于层之间的台阶导致的在导电层BSM上的无机层和辅助薄膜晶体管TFTa的半导体层A中的裂纹或断开。因此，导电层BSM中的各个台阶的厚度T11'、T12'和T13'可以均小于
Figure BDA00024281222500001812
例如，当导电层BSM的厚度T1'为
Figure BDA00024281222500001813
时，台阶的厚度T11'、厚度T12'和厚度T13'可以均为
Figure BDA00024281222500001814
然而，本发明不限于此。例如，厚度T11'、T12'和T13'可以是不相等的。
参照图11，根据本发明的示例性实施例，导电层BSM可以包括通过位于边缘部分C'处的台阶区分的第一导电层BSM1、第二导电层BSM2和第三导电层BSM3。第二导电层BSM2可以在第一导电层BSM1上，第三导电层BSM3可以在第二导电层BSM2上。
根据本发明的示例性实施例，第一导电层BSM1、第二导电层BSM2和第三导电层BSM3可以具有彼此不同的导电材料。可以理解的是，具有彼此不同的导电材料的第一导电层BSM1、第二导电层BSM2和第三导电层BSM3具有蚀刻速率彼此不同的金属材料。
例如，第一导电层BSM1包括第一导电材料，第二导电层BSM2包括第二导电材料，并且第三导电层BSM3包括第三导电材料。这里，最上层处的第三导电材料可以是具有比第二导电材料的蚀刻速率大的蚀刻速率的金属材料，第二导电材料可以是具有比第一导电材料的蚀刻速率大的蚀刻速率的金属材料。为了在导电材料之间获得不同的蚀刻速率，包括在导电层BSM中的导电材料的杨氏模量可以按照第一导电材料、第二导电材料和第三导电材料的顺序减小。根据本发明的示例性实施例，当第一导电层BSM1包括Mo时，第二导电层BSM2可以包括Ti，并且第三导电层BSM3可以包括Al。
参照图10和图11，在导电层BSM中，第三导电层BSM3在第一方向(例如，x方向)上的宽度可以比第二导电层BSM2在第一方向(例如，x方向)上的宽度小，并且第二导电层BSM2在第一方向(例如，x方向)上的宽度可以比第一导电层BSM1在第一方向(例如，x方向)上的宽度小。
图12是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的剖视图。图12示出了图7的修改示例。
参照图12，导电层BSM可以被布置为仅与辅助像素Pa的薄膜晶体管中的一些叠置。例如，在图12中，导电层BSM仅布置在辅助像素Pa的第一辅助薄膜晶体管TFTa1下方，并且可以不布置在第二辅助薄膜晶体管TFTa2下方。
根据本发明的示例性实施例，第一辅助薄膜晶体管TFTa1可以是图4的驱动薄膜晶体管T1或开关薄膜晶体管T2。根据本发明的示例性实施例，第一辅助薄膜晶体管TFTa1可以是图5的驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6或第二初始化薄膜晶体管T7。
图13和图14是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的剖视图。
图13和图14示出了显示区域DA中的主像素Pm和传感器区域SA中的辅助像素Pa。如上所述，导电层BSM可以在辅助像素Pa下方。
另外，恒定电压或信号被施加到导电层BSM以防止由于静电放电而对像素电路造成损坏。如图13或图14中所示，导电层BSM可以与连接到辅助像素Pa以向辅助像素Pa施加电气电力或信号的布线电接触，使得恒定电压或信号可以被施加到导电层BSM。
参照图13，导电层BSM可以经由传感器区域SA中的接触孔电连接到驱动电压线PL，使得恒定电压被施加到导电层BSM。驱动电压线PL包括与辅助薄膜晶体管TFTa的源电极S和/或漏电极D的材料相同的材料，但不限于此。
根据本发明的示例性实施例，导电层BSM可以经由传感器区域SA中的接触孔电连接到扫描线SL，使得信号被施加到导电层BSM，如图14中所示。扫描线SL包括与辅助薄膜晶体管TFTa的栅电极G的材料相同的材料，但不限于此。
在附图中，根据本发明的示例性实施例，导电层BSM可以在显示区域DA的外侧上经由限定在非显示区域NDA(见图3)中的接触孔电连接到延伸至非显示区域NDA的驱动电压连接线。根据本发明的示例性实施例，导电层BSM可以经由限定在非显示区域NDA中的接触孔电连接到延伸至非显示区域NDA的扫描连接线，使得信号被施加到导电层BSM。
图15是示出根据本发明的示例性实施例的显示面板的剖视图。
参照图15，传感器区域SA包括透射部分TA。平坦化层117可以包括第一透射开口117OP，像素限定层119可以包括第二透射开口119OP，并且对电极230可以包括第三透射开口230OP，以对应于透射部分TA。因此，在透射部分TA中，缓冲层111、栅极绝缘层113和层间绝缘层115可以在第三方向(例如，z方向)上与基底100叠置。
根据本发明的示例性实施例，对电极230可以不包括第三透射开口230OP，而是可以布置在透射部分TA上。然而，在这种情况下，透射部分TA的透射率会由于作为金属层的对电极230而劣化，因此，与透射部分TA对应的对电极230可以被去除。
根据本发明的示例性实施例，无机绝缘层(例如，缓冲层111、栅极绝缘层113和层间绝缘层115)可以全部被去除以对应于透射部分TA。如上所述，可以在与透射部分TA对应的区域中去除这些层，从而提高透射部分TA的透射率。
另外，在透射部分TA中，形成在基底100的整个表面上的中间层220的有机层(例如，空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层等)可以进一步布置在层间绝缘层115与对电极230之间。此外，上面参照图2描述的薄膜封装层300或密封基底也可以布置在对电极230上。
根据本发明的示例性实施例，这里提供的显示装置具有用于在传感器区域中显示图像的扩展显示区域。
因此，显示装置具有提高的图像质量，同时可以提供执行各种功能。
应理解的是，这里描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的来考虑。
虽然已经参照图描述了示例性实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在此进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
基底，包括显示区域和传感器区域，所述传感器区域包括透射部分；
显示元件层，位于所述基底上，所述显示元件层包括位于所述显示区域中的电连接到第一薄膜晶体管的第一像素和位于所述传感器区域中的电连接到第二薄膜晶体管的第二像素；以及
导电层，位于所述第二薄膜晶体管与所述基底之间，所述导电层在所述导电层的边缘处具有两个或更多个台阶。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示元件层还包括在第一方向上延伸的扫描线，所述扫描线用于向所述第二像素提供扫描信号，并且
所述导电层经由接触孔电连接到所述扫描线。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述显示元件层还包括在第二方向上延伸的驱动电压线，所述驱动电压线用于向所述第二像素提供驱动电压，并且
所述导电层经由接触孔电连接到所述驱动电压线。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述导电层具有
Figure FDA0002428122240000011
或更大的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其中，在所述导电层中的所述两个或更多个台阶中的一个具有小于
Figure FDA0002428122240000012
的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述导电层包括第一导电层和位于所述第一导电层上的第二导电层，并且
所述第一导电层和所述第二导电层包括彼此不同的材料。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述第一导电层包括第一导电材料，并且所述第二导电层包括具有比所述第一导电材料的蚀刻速率大的蚀刻速率的第二导电材料。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述第二导电层在第一方向上的宽度比所述第一导电层在所述第一方向上的宽度小。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述导电层的边缘的厚度比所述导电层的中心部分的厚度小。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述传感器区域包括辅助像素区域和透射区域，所述辅助像素区域具有所述第二像素中的至少一个并且所述透射区域包括所述透射部分，并且
所述辅助像素区域和所述透射区域以网格形状布置。
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