CN111774943A - 一种晶体垂直加工工装及制作方法 - Google Patents

一种晶体垂直加工工装及制作方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种晶体垂直加工工装及制作方法,及晶体加工技术领域。晶体垂直加工工装的制作方法包括准备基板及至少一角度垫条;将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理,控制相对的两个第一表面相互平行;将角度垫条的相对的两个第二表面分别进行打磨和抛光处理,控制每个角度垫条的相对的两个第二表面相互平行;将角度垫条安装在基板上,其中,第二表面与第一表面贴合。通过上述制作方法制作的晶体垂直加工工装,基板的第一表面和角度垫条的第二表面的平行度好,因此,本发明通过上述制作方法制作的晶体垂直加工工装在加工晶体时可以一次实现一个侧面同时与晶体已平行的两个面垂直,简化工序,提高效率及产品合格率。

Description

一种晶体垂直加工工装及制作方法
技术领域
本发明涉及晶体加工技术领域,尤其涉及一种晶体垂直加工工装及制作方法。
背景技术
YAG(Yttrium Aluminum Garnet)是钇铝石榴石的简称,化学式是Y3Al5O12,属于立方晶系,YAG晶体是目前综合性能最为优异的激光晶体,激光波长1064纳米,广泛用于军事、工业和医疗等行业,工业用激光设备如:激光打标机、激光雕刻机、激光焊接机、激光划片机、镭雕机和激光打孔机等都是采用YAG晶体的。
传统YAG晶体为立方体结构,一般只有相对的两个面是平行的,现有的一些产品中需要将YAG晶体的四个侧面加工成与两个已平行的面垂直。然而,传统控制YAG晶体的垂直加工,要对每个侧面单独进行垂直控制,即,需要对YAG晶体侧面单个进行修正,工序复杂、效率低。
发明内容
为克服现有技术中的不足,本发明提供了一种晶体垂直加工工装及制作方法,较少加工工序、提高生产效率。
为达上述目的,本发明提供的一种晶体垂直加工工装的制作方法,包括步骤:
准备基板及至少一角度垫条;
将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理,控制相对的两个所述第一表面相互平行;将所述角度垫条的相对的两个第二表面分别进行打磨和抛光处理,控制每个所述角度垫条的相对的两个所述第二表面相互平行;
将所述角度垫条安装在所述基板上,其中,所述第二表面与所述第一表面贴合。
可选的,所述将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理包括步骤:
将所述基板置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;
取出预热后的所述基板冷却至室温,再对其中一个所述第一表面进行打磨和抛光处理,用平面平晶观察其面型,使所述第一表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上;
将所述基板再次置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;
取出再次预热后的所述基板冷却至室温,再对另一个所述第一表面进行打磨和抛光处理,用平面平晶观察其面型,使该第一表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。
进一步可选的,相对的两个所述第一表面进行打磨和抛光处理步骤均还包括步骤:
用研磨剂在光学透镜磨抛机上研磨所述基板;
对研磨后的所述基板进行清洗;
将清洗后的所述基板再在光学透镜磨抛机上进行抛光处理。
进一步可选的,所述用研磨剂在光学透镜磨抛机上研磨所述基板的研磨步骤包括:
用W280碳化硼研磨剂对所述基板进行一次研磨;
清洗一次研磨后的所述基板,用W40碳化硼研磨剂对所述基板进行二次研磨;
清洗二次研磨后的所述基板,用W20碳化硼研磨剂对所述基板进行三次研磨,取下所述基板用平面平晶观察是否达到标准,否则继续研磨。
进一步可选的,所述研磨步骤中清洗所述基板的方法包括:
用清洗剂对所述基板进行刷洗;
再用水进行冲洗。
进一步可选的,所述一次研磨、所述二次研磨及所述三次研磨的时长均为5-15min。
可选的,所述角度垫条的其中一面所述第二表面打磨和抛光处理的步骤包括:
准备模盘,将所述模盘及所述角度垫条置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;
取出预热后的所述角度垫条和所述模盘,并将角度垫条设置在模盘上;
待所述角度垫条和所述模盘冷却至室温时,对所述模盘上所述角度垫条进行研磨;
将所述模盘上所述角度垫条进行抛光处理,用平面平晶观察其面型,使所述第二表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。
进一步可选的,所述角度垫条的另一面所述第二表面打磨和抛光处理的步骤包括:
将抛光好的所述角度垫条跟所述模盘一起置于80~100℃的电炉中加热5-10min;
从所述模盘上取下抛光处理后的所述角度垫条,用浸泡液浸泡10-20min;
将浸泡好的所述角度垫条擦拭干净,再将所述角度垫条已打磨和抛光处理的所述第二表面贴在光胶垫板上;
对所述光胶垫板上的所述角度垫条进行研磨;
将所述模盘上所述角度垫条进行抛光处理,用平面平晶观察其面型,使该第二表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。
进一步可选的,所述角度垫条两相对的所述第二表面的距离小于等于产品的高度。
为达上述目的,本发明还提供了一种晶体垂直加工工装,所述晶体垂直加工工装按照上述提供的晶体垂直加工工装的制作方法制得。
相比现有技术,本发明的有益效果:
本发明提供的一种晶体垂直加工工装及制作方法,晶体垂直加工工装的制作方法包括准备基板及至少一角度垫条;将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理,控制相对的两个第一表面相互平行;将角度垫条的相对的两个第二表面分别进行打磨和抛光处理,控制每个角度垫条的相对的两个第二表面相互平行;将角度垫条安装在基板上,其中,第二表面与第一表面贴合。通过上述制作方法制作的晶体垂直加工工装,基板的第一表面和角度垫条的第二表面的平行度好,使用时,将立方体结构的晶体已平行的两个面中的一面贴靠在角度垫条的一侧,然后对晶体的侧面进行研磨和抛光处理,仅需要保证晶体的侧面与角度垫条的第二表面平行,由此,晶体的侧面与晶体已平行的两个面都垂直,依次加工晶体的其它侧面,因此,本发明通过上述制作方法制作的晶体垂直加工工装在加工晶体时可以一次实现一个侧面同时与晶体已平行的两个面垂直,简化工序,提高效率及产品合格率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1示出了本发明本实施例提供的一种晶体垂直加工工装的制作方法的步骤示意图;
图2示出了本发明本实施例提供的由晶体垂直加工工装的制作方法制得的晶体垂直加工工装;
图3示出了图2中提供的由晶体垂直加工工装的左视图;
图4示出了图2中提供的由晶体垂直加工工装的仰视图;
图5示出了本发明本实施例提供晶体垂直加工工装与YAG晶体配合后的一种状态示意图。
主要元件符号说明:
100-基板;100a-第一表面;100b-第一侧面;
200-角度垫条;200a-第二表面;200b-第二侧面;
300-YAG晶体。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
实施例一
请参阅图1和图5,本实施例提供的一种晶体垂直加工工装的制作方法,用于制备晶体垂直加工工装,主要用于YAG晶体300的垂直加工。
再结合参阅图2、图3以及图4,晶体垂直加工工装的制作方法包括如下步骤:
S10:准备基板100及至少一角度垫条200。
其中,基板100具有相对的两个第一表面100a及位于两个第一表面100a之间的四个第一侧面100b。角度垫条200具有相对的两个第二表面200a及位于两个第二表面200a之间的四个第二侧面200b。
S20:将基板100的相对的两个第一表面100a分别进行打磨和抛光处理,控制相对的两个第一表面100a相互平行;将角度垫条200相对的两个第二表面200a分别进行打磨和抛光处理,控制每个角度垫条200的相对的两个第二表面200a相互平行。
S30:将角度垫条200安装在基板100上,其中,一第二表面200a与一第一表面100a贴合。
在一些具体的实施例中,基板100为玻璃材质的基板100或者是蓝宝石材质的基板100,可以理解的,玻璃材质或蓝宝石材质制成的基板100具备很好的光泽,适合作为测量和承载角度块。
上述步骤S10中,基板100为正方形板,其中长度和宽度相同,对基板100进行初步加工,初步加工后再进行步骤S20。其中,初步加工的方法具体是,对基板100进行倒边为1×45°,和倒角为2×45°,单位为毫米(mm)。
上述步骤S20中,将基板100的相对的两个第一表面100a分别进行打磨和抛光处理包括步骤:
S210:将基板100置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;优选预热温度为160℃,预热时间为5min。
S211:取出预热后的基板100冷却至室温,再对其中一个第一表面100a进行打磨和抛光处理,用平面平晶观察其面型,使第一表面100a的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。
S212:将基板100再次置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;优选预热温度为160℃,预热时间为5min。
S213:取出预热后的基板100冷却至室温,再对另一个第一表面100a进行打磨和抛光处理,用平面平晶观察其面型,使第一表面100a的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。
其中,步骤S210中,预热基板100之前,在基板100的一个第一表面100a用松香蜡粘接圆形接头,以方便后续对基板100的另一个第一表面100a进行打磨和抛光处理。当打磨和抛光处理完成后,取下粘接圆形接头,并将圆形接头以同样的方法粘接在打磨和抛光处理后的第一表面100a上,再对未打磨和抛光处理的第一表面100a进行处理,最后相对的两第一表面100a都打磨和抛光处理后,再将圆形接头及基板100一起置于160℃的恒温电炉中预热5-10min,再取下圆形接头。
在一些具体的实施例中,圆形接头为铝接头,作为夹持件,便于后续的研磨。
进一步的,上述步骤S211和步骤S213分别对两第一表面100a进行打磨和抛光处理均还包括如下步骤:
S2100:用研磨剂在光学透镜磨抛机上研磨第一表面100a。
具体的:首先,用W280碳化硼研磨剂对第一表面100a进行一次研磨,研磨时间控制在5-15min,取下观察第一表面100a是否全部研磨到,若未研磨到,则继续研磨;如果研磨到了,则清洗一次研磨后的第一表面100a及光学透镜磨抛机的研磨盘。
接着,换W40碳化硼研磨剂对第一表面100a进行二次研磨,研磨时间控制在5-15min,取下观察第一表面100a是否全部研磨到,否则继续研磨;若研磨到,则清洗二次研磨后的第一表面100a及光学透镜磨抛机的研磨盘。
最后,换W20碳化硼研磨剂对第一表面100a进行三次研磨,研磨时间控制在5-15min,最后取下基板100用平面平晶观察研磨的第一表面100a是否达到标准,否则继续研磨。
上述研磨依次使用W280碳化硼、W40碳化硼以及W20碳化硼对第一表面100a逐级进行研磨,使第一表面100a更平整和光洁。
进一步的,上述清洗第一表面100a及光学透镜磨抛机的方法包括:首先用清洗剂对研磨的第一表面100a及光学透镜磨抛机的研磨盘进行刷洗;再用水进行冲洗。
在一些具体的实施例中,清洗剂选择肥皂液,用软毛刷蘸肥皂液将基板100和研磨盘刷洗一遍。
S2101:对研磨后的第一表面100a进行清洗。
具体的,用清洗剂对研磨好的第一表面100a进行刷洗;再用水进行冲洗。
S2102:将清洗后的第一表面100a再在光学透镜磨抛机上进行抛光处理,用平面平晶观察第一表面100a的面型,使抛光后的第一表面100a的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。
由此,通过上述S2100、S2101及S2102步骤依次处理基本的两个第一表面100a,使相对的两个第一表面100a的光圈N≤3,光洁度B均为V级及以上,因此,得到的两个第一表面100a的平行好。
上述步骤S20中,角度垫条200的其中一面第二表面200a打磨和抛光处理的步骤包括:
S220:准备模盘,将模盘及角度垫条200置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min。
在一些具体的实施例中,模盘和角度垫条200的预热温度可以是145℃、150℃、160℃、165℃、170℃或175℃等。
S221:取出预热后的角度垫条200和模盘,并将角度垫条200设置在模盘上。
具体的,取出预热好的模盘后,在模盘上均匀的涂抹松香蜡,把预热好的角度垫条200均匀的摆放在模盘上,并按实压紧,同时调整好距离和位置,以保证角度垫条200在模盘上均匀分布,再移至冷却区自然冷却,冷却时间25-33min,保证角度垫条200与模盘冷却至室温。
进一步的,模盘为铝盘,角度垫条200设置在模盘,可以将模盘与角度垫条200看成一个整体,方便后续的研磨。
S222:待角度垫条200和模盘冷却至室温时,对模盘上角度垫条200进行研磨。
具体的,对冷却后的角度垫条200上二轴机研磨,具体的,用W280碳化硼进行研磨,10分钟后,取下观察整个面是否全部研磨到,若未完全研磨到,则继续研磨,如已全部研磨到则用软毛刷蘸肥皂刷洗一遍,用自来水冲洗干净。接着换W40碳化硼进行研磨,更换W40碳化硼之前将铸铁磨一并清洗干净,研磨10分钟后,取下清洗干净后再换W20碳化硼研磨,更换W20碳化硼之前同样将铸铁磨一并清洗干净,10分钟后取下清洗干净将水擦拭干净后用平面平晶观察其面型,光圈N在3道圈以内即可。
S223:将模盘上角度垫条200进行抛光处理,用平面平晶观察其面型,使第二表面200a的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。
具体的,在对将模盘上角度垫条200进行抛光处理前,将已研磨好的铝盘用软毛刷蘸肥皂刷洗一遍用自来水清洗干净,在使用光学透镜磨抛机上进行抛光。
上述步骤S20中,角度垫条200的另一面第二表面200a打磨和抛光处理的步骤包括:
S224:将抛光好的角度垫条200跟模盘一起置于80~100℃的电炉中加热5-10min。
具体的,把模盘上已抛光好的角度垫条200和模盘一起置于明式电炉上加热5min,加热温度为90℃,之后用镊子取下角度垫条200,用纱布将模盘表面擦拭干净,并移动到工装放置区冷却。
S225:从模盘上取下抛光处理后的角度垫条200,用浸泡液浸泡10-20min。
具体的,待角度垫条200的温度接近室温时将其放置在容器内,用TF-120浸泡液浸泡15min,用脱脂棉将表面清洗并擦拭干净。把角度垫条200的抛光面和光胶垫板的光胶面均用酒精擦拭干净,再用无尘布擦拭,以消除酒精痕迹。
S226:将浸泡好的角度垫条200擦拭干净,再将角度垫条200已打磨和抛光处理的第二表面200a贴在光胶垫板上。
具体的:将擦拭干净的角度垫条200的抛光面贴在光胶垫板上轻轻的移动,让角度垫条200和光胶垫板之间产生光圈,依次将角度垫条200的光圈调出,使多个角度垫条200在光胶垫板上均匀的分布,位置摆好后依次将角度垫条200压紧用光学胶在角度垫条200的外围滴一圈,全部封固好后,移动到冷却区40min固化完毕。之后再用松香蜡在角度垫条200周围封一遍,封完即可对未研磨的第二表面200a进行研磨平行。
S227:对光胶垫板上的角度垫条200进行研磨。
具体的:用W280碳化硼研磨10分钟,取下观察整个面是否全部研磨到,如果未研磨到,则继续研磨,如果已经全部研磨到,用自来水清洗干净,当然也可以先用软毛刷蘸肥皂液刷洗一遍,再用自来水清洗干净,在比较测角仪上查看平行,根据平行差找出整盘的最高点,做上记号。
接着,换W40碳化硼进行研磨,同时换W40碳化硼时应清洗铸铁磨,进行压平行研磨,每5min左右取下来在比较测角仪上观察平行,平行控制在一格以内。
最后,取下清洗干净换W20碳化硼进行研磨,同样清洗铸铁磨,继续压平行,直到平行控制在对零位置即可。
S228:将模盘上角度垫条200进行抛光处理,用平面平晶观察其面型,使第二表面200a的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。
其中,将模盘上角度垫条200进行抛光处理前,将已研磨好的光胶垫板上的角度垫条200用软毛刷蘸肥皂液刷洗一遍,再用自来水清洗干净。
在一些具体的实施例中,还可以对角度垫条200长度方向的至少一个第二侧面200b进行打磨和抛光,使该第二侧面200b与已加工平行的相对的两第二表面200a垂直。
上述,步骤S30中,将角度垫条200安装在基板100上的方法包括如下步骤:
S300:把角度垫条200的抛光面放置在恒温电炉上,设置温度为160℃,预热5min,待所有角度垫条200表面的松香蜡全部融化后,将光胶垫板取下翻转放在工作台上。
S301:用单面刀片轻轻的贴在角度垫条200的底部,用榔头轻轻敲击,即可取下,依次操作全部取下所有角度垫条200。
S302:待所有角度垫条200自然冷却至室温后将所有角度垫条200浸泡在TF-120浸泡液中。
S303:10min后取出所有角度垫条200,用纱布将角度垫条200表面清洗并擦拭干净,再用TF-120将光胶垫板表面的蜡层擦拭干净,再用丙酮将表面的光学胶擦拭干净。在比较测角仪上检测角度垫条200的平行度,15秒以内合格,可以做工装使用,超过15秒重新返修。
S304:把角度垫条200和基板100的研磨面用TF-120溶液擦拭干净,裁取和角度垫条200等长等宽的镜头保护纸,在基板100上画好角度垫条200的位置,均匀的分布在基板100上,以便操作时容易控制平行。其中,角度垫条200的多少根据产品的尺寸选择,为了提高加工效率,角度垫条200数量大于等于两条。
S305:先把裁取好的镜头保护纸铺在画好位置的基板100上,压上角度垫条200的毛面,在比较测角仪上先用标准角度块调整出90°的基准,然后将基板100放置于检测平台上,调整角度垫条200在比较测角仪上分划板上的刻度线,找到刻度线后,用手调整角度垫条200,直到角度垫条200的刻度线和比较测角仪的基准线重合,保持位置不变,在角度垫条200和基板100之间的镜头纸上滴495胶水进行粘接,待2min固化完成,再继续用同样的方法将剩余的角度垫条200依次均匀固化在基板100上。
其中,495胶水的粘接强度大,495胶水渗入角度垫条200和基板100之间的粘接处。
S306:待角度垫条200全部粘接好后放置在冷却区,自然固化四小时后,用单面刀片将角度垫条200和基板100结合的镜头纸和胶水刮修掉,再用丙酮将角度垫条200于玻璃板连接处仔细擦拭,直到擦拭后在8倍放大镜下看不见角度垫条200和基板100之间有胶痕即可。最后制得晶体垂直加工工装成品如图2-图3所示。
实施例二
请参阅图1-图5,本实施例提供的一种晶体垂直加工工装的制作方法,用于制备晶体垂直加工工装,是在实施例一的基础上做的改进,相比实施例一的主要区别在于:
在实施例中,在完成其中一面第一表面100a的打磨和抛光后,以打磨和抛光后的第一表面100a为基准,进行另一面的第一表面100a的打磨和抛光,在对另一面第一表面100a进行打磨和抛光时,通过比较测角仪检查平行。
具体的,在一次研磨后以抛光面为基准根据平行差找出最高点,用油性笔做上记号,在进行二次研磨时用手压住最高点进行研磨5-10min,再次通过比较测角仪检查平行,使平行控制在1分以内,需要说明的是,比较测角仪的1格表示1分。再进行三次研磨,直到平行控制在对零位置即可。可以理解的,当平行控制在对零位置时,得到的两个第一表面100a相互平行,由此无需再进行实施例一中的步骤S2102。
其中,一次、二次以及三次研磨的方法沿用实施例一中的步骤S2100。
实施例三
请参阅图1-图5,本实施例提供的一种晶体垂直加工工装的制作方法,用于制备晶体垂直加工工装,是在实施例一或实施例二的基础上做的改进,相比实施例一或实施例二的主要区别在于:
本实施例中,角度垫条200是由一整块方形材料切割制成的。换而言之,将一整块方形材料切割成预定数量的角度垫条200。
实施例四
请参阅图1-图5,本实施例提供的一种晶体垂直加工工装,主要用于YAG晶体300的垂直加工,晶体垂直加工工装是由上述实施例一至实施例三任意一个实施例提供的晶体垂直加工工装的制作方法制得。
晶体垂直加工工装包括基板100及预定数量的角度垫条200,其中,预定数量的角度垫条200均匀的布置在基板100上,且相邻两角度垫条200之间相互平行,及相邻两角度垫条200之间间隔预定距离,该预定距离保证YAG晶体300可以放下。
具体的,角度垫条200的第二表面200a粘接在基板100的第一表面100a上,角度垫条200的长度等于基板100的长度。
进一步的,在本实施例中,基板100选用的是玻璃板,其中,基板100长宽高尺寸为110×110×10(单位:mm),倒边为1×45°,倒角为2×45°。
在本实施例中,角度垫条200的长宽高的尺寸为110×8×H,其中角度垫条200的高度H≤待加工产品高度。进一步的,角度垫条200的高度H在待加工产品高度减去0.02mm至待加工产品高度之间。
由此,在本实施例中,角度垫条200的数量为十二条,十二条角度垫条200均匀的设置在基板100上,相邻两角度垫条200之间的间距可以容纳YAG晶体300的宽度,即,可以放置YAG晶体300。
其中,YAG晶体300为立方体结构的晶体,YAG晶体300在进行侧面控制垂直时,YAG晶体300相对的两个面已控制平行。
使用时,依次将YAG晶体300已平行的两个面中的一面贴靠在角度垫条200的一侧,然后对YAG晶体300背向基板100的侧面进行研磨和抛光处理。因此,仅需要保证YAG晶体300的侧面与角度垫条200的第二表面200a平行,由此获得的YAG晶体300的侧面与YAG晶体300已平行的两个面都垂直,依次加工YAG晶体300的其它侧面。
因此,本实施例提供的晶体垂直加工工装在加工晶体时可以一次实现一个侧面同时与晶体已平行的两个面垂直,简化工序,提高效率及产品合格率。
另外采用本实施例提供的晶体垂直加工工装可以实现YAG晶体300的批量加工,极大地提高加工效率。
需要说明的,上述实施例中提到的室温为25℃,当然不一定是到25℃,可以为25±5℃。
上述实施例中提到的W280碳化硼、W40碳化硼以及W20碳化硼,其中,碳化硼前面的数字越小,代表碳化硼颗粒越细。
上述实施例中使用的TF-120代表汽油,汽油可以很好去除松香蜡,其中,松香蜡是由松香和石蜡的混合物。
上述实施例中光洁度B为V级及以上,其中“V级”代表“五级”。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例,可以理解的是,上述实施例是示例性的,不能理解为对本发明的限制,本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (10)

1.一种晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,包括步骤:
准备基板及至少一角度垫条;
将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理,控制相对的两个所述第一表面相互平行;将所述角度垫条的相对的两个第二表面分别进行打磨和抛光处理,控制每个所述角度垫条的相对的两个所述第二表面相互平行;
将所述角度垫条安装在所述基板上,其中,所述第二表面与所述第一表面贴合。
2.根据权利要求1所述的晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,所述将基板的相对的两个第一表面分别进行打磨和抛光处理包括步骤:
将所述基板置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;
取出预热后的所述基板冷却至室温,再对其中一个所述第一表面进行打磨和抛光处理,用平面平晶观察其面型,使所述第一表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上;
将所述基板再次置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;
取出再次预热后的所述基板冷却至室温,再对另一个所述第一表面进行打磨和抛光处理,用平面平晶观察其面型,使该第一表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。
3.根据权利要求2所述的晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,相对的两个所述第一表面进行打磨和抛光处理步骤均还包括步骤:
用研磨剂在光学透镜磨抛机上研磨所述基板;
对研磨后的所述基板进行清洗;
将清洗后的所述基板再在光学透镜磨抛机上进行抛光处理。
4.根据权利要求3所述的晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,所述用研磨剂在光学透镜磨抛机上研磨所述基板的研磨步骤包括:
用W280碳化硼研磨剂对所述基板进行一次研磨;
清洗一次研磨后的所述基板,用W40碳化硼研磨剂对所述基板进行二次研磨;
清洗二次研磨后的所述基板,用W20碳化硼研磨剂对所述基板进行三次研磨,取下所述基板用平面平晶观察是否达到标准,否则继续研磨。
5.根据权利要求4所述的晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,所述研磨步骤中清洗所述基板的方法包括:
用清洗剂对所述基板进行刷洗;
再用水进行冲洗。
6.根据权利要求4所述的晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,所述一次研磨、所述二次研磨及所述三次研磨的时长均为5-15min。
7.根据权利要求1所述的晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,所述角度垫条的其中一面所述第二表面打磨和抛光处理的步骤包括:
准备模盘,将所述模盘及所述角度垫条置于140~180℃的恒温炉中预热5-10min;
取出预热后的所述角度垫条和所述模盘,并将角度垫条设置在模盘上;
待所述角度垫条和所述模盘冷却至室温时,对所述模盘上所述角度垫条进行研磨;
将所述模盘上所述角度垫条进行抛光处理,用平面平晶观察其面型,使所述第二表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。
8.根据权利要求7所述的晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,所述角度垫条的另一面所述第二表面打磨和抛光处理的步骤包括:
将抛光好的所述角度垫条跟所述模盘一起置于80~100℃的电炉中加热5-10min;
从所述模盘上取下抛光处理后的所述角度垫条,用浸泡液浸泡10-20min;
将浸泡好的所述角度垫条擦拭干净,再将所述角度垫条已打磨和抛光处理的所述第二表面贴在光胶垫板上;
对所述光胶垫板上的所述角度垫条进行研磨;
将所述模盘上所述角度垫条进行抛光处理,用平面平晶观察其面型,使所述第二表面的光圈N≤3,光洁度B为V级及以上。
9.根据权利要求1-8中任意一项所述的晶体垂直加工工装的制作方法,其特征在于,所述角度垫条两相对的所述第二表面的距离小于等于产品的高度。
10.一种晶体垂直加工工装,其特征在于,所述晶体垂直加工工装按照如权利要求1-9中任意一项所述的晶体垂直加工工装的制作方法制得。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61214969A (ja) * 1985-03-15 1986-09-24 Tohoku Metal Ind Ltd Yagレ−ザロツドの鏡面研摩加工方法
CN1048184A (zh) * 1990-04-12 1991-01-02 四川大学 多根板条激光晶体成盘加工工艺
CN102229082A (zh) * 2011-06-03 2011-11-02 中国兵器工业第二〇五研究所 一种楔形镜的制作方法
CN202344359U (zh) * 2011-09-29 2012-07-25 中国航空工业第六一八研究所 光学镜片加工工装
CN105150031A (zh) * 2015-06-18 2015-12-16 江苏苏创光学器材有限公司 蓝宝石无边框触屏面板的生产方法
CN105834859A (zh) * 2016-04-13 2016-08-10 中国科学院光电技术研究所光学元件厂 一种高精度光学透镜冷加工工艺
CN108058066A (zh) * 2017-12-05 2018-05-22 江苏师范大学 一种激光板条介质的大面加工方法
CN108127802A (zh) * 2017-12-22 2018-06-08 郑州中南杰特超硬材料有限公司 一种大尺度多晶金刚石制品的加工方法
CN109352460A (zh) * 2018-12-04 2019-02-19 徐州鑫盛智能科技发展有限公司 玻璃棒抛光加工方法
CN109366291A (zh) * 2018-11-23 2019-02-22 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 一种施密特棱镜的高精度加工方法

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61214969A (ja) * 1985-03-15 1986-09-24 Tohoku Metal Ind Ltd Yagレ−ザロツドの鏡面研摩加工方法
CN1048184A (zh) * 1990-04-12 1991-01-02 四川大学 多根板条激光晶体成盘加工工艺
CN102229082A (zh) * 2011-06-03 2011-11-02 中国兵器工业第二〇五研究所 一种楔形镜的制作方法
CN202344359U (zh) * 2011-09-29 2012-07-25 中国航空工业第六一八研究所 光学镜片加工工装
CN105150031A (zh) * 2015-06-18 2015-12-16 江苏苏创光学器材有限公司 蓝宝石无边框触屏面板的生产方法
CN105834859A (zh) * 2016-04-13 2016-08-10 中国科学院光电技术研究所光学元件厂 一种高精度光学透镜冷加工工艺
CN108058066A (zh) * 2017-12-05 2018-05-22 江苏师范大学 一种激光板条介质的大面加工方法
CN108127802A (zh) * 2017-12-22 2018-06-08 郑州中南杰特超硬材料有限公司 一种大尺度多晶金刚石制品的加工方法
CN109366291A (zh) * 2018-11-23 2019-02-22 中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所 一种施密特棱镜的高精度加工方法
CN109352460A (zh) * 2018-12-04 2019-02-19 徐州鑫盛智能科技发展有限公司 玻璃棒抛光加工方法

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