CN111771426B - 显示设备的制造方法以及制造装置 - Google Patents

显示设备的制造方法以及制造装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111771426B
CN111771426B CN201880090165.9A CN201880090165A CN111771426B CN 111771426 B CN111771426 B CN 111771426B CN 201880090165 A CN201880090165 A CN 201880090165A CN 111771426 B CN111771426 B CN 111771426B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
resin layer
gas
substrate
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201880090165.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111771426A (zh
Inventor
新纳厚志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN111771426A publication Critical patent/CN111771426A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111771426B publication Critical patent/CN111771426B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • H05B33/04Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明的显示设备的制造方法,其特征在于,包括:在基板上成膜树脂层的工序;将树脂层被成膜的基板放入在第一腔室,并且将第一腔室内从大气压减压到第一真空压力的工序;从第一腔室向调整为第二真空压力的第二腔室搬入基板的工序;测量在第二腔室中从树脂层脱离的气体的工序;以及在测量气体之后,在第二腔室或第三腔室中在树脂层上成膜无机化合物层的工序。成膜无机化合物层的工序是在成膜之前将第二腔室或第三腔室内设为第三真空压力的工序。第二真空压力是比第三真空压力大的压力。

Description

显示设备的制造方法以及制造装置
技术领域
本发明是关于显示设备的制造方法以及制造装置。
背景技术
作为柔性基板广发使用聚酰亚胺制基板与聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制基板等。另外,已知树脂容易吸附水分,而且从树脂放出的水分给发光体不良影响(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2000-030871号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
当在树脂层上形成层叠膜时,树脂层与层叠层被搬入的腔室被减压到超高真空(10-5Pa至10-8Pa),或树脂层与层叠膜被进行加热处理。在该超高真空或加热处理中,有H2O等的气体从树脂层放出的情况。如果放出的气体量较多,则气体留在层间变成气泡,并且产生剥离。在显示设备的制造工序中,形成像素电路等通常在多室方式、串列方式等的复合式真空系统中进行,因此在从复合式真空系统中取出基板后才能确认是否产生剥离。由此,从开始制造到发现剥离耗费时间,并且降低生产效率。本发明是鉴于上述事情而完成的,其目的在于提供一种能够提升生产效率的显示设备的制造方法。
解决问题的手段
本发明提供一种显示设备的制造方法,其特征在于,包括:在基板上成膜树脂层的工序;将所述树脂层被成膜的所述基板放入在第一腔室,并且将所述第一腔室内从大气压减压到第一真空压力的工序;从所述第一腔室向调整为第二真空压力的第二腔室搬入所述基板的工序;测量在所述第二腔室中从所述树脂层脱离的气体的工序;以及在测量所述气体之后,在所述第二腔室或第三腔室中在所述树脂层上成膜无机化合物层的工序,成膜所述无机化合物层的工序是在成膜之前将所述第二腔室或所述第三腔室内设为第三真空压力的工序,所述第二真空压力是比所述第三真空压力大的压力。
发明效果
在本发明的制造方法中,从第一腔室搬入基板的第二腔室的压力调整为第二真空压力,该第二真空压力是比在形成无机化合物层之前的第三压力大的压力。由此,测量在第二腔室中从树脂层脱离的气体,因此能够可靠地检出从树脂层放出的气体。通过这样的分析,来能够判断是否形成了气体容易放出的树脂层,并且可以提早检测容易产生剥离的树脂层。由此,能够提升显示设备的生产效率。另外,将形成了容易产生剥离的树脂层的事宜回馈给树脂层的成膜工序,因此可以改良树脂层的成膜条件、热处理条件等,并且抑制形成容易产生剥离的树脂层。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式所涉及的显示设备制造装置的概略说明图。
图2是本发明的第一实施方式所涉及的显示设备制造装置所包含的成膜装置的概略说明图。
图3是本发明的第一实施方式所涉及的显示设备制造方法的流程图。
图4是本发明的第一实施方式所涉及的显示设备制造装置所包含的成膜装置的概略说明图。
图5是本发明的第一实施方式所涉及的显示设备制造装置所包含的成膜装置的概略说明图。
图6是表示脱附气体分析的结果的图标。
具体实施方式
本发明的显示设备的制造方法,其特征在于,包括:在基板上成膜树脂层的工序;将所述树脂层被成膜的所述基板放入在第一腔室,并且将第一腔室内从大气压减压到第一真空压力的工序;从第一腔室向调整为第二真空压力的第二腔室搬入所述基板的工序;测量在第二腔室中从所述树脂层脱离的气体的工序;以及在测量所述气体之后,在第二腔室或第三腔室中在所述树脂层上成膜无机化合物层的工序,成膜所述无机化合物层的工序是在成膜之前将第二腔室或第三腔室内设为第三真空压力的工序,第二真空压力是比第三真空压力大的压力。
本发明的制造方法优选还包括基于测量从树脂层脱离的气体的工序的测量结果,判断树脂层是否良好的工序。由此,可以提早检测容易放出气体的树脂层。
成膜所述无机化合物层的工序优选为以溅射法、物理气相沉积法或化学物理气相沉积法在树脂层上成膜无机化合物层的工序。
第三真空压力优选为10-8Pa至10-5Pa的范围内的压力。由此,能够提升无机化物层的密合性、膜质量。
第一真空压力优选为10-4Pa至10-1Pa的范围内的压力。由此,可以抑制由在第一腔室中的减压来从树脂层放出的气体过度除去,并且能够可靠地检出在第二腔室中从树脂层放出的气体。
第二真空压力优选为10-4Pa至10-1Pa的范围内的压力。由此,能够可靠地检测在第二腔室中从树脂层放出的气体。测量从所述树脂层脱离的气体的工序优选为一边加热基板,一边测量气体的工序。由此,针对没有升温树脂层就不会发出的气体也,也能够分析。
本发明的制造方法优选包括用不活泼气体置换第二腔室内的气体,并且将第二腔室内调整为第二真空压力的工序。由此,能够减少测量气体时的测量噪声。
测量从所述树脂层脱离的气体的工序优选为通过安装于第二腔室的质量分析部来测量第二腔室内的气体的工序。由此,能够分析从树脂层放出的各气体(各质量数)的放出量、种类。减压到第一真空压力的工序优选为在用不活泼气体置换第一腔室内的气体之后减压的工序。由此,可以将在第一腔室残留的气体作为不活泼气体,而且抑制大气成分向成膜腔室混入。另外,能够减少气体分析时的由大气成分的噪声,从而即使从树脂层放出的气体是微量,也能够正确地分析。
所述树脂层是聚酰亚胺层。由此,能够提升将聚酰亚胺层作为基板的显示设备的生产效率。
测量从所述树脂层脱离的气体的工序优选为检测第二腔室内的H2O的工序。
另外,本发明还提供一种显示设备制造装置,其特征在于,包括:第一腔室、安装有质量分析部的第二腔室以及包括成膜部的第三腔室,第一腔室设置成将包括树脂层的基板从大气侧搬入至第一腔室,第一腔室与第二腔室连接成将第一腔室内的包括树脂层的基板不会暴露在大气,且输送至第二腔室,第二腔室与第三腔室连接成将第二腔室内的包括树脂层的基板不会暴露在大气,且输送至第三腔室,质量分析部设置成分析从树脂层脱离的气体。
以下,参照多个实施方式,对本发明进行更详细说明。在附图与以下的记载中所示的构成为例示,本发明的范围不限于附图与以下记载中所示的内容。
第一实施方式
图1是本实施方式的显示设备制造装置的概略说明图,图2是本实施方式的制造装置所包含的成膜装置的概略说明图。图3是本实施方式的显示设备制造方法的流程图。本实施方式的显示设备的制造方法,其特征在于,包括:在基板2上成膜树脂层3的工序;将成膜了树脂层3的基板2放入在第一腔室5内,并且将第一腔室5内从大气压减压到第一真空压力的工序;从第一腔室5向调整为第二真空压力的第二腔室6搬入基板2的工序;测量在第二腔室中6从树脂层3脱离的气体的工序;在测量气体之后,在第二腔室6或第三腔室7中在树脂层3上成膜无机化合物层4的工序,成膜无机化合物层4的工序是在成膜之前将第三腔室7内设为第三真空压力的工序,第二真空压力是比第三真空压力大的压力。本实施方式的制造方法可以包括:在树脂层3上成膜阻挡层的工序、在阻挡层上形成像素电路的工序、在像素电路上成膜且形成有机EL层的工序或从基板2剥离树脂层3的工序。
本实施方式的显示设备制造装置30包括:第一腔室5、安装有质量分析部14的第二腔室6、以及包括成膜部27的第三腔室7,第一腔室5设置成将包括树脂层3的基板2从大气侧搬入至第一腔室5,第一腔室5与第二腔室6连接,使得不会将包括第一腔室内5的树脂层3的基板2暴露在大气而输送至第二腔室6输送,第二腔室6与第三腔室7连接,使得不会将包括第二腔室6内的树脂层3的基板2暴露在大气而输送至第三腔室7输送,质量分析部14设置成分析从树脂层3脱离的气体。以下,对本实施方式的显示设备的制造方法以及制造装置进行说明。在此将有机EL设备为例进行说明,但是显示设备不限于有机EL设备。
在步骤S1中,在基板2上形成树脂层3。基板2是在显示设备的制造工序中,成为支撑部件的部件。在形成像素电路与有机EL层之后,能够使基板2与树脂层3剥离,从基板2分离显示设备。基板2在显示设备的制造工序中,只要是作为支撑部件的部件,则并不特别限定,例如为玻璃基板。树脂层3是成为显示设备的柔性基板的部分。树脂层3是聚酰亚胺层、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)层、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)层等。树脂层3优选为聚酰亚胺层。在树脂层3是聚酰亚胺层的情况下,在基板2上涂布聚酰胺酸溶液,在烧制炉13中在200度至500度下对涂布膜进行热处理,因此能够在基板2上形成树脂层3(聚酰亚胺层)。在形成树脂层3之后,也能够对树脂层3实施热处理。由此,能够除去树脂层3所包含的水分等。该热处理也可以与形成树脂层3时的热处理连续进行,也可以与形成树脂层3时的热处理独立进行。例如,在树脂层3是聚酰亚胺层的情况下,能够在450度至500度下进行3时间至20时间的热处理。聚酰亚胺层的吸湿性可以视为通过热处理温度、热处理时间、聚酰胺酸溶液的溶剂、含聚酰胺酸物的种类、量等来变化。
在步骤S2中,将形成有树脂层3的基板2搬入至成膜装置29的第一腔室5(装载锁定腔室),并且将第一腔室5内减压到第一真空压力。成膜装置29是包括成膜腔室的装置,该成膜腔室以溅射法、物理气相沉积法以及化学物理气相沉积法等进行成膜工序。成膜装置29也可以是复合式真空系统。成膜装置29也可以是如图2所示的多室方式的成膜装置29,也可以是如图1所示的串列方式的成膜装置29。多室方式的成膜装置29包括输送腔室8与输送机构10,通过输送机构10输送基板2,使得基板2不会暴露在大气,能够输送。串列方式的成膜装置29是按照工序顺序,排列腔室的成膜装置。另外,在该串列方式的成膜装置29中,第一腔室5与第二腔室6经由闸阀20b密封地连接,第二腔室6与第三腔室7经由闸阀20c密封地连接。另外,在多室方式的成膜装置29中,第一腔室5与输送腔室8经由闸阀20e密封地连接,第二腔室6与输送腔室8经由闸阀20f密封地连接。进一步,在多室方式的成膜装置29中,第三腔室7与输送腔室8经由闸阀20g密封地连接,交接腔室9与输送腔室8经由闸阀20h密封地连接。此外,交接腔室9是用于从输送机构10向下一个输送机构交接基板2的腔室。另外,在以下说明中,将在图1与图2中所示的闸阀20a至20h总称为闸阀20。
成膜工序在真空气氛进行,因此成膜装置29包括从大气侧向真空侧输送基板2的第一腔室5(装载锁定腔室)。第一腔室5与成膜装置29的外部(大气侧)由大气侧的闸阀20a隔开,第一腔室5与第二腔室6或输送腔室8由真空侧的闸阀20b或20e隔开。闸阀20是在打开闸阀20的状态下,基板2能够通过该闸阀20,而且在关闭闸阀20的状态下,能够密封隔离的闸阀。
第一腔室5经由闸阀21a与排气装置15a连接。另外,第一腔室5与漏泄阀22连接。排气装置15a是排气腔室内的气体的装置,能够包括真空泵。另外,第一腔室5能够与向第一腔室5内导入不活泼气体的不活泼气体导入管连接。不活泼气体例如为氩气、氦气以及氮气等。
具体地说明步骤S2,打开漏泄阀22,并且在使第一腔室5内变成大气压之后,打开闸阀20a且向第一腔室5搬入形成有树脂层3的基板2。在关闭闸阀20a与漏泄阀22之后,通过排气装置15a来排气第一腔室5内的空气,并且减压到第一腔室5内的压力变成10-4Pa至10- 1Pa的范围内的第一真空压力。优选地,减压到第一腔室5的压力变成10-3Pa至10-2Pa的范围内的第一真空压力。通过设为将第一腔室5的排气到上述第一真空压力,从而树脂层3的气氛不会成为超高真空(10-8Pa至10-5Pa),能够抑制吸附水等全部在第一腔室5内从树脂层3放出。在树脂层3形成为容易吸附水分的情况下,在第一腔室5的排气之后残留在树脂层3的水分量变多。在树脂层3形成为不容易吸附水分的情况下,在第一腔室5的排气后残留在树脂层3的水分量变少。
在步骤S3中,从第一腔室5向第二腔室6输送基板2。在如图1那样的串列方式的成膜装置29的情况下,打开第一腔室5与第二腔室6之间的闸阀20b,向第二腔室6输送基板2,关闭闸阀20b。在如图2那样的多室方式的成膜装置29的情况下,打开闸阀20e与20f,用输送机构10来从第一腔室5向第二腔室6输送基板2,关闭闸阀20e与20f。输送前的第二腔室6与输送腔室8能够作为10-4Pa至10-1Pa的范围内的第二真空压力。第二真空压力优选能够作为10-3Pa至10-2Pa的范围内的压力。
在步骤S4中,测量从第二腔室6内的树脂层3放出的气体。通过该气体测量,检测通过在步骤S2中的减压来从树脂层3无法除去的残留气体,并且可以知道形成了容易放出气体的树脂层3,还是形成了不容易放出气体的树脂层3。气体分析能够在从向第二腔室6搬入基板2,并且在关闭闸阀20b或闸阀20f后紧跟着开始。气体分析例如能够用质量分析部14进行。质量分析部14可以是四极型质量分析部,也可以是离子阱型质量分析部,也可以是飞行时间质量分析部。质量分析部14可以包括离子化部、质量分离部以及检测部等。质量分析部14能够安装于第二腔室6,使得分析第二腔室6内的气体。
在从树脂层3放出的气体为水分(H2O)的情况下,从被质量分析部14测量的质量数18的离子强度得知从树脂层3放出的H2O量。从该H2O的放出量可得知形成了容易吸附水分的树脂层3,还是形成了不容易吸附水分的树脂层3。另外,通过质量分析部14来能够分析从树脂层3放出的气体种类与量。
在步骤S5中,判断从树脂层3放出的气体量是否少。在判断放出的气体量多的情况下,因为形成有容易放出气体的树脂层3从而停止制造工序,并且将基板2从装载锁定腔室(第一腔室5)向成膜装置29的外部取出(步骤S11)。这是因为容易放出气体的树脂层3有时成为在后续的制造工序中的膜剥离的原因。之后,重新考虑树脂层3的成膜条件(热处理温度、热处理时间、聚酰胺酸溶液的溶剂、含聚酰胺酸物的种类、量等)与热处理条件等(步骤S12),根据重新考虑的成膜条件与热处理条件形成树脂层3(步骤S1)。
在步骤S5中,在判断从树脂层3放出的气体量少的情况下,形成有不容易放出气体的树脂层3,因此从第二腔室6向第三腔室7输送基板2。在如图1那样的串列方式的成膜装置29的情况下,打开第二腔室6与第三腔室7之间的闸阀20c,输送基板2,并且关闭闸阀20c。在如图2那样的多室方式的成膜装置29的情况下,打开闸阀20f与20g,并且用输送机构10从第二腔室6向第三腔室7输送基板2,关闭闸阀20f与20g。而且,将第三腔室7减压到第三真空压力,在树脂层3上成膜无机化合物层4。第三腔室7是包括成膜部27的成膜腔室。成膜部27以溅射法、物理气相沉积法以及化学物理气相沉积法等在树脂层3上成膜无机化合物层4的部分。在通过溅射法来成膜的情况下,成膜部27可以包括溅射电极25与溅射靶材26。在通过物理气相沉积法来成膜的情况下,成膜部27可以包含沉积源。在通过化学物理气相沉积法(CVD)来成膜的情况下,成膜部27可以包括源气体供给部与产生化学反应的机构(加热、等离子体等)。在成膜前的第三腔室7内的第三真空压力通过经由闸阀21c与第三腔室7连接的排气装置15c来能够设为10-8Pa至10-5Pa的范围内的压力。另外,代替无机化合物层4,由成膜部27形成有机化合物层。例如,在第三腔室7中,可以在树脂层3上成膜阻挡层(步骤S6)。
之后,在成膜装置29内通过一边输送基板2,一边在多个腔室进行成膜,形成像素电路与有机EL层(步骤S7、S8)。而且从成膜装置29搬出基板2,使基板2与树脂层3剥离(步骤S9),并且进行单片化工序等,因此可以制造有机EL设备。
第二实施方式
第二实施方式进行在第二腔室6中从树脂层3放出的气体的分析与向树脂层3上的无机化合物层4的成膜的两者。其他与第一实施方式相同。图4是本实施方式的显示设备制造装置30所包含的成膜装置29的概略说明图。在本实施方式中,第二腔室6包括质量分析部14与成膜部27的两者。另外,第二腔室6或质量分析部14能够包括闸阀20i,该闸阀20i隔开设置有试料台17b以及成膜部27的空间与设置有质量分析部14的空间。
直到测量在第二腔室6中从树脂层3放出的气体,与第一实施方式相同。在测量气体时,打开闸阀20i。本实施方式中,在步骤S5中判断从树脂层3放出的气体量少的情况下,将第二腔室6的压力减压到第三真空压力,关闭闸阀20i之后,通过第二腔室6的成膜部27来在树脂层3上成膜无机化合物层4。由此,可以省略输送基板2的工序,并且提升生产效率。另外,通过安装于已有的成膜装置29所包含的腔室的质量分析部14来能够分析从树脂层3放出的气体,并且降低投入的成本。另外,通过设置有闸阀20i,能够防止在成膜时质量分析部14受到影响。第三真空压力可以作为10-8Pa至10-5Pa的范围内的压力。其他工序与第一实施方式相同。另外,如果没有矛盾针对第一实施方式的记载,则可以应用于第二实施方式。
第三实施方式
在第三实施方式中,包括第二腔室6加热树脂层3的加热部28。图5是本实施方式的显示设备制造装置30所包含的成膜装置29的概略说明图。另外,在包括图4所示的成膜部27与质量分析部14的第二腔室6也可以设置有加热部28。
将基板2输送到第二腔室6为止,与第一实施方式相同。在本实施方式中,在步骤S4中在第二腔室6内一边由加热部28来加热树脂层3,一边分析从树脂层3放出的气体。通过该气体分析,可以检测由步骤S2中的减压来从树脂层3无法除去的残留气体、由加热树脂层3来从树脂层3放出的气体,能够得知形成了容易放出的树脂层3,还是形成了不容易放出的树脂层3。另外,加热部28能够加热树脂层3,以使树脂层3的升温速度固定。如果只要加热部28可以升温树脂层3则并不特别限定,例如可以作为红外线加热机构。另外,可以在第二腔室6设置热电偶,该热电偶测量基板2或装载基板2的载物台17b的温度。由此,可以控制树脂层3的温度。其他工序与第一实施方式或第二实施方式相同。另外,如果没有矛盾针对第一实施方式或第二实施方式的记载,则可以应用于第三实施方式。
第四实施方式
在第四实施方式中,在向腔室6搬入基板2之前,用不活泼气体置换第二腔室6内部。具体地说明,在向第二腔室6搬入基板2之前,在将第二腔室6内减压到超高真空(10-8Pa至10-5Pa)之后,打开闸阀21e,并且向第二腔室6导入不活泼气体。不活泼气体例如是氩气、氦气以及氮气等。而且,打开闸阀21b,由排气装置15b来排气到第二腔室6内的压力变成第二真空压力。由此,可以将在第二腔室6残留的气体作为不活泼气体。第二真空压力是10-4Pa至10-1Pa的范围内的压力,优选为10-3Pa至10-2Pa的范围内的压力。之后,向第二腔室6搬入基板2,在第二腔室6的压力稳定之后,与第一实施方式同样的,用质量分析部14分析从树脂层3放出的气体。如上述,通过用不活泼气体置换第二腔室6,因此减少气体分析时的测量噪声。另外,在向第二腔室6搬入基板2之前,将第二腔室6的压力作为第二真空压力,因此气体分析时的第二腔室6的压力容易稳定,能够减少测量噪声。其他工序与第一实施方式至第三实施方式相同。另外,如果没有矛盾针对第一实施方式至第三实施方式的记载,则可以应用于第四实施方式。
第五实施方式
在第五实施方式中,用不活泼气体置换第一腔室5内部。具体地说明,在步骤S2中,打开漏泄阀22,在使第一腔室5变成大气压之后,打开闸阀20a,并且向第一腔室5搬入形成有树脂层3的基板2。在关闭闸阀20a与漏泄阀22之后,通过排气装置15a来排气第一腔室5内的空气,减压到第一腔室5内的压力变成10-4Pa至10-1Pa的范围内(优选为10-3Pa至10-2Pa的范围内)。之后,打开闸阀21d,向第一腔室5导入不活泼气体。不活泼气体例如为氩气、氦气以及氮气等。而且,打开闸阀21a,由排气装置15a排气到第一腔室5内的压力变成第一真空压力(10-4Pa至10-1Pa的范围内的压力,优选为10-3Pa至10-2Pa的范围内的压力)。由此,可以将在第一腔室5残留的气体作为不活泼气体,而且抑制大气成分向成膜腔室混入。另外,能够减少气体分析时的由大气成分的噪声,从而即使从树脂层3放出的气体是微量,也能够正确地分析。另外,也可以多次重复第一腔室5的减压与向第一腔室5的不活泼气体的导入。另外,可以组合第四实施方式与第五实施方式,用不活泼气体将第一腔室5与第二腔室6的两者置换。其他工序是与第一实施方式至第四实施方式相同。另外,如果没有矛盾针对第一实施方式至第四实施方式的记载,则可以应用于第五实施方式。
脱附气体分析实验
在剥离基板上涂布聚酰胺酸溶液,用烧制炉对涂布膜进行热处理,在玻璃基板上成膜了聚酰亚胺膜(膜厚为6μm)。之后,针对已成膜的聚酰亚胺膜实施了在500度下进行3小时的热处理。之后,向多室方式的成膜装置搬入形成有聚酰亚胺膜的玻璃基板,在聚酰亚胺膜上形成了像素电路与有机EL层。从成膜装置取出层叠基板,使用纯水旋转清洗层叠基板,则确认了发生旋转不均匀而且在层叠基板的表面存在有凹凸(异常基板)。另外,将热处理时间变成14小时,对在玻璃基板上成膜的聚酰亚胺膜进行热处理,之后,在聚酰亚胺膜上形成了像素电路与有机EL层。旋转清洗该层叠基板,则没有发生旋转不均匀(正常基板)。
接下来,以与发生旋转不均匀的异常基板所包含的聚酰亚胺膜相同的热处理条件,对在玻璃基板上成膜的聚酰亚胺膜进行热处理,制作了试料1。另外,以与正常基板所包含的聚酰亚胺膜相同的热处理条件,对在玻璃基板上成膜的聚酰亚胺膜进行热处理,制作了试料2。向升温脱离分析装置(电子科学股份有限公司制造的TDS1200)的预备排气室搬入试料,直到预备排气室的压力变成约10-3Pa减压了预备排气室。另外,直到测量室的压力变成10-3Pa减压了测量室。之后,打开预备排气室与测量室之间的闸阀,向测量室搬入试料。另外,在从向测量室搬入试料后紧跟着使用四极型质量分析部分析测量室内的气体(H2O,质量数为18)。图6所示试料1、2的测量结果。已确认了试料1(异常基板)的质量数18的离子强度大于试料2(正常基板),从试料1(异常基板)放出的水分量多于从试料2(正常基板)放出的水分量。因此,已知在500度下进行3小时的热处理的聚酰亚胺膜变成容易放出水分的膜,导致发生旋转不均匀。另外,认为在异常基板发生的旋转不均匀是因为因从聚酰亚胺膜放出的H2O产生膜剥离,导致在层叠基板的表面产生凹凸所引起。另外,分析直到10-3Pa的排气后的聚酰亚胺膜的放出气体,因此理解了能够检测放出气体多的聚酰亚胺膜。
附图标记说明
2:基板、3:树脂层、4:无机化合物层、5:第一腔室、6:第二腔室、7:第三腔室、8:输送腔室、9:交接腔室、10:输送机构、13:烧制炉、14:质量分析部、15a至15c:排气装置、17:载物台、20、20a至20i:闸阀、21a至21e:阀、22:漏泄阀、25:溅射电极、26:溅射靶材、27:成膜部、28:加热部、29:成膜装置、30:显示设备制造装置

Claims (11)

1.一种显示设备的制造方法,其特征在于,包括:
在基板上成膜树脂层的工序;
将所述树脂层被成膜的所述基板放入在第一腔室,并且将所述第一腔室内从大气压减压到第一真空压力的工序;
从所述第一腔室向调整为第二真空压力的第二腔室搬入所述基板的工序;
测量在所述第二腔室中从所述树脂层脱离的气体的工序;以及
基于测量从所述树脂层脱离的气体的工序的测量结果,判断所述树脂层是否良好的工序;
基于所述树脂层的是否良好的判断结果,在所述第二腔室或第三腔室中在所述树脂层上成膜无机化合物层的工序,
成膜所述无机化合物层的工序是在成膜之前将所述第二腔室或所述第三腔室内设为第三真空压力的工序,
所述第二真空压力是比所述第三真空压力大的压力,
测量从所述树脂层脱离的气体的工序是检测所述第二腔室内的H2O的工序。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,
成膜所述无机化合物层的工序是以溅射法、物理气相沉积法或化学物理气相沉积法在所述树脂层上成膜所述无机化合物层的工序。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,
所述第三真空压力是10-8Pa至10-5Pa的范围内的压力。
4.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,
所述第一真空压力是10-4Pa至10-1Pa的范围内的压力。
5.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,
所述第二真空压力是10-4Pa至10-1Pa的范围内的压力。
6.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,
测量从所述树脂层脱离的气体的工序是一边加热所述基板,一边测量气体的工序。
7.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,
还包括,
用不活泼气体置换所述第二腔室内的气体,并且将所述第二腔室内调整为所述第二真空压力的工序。
8.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,
测量从所述树脂层脱离的气体的工序是通过安装于所述第二腔室的质量分析部来测量所述第二腔室内的气体的工序。
9.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,
减压到所述第一真空压力的工序是在用不活泼气体置换所述第一腔室内的气体之后减压的工序。
10.根据权利要求1或2所述的制造方法,其特征在于,所述树脂层是聚酰亚胺层。
11.一种显示设备制造装置,其特征在于,包括:
第一腔室、安装有质量分析部的第二腔室以及包括成膜部的第三腔室,
所述第一腔室设置成将包括树脂层的基板从大气侧搬入至所述第一腔室,
所述第一腔室与所述第二腔室连接成将所述第一腔室内的包括所述树脂层的所述基板不会暴露在大气,且输送至所述第二腔室,所述第二腔室与所述第三腔室连接成将所述第二腔室内的包括所述树脂层的所述基板不会暴露在大气,且输送至所述第三腔室,所述质量分析部设置成分析从树脂层脱离的气体,从所述树脂层脱离的气体为H2O。
CN201880090165.9A 2018-02-27 2018-02-27 显示设备的制造方法以及制造装置 Active CN111771426B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2018/007245 WO2019167121A1 (ja) 2018-02-27 2018-02-27 表示デバイスの製造方法及び製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111771426A CN111771426A (zh) 2020-10-13
CN111771426B true CN111771426B (zh) 2023-06-13

Family

ID=67808862

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201880090165.9A Active CN111771426B (zh) 2018-02-27 2018-02-27 显示设备的制造方法以及制造装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN111771426B (zh)
WO (1) WO2019167121A1 (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014199789A (ja) * 2012-05-04 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子の作製方法、及び成膜装置
JP2017082291A (ja) * 2015-10-29 2017-05-18 株式会社島津製作所 成膜方法および成膜装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4688857B2 (ja) * 2000-10-26 2011-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置および成膜方法
JP2003236481A (ja) * 2002-02-14 2003-08-26 Toshiba Corp 洗浄方法、洗浄装置ならびに半導体装置の製造方法およびアクティブマトリックス型表示装置の製造方法
JP2004022400A (ja) * 2002-06-18 2004-01-22 Sony Corp 有機膜形成装置および有機膜形成方法
JP4139205B2 (ja) * 2002-12-09 2008-08-27 株式会社アルバック 有機el素子製造装置の洗浄方法および有機el素子の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014199789A (ja) * 2012-05-04 2014-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子の作製方法、及び成膜装置
JP2017082291A (ja) * 2015-10-29 2017-05-18 株式会社島津製作所 成膜方法および成膜装置
CN106978582A (zh) * 2015-10-29 2017-07-25 株式会社岛津制作所 成膜方法及成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN111771426A (zh) 2020-10-13
WO2019167121A1 (ja) 2019-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI682155B (zh) 漏氣判定方法、基板處理裝置及記憶媒體
WO2012039310A1 (ja) 有機el素子の製造方法、成膜装置、有機el素子
US20150194637A1 (en) Method for forming silicon nitride film, and apparatus for forming silicon nitride film
US20120295028A1 (en) Thin-film formation apparatus system and thin-film formation method
KR20010033946A (ko) 물리적 및 화학적 기상 성장법 챔버를 함께 처리용시스템에 통합하는 방법 및 버퍼 챔버
US20100143079A1 (en) Vacuum processing apparatus
TWI495019B (zh) 常溫接合裝置及常溫接合方法
JP6837274B2 (ja) 半導体製造装置及び基板搬送方法
TWI533378B (zh) A silicon nitride film forming method, and a silicon nitride film forming apparatus
CN111771426B (zh) 显示设备的制造方法以及制造装置
CN108300968B (zh) 成膜方法及真空处理装置
JP4393402B2 (ja) 有機電子素子の製造方法および製造装置
JP2009123723A (ja) 真空処理装置または真空処理方法
JP2005259858A (ja) 基板処理装置
JP2008038224A (ja) 成膜装置、成膜システムおよび成膜方法
JP2004319540A (ja) 半導体装置の製造方法およびドライエッチング装置
JP4452029B2 (ja) 酸化マグネシウム被膜の形成方法及び大気リターン型のインライン式真空蒸着装置
JP2008240016A (ja) 真空成膜装置、真空成膜方法および有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2002033280A (ja) 真空成膜装置、仕込・取出室及び仕込・取出室内部の排気方法
TWI785987B (zh) 電漿處理裝置的檢查方法
TWI808439B (zh) 層積構造體及層積構造體之製造方法
KR20130129969A (ko) 표시 디바이스 제조 장치, 표시 디바이스의 제조 방법 및 표시 디바이스
JP2000077389A (ja) プラズマ処理方法及び装置
JP6075611B2 (ja) 成膜装置
JP2008102062A (ja) 基板検査方法及び基板検査装置及びそれを備えたインライン成膜装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant