CN111769053A - 一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，属于硅晶单元处理工艺领域，采用S1.制绒、S2.第一次水洗、S3.碱洗、S4.第二次水洗、S5.酸洗、S6.脱水烘干，清洗槽药液采用循环过滤系统，有效降低硅酸盐化合物和络合物的累积，同时节省了化学品的用量，清洗干净的制绒后硅片，避免了后续扩散和烧结高温无机物对光伏电池载流子的影响，制备的黑硅电池填充高，电性能参数优。
Description
技术领域
本发明属于硅晶处理方法技术领域，尤其涉及一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法。
背景技术
由于市场上使用的槽式制绒设备各槽体只设计循环鼓泡功能，在硅片与化学药液反应后，硅酸盐化合物和络合物就会留在化学药液槽体里，随着硅片投入量的增加，硅酸盐化合物和络合物浓度升高，附着在硅片表面，不容易清洗。为解决硅酸盐化合物和络合物堆积，金属离子的聚集效应，避免污染，常规处理硅酸盐化合物和络合物是及时对寿命较长的药液和清洗水进行更换，当延长更换寿命时，硅酸盐化合物和络合物浓度继续增加，加重清洗困难，表面污染增加，导致扩散后少子寿命偏低，最终影响电池片转换效率，对硅片增加繁琐的清洗步骤必然会导致生产效率的降低；
目前大规模商业化生产药液的周期不超过30万片，主要的原因为两个：①制绒槽硅酸盐化合物和络合物的的累计；②清洗槽硅酸盐化合物和络合物的污染。
在槽式湿法制绒过程中，工艺配方包含初始配液和补液，整个工艺运行过程中，制绒槽内化学品对硅片及附着物反应，生成硅酸盐化合物和络合物，并逐渐累积，附着在硅片上的硅酸盐化合物和络合物量逐渐增加，清洗压力增加。在制绒后的清洗槽，硅片的进入后带入硅酸盐化合物和络合物逐渐增加，清洗能力减弱，导致制绒后期清洗不彻底，造成硅酸盐化合物和络合物的污染，并且目前制绒坑深度超过300nm，开孔较小，绒面粗糙。硅酸盐化合物和络合物在浓度较高，粘度较大时，通过鼓泡和循环的办法无法有效降低浓度和粘度，导致药液后期无法有效去除。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提出一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，其实现了减少了现有槽体硅酸盐化合物和络合物的浓度，提高清洗药液寿命，避免了硅酸盐化合物和络合物累计污染。
提供的技术方案为：
一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，包括：
包括以下步骤：
S1.制绒，配置制绒液，制绒液由重量比为13:1:30:2的聚乙二醇、碳酸钠、纤维素、亚硫酸铁、氢氟酸组成，将硅片置入制绒液中静置直至硅片的腐蚀坑深度达到200-700nm，腐蚀坑宽度达到 400-1200nm，取出硅片；
S2.第一次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于对清洗液进行过滤的滤芯，清洗过程中保持清洗液循环过滤，滤芯为 5-50um，进液管的管径50-200mm、管长100-200cm，进液流量为 100-300L/min,水洗时常为25分钟；
S3.将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比为1:0.5:18，NH3.H2O、H2O2、H2O组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽的碱洗槽源形成循环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过滤的滤芯，碱洗时常为八分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，滤芯为 5-50um，进液管的管径50-200mm，管长100-200cm，进液流量为 100-300L/min；
S4.第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于对清洗液进行过滤的滤芯，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm、管长100-200cm，进液流量为60-170L/min，,水洗时常为25分钟；
S5.酸洗，将硅片置入带有酸洗液的酸洗槽内，酸洗液由重量比为1:0.3:16的HF、HCl、H2O药液组成，酸洗时常为十分钟，酸洗过程中保持清洗液循环过滤，酸洗槽的进液口设置用于对清洗液进行过滤的滤芯，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm、管长100-200cm，进液流量为100-300L/min；
S6.脱水烘干，将硅片提拉至所处液面上方，提拉时保持水温为 60℃-70℃，将硅片烘干后出片，扩散印制。
进一步的，所述的步骤S4中，第二次水洗清洗液的通入水温分 两个阶段连续通入，首次通入高温清洗液，液温为85℃-95℃保持十 分钟，首次通入的清洗液排空后迅速通入低温清洗液，低温清洗液的 液温为15℃-23℃，保持5分钟。
进一步的，酸洗槽内酸洗液温为15℃-23℃。
进一步的，位于步骤S1制绒之前需要进行以下步骤，
D1.初次碱洗：将硅片插入花篮，进入初次用于剔除表面硅化合物 及沾污的碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为20:1：H2O、H2O2:组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽的碱洗槽源形成循 环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过滤的滤芯，初次碱 洗时常为十分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，滤芯为5-50um， 进液管的管径50-200mm，管长100-200cm，进液流量为100-300L/min。
进一步的，在步骤D1进行完毕后进入第二步骤碱抛
D2.碱抛，配置重量比为:3:10的KOH(NOH)、H2O药液，进行表面 抛光，抛光槽与用于提供抛光槽的抛光槽源形成循环供液，抛光槽的 进液口设置用于对抛光槽进行过滤的滤芯，抛光时常为十分钟，抛光 过程中保持清洗液循环过滤，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm， 管长100-200cm，进液流量为100-300L/min。
进一步的，在步骤S5.酸洗与步骤S6.脱水烘干之间进行第二次 水洗，
第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与用于 提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于对清 洗液进行过滤的滤芯，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm、管 长100-200cm，进液流量为60-170L/min，,水洗时常为十分钟。 从上面的叙述可以看出，本发明技术方案的有益效果在于：
清洗槽药液采用循环过滤系统，有效降低硅酸盐化合物和络合物 的累积，同时节省了化学品的用量，清洗干净的制绒后硅片，避免了 后续扩散和烧结高温无机物对光伏电池载流子的影响，制备的黑硅电 池填充高，电性能参数优。
对于生成的硅酸盐化合物和络合物采用循环过滤系统，有效过滤 掉硅酸盐化合物和络合物，减缓硅酸盐化合物和络合物的浓度上升， 提升清洗能力。
降低了酸洗温度，降低表面离子的布朗活性，晶片表面的金属的 脱附与吸附是同时进行时，清洗液内离子的脱附和吸附数值平衡，降 低温度后，对金属离子的吸引能力变弱，晶片表面的金属浓度相对较 低，有利去除金属沾污。
采用前后碱洗的手段，碱洗对Cu的剃除能力弱，不易将Cu置换 出来，采用前后温差可以利用前后金属热应力的不同，使得金属在内 部应力作用下自动脱落，方便剔除大金属颗粒，二次碱洗掺杂活性剂， 活性剂将表面离子中和降低表面张力抑制金属离子附着。
附图说明
图1为实施例2的5W寿命硅片在lnlens探测10kv电压下电镜 扫描图。
图2为实施例2的10W寿命硅片在lnlens探测10kv电压下电镜 扫描图。
图3为实施例2的35W寿命硅片在lnlens探测10kv电压下电镜 扫描图。
图4为实施例2的65W寿命硅片在lnlens探测10kv电压下电镜 扫描图。
图5为采用本方案的10W寿命硅片在lnlens探测10kv电压下电 镜扫描图。
图6为采用本方案的35W寿命硅片在lnlens探测10kv电压下电 镜扫描图。
图7为采用本方案的65W寿命硅片在lnlens探测10kv电压下电 镜扫描图。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员对本专利技术方案的理解，下面以具体 案例的形式对本专利的技术方案做进一步的说明。
实施例1：一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，：
包括以下步骤：
D1.初次碱洗：将硅片插入花篮，进入初次用于剔除表面硅化合物 及沾污的碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为20:1的H2O、H2O2组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽的碱洗槽源形成循 环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过滤的滤芯，初次碱 洗时常为十分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，滤芯为5-50um， 进液管的管径50-200mm，管长100-200cm，进液流量为100-300L/min。
D2.碱抛，配置重量比为3:10的KOH(NOH)、H2O药液，进行表面抛 光，抛光槽与用于提供抛光槽的抛光槽源形成循环供液，抛光槽的进 液口设置用于对抛光槽进行过滤的滤芯，抛光时常为十分钟，抛光过 程中保持清洗液循环过滤，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm， 管长100-200cm，进液流量为100-300L/min。
S1.制绒，配置制绒液，制绒液由重量比为13:1:30:2的聚乙二 醇、碳酸钠、纤维素、亚硫酸铁、氢氟酸组成，将硅片置入制绒液中 静置直至硅片的腐蚀坑深度达到200-700nm，腐蚀坑宽度达到 400-1200nm，取出硅片；
S2.第一次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与 用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于 对清洗液进行过滤的滤芯，清洗过程中保持清洗液循环过滤，滤芯为 5-50um，进液管的管径50-200mm、管长100-200cm，进液流量为 100-300L/min,水洗时常为25分钟；
S3.碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为1:0.5:18，NH3.H2O、H2O2、H2O组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽 的碱洗槽源形成循环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过 滤的滤芯，碱洗时常为八分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，滤 芯为5-50um，进液管的管径50-200mm，管长100-200cm，进液流量 为100-300L/min；
S4.第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗液为 纯水，向清洗槽内通入的纯水，分两个阶段连续通入，首次通入高温 清洗液，液温为85℃-95℃保持十分钟，首次通入的清洗液排空后迅 速通入低温清洗液，低温清洗液的液温为15℃-23℃，保持5分钟，清 洗槽与用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设 置用于对清洗液进行过滤的滤芯，滤芯为5-50um，进液管的管径 50-200mm、管长100-200cm，进液流量为60-170L/min，,水洗时常为 25分钟；
S5.酸洗，将硅片置入带有酸洗液的酸洗槽内，酸洗液由重 量比为1:0.3:16的HF、HCl、H2O药液组成，酸洗时常为十分钟，酸洗 过程中保持清洗液循环过滤，酸洗槽的进液口设置用于对清洗液进行 过滤的滤芯，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm、管长 100-200cm，进液流量为100-300L/min，酸洗槽内酸洗液温为10℃ -17℃，第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与 用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于 对清洗液进行过滤的滤芯，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm、 管长100-200cm，进液流量为60-170L/min，水洗时常为十分钟；
S6.脱水烘干，将硅片提拉至所处液面上方，提拉时保持水温 为60℃-70℃，将硅片烘干后出片，扩散印制。
实施例2：一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，：
包括以下步骤：
D1.初次碱洗：将硅片插入花篮，进入初次用于剔除表面硅化合物 及沾污的碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，初次碱洗时常为 十分钟。
D2.碱抛，进行表面抛光。
S1.制绒，配置制绒液，将硅片置入制绒液中静置直至硅片的腐 蚀坑深度达到200-700nm，腐蚀坑宽度达到400-1200nm，取出硅片；
S2.第一次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，水洗时常 为25分钟；
S3.碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗时常为八分 钟；
S5.酸洗，将硅片置入带有酸洗液的酸洗槽内，酸洗时常为 十分钟，第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内；
S6.脱水烘干，将硅片提拉至所处液面上方，提拉时保持水温 为60℃-70℃，将硅片烘干后出片，扩散印制。
制绒后硅片测试Ag含量：
槽内液体测试Ag含量：
实施例3：一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，：
包括以下步骤：
D1.初次碱洗：将硅片插入花篮，进入初次用于剔除表面硅化合物 及沾污的碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为20:1的H2O、H2O2组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽的碱洗槽源形成循 环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过滤的滤芯，初次碱 洗时常为十分钟。
D2.碱抛，配置重量比为3:10的KOH(NOH)、H2O药液，进行表面抛 光，抛光槽与用于提供抛光槽的抛光槽源形成循环供液，抛光槽的进 液口设置用于对抛光槽进行过滤的滤芯，抛光时常为十分钟。
S1.制绒，配置制绒液，制绒液由重量比为13:1:30:2的聚乙二 醇、碳酸钠、纤维素、亚硫酸铁、氢氟酸组成，将硅片置入制绒液中 静置直至硅片的腐蚀坑深度达到200-700nm，腐蚀坑宽度达到 400-1200nm，取出硅片；
S2.第一次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与 用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于 对清洗液进行过滤的滤芯，清洗过程中保持清洗液循环过滤，滤芯为 5-50um，进液管的管径50-200mm、管长100-200cm，进液流量为100-300L/min,水洗时常为25分钟；
S3.碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为1:0.5:18，NH3.H2O、H2O2、H2O组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽 的碱洗槽源形成循环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过 滤的滤芯，碱洗时常为八分钟；
S4.第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗液为 纯水，向清洗槽内通入的纯水，分两个阶段连续通入，首次通入高温 清洗液，液温为85℃-95℃保持十分钟，首次通入的清洗液排空后迅 速通入低温清洗液，低温清洗液的液温为15℃-23℃，保持5分钟，清 洗槽与用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设 置用于对清洗液进行过滤的滤芯；
S5.酸洗，将硅片置入带有酸洗液的酸洗槽内，酸洗液由重 量比为1:0.3:16的HF、HCl、H2O药液组成，酸洗时常为十分钟，酸洗 槽内酸洗液温为10℃-17℃，第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的 清洗槽内；
S6.脱水烘干，将硅片提拉至所处液面上方，提拉时保持水温 为60℃-70℃，将硅片烘干后出片，扩散印制。
制绒后硅片测试Ag含量：
槽内液体测试Ag含量：
实施例4：
一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，：
包括以下步骤：
D1.初次碱洗：将硅片插入花篮，进入初次用于剔除表面硅化合物 及沾污的碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为20:1的H2O、H2O2组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽的碱洗槽源形成循 环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过滤的滤芯，初次碱 洗时常为十分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，滤芯规格为20um， 管径100mm，管长130cm，循环泵流量160L/min。
D2.碱抛，配置重量比为3:10的KOH(NOH)、H2O药液，进行表面抛 光，抛光槽与用于提供抛光槽的抛光槽源形成循环供液，抛光槽的进 液口设置用于对抛光槽进行过滤的滤芯，抛光时常为十分钟，抛光过 程中保持清洗液循环过滤，滤芯规格为20um，管径100mm，管长130cm， 循环泵流量160L/min。
S1.制绒，配置制绒液，制绒液由重量比为13:1:30:2的聚乙二 醇、碳酸钠、纤维素、亚硫酸铁、氢氟酸组成，将硅片置入制绒液中 静置直至硅片的腐蚀坑深度达到200-700nm，腐蚀坑宽度达到 400-1200nm，取出硅片；
S2.第一次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与 用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于 对清洗液进行过滤的滤芯，清洗过程中保持清洗液循环过滤，滤芯规 格为20um，管径100mm，管长130cm，循环泵流量160L/min,水洗时 常为25分钟；
S3.碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为1:0.5:18，NH3.H2O、H2O2、H2O组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽 的碱洗槽源形成循环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过 滤的滤芯，碱洗时常为八分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，滤 芯规格为20um，管径100mm，管长130cm，循环泵流量160L/min；
S4.第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗液为 纯水，向清洗槽内通入的纯水，分两个阶段连续通入，首次通入高温 清洗液，液温为85℃-95℃保持十分钟，首次通入的清洗液排空后迅 速通入低温清洗液，低温清洗液的液温为15℃-23℃，保持5分钟，清 洗槽与用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设 置用于对清洗液进行过滤的滤芯，滤芯规格为20um，管径100mm，管 长130cm，循环泵流量160L/min，水洗时常为25分钟；
S5.酸洗，将硅片置入带有酸洗液的酸洗槽内，酸洗液由重 量比为1:0.3:16的HF、HCl、H2O药液组成，酸洗时常为十分钟，酸洗 过程中保持清洗液循环过滤，酸洗槽的进液口设置用于对清洗液进行 过滤的滤芯，滤芯规格为20um，管径100mm，管长130cm，循环泵流量160L/min，酸洗槽内酸洗液温为10℃-17℃，第二次水洗，将硅片 置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与用于提供清洗液的清洗液源形 成循环供液，清洗槽的进液口设置用于对清洗液进行过滤的滤芯，滤 芯规格为20um，管径100mm，管长130cm，循环泵流量160L/min，水洗时常为十分钟；
S6.脱水烘干，将硅片提拉至所处液面上方，提拉时保持水温 为60℃-70℃，将硅片烘干后出片，扩散印制。
实施例5
一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，
包括以下步骤：
D1.初次碱洗：将硅片插入花篮，进入初次用于剔除表面硅化合物 及沾污的碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为20:1的H2O、H2O2组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽的碱洗槽源形成循 环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过滤的滤芯，初次碱 洗时常为十分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，增加循环过滤系 统，滤芯规格为20um，管径100mm，管长130cm，循环泵流量160L/min。
D2.碱抛，配置重量比为3:10的KOH(NOH)、H2O药液，进行表面抛 光，抛光槽与用于提供抛光槽的抛光槽源形成循环供液，抛光槽的进 液口设置用于对抛光槽进行过滤的滤芯，抛光时常为十分钟，抛光过 程中保持清洗液循环过滤，增加循环过滤系统，滤芯规格为20um，管 径100mm，管长130cm，循环泵流量160L/min。
S1.制绒，配置制绒液，制绒液由重量比为13:1:30:2的聚乙二 醇、碳酸钠、纤维素、亚硫酸铁、氢氟酸组成，将硅片置入制绒液中 静置直至硅片的腐蚀坑深度达到200-700nm，腐蚀坑宽度达到 400-1200nm，取出硅片；
S2.第一次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与 用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于 对清洗液进行过滤的滤芯，清洗过程中保持清洗液循环过滤，增加循 环过滤系统，滤芯规格为20um，管径100mm，管长130cm，循环泵流 量160L/min,水洗时常为25分钟；
S3.碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为1:0.5:18，NH3.H2O、H2O2、H2O组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽 的碱洗槽源形成循环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过 滤的滤芯，碱洗时常为八分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，增 加循环过滤系统，滤芯规格为20um，管径100mm，管长130cm，循环 泵流量160L/min；
S4.第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗液为 纯水，向清洗槽内通入的纯水，分两个阶段连续通入，首次通入高温 清洗液，液温为85℃-95℃保持十分钟，首次通入的清洗液排空后迅 速通入低温清洗液，低温清洗液的液温为15℃-23℃，保持5分钟，清 洗槽与用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设 置用于对清洗液进行过滤的滤芯，增加循环过滤系统，滤芯规格为 20um，管径100mm，管长130cm，循环泵流量160L/min，水洗时常为 25分钟；
S5.酸洗，将硅片置入带有酸洗液的酸洗槽内，酸洗液由重 量比为1:0.3:16的HF、HCl、H2O药液组成，酸洗时常为十分钟，酸洗 过程中保持清洗液循环过滤，酸洗槽的进液口设置用于对清洗液进行 过滤的滤芯，增加循环过滤系统，滤芯规格为20um，管径100mm，管长130cm，循环泵流量160L/min，酸洗槽内酸洗液温为10℃-17℃， 第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与用于提供 清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于对清洗液 进行过滤的滤芯，增加循环过滤系统，滤芯规格为20um，管径100mm， 管长130cm，循环泵流量160L/min，水洗时常为十分钟；
S6.脱水烘干，将硅片提拉至所处液面上方，提拉时保持水温 为60℃-70℃，将硅片烘干后出片，扩散印制。
实施例6
一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，
包括以下步骤：
D1.初次碱洗：将硅片插入花篮，进入初次用于剔除表面硅化合物 及沾污的碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为20:1的H2O、H2O2组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽的碱洗槽源形成循 环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过滤的滤芯，初次碱 洗时常为十分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，增加循环过滤系 统，滤芯规格为35um，管径150mm，管长160cm，循环泵流量230L/min。
D2.碱抛，配置重量比为3:10的KOH(NOH)、H2O药液，进行表面抛 光，抛光槽与用于提供抛光槽的抛光槽源形成循环供液，抛光槽的进 液口设置用于对抛光槽进行过滤的滤芯，抛光时常为十分钟，抛光过 程中保持清洗液循环过滤，增加循环过滤系统，滤芯规格为35um，管 径150mm，管长160cm，循环泵流量230L/min。
S1.制绒，配置制绒液，制绒液由重量比为13:1:30:2的聚乙二 醇、碳酸钠、纤维素、亚硫酸铁、氢氟酸组成，将硅片置入制绒液中 静置直至硅片的腐蚀坑深度达到200-700nm，腐蚀坑宽度达到 400-1200nm，取出硅片；
S2.第一次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与 用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于 对清洗液进行过滤的滤芯，清洗过程中保持清洗液循环过滤，增加循 环过滤系统，滤芯规格为35um，管径150mm，管长160cm，循环泵流 量230L/min,水洗时常为25分钟；
S3.碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为1:0.5:18，NH3.H2O、H2O2、H2O组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽 的碱洗槽源形成循环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过 滤的滤芯，碱洗时常为八分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，增 加循环过滤系统，滤芯规格为35um，管径150mm，管长160cm，循环 泵流量230L/min；
S4.第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗液为 纯水，向清洗槽内通入的纯水，分两个阶段连续通入，首次通入高温 清洗液，液温为85℃-95℃保持十分钟，首次通入的清洗液排空后迅 速通入低温清洗液，低温清洗液的液温为15℃-23℃，保持5分钟，清 洗槽与用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设 置用于对清洗液进行过滤的滤芯，增加循环过滤系统，滤芯规格为 35um，管径150mm，管长160cm，循环泵流量230L/min，水洗时常为 25分钟；
S5.酸洗，将硅片置入带有酸洗液的酸洗槽内，酸洗液由重 量比为1:0.3:16的HF、HCl、H2O药液组成，酸洗时常为十分钟，酸洗 过程中保持清洗液循环过滤，酸洗槽的进液口设置用于对清洗液进行 过滤的滤芯，增加循环过滤系统，滤芯规格为35um，管径150mm，管长160cm，循环泵流量230L/min，酸洗槽内酸洗液温为10℃-17℃， 第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与用于提供 清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于对清洗液 进行过滤的滤芯，增加循环过滤系统，滤芯规格为35um，管径150mm， 管长160cm，循环泵流量230L/min，水洗时常为十分钟；
S6.脱水烘干，将硅片提拉至所处液面上方，提拉时保持水温 为60℃-70℃，将硅片烘干后出片，扩散印制。
实施例7，
一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，
包括以下步骤：
D1.初次碱洗：将硅片插入花篮，进入初次用于剔除表面硅化合物 及沾污的碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为20:1的H2O、H2O2组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽的碱洗槽源形成循 环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过滤的滤芯，初次碱 洗时常为十分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，增加循环过滤系 统，滤芯规格为50um，管径200mm，管长200cm，循环泵流量300L/min。
D2.碱抛，配置重量比为3:10的KOH(NOH)、H2O药液，进行表面抛 光，抛光槽与用于提供抛光槽的抛光槽源形成循环供液，抛光槽的进 液口设置用于对抛光槽进行过滤的滤芯，抛光时常为十分钟，抛光过 程中保持清洗液循环过滤，增加循环过滤系统，滤芯规格为50um，管 径200mm，管长200cm，循环泵流量300L/min。
S1.制绒，配置制绒液，制绒液由重量比为13:1:30:2的聚乙二 醇、碳酸钠、纤维素、亚硫酸铁、氢氟酸组成，将硅片置入制绒液中 静置直至硅片的腐蚀坑深度达到200-700nm，腐蚀坑宽度达到 400-1200nm，取出硅片；
S2.第一次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与 用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于 对清洗液进行过滤的滤芯，清洗过程中保持清洗液循环过滤，增加循 环过滤系统，滤芯规格为50um，管径200mm，管长200cm，循环泵流 量300L/min,水洗时常为25分钟；
S3.碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比 为1:0.5:18，NH3.H2O、H2O2、H2O组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽 的碱洗槽源形成循环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过 滤的滤芯，碱洗时常为八分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，增 加循环过滤系统，滤芯规格为50um，管径200mm，管长200cm，循环 泵流量300L/min；
S4.第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗液为 纯水，向清洗槽内通入的纯水，分两个阶段连续通入，首次通入高温 清洗液，液温为85℃-95℃保持十分钟，首次通入的清洗液排空后迅 速通入低温清洗液，低温清洗液的液温为15℃-23℃，保持5分钟，清 洗槽与用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设 置用于对清洗液进行过滤的滤芯，增加循环过滤系统，滤芯规格为 50um，管径200mm，管长200cm，循环泵流量300L/min，水洗时常为 25分钟；
S5.酸洗，将硅片置入带有酸洗液的酸洗槽内，酸洗液由重 量比为1:0.3:16的HF、HCl、H2O药液组成，酸洗时常为十分钟，酸洗 过程中保持清洗液循环过滤，酸洗槽的进液口设置用于对清洗液进行 过滤的滤芯，增加循环过滤系统，滤芯规格为50um，管径200mm，管长200cm，循环泵流量300L/min，酸洗槽内酸洗液温为10℃-17℃， 第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与用于提供 清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于对清洗液 进行过滤的滤芯，增加循环过滤系统，滤芯规格为50um，管径200mm， 管长200cm，循环泵流量300L/min，水洗时常为十分钟；
S6.脱水烘干，将硅片提拉至所处液面上方，提拉时保持水温 为60℃-70℃，将硅片烘干后出片，扩散印制。
Claims (6)
1.一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，包括其特征在于：包括以下步骤：
S1.制绒，配置制绒液，制绒液由重量比为13:1:30:2的聚乙二醇、碳酸钠、纤维素、亚硫酸铁、氢氟酸组成，将硅片置入制绒液中静置直至硅片的腐蚀坑深度达到200-700nm，腐蚀坑宽度达到400-1200nm，取出硅片；
S2.第一次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于对清洗液进行过滤的滤芯，清洗过程中保持清洗液循环过滤，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm、管长100-200cm，进液流量为100-300L/min,水洗时常为25分钟；
S3.碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比为1:0.5:18，NH3.H2O、H2O2、H2O组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽的碱洗槽源形成循环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过滤的滤芯，碱洗时常为八分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm，管长100-200cm，进液流量为100-300L/min；
S4.第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于对清洗液进行过滤的滤芯，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm、管长100-200cm，进液流量为60-170L/min，水洗时常为25分钟；
S5.酸洗，将硅片置入带有酸洗液的酸洗槽内，酸洗液由重量比为1:0.3:16的HF、HCl、H2O药液组成，酸洗时常为十分钟，酸洗过程中保持清洗液循环过滤，酸洗槽的进液口设置用于对清洗液进行过滤的滤芯，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm、管长100-200cm，进液流量为100-300L/min；
S6.脱水烘干，将硅片提拉至所处液面上方，提拉时保持水温为60℃-70℃，将硅片烘干后出片，扩散印制。
2.根据权利要求1所述的一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，其特征在于：所述的步骤S4中，第二次水洗清洗液的通入水温分两个阶段连续通入，首次通入高温清洗液，液温为85℃-95℃保持十分钟，首次通入的清洗液排空后迅速通入低温清洗液，低温清洗液的液温为15℃-23℃，保持5分钟。
3.根据权利要求1所述的一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，其特征在于：酸洗槽内酸洗液温为15℃-23℃。
4.根据权利要求1所述的一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，其特征在于：位于步骤S1制绒之前需要进行以下步骤，
D1.初次碱洗：将硅片插入花篮，进入初次用于剔除表面硅化合物及沾污的碱洗，将硅片置入带有碱洗液的碱洗槽内，碱洗液由重量比为20:1的H2O、H2O2组成，碱洗槽与用于提供碱洗槽的碱洗槽源形成循环供液，碱洗槽的进液口设置用于对碱洗槽进行过滤的滤芯，初次碱洗时常为十分钟，碱洗过程中保持清洗液循环过滤，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm，管长100-200cm，进液流量为100-300L/min。
5.根据权利要求4所述的一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，其特征在于：在步骤D1进行完毕后进入第二步骤碱抛
D2.碱抛，配置重量比为3:10的KOH(NOH)、H2O药液，进行表面抛光，抛光槽与用于提供抛光槽的抛光槽源形成循环供液，抛光槽的进液口设置用于对抛光槽进行过滤的滤芯，抛光时常为十分钟，抛光过程中保持清洗液循环过滤，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm，管长100-200cm，进液流量为100-300L/min。
6.根据权利要求2所述的一种硅晶槽式湿法制绒循环过滤处理方法，其特征在于：在步骤S5酸洗与步骤S6脱水烘干之间进行第二次水洗，
第二次水洗，将硅片置入带有清洗液的清洗槽内，清洗槽与用于提供清洗液的清洗液源形成循环供液，清洗槽的进液口设置用于对清洗液进行过滤的滤芯，滤芯为5-50um，进液管的管径50-200mm、管长100-200cm，进液流量为60-170L/min，水洗时常为十分钟。
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