CN111766012A - 一种薄膜真空计的固定电极及其制备方法 - Google Patents

一种薄膜真空计的固定电极及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明属于真空镀膜及微观表面科学技术领域，尤其涉及一种薄膜真空计的固定电极及其制备方法。所述固定电极包括基底，以及依次层叠设置于所述基底表面的缓冲层和导电层；所述缓冲层用于增强导电层和基底的结合力，改善固定电极表面微观形貌，有效的提高了薄膜真空计的测量精度。本发明在基底和导电层之间增设缓冲层，缓冲层的存在，提高了导电层和陶瓷基底之间的结合力，改善了导电层表面微观结构。本发明利用真空电子束蒸发镀膜技术和磁控溅射技术，在基底上沉积缓冲层与导电层，通过改变沉积时间和功率来控制缓冲层和导电层的厚度，最终得到导电层性能优良的固定电极，导电层与基底的结合力强，在恶劣环境下依然保持较高结合强度。

Description

一种薄膜真空计的固定电极及其制备方法
技术领域
本发明属于真空镀膜及微观表面科学技术领域，具体涉及一种薄膜真空计的固定电极及其制备方法。
背景技术
根据弹性薄膜在压差作用下产生形变而引起电容变化的原理制成的真空计称为电容式薄膜真空计。电容式薄膜真空计由电容式薄膜规管(又称为电容式压力传感器)和测量仪器两部分组成。电容式薄膜规管的中间装着一张金属弹性膜片，在金属弹性膜片的一侧装有一个固定电极，当金属弹性膜片两侧的压差为零时，固定电极与金属弹性膜片形成一个静态电容C0。当金属弹性膜片在压差的作用下产生形变时，固定电极和金属弹性膜片之间的电容就会发生变化，电容的变化引起电路中的电流发生改变，由此可以测量出压力的大小。
电容式薄膜真空计的灵敏度与固定电极的性能联系紧密，固定电极越致密、电阻率越低，电容式薄膜真空计的灵敏度越高。一般而言，金属银具有极低的电阻率，物理性能优异，常被用作电极材料。现有技术中，常利用金属银作为导电层，覆盖在陶瓷基片表面制备带有银涂层的固定电极。然而固定电极的性能取决于银导电层的微观界面情况。现有技术制备银涂层电极的方法一般为电化学法，涂布法等，这些工艺制备出来的固定电极，其表面粗糙，有大量微孔，且疏松，其性能不足以满足更高精度电容式真空计的要求。除此之外，电化学法，涂布法等方法的制备工艺繁琐，并不利于大规模工业生产。
磁控溅射法具有设备简单、价格便宜、成膜均匀、可用于大面积制膜等优点，该制备工艺可在工业化生产中的得到广泛应用，且避免了有机溶剂的使用，生产成本较低。磁控溅射法的制备条件易控制，银金属薄膜的大小、形状、厚度可控，可获得机械性能良好和导电性能优良的银涂层电极，因此，采用磁控溅射法在陶瓷基片上制备银涂层具有较好的实际应用前景。
然而，陶瓷基片与其表面的银导电的连接面临许多困难：由于陶瓷与金属的物理化学性能、晶格结构、线胀系数等差异过大，导电层和陶瓷基底连接后的固定电极往往会出现残余应力大，连接界面出现脆性反应相而导致结合力弱，连接强度低等现象。若直接用磁控溅射法在陶瓷基片表面镀银，其结合力并不足以长期保持银导电层的结合强度，很容易在高温等特殊环境失效，导致银导电层脱落。因此，提高陶瓷基片和银导电层之间的结合力，是目前业内亟待解决的问题。
发明内容
(一)要解决的技术问题
为了克服现有技术的不足，改善固定电极的表面微观结构，增强电容式薄膜真空计的精度，降低测量噪声，以及增强银涂层电极与陶瓷基片的结合力，本发明提供了一种薄膜真空计的固定电极。为了解决现有技术存在的上述问题，本发明还提供一种薄膜真空计的固定电极的制备方法。
(二)技术方案
为了达到上述目的，本发明采用的主要技术方案包括：
一种薄膜真空计的固定电极，所述固定电极包括基底，以及依次层叠设置于所述基底表面的缓冲层和导电层；
所述缓冲层用于增强导电层和基底的结合力，改善固定电极表面微观形貌。
根据本发明，所述基底为陶瓷基底，所述缓冲层的材料包含金属原子Ag、Cu和Ti，所述导电层为Ag。
根据本发明，所述缓冲层的材料为(Ag72Cu28)97Ti3。
根据本发明，所述缓冲层的厚度为1μm～10μm，所述导电层的厚度为10μm～80μm。
本发明还提供一种薄膜真空计的固定电极的制备方法，包括如下步骤：
S1、对基底进行表面前处理，包括对基底进行打磨、抛光和超声清洗；
S2、在基底表面形成缓冲层，采用真空电子束蒸发镀膜法在基底表面蒸镀缓冲层，得到带有缓冲层的基底；
S3、在缓冲层表面沉积导电层，采用磁控溅射技术在缓冲层上沉积导电层，得到固定电极；
S4、对步骤S3得到的固定电极进行热退火处理，以消除步骤S2和步骤S3形成的缓冲层和导电层的表面残余应力和组织缺陷。
根据本发明，步骤S2中，将基底安装在真空室，将真空室内压力抽至0.1～1Pa，利用电子束加热靶材，使之蒸发，并附着至基底，形成1μm～10μm厚的致密缓冲层，其中，电子束蒸发功率为0.5kw～3kw，水冷量外为5～8L/min，电子束偏角为225°～270°。
根据本发明，步骤S3中，将带有缓冲层的基底放至磁控溅射真空室，将真空室抽至本底真空0.1Pa～1Pa，向真空室通入氩气至气压为0.5～2Pa，启动射频电源起辉，调节功率至0.4kw～1.2kw，温度为80～120℃，在缓冲层上沉积10μm～80μm厚的导电层。
根据本发明，步骤S4中，将步骤S3得到的固定电极放入退火腔室，退火腔室内抽真空至10～3Pa，充入氮气，保持退火温度600～1000℃，退火时间5～20min，对固定电极进行热退火处理，以消除步骤S2和步骤S3形成的缓冲层和导电层的表面残余应力和组织缺陷。
根据本发明，所述基底为陶瓷基底；
步骤S2中，采用金属Ag、Cu和Ti的混合物制备成的钎料作为靶材，其中，金属Ag、Cu和Ti的质量比为20～25：60～66：9～11，所述金属Ag、Cu和Ti的纯度大于99.99％；
步骤S3中，采用99.99％的金属Ag作为溅射靶材，所述纯氩气的纯度大于99.99％。
根据本发明，步骤S2中，采用冷压工艺将金属Ag、Cu和Ti的混合物制备的钎料压制成块状，再在基底表面蒸镀缓冲层；所述钎料中，Ag、Cu和Ti的质量比为2:6:1，蒸镀形成的缓冲层为(Ag72Cu28)97Ti3。
(三)有益效果
本发明的有益效果是：与现有技术相比，本发明在基底和导电层之间增设缓冲层，借助所述缓冲层提高了导电层和基底(陶瓷)之间的结合力。
此外，本发明利用真空电子束蒸发镀膜技术和磁控溅射技术，在基底上沉积(Ag72Cu28)97Ti3缓冲层与银导电层，通过改变沉积时间和功率来控制缓冲层和导电层的厚度。本发明最终得到导电层性能优良的固定电极，与基底的结合力强，在恶劣环境下依然保持较高结合强度。此外，导电层表面平整均匀，致密性好，能够有效地提高薄膜真空计的精度，降低由于导电层表面微观结构不平整造成的测量噪声。
附图说明
图1是本发明的薄膜真空计的固定电极的结构图；
图2是本发明的固定电极的制备方法流程图；
图3是磁控溅射功率对导电层特性的影响示意图；
图4是无缓冲层条件下磁控溅射功率对导电层和基底结合力的影响示意图；
图5是电子束蒸发功率对导电层结合力的影响示意图；
图6是在800w磁控溅射功率、不同电子束蒸发功率下，固定电极表面的划痕。
【附图标记说明】
1：导电层；2：缓冲层；3：基底。
具体实施式
为了更好的解释本发明，以便于理解，下面结合附图，通过具体实施方式，对本发明作详细描述。
如图1所示，本发明实施例提供一种薄膜真空计的固定电极，包括基底3，以及依次层叠设置于基底3表面的缓冲层2和导电层1。
缓冲层2用于增强导电层1和基底3的结合力，改善固定电极表面微观形貌。
具体地，基底3为陶瓷基底，缓冲层2中包含金属原子Ag、Cu和Ti，导电层为Ag。
本发明实施例通过在基底和导电层之间增设缓冲层，提高了导电层和陶瓷基底之间的结合力，改善了导电层表面微观结构，使导电层表面更加平整和均匀。此外，缓冲层的湿润性良好，与陶瓷基底的结合强度高，能在高温及其他恶劣条件下保持较高的结合力。
具体地，缓冲层2的材料为(Ag72Cu28)97Ti3。
在一可选的实施例中，参见图1，该固定电极中，缓冲层2的厚度可以为1μm～10μm，导电层1的厚度可以为10μm～80μm。通过对缓冲层和导电层厚度进行不同选择，既可以使导电层和陶瓷基底具有较好的结合力度，又能够保证导电层的导电性能与表面平整均匀，有效地提高了薄膜真空计的精度，降低由于导电层表面微观结构不平整造成的测量噪声。
本发明实施例还提供一种薄膜真空计的固定电极的制备方法，包括如下步骤，参见图2：
S1、对基底3进行表面前处理，包括对基底3进行打磨、抛光和超声清洗；
S2、在基底3表面形成缓冲层2，采用真空电子束蒸发镀膜法在基底1表面蒸镀缓冲层2，得到带有缓冲层2的基底；
S3、在缓冲层2表面沉积导电层1，采用磁控溅射技术在缓冲层2上沉积导电层1，得到固定电极；
S4、对步骤S3得到的固定电极进行热退火处理，以消除步骤S2和步骤S3形成的缓冲层2和导电层1的表面残余应力和组织缺陷。
在步骤S1中，对基底3表面进行打磨、抛光以及清洗，可以有效地去除基底3表面上的杂质，从而使得沉积后的缓冲层和导电层能够与基底3更加牢固的结合，防止脱落，也避免了缓冲层中掺入杂质，对其性能产生影响。
在步骤S2中，真空电子束蒸发镀膜法，具有成膜纯度高、能够精确控制膜层厚度以及可蒸发高熔点材料的特点。具体地，在基底3的表面蒸镀缓冲层2，提高了基底3和导电层之间的结合力，使得固定电极结构更加稳定，使用寿命更长。
在步骤S3中，磁控溅射法具有镀膜层与基材的结合力强、镀膜层致密、均匀等优点。具体地，步骤S2之后，在缓冲层2的表面继续沉积导电层1，导电层1表面平整均匀，结构致密，有效地提高了薄膜真空计的精度，降低现有技术中由于导电层1表面微观结构不平整造成的测量噪声。
在步骤S4中，对步骤S3得到的固定电极进行热退火处理，利用真空热处理对电极表面进行改良，以消除缓冲层2和导电层1的表面残余应力和组织缺陷，固定电极的性能更加优异。
在一可选的实施例中，参见图2，上述步骤S1具体可以包括以下步骤：
S11：先后采用水砂400目、800目、2000目的砂纸对基底3的表面依次进行打磨，每道工序直至划痕方向一致时结束。
S12：分先后采用金相400目、800目、2000目的砂纸对基底3的表面依次进行打磨，每道工序直至划痕方向一致时结束。
S13：步骤S11和步骤S12完成后，用金刚石抛光剂对基底3的表面进行精细抛光，当基底3的表面较为光亮时，转用清水抛光，需要注意的是，最后得到的基底3的表面不应有任何明显划痕。
S14：将步骤S13得到的基底3在去离子水中超声清洗，之后将陶瓷基片浸入含有无水乙醇的培养皿中超声清洗10分钟，后一超声清洗的目的是深度去污，除去去离子水洗后的残留物。在完成上述两次超声清洗之后，用氮气枪干燥基底3的表面，以供后续步骤使用。
在一可选的实施例中，参见图2，上述步骤S2具体可以包括以下步骤：
将经过表面前处理的基底3安装在真空室，真空室内压力抽至0.1～1Pa，利用电子束加热靶材，使靶材蒸发，并附着至基底3上，形成1μm～10μm厚的致密缓冲层。
其中，陶瓷基底和蒸镀靶材的距离为10-20cm，电子束蒸发功率为0.5kw～3kw，水冷量外为5～8L/min，电子束偏角为225°～270°。
在一可选的实施例中，参见图2，上述步骤S3具体可以包括以下步骤：
将带有缓冲层2的基底放至磁控溅射真空室，将真空室抽至本底真空0.1Pa～1Pa，之后向真空室充入氩气至气压为0.5～2Pa，保持带有缓冲层的陶瓷基底和溅射靶材的距离为10-20cm，启动射频电源起辉，调节射频功率至0.4kw～1.2kw，温度为80～120℃，在缓冲层2上沉积10μm～80μm厚的导电层1。
在一可选的实施例中，参见图2，上述步骤S4具体可以包括以下步骤：
将步骤S3得到的固定电极放入退火腔室，退火腔室内抽真空至10～3Pa，充入氮气，保持退火温度600～1000℃，退火时间5～20min，对固定电极进行热退火处理，以消除步骤S2和步骤S3形成的缓冲层和导电层的表面残余应力和组织缺陷。
进一步地，基底3优选为陶瓷基底。
进一步地，步骤S2中，采用金属Ag、Cu和Ti的混合物制备成的钎料作为靶材，其中，金属Ag、Cu和Ti的质量比为20～25：60～66：9～11，金属Ag、Cu和Ti的纯度大于99.99％。用上述配比得到的钎料，其湿润性良好，与陶瓷基底的结合强度高，能在高温及其他恶劣条件下使得陶瓷基底与银导电层保持较高的结合力。
进一步地，步骤S3中，采用99.99％的金属Ag作为溅射靶材，纯氩气的纯度大于99.99％。
在一可选的实施例中，步骤S2中，采用冷压工艺将金属Ag、Cu和Ti的混合物制备的钎料压制成块状，再在基底3的表面蒸镀缓冲层。蒸镀形成的缓冲层的成分为：(Ag72Cu28)97Ti3。
优选地，所述钎料中，Ag、Cu和Ti的质量比为2:6:1，该配比下的的钎料，湿润性最好，与陶瓷基底的结合强度最高，能在高温及其他恶劣条件下使得陶瓷基底与银导电层保持较高的结合力。
由于金属Ag、Cu和Ti的混合物制备的钎料是多元合金，在真空蒸镀过程中，不同组分金属的蒸发速率不同，常常会产生成分偏差。因此在选择钎料蒸镀靶材时，不可以使用现成的(Ag72Cu28)97Ti3共晶钎料，而是按照实际需要用，利用金属组元粉末进行配比。
在利用真空电子束蒸发镀膜法制备缓冲层的过程中，电子束作为热源熔融蒸镀靶材时，对靶材产生较大的压力。由于本发明中的靶材为金属Ag、Cu和Ti的混合物，是极细的粉末状物质，当电子束轰击所述粉末靶材表面时，会发生严重飞溅，使蒸镀过程无法进行。为解决粉末飞溅问题，需要采用冷压工艺将金属Ag、Cu和Ti的混合物制备的钎料压制成结实的块状物质。
进一步地，冷压工艺需要满足如下要求：
1、冷压模具中的压杆要有较大硬度以承担高达20吨的载荷。2、冷压模具的内壁要有较高的光洁度，以减少冷压后的脱模力，因此模具内壁要用车床进行精车加工，并用800目的金相砂纸仔细打磨。3、冷压模具的基板应选用延展性较好且散热能力较好的材料，优选为金属Cu。
下面通过以下实施例进行具体说明。
实施例1
本实施例为电容式薄膜真空计的固定电极，其按照如下方法制备：
S1、对陶瓷基底进行表面前处理，包括打磨、抛光和超声清洗。
S2、将陶瓷基底放至电子束蒸发真空室，将真空室气压抽至0.1Pa，调节电子束偏角为225°，对Ag、Cu和Ti的混合钎料靶进行加热，所述钎料中，Ag、Cu和Ti的质量比为2:6:1。调节Ag、Cu和Ti的混合钎料靶功率为0.8kW，水冷量为5L/min，在经过表面前处理的陶瓷基底上蒸镀缓冲层2，得到带有缓冲层2的陶瓷基底，缓冲层2的具体成分为(Ag72Cu28)97Ti3。
S3、将带有缓冲层2的陶瓷基底取出，放至磁控溅射真空室，将真空室抽至本底真空0.1Pa，再向真空室充入氩气至气压为0.5Pa，射频功率为0.8kW，通过射频溅射在陶瓷基底的缓冲层2上沉积银导电层3，得到固定电极，完成后关闭银靶电源。
S4、将步骤S3得到的固定电极放至退火腔室，然后退火腔室抽真空至3Pa，向真空室内充入氮气，保持退火温度为800℃，保温时间为10min，以消除步骤S2和步骤S3形成的缓冲层2和导电层1的表面残余应力和组织缺陷。
实施例2
S1、对陶瓷基底进行表面前处理，包括打磨、抛光和超声清洗。
S2、将陶瓷基底放至电子束蒸发真空室，将真空室气压抽至1Pa，调节电子束偏角为270°，钎料中，Ag、Cu和Ti的质量比为2:6:1，对Ag、Cu和Ti的混合钎料靶进行加热，调节Ag、Cu和Ti的混合钎料靶功率为1.2kW，水冷量为8L/min，在经过表面前处理的陶瓷基底上蒸镀缓冲层2，得到带有缓冲层2的陶瓷基底，缓冲层2的具体成分为(Ag72Cu28)97Ti3。
S3、将带有缓冲层2的陶瓷基底取出，放至磁控溅射真空室，将真空室抽至本底真空1Pa，再向真空室充入氩气至气压为2Pa，射频功率为0.8kW，通过射频溅射在陶瓷基底的缓冲层2上沉积银导电层3，得到固定电极，完成后关闭银靶电源。
S4、将步骤S3得到的固定电极放至退火腔室，然后退火腔室抽真空至10Pa，向真空室内充入氮气，保持退火温度为800℃，保温时间为10min，以消除步骤S2和步骤S3形成的缓冲层2和导电层1的表面残余应力和组织缺陷。
需要说明的是，参见图6，本实施例得到的固定电极表面导电层致密，与陶瓷基底的结合力最强，因此为最佳实施例。
实施例3
本实施例同实施例1相较，不同点在于：
真空电子束蒸发镀膜的电子束蒸发功率(即Ag、Cu和Ti的混合钎料靶功率，下同)为1.6kW。
实施例4
本实施例同实施例1相较，不同点在于：
真空电子束蒸发镀膜的电子束蒸发功率为2.0kW。
实施例5
本实施例同实施例1相较，不同点在于：
真空电子束蒸发镀膜的电子束蒸发功率为2.4kW。
对比例1
在不增设缓冲层的情况下，直利用磁控溅射法在陶瓷基底表面沉积银导电层，分别选择0.4kW、0.6kW、0.8kW、1.0kW以及1.2kW的磁控溅射功率，控制镀膜时间为20min，温度为100℃，得到若干表面镀有银导电层的固定电极，然后对固定电极的方阻、厚度进行测试，具体参见图3至图4。
由图3至图4可以看出，银导电层的膜厚度随着磁控溅射功率的增加而增大，其方阻也随着磁控溅射功率的增加而逐渐减小。也就是说，在没有增设缓冲层的情况下，固定电极的导电性能会随着磁控溅射功率的增加而越来越好。
然而，参见图4，随着磁控溅射功率的增大，银导电层膜厚逐渐增加，方阻逐渐减小，但是，银导电层与陶瓷基底的结合力却大体呈线性下降趋势。因此，要想兼顾固定电极的导电性能和与陶瓷基底的结合力，就需要对固定电极做出改进。
本发明的实施例1至实施例5中，为提高固定电极表面导电层的导电性的同时，也提高导电层与陶瓷基片的结合力，采用(Ag72Cu28)97Ti3缓冲层结构。先采用电子束蒸发在陶瓷基片上镀上缓冲层，然后在缓冲层上以800W的磁控溅射功率镀上银导电层。
参见图5，其是在实施例1至实施例5中，在800W的磁控溅射功率下，不同电子束蒸发功率下得到的电子束蒸发功率对银导电层和陶瓷基底结合力的影响。
从图5的测试结果可以看出，在固定电极的银导电层厚度不变(磁控溅射功率不变)的条件下，增加缓冲层可以提高引导垫层和陶瓷基底的结合力，且电子束蒸发功率控制在1kw～1.5kw结合效果较好，电子束蒸发功率控制在1.2kw时结合效果最好。
在上述实施例1至实施例5得到的固定电极表面，即银导电层进行机械刻化，以测试银导电层的致密度情况。参见图6，其为在磁控溅射功率为0.8kW下，实施例1至实施例5中各个电子束蒸发功率下，固定电极表面，即银导电层的划痕以及银导电层与陶瓷基底的结合力情况。通过比较可知，在0.8kW以及1.2kW电子束蒸发功率下，得到的固定电极，其表面的银导电层既致密，与陶瓷基底的结合力也较强。当电子束蒸发功率逐渐大于1.6kW之后，银导电层的致密度逐渐下降，且与陶瓷基底的结合力也逐渐下降。但通过与图4比较，即便电子束蒸发功率逐渐增至1.6kW之后，银导电层的致密度、结合力都有所下降，其结合力仍大于未增设缓冲层的情况。
需要说明的是，本发明中，采用实施例1-5的制备方法得到的固定电极，可以根据实际生产需要，利用掩膜控制磁控溅射法中银导电层的成型形状。
本发明中，可将完成制备的固定电极与微控制器、光源控制电路、电压源、电流采集电路和显示电路连接到一起，构成一个完整的薄膜真空计，然后通过软件记录数据，对薄膜真空计进行校准。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明做其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (10)

1.一种薄膜真空计的固定电极，其特征在于，所述固定电极包括基底，以及依次层叠设置于所述基底表面的缓冲层和导电层；
所述缓冲层用于增强导电层和基底的结合力，改善固定电极表面微观形貌。
2.根据权利要求1所述的固定电极，其特征在于，所述基底为陶瓷基底，所述缓冲层的材料包含金属原子Ag、Cu和Ti，所述导电层为Ag。
3.根据权利要求1或2所述的固定电极，其特征在于，所述缓冲层的材料为(Ag72Cu28)97Ti3。
4.根据权利要求1所述的固定电极，其特征在于，所述缓冲层的厚度为1μm～10μm，所述导电层的厚度为10μm～80μm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜真空计的固定电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、对基底进行表面前处理，包括对基底进行打磨、抛光和超声清洗；
S2、在基底表面形成缓冲层，采用真空电子束蒸发镀膜法在基底表面蒸镀缓冲层，得到带有缓冲层的基底；
S3、在缓冲层表面沉积导电层，采用磁控溅射技术在缓冲层上沉积导电层，得到固定电极；
S4、对步骤S3得到的固定电极进行热退火处理，以消除步骤S2和步骤S3形成的缓冲层和导电层的表面残余应力和组织缺陷。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，将基底安装在真空室，将真空室内压力抽至0.1～1Pa，利用电子束加热靶材，使之蒸发，并附着至基底，形成1μm～10μm厚的致密缓冲层，其中，电子束蒸发功率为0.5kw～3kw，水冷量外为5～8L/min，电子束偏角为225°～270°。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，将带有缓冲层的基底放至磁控溅射真空室，将真空室抽至本底真空0.1Pa～1Pa，向真空室通入氩气至气压为0.5～2Pa，启动射频电源起辉，调节功率至0.4kw～1.2kw，温度为80～120℃，在缓冲层上沉积10μm～80μm厚的导电层。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤S4中，将步骤S3得到的固定电极放入退火腔室，退火腔室内抽真空至10～3Pa，充入氮气，保持退火温度600～1000℃，退火时间5～20min，对固定电极进行热退火处理，以消除步骤S2和步骤S3形成的缓冲层和导电层的表面残余应力和组织缺陷。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述基底为陶瓷基底；
步骤S2中，采用金属Ag、Cu和Ti的混合物制备成的钎料作为靶材，其中，金属Ag、Cu和Ti的质量比为20～25：60～66：9～11，所述金属Ag、Cu和Ti的纯度大于99.99％；
步骤S3中，采用99.99％的金属Ag作为溅射靶材，所述纯氩气的纯度不低于99.99％。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，采用冷压工艺将金属Ag、Cu和Ti的混合物制备的钎料压制成块状，再在基底表面蒸镀缓冲层；所述钎料中，Ag、Cu和Ti的质量比为2:6:1，蒸镀形成的缓冲层为(Ag72Cu28)97Ti3。
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