CN111754872A - 显示装置及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示装置及其制备方法，显示装置包括显示区和弯折区，显示装置的制备方法包括提供一基板，在基板上依次层叠形成遮光层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层及介电层，并采用一掩膜，蚀刻形成第一通孔、第二通孔及第三通孔，在显示区，第一通孔及第二通孔贯穿第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和介电层以暴露有源层，在弯折区，第三通孔贯穿第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和介电层以暴露缓冲层，采用所述掩膜，在所述第三通孔，蚀刻所述缓冲层和至少部分遮光层，在第一通孔中及第二通孔中形成源极和漏极。简化了显示装置的制作工艺及降低生产成本。

Description

显示装置及其制备方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示装置及其制备方法。

背景技术

目前，有机电致发光显示装置以其低功耗、高饱和度、快响应时间及宽视角等优势逐渐成为显示领域的主流技术，但，现有技术中制备显示装置的工艺繁琐，且生产成本高。

发明内容

本申请提供一种显示装置及其制备方法，以提高简化显示装置的制备工艺，并降低生产成本。

本申请提供一种显示装置的制备方法，所述显示装置包括显示区和弯折区，包括：

提供一基板；

在所述基板上依次层叠形成遮光层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层和介电层；

采用一掩膜，对所述有源层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层采用干蚀刻方式进行蚀刻形成第一通孔、第二通孔及第三通孔，其中，在所述显示区，所述第一通孔贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层以暴露所述有源层的一侧，所述第二通孔贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层以暴露所述有源层的另一侧，在所述弯折区，所述第三通孔贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层以暴露所述缓冲层；

采用所述掩膜，在所述第三通孔，蚀刻所述缓冲层和至少部分遮光层；以及

在所述第一通孔中及所述第二通孔中设置源漏极材料，蚀刻形成源极和漏极。

在本申请所提供的显示装置的制备方法中，所述采用所述掩膜，在所述第三通孔，蚀刻所述缓冲层和至少部分遮光层的步骤，包括：

采用所述掩膜，采用选择比大于8的气体进行蚀刻，以使所述第三通孔贯穿部分所述缓冲层暴露所述缓冲层；以及

采用所述掩膜，采用选择比小于3的气体进行蚀刻，以使所述第三通孔贯穿所述缓冲层及至少部分所述遮光层以暴露所述遮光层，所述第一通孔和第二通孔贯穿所述有源层和至少部分缓冲层以暴露所述缓冲层，所述第一通孔及所述第二通孔的高度小于所述第三通孔的高度。

在本申请所提供的显示装置的制备方法中，所述采用所述掩膜，在所述第三通孔，蚀刻所述缓冲层和至少部分遮光层的步骤，包括：

采用所述掩膜，采用选择比大于8的气体进行蚀刻，以使所述第三通孔贯穿所述缓冲层和至少部分所述遮光层以暴露所述遮光层，所述第一通孔及所述第二通孔贯穿至少部分所述有源层以暴露所述有源层，所述第一通孔及所述第二通孔的高度小于所述第三通孔的高度。

在本申请所提供的显示装置的制备方法中，所述在所述第一通孔中及所述第二通孔中设置源漏极材料，蚀刻形成源极和漏极的步骤之后，还包括：

在所述介电层、所述源极、所述漏极上及所述第三通孔中设置第一平坦层。

在本申请所提供的显示装置的制备方法中，所述采用所述掩膜，在所述第三通孔，蚀刻所述缓冲层和至少部分遮光层的步骤之后，在所述第一通孔中及所述第二通孔中设置源漏极材料，蚀刻形成源极和漏极的步骤之前，还包括：

在所述第三通孔中设置光阻层。

本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括显示区和弯折区，所述显示装置包括：

基板；

依次设置于所述基板上的遮光层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层和介电层，其中，所述显示装置包括第一通孔，第二通孔和第三通孔，所述第一通孔和第二通孔贯穿至少部分所述有源层以暴露所述有源层，所述第一通孔位于所述有源层的一侧，所述第二通孔位于所述有源层的另一侧，所述第三通孔贯穿所述缓冲层及至少部分所述遮光层以暴露所述遮光层；

源极和漏极，所述源极设置于所述第一通孔中及所述介电层上以电连接所述有源层的一侧，所述漏极设置于所述第二通孔以电连接所述有源层的另一侧。

在本申请所提供的显示装置中，所述第一通孔和第二通孔还贯穿所述有源层及至少部分所述缓冲层以暴露所述缓冲层。

在本申请所提供的显示装置中，所述第三通孔的侧壁至少包括两个连接的曲面，每两曲面相接触之处具有拐角。

在本申请所提供的显示装置中，所述显示装置还包括光阻层，所述光阻层设置于所述第三通孔中。

在本申请所提供的显示装置中，所述显示装置还包括第一平坦层，所述第一平坦层设置于所述第三通孔中、所述介电层上、所述源极上和所述漏极上。

本申请提供一种显示装置及其制备方法，所述显示装置包括显示区和弯折区，所述显示装置的制备方法包括提供一基板，然后，在所述基板上依次层叠形成遮光层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层和介电层，然后，采用一掩膜，对所述遮光层、所述有源层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层进行蚀刻形成第一通孔、第二通孔及第三通孔，其中，在所述显示区，所述第一通孔贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层以暴露所述有源层的一侧，所述第二通孔贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层以暴露所述有源层的另一侧，在所述弯折区，所述第三通孔贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层以暴露所述缓冲层，然后，采用所述掩膜，在所述第三通孔，蚀刻所述缓冲层和至少部分遮光层，再然后，在所述第一通孔中及所述第二通孔中设置源漏极材料，蚀刻形成源极和漏极。简化了显示装置的制作工艺及降低生产成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请所提供的显示装置的第一种结构剖视图。

图2为本申请所提供的第三通孔的结构剖视图。

图3为本申请所提供的显示装置的第二种结构剖视图。

图4为本申请所提供的显示装置的第三种结构剖视图。

图5为本申请所提供的显示装置的第四种结构剖视图。

图6为本申请所提供的显示装置的制备方法流程图。

图7-18为本申请所提供的显示装置的制备方法的流程结构剖视图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

请参阅图1，图1为本申请所提供的显示装置的第一种结构剖视图。本申请提供一种显示装10置。所述显示装置10包括显示区20和弯折区30。所述显示装置10包括基板100、遮光层200、缓冲层300、有源层400、第一栅极绝缘层500、第一栅极层600、第二栅极绝缘层700、第二栅极层800、介电层900、源极1000和漏极1100。

请参阅图2，图2为本申请所提供的第三通孔的结构剖视图。所述遮光层200设置于所述基板100上。所述基板由聚酰亚胺形成。所述缓冲层300设置于所述遮光层200上。所述缓冲层300的材料包括SiOx、SiOxNy和SiNx中的一种或几种组合。所述有源层400、所述第一栅极绝缘层500、所述第一栅极层600、所述第二栅极绝缘层700、所述第二栅极层800及所述介电层900依次层叠设置于所述第二分层220上。所述缓冲层300用于阻挡所述基板100中的杂质扩散至晶体管器件中。所述有源层400包括第一部分410、第二部分420及第三部分430。所述第一部分410及所述第三部分430位于所述第二部分420的两侧。所述第一部分410为P型掺杂，所述第三部分430为N型掺杂。所述遮光层200、所述缓冲层300、所述有源层400、所述第一栅极绝缘层500、所述第一栅极层600、所述第二栅极绝缘层700、所述第二栅极层800和所述介电层900具有第一通910、第二通孔920及第三通孔930。在所述显示区20，所述第一通孔910贯穿至少部分所述有源层400、所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700和所述介电层900以暴露所述有源层400的一侧。所述第二通孔820贯穿至少部分所述有源层400、所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700和所述介电层900以暴露所述有源层400的另一侧。在所述弯折区30，所述第三通孔930贯穿至少部分所述遮光层200、所述缓冲300、所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700和所述介电层900以暴露所述遮光层200。所述第三通孔930的侧壁至少包括两个连接的曲面940，每两曲面940相接触之处具有拐角950。所述第一通孔910及所述第二通孔920的高度h小于所述第三通孔930的高度H。此时的遮光层200保留的厚度R可以为0<R≤3微米。

需要说明的是，图2所示出的为本申请所提供的第三通孔的放大结构剖视图，所述其他附图同样包括所述第三通孔的所有特征。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括光阻层1200。所述光阻层1200设置于所述第三通孔930中。

所述源极1000设置于所述第一通孔910中及所述介电层900上以电连接所述有源层400的一侧。所述漏极1100设置于所述第二通孔920以电连接所述有源层400的另一侧。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括第一金属层1300，所述第一金属层1300设置于所述弯折区30的光阻层1200上。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括第一平坦层1400。所述第一平坦层1400设置于所述介电层900、所述源极1000、所述漏极1100、所述光阻层1200及所述第一金属层1300上。所述第一平坦层1400包括第四通孔1410和第五通孔1420。所述第四通孔1410贯穿所述第一平坦层1400以暴露所述漏极1100。所述第五通孔1420位于所述弯折区30。所述第五通孔1420贯穿所述第一平坦层1400以暴露所述第一金属层1300。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括第二金属层1500。所述第二金属层1500包括第一金属部1510和第二金属部1520。所述第一金属部1510设置于所述第四通孔1410中以电连接所述漏极1100。所述第二金属部1520设置于所述第五通孔1420中以电连接所述第一金属层1300。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括第二平坦层1600。所述第二平坦层1600设置于所述第一平坦层1300及所述第二金属层1500上。所述第二平坦层1600包括第六通孔1610。所述第六通孔1610贯穿所述第二平坦层1600以暴露所述第一金属部1510。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括阳极层1700。所述阳极层1700设置于所述第六通孔1610中及所述第二平坦层1600上以电连接所述第一金属部1510。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括像素定义层1800。所述像素定义层1800设置于所述第二平坦层1600及所述阳极层1700上。所述像素定义层1800包括第七通孔1810。所述第七通孔1810贯穿所述像素定义层1800以暴露所述阳极层1700。

在另一实施例中，所述显示装置10还包括若干挡墙1900。所述挡墙1900设置于所述像素定义层1800上。所述挡墙1900起到支撑的作用。

请参阅图3，图3为本申请所提供的显示装置的第二种结构剖视图。需要说明的是，图3与图1中的不同之处为：图3中所述第三通孔930中不设置所述光阻层1200及不在所述光阻层1200上设置第一金属层1300。将所述第一平坦层1400设置于所述介电层900、所述源极1000、所述漏极1100及所述第三通孔930中。所述第一平坦层1400不具有第五通孔1420，将所述第二金属部1520设置于所述弯折区30的第一平坦层1400上。其他结构如图1所示，此处不再赘述。

请参阅图4，图4为本申请所提供的显示装置的第三种结构剖视图。需要说明的是，图4与图1中的不同之处为：图4中的所述第一通孔910贯穿至少部分所述缓冲层300、所述有源层400、所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700及所述介电层900以暴露所述有缓冲层300的一侧。所述第二通孔920贯穿至少部分所述缓冲层300、所述有源层400、所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700及所述介电层900以暴露所述缓冲层300的另一侧。其他结构如图1所示，此处不再赘述。

请参阅图5，图5为本申请所提供的显示装置的第四种结构剖视图。需要说明的是，图5与图4中的不同之处为：图5中所述第三通孔930中不设置所述光阻层1200及不在所述光阻层1200上设置第一金属层1300。将所述第一平坦层1400设置于所述介电层900、所述源极1000、所述漏极1100及所述第三通孔930中。所述第一平坦层1400不具有第五通孔1420，将所述第一金属层1300设置于所述弯折区30的第一平坦层1400上。其他结构如图4所示，此处不再赘述。

本申请提供一种显示装置，所述显示装置中结构在保证显示性能正常显示的同时，将显示装置中的结构进行简化设计，降低成本。

请参阅图6，图6为本申请所提供的显示装置的制备方法流程图。请参阅图7-18，图7-18为本申请所提供的显示装置的制备方法的流程结构剖视图。本申请还提供一种显示装置10制备方法。所述显示装置10包括显示区20和弯折区30。所述制备方法如下：

11、提供一基板100。

请参阅图6，图6为本申请所提供的显示装置的制备方法的流程结构剖视图。所述基板100由聚酰亚胺形成。

12、在所述基板上依次层叠形成遮光层200、缓冲层300、有源层400、第一栅极绝缘层500、第一栅极层600、第二栅极绝缘层700、第二栅极层800和介电层900。

请参阅图6-图10。具体的，所述遮光层200设置于所述基板100上。所述缓冲层300设置于所述遮光层200上。所述缓冲层300的材料包括SiOx和SiNx中的一种。所述缓冲层300用于阻挡所述基板100中的杂质扩散至晶体管器件中。在所述缓冲层300设置有源层材料并进行图案化，形成有源层400。在所述缓冲层300及所述有源层400上沉积依次层叠沉积第一栅极绝缘层材料及第一栅极层材料，形成第一栅极绝缘层500，并通过一道掩膜版，对所述第一栅极层材料进行图案化处理，形成第一栅极层600。在所述第一栅极绝缘层500上沉积第二栅极绝缘层材料形成第二栅极绝缘层700。在所述第二栅极绝缘层700上沉积第二栅极层材料，通过一道掩膜版对所述第二栅极层材料进行图案化处理形成第二栅极层800。在所述第二栅极绝缘层700及所述第二栅极层800上沉积介电层材料形成介电层900。

13、采用一掩膜，对所述遮光层200、缓冲层300、所述有源层400、所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700和所述介电层900进行蚀刻形成第一通孔810、第二通孔820及第三通孔830，其中，在所述显示区20，所述第一通孔810贯穿所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700和所述介电层900以暴露所述有源层400的一侧，所述第二通孔820贯穿所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700和所述介电层900以暴露所述有源层400的另一侧，在所述弯折区30，所述第三通孔830贯穿所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700和所述介电层900以暴露所述缓冲层300。

请参阅图10-图11。通过一掩膜，并采用干蚀刻方式对所述遮光层200、所述缓冲层300、所述有源层400、所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700和所述介电层900进行蚀刻形成第一通孔910、所述第二通孔920及所述第三通孔930。其中，在所述显示区20，所述第一通孔810贯穿所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700和所述介电层900以暴露所述有源层400的一侧，所述第二通孔820贯穿所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700和所述介电层900以暴露所述有源层400的另一侧，在所述弯折区30，所述第三通孔830贯穿所述第一栅极绝缘层500、所述第二栅极绝缘层700和所述介电层900以暴露所述缓冲层300。

14、采用所述掩膜，在所述第三通孔930，蚀刻所述缓冲层300和至少部分遮光层200。

请参阅图11-12。具体的，采用所述掩膜，采用选择比大于8的气体进行蚀刻，以使所述第三通孔930贯穿部分所述缓冲层300暴露所述缓冲层300。采用所述掩膜，采用选择比小于3的气体进行蚀刻，以使所述第三通孔930贯穿所述缓冲层300及至少部分所述遮光层200以暴露所述遮光层200。所述第三通孔930的侧壁至少包括两个连接的曲面940，每两曲面940相接触之处具有拐角950。所述拐角950的个数与蚀刻时换蚀刻气体的次数有关。此时的遮光层200保留的厚度R可以为0<R≤3微米。所述第一通孔910和第二通孔920贯穿所述有源层400和至少部分缓冲层300以暴露所述缓冲层300，所述第一通孔910及所述第二通孔920的高度h小于所述第三通孔930的高度H。

所述选择比大于8的气体包括C₂HF₅。所述选择比小于3的气体包括SF₆和CF₄中的一种或两种组合。

请参阅图1。采用所述掩膜，采用选择比大于8的气体进行蚀刻，以使所述第三通孔930贯穿所述缓冲层300和至少部分所述遮光层200以暴露所述遮光层200，所述第一通孔910及所述第二通孔920贯穿至少部分所述有源层400以暴露所述有源层400，所述第一通孔910及所述第二通孔920的高度h小于所述第三通孔的高度H。

在另一实施例中，所述采用所述掩膜，在所述第三通孔930，蚀刻所述缓冲层300和至少部分遮光层200的步骤之后，还包括：

在所述第三通孔930中设置光阻层1200。

在本申请中，所述第一通孔、所述第二通孔及所述第三通孔采用干蚀刻进行蚀刻，并采用多次换气进行蚀刻，使得第三通孔具有若干拐角。

15、在所述第一通孔910中及所述第二通孔920中设置源漏极材料，蚀刻形成源极1000和漏极1100。

请参阅图13-图18。在所述第一通孔910中、所述第二通孔920中及所述介电层900上沉积源漏极材料，通过一道掩膜版对所述源漏极材料进行图案化处理，形成源极1000及漏极1100。

在另一实施例中，所述源漏极材料在所述第一通孔910中、所述第二通孔920中及所述介电层900上形成源极1000及所述漏极1100的同时，在所述光阻层1200上形成第一金属层1300。

在另一实施例中，所述在所述第一通孔910中及所述第二通孔920中设置源漏极材料，蚀刻形成源极1000和漏极1100的步骤之后，还包括：

在所述介电层900、所述源极1000、所述漏极1100上及所述光阻层1200上设置第一平坦层材料，通过曝光形成第一平坦层1400。所述第一平坦层1400包括第四通孔1410和第五通孔1420。所述第四通孔1410贯穿所述第一平坦层1400以暴露所述漏极1100。所述第五通孔1420位于所述弯折区30。所述第五通孔1420贯穿所述第一平坦层1400以暴露所述第一金属层1300。

请参阅图5。所述在所述在所述第一通孔910中及所述第二通孔920中设置源漏极材料，蚀刻形成源极1000和漏极1100的步骤之后，还包括：

在所述介电层900、所述源极1000、所述漏极1100及所述第三通孔930中沉积第一平坦层材料，通过曝光形成第一平坦层1400，所述第一平坦层1400具有第四通孔1410。所述第四通孔1410贯穿所述第一平坦层1400以暴露所述漏极1100，形成图5的结构。

在另一实施例中，所述在所述介电层900、所述源极1000、所述漏极1100上及所述光阻层1200上设置第一平坦层1400的步骤之后，还包括：

在所述第四通孔1410中、所述第五通孔1420及所述第一平坦层1400上沉积第二金属层材料，通过一道掩膜版对所述第二金属层材料进行图案化处理形成第二金属层1500。所述第二金属层1500包括第一金属部1510和第二金属部1520。所述第一金属部1510设置于所述第四通孔1410中以电连接所述漏极1100。所述第二金属部1520设置于所述第五通孔1420中以电连接所述第一金属层1300。

在另一实施例中，所述在所述第四通孔1410中、所述第五通孔1320及所述第一平坦层1400上设置第二金属层1500的步骤之后，还包括：

在所述第一平坦层1400及所述第二金属层1500上沉积第二平坦层材料，通过曝光形成第二平坦层1600。所述第二平坦层1600包括第六通孔1610。所述第六通孔1610贯穿所述第二平坦层1600以暴露所述第一金属部1510。

在另一实施例中，所述在所述第一平坦层1400及所述第二金属层1500上设置第二平坦层1600的步骤之后，还包括：

所述第六通孔1610中及所述第二平坦层1600上沉积阳极层材料，通过对所述阳极层材料进行图案化处理，形成阳极层1700。

在另一实施例中，在所述第六通孔1610中及所述第二平坦层1600上形成阳极层1700的步骤之后，还包括：

在所述第二平坦层1600及所述阳极层1700上设置像素定义层材料，利用一道掩膜版对所述像素定义层材料进行图案化处理，形成像素定义层1800。所述像素定义层1800包括第七通孔1810。所述第七通孔1810贯穿所述像素定义层1800以暴露所述阳极层1700。

在另一实施例中，在所述第二平坦层1600及所述阳极层1700上设置像素定义层1800的步骤之后，还包括：

在所述像素定义层1800上设置挡墙材料，通过一道掩膜版对所述挡墙材料进行图案化处理，形成挡墙1900。

在另一实施例中，在所述第六通孔1610中及所述第二平坦层1600上形成阳极层1700的步骤之后，还包括：

在所述第二平坦层1600及所述阳极层1700上设置像素定义层材料及挡墙材料，采用半色调技术对所述像素定义层材料及挡墙材料进行图案化处理，形成像素定义层1800及挡墙1900。

在本申请中，所述像素定义层及所述挡墙采用半色调技术形成所述像素定义层及所述挡墙，使得所述像素定义层及所述挡墙利用一道掩膜版就可实现。

本申请提供一种显示装置及其制备方法，所述显示装置包括显示区和弯折区，所述显示装置的制备方法包括提供一基板，然后，在所述基板上依次层叠形成遮光层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层和介电层，然后，采用一掩膜，对所述遮光层、所述有源层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层进行蚀刻形成第一通孔、第二通孔及第三通孔，其中，在所述显示区，所述第一通孔贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层以暴露所述有源层的一侧，所述第二通孔贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层以暴露所述有源层的另一侧，在所述弯折区，所述第三通孔贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层以暴露所述缓冲层，然后，采用所述掩膜，在所述第三通孔，蚀刻所述缓冲层和至少部分遮光层，再然后，在所述第一通孔中及所述第二通孔中设置源漏极材料，蚀刻形成源极和漏极。简化了显示装置的制作工艺及降低生产成本。

以上对本申请实施方式提供了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请。同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种显示装置的制备方法，其特征在于，所述显示装置包括显示区和弯折区，包括：

提供一基板；

在所述基板上依次层叠形成遮光层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层和介电层；

采用一掩膜，对所述遮光层、所述有源层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层采用干蚀刻方式进行蚀刻形成第一通孔、第二通孔及第三通孔，其中，在所述显示区，所述第一通孔贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层以暴露所述有源层的一侧，所述第二通孔贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层以暴露所述有源层的另一侧，在所述弯折区，所述第三通孔贯穿所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层以暴露所述缓冲层；

采用所述掩膜，在所述第三通孔，蚀刻所述缓冲层和至少部分遮光层；以及

在所述第一通孔中及所述第二通孔中设置源漏极材料，蚀刻形成源极和漏极。

2.如权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述采用所述掩膜，在所述第三通孔，蚀刻所述缓冲层和至少部分遮光层的步骤，包括：

采用所述掩膜，采用选择比大于8的气体进行蚀刻，以使所述第三通孔贯穿部分所述缓冲层暴露所述缓冲层；以及

采用所述掩膜，采用选择比小于3的气体进行蚀刻，以使所述第三通孔贯穿所述缓冲层及至少部分所述遮光层以暴露所述遮光层，所述第一通孔和第二通孔贯穿所述有源层和至少部分缓冲层以暴露所述缓冲层，所述第一通孔及所述第二通孔的高度小于所述第三通孔的高度。

3.如权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述采用所述掩膜，在所述第三通孔，蚀刻所述缓冲层和至少部分遮光层的步骤，包括：

采用所述掩膜，采用选择比大于8的气体进行蚀刻，以使所述第三通孔贯穿所述缓冲层和至少部分所述遮光层以暴露所述遮光层，所述第一通孔及所述第二通孔贯穿至少部分所述有源层以暴露所述有源层，所述第一通孔及所述第二通孔的高度小于所述第三通孔的高度。

4.如权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述在所述第一通孔中及所述第二通孔中设置源漏极材料，蚀刻形成源极和漏极的步骤之后，还包括：

在所述介电层、所述源极、所述漏极上及所述第三通孔中设置第一平坦层。

5.如权利要求1所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述采用所述掩膜，在所述第三通孔，蚀刻所述缓冲层和至少部分遮光层的步骤之后，在所述第一通孔中及所述第二通孔中设置源漏极材料，蚀刻形成源极和漏极的步骤之前，还包括：

在所述第三通孔中设置光阻层。

6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括显示区和弯折区，所述显示装置包括：

基板；

依次设置于所述基板上的遮光层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第二栅极绝缘层、第二栅极层和介电层，其中，所述显示装置包括第一通孔，第二通孔和第三通孔，所述第一通孔和第二通孔贯穿至少部分所述有源层以暴露所述有源层，所述第一通孔位于所述有源层的一侧，所述第二通孔位于所述有源层的另一侧，所述第三通孔贯穿所述缓冲层及至少部分所述遮光层以暴露所述遮光层；

源极和漏极，所述源极设置于所述第一通孔中及所述介电层上以电连接所述有源层的一侧，所述漏极设置于所述第二通孔以电连接所述有源层的另一侧。

7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第一通孔和第二通孔还贯穿所述有源层及至少部分所述缓冲层以暴露所述缓冲层。

8.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第三通孔的侧壁至少包括两个连接的曲面，每两曲面相接触之处具有拐角。

9.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括光阻层，所述光阻层设置于所述第三通孔中。

10.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括第一平坦层，所述第一平坦层设置于所述第三通孔中、所述介电层上、所述源极上和所述漏极上。

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