CN111742624A - 包括用于屏蔽由磁性物质产生的磁力的至少部分的屏蔽构件和连接到屏蔽构件的包含非磁性物质的性质的连接部分的电子设备 - Google Patents

Abstract

提供了一种包括屏蔽结构的电子设备。该电子设备包括：第一装置，包括第一磁性物质；第二装置，包括第二磁性物质；以及屏蔽结构，配置为屏蔽在第一磁性物质与第二磁性物质之间产生的磁力的至少部分，其中屏蔽结构包括设置在第一装置与第二装置之间并包括磁性物质的性质的屏蔽构件、以及物理地连接到屏蔽构件的至少部分并包括非磁性物质的性质的连接构件，其中连接构件的至少部分物理地连接到电路板。

Description

包括用于屏蔽由磁性物质产生的磁力的至少部分的屏蔽构件 和连接到屏蔽构件的包含非磁性物质的性质的连接部分的电 子设备

技术领域

本公开涉及包括用于屏蔽电子部件之间的磁力的结构的电子设备。

背景技术

如今，随着数字技术的发展，诸如移动通信终端、智能电话、平板个人计算机(PC)、笔记本计算机、个人数字助理(PDA)、可穿戴设备或数码相机的各种类型的电子设备得到广泛使用。

电子设备(例如智能电话)可以包括各种电子部件(例如接收器、扬声器、相机、磁性传感器和加速度传感器)，所述各种电子部件包括用于其操作的磁性物质。例如，接收器可以包括线圈和磁体作为膜片的致动器。作为另一示例，相机可以包括线圈和磁体作为用于移动镜头的致动器。由于包括磁性物质的电子部件安装在电子设备的有限空间中，因此电子部件可以通过磁力影响相邻的其他电子部件。例如，各自包括磁性物质的电子部件可以在电子设备的内部空间中彼此相邻地设置：并且，在这种情况下，磁性物质可以相互影响；因此，在电子部件的操作中可能出现错误。根据一实施方式，由于从电子部件的磁性物质辐射的磁力的影响，在其他相邻电子部件的操作中可能发生错误。

以上信息仅作为背景信息来呈现，以帮助对本公开的理解。至于以上内容中的任何内容是否可适用作关于本公开的现有技术，没有确定也没有断言。

发明内容

技术问题

本公开的方面在于至少解决上述问题和/或缺点，并至少提供下述优点。因此，本公开的一方面在于提供一种电子设备，即使各自包括磁性物质的电子部件彼此相邻地安装，该电子设备也使电子部件能够操作而没有因磁力导致的错误。

本公开的另一方面在于提供一种能够有效地屏蔽其中的两个相邻磁性物质之间的磁力的电子设备。

本公开的另一方面在于提供一种电子设备，其能够在设计用于屏蔽其中的两个相邻磁性物质之间的磁力的屏蔽结构时至少基于电子部件的驱动方法实现最小屏蔽结构(磁屏蔽构件)的设计。

本公开的另一方面在于提供一种包括屏蔽结构的电子设备，该屏蔽结构可以在最小化包括磁性物质的电子部件之间的分离距离的同时增大磁屏蔽效果。

本公开的另一方面在于提供一种包括屏蔽结构的电子设备，该屏蔽结构能够通过设置非磁性材料和磁屏蔽材料来屏蔽相邻磁性物质之间的磁力，该磁屏蔽材料是构造在电子设备中安装的电子部件之间的电路板上的磁性材料。

额外的方面将在以下描述中被部分地阐述并将部分地自该描述明显，或者可以通过实践所给出的实施方式而获知。

技术方案

根据本公开的一方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括：第一装置，包括第一磁性物质；第二装置，包括第二磁性物质；以及屏蔽结构，配置为屏蔽在第一磁性物质与第二磁性物质之间产生的磁力的至少部分，其中屏蔽结构包括设置在第一装置与第二装置之间并包括磁性物质的性质的屏蔽构件、以及物理地连接到屏蔽构件的至少部分并包括非磁性物质的性质的连接构件，其中连接构件的至少部分物理地连接到电路板。

根据本公开的另一方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括：电路板；第一装置，包括第一磁性物质；第二装置，包括第二磁性物质；以及屏蔽结构，配置为屏蔽在第一磁性物质与第二磁性物质之间产生的磁力的至少部分，其中屏蔽结构包括设置在第一装置与第二装置之间并包括能够屏蔽磁力的至少部分的磁性物质的性质的屏蔽构件、以及物理地连接到屏蔽构件的至少部分并固定到电路板的连接构件，其中连接构件具有与磁力的至少部分磁性地分离的非磁性物质的性质。

根据本公开的另一方面，提供了一种电子设备。该电子设备包括：装置，包括磁性物质；电路板；以及屏蔽结构，配置为屏蔽由磁性物质产生的磁场的至少部分，其中屏蔽结构包括设置在所述装置与电子设置中包括的另一装置之间并包括能够屏蔽至少部分磁场的铁磁性物质的性质的屏蔽构件、以及物理地连接在电路板与屏蔽构件的至少部分之间的连接构件，其中连接构件具有与至少部分磁场磁性地分离的非磁性物质的性质。

本公开的其他方面、优点和显著特征将由以下结合附图公开了本公开的各种实施方式的详细描述对本领域技术人员变得明显。

有益效果

根据各种实施方式，通过设置(例如，以SMD方法形成)非磁性材料(例如镍银)和磁屏蔽材料(其是在形成于电子设备的电子部件之间的电路板上的磁性材料)，可以形成屏蔽结构(屏蔽构件)。由此，根据各种实施方式，可以在最小化电子部件之间距离的同时不受限制地实现接触结构。

根据各种实施方式，通过由能够屏蔽两种相邻磁性物质之间的磁力的异质材料制成的屏蔽结构(屏蔽构件)，可以提高关于包括磁性物质的电子部件之间的安装位置的自由度，并且通过最大化磁性物质之间的屏蔽性能，可以防止由电子部件之间的磁力的影响(干扰)导致的操作(功能)错误。

根据各种实施方式，在电子设备中，即使各自包括磁性物质的电子部件彼此相邻地设置，也可以在屏蔽磁力对另一电子部件的影响的同时没有错误地操作。根据各种实施方式，通过简化屏蔽结构的构造，屏蔽结构可以容易地生产和容易地安装，而无需从固定构件(例如电路板)拆卸。

附图说明

本公开的某些实施方式的以上及其他的方面、特征和优点将由以下结合附图的描述更加明显，附图中：

图1是示出根据本公开的各种实施方式的电子设备的前透视图；

图2是示出根据本公开的一实施方式的图1的电子设备的后透视图；

图3是示出根据本公开的一实施方式的图1的电子设备的分解透视图；

图4是示出根据本公开的一实施方式的图3的电子设备的一些部件的联接的平面图；

图5是示出根据本公开的各种实施方式的在电子设备中用于屏蔽来自包括磁性物质的装置的磁力的屏蔽结构的示图；

图6是示出根据本公开的各种实施方式的联接到电路板的屏蔽结构的平面透视图；

图7是示出根据本公开的一实施方式的沿图6的线B-B'截取的屏蔽结构的切开透视图；

图8是示出根据本公开的一实施方式的其中屏蔽结构接触图6的电路板的状态的投影透视图；

图9是示出根据本公开的一实施方式的其中屏蔽结构接触图6的电路板的状态的后透视图；

图10是示出根据本公开的各种实施方式的接触电路板的屏蔽结构的另一种形式的后透视图；

图11是示出根据本公开的各种实施方式的接触电路板的屏蔽结构的另一种形式的后透视图；

图12是示出根据本公开的各种实施方式的接触电路板的屏蔽结构的另一种形式的后透视图；

图13和图14是示出根据本公开的各种实施方式的在电子设备中用于屏蔽来自包括磁性物质的装置的磁力的屏蔽结构的示图；

图15是示出根据本公开的各种实施方式的其中屏蔽结构屏蔽装置之间的磁力的结构的示例的示图；

图16是示出根据本公开的各种实施方式的其中屏蔽结构屏蔽装置之间的磁力的结构的示例的示图；以及

图17是示出根据本公开的各种实施方式的其中屏蔽结构屏蔽装置之间的磁力的结构的示例的示图。

贯穿附图，同样的附图标记将被理解为指代同样的部分、部件和结构。

具体实施方式

提供参照附图的以下描述来帮助对由权利要求及其等同物限定的本公开的各种实施方式的全面理解。它包括各种具体细节以帮助该理解，但是这些具体细节将仅被认为是示例性的。因此，本领域普通技术人员将认识到，在不背离本公开的范围和精神的情况下，可以进行对这里描述的各种实施方式的各种改变和修改。此外，为了清楚和简洁，可以省略对公知功能和构造的描述。

在以下描述和权利要求中使用的术语和词语不限于书面含义，而是仅由发明人使用以使本公开能够被清楚和一致地理解。因此，对本领域技术人员将明显的是，本公开的各种实施方式的以下描述仅是出于说明的目的而提供，并非出于限制由所附权利要求及其等同物限定的本公开的目的而提供。

将理解，单数形式的“一”和“该”包括复数指代物，除非上下文清楚地另行指示。因此，例如，对“部件表面”的引用包括对一个或更多个这样的表面的引用。

图1是示出根据本公开的各种实施方式的电子设备的前透视图。图2是示出根据本公开的一实施方式的图1的电子设备的后透视图。

参照图1和图2，根据各种实施方式的电子设备100可以包括壳体110，壳体110包括第一板(或前表面)110A、第二板(或后表面)110B以及包围第一板110A与第二板110B之间的空间的侧表面110C。根据一实施方式(未示出)，壳体110可以是指形成图1的第一板110A、第二板110B和侧表面110C的部分的结构。根据一实施方式，第一板110A可以包括前板102(例如，包括各种涂层的聚合物板或玻璃板)，其中至少部分是基本上透明的。第二板110B可以由基本上不透明的后板111形成。后板111可以用例如涂层或有色玻璃、陶瓷、聚合物、金属(例如铝、不锈钢(STS)或镁)或这些材料中的至少两种的组合形成。侧表面110C可以由联接到前板102和后板111并包括金属和/或聚合物的侧边框结构(或“侧构件”)118形成。在一些实施方式中，后板111和侧边框结构118可以一体地形成并包括相同的材料(例如，诸如铝的金属材料)。

根据一实施方式，电子设备100可以包括以下中的至少一个：显示器101、麦克风孔103、扬声器孔107、扬声器孔114、第一传感器模块104、第二传感器模块119、第一相机装置105、第二相机装置112、闪光灯113、主页键按钮115、触摸按钮116、侧键按钮117、指示器106、第一连接器孔108或第二连接器孔109。在一些实施方式中，电子设备100可以省略这些部件中的至少一个，或者可以另外包括其他部件。

显示器101可以通过例如前板102的相当一部分暴露。显示器101可以联接到触摸感测电路、能够测量触摸的强度(压力)的压力传感器和/或用于检测磁场方法的手写笔的数字转换器，或者可以与之相邻地设置。

可以包括麦克风孔103、扬声器孔107和扬声器孔114。麦克风可以设置在麦克风孔103处以在其中获得外部声音，并且在一些实施方式中，可以设置多个麦克风以检测声音的方向。一个或更多个扬声器可以设置在扬声器孔107处，用于将声音输出到电子设备100外部。扬声器可以设置在扬声器孔114处，用于将声音输出到电子设备100外部到与电子设备100相邻的耳朵。在一些实施方式中，扬声器孔107、扬声器孔114和麦克风孔103可以被实现为单个孔，或者可以在没有扬声器孔107和扬声器孔114的情况下形成扬声器(例如压电扬声器)。

第一传感器模块104和第二传感器模块119可以产生与电子设备100内的操作状态或外部环境状态对应的电信号或数据值。第一传感器模块104可以是设置在壳体110的第一板110A处的接近传感器和/或指纹传感器。第二传感器模块119可以是设置在壳体110的第二板110B处的心率监测(HRM)传感器。指纹传感器除了设置在壳体110的第一板110A(例如主页键按钮115)处之外还可以设置在壳体110的第二板110B处。电子设备100可以包括例如以下中的至少一个的传感器模块(未示出)：手势传感器、陀螺仪传感器、气压计传感器、磁性传感器、加速度传感器、握持传感器、接近传感器、颜色传感器(例如，红色、绿色和蓝色(RGB)传感器)、红外(IR)传感器、生物传感器(医学传感器、生物特征传感器)、温度传感器、湿度传感器或照度传感器。

可以包括设置在电子设备100的第一板110A处的第一相机装置105、设置在第二板110B处的第二相机装置112和/或闪光灯113。第一相机装置105和第二相机装置112可以包括一个或更多个透镜、图像传感器和/或图像信号处理器(ISP)。闪光灯113可以包括例如发光二极管(LED)或氙灯。在一些实施方式中，两个或更多个透镜(广角和远摄透镜)和图像传感器可以设置在电子设备100的一个表面处。

可以包括设置在壳体110的第一板110A处的主页键按钮115、设置在主页键按钮115的周边的触摸按钮116和/或设置在壳体110的侧表面110C处的侧键按钮117。在另一实施方式中，电子设备100可以不包括上述主页键按钮115、触摸按钮116和侧键按钮117中的一些或全部，并且未包括的主页键按钮115、触摸按钮116和侧键按钮117可以实现为不同的形式，诸如在显示器101上的软键。

指示器106可以设置在例如壳体110的第一板110A处。例如，指示器106可以以光学形式提供电子设备100的状态信息并包括LED。

第一连接器孔108可以接收用于向外部电子设备发送电力和/或数据以及从外部电子设备接收电力和/或数据的连接器(例如通用串行总线(USB)连接器)，并且/或者第二连接器孔109可以是耳机插孔，其可以接收用于向外部电子设备发送音频信号以及从外部电子设备接收音频信号的连接器。

图3是示出根据本公开的一实施方式的图1的电子设备的分解透视图。

参照图3，电子设备300可以包括侧边框结构310、第一支撑构件311(例如支架)、前板320、显示器330、印刷电路板(PCB)340、接收器341(或扬声器)、至少一个前置相机342(或自拍相机)、至少一个后置相机343、电池350、第二支撑构件360(例如后壳)、天线370和后板380。

在一些实施方式中，第一支撑构件311、PCB 340和第二支撑构件360可以形成用于固定和安装接收器341、至少一个前置相机342和至少一个后置相机343的凹槽(例如固定凹槽)；并且接收器341、至少一个前置相机342和至少一个后置相机343可以至少基于PCB 340的固定凹槽而固定到电子设备300并安装在电子设备300中。在一些实施方式中，电子设备300可以省略所述部件中的至少一个(例如第一支撑构件311、第二支撑构件360)，或者可以进一步包括其他部件。电子设备300的部件中的至少一个可以与图1或图2的电子设备100的部件中的至少一个相同或相似，并且在下文中省略重复的描述。

第一支撑构件311可以设置在电子设备300内部以连接到侧边框结构310，或者可以与侧边框结构310一体地形成。第一支撑构件311可以由例如金属材料和/或非金属(例如聚合物)材料制成。显示器330可以联接到第一支撑构件311的一侧，并且PCB 340可以联接到第一支撑构件311的另一侧。

在PCB 340中，可以安装处理器、存储器和/或接口。处理器可以包括例如中央处理单元(CPU)、应用处理器(AP)、图形处理单元(GPU)、ISP、传感器中枢处理器或通信处理器(CP)中的至少一个。

存储器可以包括例如易失性存储器或非易失性存储器。

接口可以包括例如高清晰度多媒体接口(HDMI)、USB接口、安全数字(SD)卡接口和/或音频接口。接口可以例如实现以下中的至少一项：将电子设备300电连接或物理连接到外部电子设备；以及包括USB连接器、SD卡/多媒体卡(MMC)连接器或音频连接器。

电池350是用于向电子设备300的至少一个部件供电的装置，并且可以包括例如不可再充电的一次单元电池(primary cell)(电池)、可再充电的二次单元电池(电池)或燃料单元电池(电池)。电池350的至少部分可以例如与PCB 340基本上齐平地设置。电池350可以一体地设置在电子设备300内，并且可以与电子设备300可拆卸地设置。

天线370可以设置在后板380与电池350之间。天线370可以包括例如近场通信(NFC)天线、无线充电天线和/或磁安全传输(MST)天线。例如，天线370可以执行与外部装置的短距离通信，或者可以无线地发送和接收充电所需的电力。在其他实施方式中，天线元件可以由第一支撑构件311和/或侧边框结构310的部分或其组合形成。

图4是示出根据本公开的一实施方式的图3的电子设备的一些部件的联接的平面图。

参照图4，其示出了将可安装在电子设备300中的两个装置(或电子部件)联接到电路板430的示例。例如，图4示出了其中第一装置410(或第一电子部件)和第二装置420(或第二电子部件)在电子设备300中固定(或联接)到电路板430的指定位置(例如，用于固定第一装置410和第二装置420中的每个的凹槽)的结构的示例。

在各种实施方式中，在电路板430的一侧，可以提供至少一个电子部件。例如，电路板430可以机械地(或物理地)固定第一装置410、第二装置420和各种电子部件(例如处理器、存储器和/或接口)，并且可以是图3的PCB340，其被配置为基于相应电子部件之间的电路设计通过电路(或电地)进行连接。

在各种实施方式中，第一装置410和第二装置420中的每个可以安装在电子设备300的壳体(例如侧边框结构310)内，并且可以是包括磁性物质的电子部件。根据一实施方式，第一装置410可以是在电子设备300中的包括第一磁性物质的电子部件(例如图3的接收器341)。根据一实施方式，第二装置420可以是在电子设备300中的包括第二磁性物质的电子部件(例如图3的后置相机343)。在各种实施方式中，装置410和420可以包括前述电子部件和包含磁性物质的各种其他电子部件(例如磁性传感器、加速度传感器和扬声器)。

根据一实施方式，当装置410和420在电子设备300中彼此相邻地安装时，装置410和420的磁性物质可能彼此影响；因此，装置410和420的操作中可能发生错误。为了防止这样的错误，电子设备被设计为通过一装置或与该装置相邻设置并由导电材料(例如SUS、铁氧体)制成的屏蔽结构来屏蔽磁力。

根据各种实施方式，电子设备300可以在包括第一磁性物质的第一装置410与包括第二磁性物质的第二装置420之间包括用于屏蔽由第一磁性物质或第二磁性物质导致的磁力的屏蔽结构。在下文中，将详细描述通过用于屏蔽磁力的屏蔽结构的屏蔽方法及其结构。

在下文中，在各种实施方式中，为了描述的方便，描述了第一装置(或第一电子部件)和第二装置(或第二电子部件)包括各自的磁性物质，但是本公开不限于此。例如，在各种实施方式中，在其中第一装置或第二装置包括磁性物质并且其中另一个装置不包括磁性物质的结构中，本公开可以应用于屏蔽由包括磁性物质的装置产生的磁力的至少部分的结构。根据一实施方式，在其中第一装置包括磁性物质并且其中第二装置不包括磁性物质的结构中，本公开可以包括屏蔽由第一装置的磁性物质产生的磁力的至少部分的结构。

图5是示出根据本公开的各种实施方式的在电子设备中用于屏蔽来自包括磁性物质的装置的磁力的屏蔽结构的示图。

参照图5，其是示意性地示出沿图4的线A-A'截取的电子部件的一侧的示图。

参照图5，电子设备500可以包括：第一装置510(例如图4的接收器410)，包括第一磁性物质515；第二装置520(例如图4的后置相机)，包括第二磁性物质525；电路板530(例如图4的PCB 430)；以及屏蔽结构560，用于屏蔽在第一磁性物质515与第二磁性物质525之间产生的磁力的至少部分。在各种实施方式中，第一装置510和第二装置520分别包括磁性物质515和525，但是本公开不限于此。因此，本公开可以包括其中任何一个装置(例如第一装置510)包括磁性物质(例如第一磁性物质515)并且其中另一个装置(例如第二装置520)不包括磁性物质(例如第二磁性物质525)的结构。例如，在各种实施方式中，本公开可以包括其中由第一装置510的第一磁性物质515产生的磁力的至少部分被屏蔽以不影响不包括磁性物质的第二装置520的结构。

根据一实施方式，屏蔽结构560可以包括用于屏蔽磁力的磁力屏蔽构件(或屏蔽部分)540、以及用于将屏蔽构件540物理地固定到电路板530的连接构件(或连接部分)550。

在各种实施方式中，屏蔽构件540可以设置在第一装置510与第二装置520之间。屏蔽构件540可以由能够屏蔽在第一磁性物质515与第二磁性物质525之间产生的磁力的至少部分的屏蔽材料(或第一材料金属或磁性材料)制成。根据一实施方式，屏蔽材料可以是包括铁磁性材料的性质的材料(金属)。例如，屏蔽材料可以用SUS(例如，诸如铁(Fe)、钴(Co)和镍(Ni)的元素或合金)来实现。

在各种实施方式中，连接构件550可以基于其一侧的一部分接触(或物理地连接到)屏蔽构件540的至少部分，并且可以基于其另一侧接触(或物理地连接到)并固定到电路板530。连接构件550可以由非磁性材料(或第二材料金属)制成，该非磁性材料可以与在第一磁性物质515与第二磁性物质525之间产生的磁力的至少部分磁性地分离。根据一实施方式，非磁性材料可以是不受磁性物质(例如磁体)所形成的磁场影响的材料(金属)。例如，可以使用镍银(或纯铁)来实现非磁性材料。

在各种实施方式中，屏蔽结构560(例如屏蔽构件540、连接构件550)可以以特定方式设置(例如，以表面贴装器件(SMD)方法形成)在电路板530处，以接触电路板530。根据一实施方式，在实施屏蔽结构560时，屏蔽结构560可以被分为用于屏蔽磁力的屏蔽构件540(例如用于磁场吸收的材料(例如磁性材料))和连接构件550(例如未被磁化的材料(例如非磁性材料))，并且屏蔽结构可以通过将两种材料(例如屏蔽构件540和连接构件550)接合来实现。在根据各种实施方式的屏蔽结构的情况下，用SMD方法形成的非磁性材料(例如连接构件550)可以被设计为仅确保将要用SMD方法形成的最小区域，从而更自由地设计装置(或装置的磁性物质)与电路板530之间的接触结构和/或位置。

根据各种实施方式，可以根据装置(例如第一装置510、第二装置520)的功能特性(或驱动(操作)方法)是否受到第一装置510与第二装置520之间的磁体(或磁力、磁场)影响来确定屏蔽构件540的设置位置(例如，与任何一个装置相邻的位置)。根据一实施方式，屏蔽构件540可以至少基于第一装置510和第二装置520的功能特性设置得更靠近(或偏向)任何一个装置(例如，包括影响另一个装置的操作的磁性物质的第一装置510)。根据一实施方式，屏蔽构件540可以在距离和/或厚度上具有与其中设置位置被确定为对应于第一磁性物质515与第二磁性物质525之间的每种磁性物质的强度(或磁力)的装置的结构不同的结构。

根据一实施方式，从电子设备500的电子部件(例如第一装置510和第二装置520)的磁性物质(例如第一磁性物质515、第二磁性物质525)中的每种发射的磁通量的强度可以不同。例如，提供在第一装置510中的第一磁性物质515可以具有比提供在第二装置520中的第二磁性物质525更强的磁性。此外，装置可以具有受到另一装置的磁性物质的磁通量影响的第二驱动方法(或驱动功能)(例如，相机的自动对焦(AF)功能、变焦放大/变焦缩小功能)，或者装置可以具有不受到另一装置的磁性物质的磁通量影响的第一驱动方法(例如，在驱动方面不受到其他磁通量影响的装置，诸如扬声器)。在一实施方式中，包括第一驱动方法和/或相对强的磁性的装置可以被称为第一装置510，包括第二驱动方法和/或相对弱的磁性的装置可以被称为第二装置520。

根据一实施方式，从第二装置520的第二磁性物质525发射的磁通量可以不显著影响第一装置510的操作，但是从第一装置510的第一磁性物质515发射的磁通量可以导致第二装置520的操作中的严重错误。根据一实施方式，屏蔽构件540可以吸收第一装置510的第一磁性物质515的磁力，以与第一磁性物质515形成磁场。因此，当屏蔽构件540与第二装置520(或第二装置520的第二磁性物质525)之间的长度B短时(或者当屏蔽构件540和第二装置520彼此相邻地设置时，当屏蔽构件540和第二装置520属于一磁场范围时)，发射通过屏蔽构件540的磁通量可以影响第二装置520的操作。

因此，根据各种实施方式的电子设备500的屏蔽结构560可以与第一驱动方法的装置和/或在第一装置510和第二装置520当中的发射相对强的磁通量的装置(例如第一装置510)相邻地设置。

根据一实施方式，如图5所示，屏蔽结构560(特别是屏蔽构件540)可以更靠近第一装置510而不是第二装置520设置。由此，即使在第一装置510与第二装置510之间的固定的(或有限的)长度A内，也可以最大程度地确保屏蔽构件540与第二磁性物质525(例如，可能受到磁力影响的将不设屏蔽的磁性物质)之间的分离距离(例如长度B)(例如，最大分离距离)。根据一实施方式，第一装置510与第二装置520之间的距离(例如长度A)可以包括第一半径(例如约15mm、约20mm)，并且屏蔽构件540与第二磁性物质525之间的距离(例如长度B)可以包括小于第一半径的第二半径(例如约10mm、约15mm)。

在下文中，将详细描述根据各种实施方式的在电子设备500中用于屏蔽磁力的屏蔽结构560的结构。在以下描述中，为了描述的方便，描述了第一装置510和第二装置520各自包括磁性物质，但是在其中仅第一装置510包括磁性物质并且其中第二装置520不包括磁性物质的结构中，电子设备500可以包括屏蔽由第一装置510的磁性物质产生的磁力的至少部分的结构。

图6、图7、图8和图9是示出根据本公开的各种实施方式的在电子设备中用于屏蔽来自包括磁性物质的装置的磁力的结构的示图。

参照图6，其是示出其中屏蔽结构560(例如屏蔽构件540、连接构件550)设置在两个装置(例如第一装置510、第二装置520)之间并接触(或联接到)电路板530的示例的平面透视图。图7是沿图6的线B-B'截取的切开透视图。图8是示出投影透视图的示图，该投影透视图示出了其中屏蔽结构560接触(或连接到)图6中的电路板530的形式。图9是示出其中屏蔽结构560接触图6中的电路板530的形式的后透视图。

将参照图6描述屏蔽结构560和电路板530的接触(连接)结构。

参照图6，第一装置510是包括第一磁性物质515的电子部件；并且在一实施方式中，第一装置510可以对应于接收器或扬声器。第二装置520是包括第二磁性物质525的电子部件；并且在一实施方式中，第二装置520可以对应于相机。在各种实施方式中，除了上述电子部件之外，装置还可以对应于包括磁性物质的各种电子部件(例如磁性传感器、加速度传感器)。

根据一实施方式，当至少两个装置(例如第一装置510和第二装置520)彼此相邻地安装在电子设备500中时，装置510和520的至少两种磁性物质(例如第一磁性物质515和第二磁性物质525)可以在任何一个方向上影响另一个装置或在两个方向上影响另一个装置。因此，在装置510和520的操作中可能发生错误。为了防止这样的错误，由导电材料(例如SUS、铁氧体)制成的屏蔽构件(例如图6至图9的屏蔽构件540)可以设置在装置510和520之间。

根据一实施方式，电路板530可以形成第一凹槽630和第二凹槽640，在第一凹槽630中，连接构件(例如图6至图9的连接构件550)的一端(例如第一构件(或第一加强构件)610可以接触电路板530的一侧(例如电路板530在图6的观察方向上的左侧)，在第二凹槽640中，连接构件550的另一端(例如第二构件(或第二加强构件)620可以接触一侧的相反方向的另一侧(电路板530在图6的观察方向上的右侧表面)。

根据一实施方式，第一凹槽630和第二凹槽640可以具有包括不同尺寸的宽度的结构。例如，第一凹槽630和第二凹槽640可以形成为与接触连接构件550的一端(例如第一加强构件610)和另一端(例如第二构件620)对应的结构。根据一实施方式，第一凹槽630可以具有与连接构件550的一端(例如第一加强构件610)对应的宽度(例如，可以安置第一加强构件610的宽度)，并且第二凹槽640可以具有与连接构件550的另一端(例如第二加强构件620)对应的宽度(例如，可以安置第二加强构件620的宽度)。例如，在图6至图9中，第一凹槽630可以相对小于第二凹槽640，并且第二凹槽640可以具有比第一凹槽630的宽度相对更大的宽度。根据一些实施方式，电路板530可以不具有第一凹槽630和第二凹槽640，并且可以具有通过电路板530的下表面接触(或粘附到)连接构件550的结构。

将参照图6至图9描述屏蔽结构560的结构。

屏蔽结构560可以包括包含磁性的屏蔽构件540和包含非磁性的连接构件550。根据一实施方式，屏蔽结构560可以包括用于屏蔽磁力的屏蔽构件540(例如磁性物质)和用于将屏蔽构件540固定到电路板530的连接构件550。根据一实施方式，屏蔽结构560可以由异质材料制成，诸如为磁性物质的屏蔽构件540和为非磁性物质的连接构件550；并且异质材料通过SMD方法结合到电路板530。例如，屏蔽构件540可以具有能够屏蔽磁力的铁磁性物质的性质，并且连接构件550可以具有可与磁力磁性地分离的非磁性物质的性质。

参照图7，屏蔽构件540可以具有板状结构，并且可以通过连接构件550接触(物理地固定到)电路板530的一侧。根据一实施方式，屏蔽构件540可以具有包括第一弯曲部分740(例如，在图中沿纵向方向的上部)和/或第二弯曲部分(例如，在图中沿纵向方向的下部)的弯曲结构。例如，屏蔽构件540可以至少部分地弯曲。

根据一实施方式，屏蔽构件540的弯曲部分(例如第一弯曲部分740)可以具有在预定方向上弯曲的形状。根据一实施方式，屏蔽构件540的弯曲结构可以通过弯曲上侧部分或下侧部分而设计成形状

或形状

或者可以通过弯曲上侧部分和下侧部分而设计成形状

例如，屏蔽构件540的弯曲部分的数量可以是多个。图6至图9示出了其中屏蔽构件540的上部被设计成弯曲结构的示例。

根据一实施方式，在屏蔽构件540中弯曲的弯曲部分(例如第一弯曲部分740)可以在电路板530的向外方向上形成，例如，在将要被屏蔽的装置(或装置的磁性物质)的方向上形成。根据一实施方式，弯曲部分的弯曲角度和弯曲方向可以根据将要被屏蔽的磁性物质的规模(磁力)和/或尺寸(例如高度)而各种各样地实现。根据一实施方式，屏蔽构件540可以不包括弯曲部分，或者可以以预定的角度(例如90°、120°、150°)(或曲率半径)弯曲。根据一实施方式，屏蔽构件540的整个高度(或长度)和/或面积可以与将要被屏蔽的磁性物质的尺寸(例如高度和/或面积)相同或比其相对更大。由此，在利用将要被屏蔽的磁性物质的磁场形成和磁力屏蔽方面，可以预期更大的效果。

根据一实施方式，屏蔽构件540可以被设计为根据将要被屏蔽的磁性物质的磁力而具有可变的厚度。例如，屏蔽构件540可以在厚度上被设计为足以吸收将要被屏蔽的磁性物质的磁性。根据一实施方式，屏蔽构件540可以具有约0.15mm的厚度。

根据一实施方式，屏蔽构件540可以基于连接构件550以SMD方法接触(连接到)电路板530。

参照图7、图8和图9，在电路板530的一侧(例如上侧)，可以提供至少一个电子部件，并且连接构件550接触电路板530的另一侧(下表面655)。根据一实施方式，连接构件550可以具有以凹(“凹”)形(或“U”形)结构包围电路板530的形状。根据一实施方式，连接构件550可以接触电路板530的两侧(例如，左侧的部分635和右侧的部分645)的固定凹槽(例如第一凹槽630、第二凹槽640)和电路板530的下表面655的一部分。

根据一实施方式，连接构件550可以是例如加强构件，该加强构件形成有根据其形状和/或功能而划分的多个部分(例如第一部分、第二部分和第三部分)。根据一实施方式，连接构件550可以被划分为：第一加强构件710(例如垂直构件、棒构件)，其是加强构件的第一部分并用于固定到电路板530的一侧的第一凹槽630；第二加强构件720，其是加强构件的第二部分并用于通过电路板530的另一侧的第二凹槽640固定到电路板530；或第三加强构件730(例如底部构件)，其是加强构件的第三部分并接触电路板530的下表面655。

根据一实施方式，第一加强构件710(例如加强构件的第一部分)和第二加强构件720(例如加强构件的第二部分)可以垂直地固定到第三加强构件730(例如加强构件的第三部分)的两侧。例如，连接构件550可以形成为使得，第一部分(第一区域)设置成对应于电路板530的第一凹槽630，第二部分(第二区域)设置成对应于电路板530的第二凹槽640，并且第三部分(第三区域)接触电路板530的下表面。根据一实施方式，连接构件550可以形成为使得，第一加强构件710(例如加强构件的第一部分)、第二加强构件720(例如加强构件的第二部分)和第三加强构件730(例如加强构件的第三部分)各自具有不同的功能(或具有不同的形状)。

根据一实施方式，在连接构件550中，一端的第一加强构件710的一个表面810(例如内表面)可以接触电路板530的第一凹槽630，另一端的第二加强构件720的至少一个表面820(例如内表面侧的部分区域)可以接触电路板530的第二凹槽640。根据一实施方式，屏蔽构件540可以接触第二加强构件720的另一表面830(例如外表面)的整体。例如，连接构件550的一侧可以接触第二加强构件720的另一表面830。

根据一实施方式，第一加强构件710和第二加强构件720可以具有不同的宽度和长度(或高度)。根据一实施方式，在图6至图9中，第一加强构件710可以具有比第二加强构件720相对更小的宽度和长度，第二加强构件720可以具有比第一加强构件710相对更大的宽度和长度(例如，包括宽的宽度和长的长度的结构)。例如，考虑到屏蔽构件540的弯曲防止和接触力，第二加强构件720可以在更大的区域中进行接触。

根据一实施方式，第一加强构件710可以具有对应于(或等于)电路板530(例如电路板530的上表面)的高度的高度。第二加强构件720可以以高于电路板530的高度的高度突出(例如，从电路板530的上表面突出的结构)。例如，考虑到与屏蔽构件540的接触面积，第二加强构件720可以具有比第一加强构件710相对更大的面积。通过这样的结构形状，第二加强构件720的一侧(例如内侧)可以固定到并接触电路板530，并且其另一侧(例如外侧)可以更稳定地固定到并接触屏蔽构件540。

根据一实施方式，第三加强构件730可以具有其中整个上表面830(或内表面)接触电路板530的形状。

图10至图14示出了根据本公开的各种实施方式的屏蔽结构的各种实施方式。根据一实施方式，电路板(例如PCB)可以在至少两个装置(例如第一装置、第二装置)之间(例如薄弱部分)具有相对小的宽度w，并且可以比电路板的其他部分更容易损坏。在各种实施方式中，屏蔽结构(例如屏蔽构件、连接构件)可以加强装置之间狭窄地形成的部分(例如薄弱部分)。根据一实施方式，在电路板中，屏蔽结构可以设置在可受益于加强的部分(例如薄弱部分)中，并且屏蔽结构可以基于伸长的板状结构或以预定角度(例如约90°)弯曲的弯曲结构来加强薄弱部分。根据一实施方式，屏蔽结构的连接构件可以用作用于加强强度的构件。

图10是示出根据本公开的各种实施方式的接触电路板的屏蔽结构的另一种形式的后透视图。

图10示出了在参照图5至图9的前面的描述中描述的屏蔽结构560(例如屏蔽构件540和连接构件550)的另一种形式。根据一实施方式，如图10所示，屏蔽结构1060(例如屏蔽构件1040、连接构件1050)可以具有与根据前述示例的屏蔽结构560对应的形状(或结构)，并且还可以具有用于使用连接构件1050加强电路板1030的强度的功能(例如，用于加强强度的构件)。

参照图10，在电路板1030中，连接构件1050的一端和另一端可以通过在至少两个装置(例如第一装置(未示出)、第二装置(未示出))之间的电路板1030的一侧和一侧的相反方向的另一侧接触。根据一实施方式，电路板1030还可以具有用于将连接构件1050固定到一侧或另一侧中的至少一个的凹槽(例如图6的第一凹槽630、图6的第二凹槽640)。根据一实施方式，图10示出了其中形成凹槽的示例，其中连接构件1050的一端(例如第一构件1010)可以接触电路板1030的任何一侧(例如电路板1030在图10的观察方向上的左侧)。

根据一实施方式，屏蔽结构1060的屏蔽构件1040可以对应于参照图5至图9描述的屏蔽构件540的描述，并且将省略其详细描述。

根据一实施方式，屏蔽结构1060的连接构件1050可以延伸得比参照图5至图9描述的连接构件550更长，以具有比连接构件550长的长度(或宽度)。根据一实施方式，在电路板1030中，两个装置(例如第一装置(未示出)、第二装置(未示出))之间的部分(在下文中称为薄弱部分)可以由于窄宽度w而具有比电路板1030的其他部分的强度相对更弱的强度。在各种实施方式中，屏蔽结构1060的连接构件1050可以用作用于加强电路板1030的薄弱部分的强度的加强构件。例如，连接构件1050可以用作用于加强强度的构件。

根据一实施方式，如图10所示，连接构件1050可以在与电路板1030的薄弱部分的纵向方向对应的方向上伸长，以具有覆盖薄弱部分的至少部分(例如全部或一些)的形状。如图10所示，在电路板1030中，连接构件1050可以以凹槽1015的宽度(连接构件1050的一端(例如第一构件1010)可在凹槽1015中进行接触)向内形成(例如，其中薄弱部分和连接构件1050具有台阶的形状)以具有小于薄弱部分的宽度w的宽度w'。根据一实施方式，根据连接构件1050的紧固结构，连接构件1050的长度可以对应于薄弱部分的长度或者可以比薄弱部分的长度短或长。根据一实施方式，连接构件1050可以具有与薄弱部分的形状对应的形状。

根据各种实施方式，连接构件1050可以以特定方式(例如，用SMD方法形成)设置在电路板1030中以接触电路板1030。在根据各种实施方式的屏蔽结构的情况下，用SMD方法形成的非磁性材料(例如连接构件1050)可以被设计为确保将要用SMD方法形成的最大区域(或更大的区域)，从而加强电路板1030中的在装置与装置之间的薄弱部分的强度。

图11是示出根据本公开的各种实施方式的接触电路板的屏蔽结构的另一种形式的后透视图。

图11示出了参照图10描述的屏蔽结构1060的另一种形式。例如，图11示出了屏蔽结构1160的连接构件1150的另一种结构的示例。

参照图11，在电路板1130中，连接构件1150的一端和另一端可以分别通过至少两个装置(例如第一装置(未示出)、第二装置(未示出))之间的电路板1130的一侧和所述一侧的相反侧的另一侧进行接触。根据一实施方式，图11示出了其中电路板1130通过一侧和另一侧接触连接构件1150而没有在一侧和另一侧形成凹槽的结构的示例。

根据一实施方式，屏蔽结构1160的屏蔽构件1140可以对应于参照图5至图10描述的屏蔽构件，并且将省略其详细描述。

根据一实施方式，屏蔽结构1160的连接构件1150具有比参照图10描述的连接构件1050的延伸宽度更大的延伸宽度，接触电路板1130的任何一侧(例如，电路板1130在图11的观察方向上的左侧)的第一构件1110可以具有与连接构件1050的长度对应的长度。根据一实施方式，连接构件1150可以具有按照电路板1130的薄弱部分的一端处的电路板1130的侧表面的高度的延伸长度。根据一实施方式，第一构件1110可以具有其中连接构件1150的延伸部分在薄弱部分的宽度w的端部(或边缘部分)处弯曲的结构。

根据一实施方式，如图11所示，连接构件1150可以具有与电路板1130的薄弱部分的长度对应的长度，并具有与薄弱部分的宽度w对应的宽度，以形成为包括对应于薄弱部分的区域的形状(或覆盖整个薄弱部分)。

图12是示出根据本公开的各种实施方式的接触电路板的屏蔽结构的另一种形式的后透视图。

图12示出了参照图11描述的屏蔽结构1160的另一种形式。例如，图12示出了屏蔽结构1260的连接构件1250的另一种结构的示例。

参照图12，电路板1230可以包括与至少一个装置(例如第一装置(未示出)、第二装置(未示出))有关的至少一个电路端子(或接触部分)(例如GND端子)。根据一实施方式，电路板1230可以在薄弱部分中包括用于特定装置(例如扬声器)的电连接的电路端子。图12示出了其中用于电布线连接的孔1203形成在连接构件1250中与形成于薄弱部分中的电路端子对应的位置处的示例。

根据一实施方式，屏蔽结构1260的屏蔽构件1240可以对应于参照图5至图10描述的屏蔽构件，并且将省略其详细描述。

根据一实施方式，图12示出了其中用于与装置的电连接的两个电路端子(例如GND端子)形成在电路板1230的薄弱部分中的示例。根据一实施方式，连接构件1250可以在与电路端子的每个位置对应的位置处具有两个孔1203。根据一实施方式，来自装置的连接布线可以连接到电路板1230的通过连接构件1250的两个孔1203暴露的电路端子。根据一实施方式，如图12所示，当连接构件1250的面积减小以便避开电路端子时，如图11或图12所示，连接构件1250的第一构件1210延伸电路板1230(或薄弱部分)的高度，并且延伸该高度的部分(例如第一构件1210)在薄弱部分的宽度方向上的端部弯曲，从而加强薄弱部分的强度。

图13和图14是示出根据本公开的各种实施方式的在电子设备中用于屏蔽来自包括磁性物质的装置的磁力的屏蔽结构的示图。

参照图13，其是示意性地示出在装置安置于图10至图12中的状态下沿任何一个方向切割的电子部件的一侧的示图。

参照图13，电子设备1300可以包括：第一装置1301(例如图4的接收器410)，包括磁性物质1305；第二装置1302(例如图4的第二装置420)，不包括磁性物质；电路板1330(例如图4的PCB 430)；以及屏蔽结构1360，用于屏蔽在第一装置1301与第二装置1302之间产生的磁力的至少部分。在各种实施方式中，第一装置1301包括磁性物质1305，但是本公开不限于此。根据各种实施方式，第一装置1301和第二装置1302各自可以包括包含磁性物质的结构。例如，本公开的电子设备1300可以包括其中一个装置(例如第一装置1301)包含磁性物质并且另一个装置(例如第二装置1302)不包含磁性材料的结构、或其中一个装置和至少一个其他装置各自包含磁性物质的结构。

在各种实施方式中，电子设备1300可以包括这样的结构，其中由第一装置1301的磁性物质1305产生的磁力的至少部分被屏蔽，从而不影响受到磁性物质1305影响的至少一个第二装置1302。

根据一实施方式，屏蔽结构1360可以包括用于屏蔽磁力的屏蔽构件1340、以及用于将屏蔽构件1340物理地固定到电路板1330的连接构件1350。

在各种实施方式中，屏蔽构件1340可以设置在第一装置1301与第二装置1302之间。屏蔽构件1340可以由能够屏蔽第一装置1301(或第一装置1301的磁性物质1305)与第二装置1302之间的磁力的至少部分的屏蔽材料(或第一材料金属或磁性材料)制成。根据一实施方式，屏蔽材料可以是包括铁磁性材料的性质的材料(金属)。例如，屏蔽材料可以用SUS来实现(例如，由诸如铁(Fe)、钴(Co)和镍(Ni)的元素或合金制成)。

在各种实施方式中，连接构件1350可以基于一侧(例如外侧)的一部分接触(或物理地连接到)屏蔽构件1340的至少部分，并且可以基于另一侧(例如内侧)接触(或物理地连接到)电路板1330。根据一实施方式，连接构件1350可以由非磁性材料(或第二材料金属)制成，该非磁性材料可以与在第一装置1301(或第一装置1301的磁性物质1305)与第二装置1302之间产生的磁力的至少部分磁性地分离。根据一实施方式，非磁性材料可以是不受由磁性物质(例如磁体)形成的磁场影响的材料(金属)。例如，非磁性材料可以使用镍银(或纯铁)来实现。

根据各种实施方式，屏蔽结构1360(例如屏蔽构件1340、连接构件1350)可以以特定的方式设置(例如，以SMD方法形成)在电路板1330中以接触电路板1330。根据一实施方式，在实现屏蔽结构1360时，用于屏蔽磁力的屏蔽构件1340(例如，用于吸收磁场的材料(例如磁性材料))和连接构件1350(例如，未被磁化的材料(例如非磁性材料))可以被划分，并且通过在两种材料(例如，屏蔽构件1340和连接构件1350)之间的结合，可以实现屏蔽结构。在根据一实施方式的屏蔽结构的情况下，将要用SMD方法形成的非磁性材料(例如连接构件1350)可以被设计为确保将要用SMD方法形成的最小区域；因此，可以更自由地设计装置(或装置的磁性物质)与电路板1330之间的接触结构和/或位置。在根据一实施方式的屏蔽结构的情况下，将要通过SMD方法形成的非磁性材料(例如连接构件1350)可以被设计为确保将要用SMD方法形成的最大区域(例如，电路板1330中将要用SMD方法形成的接合区域)。由此，在各种实施方式中，可以加强电路板1330的薄弱部分的强度(例如，加强扭曲)，并且连接构件1350可以在大的区域中结合到电路板1330，以防止屏蔽结构1360与电路板1330分离。

根据各种实施方式，可以根据装置(例如第一装置1301、第二装置1302)的功能特性(或驱动(操作)方法)是否受到第一装置1301与第二装置1302之间的磁体(或磁力或磁场)影响来确定屏蔽构件1340的设置位置(例如，与任何一侧的装置相邻的位置)。根据一实施方式，屏蔽构件1340可以至少基于第一装置1301和第二装置1302的功能特性设置得更靠近(或偏向)任何一个装置(例如，包括影响另一装置的操作的磁性物质的第一装置1301)。根据一实施方式，屏蔽构件1340可以具有与其中设置位置被确定为对应于第一装置1301的磁性物质1305与第二装置1302(或第二装置1302的磁性物质(未示出))之间的磁性物质的规模(或磁力)的装置不同的距离和/或厚度。

根据各种实施方式的电子设备1300的屏蔽结构1360可以与装置1301和1302当中的发射相对强的磁通量的装置(例如第一装置1301)相邻地设置。根据一实施方式，如图13所示，屏蔽结构1360(特别是屏蔽构件1340)可以设置得更靠近第一装置1301而不是第二装置1302。

根据各种实施方式，屏蔽构件1340可以具有板状结构，并且可以通过连接构件1350在电路板1330的一侧上接触(物理地固定)。根据一实施方式，屏蔽构件1340可以形成弯曲结构中的两端中的至少一端(例如，图中沿长度(或高度)方向的上部或下部)。例如，屏蔽构件1340可以至少部分地弯曲。

根据一实施方式，屏蔽构件1340的弯曲部分可以具有在预定方向上弯曲的形状。根据一实施方式，屏蔽构件1340的弯曲结构可以通过上部或下部的弯曲而设计成

或

的形状，或者可以通过上部或下部的弯曲而设计成

的形状。例如，屏蔽构件1340的弯曲部分的数量可以是多个。根据一实施方式，屏蔽构件1340可以不包括弯曲部分，并且可以形成为板状结构(或平板结构，或形状“ー”)，如图13所示。

根据一实施方式，屏蔽构件1340的整个高度(或长度)和/或面积可以等于或相对大于将要被屏蔽的磁性物质的尺寸(例如高度和/或面积)。因此，在利用将要被屏蔽的磁性物质的磁场形成和磁力屏蔽方面，可以预期更大的效果。

根据一实施方式，屏蔽构件1340可以被设计为根据将要被屏蔽的磁性物质的磁力而具有可变的厚度。例如，屏蔽构件1340的厚度可以被设计为完全吸收将要被屏蔽的磁性物质的磁性的厚度。根据一实施方式，屏蔽构件1340可以具有约0.15mm的厚度。根据一实施方式，屏蔽构件1340可以基于连接构件1350以SMD方法接触(连接到)电路板1330。

根据各种实施方式，在电路板1330的一侧(例如图中的上侧)，可以提供至少一个电子部件，并且连接构件1350可以接触电路板1330的另一侧(例如图中的下侧)。

根据一实施方式，由于电路板1330的至少部分在第一装置1301与第二装置1302之间具有窄的宽度w，因此电路板1330可以包括包含相对弱的强度的部分(例如，薄弱部分)。在各种实施方式中，屏蔽结构1360的连接构件1350可以用作用于加强电路板1330的薄弱部分的强度的加强构件。例如，连接构件1350可以用作用于加强强度的构件。根据一实施方式，屏蔽结构1360的连接构件1350可以包围薄弱部分以对应于薄弱部分的宽度w。根据一实施方式，连接构件1350可以具有以“凹”形(或形状

)结构包围电路板1330(例如电路板1330的薄弱部分)的形状。根据一实施方式，连接构件1350可以接触电路板1330的两侧(例如左侧的至少部分、右侧的至少部分)、或电路板1330的两侧的固定凹槽或下表面中的至少一个。根据一实施方式，连接构件1350可以具有形状

(或沿观察方向的形状

)的弯曲结构的形状。

根据一实施方式，连接构件1350可以是形成有根据其形状和/或功能划分的多个部分(例如第一部分、第二部分和第三部分)的加强构件。根据一实施方式，连接构件1350可以被划分为：第一加强构件(例如垂直构件、杆构件)，其是加强构件的第一部分并用于固定到第一侧(例如，电路板1330的薄弱部分在图13的观察方向上的左侧表面的凹槽或左侧表面)；第二加强构件1352，其是加强构件的第二部分并用于通过电路板1330的第二侧(例如，电路板1330的薄弱部分在图13的观察方向上的右侧表面的凹槽或右侧表面)固定到电路板1330；或第三加强构件1353(例如底部构件)，其是加强构件的第三部分并接触电路板1330的下表面。

根据一实施方式，第一加强构件1351(例如加强构件的第一部分)和第二加强构件1352(例如加强构件的第二部分)可以垂直地固定到第三加强构件1353(例如加强构件的第三部分)的两侧。例如，连接构件1350可以形成为使得，第一部分(第一区域)设置为对应于电路板1330的第一表面(例如图中的左侧)，第二部分(第二区域)设置为对应于电路板1330的第二表面(例如图中的右侧)，并且第三部分(第三区域)接触电路板1330的下表面。根据一实施方式，连接构件1350可以形成为使得，第一加强构件1351(例如加强构件的第一部分)、第二加强构件1352(例如加强构件的第二部分)或第三加强构件1353(例如加强构件的第三部分)具有不同的功能(或具有不同的形状)。

根据一实施方式，在连接构件1350中，其一端的第一加强构件1351的一个表面(例如内表面)可以接触电路板1330的第一表面，并且其另一端的第二加强构件1352的至少一个表面(例如内表面侧的部分区域)可以接触电路板1330的第二表面。根据一实施方式，屏蔽构件1340可以接触第二加强构件1352的另一表面(例如外表面)。

根据一实施方式，第一加强构件1351和第二加强构件1352可以形成为包括彼此对应的尺寸或者不同尺寸的宽度或长度(或高度)的结构。根据一实施方式，第二加强构件1352可以具有比第一加强构件1351相对更小的宽度和长度，并且第一加强构件1351可以具有包括比第二加强构件1352的宽度和长度相对更大的宽度和长度的结构(例如，包括宽的宽度和长的长度的结构)。例如，考虑到屏蔽构件1340的弯曲防止和接触力，第一加强构件1351可以在更大的区域中接触屏蔽构件1340。

根据一实施方式，第二加强构件1352可以具有对应于(或等于)电路板1330(例如薄弱部分)的(例如，直至电路板1330的上表面的)高度的高度。第一加强构件1351可以突出到比电路板1330的高度高的高度(例如，比电路板1330的上表面进一步突出的结构)。根据一实施方式，第三加强构件1353可以具有其中其整个上表面(或内表面)接触电路板1330(例如电路板1330的薄弱部分)的形状。

根据一实施方式，连接构件1350可以基于第一加强构件1351、第二加强构件1352和第三加强构件1353的整体形状具有以凹形(或形状

)结构包围电路板1330的薄弱部分的形状。根据一实施方式，连接构件1350可以基于除了第二加强构件1352以外的第一加强构件1351和第三加强构件1353的整体形状具有形状

(或沿观察方向的形状

)的弯曲结构的形状。

图14示出了在从图13的第二装置1302侧观察第一装置1301的观察点处的屏蔽结构1360(特别是连接构件1350)和电路板1330的部分(例如弱部分1410)。

如图14所示，在连接构件1350中，第三加强构件1353堆叠在电路板1330上，第二加强构件1352弯曲，并且其中第三加强构件1353的至少部分延伸到与电路板1330的高度H对应的长度。

根据一实施方式，电路板1330的薄弱部分1410可以具有预定长度(在下文中，称为“长度L”)，并且连接构件1350的第三加强构件1353可以以包括与长度L对应的长度、比长度L短的长度或比长度L长的长度的形状堆叠。图14示出了其中第三加强构件1353形成得比薄弱部分1410被形成的长度L长的示例。

根据一实施方式，连接构件1350的第二加强构件1352可以从第三加强构件1353弯曲以具有与薄弱部分1410的长度L对应或比长度L小的长度。图14示出了其中第二加强构件1352以与薄弱部分1410被形成的长度L对应的长度形成的示例。根据一实施方式，当用于第二加强构件1352的固定和安装的凹槽形成在电路板1330的薄弱部分1410中时，第二加强构件1352可以具有对应于或小于薄弱部分1410的凹槽的长度(或宽度)的长度。

图15、图16和图17是示出根据本公开的各种实施方式的其中屏蔽结构屏蔽装置之间的磁力的结构的示图。

参照图15，第一装置1501、第二装置1502和第三装置1503可以设置在电路板(未示出)处，并且第二装置1502和第三装置1503各自可以与第一装置1501相邻地设置从而受到由第一装置1501的磁性物质1500产生的磁力影响。

根据一实施方式，如图15所示，第一装置1501可以是包括磁性物质1500的扬声器(或接收器)，第二装置1502可以是在第一装置1501下方相邻地设置并受到磁性物质1500的磁通量影响的后置相机，第三装置1503可以是在第一装置1501旁边相邻地设置并受到磁性物质1500的磁通量影响的前置相机。尽管未在图15中示出，但是可以在第一装置1501、第二装置1502或第三装置1503之间形成电路板的薄弱部分，并且可以在薄弱部分中形成屏蔽结构。图15示意性地示出了屏蔽结构中的屏蔽构件1540。

参照图15，在各种实施方式中，屏蔽构件1540可以在第一装置1501与第二装置1502之间的屏蔽空间(在下文中，称为“第一屏蔽空间”)以及第一装置1501与第三装置1503之间的屏蔽空间(在下文中，称为“第二屏蔽空间”)处具有屏蔽结构，以不影响受到磁性物质1500影响的第二装置1502和第三装置1503。根据一实施方式，屏蔽构件1540可以具有围绕(或基于)第一装置1501(或第一装置1501的磁性物质1500)弯曲的结构，以便屏蔽第一屏蔽空间和第二屏蔽空间中磁性物质1500的磁力。例如，屏蔽构件1540可以至少部分地弯曲，从而屏蔽装置之间的每个空间(例如第一屏蔽空间、第二屏蔽空间)。

根据一实施方式，屏蔽构件1540可以在预定方向上具有弯曲的形状。根据一实施方式，屏蔽构件1540的弯曲结构可以被设计成

或

的形状，或者可以被设计成

或

的形状。例如，屏蔽构件1540可以形成为可以根据将要被屏蔽的装置的位置(例如设置关系)和将要被屏蔽的装置的数量在整个屏蔽空间中被屏蔽的结构。根据一实施方式，一个屏蔽构件1540可以通过屏蔽构件1540的弯曲结构来屏蔽其周边的多个装置的磁力。根据一实施方式，尽管未示出，但是屏蔽构件1540可以通过连接构件(未示出)固定，该连接构件形成在电路板的在装置之间形成的薄弱部分中的任何一个薄弱部分中。

参照图16，第一装置1601、第二装置1602和第三装置1603可以设置在电路板(未示出)处，第二装置1602可以与第一装置1601相邻地设置，第三装置1603可以与第二装置1602相邻地设置，并且第二装置1602和第三装置1603可以被第一装置1601的磁性物质1600产生的磁力影响。

根据一实施方式，如图16所示，第一装置1601可以是包括磁性物质1600的扬声器(或接收器)，第二装置1602可以是在第一装置1601下方相邻地设置并受到磁性物质1600的磁通量影响的第一后置相机，第三装置1603可以是在第二装置1602旁边相邻地设置但是受到磁性物质1600的磁通量影响的第二后置相机。例如，图16示出了其中磁性物质1600对第三装置1603具有影响的示例。尽管未在图16中示出，但是可以在第一装置1601、第二装置1602或第三装置1603之间形成电路板的薄弱部分，并且可以在薄弱部分中形成屏蔽结构。图16示意性地示出了屏蔽结构中的屏蔽构件1640。

参照图16，在各种实施方式中，屏蔽构件1640可以具有屏蔽结构，使得第二装置1602和第三装置1603在第一装置1601与第二装置1602之间的屏蔽空间(在下文中，称为“第一屏蔽空间”)以及第一装置1601与第三装置1603之间的屏蔽空间(在下文中，称为“第二屏蔽空间”)中不受磁性物质1600影响。根据一实施方式，屏蔽构件1640可以延伸其长度以屏蔽第一屏蔽空间和第二屏蔽空间中磁性物质1600的磁力。例如，屏蔽构件1640可以以第二装置1602和第三装置1603的长度长地形成，从而屏蔽第二装置1602和第三装置1603两者。根据一实施方式，屏蔽构件1640可以形成为延伸至一长度以覆盖第二装置1602和第三装置1603两者的平板结构(或形状“ー”)。根据一实施方式，尽管未在图16中示出，但是在图16所示的装置的设置结构中，通过将屏蔽构件1640形成为如图15所示的弯曲结构，屏蔽构件1640可以包括用于屏蔽磁性物质1600使得磁性物质1600不影响第二装置1602和第三装置1603的结构。

参照图17，第一装置1701、第二装置1702和第三装置1703可以设置在电路板(未示出)处，第二装置1702可以与第一装置1701相邻地设置，第三装置1703可以与第二装置1702相邻地设置，并且仅第二装置1702可以受到由第一装置1701的磁性物质1700产生的磁力影响。

根据一实施方式，如图17所示，第一装置1701可以是包括磁性物质1700的扬声器(或接收器)，第二装置1702可以是在第一装置1701下方相邻地定位并受到磁性物质1700的磁通量影响的第一后置相机，第三装置1703可以是在第二装置1702旁边相邻地定位但是不受磁性物质1700的磁通量影响的第二后置相机。例如，图17示出了其中磁性物质1700的影响没有到达第三装置1703的示例。

参照图17，在各种实施方式中，屏蔽构件1740可以包括用于屏蔽的结构，使得第二装置1702在第一装置1701与受到磁性物质1700影响的第二装置1702之间的空间(在下文中，称为屏蔽空间)中不受磁性物质1700影响。根据一实施方式，屏蔽构件1740可以将屏蔽空间中磁性物质1700的磁力形成得与可屏蔽长度一样长。例如，与图16的屏蔽构件1640相比，屏蔽构件1740可以按照第二装置1602的长度形成，从而仅屏蔽第二装置1602。根据一实施方式，屏蔽构件1740可以形成为能够覆盖第二装置1702的平板结构(或形状“ー”)。

根据各种实施方式的电子设备包括：第一装置510，包括第一磁性物质515；第二装置520，包括第二磁性物质525；以及屏蔽结构560，用于屏蔽在第一磁性物质515与第二磁性物质525之间产生的磁力的至少部分，其中屏蔽结构560包括设置在第一装置510与第二装置520之间并包括磁性物质的性质的屏蔽构件540、以及物理地连接到屏蔽构件540的至少部分并包括非磁性物质的性质的连接构件550，其中连接构件550的至少部分物理地连接到电路板530。

根据各种实施方式，屏蔽构件540可以由能够屏蔽至少部分磁力的磁性材料制成。

根据各种实施方式，屏蔽构件540可以用包括铁磁性物质的性质的SUS形成。

根据各种实施方式，连接构件550可以由可与至少部分磁力磁性地分离的非磁性材料制成。

根据各种实施方式，非磁性材料可以由不受磁场影响的金属制成。

根据各种实施方式，金属可以包括镍银。

根据各种实施方式，屏蔽构件540和连接构件550可以用SMD方法彼此接触。

根据各种实施方式，屏蔽构件540的至少一端可以形成为弯曲结构。

根据各种实施方式，在电路板530中，可以形成用于固定连接构件550的凹槽(例如第一凹槽630和第二凹槽640)。

根据各种实施方式，连接构件550可以包括：第一加强构件610和710，包括接触电路板530的第一凹槽630的一个表面；第二加强构件620和720，包括接触电路板530的第二凹槽640的一个表面；以及第三加强构件730，包括接触电路板530的下表面655的上表面。

根据各种实施方式，第二加强构件620和720的其他表面可以接触屏蔽构件540的一个表面。

根据各种实施方式，第一加强构件610和710以及第二加强构件720和720可以垂直地固定到第三加强构件730的两侧。

根据各种实施方式，第一加强构件610和710以及第二加强构件620和720可以具有不同的宽度和长度。

根据各种实施方式，电路板(例如图10的电路板1030)可以包括薄弱部分，该薄弱部分可以受益于第一装置与第二装置之间的加强，屏蔽结构(例如图10的屏蔽结构1060)可以设置在薄弱部分处，并且屏蔽结构可以利用伸长的板状结构或弯曲结构来加强薄弱部分。

根据各种实施方式，连接构件(例如图10中的连接构件1050)可以用作用于加强薄弱部分的强度的构件。

根据各种实施方式，连接构件(例如图10的连接构件1050)可以具有与薄弱部分的长度和宽度对应的长度和宽度。

根据各种实施方式，屏蔽构件540可以至少基于第一装置510和第二装置520的功能特性设置得更靠近(或偏向)任何装置(例如第一装置510)。

根据各种实施方式，功能特性可以包括根据装置的驱动方法是否受到磁力影响的特性。

根据各种实施方式，屏蔽构件540可以大于或等于将要被屏蔽的磁性物质(例如第一磁性物质515)的尺寸。

根据各种实施方式，在第一装置510与第二装置520之间的距离(例如长度A)处，在屏蔽构件540与将不被屏蔽的另一磁性物体(例如第一磁性质515)之间的距离(例如长度B)可以是最大分离距离。

根据各种实施方式的电子设备包括：电路板530；第一装置510，包括第一磁性物质515；第二装置520，包括第二磁性物质525；以及屏蔽结构560，用于屏蔽在第一磁性物质515与第二磁性物质525之间产生的磁力的至少部分，其中屏蔽结构560包括设置在第一装置510与第二装置520之间并包含能够屏蔽至少部分磁力的磁性物质的性质的屏蔽构件540、以及物理地连接到屏蔽构件540的至少部分并固定到电路板530的连接构件550，连接构件550具有可以与至少部分磁力磁性地分离的非磁性物质的性质。

根据各种实施方式，连接构件550的至少部分可以物理地连接到电路板530，并且至少另一部分可以物理地连接到屏蔽构件540。

根据各种实施方式，屏蔽构件540可以至少基于第一装置510和第二装置520的功能特性设置得更靠近(或偏向)任何装置(例如第一装置510)，但是屏蔽构件540与将不被屏蔽的另一磁性物质(例如第二磁性物质525)之间的距离(例如长度B)可以设置为具有最大分离距离，并且可以等于或大于将要被屏蔽的磁性物质的尺寸。

根据各种实施方式的电子设备包括：装置(例如第一装置510)，包括磁性物质；电路板530；以及屏蔽结构560，用于屏蔽由磁性物质产生的磁场的至少部分，其中屏蔽结构560包括设置在装置(例如第一装置)与电子设备中包括的另一装置(例如不包括磁性物质的第二装置)之间并包含能够屏蔽至少部分磁场的铁磁性物质的性质的屏蔽构件540、以及物理地连接在屏蔽构件540的至少部分与电路板530之间的连接构件550，其中连接构件550具有可以与至少部分磁场磁性地分离的非磁性物质的性质。

根据各种实施方式，屏蔽构件540和连接构件550可以用SMD方法连接。

根据各种实施方式，屏蔽构件540可以至少部分地弯曲。

根据各种实施方式，在连接构件550中，第一构件610和710可以设置为对应于电路板530的第一凹槽630，第二构件620和720可以设置为对应于电路板530的第二凹槽640，第三区域630和730可以接触电路板530的下表面655，第一区域710和第二区域可以垂直地固定到第三区域的两侧，并且第二区域可以接触屏蔽构件540的至少部分。

虽然已经参照本公开的各种实施方式示出和描述了本公开，但是本领域技术人员将理解，在不背离由所附权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (15)

1.一种电子设备，包括：

第一装置，包括第一磁性物质；

第二装置，包括第二磁性物质；以及

屏蔽结构，配置为屏蔽在所述第一磁性物质与所述第二磁性物质之间产生的磁力的至少部分，

其中所述屏蔽结构包括：

屏蔽构件，设置在所述第一装置与所述第二装置之间并且包括磁性物质的性质；以及

连接构件，物理地连接到所述屏蔽构件的至少部分并且包括非磁性物质的性质，其中所述连接构件的至少部分物理地连接到电路板。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述屏蔽构件由能够屏蔽所述磁力的所述至少部分的铁磁性材料制成。

3.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述连接构件由与所述磁力的所述至少部分磁性地分离的非磁性材料制成。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其中所述非磁性材料由不受磁场影响的金属制成。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述屏蔽构件和所述连接构件用表面贴装器件(SMD)方法彼此接触。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述屏蔽构件至少部分地弯曲。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述电路板具有配置为固定所述连接构件的凹槽。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，在所述连接构件中，

第一区域设置为对应于所述电路板的第一凹槽，

第二区域设置为对应于所述电路板的第二凹槽，以及

第三区域形成为接触所述电路板的下表面。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其中所述第二区域形成为接触所述屏蔽构件的至少部分。

10.根据权利要求8所述的电子设备，其中所述第一区域和所述第二区域垂直于所述第三区域的两侧形成。

11.根据权利要求8所述的电子设备，其中所述第一区域和所述第二区域具有不同的宽度和长度。

12.根据权利要求1所述的电子设备，

其中所述电路板包括薄弱部分，所述薄弱部分需要在所述第一装置与所述第二装置之间的加强，以及

其中所述屏蔽结构设置在所述薄弱部分中，并且被配置为以延伸的板状结构或弯曲结构加强所述薄弱部分。

13.根据权利要求12所述的电子设备，其中所述连接构件被配置为用作用于加强所述薄弱部分的强度的构件。

14.根据权利要求13所述的电子设备，其中所述连接构件具有与所述薄弱部分的长度和宽度对应的长度和宽度。

15.根据权利要求1所述的电子设备，其中所述屏蔽构件至少基于所述第一装置和所述第二装置的功能特性设置得更靠近一个装置侧，以及

其中所述屏蔽构件被配置为等于或大于所述第一磁性物质和所述第二磁性物质的尺寸。

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