CN111727514A - 有机光电转换装置以及有机光电转换装置的制造方法 - Google Patents

有机光电转换装置以及有机光电转换装置的制造方法 Download PDF

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CN111727514A CN201980013911.9A CN201980013911A CN111727514A CN 111727514 A CN111727514 A CN 111727514A CN 201980013911 A CN201980013911 A CN 201980013911A CN 111727514 A CN111727514 A CN 111727514A
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Abstract

本发明的有机光电转换装置具备将光转换成电能的第一和第二有机光电转换元件。第一和第二有机光电转换元件以沿光的入射方向以该顺序层叠的方式配置。第一有机光电转换元件具有：第一元件主体，其包含第一基板、第一和第二透明电极、以及在光的第一波长带具有灵敏度的有机光电转换部；以及第一保护膜，其被覆第一元件主体。第二有机光电转换元件具有：第二元件主体，其包含第二基板、第三透明电极、电极、以及在光的第二波长带具有灵敏度的有机光电转换部；以及第二保护膜，其被覆第二元件主体。

Description

有机光电转换装置以及有机光电转换装置的制造方法
技术领域
本发明的一个方面涉及一种有机光电转换装置以及有机光电转换装置的制造方法。
背景技术
作为与现有的有机光电转换装置有关的技术，例如，在下述专利文献1中，公开了一种层叠型有机感光设备，其具有第一电极、第二电极、配置于第一电极和第二电极之间的第一有机光活性区域、以及、配置于第一电极和第二电极之间的第二有机光活性区域。在专利文献1中公开的层叠型有机感光设备中，第一有机光活性区域和第二有机光活性区域具有不同的吸收特性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2008-509558号公报
发明内容
发明要解决的问题
在如上所述的有机光电转换装置中，由于为了将光在每一个不同的波长带中分光并测量，使用了对氧或水蒸气弱的有机光电转换部，因此可期望从大气等的气体中保护有机光电转换部。除了这样的要求之外，例如应当提高灵活的生产对应力，还要求制造的简化。
因此，本发明的一个方面的技术问题在于，提供一种有机光电转换装置以及有机光电转换装置的制造方法，其将光在每一个不同的波长带中分光并测量，并能够保护有机光电转换部并且使制造简化。
解决问题的手段
本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置具备将光转换成电能的第一和第二有机光电转换元件，第一和第二有机光电转换元件以沿光的入射方向以该顺序层叠的方式配置，第一有机光电转换元件具有：第一元件主体，其包含第一基板、第一和第二透明电极、以及在光的第一波长带具有灵敏度的有机光电转换部；以及第一保护膜，其被覆第一元件主体，第二有机光电转换元件具有：第二元件主体，其包含第二基板、第三透明电极、电极、以及在光的第二波长带具有灵敏度的有机光电转换部；以及第二保护膜，其被覆第二元件主体。
在该有机光电转换装置中，第一和第二有机光电转换元件沿光的入射方向以该顺序层叠的方式配置，并且光在每一个不同的波长带中分光并测量。通过这样的层叠结构，可以不需要进行光轴调整。由于可以将第一和第二有机光电转换元件分别模块化，因此变得容易在期望的条件下个别地制作第一和第二有机光电转换元件中的各个。另外，在第一和第二有机光电转换元件中，各个有机光电转换部分别被第一和第二保护膜保护，并且能够从大气等的气体中保护各个有机光电转换部。因此，除了将光在每一个不同的波长带中分光并测量，还能够保护有机光电转换部并且使制造简化。
在本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置中，可以为：第一波长带是比第二波长带短的波长带。一般地，在有机光电转换部中，对于比其灵敏度所涉及的波长带短的波长的光，多少存在具有受光的倾向的情况。在这一方面，在本发明的一个方面中，在比第二波长带短的波长的第一波长带的光被第一有机光电转换元件受光之后，第二波长带的光被第二有机光电转换元件受光。因此，能够抑制在第一有机光电转换元件中接受第二波长带的光的情况，并且能够由第一和第二有机光电转换元件中的各个可靠地接受第一和第二波长带的光中的各个。
本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置可以为：具备设置于第一有机光电转换元件的光入射侧，并且透过第一和第二波长带的光的多带通滤光器。由此，能够由第一和第二有机光电转换元件可靠地仅接受第一和第二波长带的光。
本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置可以为：具备：第一滤光器，其设置于第一有机光电转换元件的光入射侧，并且使比第一波长带的下限长的波长的光透过；以及第二滤光器，其设置于第一有机光电转换元件和第二有机光电转换元件之间，并且截断比第二波长带的上限长的波长的光。由此，能够由第一和第二有机光电转换元件可靠地仅接受第一和第二波长带的光。
在本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置中，可以为：第一和第二保护膜是无机膜、有机膜、或者无机膜与有机膜的层叠膜。在本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置中，可以为：第一和第二保护膜包含氧化铝、氧化钛以及聚对二甲苯中的至少任意种。在该情况下，能够有效地保护第一和第二有机光电转换元件的各个有机光电转换部。
在本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置中，可以为：第一有机光电转换元件具有被覆第一基板的第一基板保护膜，第二有机光电转换元件具有被覆第二基板的第二基板保护膜。由此，能够从第一和第二基板中所包含的气体中保护第一和第二有机光电转换元件的各个有机光电转换部。
在本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置中，可以为：第一和第二透明电极经由第一保护膜而与外部电连接，第三透明电极和电极经由第二保护膜而与外部电连接。在该情况下，不需要去除第一和第二保护膜的一部分来实现与第一和第二有机光电转换元件的电连接。保护有机光电转换部并且简化制造的上述效果变得显著。
本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置可以为：第一有机光电转换元件具有被覆第一保护膜的外表面的第三保护膜，第二有机光电转换元件具有被覆第二保护膜的外表面的第四保护膜。在该情况下，能够通过第三和第四保护膜来提高第一和第二有机光电转换元件的耐擦伤性。
在本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置中，可以为：第三保护膜不被覆在第一保护膜的外表面电连接于第一和第二透明电极的金属配线上的一部分，第四保护膜不被覆在第二保护膜的外表面电连接于第三透明电极和电极的金属配线上的一部分。由此，即使在具备第三和第四保护膜的情况下，也能够容易地实现与第一和第二有机光电转换元件的电连接。
在本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置中，可以为：第一有机光电转换元件以沿光的入射方向层叠的方式配置多个，多个第一有机光电转换元件中的各个有机光电转换部各自的第一波长带是互相不同的波长带。在该情况下，能够将光在至少三个的每一个波长带中分光并测量。
本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置的制造方法，具备：在第一基板上，蒸镀第一透明电极、在第一波长带具有灵敏度的有机光电转换部以及第二透明电极，得到第一元件主体的工序；通过蒸镀或者原子层沉积法用第一保护膜被覆第一元件主体，得到第一有机光电转换元件的工序；在第二基板上，蒸镀第三透明电极、在第二波长带具有灵敏度的有机光电转换部以及电极，得到第二元件主体的工序；通过蒸镀或者原子层沉积法用第二保护膜被覆第二元件主体，得到第二有机光电转换元件的工序；以及将第一有机光电转换元件和第二有机光电转换元件沿光的入射方向以该顺序层叠的方式配置的工序。
根据该有机光电转换装置的制造方法，通过使用第一和第二有机光电转换元件，并且沿光的入射方向以该顺序层叠的方式配置它们，从而能够制造将光在每一个不同的波长带中分光并测量的有机光电转换装置。在该制造中，可以不需要进行光轴调整。由于可以将第一和第二有机光电转换元件分别模块化，因此变得容易在期望的条件下个别地制作第一和第二有机光电转换元件中的各个。另外，在第一和第二有机光电转换元件中，各个有机光电转换部分别被第一和第二保护膜保护，并且能够从大气等的气体中保护各个有机光电转换部。因此，除了将光在每一个不同的波长带中分光并测量，还能够保护有机光电转换部并且使制造简化。
本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置的制造方法可以为：具备在第一有机光电转换元件的光入射侧，设置透过第一和第二波长带的光的多带通滤光器的工序。由此，在制造的有机光电转换装置中，能够由第一和第二有机光电转换元件可靠地接受第一和第二波长带的光。
本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置的制造方法可以为：具备在第一有机光电转换元件的光入射侧，设置使比第一波长带的下限长的波长的光透过的第一滤光器，并且，在第一有机光电转换元件和第二有机光电转换元件之间，设置截断比第二波长带的上限长的波长的光的第二滤光器的工序。由此，在制造的有机光电转换装置中，能够由第一和第二有机光电转换元件可靠地接受第一和第二波长带的光。
本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置的制造方法可以为：具备：通过蒸镀或者原子层沉积法用第一基板保护膜被覆第一基板的工序；以及通过蒸镀或者原子层沉积法用第二基板保护膜被覆第二基板的工序。由此，在制造的有机光电转换装置中，能够从第一和第二基板中所包含的气体中保护第一和第二有机光电转换元件的各个有机光电转换部。
本发明一个方面所涉及的有机光电转换装置的制造方法可以为：具备通过层压加工用第三保护膜被覆第一保护膜的外表面，并且，通过层压加工用第四保护膜被覆第二保护膜的外表面的工序。在该情况下，在制造的有机光电转换装置中，能够通过第三和第四保护膜来提高第一和第二有机光电转换元件的耐擦伤性。
发明效果
根据本发明的一个方面，能够提供一种有机光电转换装置以及有机光电转换装置的制造方法，其除了将光在每一个不同的波长带中分光并测量，还能够保护有机光电转换部并且使制造简化。
附图说明
图1是示出一个实施方式所涉及的有机光电转换装置的概略截面图。
图2是示出图1的带通滤光器的特性的图表。
图3的(a)是说明图1的有机光电转换装置的制造方法的概略截面图。图3的(b)是示出图3的(a)的延续的概略截面图。图3的(c)是示出图3的(b)的延续的概略截面图。
图4的(a)是示出图3的(c)的延续的概略截面图。图4的(b)是示出图4的(a)的延续的概略截面图。
图5的(a)是示出有机光电转换装置的受光灵敏度的测量结果的图表。图5的(b)是示出在反转配置第一有机光电转换元件的情况下的有机光电转换装置的受光灵敏度的测量结果的图表。
图6是示出变形例所涉及的有机光电转换装置的概略截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述实施例。在下文中，对相同或相当的要素赋予相同的符号，并省略重复的说明。
图1所示的有机光电转换装置100是例如卫生保健用、生化检查、生物分析用或放射无损测量用的薄膜型光学设备。有机光电转换装置100是能够同时检测互相不同的多个波长带的光的多波长检测设备。此处的有机光电转换装置100是同时检测第一波长带的光和第二波长带的光的二波长检测设备。有机光电转换装置100具备第一有机光电转换元件10、第二有机光电转换元件20和多带通滤光器30。
第一有机光电转换元件10和第二有机光电转换元件20是将光L转换成电能的元件。第一有机光电转换元件10和第二有机光电转换元件20以沿光L的入射方向以该顺序层叠的方式配置并接合。第一有机光电转换元件10和第二有机光电转换元件20可以互相抵接，也可以在它们之间配置有其它的光学元件。
第一有机光电转换元件10相对于第二有机光电转换元件20位于光L的入射侧。第一有机光电转换元件10是透过除检测对象的波长之外的波长的光L的半透过型的有机光电转换元件。第一有机光电转换元件10具有第一元件主体11、以围绕第一元件主体11的方式被覆的第一主体保护膜(第一保护膜)13、以及以围绕第一主体保护膜13的方式被覆的第一层压膜(第三保护膜)15。
第一元件主体11包含第一基板11a、第一基板保护膜11b、透明电极(第一透明电极)11c、金属配线11d、有机光电转换部11e、透明电极(第二透明电极)11f以及金属配线11g。
第一基板11a是呈薄膜状的薄膜基板。第一基板11a是透明的。“透明”是指，对检测的光L具有透过性。例如，“透明”是总光线透过率为70％以上，具体而言，对于检测的波长选择范围的光L，总光线透过率为85％以上(在以下的透明中相同)。“薄膜”是指，例如薄的薄片，“薄膜状”是指，例如薄的薄片状(在以下的薄膜和薄膜状中相同)。第一基板11a由例如玻璃或树脂(聚酰亚胺、或者聚对苯二甲酸乙二醇酯等)形成。
第一基板保护膜11b是被覆第一基板11a的外表面的至少一部分的膜。第一基板保护膜11b对液体、氧气等的气体、以及水蒸气具有阻隔性。第一基板保护膜11b特别地对水蒸气具有高的阻隔性(低的水蒸气透过度)。第一基板保护膜11b是通过原子层沉积法(ALD：Atomic Layer Deposition)成膜的ALD成膜。第一基板保护膜11b是透明的。第一基板保护膜11b是无机膜、有机膜、或者无机膜和有机膜的层叠膜。在此，第一基板保护膜11b由例如氧化铝(Al2O3)和氧化钛(TiO2)的多层结构形成。
透明电极11c是透明的导电膜。透明电极11c设置于第一基板11a的表面上。透明电极11c在第一基板11a的表面，经由第一基板保护膜11b而层叠。透明电极11c与第一基板保护膜11b抵接。透明电极11c由例如铟锡氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)形成。透明电极11c电连接于金属配线11d。
金属配线11d设置于第一基板11a的表面上。金属配线11d在第一基板11a的表面，经由第一基板保护膜11b而层叠。金属配线11d与第一基板保护膜11b抵接。金属配线11d经由第一主体保护膜13而与外部的I-V放大器2导通。即，电连接于金属配线11d的透明电极11c与I-V放大器2经由第一主体保护膜13而电连接。在金属配线11d与I-V放大器2的导通的路径上，存在第一主体保护膜13，在第一主体保护膜13未设置用于该通电的开口(去除部分)。I-V放大器2是电流和电压的转换增幅器。I-V放大器2将有机光电转换装置100的输出信号转换成数字信号，并且与进行例如以时间序列存储信号量变化等的处理的处理电路3电连接。
有机光电转换部11e是包含有机半导体的光电转换膜。有机光电转换部11e是在光L的第一波长带具有灵敏度的受光部。在此处的有机光电转换部11e中，使用硼亚酞菁氯化物(SubPc)作为施主材料，使用碳分子富勒烯(Buckminsterfullerene:C60)作为受主材料。第一波长带是比第二波长带短的波长带。第一波长带是例如541nm～551nm。有机光电转换部11e设置于透明电极11c上。有机光电转换部11e层叠于透明电极11c的与第一基板11a侧为相反侧的表面。
透明电极11f是透明的导电膜。透明电极11f是包含金属11f1和电介质11f2的金属电介质层叠膜(Metal-Dielectric-Multilayer:MDM)。透明电极11f设置于有机光电转换部11e上。透明电极11f层叠于有机光电转换部11e的与第一基板11a侧为相反侧的表面。透明电极11f经由有机光电转换部11e而面对透明电极11c。透明电极11f和透明电极11c在与层叠方向正交的方向上互相错开地配置。透明电极11c的金属11f1由例如金(Au)形成。透明电极11c的电介质11f2由例如三氧化钼(MoO3)形成。透明电极11f电连接于金属配线11g。透明电极11f与透明电极11c不接触。透明电极11f不与透明电极11c电连接。
金属配线11g设置于第一基板11a的表面上。金属配线11g在第一基板11a的表面，经由第一基板保护膜11b而层叠。金属配线11g与第一基板保护膜11b抵接。金属配线11g经由第一主体保护膜13而与外部的偏置电压源4导通。即，电连接于金属配线11g的透明电极11f与偏置电压源4经由第一主体保护膜13而电连接。在金属配线11g与偏置电压源4的导通的路径上，存在有第一主体保护膜13，在第一主体保护膜13，未设置用于该通电的开口(去除部分)。偏置电压源4供给施加于有机光电转换部11e的电压。此处的偏置电压源4供给负电压，具体而言，供给-5～0V程度的电压来动作。
第一主体保护膜13是被覆第一元件主体11的外表面的至少一部分的膜。第一主体保护膜13对液体、氧气等的气体、以及水蒸气具有阻隔性。第一主体保护膜13特别地对水蒸气具有高的阻隔性。第一主体保护膜13是通过ALD法成膜的ALD成膜。第一主体保护膜13是透明的。第一主体保护膜13是无机膜、有机膜、或者无机膜和有机膜的层叠膜。在此，第一主体保护膜13由例如氧化铝和氧化钛的多层结构形成。
第一层压膜15是被覆第一主体保护膜13的外表面的至少一部分的膜。第一层压膜15被覆第一主体保护膜13的外表面的光入射侧与光入射侧的相反侧。第一层压膜15通过层压加工形成。第一层压膜15贴合有一个或多个薄膜形成。第一层压膜15由对物理冲击强的材料形成。第一层压膜15是透明的。在第一层压膜15，以不被覆第一主体保护膜13的外表面的金属配线11d上的一部分的方式，形成有使该一部分露出的露出部15a。在第一层压膜15，以不被覆第一主体保护膜13的外表面的金属配线11g上的一部分的方式，形成有使该一部分露出的露出部15b。此外，对于金属配线11d、11g上的第一主体保护膜13的该一部分，可以通过例如激光照射或等离子体照射来去除，使金属配线11d、11g露出。
第二有机光电转换元件20相对于第一有机光电转换元件10位于与光L的入射侧为相反侧。第二有机光电转换元件20是非透过型的有机光电转换元件。第二有机光电转换元件20具有以围绕第二元件主体21的方式被覆的第二主体保护膜(第二保护膜)23、以及以围绕第二主体保护膜23的方式被覆的第二层压膜(第四保护膜)25。
第二元件主体21包含第二基板21a、第二基板保护膜21b、透明电极(第三透明电极)21c、金属配线21d、缓冲层21e、有机光电转换部21f、非透明电极(电极)21g和金属配线21h。
第二基板21a是呈薄膜状的薄膜基板。第二基板21a是透明的。第二基板21a由例如玻璃或树脂形成。
第二基板保护膜21b是被覆第二基板21a的外表面的至少一部分的膜。第二基板保护膜21b对液体、氧气等的气体、以及水蒸气具有阻隔性。第二基板保护膜21b特别地对水蒸气具有高的阻隔性。第二基板保护膜21b是通过ALD法成膜的ALD成膜。第二基板保护膜21b是透明的。第二基板保护膜21b是无机膜、有机膜、或者无机膜和有机膜的层叠膜。在此，第二基板保护膜21b由例如氧化铝和氧化钛的多层结构形成。
透明电极21c是透明的导电膜。透明电极21c设置于第二基板21a的表面上。透明电极21c在第二基板21a的表面，经由第二基板保护膜21b而层叠。透明电极21c与第二基板保护膜21b抵接。透明电极21c由例如铟锡氧化物形成。透明电极21c电连接于金属配线21d。
金属配线21d设置于第二基板21a的表面上。金属配线21d在第二基板21a的表面，经由第二基板保护膜21b而层叠。金属配线21d与第二基板保护膜21b抵接。金属配线21d经由第二主体保护膜13而与外部的偏置电压源5导通。即，电连接于金属配线21d的透明电极21c与偏置电压源5经由第二主体保护膜23而电连接。在金属配线21d与偏置电压源5的导通的路径上，存在第二主体保护膜23，在第二主体保护膜23未设置用于该通电的开口(去除部分)。偏置电压源5供给施加于有机光电转换部21e的电压。此处的偏置电压源5供给负电压，具体而言，供给-5～0V程度的电压来动作。
缓冲层21e调整透明电极21c与有机光电转换部21f之间的能量顺位并抑制暗电流。缓冲层21e由金属氧化膜构成。缓冲层21e由例如三氧化钼形成。缓冲层21e是透明的。缓冲层21e设置于透明电极21c上。缓冲层21e层叠于透明电极21c的与第二基板21a侧为相反侧的表面。
有机光电转换部21f是包含有机半导体的光电转换膜。有机光电转换部21f是在光L的第二波长带具有灵敏度的受光部。在此处的有机光电转换部21f中，使用铜酞菁(CuPc)作为施主材料，使用碳分子富勒烯作为受主材料。第二波长带是比第一波长带长的波长带。第二波长带是例如685nm～695nm。有机光电转换部21f设置于缓冲层21e上。有机光电转换部21f层叠于缓冲层21e的与第二基板21a侧为相反侧的表面。当从光L的入射方向观察，有机光电转换部21f的至少一部分以与第一有机光电转换元件10的有机光电转换部11e重叠的方式配置。即，当从光L的入射方向观察，有机光电转换部11e的配置区域与有机光电转换部21f的配置区域重叠。
非透明电极21g是不透明的导电膜。非透明电极21g设置于有机光电转换部21f上。非透明电极21g层叠于有机光电转换部21f的与第二基板21a侧为相反侧的表面。非透明电极21g经由有机光电转换部21f而面对透明电极21c。非透明电极21g和透明电极21c在与层叠方向正交的方向上互相错开地配置。非透明电极21g由钛和铝的两层膜或者铝形成。非透明电极21g电连接于金属配线21h。非透明电极21g与透明电极21c不接触。非透明电极21g不与透明电极21c电连接。
金属配线21h设置于第二基板21a的表面上。金属配线21h在第二基板21a的表面，经由第二基板保护膜21b而层叠。金属配线21h与第二基板保护膜21b抵接。金属配线21h经由第二主体保护膜23而与外部的I-V放大器6导通。即，电连接于金属配线21h的透明电极21g与I-V放大器6经由第二主体保护膜23而电连接。在金属配线21h与I-V放大器6的导通的路径上，存在第二主体保护膜23，在第二主体保护膜23未设置用于该通电的开口(去除部分)。I-V放大器6是电流和电压的转换增幅器。I-V放大器6将有机光电转换装置100的输出信号转换成数字信号，并且与进行例如以时间序列存储信号量变化等的处理的处理电路7电连接。
第二主体保护膜23是被覆第二元件主体21的外表面的至少一部分的膜。第二主体保护膜23对液体、氧气等的气体、以及水蒸气具有阻隔性。第一主体保护膜13特别地对水蒸气具有高的阻隔性。第二主体保护膜23是通过ALD法成膜的ALD成膜。第二主体保护膜23是透明的。第二主体保护膜23是无机膜、有机膜、或者无机膜和有机膜的层叠膜。第二主体保护膜23由例如氧化铝和氧化钛的多层结构形成。
第二层压膜25是被覆第二主体保护膜23的外表面的至少一部分的膜。第二层压膜25被覆第二主体保护膜23的外表面的光入射侧与光入射侧的相反侧。第二层压膜25通过层压加工形成。第二层压膜25贴合有一个或多个薄膜形成。第二层压膜25由对物理冲击强的材料形成。第二层压膜25是透明的。在第二层压膜25，以不被覆第二主体保护膜23的外表面的金属配线21d上的一部分的方式，形成有使该一部分露出的露出部25a。在第二层压膜25，以不被覆第二主体保护膜23的外表面的金属配线21h上的一部分的方式，形成有使该一部分露出的露出部25b。
多带通滤光器30接合于第一有机光电转换元件10的光入射侧。多带通滤光器30在沿光L的入射方向上具有多个滤光器F经由粘合剂8而层叠的构造。多带通滤光器30与第一有机光电转换元件10可以抵接，也可以在它们之间配置有其它的光学元件。多带通滤光器30是具有图2所示的波长与透过率(Transmittance)的关系的带通滤光器，即，具有将第一波长带和第二波长带作为透过带域(透过波长带)。
接下来，对如上所述地构成的有机光电转换装置100的制造方法进行说明。
首先，如图3的(a)所示，准备第一基板11a。如图3的(b)所示，以被覆第一基板11a的外表面的方式，通过ALD法使第一基板保护膜11b成膜。如图3的(c)所示，在成膜了第一基板保护膜11b的第一基板11a上，蒸镀透明电极11c、金属配线11d、有机光电转换部11e、透明电极11f以及金属配线11g。由此，得到第一元件主体11。
如图4的(a)所示，以被覆第一元件主体11的外表面的方式，通过ALD法成膜第一主体保护膜13。如图4的(b)所示，以被覆成膜有第一主体保护膜13的第一元件主体11的方式实施层压加工，成膜第一层压膜15。将金属配线11d经由第一主体保护膜13而与外部的I-V放大器2电连接。将金属配线11g经由第一主体保护膜13而与外部的偏置电压源4电连接。由此，得到第一有机光电转换元件10。
除了第一有机光电转换元件10的形成之外，与图3的(a)～图4的(b)同样地，得到第二有机光电转换元件201。即，以被覆第二基板21a的外表面的方式成膜第二基板保护膜22b。在第二基板21a上，蒸镀透明电极21c、金属配线21d、缓冲层21e、有机光电转换部21f、非透明电极21g以及金属配线21h，得到第二元件主体21。以被覆第二元件主体21的外表面的方式成膜第二主体保护膜23。实施层压加工成膜第二层压膜25。将金属配线21d经由第二主体保护膜23而与外部的偏置电压源5电连接，并且将金属配线21h经由第二主体保护膜23而与外部的I-V放大器6电连接。由此，得到第二有机光电转换元件20。
将所得的第一有机光电转换元件10以及第二有机光电转换元件20以沿光L的入射方向以该顺序层叠的方式配置并接合。在第一有机光电转换元件10的光入射侧设置多带通滤光器30。通过以上的方式，制造有机光电转换装置100。
如上所述，在有机光电转换装置100中，第一和第二有机光电转换元件10、20以沿光L的入射方向以该顺序层叠的方式配置，并且光L在每一个不同的波长带中分光并测量。通过这样的层叠结构，可以不需要进行光轴调整。由于可以将第一和第二有机光电转换元件10、20分别模块化，因此变得容易在期望的条件下个别地制作第一和第二有机光电转换元件10、20中的各个。另外，在第一和第二有机光电转换元件10、20中，各个有机光电转换部11e、21f分别被第一和第二保护膜13、23保护，并且能够从大气等的气体(包括水蒸汽)中保护各个有机光电转换部11e、21f。
因此，根据有机光电转换装置100，除了将光L在每一个不同的波长带中分光并测量，还能够保护有机光电转换部11e、21f并且使制造简化。有机光电转换装置100的小型化成为可能。由于可以被第一和第二保护膜13、23保护，因此，可以提高环境耐性，并且在将第一和第二有机光电转换元件10、20经由粘合剂接合的情况下，可以提高对该粘合剂的耐性。
一般地，在有机光电转换部中，对于比其灵敏度所涉及的波长带短的波长的光，多少存在具有受光的倾向的情况。在这一方面，在有机光电转换装置100中，第一有机光电转换元件10的有机光电转换部11e的第一波长带是比第二有机光电转换元件20的有机光电转换部21f的第二波长带短的波长带。因此，在比第二波长带短的波长的第一波长带的光L被第一有机光电转换元件10受光之后，第二波长带的光L被第二有机光电转换元件10受光。由此，与有机光电转换部11e、21f的该特性对应的精度高的分光测量成为可能，并且能够抑制在第一有机光电转换元件10中接受第二波长带的光L的情况，并且能够由第一和第二有机光电转换元件10、20中的各个可靠地接受第一和第二波长带的光L中的各个。
有机光电转换装置100具备多带通滤光器30。由此，能够由第一和第二有机光电转换元件10、20可靠地接受第一和第二波长带的光L。
在有机光电转换装置100中，第一和第二主体保护膜13、23是无机膜、有机膜、或者无机膜与有机膜的层叠膜。特别地，在有机光电转换装置100中，第一和第二保护膜包含氧化铝和氧化钛。由此，能够有效地保护第一和第二有机光电转换元件10、20中的各个有机光电转换部11e、21f。
在有机光电转换装置100中，第一有机光电转换元件10具有被覆第一基板11a的第一基板保护膜11b。第二有机光电转换元件20具有被覆第二基板21a的第二基板保护膜21b。由此，能够降低第一和第二基板11a、21a的透湿性。能够从第一和第二基板11a、21a所包含的气体(包括水蒸气)中保护第一和第二有机光电转换元件10、20中的各个有机光电转换部11e、21f。
在有机光电转换装置100中，由于第一主体保护膜13薄，因此，透明电极11c、11f经由第一主体保护膜13而与外部电连接。由于第二主体保护膜23薄，因此，透明电极21c和非透明电极21g经由第二主体保护膜23而与外部电连接。在该情况下，为了实现与第一和第二有机光电转换元件10、20的电连接，不需要去除第一和第二主体保护膜13、23的一部分。能够充分地发挥第一和第二主体保护膜13、23的保护功能。保护有机光电转换部11e、21f并且简化制造的上述作用效果变得显著。此外，对于成为接触容量的增加的电连接部的第一和第二主体保护膜13、23，考虑到对高重复事件的测量的应用，如上所述，可以通过例如激光照射或者离子照射来去除。
在有机光电转换装置100中，第一有机光电转换元件10还具有第一层压膜15，第二有机光电转换元件20还具有第二层压膜25。能够第一和第二层压膜15、25来提高第一和第二有机光电转换元件10、20的耐擦伤性。
在有机光电转换装置100中，第一层压膜15不被覆第一主体保护膜13的外表面的金属配线11d、11g上的一部分。第二层压膜25不被覆第二主体保护膜23的外表面的金属配线21d、21h上的一部分。由此，即使在具备第一和第二层压膜15、25的情况下，也能够容易地实现与第一和第二有机光电转换元件10、20的电连接。在具备了第一和第二层压膜15、25的情况下，能够防止与第一和第二有机光电转换元件10、20的导通变得困难。
在有机光电转换装置100的制造方法中，由于使用第一和第二有机光电转换元件10、20，并且沿光L的入射方向以该顺序层叠它们的方式配置，能够制造将光L在每一个不同的波长带中分光并测量的有机光电转换装置100。在该制造时，可以不需要进行光轴调整。由于可以将第一和第二有机光电转换元件10、20分别模块化，因此变得容易在期望的条件下个别地制作第一和第二有机光电转换元件10、20中的各个。另外，在第一和第二有机光电转换元件10、20中，各个有机光电转换部11e、21f分别被第一和第二保护膜保护，并且能够从大气等的气体中保护各个有机光电转换部11e、21f。因此，除了将光L在每一个不同的波长带中分光并测量，还能够保护有机光电转换部11e、21f并且使制造简化。
在有机光电转换装置100的制造方法中，在第一有机光电转换元件10的光入射侧设置多带通滤光器30。由此，在制造的有机光电转换装置100中，通过多带通滤光器30对光L进行滤光，并且进行检测波长范围的狭小化，能够由第一和第二有机光电转换元件10、20可靠地接受第一和第二波长带的光L。
在有机光电转换装置100的制造方法中，通过ALD法用第一基板保护膜11b被覆第一基板11a。通过ALD法用第二基板保护膜21b被覆第二基板21a。由此，在制造的有机光电转换装置100中，从第一和第二基板11a、21a中所包含的气体中保护第一和第二有机光电转换元件10的各个有机光电转换部11e、21f。
在有机光电转换装置100的制造方法中，通过层压加工用第一层压膜15覆盖第一主体保护膜13的外表面。并且，通过层压加工用第二层压膜25覆盖第二主体保护膜23的外表面。在该情况下，在制造的有机光电转换装置100中，可以通过第一和第二层压膜15、25提高第一和第二有机光电转换元件10、20的耐擦伤性。
在有机光电转换装置100中，透明电极11f和透明电极11c在与层叠方向正交的方向上互相错开地配置，非透明电极21g和透明电极21c在与层叠方向正交的方向上互相错开地配置。由此，透明电极11c、11f、21c和非透明电极21g的向外部的电连接变得容易。
图5的(a)是示出有机光电转换装置100的受光灵敏度的测量结果的图表。在该图中，纵轴表示第一和第二有机光电转换元件10、20的受光灵敏度(输出)，横轴表示光L的波长(在后述的图5的(b)和图6中同样)。如图5的(a)所示，可以确认在有机光电转换装置100中，高精度地同时检测第一波长带的光L和第二波长带的光L。
此外，第一有机光电转换元件10可以是相对于图1所示的状态上下反转的结构，即，以作为MDM的透明电极11f位于入射侧的方式反转配置的结构。即使在该情况下，也可以同时检测第一波长带的光L和第二波长带的光L。
图5的(b)是示出在以透明电极11f位于入射侧的方式反转配置第一有机光电转换元件10的情况下的有机光电转换装置100的受光灵敏度的测量结果的图表。如图5的(b)所示，在反转配置第一有机光电转换元件10的有机光电转换装置100中，也可以高精度地同时检测第一波长带的光L和第二波长带的光L。另外，可以明确：与ITO的透明电极11c位于入射侧的结构(图5的(a)的结果)相比，以作为MDM的透明电极11f位于入射侧的方式反转配置的结构(图5的(b)的结果)能够实现高的受光灵敏度。
在有机光电转换装置100中，采用MDM作为第一有机光电转换元件10的透明电极11f。由此，可以确保对透明电极11f的光L的透过性，并且在向使用硼亚酞菁氯化物和碳分子富勒烯的有机光电转换部11e的透明电极11f的蒸镀时，可以提高产量。
此处，对第一和第二主体保护膜13、23以及第一和第二基板保护膜11b、21b，进行了评价对水蒸气的阻隔性的阻隔性评价试验。在阻隔性评价试验中，在由聚酰亚胺形成的薄膜基板上，成膜与第一和第二主体保护膜13、23以及第一和第二基板保护膜11b、21b对应的ALD成膜，得到了实施例。ALD成膜由氧化铝和氧化钛的多层结构形成。在此，交替地沉积氧化铝的层和氧化钛的层，成为总共30层的多层结构的ALD成膜。另外，准备了仅由通过聚酰亚胺形成的薄膜基板构成的比较例。使水蒸气透过实施例和比较例，通过MOCON法或钙法测量了其水蒸气透过率(g/m2·天)。阻隔性评价试验以JIS K7129(红外线传感器法)为准则实施。
这样的阻隔性评价试验的结果，可以明确：比较例的水蒸气透过率为134(g/m2·天)，相对于此，在实施例中，水蒸气透过率可以降低至0.36(g/m2·天)。由此，可以确认有机光电转换装置100对水蒸气的高的阻隔性。
使用与第二有机光电转换元件20对应的实施例、以及与未设置第二基板保护膜22b和第二主体保护膜23的第二有机光电转换元件20对应的比较例，进行了在大气中的耐久性试验。在耐久性试验中，评价了26天间的受光灵敏度的变化。受光灵敏度是将初始状态设为1的相对灵敏度。其结果，在比较例中，当经过20天后，相对灵敏度降低至70％，相对于此，在实施例中，即使经过26天后，也可以维持90％以上的相对灵敏度。由此，可以确认有机光电转换装置100的高的耐久性。
此外，在本实施方式中，第一和第二基板保护膜11b、21b以及第一和第二主体保护膜13、23包含添加有二氧化钛的氧化铝，但是也可以包含二氧化钛和聚对二甲苯中的至少任一种。在本实施方式中，第一和第二基板保护膜11b、21b以及第一和第二主体保护膜13、23中的至少任一个，可以由互相相同的材料形成，也可以由不同的材料形成。在本实施方式中，形成第一和第二基板保护膜11b、21b以及第一和第二主体保护膜13、23的方法不限于ALD方法，也可以使用化学蒸镀等的各种公知手法。
以上，对实施方式进行了说明，但是本发明的一个方面不限于上述实施方式。
上述实施方式代替或除多带通滤光器30之外，可以具备第一滤光器和第二滤光器。即，可以具备设置第一滤光器以及设置第二滤光器的工序。第一滤光器设置于第一有机光电转换元件10的光入射侧，并且使比第一波长带的下限长的波长的光L透过。第二滤光器设置于第一有机光电转换元件10与第二有机光电转换元件20之间，并且截断比第二波长带的上限长的波长的光L。由此，能够由第一和第二有机光电转换元件10、20可靠地接受第一和第二波长带的光L。
在上述实施方式中，第一有机光电转换元件10可以以沿光L的入射方向层叠的方式配置多个。在该情况下，多个第一有机光电转换元件10中的各个有机光电转换部在互相不同的波长带中具有灵敏度。多个第一有机光电转换元件10中的各个有机光电转换部的灵敏度所涉及的第一波长带中的各个互相不同。即，上述实施方式可以是层叠了接受互相不同的波长带的光的三个以上的有机光电转换元件的结构，作为一例，可以是如图6所示的结构。
图6是示出变形例所涉及的有机光电转换装置200的概略截面图。有机光电转换装置200具备透过除检测对象的波长之外的波长的光L的三个半透过型有机光电转换元件(第一有机光电转换元件)210、220、230、以及非透过型的非透过型有机光电转换元件(第二有机光电转换元件)240。
半透过型有机光电转换元件210、220、230以及非透过型有机光电转换元件240是将光L转换成电能的元件。半透过型有机光电转换元件210、220、230以及非透过型有机光电转换元件240以沿光L的入射方向以该顺序层叠的方式配置而接合。
半透过型有机光电转换元件210具备元件主体(第一元件主体)211、以及被覆元件主体211的透明ALD成膜，即，主体保护膜(第一保护膜)213。元件主体211具有基板(第一基板)211a、基板保护膜(第一基板保护膜)211b、透明电极(第一透明电极)211c、缓冲层211d、有机光电转换部211e、缓冲层211f、以及透明电极(第二透明电极)211g。
基板211a是透明的薄膜基板。基板保护膜211b是被覆基板211a的外表面的透明的ALD成膜。透明电极211c是透明的导电膜，并且设置于基板211a的表面上。缓冲层211d是调整透明电极211c与有机光电转换部211e之间的能量顺位并且抑制暗电流的透明的金属氧化膜，并且设置于透明电极211c上。有机光电转换部211e是包含有机半导体的光电转换膜，并且在光L的第一波长带具有灵敏度。有机光电转换部211e使用在340nm附近具有吸收峰并且在464nm以上为吸收峰的半值以下的材料。有机光电转换部211e设置于缓冲层211d上。缓冲层211f是调整有机光电转换部211e与透明电极211g之间的能量顺位并且抑制暗电流的透明的金属氧化膜，并且设置于有机光电转换部211e上。透明电极211g是透明的导电膜，并且设置于缓冲层211f上。透明电极211g、缓冲层211f、有机光电转换部211e、缓冲层211d以及透明电极211c从光L入射侧以该顺序层叠于基板211a上。
在半透过型有机光电转换元件210的光入射侧，设置有长通滤光器201a和陷波滤光器201b。长通滤光器201a和陷波滤光器201b构成透过比半透过型有机光电转换元件210的第一波长带的下限长的波长的光L的第一滤光器。长通滤光器201a截断344nm以下的光L，陷波滤光器201b截断345nm～464nm的光L。
半透过型有机光电转换元件220除了在与半透过型有机光电转换元件210的灵敏度所涉及的第一波长带不同的其它的第一波长带中具有灵敏度之外，与半透过型有机光电转换元件210同样地构成。半透过型有机光电转换元件220相对于半透过型有机光电转换元件210，位于与光L的入射侧为相反侧。半透过型有机光电转换元件220具备元件主体(第一元件主体)221、以及被覆元件主体221的透明的ALD成膜，即，主体保护膜(第一保护膜)223。元件主体221具有基板(第一基板)221a、基板保护膜(第一基板保护膜)221b、透明电极(第一透明电极)221c、缓冲层221d、有机光电转换部221e、缓冲层221f、以及透明电极(第二透明电极)221g。有机光电转换部221e使用在470nm附近具有吸收峰并且在554nm以上成为吸收峰的半值以下的材料。
在半透过型有机光电转换元件220的光入射侧，即，在半透过型有机光电转换元件210与半透过型有机光电转换元件220之间，设置有长通滤光器202a和陷波滤光器202b。长通滤光器202a和陷波滤光器202b构成透过比半透过型有机光电转换元件220的第一波长带的下限长的波长的光L的第一滤光器。长通滤光器202a截断464nm以下的光L，陷波滤光器202b截断475nm～554nm的光L。
半透过型有机光电转换元件230除了在与半透过型有机光电转换元件210、220的灵敏度所涉及的第一波长带不同的其它的第一波长带中具有灵敏度之外，与半透过型有机光电转换元件210、220同样地构成。半透过型有机光电转换元件230相对于半透过型有机光电转换元件220，位于与光L的入射侧为相反侧。半透过型有机光电转换元件230具备元件主体(第一元件主体)231、以及被覆元件主体231的透明的ALD成膜，即，主体保护膜(第一保护膜)233。元件主体231具有基板(第一基板)231a、基板保护膜(第一基板保护膜)231b、透明电极(第一透明电极)231c、缓冲层231d、有机光电转换部231e、缓冲层231f、以及透明电极(第二透明电极)231g。有机光电转换部231e使用在560nm附近具有吸收峰并且在644nm以上成为吸收峰的半值以下的材料。
在半透过型有机光电转换元件230的光入射侧，即，在半透过型有机光电转换元件220与半透过型有机光电转换元件230之间，设置有长通滤光器203a和陷波滤光器203b。长通滤光器203a和陷波滤光器203b构成透过比半透过型有机光电转换元件230的第一波长带的下限长的波长的光L的第一滤光器。长通滤光器203a截断554nm以下的光L，陷波滤光器203b截断565nm～644nm的光L。
非透过型有机光电转换元件240相对于半透过型有机光电转换元件230，位于与光L的入射侧为相反侧。非透过型有机光电转换元件240具备元件主体(第二元件主体)241、以及被覆元件主体241的透明的ALD成膜，即，主体保护膜(第二保护膜)243。元件主体241具有基板(第二基板)241a、基板保护膜(第二基板保护膜)241b、电极241c、缓冲层241d、有机光电转换部241e、缓冲层241f、以及透明电极(第三透明电极)241g。
基板241a是透明的薄膜基板。基板保护膜241b是被覆基板241a的透明的ALD成膜。电极241c是透明的导电膜，并且设置于基板211a的表面上。缓冲层241d是调整电极241c与有机光电转换部241e之间的能量顺位并且抑制暗电流的透明的金属氧化膜，并且设置于电极241c上。有机光电转换部241e是包含有机半导体的光电转换膜，并且在光L的第二波长带具有灵敏度。有机光电转换部241e使用在650nm附近具有吸收峰的材料。有机光电转换部241e设置于缓冲层241d上。缓冲层241f是调整有机光电转换部241e与透明电极241g之间的能量顺位并且抑制暗电流的透明的金属氧化膜，并且设置于有机光电转换部241e上。透明电极241g是透明的导电膜，并且设置于缓冲层241f上。透明电极241g、缓冲层241f、有机光电转换部241e、缓冲层241d以及电极241c从光L入射侧以该顺序层叠于基板241a上。
在非透过型有机光电转换元件240的光入射侧，即，在半透过型有机光电转换元件230与非透过型有机光电转换元件240之间，设置有带通滤波器204。带通滤波器204构成截断比第二波长带的上限长的波长的光L的第二滤光器。带通滤波器204透过645nm～654nm的光L。
在如上所述的有机光电转换装置200中，将多个滤光器201a、201b、202a、202b、203a、203b、204和多个有机光电转换元件210、220、230、240适当地重叠并进行检测波长范围的狭小化，能够简化光学系统。能够在四个波长带(即，互相不同的三个第一波长带与第二波长带)的光L分光并测量。
此外，在有机光电转换装置200中，有机光电转换元件210、220、230，240中的至少任一个可以具备与第一和第二层压膜15、25同样的层压膜。在有机光电转换装置200中，与上述有机光电转换装置100同样地，有机光电转换元件210、220、230、240可以经由主体保护膜213、223、233、243而与外部电连接。在有机光电转换装置200中，滤光器201a、201b的层叠顺序没有限定而为任意顺序，滤光器202a、202b的层叠顺序没有限定而为任意顺序，滤光器203a、203b的层叠顺序没有限定而为任意顺序。
符号说明
11……第一元件主体；11a……第一基板；11b……第一基板保护膜；11c……透明电极(第一透明电极)；11d……金属配线；11e……有机光电转换部；11f……透明电极(第二透明电极)；11g……金属配线；13……第一主体保护膜(第一保护膜)；15……第一层压膜(第三保护膜)；21……第二元件主体；21a……第二基板；21b……第二基板保护膜；21c……透明电极(第三透明电极)；21d……金属配线；21e……缓冲层；21f……有机光电转换部；21g……非透明电极(电极)；21h……金属配线；23……第二主体保护膜(第二保护膜)；25……第二层压膜(第四保护膜)；30……多带通滤光器；100、200……有机光电转换装置；201a……长通滤光器(第一滤光器)；201b……陷波滤光器(第一滤光器)；202a……长通滤光器(第一滤光器)；202b……陷波滤光器(第一滤光器)；203a……长通滤光器(第一滤光器)；203b……陷波滤光器(第一滤光器)；204……带通滤光器(第二滤光器)；210、220、230……半透过型有机光电转换元件(第一有机光电转换元件)；211、221、231……元件主体(第一元件主体)；213、223、233……主体保护膜(第一保护膜)；211a、221a、231a……基板(第一基板)；211b、221b、231b……基板保护膜(第一基板保护膜)；211c、221c、231c……透明电极(第一透明电极)；211e、221e、231e……有机光电转换部；211g、221g、231g……透明电极(第二透明电极)；240……非透过型有机光电转换元件(第二有机光电转换元件)；241……元件主体(第二元件主体)；241a……基板(第二基板)；241b……基板保护膜(第二基板保护膜)；241c……电极；241e……有机光电转换部；241g……透明电极(第三透明电极)；243……主体保护膜(第二保护膜)；L……光。

Claims (16)

1.一种有机光电转换装置，其中，
具备将光转换成电能的第一和第二有机光电转换元件，
所述第一和第二有机光电转换元件以沿所述光的入射方向以该顺序层叠的方式配置，
所述第一有机光电转换元件具有：
第一元件主体，其包含第一基板、第一和第二透明电极、以及在所述光的第一波长带具有灵敏度的有机光电转换部；以及
第一保护膜，其被覆所述第一元件主体，
所述第二有机光电转换元件具有：
第二元件主体，其包含第二基板、第三透明电极、电极、以及在所述光的第二波长带具有灵敏度的有机光电转换部；以及
第二保护膜，其被覆所述第二元件主体。
2.根据权利要求1所述的有机光电转换装置，其中，
所述第一波长带是比所述第二波长带短的波长带。
3.根据权利要求1或2所述的有机光电转换装置，其中，
具备设置于所述第一有机光电转换元件的光入射侧，并且透过所述第一和第二波长带的所述光的多带通滤光器。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的有机光电转换装置，其中，
具备：
第一滤光器，其设置于所述第一有机光电转换元件的光入射侧，并且使比所述第一波长带的下限长的波长的所述光透过；以及
第二滤光器，其设置于所述第一有机光电转换元件和所述第二有机光电转换元件之间，并且截断比所述第二波长带的上限长的波长的所述光。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机光电转换装置，其中，
所述第一和第二保护膜是无机膜、有机膜、或者无机膜与有机膜的层叠膜。
6.根据权利要求5所述的有机光电转换装置，其中，
所述第一和第二保护膜包含氧化铝、氧化钛以及聚对二甲苯中的至少任意种。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的有机光电转换装置，其中，
所述第一有机光电转换元件具有被覆所述第一基板的第一基板保护膜，
所述第二有机光电转换元件具有被覆所述第二基板的第二基板保护膜。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的有机光电转换装置，其中，
所述第一和第二透明电极经由所述第一保护膜而与外部电连接，
所述第三透明电极和所述电极经由所述第二保护膜而与外部电连接。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的有机光电转换装置，其中，
所述第一有机光电转换元件具有被覆所述第一保护膜的外表面的第三保护膜，
所述第二有机光电转换元件具有被覆所述第二保护膜的外表面的第四保护膜。
10.根据权利要求9所述的有机光电转换装置，其中，
所述第三保护膜不被覆在所述第一保护膜的外表面电连接于所述第一和第二透明电极的金属配线上的一部分，
所述第四保护膜不被覆在所述第二保护膜的外表面电连接于所述第三透明电极和所述电极的金属配线上的一部分。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的有机光电转换装置，其中，
所述第一有机光电转换元件以沿所述光的入射方向层叠的方式配置多个，
所述多个第一有机光电转换元件中的各个有机光电转换部各自的所述第一波长带是互相不同的波长带。
12.一种有机光电转换装置的制造方法，其中，
具备：
在第一基板上，蒸镀第一透明电极、在第一波长带具有灵敏度的有机光电转换部以及第二透明电极，得到第一元件主体的工序；
通过蒸镀或者原子层沉积法以第一保护膜被覆所述第一元件主体，得到第一有机光电转换元件的工序；
在第二基板上，蒸镀第三透明电极、在第二波长带具有灵敏度的有机光电转换部以及电极，得到第二元件主体的工序；
通过蒸镀或者原子层沉积法以第二保护膜被覆所述第二元件主体，得到第二有机光电转换元件的工序；以及
将所述第一有机光电转换元件和所述第二有机光电转换元件沿光的入射方向以该顺序层叠的方式配置的工序。
13.根据权利要求12所述的有机光电转换装置的制造方法，其中，
具备在所述第一有机光电转换元件的光入射侧，设置透过所述第一和第二波长带的所述光的多带通滤光器的工序。
14.根据权利要求12或13所述的有机光电转换装置的制造方法，其中，
具备在所述第一有机光电转换元件的光入射侧，设置使比所述第一波长带的下限长的波长的所述光透过的第一滤光器，并且，在所述第一有机光电转换元件和所述第二有机光电转换元件之间，设置截断比所述第二波长带的上限长的波长的所述光的第二滤光器的工序。
15.根据权利要求12～14中任一项所述的有机光电转换装置的制造方法，其中，
具备：
通过蒸镀或者原子层沉积法以第一基板保护膜被覆所述第一基板的工序；以及
通过蒸镀或者原子层沉积法以第二基板保护膜被覆所述第二基板的工序。
16.根据权利要求12～15中任一项所述的有机光电转换装置的制造方法，其中，
具备通过层压加工以第三保护膜被覆所述第一保护膜的外表面，并且，通过层压加工以第四保护膜被覆所述第二保护膜的外表面的工序。
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