CN111724699A - 一种nled像素设置及修复方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种NLED像素设置及修复方法。每个发光像素单元包括n个NLED芯片，每个像素单元包括至少m个NLED发光体；所述NLED芯片电极和驱动背板电极均设置有互连区域和备用区域，通过Au‑In键合、非Au‑In互连或Au‑In键合和非Au‑In互连的复合方式将所述NLED芯片电极的互连区域与驱动背板像素电极的互连区域相连后，采用实时监测电极区域进行检测，在相应不良区域通过原位非Au‑In连接方式将NLED芯片电极备用区域连接到驱动背板电极的对应备用区域上以进行修复，不必去除键合和连接不可靠的NLED芯片。本发明有效地降低了LED器件的制作周期和制作成本，并且大大提高了LED显示器件的良品率。

Description

一种NLED像素设置及修复方法
技术领域
本发明涉及集成半导体发光与显示领域，特别涉及一种NLED像素设置及修复方法。
背景技术
LED显示具有自发光、高亮度和发光效率、低功耗、高稳定性等优点，被广泛应用于各种场合。随着LED芯片尺寸和像素间距减小，LED显示有望实现柔性、高透明、可交互、可模块化拼接的显示，被认为是具备全功能和全应用领域的革命性显示技术。μLED显示是一种由微米级LED发光像素组成阵列的新型显示技术，NLED（Nano-LED）显示是一种由纳米级LED发光像素组成阵列的新型显示技术。NLED可以通过改变直径来调节发光波长，具有潜在应用前景。国内外主要LED芯片、显示面板和显示应用厂商都已积极地投入超高密度LED显示的开发。然而，当LED芯片尺寸小到一定程度，对芯片的操作将变得越来越困难。传统的μLED显示每个发光像素包含一个μLED芯片，通过巨量转移和精确对位将每个芯片的阴极和阳极分别与驱动背板像素电极进行有序连接和键合，对巨量转移、电极与电极的对位、键合等技术环节要求极高，器件良品率低，且像素缺陷监测和修复难度极大，严重阻碍μLED显示的商用化。因此，迫切需要开发纳米LED（如LED纳米棒）的像素排列及相应的检测修复技术难题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种NLED像素设置及修复方法，该方法避免了需要精准对位的巨量转移和键合，大大提高了LED显示器件的良品率，并且降低了LED发光器件制作工艺的复杂程度，从而有效地降低了LED器件的制作周期和制作成本。
为实现上述目的，本发明的技术方案是：一种NLED像素设置及修复方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供一驱动背板，所述驱动背板包括k个阵列排列的像素区域，每个像素区域的电极均设置有互连区域和备用区域；其中，k为大于等于1的自然数；
步骤S2、采用电泳、流体自组装、静电或范德瓦耳斯方式在驱动背板每个像素区域的阳极和阴极之间设置ni个NLED芯片，且该ni个NLED芯片具有取向且无需精准取向和定位，所述NLED芯片的电极设置有互连区域和备用区域；驱动背板每个像素区域包括至少mi个NLED发光体，所述NLED发光体为可以正常发光的NLED芯片；其中，mi、ni为大于等于1的自然数，且mi≤ni，i为大于等于1的自然数，且1≤i≤k；
步骤S3、采用Au-In键合、非Au-In互连、Au-In键合和非Au-In互连的复合方式将NLED芯片电极的互连区域与驱动背板像素区域电极的互连区域进行连接；
步骤S4、采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对NLED芯片进行驱动发光；
步骤S5、通过记录逐点扫描时不良NLED像素的行列地址或拍摄发光图片并进行图像处理获得不良NLED像素的行列地址，实时监测不良NLED像素；
步骤S6、根据步骤S5提供的不良NLED像素的行列地址进行寻址，采用非Au-In互连方法在相应位置的NLED芯片电极的备用区域与驱动背板像素区域电极的备用区域进行原位修复，实现电极之间的重新互连；
步骤S7、重复S4-S6步骤，直至NLED显示阵列的良率达到预期良率。
在本发明一实施例中，所述NLED发光体为转移和金属互连后，施加驱动信号后可以正常发光的NLED芯片。
在本发明一实施例中，所述NLED芯片的轴向方向尺寸为1微米~100微米，径向尺寸为10纳米~1微米；所述NLED芯片的生长方法包括自下而上的模板生长法、图形化籽晶生长法和自上而下的微纳加工LED晶圆法；所述NLED芯片表面除电极互连区域和备用区域的其他区域设置有介质层。
在本发明一实施例中，所述非Au-In互连包括喷墨打印、丝网印刷、卷对卷印刷、遮挡镀膜、激光焊接、引线焊接。
在本发明一实施例中，所述采用非Au-In互连方法在相应位置的NLED芯片电极的备用区域与驱动背板像素区域电极的备用区域进行原位修复，即将NLED芯片电极的备用区域连接到对应的驱动背板像素区域电极的备用区域上，不必去除键合和连接不可靠的NLED芯片。
在本发明一实施例中，未对NLED芯片进行检测前，也可将NLED芯片电极的互连区域和备用区域，分别与驱动背板像素区域对应电极的互连区域和备用区域同时连接，提高NLED芯片与驱动背板连接的可靠性和良品率。
在本发明一实施例中，NLED芯片的p型半导体设置第一电极互连区和第一电极备用区，NLED芯片的n型半导体设置第二电极互连区和第二电极备用区。
在本发明一实施例中，所述基于喷墨打印的非Au-In互连和原位修复方式为实时监测到电极区域及不良区域时，在相应位置通过喷墨打印方式将导电油墨喷至NLED芯片电极和驱动背板像素区域电极之上，实现电极之间的互连。
在本发明一实施例中，所述遮挡镀膜是指镀膜时在转移好NLED芯片的驱动背板设置掩膜板，使得所镀导电薄膜刚好将NLED芯片电极与驱动背板像素区域电极实现电连接；所述掩膜板包括金属掩模版和光学掩模版，其是根据所有的NLED芯片电极和驱动背板像素区域电极矩阵图形进行预先设计和制作的。
在本发明一实施例中，所述遮挡镀膜是指镀膜时在连接好NLED芯片的驱动背板上套上金属掩模版，使得所镀导电薄膜刚好将待修复的NLED芯片电极与驱动背板像素区域电极实现电连接；所述金属掩模版是根据检测而得的待修复NLED和驱动背板的电极图形进行预先设计和制作的。
相较于现有技术，本发明具有以下有益效果：本发明能避免LED发光芯片与驱动芯片的复杂键合以及芯片巨量转移工艺，且无需精准对位，大大提高了μLED显示器件的良品率。另外，采用喷墨打印等非Au-In互连和原位修复方式对电极进行互连，以及对不良像素进行修复，降低μLED发光器件的制作工艺复杂程度，从而有效地降低μLED器件的制作周期和制作成本。
附图说明
图1为本发明实施例的一种NLED电极设置方案及互连方法示意图。
图2为本发明实例的一种NLED电极设置方案及互连方法的制备过程示意图。
图中，1为蓝宝石衬底，2为缓冲层，3为n-GaN层，4为多量子阱发光层，5为p-GaN层，6为电流扩展层ITO，7为p接触电极Ti/Al/Ni/Au，8为SiO2介质层，9为阳极互连区域，10为阳极备用区域，11为绝缘层，12为阴极互连区域，13为阴极备用区域，14为纳米棒电极与驱动背板电极的连接线；其中，301为n型半导体的第一电极互连区，302为n型半导体的第一电极备用区；701为p型半导体的第二电极备用区，702为p型半导体的第二电极互连区。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的技术方案进行具体说明。
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下将通过具体实施例和相关附图，对本发明作进一步详细说明。在图中，为了清楚，放大了层与区域的厚度，但作为示意图不应该被认为严格反映了几何尺寸的比例关系。在此，参考图是本发明的理想化实施例示意图，本发明的实施例不应该被认为仅限于图中所示的区域的特定形状，而是包括所得到的形状，比如制造引起的偏差。在本实施例中均以矩形或圆表示，图中的表示是示意性的，但这不应该被认为限制本发明的范围。本实施例中障壁起伏图案的大小与起伏周期有一定范围，在实际生产中可以根据实际需要设计起伏图案大小及其起伏周期，实施例中起伏周期的数值只是示意值，但这不应该被认为限制本发明的范围。
本发明公开了一种NLED像素设置及修复方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供一驱动背板，所述驱动背板包括k个阵列排列的像素区域，每个像素区域的电极均设置有互连区域和备用区域；其中，k为大于等于1的自然数；
步骤S2、采用电泳、流体自组装、静电或范德瓦耳斯方式在驱动背板每个像素区域的阳极和阴极之间设置ni个NLED芯片，且该ni个NLED芯片具有取向且无需精准取向和定位，所述NLED芯片的电极设置有互连区域和备用区域；驱动背板每个像素区域包括至少mi个NLED发光体，所述NLED发光体为（转移和金属互连后，施加驱动信号后）可以正常发光的NLED芯片；其中，mi、ni为大于等于1的自然数，且mi≤ni，i为大于等于1的自然数，且1≤i≤k；
步骤S3、采用Au-In键合、非Au-In互连、Au-In键合和非Au-In互连的复合方式将NLED芯片电极的互连区域与驱动背板像素区域电极的互连区域进行连接；
步骤S4、采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对NLED芯片进行驱动发光；
步骤S5、通过记录逐点扫描时不良NLED像素的行列地址或拍摄发光图片并进行图像处理获得不良NLED像素的行列地址，实时监测不良NLED像素；
步骤S6、根据步骤S5提供的不良NLED像素的行列地址进行寻址，采用非Au-In互连方法在相应位置的NLED芯片电极的备用区域与驱动背板像素区域电极的备用区域进行原位修复，实现电极之间的重新互连；
步骤S7、重复S4-S6步骤，直至NLED显示阵列的良率达到预期良率。
驱动背板每个像素区域（一个像素区域对应一个像素单元）包括至少mi个NLED发光体，所述NLED发光体为转移和金属互连后，施加驱动信号后可以正常发光的NLED芯片；所述mi、ni为大于等于1的自然数，且mi≤ni；所述每个发光像素单元包含的NLED芯片数量ni和NLED发光体数量mi可以相同也可以不同。所述NLED芯片的轴向方向尺寸为1微米~100微米，径向尺寸为10纳米~1微米；所述NLED芯片的生长方法包括自下而上的模板生长法、图形化籽晶生长法和自上而下的微纳加工LED晶圆法；所述NLED芯片表面除电极互连区和备用区的其他区域设置有介质层。所述非Au-In互连包括喷墨打印、丝网印刷、卷对卷印刷、遮挡镀膜、激光焊接、引线焊接。采用非Au-In互连方式对NLED芯片进行原位修复，将NLED芯片电极备用区域连接到驱动背板电极的对应备用区域上，不必去除键合和连接不可靠的NLED芯片。未对NLED芯片进行检测前，也可将NLED芯片电极的互连区域和备用区域，分别与驱动背板对应电极的互连区域和备用区域同时连接，提高NLED芯片与驱动背板连接的可靠性和良品率。NLED芯片p型半导体设置第一电极互连区和第一电极备用区，n型半导体设置第二电极互连区和第二电极备用区，采用非Au-In互连方式将NLED连接到驱动背板对应电极区域。所述基于喷墨打印的非Au-In互连和原位修复方式为采用实时在线监测到电极区域及不良区域，在相应位置通过喷墨打印方式将导电油墨喷至NLED芯片电极和驱动背板电极之上，实现电极之间的互连。所述遮挡镀膜是指镀膜时在转移好NLED芯片的驱动背板设置掩膜板，使得所镀导电薄膜刚好将NLED芯片电极与驱动背板电极实现电连接；所述掩膜板包括金属掩模版和光学掩模版，根据所有的NLED芯片和驱动背板的电极矩阵图形进行预先设计和制作的。所述遮挡镀膜是指镀膜时在连接好NLED芯片的驱动背板上套上金属掩模版，使得所镀导电薄膜刚好将待修复的NLED芯片电极与驱动背板电极实现电连接；所述金属掩模版是根据检测而得的待修复NLED和驱动背板的电极图形进行预先设计和制作的。
以下为本发明的具体实施例。
图1为本发明实施例的一种NLED电极设置方案及互连方法示意图。图2为本发明实例的一种NLED电极设置方案及互连方法的制备过程示意图。
实施例一
请参照图1与图2，本发明公开了一种NLED电极设置方案及互连方法，每个发光像素单元包含8个NLED芯片；所述NLED芯片n电极设有n型半导体的第一电极互连区301和n型半导体的第一电极备用区302，p电极设置有p型半导体的第二电极备用区701和p型半导体的第二电极互连区702；驱动背板阴极设置有阴极互连区域12和阴极备用区域13，驱动背板阳极也设置有阳极互连区域9和阳极备用区域10；所述NLED芯片在像素区域的转移排列方式采用电泳；所述NLED芯片电极与驱动背板像素电极的互连方式为非Au-In互连；所述NLED发光像素单元通过原位非Au-In连接方式进行修复。
在本实施例中，衬底为蓝宝石衬底1，且为a面；缓冲层2采用的材料为AlN；所述的发光层4为3个周期的InaGa1-aN量子阱有源层和AlbGa1-bN组成的空穴阻挡层或者电子阻挡层构成；
参考图2，对本发明第一实施例提供的一种NLED电极设置方案及互连方法进行详细说明，具体按照以下步骤实现：
S01：将蓝宝石衬底1放置在MOCVD反应室中，温度设定为800℃~1200℃，通入三甲基铝、氨气，利用氢气为载体在蓝宝石衬底1上生长缓冲层2、n-GaN层3、多量子阱发光层4和p-GaN层5，它们的厚度分别为1000nm、3μm、200nm和1μm；
S02：采用ICP将上述层刻蚀至n-GaN层，并形成纳米棒阵列；
S03：在p-GaN层上生长电流扩展层ITO 6和p接触电极Ti/Al/Ni/Au 7，并在NLED芯片表面除电极互连区和备用区外的其他区域沉积SiO2介质层8；
S04：剥离掉蓝宝石衬底，将NLED芯片分散在溶液中并打印到驱动背板电极上；
S05：对驱动背板的电极施加电压，使NLED芯片在电场的作用下按照一定规律排列；
S06：采用喷墨打印方式横向打印导电油墨，使得NLED芯片p、n电极的互连区域分别和驱动背板阳、阴极的互连区域相连，实现电极之间的互连；即形成纳米棒（NLED）电极与驱动背板电极的连接线14（导电油墨）；
S07：采用直接电学接触电流注入的逐点扫描方式对LED芯片进行驱动发光；
S08：采用高级相机拍摄发光图片并进行图像处理获得不良像素的行列地址并进行记录，从而实时在线监测不良LED像素；
S09：根据步骤S08提供的不良像素的行列地址进行寻址，采用喷墨打印方法在相应位置的NLED芯片的p、n电极的备用区域与驱动背板电极的备用区域进行原位修复，即纵向打印导电油墨，实现电极之间的重新互连。在这过程中，有的电极可能经过修复还是不能连接，导致芯片无法点亮，但本发明中每个像素单元内设有8个NLED芯片，因此只要每个单元内有一个NLED芯片能正常发光即可保证整个显示系统的完整性；
S10：重复S07-S09步骤，直至LED显示阵列的良率达到预期良率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，应当指出，对于本技术领域的普通人员，在不改变其本质原理的情况下，可对上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是简单改进和润饰、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。

Claims (10)

1.一种NLED像素设置及修复方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供一驱动背板，所述驱动背板包括k个阵列排列的像素区域，每个像素区域的电极均设置有互连区域和备用区域；其中，k为大于等于1的自然数；
步骤S2、采用电泳、流体自组装、静电或范德瓦耳斯方式在驱动背板每个像素区域的阳极和阴极之间设置ni个NLED芯片，且该ni个NLED芯片具有取向且无需精准取向和定位，所述NLED芯片的电极设置有互连区域和备用区域；驱动背板每个像素区域包括至少mi个NLED发光体，所述NLED发光体为可以正常发光的NLED芯片；其中，mi、ni为大于等于1的自然数，且mi≤ni，i为大于等于1的自然数，且1≤i≤k；
步骤S3、采用Au-In键合、非Au-In互连、Au-In键合和非Au-In互连的复合方式将NLED芯片电极的互连区域与驱动背板像素区域电极的互连区域进行连接；
步骤S4、采用直接电学接触电流注入的逐点扫描或无直接电学接触的电场驱动方式对NLED芯片进行驱动发光；
步骤S5、通过记录逐点扫描时不良NLED像素的行列地址或拍摄发光图片并进行图像处理获得不良NLED像素的行列地址，实时监测不良NLED像素；
步骤S6、根据步骤S5提供的不良NLED像素的行列地址进行寻址，采用非Au-In互连方法在相应位置的NLED芯片电极的备用区域与驱动背板像素区域电极的备用区域进行原位修复，实现电极之间的重新互连；
步骤S7、重复S4-S6步骤，直至NLED显示阵列的良率达到预期良率。
2.根据权利要求1所述的一种NLED像素设置及修复方法，其特征在于，所述NLED发光体为转移和金属互连后，施加驱动信号后可以正常发光的NLED芯片。
3.根据权利要求1所述的一种NLED像素设置及修复方法，其特征在于，所述NLED芯片的轴向方向尺寸为1微米~100微米，径向尺寸为10纳米~1微米；所述NLED芯片的生长方法包括自下而上的模板生长法、图形化籽晶生长法和自上而下的微纳加工LED晶圆法；所述NLED芯片表面除电极互连区域和备用区域的其他区域设置有介质层。
4.根据权利要求1所述的一种NLED像素设置及修复方法，其特征在于，所述非Au-In互连包括喷墨打印、丝网印刷、卷对卷印刷、遮挡镀膜、激光焊接、引线焊接。
5.根据权利要求4所述的一种NLED像素设置及修复方法，其特征在于，所述采用非Au-In互连方法在相应位置的NLED芯片电极的备用区域与驱动背板像素区域电极的备用区域进行原位修复，即将NLED芯片电极的备用区域连接到对应的驱动背板像素区域电极的备用区域上，不必去除键合和连接不可靠的NLED芯片。
6.根据权利要求1所述的一种NLED像素设置及修复方法，其特征在于，未对NLED芯片进行检测前，也可将NLED芯片电极的互连区域和备用区域，分别与驱动背板像素区域对应电极的互连区域和备用区域同时连接，提高NLED芯片与驱动背板连接的可靠性和良品率。
7.根据权利要求1至3任一所述的一种NLED像素设置及修复方法，其特征在于，NLED芯片的p型半导体设置第一电极互连区和第一电极备用区，NLED芯片的n型半导体设置第二电极互连区和第二电极备用区。
8.根据权利要求5所述的一种NLED像素设置及修复方法，其特征在于，所述基于喷墨打印的非Au-In互连和原位修复方式为实时监测到电极区域及不良区域时，在相应位置通过喷墨打印方式将导电油墨喷至NLED芯片电极和驱动背板像素区域电极之上，实现电极之间的互连。
9.根据权利要求4或5所述的一种NLED像素设置及修复方法，其特征在于，所述遮挡镀膜是指镀膜时在转移好NLED芯片的驱动背板设置掩膜板，使得所镀导电薄膜刚好将NLED芯片电极与驱动背板像素区域电极实现电连接；所述掩膜板包括金属掩模版和光学掩模版，其是根据所有的NLED芯片电极和驱动背板像素区域电极矩阵图形进行预先设计和制作的。
10.根据权利要求5所述的一种NLED像素设置及修复方法，其特征在于，所述遮挡镀膜是指镀膜时在连接好NLED芯片的驱动背板上套上金属掩模版，使得所镀导电薄膜刚好将待修复的NLED芯片电极与驱动背板像素区域电极实现电连接；所述金属掩模版是根据检测而得的待修复NLED和驱动背板的电极图形进行预先设计和制作的。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112435594A (zh) * 2020-11-30 2021-03-02 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种Micro LED背板及其修补方法
WO2023070434A1 (zh) * 2021-10-28 2023-05-04 华为技术有限公司 电极组件及其制备方法和显示装置

Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080157057A1 (en) * 2005-06-25 2008-07-03 Seoul Opto Device Co., Ltd Nanostructure Having a Nitride-Based Quantum Well and Light Emitting Diode Employing the Same
US20090072229A1 (en) * 2007-09-14 2009-03-19 Samsung Sdi Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating the thin film transistor, organic light emitting diode display device, method of fabricating the organic light emitting diode display device, and donor substrate for laser induced thermal imaging
US20100051986A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diodes using nano-rods and methods of manufacturing a light-emitting diode
CN103560186A (zh) * 2013-10-30 2014-02-05 北京大学 一种倒装纳米led芯片及其制备方法
CN104396028A (zh) * 2012-05-24 2015-03-04 香港大学 不需要颜色转换的白色纳米发光二极管
CN104659179A (zh) * 2015-03-10 2015-05-27 江苏新广联半导体有限公司 用于GaN基LED的抗反射透明电极结构及其制备方法
CN105206642A (zh) * 2015-10-13 2015-12-30 南京大学 一种超高密度led显示器件及其制造方法
CN105493297A (zh) * 2015-05-21 2016-04-13 歌尔声学股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN106384762A (zh) * 2016-10-31 2017-02-08 华南理工大学 生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱led及其制备方法
CN106935151A (zh) * 2017-02-28 2017-07-07 郑清团 晶圆级的微米‑纳米级半导体led显示屏及其制备方法
CN107134221A (zh) * 2016-02-26 2017-09-05 Psi株式会社 包括超小型发光二极管模块的显示装置
CN107681033A (zh) * 2017-10-26 2018-02-09 业成科技（成都）有限公司 微型led器件及制备方法、显示装置
US9935241B2 (en) * 2016-01-07 2018-04-03 Psi Co., Ltd. Solvent for manufacture of self-assembled nano-scale LED electrode assembly and method for manufacturing self-assembled nano-scale LED electrode assembly by the same
CN110379929A (zh) * 2019-07-04 2019-10-25 合肥工业大学 偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管
CN110444640A (zh) * 2019-08-14 2019-11-12 张士英 一种多波长GaN基核壳纳米棒LED器件结构及其制备方法
CN110556459A (zh) * 2019-10-16 2019-12-10 福州大学 一种彩色μLED发光显示器件
CN110690246A (zh) * 2019-10-16 2020-01-14 福州大学 一种非直接电学接触取向有序nLED发光显示器件
CN110690245A (zh) * 2019-10-16 2020-01-14 福州大学 基于异形纳米led晶粒的发光显示器件
CN110943178A (zh) * 2019-11-25 2020-03-31 北京科技大学 一种自组装多维量子阱CsPbX3钙钛矿纳米晶电致发光二极管

Patent Citations (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080157057A1 (en) * 2005-06-25 2008-07-03 Seoul Opto Device Co., Ltd Nanostructure Having a Nitride-Based Quantum Well and Light Emitting Diode Employing the Same
US20090072229A1 (en) * 2007-09-14 2009-03-19 Samsung Sdi Co., Ltd. Thin film transistor, method of fabricating the thin film transistor, organic light emitting diode display device, method of fabricating the organic light emitting diode display device, and donor substrate for laser induced thermal imaging
US20100051986A1 (en) * 2008-09-04 2010-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Light-emitting diodes using nano-rods and methods of manufacturing a light-emitting diode
CN104396028A (zh) * 2012-05-24 2015-03-04 香港大学 不需要颜色转换的白色纳米发光二极管
CN103560186A (zh) * 2013-10-30 2014-02-05 北京大学 一种倒装纳米led芯片及其制备方法
CN104659179A (zh) * 2015-03-10 2015-05-27 江苏新广联半导体有限公司 用于GaN基LED的抗反射透明电极结构及其制备方法
CN105493297A (zh) * 2015-05-21 2016-04-13 歌尔声学股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
CN105206642A (zh) * 2015-10-13 2015-12-30 南京大学 一种超高密度led显示器件及其制造方法
US9935241B2 (en) * 2016-01-07 2018-04-03 Psi Co., Ltd. Solvent for manufacture of self-assembled nano-scale LED electrode assembly and method for manufacturing self-assembled nano-scale LED electrode assembly by the same
CN107134221A (zh) * 2016-02-26 2017-09-05 Psi株式会社 包括超小型发光二极管模块的显示装置
CN106384762A (zh) * 2016-10-31 2017-02-08 华南理工大学 生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱led及其制备方法
CN106935151A (zh) * 2017-02-28 2017-07-07 郑清团 晶圆级的微米‑纳米级半导体led显示屏及其制备方法
CN107681033A (zh) * 2017-10-26 2018-02-09 业成科技（成都）有限公司 微型led器件及制备方法、显示装置
CN110379929A (zh) * 2019-07-04 2019-10-25 合肥工业大学 偏心旋涂取向的发射偏振光的钙钛矿纳米线发光二极管
CN110444640A (zh) * 2019-08-14 2019-11-12 张士英 一种多波长GaN基核壳纳米棒LED器件结构及其制备方法
CN110556459A (zh) * 2019-10-16 2019-12-10 福州大学 一种彩色μLED发光显示器件
CN110690246A (zh) * 2019-10-16 2020-01-14 福州大学 一种非直接电学接触取向有序nLED发光显示器件
CN110690245A (zh) * 2019-10-16 2020-01-14 福州大学 基于异形纳米led晶粒的发光显示器件
CN110943178A (zh) * 2019-11-25 2020-03-31 北京科技大学 一种自组装多维量子阱CsPbX3钙钛矿纳米晶电致发光二极管

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112435594A (zh) * 2020-11-30 2021-03-02 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种Micro LED背板及其修补方法
WO2023070434A1 (zh) * 2021-10-28 2023-05-04 华为技术有限公司 电极组件及其制备方法和显示装置

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