CN111712385A - 层叠膜以及半导体元件的制造方法 - Google Patents

层叠膜以及半导体元件的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供可在压缩成形中抑制使脱模膜吸附在内腔面上时的褶皱的产生、以及使吸附有脱模膜的内腔底面上升时的褶皱的产生这两者的层叠膜、以及使用其的半导体元件的制造方法。层叠膜1包含180℃下的储能模量E’在70MPa以上、机械方向(MD)横截方向(TD)各自的以20℃为基准的180℃30分钟下的热收缩率在3％以上的收缩性膜的层3，和存在于收缩性膜的层3的单面或双面上的氟树脂层5。

Description

层叠膜以及半导体元件的制造方法
技术领域
本发明涉及层叠膜以及半导体元件的制造方法。
背景技术
通常，为了阻断、保护半导体芯片不受外部气体影响，将其收纳(密封) 在称为封装体的容器中，制成半导体元件。作为封装体，使用由固化性树脂 (例如环氧树脂等热固化性树脂)的固化物构成的成形体。作为半导体元 件的制造方法，例如已知配置半导体芯片等以使其位于模具内的规定位置、 在模具内填充固化性树脂使其固化的所谓传递成形法或压缩成形法。
在半导体元件的制造工序中，有时在模具的内腔面上配置脱模膜。在将 脱模膜插入模具内后，通过真空抽吸，沿着内腔面延展，使其成为密合在 内腔面上的状态。此时，有时发生脱模膜在脱模膜与内腔面之间的空气不 能完全排除的状态下密合在内腔面上、在脱模膜上产生褶皱的情况。如果 脱模膜上有褶皱，则脱模膜的褶皱形状被转印在封装体的表面上，形成外观不 良，成品率下降。
对于这样的问题，提出了以下的脱模膜。
·在延伸聚酯树脂膜的至少一面上层叠氟树脂膜而成的半导体芯片密封 用脱模膜(专利文献1)。
·包含含有4-甲基-1-戊烯共聚物、175℃下的储能模量E’为45～105MPa 的表面层、和175℃下的储能模量E’为100～250MPa的耐热树脂层的半导 体密封工艺用脱模膜(专利文献2)。
·具有厚度为5～30μm、由氟树脂以及选自熔点在200℃以上的聚烯烃 的至少1种构成的第一层，和厚度为38～100μm、180℃下的拉伸储能模量 与厚度之积在18000MPa·μm以下、180℃下的拉伸断裂应力与厚度之积在 2000MPa·μm以上的第二层的脱模膜(专利文献3)。
·包含相对于水的接触角为90～130°的脱模层、和耐热树脂层，TD(横 截方向)的从23℃到120℃为止的热尺寸变化率在3％以下的工艺用脱模膜 (专利文献4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2006-49850号公报
专利文献2：日本专利特开2010-208104号公报
专利文献3：国际公开第2015/133634号
专利文献4：国际公开第2017/094871号
发明内容
发明所要解决的技术问题
在压缩成形工序中，通常，使脱模膜密合在设于下模具的凹部的表面(内 腔面)上，在其上配置固化性树脂，将该下模具和上模具合模后，使凹部 的底面(内腔底面)上升，凹部的深度与成形体(封装体等)的厚度匹配。 密合脱模膜时的下模具的凹部的深度例如相对于形成的成形体的厚度为数 倍左右。
如果凹部底面上升，则与其相匹配地，被拉伸的脱模膜收缩。但是，此 时，脱模膜有时没有充分收缩、多余的膜产生褶皱。根据本发明人的研究， 在形成的成形体的厚度薄(例如0.1～0.7mm)的情况下、即脱模膜的被拉 伸的量少的情况下容易产生多余的膜。专利文献1～4的脱模膜中，对这样 的褶皱的抑制效果不足。
本发明的目的在于，提供可在压缩成形中抑制使脱模膜密合在内腔面上 时的褶皱的产生、以及使密合有脱模膜的内腔底面上升时的褶皱的产生这 两者的层叠膜、以及使用了该层叠膜的半导体元件的制造方法。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明提供具有以下的[1]～[15]的构成的层叠膜以及半导体元件的制造 方法。
[1]一种层叠膜，其特征在于，包含180℃下的储能模量E’在70MPa以上、 机械方向(MD)以及横截方向(TD)各自的以20℃为基准的180℃30分钟 下的热收缩率在3％以上的收缩性膜的层，和存在于上述收缩性膜的层的单 面或双面的氟树脂层，至少一面为上述氟树脂层的表面。
[2]如[1]的层叠膜，其中，上述层叠膜的180℃下的储能模量E’在70MPa 以上、上述层叠膜的MD以及TD各自的以20℃为基准的180℃30分钟下的 热收缩率在2％以上。
[3]如[1]或[2]的层叠膜，其中，上述氟树脂层存在于上述收缩性膜的 层的两面。
[4]如[1]～[3]中任一项的层叠膜，其中，上述收缩性膜的层和上述氟 树脂层之间还存在粘接层。
[5]如[1]～[4]中任一项的层叠膜，其中，上述收缩性膜是双轴延伸膜。
[6]如[1]～[5]中任一项的层叠膜，其中，上述收缩性膜是由选自聚酰 胺树脂、聚酯树脂、聚苯乙烯树脂、以及来源于生物的树脂的至少1种的 树脂构成的收缩性膜。
[7]如[1]～[6]中任一项的层叠膜，其中，上述收缩性膜是双轴延伸聚酰 胺树脂膜。
[8]如[1]～[7]中任一项的层叠膜，其中，上述氟树脂是由氟代烯烃类聚 合物构成的氟树脂。
[9]如[8]的层叠膜，其中，上述氟代烯烃类聚合物是乙烯-四氟乙烯类 共聚物。
[10]如[1]～[9]中任一项的层叠膜，其中，上述氟树脂层是氟树脂膜的 层。
[11]如[1]～[10]中任一项的层叠膜，其作为脱模膜使用。
[12]如[11]的层叠膜，其中，上述脱模膜是在半导体元件制造中的树脂 密封的工序中，配置于模具的凹部、与密封用树脂相接的脱模膜。
[13]一种半导体元件的制造方法，其是使用具备上模具和下模具的压缩 成形装置，制造具备基板和半导体芯片和连接端子和由固化性树脂的固化 物构成的树脂密封部的半导体元件的方法，其特征在于，
将具有基板和半导体芯片和连接端子的结构体配置在上述上模具和下 模具的一个中，
作为脱模膜，以覆盖设于上述上模具和下模具的另一个中的凹部的方式 且以氟树脂层表面面向模具的成形空间的方式配置[1]～[12]中任一项的 层叠膜，使其密合在上述凹部的表面上，
在上述上模具和下模具之间配置固化性树脂，将上述上模具和下模具合 模，使上述凹部的底面移动、压缩上述固化性树脂，同时使上述固化性树 脂热固化、形成树脂密封部。
[14]如[13]的半导体元件的制造方法，其中，上述树脂密封部的厚度为 0.1～0.7mm。
[15]如[13]或[14]的半导体元件的制造方法，其中，使上述层叠膜密合 在上述凹部的表面上时的上述凹部的深度比上述树脂密封部的厚度深、且 为0.125～1.1mm。
发明效果
如果采用本发明的层叠膜，则可在压缩成形中抑制使脱模膜密合在内腔 面上时的褶皱的产生、以及使密合有脱模膜的内腔底面上升时的褶皱的产 生两者。
如果采用本发明的半导体元件的制造方法，则可在压缩成形中抑制使脱模 膜密合在内腔面上时的褶皱的产生、以及使密合有脱模膜的内腔底面上升时的 褶皱的产生两者，可得到外观优良的半导体元件。
附图说明
图1是示出本发明的层叠膜的一例的示意剖面图。
图2是示出本发明的层叠膜的其他例的示意剖面图。
图3是示出通过本发明的半导体元件的制造方法制造的半导体元件的 一例的示意剖面图。
图4是示意地说明本发明的半导体元件的制造方法的一实施方式中的 工序1～3的剖面图。
图5是示意地说明本发明的半导体元件的制造方法的一实施方式中的工 序4的剖面图。
图6是示意地说明本发明的半导体元件的制造方法的一实施方式中的工 序5的剖面图。
具体实施方式
本说明书中的下述术语的含义如下。
膜的“厚度”用接触式厚度计OG-525H(小野测器株式会社(小野測器 社)制)、使用探针AA-026(φ10mm SR7)测定。
“储能模量E’”(拉伸储能模量)使用动态粘弹性测定装置测定。样品 测定尺寸为宽5mm、卡盘间长度20mm、频率设为10Hz，使温度从20℃起以 2℃/分钟的速度上升，将180℃的值下测定的E’设为180℃下的储能模量(以 下，也记作“储能模量(180℃)”。)。
膜的储能模量E’(180℃)是膜的MD的储能模量E’(180℃)和膜的TD 的储能模量E’(180℃)的平均值。
“热收缩率”是-(ΔL)。ΔL是用下述的方法求出的尺寸变化率(％)。
基准温度下，在12cm×12cm的层叠膜上沿着MD(机械方向：Machine Direction)以及TD(横截方向：Transverse Direction)各自的方向分别 划1根10cm长度的直线，将各直线的端点间距离设为初期长L0。接着，用 规定的条件热处理上述层叠膜，冷却到基准温度为止后，测定划在层叠膜 上的直线的端点间的直线距离L1，通过下式1求出尺寸变化率ΔL(％)。
尺寸变化率ΔL(％)＝(L1/L0-1)×100…式1
根据沿着MD的直线求出的ΔL得到MD的热收缩率，根据沿着TD的直线 求出的ΔL得到TD的热收缩率。
将基准温度为20℃、热处理条件设为180℃、30分钟而求出的热收缩率 作为“以20℃为基准的180℃30分钟下的热收缩率”(以下，也记作“热 收缩率(180℃)”。)。
“熔点”是指用差示扫描热量测定(DSC)法测定的与熔化峰的最大值对应 的温度。
由聚合物构成的树脂中的“单元”表示构成聚合物的构成单元(单体单 元)。
“(甲基)丙烯酸酯”是指丙烯酸酯以及甲基丙烯酸酯的总称。
出于说明的便利性，图1～图6中的尺寸比与实际不同。
〔层叠膜〕
本发明的层叠膜(以下，也记作“本层叠膜”。)的特征在于，包含收 缩性膜的层和存在于收缩性膜的层的单面或双面上的氟树脂层，至少一面 是上述氟树脂层的表面。
因此，本层叠膜具有从本层叠膜的第一面侧起依次存在氟树脂层和收缩 性膜的层的构成，或依次存在氟树脂层和收缩性膜的层和氟树脂层的构成。
以下，将与收缩性膜的层相比位于第一面侧的氟树脂层记作“第一氟树 脂层”。此外，将与收缩性膜的层相比位于与第一面相反一侧的第二面侧 的氟树脂层记作“第二氟树脂层”。
本层叠膜中，至少一面为氟树脂层的表面，以下，将必要的氟树脂层表 面作为第一面。即，本层叠膜具有第一氟树脂层作为第一面侧的最外表层。
本层叠膜可具有或不具有第二氟树脂层。在具有第二氟树脂层的情况 下，第二氟树脂层可以作为本层叠膜的第二面侧的最外表层存在，也可以 作为第二面侧的内部层存在。在第二氟树脂层是内部层的情况下，在第二 面侧上具有后述的其它层。在不存在第二氟树脂层的情况下，本层叠膜的 第二面侧可以是收缩性膜层的表面，也可以在第二面侧上具有后述的其它 层。
本层叠膜根据需要也可在收缩性膜的层和氟树脂层(第一氟树脂层，第 二氟树脂层)之间进一步包含其它层。作为其它层，可例举粘接层、防静 电层、导电层、气体吸收层、着色层等。本层叠膜特别优选具有粘接层。
在本层叠膜具有第一氟树脂层和第二氟树脂层的情况下，也可以在第二 氟树脂层的第二面侧存在上述防静电层等其它层。
图1是示出本层叠膜的一例的示意剖面图。该例的层叠膜1由收缩性膜的 层3、和存在于收缩性膜的层3的双面的氟树脂层5(第一氟树脂层以及第 二氟树脂层)构成。
图2是表示本层叠膜的其它例的示意剖面图。该例的层叠膜2由收缩性膜 的层3、和存在于收缩性膜的层3的单面的氟树脂层5(第一氟树脂层)构成。
层叠膜1以及层叠膜2中，优选在收缩性膜的层3和氟树脂层5之间存 在没有图示的粘接层。
(收缩性膜)
本层叠膜中的收缩性膜的层是由上述储能模量在70MPa以上、上述MD 的热收缩率、上述TD的热收缩率分别在3％以上的收缩性膜形成的层。
收缩性膜是具有如果加热到室温以上则其尺寸发生收缩的特性(以下， 记作“收缩特性”。)的树脂膜。
收缩性膜的收缩特性是残留应力引起的，通过加热，残留应力弛豫，膜 收缩。作为收缩性膜，例如，可以在不实施热定型等残留应力弛豫处理的 情况下使用具有膜成形时的残留形变的膜、或由于双轴延伸处理或吹塑成 形等而施加了应力的膜。
作为构成收缩性膜的树脂，可例举聚氯乙烯(PVC)、聚酯树脂(聚对 苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等)、聚烯烃树 脂(聚乙烯，聚丙烯等)、聚酰胺树脂(PA6、PA66、PA11、PA12、PAMDX6 等)、聚苯硫醚(PPS)、来源于生物的树脂(以聚乳酸、纤维素、壳多糖、 壳聚糖、洋麻等为主要成分的树脂)等。构成收缩性膜的树脂可以是1种 也可以是2种以上。
在这些中，从优良的机械强度和膜成形性的方面出发，优选选自聚酰胺 树脂、聚酯树脂、聚苯乙烯树脂、以及来源于生物的树脂的至少1种，从 容易赋予收缩性的方面出发，特别优选聚酰胺树脂。
树脂的熔点优选200℃以上，特别优选220～300℃。如果树脂的熔点在 200℃以上，则在半导体元件的制造中，在作为固化性树脂而通用的环氧模 塑料(EMC)的标准固化温度(170～180℃)下，不易发生熔融等相变。
收缩性膜也可以根据需要进一步包含添加剂。作为添加剂，可例举着色 成分、抗氧化剂、热劣化防止剂、稳定剂等。
作为收缩性膜，从膜的残留形变容易控制的方面出发，优选双轴延伸膜。
另外，通常的双轴延伸膜是在对膜成形、进行双轴延伸处理后，实施了 使残留应力弛豫这样的热处理操作的尺寸稳定性高的膜。但是，本发明中， 这些尺寸稳定性高的膜不适合。
作为属于双轴延伸膜的收缩性膜，可例示双轴延伸聚酰胺树脂膜(例如， 尤尼吉可株式会社(ユニチカ社)制EMBLEM(注册商标)MS以及EMBLEM NK)、 双轴延伸聚苯乙烯树脂膜(例如，三菱化学株式会社(三菱ケミカル社)制 DXL(注册商标)膜)、双轴延伸聚酯树脂膜(例如，三菱化学株式会社制 HISHIPET(注册商标))、双轴延伸来源于生物的树脂膜(例如，三菱化 学株式会社制PLABIO(注册商标))、经多层化的杂化延伸膜(例如，三 菱化学株式会社制HybrexDL(注册商标))等。
在这些中，优选由熔点在200℃以上的树脂构成的双轴延伸膜，特别优 选双轴延伸聚酰胺树脂膜。
收缩性膜的MD的热收缩率(180℃)在3％以上，优选3～30％，特别 优选3～25％。
收缩性膜的TD的热收缩率(180℃)在3％以上，优选3～30％，特别优选 3～25％。
如果收缩性膜的MD以及TD各自的热收缩率(180℃)在上述下限值以 上，则可抑制使密合有层叠膜的内腔底面上升时的褶皱的产生。如果MD以 及TD各自的热收缩率(180℃)在上述上限值以下，则可保持热收缩后的 膜形态，膜平坦性良好。
收缩性膜的储能模量(180℃)在70MPa以上，优选100～500MPa，特别 优选200～350MPa。如果收缩性膜的储能模量(180℃)在上述下限值以上， 则可抑制使层叠膜密合在内腔面上时的褶皱的产生。如果储能模量(180℃) 在上述上限值以下，则对模具的追随性良好。
储能模量(180℃)可根据构成收缩性膜的材料调整。
收缩性膜的厚度优选10～100μm，更优选10～50μm，特别优选10～40 μm。如果收缩性膜的厚度在上述下限值以上，则机械特性优良。如果收缩 性膜的厚度在上述上限值以下，则可挠性优良，其结果是对模具形状的追 随性更优良。
(氟树脂层)
作为构成氟树脂层的氟树脂，从脱模性以及耐热性的方面出发，优选由 氟代烯烃类聚合物构成的氟树脂。氟代烯烃类聚合物是具有基于氟代烯烃的 单元的聚合物。
作为氟代烯烃，可例举四氟乙烯(以下，记作“TFE”。)、氟乙烯、偏 氟乙烯、三氟乙烯、六氟丙烯、氯三氟乙烯等。这些氟代烯烃可以单独使用 任1种,也可以并用2种以上。
氟代烯烃类聚合物也可进一步具有基于氟代烯烃以外的单体的单元。作 为氟代烯烃以外的单体，可例举乙烯、后述的第三单体等。
作为氟代烯烃类聚合物，优选乙烯-TFE类共聚物(以下，记作“ETFE”。)、 聚四氟乙烯、全氟(烷基乙烯基醚)-TFE类共聚物。这些氟代烯烃类聚合 物可以单独使用任1种,也可以并用2种以上。
另外，ETFE以及全氟(烷基乙烯基醚)-TFE类共聚物中的“类”表示 也可进一步具有基于其它单体的单元。
在氟代烯烃类聚合物中，从高温下的伸长率大的方面出发，优选ETFE。 ETFE是具有基于乙烯的单元(以下，记作“E单元”。)和基于TFE的单 元(以下，记作“TFE单元”。)的共聚物。
作为ETFE，优选具有E单元、TFE单元、和基于乙烯以及TFE以外的单 体(以下，记作“第三单体”。)的单元的共聚物。根据基于第三单体的 单元的种类和含量，可容易地调整ETFE的结晶度乃至于氟树脂层的储能模 量E’。此外，通过具有基于第三单体、尤其是具有氟原子的单体的单元，提高 了高温(例如180℃前后)下的拉伸强度。
作为第三单体，可例举具有氟原子的单体、和不具有氟原子的单体。
作为具有氟原子的单体，可例举下述的单体(a1)～(a5)等。
单体(a1)：碳数3以下的氟代烯烃(但是TFE除外)。
单体(a2)：X1(CF2)nCX2＝CH2(此处，X1以及X2分别独立地为氢原子 或氟原子，n是2～8的整数。)所表示的聚氟烷基乙烯。
单体(a3)：氟代乙烯基醚。
单体(a4)：含官能团的氟代乙烯基醚。
单体(a5)：具有脂肪族环结构的含氟单体。
作为单体(a1)，可例举氟代乙烯(三氟乙烯、偏氟乙烯、氟乙烯、氯 三氟乙烯等)、氟丙烯(六氟丙烯(以下，记作“HFP”。)、2-氢化五氟 丙烯等)等。
作为单体(a2)，优选n为2～6的整数的单体，特别优选n为2～4的 整数的单体。此外，特别优选X1为氟原子、X2为氢原子的单体，即(全氟烷 基)乙烯。
作为单体(a2)，可例举CF3CF2CH＝CH2、CF3CF2CF2CF2CH＝CH2((全氟丁 基)乙烯。以下，记作“PFBE”。)、CF3CF2CF2CF2CF＝CH2、CF2HCF2CF2CF＝CH2、 CF2HCF2CF2CF2CF＝CH2等。
作为单体(a3)，可例举CF2＝CFOCF3、CF2＝CFOCF2CF3、CF2＝CFO(CF2) 2CF3(全氟(丙基乙烯基醚)。以下，记作“PPVE”。)、CF2＝CFOCF2CF(CF3) O(CF2)2CF3、CF2＝CFO(CF2)3O(CF2)2CF3、CF2＝CFO(CF2CF(CF3)O)2 (CF2)2CF3、CF2＝CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2CF3、CF2＝CFOCF2CF＝CF2、CF2＝CFO (CF2)2CF＝CF2等。另外，其中的作为二烯的单体是可环化聚合的单体。
作为单体(a4)，可例举CF2＝CFO(CF2)3CO2CH3、CF2＝CFOCF2CF(CF3) O(CF2)3CO2CH3、CF2＝CFOCF2CF(CF3)O(CF2)2SO2F等。
作为单体(a5)，可例举全氟(2,2-二甲基-1,3-二氧杂环戊烯)、2,2,4- 三氟-5-三氟甲氧基-1,3-二氧杂环戊烯、全氟(2-亚甲基-4-甲基-1,3-二 氧戊环)等。
作为不具有氟原子的单体，可例举下述的单体(b1)～(b4)等。
单体(b1)：烯烃(但是，乙烯除外。)。
单体(b2)：乙烯基酯。
单体(b3)：乙烯基醚。
单体(b4)：不饱和酸酐。
作为单体(b1)的具体例子，可例举丙烯、异丁烯等。
作为单体(b2)的具体例子，可例举乙酸乙烯酯等。
作为单体(b3)的具体例子，可例举乙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、环己 基乙烯基醚、羟丁基乙烯基醚等。
作为单体(b4)的具体例子，可例举马来酸酐、衣康酸酐、柠康酸酐、降 冰片烯二酸酐(5-降冰片烯-2,3-二羧酸酐)等。
第三单体可以单独使用任1种，也可以2种以上并用。
作为第三单体，从容易调整结晶度即容易调整储能模量E’的方面、通过具 有基于第三单体、尤其是具有氟原子的单体的单元来使高温(例如180℃前后) 下的拉伸强度优良的方面考虑，优选单体(a2)、HFP、PPVE、乙酸乙烯酯， 更优选HFP、PPVE、CF3 CF2 CH＝CH2、PFBE，特别优选PFBE。即，作为ETFE， 特别优选具有E单元、TFE单元、基于PFBE的单元的共聚物。
ETFE中，TFE单元与E单元的摩尔比(TFE单元/E单元)优选40/60～ 80/20，更优选45/55～70/30，特别优选50/50～65/35。如果TFE单元/E 单元在上述范围内，则ETFE的耐热性以及机械物性更优良。
相对于构成ETFE的全部单元的总计量(100摩尔％)，ETFE中的基于第三 单体的单元的比例优选0.01～20摩尔％，更优选0.10～15摩尔％，特别优选 0.20～10摩尔％。如果基于第三单体的单元的比例在上述范围内，则ETFE的 耐热性以及机械物性更优良。
在基于第三单体的单元包括基于PFBE的单元的情况下，相对于构成ETFE 的全部单元的总计量(100摩尔％)，基于PFBE的单元的比例优选0.5～4.0 摩尔％，更优选0.7～3.6摩尔％，特别优选1.0～3.6摩尔％。如果基于PFBE 的单元的比例在上述范围内，则氟树脂层的耐热性更优良。此外，高温(例 如180℃前后)下的拉伸强度更优良。
ETFE的熔体流动速率(MFR)优选2～40g/10分钟，更优选5～30g/10分钟， 特别优选10～20g/10分钟。如果MFR在上述范围内，则ETFE的成形性提高， 氟树脂层的机械特性优良。
ETFE的MFR是以ASTM D3159为标准，在荷重49N、297℃下测定的值。
氟树脂层的氟树脂也可根据需要包含添加剂。作为添加剂，可例举着色 剂、紫外线吸收剂、无机物填料、防热老化剂、抗氧化剂、氟树脂以外的 树脂等有机填料等。
氟树脂层的厚度优选5～50μm，更优选5～30μm，特别优选5～20μm。 如果氟树脂层的厚度在上述下限值以上，则脱模性更优良。如果氟树脂层 的厚度在上述上限值以下，则整体的可挠性更优良。
(粘接层)
作为粘接层，例如可例举由粘接剂形成的层。
粘接剂例如可以是作为干式层压用的粘接剂的公知的粘接剂。作为粘接 剂，可例举聚乙酸乙烯酯类粘接剂，由丙烯酸酯(丙烯酸乙酯、丙烯酸丁 酯、丙烯酸2-乙基己酯等)的均聚物或共聚物、或由丙烯酸酯和其它单体 (甲基丙烯酸甲酯、丙烯腈、苯乙烯等)的共聚物等构成的聚丙烯酸酯类 粘接剂，氰基丙烯酸酯类粘接剂，由乙烯和其它单体(乙酸乙烯酯、丙烯 酸乙酯、丙烯酸、甲基丙烯酸等)的共聚物等构成的乙烯共聚物类粘接剂， 纤维素类粘接剂，聚酯类粘接剂，聚酰胺类粘接剂，聚酰亚胺类粘接剂， 由尿素树脂或三聚氰胺树脂等构成的氨基树脂类粘接剂，酚醛树脂类粘接 剂，环氧类粘接剂，由多元醇(聚醚多元醇、聚酯多元醇等)和多异氰酸 酯的组合或它们的反应生成物(含异氰酸酯基的聚氨酯预聚物等)等构成 的聚氨酯类粘接剂，反应型(甲基)丙烯酸类粘接剂，由氯丁橡胶、腈橡 胶、苯乙烯-丁二烯橡胶等构成的橡胶类粘接剂，有机硅类粘接剂，由碱金 属硅酸盐、低熔点玻璃等构成的无机类粘接剂等。
粘接层的厚度例如作为粘接剂的干燥涂布量可以为0.1～5g/m2。
(层叠膜的特性)
本层叠膜的MD的热收缩率(180℃)优选2％以上，更优选2～15％， 特别优选2～10％。
本层叠膜的TD的热收缩率(180℃)优选2％以上，优选2～15％，特 别优选2～10％。
如果本层叠膜的MD以及TD各自的热收缩率(180℃)在上述下限值以上， 则可更有效地抑制使密合有层叠膜的内腔底面上升时的褶皱的产生。如果MD 以及TD各自的热收缩率(180℃)在上述上限值以下，则模具追随性良好。
本层叠膜的MD以及TD各自的热收缩率(180℃)可根据收缩性膜的MD 以及TD各自的热收缩率(180℃)、氟树脂层和收缩膜的层的厚度构成比 等调整。
本层叠膜的储能模量(180℃)优选70MPa以上，更优选100～350MPa， 特别优选200～350MPa。如果本层叠膜的储能模量(180℃)在上述下限值以 上，则可更有效地抑制使层叠膜密合在内腔面上时的褶皱的产生。如果储能模 量(180℃)在上述上限值以下，则可挠性优良，模具追随性良好。
本层叠膜的储能模量(180℃)可根据收缩性膜以及氟树脂层各自的180 ℃储能模量(180℃)、氟树脂层和收缩膜的层的厚度构成比等调整。
本层叠膜的厚度优选25～100μm，更优选25～60μm，特别优选25～50 μm。如果本层叠膜的厚度在上述下限值以上，则可更有效地抑制使本层叠膜 密合在内腔面上时的褶皱的产生。此外，本层叠膜的操作容易。如果本层叠 膜的厚度在上述上限值以下，则本层叠膜能够容易地变形，对模具的内腔 面的追随性优良。
(层叠膜的制造方法)
本层叠膜例如可通过下述的方法A或方法B制造。但是，本层叠膜的制 造方法不限于这些方法。
方法A：在收缩性膜的单面或双面上层压氟树脂的膜，形成氟树脂层的 方法。
方法B：在收缩性膜的单面或双面上涂布包含氟树脂以及液状介质的涂 液，蒸发去除液状介质，形成氟树脂层的方法。
作为本层叠膜的制造方法，从经济性优良的方面出发，优选方法A。
方法A中，作为对各膜进行层压的方法，可采用公知的层压方法。具体 而言，可例举挤出层压法、干式层压法、热层压法等。干式层压法中，使 用粘接剂，对各树脂膜进行层叠。干式层压用的粘接剂的具体例如上所述。
收缩性膜、氟树脂膜分别可使用市售的膜，也可使用通过公知的制造方法 制造的膜。也可对这些膜实施电晕放电处理、等离子体处理、底涂涂布处理 等表面处理。
以上说明的本层叠膜由于包含储能模量(180℃)在70MPa以上、MD以 及TD各自的热收缩率(180℃)在3％以上的收缩性膜的层，和存在于收缩 性膜的层的单面或双面的氟树脂层，因此可在压缩成形中抑制使脱模膜密 合在内腔面上时的褶皱的产生、以及使密合有脱模膜的内腔底面上升时的 褶皱的产生两者。
在半导体元件等的制造中，可以对成形体(树脂密封部等)如下进行压 缩成形。首先，在下模具的凹部表面(内腔面)上一边通过真空抽吸对脱 模膜进行拉伸，一边使其密合。之后，在脱模膜上配置固化性树脂，将下 模具和上模具合模后，在使内腔面上升的同时，加热这些模具，通过该热 量，使固化性树脂固化。
如果下模具被加热，则本层叠膜也被加热。收缩性膜由于该热量而收缩， 氟树脂层也追随收缩性膜的层而收缩，本层叠膜整体发生收缩。由于收缩 性膜的热收缩率(180℃)在上述下限值以上，因此本层叠膜的收缩量多， 不会发生内腔面的上升导致的膜多余，可在没有多余的膜导致的褶皱的状 态下固化固化性树脂。此外，由于收缩性膜的储能模量(180℃)在上述下 限值以上，因此本层叠膜的韧性足够强，在使本层叠膜密合在内腔面上时 本层叠膜不易发生褶皱。
因此，通过作为脱模膜使用本层叠膜，可在压缩成形中抑制使脱模膜密合 在内腔面上时的褶皱的产生、以及使密合有脱模膜的内腔底面上升时的褶皱的 产生两者。通过使脱模膜没有褶皱，可抑制成形体的表面上由于转印脱模膜 的褶皱的形状而导致的外观不良。
由于可实现上述效果，因此本层叠膜可用作脱模膜。尤其，可用作利用 压缩成形法或传递成形法的半导体元件制造中使用的脱模膜。其中，作为 容易发生褶皱产生导致的外观不良、利用如后所述的压缩成形法的半导体 元件制造中使用的脱模膜特别有用。
但是，本层叠膜的用途不限于脱模膜，可用于其它用途。作为其它用途， 具体而言，可例举食品容器、药品容器、PTP等药品外包装材料、收缩胶带、 带有对管子进行缠绕并使其收缩的收缩功能的管子被覆材料等。
[半导体元件]
使用本层叠膜、通过后述的半导体元件的制造方法制造的半导体元件具 备基板和半导体芯片和连接端子和树脂密封部(封装体)，进一步根据需 要具备其它构件。
树脂密封部由固化性树脂的固化物构成。作为固化性树脂，只要能够热 固化即可，可例示环氧树脂、有机硅树脂等。在这些中，优选环氧树脂。 固化性树脂中可含有炭黑、熔融二氧化硅、结晶二氧化硅、氧化铝、氮化硅、 氮化铝等。
作为半导体元件，可例举集成了晶体管、二极管等的半导体元件的集成电 路，具有发光元件的发光二极管等。
作为集成电路的元件形状，可覆盖集成电路整体，也可覆盖集成电路的 一部分(使集成电路的一部分露出)。作为元件形状，可例举BGA(Ball Grid Array，球状网格阵列)、QFN(Quad Flat Non-leaded package，四侧无引脚 扁平封装)、SON(Small OutlineNon-leaded package，小外型无引脚封装) 等。
作为半导体元件，从生产性的方面考虑，优选经过一次性密封以及单片化 而制造的封装体，例如，可例举密封方式为MAP(Molded Array Packaging， 模块阵列封装)方式、或WL(Wafer Level packaging，晶圆级封装)方式的 集成电路。
图3是示出半导体元件的一例的示意剖面图。
该例的半导体元件110具有基板10，和安装于基板10之上的半导体芯片 12，和密封半导体芯片12的树脂密封部14，和形成于树脂密封部14的上表面 14a的油墨层16。
半导体芯片12具有表面电极(图示略)。基板10具有与半导体芯片12 的表面电极对应的基板电极(图示略)。表面电极和基板电极通过焊线18 (连接端子)电连接。
半导体元件的树脂密封部的厚度优选0.1～0.7mm，特别优选0.1～ 0.5mm。
树脂密封部的厚度是基板的厚度方向中的树脂密封部的最大厚度。例如 在为半导体元件110的情况下，基板10的从半导体芯片12设置面起到树 脂密封部14的上表面14a为止的最短距离是树脂密封部14的厚度。
压缩成形法中，例如，使脱模膜密合在设于下模具的凹部的表面(内腔 面)上，在其上配置固化性树脂，将下模具和上模具合模后，使凹部的底 面上升。密合脱模膜时的下模具的凹部的深度例如为树脂密封部的厚度的数 倍左右。如果凹部底面上升，则与其相匹配地，被拉伸的脱模膜收缩。以往的 脱模膜中，如果形成的树脂密封部的厚度薄、即脱模膜的拉伸量少，则脱 模膜不会充分收缩，产生多余的膜，容易产生褶皱。本层叠膜在树脂密封部的厚度薄至0.7mm以下的情况下，在凹部底面的上升时也不易产生褶皱。 因此本层叠膜在树脂密封部的厚度薄的情况下，特别有用。
另一方面，如果树脂密封部的厚度在0.1mm以上，则树脂填充性良好。
〔半导体元件的制造方法〕
本发明的半导体元件的制造方法是使用具备上模具和下模具的压缩成 形装置制造具备基板和半导体芯片和连接端子和由固化性树脂的固化物构 成的树脂密封部的半导体元件的方法。
本发明的半导体元件的制造方法中，将具有基板和半导体芯片和连接端 子的结构体配置于上述上模具和下模具的一个上，
作为脱模膜，以覆盖设于上述上模具和下模具的另一个中的凹部的方式 且以氟树脂层表面面向模具的成形空间的方式配置本层叠膜，使其密合在 上述凹部的表面上，
在上述上模具和下模具之间配置固化性树脂，将上述上模具和下模具合 模，使上述凹部的底面移动、压缩上述固化性树脂，同时使上述固化性树 脂热固化、形成树脂密封部。
对本发明的半导体元件的制造方法中使用的压缩成形装置没有特别限 制。制造条件除了使用本层叠膜作为脱模膜以外，可设为与公知的半导体 元件的制造方法中的条件相同的条件。
以下，使用图4～6，对本发明的半导体元件的制造方法的一实施方式进 行说明。图4～6是将具有基板和半导体芯片和连接端子的结构体配置在上 模具上、以覆盖设于下模具的凹部的方式配置本层叠膜、进行压缩成形的 例子。
本实施方式是作为下模具使用具备内腔底面构件22以及框状构件24的 压缩成形装置、作为脱模膜使用图1所示的层叠膜1、制造图3所示的半导 体元件110的例子。
另外，在后述实施例中，将具有基板和半导体芯片和连接端子的结构体 配置在下模具上、以覆盖设于上模具的凹部的方式配置本层叠膜、进行压 缩成形。实施例的压缩成形法中也可以与图4～6所示的压缩成形法相同的 方式进行半导体元件的制造。
压缩成形装置：
本实施方式中的压缩成形装置如图4所示，具备上模具20和下模具21。 下模具21具备内腔底面构件22、和配置于内腔底面构件22的周缘的框状 构件24。
上模具20中，形成有通过抽吸基板10和上模具20之间的空气来将基板 10吸附于上模具20的真空出口(图示略)。
内腔底面构件22中，形成有通过抽吸脱模膜(层叠膜1)和内腔底面构件 22之间的空气来将脱模膜吸附于内腔底面构件22的真空出口(图示略)。
以内腔底面构件22的上表面(内腔底面)位于比框状构件24的内周面 的上缘更下方的方式配置内腔底面构件22。藉此，形成将内腔底面构件22 的上表面作为底面、将框状构件24的内周面作为侧面的凹部26。内腔底面 构件22能够相对于框状构件24在上下方向上相对移动。通过使内腔底面 构件22相对于框状构件24在上下方向上相对移动，可改变凹部26的深度。
本实施方式中，内腔面是指凹部26的表面、即形成凹部26的内腔底面 构件22的上表面以及框状构件24的内周面的总称。
本实施方式的半导体元件的制造方法包括下述的工序1～8。
工序1：将具备基板10、和配置于基板上的多个半导体芯片12、和连接 各半导体芯片12和基板10的焊线18(连接端子)的结构体配置于上模具 20的规定位置的工序(图4)。
工序2：以层叠膜1覆盖下模具21的凹部26的方式将作为脱模膜的层 叠膜1配置在下模具21上，在凹部26底面侧真空抽吸层叠膜1，使其密合 在凹部26表面上的工序(图4)。
工序3：在用层叠膜1覆盖表面的凹部26内配置固化性树脂40的工序 (图4)。
工序4：在将固化性树脂40配置在凹部26内的层叠膜1上的状态下， 使内腔底面构件22以及框状构件24上升、进行合模，在上模具20和下模 具21之间形成成形空间的工序(图5)。
工序5：在仅使内腔底面构件22上升的同时，加热上模具20以及下模 具21，使固化性树脂40熔融以及热固化，形成树脂密封部14的工序(图 6)。通过本工序，可得到具有上述结构体、和将上述结构体的多个半导体 芯片12一次性密封的树脂密封部14的一次性封装体。
工序6：将上模具20以及下模具21开模，取出上述一次性封装体的工 序。
工序7：切断上述一次性封装体的基板10以及树脂密封部14、使上述 多个半导体芯片12分离的工序。通过本工序，可得到具有基板10和至少1 个半导体芯片12和焊线18和树脂密封部14的单片化封装体。
工序8：在上述单片化封装体的树脂密封部14的上表面14a上，使用油 墨形成油墨层16，得到半导体元件110的工序。
工序2中，使层叠膜1密合在凹部26表面上时的凹部6的深度根据树 脂密封部14的厚度来设定，优选(树脂密封部14的厚度+0.025mm)～(树 脂密封部14的厚度+0.4mm)，更优选(树脂密封部14的厚度+0.05mm)～ (树脂密封部14的厚度+0.2mm)。在树脂密封部14的厚度为0.1～0.7mm 的情况下，凹部6的深度优选0.125～1.1mm。在树脂密封部14的厚度为0.1～0.5mm的情况下，凹部6的深度优选0.125～0.9mm。
工序5中的加热温度典型地为100～185℃，更典型地为150～180℃。
工序5所形成的树脂密封部19的厚度与使内腔底面构件22上升后的从 内腔底面构件22的上表面起到框状构件24的内周面的上缘为止的高度(凹 部的深度)相同。
以上，示出实施方式对本发明的半导体元件的制造方法进行了说明，但 本发明不受上述实施方式所限。上述实施方式中的各构成及其组合等为一例， 在不脱离本发明的技术思想的范围内，可进行构成的附加、省略、置换以及其 它变更。
第一实施方式中，示出了在工序6后，依次实施工序7、工序8的例子， 但工序7、工序8也可以相反的顺序进行。即，也可以使用油墨在一次性封 装体的树脂密封部的表面上形成油墨层，之后切断一次性封装体的基板10 以及树脂密封部14。
可先进行工序1以及工序2中的任一个工序。
一次性密封的多个半导体芯片12各自之间的距离可以是均匀或不均匀的。 从可均质地密封、对多个半导体芯片12分别均匀施加负荷(负荷达到最小) 的方面出发，优选将多个半导体芯片12各自之间的距离设为均匀。
本发明的半导体元件的制造方法中使用的脱模膜只要是本层叠膜即可， 不限于层叠膜1。例如也可使用层叠膜2作为脱模膜。
在作为本层叠膜使用层叠膜2那样在基材的单面上层叠氟树脂层的层叠 膜的情况下，以使收缩性膜的层3侧朝向下模具侧的方式将层叠膜配置在 下模具上。藉此，作为脱模层起作用的氟树脂层5与固化性树脂40相接。
本发明的半导体元件的制造方法中使用的上模具以及下模具不限于图 4～6所示的构成。
本发明的半导体元件的制造方法中使用的固化性树脂不限于固体，也可 以是液状的固化性树脂。
通过本发明的半导体元件的制造方法制造的半导体元件不限于半导体 元件110。根据制造的半导体元件，也可以不进行上述实施方式中的工序7 以及工序8。
例如，树脂密封部的形状不限于图3所示的形状，也可以有阶差。被树 脂密封部所密封的半导体元件可以是1个也可以是多个。油墨层不是必需的。 作为半导体元件，在制造发光二极管的情况下，由于树脂密封部还作为透镜部 起作用，因此通常不在树脂密封部的表面形成油墨层。在作为透镜部的情况下， 树脂密封部的形状可采用大致半球形、炮弹形、菲涅耳透镜形、半圆柱体形、 大致半球透镜阵列形等各种的透镜形状。
实施例
下面，示出实施例来对本发明进行详细说明。但是，本发明并不受到下述 记载的限定。
例1～6是实施例，例7～15是比较例。
各例所使用的测定或评价方法以及材料如下所示。
(评价方法)
<厚度>
用接触式厚度计OG-525H(小野测器株式会社制)、使用探针AA-026(φ 10mm SR7)测定膜的厚度。
<储能模量(180℃)>
将膜切出长度5mm、宽5mm，制作样品。样品制作将膜的MD作为长度方 向的样品1、和将膜的TD作为长度方向的样品2这2种。
使用动态粘弹性测定装置DVA-200(IT计测机器株式会社(IT計測機 器社)制)，测定储能模量E’。将卡盘间长度设为20mm，频率设为10Hz， 使温度从20℃起以2℃/分钟的速度上升，将180℃的值下测定的E’作为储 能模量(180℃)。
将对样品1测定的储能模量(180℃)(MD的储能模量)、和对样品2 测定的储能模量(180℃)(TD的储能模量)的平均值作为膜的储能模量(180 ℃)。
<热收缩率(180℃)>
20℃下，在12cm×12cm的层叠膜上沿着MD以及TD各自的方向分别划1根 10cm长度的直线，将各直线的端点间距离设为初期长L0。接着，在180℃、 30分钟的条件下对上述层叠膜进行热处理，冷却到20℃为止后，测定划在层 叠膜上的直线的端点间的直线距离L1，通过下式1求出尺寸变化率ΔL(％)， 将-(ΔL)作为热收缩率(180℃)。根据沿着MD的直线求出的ΔL得到MD 的热收缩率，根据沿着TD的直线求出的ΔL得到TD的热收缩率。
尺寸变化率ΔL(％)＝(L1/L0-1)×100…式1
<利用压缩成形法的树脂密封品的制造>
作为脱模膜使用各例的层叠膜(或单层的膜)，按以下的顺序制造树脂 密封品。
使用山田尖端科技株式会社(アピックヤマダ社)制自动模具装置 MSL-06M，对宽70mm、长度230mm的芯片基板，准备设计为以内腔深度0.65mm 进行压缩成形的半导体密封压缩成形用模具。上述装置具有能够连续安装 140mm宽的脱模膜的放膜以及卷取机构。此外，本装置是在压缩成形型以外 也能够用于传递成形的混合型装置，因此具有与图4～6所说明的通常的压 缩成形装置上下相反的构造。本发明中，在进行膜的脱模性的评价时，即使使用本装置，图4～6所示的压缩成形装置中的行为也不会有什么变化。
本实施例中，全部准备长度20m以上的膜辊，将其安装在上述装置上， 进行一系列的评价。另外，膜以每秒20cm的速度被送出以及卷取，在密封 半导体芯片时进行将新的膜面向上模具内部送出的膜放出以及卷取操作。 此时的膜放出张力以及静止时张力均为8N。膜在一系列的操作的最初实施 放出以及卷取操作，以从膜材料(日文：原反)辊放出的新的部分被插入到 模具间的状态作为成形开始点。
从成形开始点起1秒后，通过上模具中具备的空气排出口一边抽吸空气， 一边以与上模具接触的方式使膜位置相对地接近模具表面，最终使其吸附 在上模具(状态A)。
接着，将在厚度200μm的铜板上实装有半导体芯片的结构体配置在下 模具上，在其上，以规定量散布粉末状环氧材料(住友电木株式会社(住 友ベークライト社)制EME-G600)。之后，以200kN将上模具以及下模具 合模，接着使上模具内部上表面下降、用30kN对下部压缩Chase进行压缩 成形，在平面上进行赋形。在保持压缩状态150秒钟后，放开模具，取出 树脂密封品(状态B)。
<内腔面密合时有无褶皱的产生>
状态A中，在开放模具的状态下，从其下方观察膜的吸附状态，评价内 腔面密合时有无脱模膜的褶皱的产生。
<内腔底面上升时有无褶皱的产生>
在状态B下，观察转印到得到的树脂密封品表面的膜的形状，评价脱模 膜的内腔底面上升时、即内腔底面上升时(EMC密封时)有无脱模膜的褶皱 的产生。
<树脂密封品外观>
目视观察上述树脂密封品的外观，评价是否产生脱模膜的褶皱所导致的 未填充部分。将没有产生上述未填充部分的情况作为“良好”，将产生上 述未填充部分的情况作为“不良”。
(使用材料)
<氟树脂膜>
ETFE-1：厚度12μm的ETFE膜。
ETFE-2：厚度20μm的ETFE膜。
ETFE-3：厚度50μm的ETFE膜。
通过设置调整了边缘开度的T模的挤出机，在320℃下进行熔融挤出， 调整母模辊、制膜速度、压区压力，分别制造所述的ETFE膜，使下述的制 造例1所得到的ETFE膜的厚度分别为12μm、20μm或50μm。
<制造例1：ETFE-1的制造>
对内容积为1.3L的带搅拌机的聚合槽进行脱气，投入881.99g的1-氢 十三氟己烷、335.5g的1,3-二氯-1,1,2,2,3-五氟丙烷(商品名AK225cb， AGC株式会社制)(以下，记作“AK225cb”。)、7.0g的PFBE，压入165.2g 的TFE、9.8g的乙烯(以下，记作“E”。)，将聚合槽内升温至66℃，作 为聚合引发剂溶液投入1质量％的过氧化新戊酸叔丁酯(以下，记作“PBPV”。)的AK225cb溶液7.7mL，使聚合开始。
聚合中，以使压力达到一定的条件连续地投入TFE/E＝54/46的摩尔比的单 体混合气体。此外，与单体混合气体的投入一起，连续投入相对于TFE和E的 总摩尔数，相当于1.4摩尔％的量的PFBE。聚合开始2.9小时后，在投入100g 单体混合气体的时刻，将聚合槽内温降至室温的同时将聚合槽的压力排气至常 压。之后，用玻璃滤器对得到的浆料进行抽滤，回收固体成分，通过在150℃ 下干燥15小时得到105g的ETFE-1。得到的ETFE是TFE单元/E单元/PFBE 单元＝52.5/46.3/1.2(摩尔比)的共聚物，MFR为12g/10分钟。
<基材(收缩性膜以及比较品)>
聚酰胺-1：双轴延伸尼龙膜，尤尼吉可株式会社制，商品名EMBLEM MS (BC)，厚度15μm。
聚酰胺-2：双轴延伸尼龙膜，尤尼吉可株式会社制，商品名EMBLEM NK (BC)，厚度15μm。
聚酰胺-3：双轴延伸尼龙膜，尤尼吉可株式会社制，商品名EMBLEM ON (BC)，厚度15μm。
聚酰胺-4：无延伸尼龙膜，三菱化学株式会社制，商品名DIAMIRON(注 册商标)C-Z，厚度20μm。
聚酰胺-5：双轴延伸尼龙膜，东洋纺织株式会社(東洋紡社)制，商品 名Harden(注册商标)N1100，厚度12μm。
聚酯-1：双轴延伸PET膜，帝人株式会社(テイジン社)制，商品名TETORON (注册商标)G2，厚度12μm。
聚酯-2：双轴延伸PET膜，帝人株式会社制，商品名TETORON NS，厚度 12μm。
聚酯-3：双轴延伸PET膜，三菱化学株式会社制，商品名DIAFOIL(注 册商标)H500，厚度25μm。
聚酯-4：双轴延伸PET膜，帝人杜邦膜株式会社(帝人デュポンフィル ム社)制，商品名FLEX(注册商标)FT3PE，厚度25μm。
聚烯烃：双轴延伸聚丙烯膜，三井化学东赛罗株式会社(三井化学東セ ロ社)制，商品名OPU-1#20，厚度20μm。
<粘接剂>
作为粘贴各膜的干式层压用的粘接剂，使用以下的聚氨酯类粘接剂A。 混合主剂和固化剂，以使固体成分计的质量比(主剂：固化剂)为10：1， 作为稀释剂使用乙酸乙酯。
“聚氨酯类粘接剂A”
主剂：CRISVON(注册商标)NT-258(DIC株式会社制)。
固化剂：CORONATE 2096(日本聚氨酯工业株式会社(日本ポリウレタン 工業社)制)。
(例1)
按以下的顺序干式层压以下的A1、A2、A3这3块膜，得到依次层叠了 A1和A2和A3的层叠膜。
A1：ETFE-1。
A2：聚酰胺-1。
A3：ETFE-1。
干式层压顺序：使用凹版辊在A2的第一面上涂布0.7g/m2聚氨酯类粘接 剂A，在60℃下使其干燥。在该涂布面上重合A1，以60℃、1m/分钟的条 件进行辊压，得到A2和A1的层叠体。在层叠体的A2侧的面(A2的第二面) 上涂布0.7g/m2聚氨酯类粘接剂A，在60℃下使其干燥。在该涂布面上重合 A3，以60℃、1m/分钟的条件进行辊压。之后，在40℃下熟化96小时，得 到层叠膜。聚氨酯类粘接剂A的涂布量是干燥涂布量。
(例2～6，例8～15)
除了将干式层压的膜的种类变更为表1～表2中记载的种类以外，以与 例1相同的方式得到层叠膜。
(例7)
ETFE-3直接设为例7的膜。
表1～表2中，示出了各例的层叠膜或单层的膜(以下，记作“产品膜”。) 的整体的厚度、产品膜以及使用的基材的储能模量(180℃)以及热收缩率 (180℃)、以及评价结果。
[表1]
Figure DEST_PATH_IMAGE001
[表2]
Figure DEST_PATH_IMAGE002
如上所述，通过作为脱模膜使用例1～6的层叠膜，可在内腔面密合时 以及内腔底面上升时两者中抑制褶皱的产生。因此，可得到外观优良的树 脂密封品。
与此相对，在例7的膜中，由于不包含收缩性膜，在内腔面密合时以及 内腔底面上升时的两者中产生了褶皱。
例8～14的层叠膜中，由于收缩性膜的MD或TD的热收缩率(180℃) 低于3％，因此在内腔面密合时产生褶皱。
例15的层叠膜中，由于收缩性膜的储能模量(180℃)低于70MPa，在 内腔底面上升时产生褶皱。没有发现内腔底面上升时的更多的褶皱产生。
另外，在这里引用2017年11月17日提出申请的日本专利申请 2017-222227号的说明书、权利要求书、摘要和附图的所有内容作为本发明说 明书的揭示。
符号说明
1层叠膜，2层叠膜，3收缩性膜的层，5氟树脂层，10基板，12半导 体芯片，14树脂密封部，14a树脂密封部14的上表面，16油墨层，18焊线 (连接端子)，20上模具，21下模具，22内腔底面构件，24框状构件，26 凹部，40固化性树脂，110半导体元件

Claims (15)

1.一种层叠膜，其特征在于，包含180℃下的储能模量E’在70MPa以上、机械方向(MD)以及横截方向(TD)各自的以20℃为基准的180℃30分钟下的热收缩率在3％以上的收缩性膜的层，和存在于所述收缩性膜的层的单面或双面的氟树脂层，至少一面为所述氟树脂层的表面。
2.如权利要求1所述的层叠膜，其特征在于，所述层叠膜的180℃下的储能模量E’在70MPa以上、所述层叠膜的MD以及TD各自的以20℃为基准的180℃30分钟下的热收缩率在2％以上。
3.如权利要求1或2所述的层叠膜，其特征在于，所述氟树脂层存在于所述收缩性膜的层的两面。
4.如权利要求1～3中任一项所述的层叠膜，其特征在于，所述收缩性膜的层和所述氟树脂层之间还存在粘接层。
5.如权利要求1～4中任一项所述的层叠膜，其特征在于，所述收缩性膜是双轴延伸膜。
6.如权利要求1～5中任一项所述的层叠膜，其特征在于，所述收缩性膜是由选自聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚苯乙烯树脂、以及来源于生物的树脂的至少1种的树脂构成的收缩性膜。
7.如权利要求1～6中任一项所述的层叠膜，其特征在于，所述收缩性膜是双轴拉伸聚酰胺树脂膜。
8.如权利要求1～7中任一项所述的层叠膜，其特征在于，所述氟树脂是由氟代烯烃类聚合物构成的氟树脂。
9.如权利要求8所述的层叠膜，其特征在于，所述氟代烯烃类聚合物是乙烯-四氟乙烯类共聚物。
10.如权利要求1～9中任一项所述的层叠膜，其特征在于，所述氟树脂层是氟树脂膜的层。
11.如权利要求1～10中任一项所述的层叠膜，其特征在于，所述层叠膜作为脱模膜使用。
12.如权利要求11所述的层叠膜，其特征在于，所述脱模膜是在半导体元件制造中的树脂密封的工序中，配置于模具的凹部、与密封用树脂相接的脱模膜。
13.一种半导体元件的制造方法，其是使用具备上模具和下模具的压缩成形装置，制造具备基板和半导体芯片和连接端子和由固化性树脂的固化物构成的树脂密封部的半导体元件的方法，其特征在于，
将具有基板和半导体芯片和连接端子的结构体配置在所述上模具和下模具的一个中，
作为脱模膜，以覆盖设于所述上模具和下模具的另一个中的凹部的方式且以氟树脂层表面面向模具的成形空间的方式配置权利要求1～12中任一项所述的层叠膜，使其密合在所述凹部的表面上，
在所述上模具和下模具之间配置固化性树脂，将所述上模具和下模具合模，使所述凹部的底面移动、压缩所述固化性树脂，同时使所述固化性树脂热固化、形成树脂密封部。
14.如权利要求13所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，所述树脂密封部的厚度为0.1～0.7mm。
15.如权利要求13或14所述的半导体元件的制造方法，其特征在于，使所述层叠膜密合在所述凹部的表面上时的所述凹部的深度比所述树脂密封部的厚度深、且为0.125～1.1mm。
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