CN111682029A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种具有引线的显示面板。显示面板包括基板，基板包括非显示区、显示区、阵列层以及多个引线。显示区比邻非显示区，阵列层位于显示区，引线位于非显示区。引线包括主体部与切割部，切割部连接于主体部。切割部包括切割边、长边、第一斜边与第二斜边。长边远离切割边。第一斜边的两端分别连接短边与长边的一端。第二斜边的两端分别连接切割边与长边的另一端。第一斜边与第二斜边向切割边延伸形成夹角，夹角的角度是30°～170°。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种具有引线的显示面板及其制造方法。
背景技术
随着显示技术的发展，特别是手机与平板电脑等手持式显示设备的普及，用户对产品的画质要求越来越高，进一步推动高解析度产品的需求。高解析度可以提供更好的画质，图片显示更为细腻，但也意味着在相同尺寸下，像素数量需要提高，同时绑定布线也更密集，像素之间的间距趋向短小(Fine-pitch)。在传统绑定引线设计及现有连接设备能力条件下，很容易出现因切割或镭射造成切割边有金属残屑，导致相邻引线间存在搭接现象，在面板引线测试及绑定后驱动的过程中，容易造成产品线路短路现象。请参阅图1A与图1B，图1A为现有的大面板的示意图，图1B为图1A中的小面板的示意图。大面板10通过刀轮或镭射沿着切割线X1-X2/Y1-Y2切割成小面板11后，切割线边的线路容易残留金属屑。请参阅图1B与图1C，图1C为图1B中的13区域的局部放大图。小面板11具有引线部12，引线部12包括多个引线121，通过刀轮或镭射沿着切割线Y1-Y2切割成小面板11后，切割线边残留金属屑14，且相邻引线121的间距P很小，金属屑14直接将相邻的两根引线121搭接，造成面板引线测试及绑定制程通电时出现引线121短路不良。
发明内容
本申请实施例提供一种具有引线的显示面板及其制造方法，通过对引线结构的优化设计，降低因切割后残留的金属屑同时与两相邻引线接触，在后续的面板引线测试及绑定制程时，造成通电短路的风险。
本申请实施例提供一种显示面板，包括基板，包括非显示区；显示区，比邻非显示区；阵列层，位于显示区；以及多个引线，位于所述非显示区，其中引线包括主体部；以及切割部，连接于主体部，引线包括切割边；长边，远离切割边；第一斜边，第一斜边的两端分别连接切割边与长边的一端；以及第二斜边，第二斜边的两端分别连接切割边与长边的另一端；其中第一斜边与第二斜边向切割边延伸形成夹角，夹角的角度是30°～170°。
在一些实施例中，长边的长度大于切割边的长度。
在一些实施例中，主体部包括第一侧边；第二侧边，第二侧边远离第一侧边；第三侧边，第三侧边的两端分别连接第一侧边与第二侧边的一端；以及长边，长边的两端分别连接第一侧边与第二侧边的另一端，其中长边是主体部与切割部共用的一边；其中引线的主体部的第一侧边与相邻引线的主体部的第二侧边之间具有主体部间距，引线的切割部的切割边与相邻引线的切割部的切割边之间具有切割边间距，其中主体部间距的长度小于切割边间距的长度。
在一些实施例中，任一两相邻引线之间的主体部间距的长度相同。
在一些实施例中，切割边间距的长度是30微米-50微米。
本申请实施例提供一种显示面板的制造方法，包括提供基板，基板包括非显示区以及显示区；形成阵列层于显示区；形成金属层于非显示区之上；图案化金属层以形成引线，引线连接阵列层，引线包括主体部与切割部，其中切割部连接于主体部，切割部包括：短边；长边，远离短边；第一斜边，第一斜边的两端分别连接短边与长边的一端；以及第二斜边，第二斜边的两端分别连接短边与长边的另一端；其中第一斜边与第二斜边向切割边延伸形成第一夹角，第一夹角的角度是30°～170°；以及切割部分切割部以形成切割边。
在一些实施例中，形成金属层的方法包括溅镀与蒸镀的其中一者。
在一些实施例中，切割部分切割部的方法包括刀轮切割与镭射切割的其中一者。
在一些实施例中，图案化金属层的方法包括黄光与蚀刻的至少一者。
在一些实施例中，切割部分切割部以形成切割边之后，切割部包括切割边；长边，远离切割边；第一斜边，第一斜边的两端分别连接切割边与长边的一端；以及第二斜边，第二斜边的两端分别连接切割边与长边的另一端；其中第一斜边与第二斜边向切割边延伸形成第二夹角，第二夹角的角度是30°～170°
本申请实施例提供的一种具有引线的显示面板，通过对引线结构的优化设计，改变引线的切割部的形状，增大相邻引线的切割部之间的距离，实现显示面板对高解析度产品的绑定需求，降低因切割后残留的金属屑同时与两相邻引线接触，在后续的面板引线测试及绑定制程时，造成通电短路的风险。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1A为现有的大面板的示意图。
图1B为图1A中的小面板的示意图。
图1C为图1B中的13区域的局部放大图。
图2A为本申请一实施例提供的显示面板的结构示意图。
图2B为图2A的显示面板的侧视图。
图2C为图2A中的I区域的局部放大图。图2D为图2C中的Ⅱ区域的局部放大图。
图2E为图2C中的引线切割后的结构示意图。
图2F为图2E中的Ⅲ区域的局部放大图。
图3为本申请一实施例提供的显示面板的制造方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通或两个组件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体的，请参阅图2A至2C，图2A为本申请一实施例提供的显示面板的结构示意图，图2B为图2A的显示面板的侧视图，图2C为图2A中的I区域的局部放大图，其显示申请一实施例提供的引线的结构示意图。本申请一实施例提供显示面板包含基板20，基板20具有非显示区21、显示区22、多个引线3以及阵列层5，其中引线3位于非显示区21，阵列层5位于显示区22，显示区22比邻非显示区21。阵列层5用以发光，与引线3同层设置。阵列层5至少包括晶体管薄膜、钝化薄膜、平坦薄膜、阳极薄膜、像素薄膜、像素定义薄膜、阴极薄膜以及彩膜盖板。晶体管薄膜、钝化薄膜、平坦薄膜、阳极薄膜、像素薄膜、像素定义薄膜、阴极薄膜以及彩膜盖板依序形成于显示区22上。引线3是从阵列层5引出，用以接收外部信号，每个引线3包括主体部30与切割部31，其中切割部31连接于主体部30。
请参阅图2D，图2D为图2C中的Ⅱ区域的局部放大图，其显示申请一实施例提供的引线的切割部的结构示意图。切割部31包括短边311、长边312、第一斜边313与第二斜边314。其中，长边312远离短边311，长边312的长度大于短边311的长度，第一斜边313的两端分别连接短边311与长边312的一端，以及第二斜边314的两端分别连接短边311与长边312的另一端。第一斜边313与第二斜边314向短边311延伸可以形成第一夹角32，第一夹角32的角度是30°～170°。
请参阅图2C与图2D，主体部30包括第一侧边301、第二侧边302、第三侧边303以及长边312。其中，第二侧边302远离第一侧边301，第三侧边303的两端分别连接第一侧边301与第二侧边302的一端，以及长边312远离第三侧边303，长边312的两端分别连接第一侧边301与第二侧边302的另一端，其中长边312是主体部30与切割部31共用的一边。引线3的主体部30的第一侧边301与相邻引线3的主体部30的第二侧边302之间具有主体部间距33，引线3的切割部31的短边311与相邻引线3的切割部31的短边311之间具有短边间距34，其中主体部间距33的长度小于短边间距34的长度。在一些实施例中，任一两相邻引线3之间的主体部间距33的长度相同。在一些实施例中，主体部间距33的长度是10微米-15微米。
请参阅图2E与图2F，图2E为图2C中的引线切割后的结构示意图，图2F为图2E中的Ⅲ区域的局部放大图，其显示申请一实施例提供切割后的切割部的结构示意图。通过刀轮或镭射沿着切割线Y1-Y2切割，将引线3的切割部31的一部分切割后，在切割部31形成切割边315。其中，长边312远离切割边315，长边312的长度大于切割边315的长度，第一斜边313的两端分别连接切割边315与长边312的一端，以及第二斜边314的两端分别连接切割边315与长边312的另一端。第一斜边313与第二斜边314向切割边315延伸可以形成第二夹角37，第二夹角37的角度是30°～170°。引线3的切割部31的切割边315与相邻引线3的切割部31的切割边315之间具有切割边间距35。在一些实施例中，切割边间距35的长度小于短边间距34的长度。由于长边312的长度大于切割边315的长度，主体部间距33的长度小于切割边间距35的长度，增大相邻引线3的切割部31之间的距离，因此减少因切割后残留的金属屑36同时与相邻引线3的切割部31接触，在后续的面板引线测试及绑定制程时，造成通电短路，降低面板的良率。在一些实施例中，切割边间距35的长度是30微米-50微米。在一些实施例中，任一两相邻引线3之间的切割边间距35的长度相同。在一些实施例中，长边312的长度小于切割边315的长度。
在一些实施例中，可以通过黄光与蚀刻等工艺，将引线3的切割部31设计形成菱角形状与锥形状的至少一者，使两相邻的引线3的切割部31之间距离增大，降低因切割后残留的金属屑36造成的面板通电测试或绑定后驱动，引线3出现通电短路的情况，提高面板的良率。在一些实施例中，引线3的材料可以是金属，例如铜、锌与铬的至少一者。
请参阅图3，图3为本申请一实施例提供的显示面板的制造方法的流程图。本申请另一实施例提供一种显示面板的制造方法，包括以下步骤：
步骤S41，提供基板，基板包括非显示区以及显示区，非显示区比邻显示区。
步骤S42，形成阵列层于显示区。其中，阵列层至少包括晶体管薄膜、钝化薄膜、平坦薄膜、阳极薄膜、像素薄膜、像素定义薄膜、阴极薄膜以及彩膜盖板。晶体管薄膜、钝化薄膜、平坦薄膜、阳极薄膜、像素薄膜、像素定义薄膜、阴极薄膜以及彩膜盖板依序形成于显示区上。形成阵列层的方法包括镀膜、黄光与蚀刻的至少一者。镀膜的方法包括等离子体增强化学气象沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)、溅射与热蒸发的至少一者。
步骤S43，形成金属层于非显示区之上。其中，形成金属层的方法可以是涂布，涂布包括溅镀与蒸镀的其中一者。金属层的材料可以是铜、锌与铬的至少一者，金属层是从阵列层引出。
步骤S44，图案化金属层以形成引线，引线连接阵列层。引线包括主体部与切割部，切割部连接于主体部。图案化金属层的方法包括黄光与蚀刻的至少一者。蚀刻包括湿蚀刻与干蚀刻的其中一者。切割部包括短边、长边、第一斜边与第二斜边。其中，长边远离短边，长边的长度大于短边的长度，第一斜边的两端分别连接短边与长边的一端，以及第二斜边的两端分别连接短边与长边的另一端。第一斜边与第二斜边向短边延伸可以形成第一夹角，第一夹角的角度是30°～170°。主体部包括第一侧边、第二侧边、第三侧边以及长边。其中，第二侧边远离第一侧边，第三侧边的两端分别连接第一侧边与第二侧边的一端，以及长边远离第三侧边，长边的两端分别连接第一侧边与第二侧边的另一端，其中长边是主体部与切割部共用的一边。
步骤S45，切割部分切割部以形成切割边。其中，切割部包括切割边、长边、第一斜边与第二斜边。其中，长边远离切割边，长边的长度大于切割边的长度，第一斜边的两端分别连接切割边与长边的一端，以及第二斜边的两端分别连接切割边与长边的另一端。第一斜边与第二斜边向切割边延伸可以形成第二夹角，第二夹角的角度是30°～170°。切割的方法包括刀轮切割与镭射切割的其中一者。
可以理解的是，本申请实施例相比于现有结构而言，存在引线的切割部的形状不同，因此，在本申请实施例的制作过程中，相对于现有的制作方法而言，只需要在非显示区上形成引线后改变对切割部的刻蚀形状即可，不影响其它工艺制程，所以适于批量生产，并且还对原有制作步骤影响较小。
本申请实施例可适用于多种类型的显示面板，例如液晶显示面板(LiquidCrystal Display，LCD)、发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)显示面板或有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板。有机发光二极管(OLED)显示面板按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(Passive Matrix OLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(Active Matrix OLED，AMOLED)两大类。
本申请实施例提供的一种具有引线的显示面板及其制造方法，通过对引线结构的优化设计，改变引线的切割部的形状，增大相邻引线的切割部之间的距离，实现显示面板对高解析度产品的绑定需求，降低因切割后残留的金属屑同时与两相邻引线接触，在后续的面板引线测试及绑定制程时，造成通电短路的风险。
以上对本申请实施例所提供的一种具有引线的显示面板及其制造方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板，包括：
非显示区；
显示区，比邻所述非显示区；
阵列层，位于所述显示区；以及
多个引线，位于所述非显示区，其中所述引线包括：
主体部；以及
切割部，连接于所述主体部，包括：
切割边；
长边，远离所述切割边；
第一斜边，所述第一斜边的两端分别连接所述切割边与所述长边的一端；以及
第二斜边，所述第二斜边的两端分别连接所述切割边与所述长边的另一端；
其中所述第一斜边与所述第二斜边向所述切割边延伸形成夹角，所述夹角的角度是30°～170°。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述长边的长度大于所述切割边的长度。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述主体部包括：
第一侧边；
第二侧边，所述第二侧边远离所述第一侧边；
第三侧边，所述第三侧边的两端分别连接所述第一侧边与所述第二侧边的一端；以及
所述长边，所述长边的两端分别连接所述第一侧边与所述第二侧边的另一端，其中所述长边是所述主体部与所述切割部共用的一边；
其中所述引线的所述主体部的所述第一侧边与相邻所述引线的所述主体部的所述第二侧边之间具有主体部间距，所述引线的所述切割部的所述切割边与相邻所述引线的所述切割部的所述切割边之间具有切割边间距，其中所述主体部间距的长度小于所述切割边间距的长度。
4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，任一两相邻所述引线之间的所述主体部间距的长度相同。
5.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述切割边间距的长度是30微米-50微米。
6.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供基板，所述基板包括非显示区以及显示区；
形成阵列层于所述显示区；
形成金属层于所述非显示区之上；
图案化所述金属层以形成引线，所述引线连接所述阵列层，所述引线包括主体部与切割部，其中所述切割部连接于所述主体部，所述切割部包括：
短边；
长边，远离所述短边；
第一斜边，所述第一斜边的两端分别连接所述短边与所述长边的一端；以及
第二斜边，所述第二斜边的两端分别连接所述短边与所述长边的另一
端；
其中所述第一斜边与所述第二斜边向所述短边延伸形成第一夹角，所述第一夹角的角度是30°～170°；以及
切割部分所述切割部以形成切割边。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成所述金属层的方法包括溅镀与蒸镀的其中一者。
8.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，切割部分所述切割部的方法包括刀轮切割与镭射切割的其中一者。
9.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，图案化所述金属层的方法包括黄光与蚀刻的至少一者。
10.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，切割部分所述切割部以形成所述切割边之后，所述切割部包括：
所述切割边；
所述长边，远离所述切割边；
所述第一斜边的两端分别连接所述切割边与所述长边的一端；以及
所述第二斜边的两端分别连接所述切割边与所述长边的另一端；
其中所述第一斜边与所述第二斜边向所述切割边延伸形成第二夹角，所述第二夹角的角度是30°～170°。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010542259.4A CN111682029A (zh) | 2020-06-15 | 2020-06-15 | 显示面板及其制造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111682029A true CN111682029A (zh) | 2020-09-18 |
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ID=72436086
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN (1) | CN111682029A (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006071778A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Optrex Corp | 液晶表示パネル |
| CN107855665A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其切割方法、显示装置 |
| CN109831871A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-05-31 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种覆晶薄膜封装柔性电路板、柔性电路板及其制作方法 |
| CN110634833A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种覆晶薄膜 |
-
2020
- 2020-06-15 CN CN202010542259.4A patent/CN111682029A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006071778A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Optrex Corp | 液晶表示パネル |
| CN107855665A (zh) * | 2017-11-15 | 2018-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其切割方法、显示装置 |
| CN109831871A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-05-31 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种覆晶薄膜封装柔性电路板、柔性电路板及其制作方法 |
| CN110634833A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种覆晶薄膜 |
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