CN111679469A - 显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 253
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 20
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 16
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 16
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 14
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 14
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 14
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
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Abstract
本发明的实施方式涉及一种显示装置。提供一种可提高可靠性的显示装置。本实施方式的显示装置具有:具备第1区域和第2区域的第1基板、重叠于第2区域的第2基板以及连接部件,第1基板在第1区域中具有:第1绝缘层、第1金属层、布线组、有机绝缘层、形成在有机绝缘层之上并具有重叠于第1金属层的开口部的第2绝缘层、以及形成在第2绝缘层之上并重叠于开口部的第1透明导电层,第2基板具有第2透明导电层,连接部件将第1透明导电层和第2透明导电层连接,布线组重叠于第1透明导电层,有机绝缘层在开口部和布线组之间具有使第1绝缘层露出的槽部。
Description
关联申请
本申请基于日本专利申请2019-043828号(申请日2019年3月11日)并根据该申请享有优先权益,本申请通过参照该申请而包含该申请的内容。
技术领域
本发明的实施方式涉及一种显示装置。
背景技术
近年来,对通过与基板平行方向的电场而使液晶分子旋转的液晶显示装置有各种研究。在一个例子中,公开了一种液晶显示装置,利用导电带将形成于对置基板的表面上的防带电用透明导电膜和形成于位于阵列基板的端子部的有机膜之上的透明导电膜连接,并在位于端子部的有机膜之下形成布线。
发明内容
本实施方式的目的在于提供一种能够提高可靠性的显示装置。
本实施方式的显示装置具有:第1基板,具有第1区域和第2区域;第2基板,具有位于所述第1区域与所述第2区域的边界的基板端,重叠于所述第2区域;以及导电性连接部件,所述第1基板在所述第1区域中还具有:第1无机绝缘层;第1金属层;布线组,位于所述基板端与所述第1金属层之间,形成在所述第1无机绝缘层的上方;第1有机绝缘层,形成在所述第1无机绝缘层、所述第1金属层和所述布线组的上方;第2无机绝缘层,形成在所述第1有机绝缘层的上方,具有重叠于所述第1金属层的开口部;以及第1透明导电层,形成在所述第2无机绝缘层的上方,重叠于所述开口部,与所述第1金属层电连接,所述第2基板具有:与所述第1基板对置的内表面;作为与所述内表面相反的面的外表面;以及形成在所述外表面的第2透明导电层,所述连接部件与所述基板端接触,将所述第1透明导电层和所述第2透明导电层连接,所述布线组重叠于所述第1透明导电层,所述第1有机绝缘层在所述开口部和所述布线组之间具有使所述第1无机绝缘层露出的槽部。
根据上述构成的显示装置,能够提高可靠性。
附图说明
图1是表示一实施方式的显示装置的俯视图。
图2是沿图1所示的C1-C2线的显示面板的剖视图。
图3是表示像素的基本构成和等效电路的图。
图4是表示图1所示的显示面板的一构成例的剖视图。
图5是表示显示面板具有的多个槽部的俯视图。
图6是扩大了图5所示的槽部和槽部周边的图。
图7是沿图6所示的D1-D2线的显示面板的剖视图。
图8是表示本实施方式的变形例的俯视图。
具体实施方式
下面,参照附图来说明本实施方式。此外,公开始终只不过是一例,本领域技术人员能够容易想到维持发明的主旨的适当变更当然包括在本发明的范围中。另外,附图为了使说明更加明确而存在与实际的状态相比示意性地表示各部的宽度、厚度、形状等的情况,但始终是一例,不限定本发明的解释。另外,在本说明书和各图中,对于与关于已有的图叙述过的要素发挥同样或类似功能的要素,附加相同的标记并有时适当省略详细的说明。
图1是表示本实施方式的显示装置的俯视图。在一个例子中,第1方向X、第2方向Y以及第3方向Z相互正交,但也可以以90度以外的角度交叉。第1方向X和第2方向Y相当于与构成显示装置DSP的基板的主面平行的方向,第3方向Z相当于显示装置DSP的厚度方向。在本说明书中,将表示第3方向Z的箭头的前端侧的位置称为上,将与箭头的前端相反侧的位置称为下。另外,假设在表示第3方向Z的箭头的前端侧有观察显示装置DSP的观察位置,将从该观察位置向由第1方向X和第2方向Y限定的X-Y平面的观察称为俯视。
显示装置DSP例如可以是:需要与液晶显示装置等显示面板PNL独立的光源的显示装置、有机EL显示装置、或微型LED(发光二极管)等自发光型显示装置,也可以是电泳显示装置。在下面的实施方式中以液晶显示装置为例进行说明。
如图1所示,显示装置DSP具有显示面板PNL、IC芯片1和布线基板F1。
显示面板PNL具有第1基板SUB1、第2基板SUB2和后述的液晶层LC。表示面板PNL具有显示图像的显示部DA和包围显示部DA的框状的非显示部NDA。
第1基板SUB1具有沿第1方向X延伸的端部E11和E12,和沿第2方向Y延伸的端部E13和E14。第2基板SUB2具有沿第1方向X延伸的端部E21和E22,和沿第2方向Y延伸的端部E23和E24。第1基板SUB1具有在第2方向Y上排列的第1区域A1和第2区域A2。在俯视时,第2基板SUB2与第2区域A2重叠,不与第1区域A1重叠。端部E21相当于沿着第1区域A1和第2区域A2的边界的基板端。即,在俯视时,第1区域A1相当于由端部E11、E21、E13和E14包围的区域。第2区域A2相当于由端部E21、E12、E13和E14包围的区域。另外,第2区域A2也可以设为第1基板SUB1和第2基板SUB2重合的显示面板PNL的2片的部分,第1区域A1也可以设为第1基板SUB1从第2基板SUB2露出的显示面板PNL的一片的部分。
显示部DA包含在第2区域A2中。显示部DA具有在第1方向(列方向)X和第2方向(行方向)Y上以矩阵状(Matrix状)配置的多个像素PX。这里的像素PX是表示能够按照像素信号分别进行控制的最小单位,有称为副像素的情况。像素PX例如是显示红色的红像素,显示绿色的绿像素,显示蓝色的蓝像素,或者显示白色的白像素的任一种。
第2区域A2中的显示部DA的外侧以及第1区域A1相当于非显示部NDA。IC芯片1以及布线基板F1也有读出来自显示面板PNL的信号的情况,但主要作为向显示面板PNL提供信号的信号源发挥作用。这些信号源安装在第1区域A1中。在图示的例子中,布线基板F1和IC芯片1分别安装在第1区域A1。另外,IC芯片1也可以安装在布线基板F1。IC芯片1内置有显示驱动器DD,该显示驱动器DD输出在显示图像的图像显示模式中图像显示所需要的信号。另外,在图示的例子中,IC芯片1内置有触摸控制器TCN,该触摸控制器TCN控制用于检测物体接近或接触显示装置DSP的触摸感应模式。在图中,显示驱动器DD和触摸控制器TCN用虚线表示。布线基板F1是可弯曲的柔性印刷基板。
第1基板SUB1在第1区域A1中具有多个接地焊盘EP(EP1和EP2)。各接地焊盘EP层叠形成有后述的透明导电层35和金属层33等。在图示的例子中,接地焊盘EP1位于IC芯片1和端部E13之间,接地焊盘EP2位于IC芯片1和端部E14之间。
第2基板SUB2具有透明导电层CL。透明导电层CL遍及与第2区域A2重叠的几乎整个区域而形成,也与显示部DA的各像素PX重叠。透明导电层CL由氧化铟锡(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等透明的导电材料形成。
连接部件CN位于非显示部NDA上,分别将各接地焊盘EP和透明导电层CL电连接。连接部件CN具有导电性,例如为导电性膏或导电性带。
本实施方式的显示面板PNL也可以是,通过选择性地透射来自第1基板SUB1的背面侧的光而具有显示图像的透射显示功能的透射型、通过选择性地反射来自第2基板SUB2的前面侧的光而具有显示图像的反射显示功能的反射型、或者具有透射显示功能和反射显示功能的半透射型的任一种。
另外,虽然在此省略有关显示面板PNL的详细构成的说明,但是显示面板PNL也可以具有对应于以下任一种显示模式的结构,即,利用沿着基板主面的横电场的显示模式;利用沿着基板主面的法线的纵电场的显示模式;利用相对于基板主面向斜方向倾斜的倾斜电场的显示模式;以及适当组合并利用上述横电场、纵电场和倾斜电场的显示模式。这里的基板主面是指与由第1方向X和第2方向Y限定的X-Y平面平行的面。
图2是沿图1所示的C1-C2线的显示面板的剖视图。另外,在此,只对需要说明的结构进行图示。
如图2所示,第2基板SUB2具有与第1基板SUB1对置的内表面SA和在内表面相反侧的外表面SB。遮光层LS设置在第2基板SUB2的内表面SA,位于非显示部NDA。显示部DA和非显示部NDA的边界Bo相当于遮光层LS的内侧端。密封件SE位于非显示部NDA,将第1基板SUB1和第2基板SUB2粘结,并且密封液晶层LC。密封件SE设置在与遮光层LS重叠的位置。透明导电层CL设于外表面SB上,遍及显示部DA和非显示部NDA而设置。另外,透明导电层CL可以设置在包含于第2基板SUB2的绝缘基板的外表面,也可以设置在粘结于绝缘基板的光学元件的外表面。
连接部件CN在与密封件SE和遮光层LS重叠的位置处,与透明导电层CL相接。另外,连接部件CN设置在第1基板SUB1的第1区域A1中,与接地焊盘EP1和基板端E21相接。在图示的例子中,接地焊盘EP1遍及第1区域A1和第2区域A2而配置。
图3是表示像素PX的基本构成和等效电路的图。
如图3所示,多根扫描线G连接在扫描线驱动电路GD上,多根信号线S连接在信号线驱动电路SD上。扫描线G和信号线S分别由铝(AL)、钛(Ti)、银(Ag)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)等金属材料,或组合了这些金属材料的合金等形成。扫描线G和信号线S分别可以是单层结构,也可以是多层结构。另外,扫描线G和信号线S也可以不一定直线地延伸,它们的一部分也可以弯曲。例如,即使信号线S的一部分弯曲,也向第2方向Y延伸。
公共电极CE遍及多个像素PX而配置。公共电极CE连接在电压供给部CD和图1所示的触摸控制器TCN上。在图像显示模式中,电压供给部CD向公共电极CE供给公共电压(Vcom)。在触摸感应模式中,触摸控制器TCN向公共电极CE供给与公共电压不同的触摸驱动电压。
各像素PX具有开关元件SW、像素电极PE、公共电极CE、液晶层LC等。开关元件SW例如由薄膜晶体管(TFT)构成,与扫描线G和信号线S电连接。扫描线G与在第1方向X上排列的各个像素PX中的开关件SW电连接。信号线S与在第2方向Y上排列的各个像素PX中的开关元件SW电连接。扫描线G被供给用于控制开关元件SW的控制信号。信号线S被供给图像信号作为与控制信号不同的信号。像素电极PE与开关元件SW电连接。液晶层LC由在像素电极PE和公共电极CE之间产生的电场驱动。电容CS例如形成在与公共电极CE同电位的电极、和与像素电极PE同电位的电极之间。
图4是表示图1所示的显示面板的一构成例的剖视图。图示的例子相当于采用FFS(Fringe Field Switching)模式的例子,该FFS模式是利用横电场的显示模式之一。
如图4所示,第1基板SUB1具有绝缘基板10、绝缘层11~16、半导体层SC、信号线S、金属布线ML、公共电极CE、像素电极PE、取向膜AL1等。绝缘基板10是玻璃基板或可挠性树脂基板等透明基板。绝缘层11位于绝缘基板10之上。半导体层SC位于绝缘层11之上,由绝缘层12覆盖。半导体层SC例如由多晶硅形成,但也可以由非晶硅或氧化物半导体形成。绝缘层12由绝缘层13覆盖。图3所示的扫描线G位于绝缘层12和13之间。信号线S位于绝缘层13之上,由绝缘层14覆盖。金属布线ML位于绝缘层14之上,由绝缘层15覆盖。金属布线ML例如由铝(AL)、钛(Ti)、银(Ag)、钼(Mo)、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)等金属材料,或组合了这些金属材料的合金等形成。金属布线ML可以是单层结构,也可以是多层结构。金属布线ML分别与信号线S平行地延伸,位于信号线S的正上方。
公共电极CE位于绝缘层15之上,由绝缘层16覆盖。像素电极PE位于绝缘层16之上,由取向膜AL1覆盖。各个像素电极PE隔着绝缘层16与公共电极CE对置。公共电极CE和像素电极PE例如由ITO或IZO等透明的导电材料形成。像素电极PE是线状电极,公共电极CE是遍及多个像素PX而共同设置的平板状的电极。另外,也可以是将像素电极PE作为平板状的电极,在像素电极PE和液晶层LC之间设置线状的公共电极的结构。
绝缘层11、绝缘层12、绝缘层13以及绝缘层16是由硅氧化物(SiO)、硅氮化物(SiN)、硅氮氧化物(SiON)等无机绝缘材料形成的无机绝缘层。绝缘层16例如由硅氮化物形成。绝缘层11、绝缘层12、绝缘层13以及绝缘层16可以是单层结构,也可以是多层结构。绝缘层14以及绝缘层15例如是由丙烯酸树脂等有机绝缘材料形成的有机绝缘层。
第2基板SUB2具有绝缘基板20、滤色器CF、遮光层BM、透明层OC、取向膜AL2。绝缘基板20是玻璃基板或可挠性树脂基板等透明基板。滤色器CF、遮光层BM以及透明层OC位于绝缘基板20和液晶层LC之间。取向膜AL2与液晶层LC相接。取向膜AL1和AL2例如由呈现水平取向性的材料形成。透明层OC覆盖滤色器CF和遮光层BM。透明层OC例如是透明的有机绝缘层。另外,在图示的例子中,滤色器CF设置在第2基板SUB2上,但也可以设置在第1基板SUB1上。滤色器CF包含红滤色器CFR、绿滤色器CFG和蓝滤色器CFB。绿滤色器CFG与像素电极PE对置。红滤色器CFR和蓝滤色器CFB也分别与未图示的其他像素电极PE对置。
液晶层LC位于第1基板SUB1和第2基板SUB2之间,保持在取向膜AL1和取向膜AL2之间。液晶层LC具有液晶分子LM。液晶层LC由正型(介电常数各向异性为正)的液晶材料,或负型(介电常数各向异性为负)的液晶材料构成。
含有偏振片PL1的光学元件OD1粘结在绝缘基板10上。含有偏振片PL2的光学元件OD2粘结在绝缘基板20上。另外,光学元件OD1和OD2根据需要也可以具有相位差板、散射层、防反射层等。照明装置IL通过白色的照明光来照明显示面板PNL的第1基板SUB1。
在这样的显示面板PNL中,在像素电极PE和公共电极CE之间没有形成电场的断开状态下,液晶分子LM在取向膜AL1和AL2之间在预定的方向上初始取向。在这样的断开状态中,从照明装置IL向显示面板PNL照射的照明光由光学元件OD1和OD2吸收,成为暗显示。另一方面,在像素电极PE和公共电极CE之间形成了电场的接通状态下,液晶分子LM通过电场在与初始取向方向不同的方向上进行取向,该取向方向由电场控制。在这样的接通状态中,来自照明装置IL的照明光的一部分透射光学元件OD1和OD2,成为明显示。
图5是表示显示面板具有的多个槽部GR的俯视图。在图5中,密封件SE用斜线表示。
如图5所示,显示面板PNL具有槽部GR11、槽部GR12、槽部GR21和槽部GR22。槽部GR11、槽部GR12、槽部GR21和槽部GR22分别贯通图4所示的绝缘层14和15而形成。
槽部GR21和GR22分别位于第2区域A2的非显示部NDA上,重叠在密封件SE上。槽部GR21和槽部GR22分离。在俯视时,槽部GR21以包围显示部DA的方式形成。槽部GR2在端部E21和显示部DA之间向第1方向X延伸,在端部E23和显示部DA之间向第2方向Y延伸,在端部E22和显示部DA之间向第1方向X延伸,在端部E24和显示部DA之间向第2方向Y延伸。槽部GR22在端部E21和显示部DA之间向第1方向X延伸。槽部GR21具有端部21A和在端部21A相反侧的端部21B。槽部GR22具有端部22A和在端部22A相反侧的端部22B。端部21A和端部22A对置,端部21B和端部22B对置。
接地焊盘EP1在第1方向X上位于端部21A和端部22A之间。接地焊盘EP2在第1方向X上位于端部22B和端部21B之间。接地焊盘EP1和EP2分别具有连接于接地电位的接触部EC1和EC2。
槽部GR11和GR12位于第1区域A1中。在俯视时,槽部GR11重叠于接地焊盘EP1,位于接地焊盘EP1的内侧。在俯视时,槽部GR12重叠于接地焊盘EP2,位于接地焊盘EP2的内侧。
图6是扩大了图5所示的槽部和槽部周边的图。
如图6所示,第1基板SUB1还具有金属层31、多个金属层32、透明导电层35、布线组WG1和WG2。接地焊盘EP1通过金属层31、多个金属层32和透明导电层35等形成。
布线组WG1和布线组WG2分离。布线组WG1在端部E21和槽部GR11之间向第1方向X延伸。布线组WG1和WG2包含由与信号线S相同的材料形成的多条布线,连接在图1所示的IC芯片1或布线基板F1等上。在一个例子中,布线组WG2包含多条信号线S。
金属层31在布线组WG1和端部E11之间向第1方向X延伸,重叠于透明导电层35。金属层31由与扫描线G相同的材料形成。各金属层32重叠于金属层31,分别在第1方向X上排列。金属层32由与信号线S相同的材料形成。图4所示的绝缘层16遍及第1区域和第2区域而设置。绝缘层16具有多个开口部OP1。另外,开口部OP1的个数也可以是1个。各开口部OP1设置在金属层31和各金属层32重叠的位置。透明导电层35经由开口部OP1电连接于金属层31和32。上述接地焊盘EP的接触部EC1相当于包含全部开口部OP1的区域。在俯视时,透明导电层35从开口部OP1向第2区域A2延伸,重叠于所述布线组WG1和基板端E21,横跨第1区域A1和第2区域A2的边界。
槽部GR11具有第1部分GP1、第2部分GP2、第3部分GP3。第1部分GP1沿着各开口部OP1向第1方向X延伸。第2部分GP2和第3部分GP3分别沿着开口部OP1向第2方向Y延伸。第2部分GP2和第3部分GP3分别从第1部分GP1连续。
各开口部OP1在第1方向X上位于第1部分GP1的内侧。开口部OP1在第2方向Y上位于第2部分GP2的内侧和第3部分GP3的内侧。
图7是沿图6所示的D1-D2线的显示面板PNL的剖视图。
如图7所示,第1基板SUB1还具有金属层33和透明导电层34。金属层31位于绝缘基板10的上方。金属层31具有由绝缘层13覆盖的端部E31。金属层32与金属层31相接。金属层32具有位于绝缘层13上方的端部E32。在图示的例子中,端部E32在槽部GR11和开口部OP1之间由绝缘层14覆盖。金属层33与金属层32相接,位于绝缘层14和绝缘层15之间。金属层33具有位于绝缘层14上方的端部E33。在图示的例子中,端部E33在槽部GR11和开口部OP1之间由绝缘层15覆盖。
透明导电层34与金属层33相接。透明导电层34具有位于绝缘层15的上方的端部E34。端部E34由绝缘层16覆盖。透明导电层35与透明导电层34相接。透明导电层35重叠于第2基板SUB2,在槽部GR11中在绝缘层13从绝缘层16露出的位置,与绝缘层13相接。在图示的例子中,金属层31、金属层32、金属层33、透明导电层34和35层叠在开口部OP1的内侧。金属层31、金属层32、金属层33、透明导电层34和35分别电连接。
布线组WG1位于绝缘层13的上方。布线组WG1形成在与金属层32相同的层上。
绝缘层14在位于开口部OP1和布线组WG1之间的槽部GR11中将绝缘层13露出。绝缘层14在槽部GR11中具有内表面I14。绝缘层14在槽部GR11和端部E21之间覆盖布线组WG1。绝缘层15在槽部GR11中将绝缘层14露出。绝缘层15在槽部GR11中具有内表面I15。绝缘层16在绝缘层14的槽部GR11中覆盖内表面I14,分别与内表面I14和绝缘层13相接。绝缘层16在绝缘层15的槽部GR11中覆盖内表面I15,与绝缘层14相接。绝缘层16在与槽部GR11重叠的位置上将绝缘层13露出。
近年来,存在窄框化的要求提高、缩小非显示部NDA的宽度的倾向。因此,存在如下倾向:显示部DA和端部E21的间隔变窄,在显示部DA和端部E21之间增加布线密度,在有机绝缘层中很难形成用于抑制水分向显示部DA浸入的槽部。
在本实施方式中,在第1区域A1中,第1基板SUB1在布线组WG1和开口部OP1之间具有槽部GR11。在从开口部OP1向有机绝缘层14和15浸入了水分时,能够抑制浸入的水分通过有机绝缘层14和15向第2区域A2侧扩散。因此,在第2区域A2中,通过浸入的水分,能够抑制位于有机绝缘层15和无机绝缘层16之间的层剥离的可能性,可提高显示装置DSP的可靠性。
另外,在槽部GR11中,有机绝缘层14和15分别由无机绝缘层16覆盖。由于无机绝缘层16由很难流过水的硅氮化物形成,因此能够进一步抑制从开口部OP1浸入的水分向第2区域A2侧扩散。
在本实施方式中,透明导电层34、35的任一个或两者相当于第1透明导电层,透明导电层CL相当于第2透明导电层,绝缘层13相当于第1无机绝缘层,绝缘层16相当于第2无机绝缘层,绝缘层14相当于第1有机绝缘层,绝缘层15相当于第2有机绝缘层,金属层32相当于第1金属层,金属层33相当于第2金属层,内表面I14相当于第1内表面,内表面I15相当于第2内表面,端部E32相当于第1端部,端部E33相当于第2端部。
图8是表示本实施方式的变形例的俯视图。
如图8所示,变形例与本实施方式相比,在槽部GR11形成为包围接触部EC1的环状这一点上不同。
槽部GR11具有第4部件GP4。第4部分GP4与第2部分GP2和第3部分GP3分别连续。在图示的例子中,在俯视时,各开口部OP1由第1部分GP1、第2部分GP2、第3部分GP3以及第4部分GP4包围。
即使在这样的变形例中,也能够得到与上述实施方式同样的效果。另外,由于槽部GR11形成为包围所有开口部OP1(或接触部EC1)的环状,因此能够抑制从开口部OP1浸入的水分向槽部GR11的外侧扩散。
如上说明,根据本实施方式,能够提供一种可提高可靠性的显示装置。
另外,说明了本发明的一些实施方式,但是这些实施方式是作为例子提示的,不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够通过其它各种方式来实施,能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包括在发明的范围及宗旨中,并且包括在权利要求书所记载的发明及其等同的范围内。
Claims (14)
1.一种显示装置,具有:
第1基板,具有第1区域和第2区域;
第2基板,具有位于所述第1区域与所述第2区域的边界的基板端,重叠于所述第2区域;以及
导电性连接部件,
所述第1基板在所述第1区域中还具有:
第1无机绝缘层;
第1金属层;
布线组,位于所述基板端和所述第1金属层之间,形成在所述第1无机绝缘层的上方;
第1有机绝缘层,形成在所述第1无机绝缘层、所述第1金属层和所述布线组的上方;
第2无机绝缘层,形成在所述第1有机绝缘层的上方,具有重叠于所述第1金属层的开口部;以及
第1透明导电层,形成在所述第2无机绝缘层的上方,重叠于所述开口部,与所述第1金属层电连接,
所述第2基板具有:
与所述第1基板对置的内表面;
作为与所述内表面相反的面的外表面;以及
形成于所述外表面的第2透明导电层,
所述连接部件与所述基板端接触,将所述第1透明导电层和所述第2透明导电层连接,
所述布线组重叠于所述第1透明导电层,
所述第1有机绝缘层在所述开口部和所述布线组之间具有使所述第1无机绝缘层露出的槽部。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述第1有机绝缘层在所述槽部具有第1内表面,
所述第2无机绝缘层覆盖所述第1内表面,与所述第1无机绝缘层相接。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,
所述第1金属层具有第1端部,所述第1端部设置在所述第1无机绝缘层的上方,位于所述槽部与所述开口部之间,由所述第1有机绝缘层覆盖。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,
所述第1基板在所述第1区域中还具有:
第2有机绝缘层,位于所述第1有机绝缘层与所述第2无机绝缘层之间;以及
第2金属层,位于所述第1有机绝缘层与所述第2有机绝缘层之间,
所述槽部也形成于所述第2有机绝缘层,
所述第2有机绝缘层在所述槽部具有第2内表面,
所述第2无机绝缘层覆盖所述第2内表面,与所述第1有机绝缘层相接。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,
所述第2金属层具有第2端部,所述第2端部设置在所述第1有机绝缘层的上方,位于所述槽部与所述开口部之间,由所述第2有机绝缘层覆盖。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的显示装置,其中,
所述槽部具有在第1方向上沿所述开口部延伸的第1部分,
所述开口部在所述第1方向上位于所述第1部分的内侧。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述槽部具有与所述第1部分连续、且在与所述第1方向交叉的第2方向上沿所述开口部分别延伸的第2部分和第3部分,
所述开口部在所述第2方向上位于所述第2部分的内侧和所述第3部分的内侧。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,
所述槽部具有分别与所述第2部分和所述第3部分连续的第4部分,
所述开口部由所述第1部分、所述第2部分、所述第3部分和所述第4部分包围。
9.根据权利要求1~5中任一项所述的显示装置,其中,
所述第2无机绝缘层由硅氮化物形成。
10.根据权利要求6所述的显示装置,其中,
所述第2无机绝缘层由硅氮化物形成。
11.一种显示装置,具有:
第1基板,具有第1区域和第2区域;
第2基板,具有位于所述第1区域与所述第2区域的边界的基板端,重叠于所述第2区域;以及
导电性连接部件,
所述第1基板在所述第1区域中还具有:
第1无机绝缘层;
第1金属层;
布线组,位于所述基板端与所述第1金属层之间,形成在所述第1无机绝缘层的上方;
第1有机绝缘层,形成在所述第1无机绝缘层、所述第1金属层和所述布线组的上方;
第2无机绝缘层,形成在所述第1有机绝缘层的上方,具有重叠于所述第1金属层的开口部;以及
第1透明导电层,形成在所述第2无机绝缘层的上方,重叠于所述开口部,与所述第1金属层电连接,
所述第2基板具有:
与所述第1基板对置的内表面;
作为与所述内表面相反的面的外表面;以及
形成在所述外表面的第2透明导电层,
所述连接部件与所述基板端接触,将所述第1透明导电层和所述第2透明导电层连接,
所述第1有机绝缘层在所述开口部和所述布线组之间具有使所述第1无机绝缘层露出的槽部,
所述第1透明导电层在所述槽部与所述第1无机绝缘层相接。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,
所述第1透明导电层重叠于所述基板端,横跨所述第1区域与所述第2区域的所述边界,从所述开口部延伸到所述第2区域。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,
所述第2无机绝缘层在与所述槽部重叠的位置将所述第1无机绝缘层露出,
所述第1透明导电层在所述槽部、在所述第1无机绝缘层从所述第2无机绝缘层露出的位置处、与所述第1无机绝缘层相接。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,
所述第1有机绝缘层在所述槽部具有第1内表面,
所述第2无机绝缘层在所述槽部内部分别与所述第1内表面和所述第1无机绝缘层相接。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019-043818 | 2019-03-11 | ||
JP2019043818A JP7237665B2 (ja) | 2019-03-11 | 2019-03-11 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111679469A true CN111679469A (zh) | 2020-09-18 |
CN111679469B CN111679469B (zh) | 2023-06-20 |
Family
ID=72424385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010161142.1A Active CN111679469B (zh) | 2019-03-11 | 2020-03-10 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11353757B2 (zh) |
JP (1) | JP7237665B2 (zh) |
CN (1) | CN111679469B (zh) |
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- 2020-03-10 CN CN202010161142.1A patent/CN111679469B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN111679469B (zh) | 2023-06-20 |
US20200292890A1 (en) | 2020-09-17 |
JP7237665B2 (ja) | 2023-03-13 |
JP2020148818A (ja) | 2020-09-17 |
US20220260879A1 (en) | 2022-08-18 |
US11353757B2 (en) | 2022-06-07 |
US11754891B2 (en) | 2023-09-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |