CN111669127B - 振动器件、电子设备以及移动体 - Google Patents

振动器件、电子设备以及移动体 Download PDF

Info

Publication number
CN111669127B
CN111669127B CN202010146827.9A CN202010146827A CN111669127B CN 111669127 B CN111669127 B CN 111669127B CN 202010146827 A CN202010146827 A CN 202010146827A CN 111669127 B CN111669127 B CN 111669127B
Authority
CN
China
Prior art keywords
vibration
base
vibration device
support substrate
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010146827.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111669127A (zh
Inventor
小仓诚一郎
西泽龙太
山口启一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to CN202310579826.7A priority Critical patent/CN116388695A/zh
Publication of CN111669127A publication Critical patent/CN111669127A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111669127B publication Critical patent/CN111669127B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P3/00—Measuring linear or angular speed; Measuring differences of linear or angular speeds
    • G01P3/02—Devices characterised by the use of mechanical means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5642—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating bars or beams
    • G01C19/5656—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using vibrating bars or beams the devices involving a micromechanical structure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/302—Sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/30—Piezoelectric or electrostrictive devices with mechanical input and electrical output, e.g. functioning as generators or sensors
    • H10N30/304—Beam type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1515—Shape
    • H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
    • H01L2924/15155—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device the shape of the recess being other than a cuboid
    • H01L2924/15156—Side view
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15313—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a land array, e.g. LGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Abstract

提供振动器件、电子设备以及移动体，能够抑制大型化并且保护电路元件免受激光影响。振动器件具有：基座；电路元件，其配置于所述基座；振动元件，其在俯视观察时至少一部分与所述电路元件重叠配置；以及支承基板，其配置在所述电路元件与所述振动元件之间，对所述振动元件进行支承。另外，所述振动元件具有频率调整部，该频率调整部是通过将所述振动元件的至少一部分除去来进行频率调整的，所述支承基板具有：基部，其对所述振动元件进行支承；支承部，其对所述基部进行支承；梁部，其将所述基部和所述支承部连接起来；以及具有遮光性的遮蔽部，其配置于所述梁部，在俯视观察时与所述频率调整部重叠。

Description

振动器件、电子设备以及移动体
技术领域
本发明涉及振动器件、电子设备以及移动体。
背景技术
专利文献1记载的振动器件具有：箱状的基座；电路元件，其搭载于基座；角速度传感器元件，其搭载于电路元件；以及盖，其与基座接合，并且覆盖电路元件和角速度传感器元件。另外，角速度传感器元件具有：传感器元件主体；两个支承部，它们在两侧支承传感器元件主体；一对梁部，它们将一个支承部与传感器元件主体连接起来；以及一对梁部，它们将另一个支承部与传感器元件主体连接起来。并且，角速度传感器元件的一对支承部借助导电性的接合部件固定在电路元件的上表面。
专利文献1：日本特开2016-85179号公报
在这样的振动器件中，通常在将电路元件和角速度传感器元件搭载于基座的状态下向角速度传感器元件照射激光，将电极的一部分除去来调整质量，由此进行驱动频率的调整。但是，由于电路元件位于角速度传感器元件的正下方，因此透过了加速度传感器元件的激光有可能照射在电路元件上而损伤电路元件。另外，需要设置用于保护电路元件免受激光影响的保护膜等其他部件，成为导致装置结构复杂化、大型化、高成本化的主要原因。
发明内容
本应用例的振动器件的特征在于，具有：
基座；
电路元件，其配置于所述基座；
振动元件，其在俯视观察时至少一部分与所述电路元件重叠配置；以及
支承基板，其配置在所述电路元件与所述振动元件之间，对所述振动元件进行支承，
所述振动元件具有频率调整部，该频率调整部是通过将所述振动元件的至少一部分除去来进行频率调整的，
所述支承基板具有：
基部，其对所述振动元件进行支承；
支承部，其对所述基部进行支承；
梁部，其将所述基部和所述支承部连接起来；以及
具有遮光性的遮蔽部，其配置于所述梁部，在俯视观察时与所述频率调整部重叠。
本应用例的振动器件的特征在于，具有：
基座；
电路元件，其配置于所述基座；
振动元件，其在俯视观察时至少一部分与所述电路元件重叠配置；以及
支承基板，其配置在所述电路元件与所述振动元件之间，对所述振动元件进行支承，
所述振动元件具有频率调整部，该频率调整部通过将所述振动元件的至少一部分除去来进行频率调整，
所述支承基板具有：
基部，其对所述振动元件进行支承；
支承部，其对所述基部进行支承；
梁部，其将所述基部和所述支承部连接起来；以及
遮蔽部，其具有遮光性，配置于所述基部，在俯视观察时与所述频率调整部重叠。
在本应用例的振动器件中，优选所述振动元件具有振动基板和配置于所述振动基板的电极，
所述振动基板和所述支承基板分别由石英构成。
在本应用例的振动器件中，优选所述振动基板和所述支承基板彼此的晶轴方向一致。
本应用例的振动器件的特征在于，具有：
基座；
电路元件，其配置于所述基座；
振动元件，其在俯视观察时至少一部分与所述电路元件重叠配置；以及
支承基板，其配置在所述电路元件与所述振动元件之间，对所述振动元件进行支承，
所述振动元件具有频率调整部，该频率调整部通过将所述振动元件的至少一部分除去来进行频率调整，
所述支承基板由石英构成，并具有：
基部，其对所述振动元件进行支承；
支承部，其对所述基部进行支承；
梁部，其将所述基部和所述支承部连接起来；以及
遮蔽部，其具有遮光性，并配置于所述支承部，在俯视观察时与所述频率调整部重叠。
在本应用例的振动器件中，优选在所述遮蔽部配置有金属膜。
在本应用例的振动器件中，优选具有布线，该布线配置于所述支承基板并与所述振动元件电连接，
所述金属膜的厚度比所述布线的厚度厚。
在本应用例的振动器件中，优选所述支承基板在所述支承部处与所述基座连接。
在本应用例的振动器件中，优选所述振动元件是检测物理量的物理量传感器元件。
本应用例的电子设备的特征在于，具有：
上述振动器件；以及
信号处理电路，其根据所述振动器件的输出信号来进行信号处理。
本应用例的移动体的特征在于，具有：
上述振动器件；以及
信号处理电路，其根据所述振动器件的输出信号来进行信号处理。
附图说明
图1是示出第1实施方式的振动器件的剖视图。
图2是示出图1的振动器件的俯视图。
图3是示出图1的振动器件所具有的振动元件的俯视图。
图4是对图3的振动元件的驱动进行说明的示意图。
图5是对图3的振动元件的驱动进行说明的示意图。
图6是示出图1所示的振动器件所具有的支承基板的俯视图。
图7是图6中的F-F线剖视图。
图8是示出第2实施方式的振动器件所具有的支承基板的俯视图。
图9是示出第3实施方式的振动器件所具有的支承基板的俯视图。
图10是示出第4实施方式的振动器件的俯视图。
图11是示出第5实施方式的个人计算机的立体图。
图12是示出第6实施方式的移动电话的立体图。
图13是示出第7实施方式的数字静态照相机的立体图。
图14是示出第8实施方式的汽车的立体图。
标号说明
1：振动器件；2：封装；21：基座；211、211a、211b、211c：凹部；22：盖；23：接合部件；241、242：内部端子；243：外部端子；3：电路元件；4：支承基板；40：基部；400：连结部；411、412：支承部；42、43、44、45：梁部；421、431、441、451：弯曲部；46、47、48、49：遮蔽部；5：布线；511、512、521、522、531、532、541、542、551、552、561、562：端子；513、523、533、543、553、563：引出布线；58：金属膜；581：第1部分；582：第2部分；6：振动元件；7：振动基板；70：基部；701、702、703、704、705、706：端子；71、72：检测臂；711、721：宽幅部；73、74：连结臂；75、76、77、78：驱动臂；751、761、771、781：宽幅部；8：电极；80：频率调整部；81：驱动信号电极；82：驱动接地电极；83：第1检测信号电极；84：第1检测接地电极；85：第2检测信号电极；86：第2检测接地电极；87：金属膜；1100：个人计算机；1102：键盘；1104主体部；1106：显示单元；1108：显示部；1110：信号处理电路；1200：移动电话；1202：操作按钮；1204：听筒；1206：话筒；1208：显示部；1210：信号处理电路；1300：数字静态照相机；1302：壳体；1304：受光单元；1306：快门按钮；1308：存储器；1310：显示部；1312：信号处理电路；1500：汽车；1502：系统；1510：信号处理电路；B1、B2：接合部件；BW：键合线；D：箭头；E：箭头；G：间隙；L：激光；S：内部空间；ωc：角速度。
具体实施方式
以下，基于附图所示的实施方式对本应用例的振动器件、电子设备以及移动体进行详细说明。
<第1实施方式>
图1是示出第1实施方式的振动器件的剖视图。图2是示出图1的振动器件的俯视图。图3是示出图1的振动器件所具有的振动元件的俯视图。图4和图5是对图3的振动元件的驱动进行说明的示意图。图6是示出图1所示的振动器件所具有的支承基板的俯视图。图7是图6中的F-F线剖视图。另外，为了便于说明，在各图中示出了作为相互正交的3个轴的A轴、B轴以及C轴。另外，以下，将各轴的箭头前端侧称为“正侧”，将相反侧称为“负侧”。另外，C轴方向的正侧也称为“上”，负侧也称为“下”。另外，也将从C轴方向的俯视观察简称为“俯视观察”。
图1所示的振动器件1是检测绕C轴的角速度ωc的物理量传感器。通过将振动器件1作为物理量传感器，能够将振动器件1搭载于多种电子设备中，成为便利性高的振动器件1。这样的振动器件1具有封装2以及收纳在封装2中的电路元件3、支承基板4、振动元件6。
封装2具有：基座21，其具有在上表面开口的凹部211；以及盖22，其以封闭凹部211的开口的方式经由接合部件23与基座21的上表面接合。在封装2的内侧由凹部211形成内部空间S，在内部空间S中收纳有电路元件3、支承基板4以及振动元件6。另外，基座21可以由氧化铝等陶瓷构成，盖22可以由科瓦合金等金属材料构成。但是，作为基座21和盖22的构成材料，均没有特别限定。
内部空间S是气密的，处于减压状态(优选更接近真空的状态)。由此，提高了振动元件6的振动特性。但是，内部空间S的气氛没有特别限定，例如也可以为大气压状态、加压状态。
另外，凹部211由多个凹部构成，具有：凹部211a，其在基座21的上表面开口；凹部211b，其在凹部211a的底面开口且开口宽度比凹部211a小；以及凹部211c，其在凹部211b的底面开口且开口宽度比凹部211b小。而且，在凹部211a的底面以支承着振动元件6的状态固定有支承基板4，在凹部211c的底面固定有电路元件3。
另外，如图2所示，在内部空间S中，振动元件6、支承基板4以及电路元件3各自的至少一部分在俯视观察时相互重叠地配置。换言之，振动元件6、支承基板4以及电路元件3沿C轴方向排列配置。由此，能够抑制封装2向A轴方向和B轴方向扩展，能够实现振动器件1的小型化。另外，支承基板4位于振动元件6与电路元件3之间，以从下侧即C轴方向负侧支承振动元件6的方式进行支承。
另外，如图1和图2所示，在凹部211a的底面配置有多个内部端子241，在凹部211b的底面配置有多个内部端子242，在基座21的下表面配置有多个外部端子243。这些内部端子241、242和外部端子243经由形成在基座21内的未图示的布线电连接。另外，内部端子241经由导电性的接合部件B1、B2、支承基板4与振动元件6电连接，内部端子242经由键合线BW与电路元件3电连接。
振动元件6是能够检测绕C轴的角速度ωc的角速度传感器元件(物理量传感器元件)。如图3所示，振动元件6具有振动基板7以及配置于振动基板7的表面的电极8。另外，振动基板7由Z切的石英基板构成，具有：基部70，其位于元件的中央部；检测臂71、72，它们从基部70朝向B轴方向两侧延伸；连结臂73、74，它们从基部70朝向A轴方向两侧延伸；驱动臂75、76，它们从连结臂73的末端部朝向B轴方向两侧延伸；以及驱动臂77、78，它们从连结臂74的末端部朝向B轴方向两侧延伸。另外，Z切的石英基板在由石英的晶轴即X轴(电气轴)和Y轴(机械轴)规定的X-Y平面上具有扩展，在Z轴(光轴)方向上具有厚度。
另外，各检测臂71、72在其末端部具有宽度比基端侧的部分宽的宽幅部711、721。另外，各驱动臂75、76、77、78在其末端部具有宽度比基端侧的部分宽的宽幅部751、761、771、781。
另外，电极8具有驱动信号电极81、驱动接地电极82、第1检测信号电极83、第1检测接地电极84、第2检测信号电极85以及第2检测接地电极86。驱动信号电极81配置在驱动臂75、76的上下表面和驱动臂77、78的两侧面。另一方面，驱动接地电极82配置在驱动臂75、76的两侧面和驱动臂77、78的上下表面。另外，第1检测信号电极83配置在检测臂71的上下表面，第1检测接地电极84配置在检测臂71的两侧面。另一方面，第2检测信号电极85配置在检测臂72的上下表面，第2检测接地电极86配置在检测臂72的两侧面。
另外，这些电极81～86分别引绕至基部70的下表面。因此，在基部70的下表面配置有：端子701，其与驱动信号电极81电连接；端子702，其与驱动接地电极82电连接；端子703，其与第1检测信号电极83电连接；端子704，其与第1检测接地电极84电连接；端子705，其与第2检测信号电极85电连接；以及端子706，其与第2检测接地电极86电连接。
这样的振动元件6按照如下方式来检测角速度ωc。首先，当在驱动信号电极81和驱动接地电极82之间施加驱动信号时，驱动臂75～78以图4所示的驱动振动模式进行振动。在以驱动振动模式进行振动的状态下，当对振动元件6施加角速度ωc时，会新激励出图5所示的检测振动模式。在检测振动模式中，对驱动臂75～78作用科里奥利力而激励出箭头D所示的方向的振动，检测臂71、72响应该振动而向箭头E所示的方向弯曲振动。将通过这样的检测振动模式在检测臂71产生的电荷作为第1检测信号从第1检测信号电极83和第1检测接地电极84之间取出，将在检测臂72产生的电荷作为第2检测信号从第2检测信号电极85和第2检测接地电极86之间取出，能够根据这些第1检测信号、第2检测信号来检测角速度ωc。
另外，如图3所示，振动元件6具有频率调整部80，该频率调整部80具有配置在驱动臂75～78的宽幅部751～781上的金属膜87。在振动器件1中，在将盖22与基座21接合之前，从C轴方向正侧向金属膜87照射激光，将金属膜87的至少一部分除去，由此能够减少驱动臂75～78的质量，对振动元件6的振动平衡和驱动频率进行调整。这样的金属膜87与电极8一体形成。
作为金属膜87即电极8的结构，没有特别限定，例如可以采用在Cr(铬)、Ni(镍)等的基底层上层叠Au(金)、Al(铝)、以Au或Al为主成分的合金等的电极层而成的结构。但是，金属膜87的结构并不限定于此，例如也可以是在与电极8一体形成的部分上进一步层叠其他金属膜的结构。另外，金属膜87也可以与电极8分体形成。另外，频率调整部80也可以具有与金属膜87层叠的膜，或者也可以代替金属膜87而具有由金属以外的材料构成的膜。
如上所述，电路元件3固定在凹部211c的底面上。另外，在电路元件3中包含驱动/检测电路，该驱动/检测电路对振动元件6进行驱动并检测施加在振动元件6上的角速度ωc。但是，作为电路元件3的结构，没有特别限定，例如也可以包含温度补偿电路等其他电路。
如图2所示，支承基板4具有：基部40，其位于该支承基板4的中央部；支承部411、412，它们位于基部40的A轴方向两侧，对基部40进行支承；一对梁部42、43，它们将基部40和支承部411连接起来；一对梁部44、45，它们将基部40和支承部412连接起来；以及具有遮光性的遮蔽部46、47、48、49，它们配置在梁部42、43、44、45的途中。并且，振动元件6的基部70经由导电性的接合部件B2固定于基部40，支承部411、412分别经由接合部件B1固定于凹部211a的底面。即，振动元件6经由支承基板4固定于基座21。这样，通过使支承基板4介于振动元件6与基座21之间，能够利用支承基板4来吸收并缓和从基座21传递的应力，使该应力不容易传递到振动元件6。因此，能够有效地抑制振动元件6的振动特性的下降或变动。
另外，作为接合部件B1、B2，只要兼具导电性和接合性，则没有特别限定，例如可以使用金凸块、银凸块、铜凸块、焊锡凸块等各种金属凸块以及在聚酰亚胺系、环氧系、硅酮系、丙烯酸系的各种粘接剂中分散有银填料等导电性填料而成的导电性粘接剂等。如果使用前者的金属凸块来作为接合部件B1、B2，则能够抑制来自接合部件B1、B2的气体的产生，能够有效地抑制内部空间S的环境变化，特别是压力的上升。另一方面，如果使用后者的导电性粘接剂来作为接合部件B1、B2，则接合部件B1、B2比较柔软，接合部件B1、B2也能够吸收并缓和上述的应力。
在本实施方式中，使用导电性粘接剂来作为接合部件B1，使用金属凸块来作为接合部件B2。通过使用导电性粘接剂来作为将作为异种材料的支承基板4和基座21接合起来的接合部件B1，能够通过接合部件B1来有效地吸收并缓和因它们之间的热膨胀系数差而产生的热应力。另一方面，由于支承基板4和振动元件6由配置在比较狭窄的区域中的6个接合部件B2进行接合，因此通过使用金属凸块来作为接合部件B2，能够抑制导电性粘接剂那样的润湿扩展，从而能够有效地抑制接合部件B2彼此的接触。
特别是，如图3所示，梁部42、43、44、45分别在其途中具有呈S字状曲折的弯曲部421、431、441、451，成为容易在A轴方向和B轴方向上发生弹性变形的形状。因此，能够通过梁部42～45来更有效地吸收并缓和从基座21传递的应力。但是，梁部42～45的形状均没有特别限定，例如也可以省略弯曲部421～451而形成为直线状。另外，梁部42～45也可以是至少一个与其他形状不同的形状。
这样的支承基板4由石英构成。即，支承基板4由石英基板形成。这样，通过与振动基板7同样地由石英基板形成支承基板4，能够使支承基板4与振动基板7的热膨胀系数相等。因此，在支承基板4和振动基板7之间实质上不产生由彼此的热膨胀系数差引起的热应力，振动元件6更不容易受到应力。因此，能够更有效地抑制振动元件6的振动特性的下降或变动。
特别是，支承基板4由切角与振动元件6所具有的振动基板7的切角相同的石英基板形成。如上所述，由于振动基板7由Z切石英基板形成，因此支承基板4也由Z切石英基板形成。此外，支承基板4的晶轴的方向与振动基板7的晶轴的方向一致。即，在支承基板4和振动基板7中，X轴的方向彼此一致，Y轴的方向彼此一致，Z轴的方向彼此一致。由于石英的热膨胀系数在X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向上分别不同，因此，通过使支承基板4和振动基板7为相同的切角并使彼此的晶轴的方向一致，从而在支承基板4和振动基板7之间更不容易产生上述的热应力。因此，振动元件6更不容易受到应力，能够更有效地抑制其振动特性的下降或变动。
另外，作为支承基板4，并不限定于此，例如，也可以是切角与振动基板7相同但晶轴的方向与振动基板7不同。另外，支承基板4也可以由切角与振动基板7不同的石英基板形成。另外，支承基板4也可以不由石英基板形成。在该情况下，支承基板4的构成材料优选为与石英的热膨胀系数之差小于石英与基底21的构成材料的热膨胀系数之差的材料。
另外，在这样的支承基板4上配置有将振动元件6和内部端子241电连接的布线5。如图6所示，布线5具有：端子511、521、531、541、551、561，它们配置于基部40；端子512、532、542，它们配置于支承部411；以及端子522、552、562，它们配置于支承部412。另外，布线5具有：引出布线513，其穿过梁部42而将端子511和端子512连接起来；引出布线523，其穿过梁部44而将端子521和端子522连接起来；引出布线533，其穿过梁部43而将端子531和端子532连接起来；引出布线543，其穿过梁部42、43而将端子541和端子542连接起来；引出布线553，其穿过梁部45而将端子551和端子552连接起来；以及引出布线563，其穿过梁部44、45而将端子561和端子562连接起来。
而且，虽然未图示，但配置于基部40的端子511～561经由导电性的接合部件B2与配置于振动元件6的基部70的端子701～706电连接，配置于支承部411、412的端子512～562经由导电性的接合部件B1与内部端子241电连接。由此，振动元件6和内部端子241经由布线5电连接。
另外，在俯视观察时，配置在梁部42的途中的遮蔽部46与驱动臂75的宽幅部751重叠配置，配置在梁部43的途中的遮蔽部47与驱动臂76的宽幅部761重叠配置，配置在梁部44的途中的遮蔽部48与驱动臂77的宽幅部771重叠配置，配置在梁部45的途中的遮蔽部49与驱动臂78的宽幅部781重叠配置。换言之，遮蔽部46位于宽幅部751与电路元件3之间，遮蔽部47位于宽幅部761与电路元件3之间，遮蔽部48位于宽幅部771与电路元件3之间，遮蔽部49位于宽幅部781与电路元件3之间。
另外，在各遮蔽部46、47、48、49上配置有金属膜58。因此，各遮蔽部46、47、48、49能够发挥阻止激光透过的遮光性。利用这样的遮蔽部46、47、48、49，如图7所示，在用于调整振动元件6的驱动频率的激光L透过振动元件6时，能够在电路元件3的跟前切断该透过的激光L。因此，能够抑制激光L向电路元件3的照射，能够有效地抑制激光L对电路元件3的损伤。
另外，作为遮蔽部46、47、48、49的遮光性，只要能够阻止激光L的至少一部分的透过，则没有特别限定，但优选能够遮挡激光L的50％以上，更优选能够遮挡80％以上，进一步优选能够遮挡95％以上。由此，能够更有效地抑制上述的电路元件3的损伤。
这里，如上所述，由于支承基板4被固定于基座21，因此能够确保振动元件6与电路元件3之间的间隙G比较宽。因此，即使透过了振动元件6的激光L进一步透过遮蔽部46、47、48、49而照射到电路元件3，该激光L也会在电路元件3上充分扩散，能够抑制局部被施加高能量的情况。因此，能够更有效地抑制电路元件3的损伤。但是，并不限定于此，例如，支承基板4也可以在支承部411、412中固定于电路元件3的上表面。
另外，如图7所示，配置于各遮蔽部46、47、48、49的金属膜58具有与布线5一体形成的第1部分581和层叠在第1部分581上的第2部分582。因此，金属膜58的厚度t1比布线5的厚度t2厚。即，t1>t2。通过采用这样的结构，能够使金属膜58足够厚，能够提高激光L的遮光性。另外，由于第1部分581与布线5共同化，所以容易形成金属膜58。
作为第1部分581即布线5的结构，没有特别限定，例如可以采用在Cr(铬)、Ni(镍)等的基底层上层叠Au(金)、Al(铝)、以Au或Al为主成分的合金等的电极层而成的结构。另外，作为第2部分582，没有特别限定，例如可以采用与上述电极层相同的材料。另外，在本实施方式中，第1部分581与布线5连接，但不限于此，第1部分581也可以与布线5分离。
金属膜58的厚度t1没有特别限定，例如优选为1.2≤t1/t2≤5.0，更优选为1.5≤t1/t2≤3.0，进一步优选为2.0≤t1/t2≤2.5。由此，可得到能够抑制金属膜58的过度厚壁化并且具有优异的遮光性的遮蔽部46、47、48、49。
以上，对振动器件1进行了说明。如上所述，振动器件1具有：基座21；电路元件3，其配置于基座21；振动元件6，其在俯视观察时至少一部分与电路元件3重叠配置；以及支承基板4，其配置在电路元件3与振动元件6之间，对振动元件6进行支承。另外，振动元件6具有频率调整部80，该频率调整部80通过将振动元件6的至少一部分除去来进行频率调整。并且，支承基板4具有：基部40，其对振动元件6进行支承；支承部411、412，它们对基部40进行支承；梁部42、43、44、45，它们将基部40和支承部411、412连接起来；以及具有遮光性的遮蔽部46、47、48、49，它们配置于梁部42、43、44、45，在俯视观察时与频率调整部80重叠。由此，在用于调整振动元件6的频率的激光L透过振动元件6时，能够在电路元件3的跟前利用遮蔽部46、47、48、49来切断该透过的激光L。因此，激光L不会照射到电路元件3上，能够有效地抑制激光L对电路元件3的损伤。
另外，如上所述，振动元件6具有振动基板7和配置于振动基板7的电极8。并且，振动基板7和支承基板4分别由石英构成。这样，通过与振动基板7同样地由石英构成支承基板4，能够使支承基板4与振动基板7的热膨胀系数相等。因此，在支承基板4与振动基板7之间实质上不产生由彼此的热膨胀系数差引起的热应力，振动元件6更不容易受到应力。因此，能够更有效地抑制振动元件6的振动特性的下降或变动。
另外，如上所述，振动基板7和支承基板4的彼此的晶轴的方向一致。即，在支承基板4和振动基板7中，X轴的方向彼此一致，Y轴的方向彼此一致，Z轴的方向彼此一致。由于石英的热膨胀系数在X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向上分别不同，因此通过使支承基板4与振动基板7的晶轴一致，在支承基板4与振动基板7之间更不容易产生上述的热应力。因此，振动元件6更不容易受到应力，能够更有效地抑制其振动特性的下降或变动。
另外，如上所述，在遮蔽部46、47、48、49配置有金属膜58。由此，遮蔽部46、47、48、49的结构变得简单，并且能够发挥优异的遮光性。
另外，如上所述，振动器件1具有配置于支承基板4并与振动元件6电连接的布线5。而且，金属膜58的厚度t1比布线5的厚度t2厚。由此，能够使金属膜58足够厚，能够进一步提高激光L的遮光性。
另外，如上所述，支承基板4的支承部411、412与基座21连接。由此，能够以稳定的姿势将支承基板4固定。进而，能够确保振动元件6与电路元件3之间的间隙G较宽，因此即使透过了振动元件6的激光L进一步透过遮蔽部46、47、48、49而照射到电路元件3，该激光L也会在电路元件3上充分扩散，能够抑制局部被施加高能量。因此，能够更有效地抑制电路元件3的损伤。
另外，如上所述，振动元件6是检测物理量的物理量传感器元件。特别是，在本实施方式中，振动元件6是检测角速度ωc的角速度传感器元件。由此，能够将振动器件1搭载于多种电子设备，成为便利性高的振动器件1。
<第2实施方式>
图8是示出第2实施方式的振动器件所具有的支承基板的俯视图。
本实施方式除了支承基板4的结构不同以外，其他部分与上述第1实施方式相同。另外，在以下的说明中，对于本实施方式，以与上述实施方式的不同点为中心来进行说明，对相同的事项省略其说明。另外，在图8中，对与上述实施方式相同的结构标注相同的标号。
如图8所示，在本实施方式的支承基板4中，遮蔽部46～49分别配置于基部40。具体而言，遮蔽部46～49分别经由连结部400与基部40连接。根据这样的结构，也可以不将遮蔽部46～49配置于梁部42～45。因此，使梁部42～45变软，更容易弹性变形。因此，能够通过梁部42～45来更有效地吸收并缓和热应力。
如上所述，本实施方式的振动器件1具有：基座21；电路元件3，其配置于基座21；振动元件6，其在俯视观察时至少一部分与电路元件3重叠配置；以及支承基板4，其配置在电路元件3与振动元件6之间，对振动元件6进行支承。另外，振动元件6具有频率调整部80，该频率调整部80通过将振动元件6的至少一部分除去来进行频率调整。而且，支承基板4具有：基部40，其对振动元件6进行支承；支承部411、412，它们对基部40进行支承；梁部42、43、44、45，它们将基部40和支承部411、412连接起来；以及具有遮光性的遮蔽部46、47、48、49，它们配置于基部40，在俯视观察时与频率调整部80重叠。由此，在用于调整振动元件6的频率的激光L透过振动元件6时，能够在电路元件3的跟前利用遮蔽部46、47、48、49来切断该透过的激光L。因此，激光L不会照射到电路元件3上，能够有效地抑制激光L对电路元件3的损伤。
<第3实施方式>
图9是示出第3实施方式的振动器件所具有的支承基板的俯视图。
本实施方式除了支承基板4的结构不同以外，其他部分与上述第1实施方式相同。另外，在以下的说明中，对于本实施方式，以与上述实施方式的不同点为中心来进行说明，对相同的事项省略其说明。另外，在图9中，对与上述实施方式相同的结构标注相同的标号。
如图9所示，本实施方式的支承基板4与上述第1实施方式同样地由石英构成。但是，与第1实施方式不同，遮蔽部46、47配置于支承部411，遮蔽部48、49配置于支承部412。具体而言，遮蔽部46、47分别从支承部411向A轴方向负侧突出地配置，遮蔽部48、49分别从支承部412向A轴方向正侧突出地配置。
通过将遮蔽部46～49配置于支承部411、412，例如与上述第1实施方式相比，使遮蔽部46～49的姿势稳定。即，梁部42～45容易因热应力或冲击而变形，遮蔽部46～49的姿势或位置有可能因该变形而发生变化。与此相对，由于支承部411、412是固定于基座21的部分，所以其姿势稳定。因此，通过将遮蔽部46～49配置于支承部411、412，从而使遮蔽部46～49的姿势稳定，能够更可靠地发挥遮蔽部46～49的效果。进而，通过不将遮蔽部46～49配置于梁部42～45，从而使梁部42～45变软，容易弹性变形。因此，能够更有效地吸收并缓和热应力。
如上所述，本实施方式的振动器件1具有：基座21；电路元件3，其配置于基座21；振动元件6，其在俯视观察时至少一部分与电路元件3重叠配置；以及支承基板4，其配置在电路元件3与振动元件6之间，对振动元件6进行支承。另外，振动元件6具有频率调整部80，该频率调整部80通过将振动元件6的至少一部分除去来进行频率调整。而且，支承基板4由石英构成，具有：基部40，其对振动元件6进行支承；支承部411、412，它们对基部40进行支承；梁部42～45，它们将基部40和支承部411、412连接起来；以及具有遮光性的遮蔽部46～49，它们配置于支承部411、412，在俯视观察时与频率调整部80重叠。由此，在用于调整振动元件6的频率的激光L透过振动元件6时，能够在电路元件3的跟前利用遮蔽部46、47、48、49来切断该透过的激光L。因此，激光L不会照射到电路元件3上，能够有效地抑制激光L对电路元件3的损伤。
<第4实施方式>
图10是示出第4实施方式的振动器件的俯视图。
本实施方式除了振动元件6的方向不同以外，其他部分与上述第1实施方式相同。另外，在以下的说明中，对于本实施方式，以与上述实施方式的不同点为中心来进行说明，对相同的事项省略其说明。另外，在图10中，对与上述实施方式相同的结构标注相同的标号。
如图10所示，在本实施方式的振动器件1中，与上述第1实施方式相比，振动元件6以围绕C轴旋转90°的姿势配置。另外，与此对应地，支承基板4的晶轴也绕C轴旋转90°，振动基板7与支承基板4的晶轴的方向一致。根据这样的结构，也能够发挥与上述第1实施方式相同的效果。
<第5实施方式>
图11是示出第5实施方式的个人计算机的立体图。
图11所示的作为电子设备的个人计算机1100由具有键盘1102的主体部1104和具有显示部1108的显示单元1106构成，显示单元1106借助铰链构造部而被支承为能够相对于主体部1104转动。另外，在个人计算机1100中内置有作为物理量传感器的振动器件1和根据来自振动器件1的输出信号来进行信号处理即各部分的控制的信号处理电路1110。
这样，作为电子设备的个人计算机1100具有振动器件1和根据振动器件1的输出信号来进行信号处理的信号处理电路1110。因此，能够享受上述振动器件1的效果，能够发挥高可靠性。
<第6实施方式>
图12是示出第6实施方式的移动电话的立体图。
图12所示的作为电子设备的移动电话1200具有未图示的天线、多个操作按钮1202、听筒1204以及话筒1206，在操作按钮1202与听筒1204之间配置有显示部1208。另外，在移动电话1200中内置有作为物理量传感器的振动器件1和根据来自振动器件1的输出信号来进行信号处理即各部分的控制的信号处理电路1210。
这样，作为电子设备的移动电话1200具有振动器件1和根据振动器件1的输出信号来进行信号处理的信号处理电路1210。因此，能够享受上述振动器件1的效果，能够发挥高可靠性。
<第7实施方式>
图13是示出第7实施方式的数字静态照相机的立体图。
图13所示的作为电子设备的数字静态照相机1300具有壳体1302，在该壳体1302的背面设置有显示部1310。显示部1310构成为基于CCD的摄像信号来进行显示的结构，作为将被摄体显示为电子图像的取景器来发挥功能。另外，在壳体1302的正面侧设置有包含光学透镜或CCD等的受光单元1304。然后，当摄影者确认显示在显示部1310中的被摄体像而按下快门按钮1306时，该时刻的CCD的摄像信号被传送并存储在存储器1308中。另外，在数字静态照相机1300中内置有作为物理量传感器的振动器件1和根据来自振动器件1的输出信号来进行信号处理即各部分的控制的信号处理电路1312。
这样，作为电子设备的数字静态照相机1300具有振动器件1和根据振动器件1的输出信号来进行信号处理的信号处理电路1312。因此，能够享受上述振动器件1的效果，能够发挥高可靠性。
另外，具有振动器件1的电子设备除了上述的个人计算机1100、移动电话1200及数字静态照相机1300之外，例如还可以是智能手机、平板电脑终端、包括智能手表在内的钟表、喷墨式喷出装置(例如喷墨打印机)、HMD(头戴显示器)等可穿戴终端、电视、摄像机、录像机、汽车导航装置、寻呼机、附带通信功能的电子记事本、电子辞典、计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作台、可视电话、防盗用电视监视器、电子双筒望远镜、POS终端、电子体温计、血压计、血糖计、心电图测量装置、超声波诊断装置、电子内窥镜那样的医疗设备、鱼群探测器、各种测定设备、车辆、航空器、船舶那样的仪表类、便携终端用的基站、飞行模拟器等。
<第8实施方式>
图14是示出第8实施方式的汽车的立体图。
图14所示的作为移动体的汽车1500包括发动机系统、制动系统以及无钥匙进入系统等系统1502。另外，在汽车1500中内置有作为物理量传感器的振动器件1和根据来自振动器件1的输出信号来进行信号处理即系统1502的控制的信号处理电路1510。
这样，作为移动体的汽车1500具有振动器件1和根据振动器件1的输出信号(振荡信号)来进行信号处理的信号处理电路1510。因此，能够享受上述振动器件1的效果，能够发挥高可靠性。
另外，具有振动器件1的移动体除了汽车1500之外，例如也可以是机器人、无人飞机、二轮车、航空器、船舶、电车、火箭、航天器等。
以上，根据图示的实施方式对本发明的振动器件、电子设备以及移动体进行了说明，但本发明并不限定于此，各部分的结构可以置换成具有同样功能的任意结构。另外，也可以在本发明中附加其他任意的构成物。另外，也可以对各实施方式进行适当组合。

Claims (21)

1.一种振动器件，其特征在于，该振动器件具有：
基座；
电路元件，其配置于所述基座；
振动元件，其在俯视观察时至少一部分与所述电路元件重叠配置；以及
支承基板，其配置在所述电路元件与所述振动元件之间，对所述振动元件进行支承，
所述振动元件具有频率调整部，该频率调整部是通过将所述振动元件的至少一部分除去来进行频率调整的，
所述支承基板具有：
基部，其对所述振动元件进行支承；
支承部，其对所述基部进行支承；
梁部，其将所述基部和所述支承部连接起来；以及
具有遮光性的遮蔽部，其配置于所述梁部，在俯视观察时与所述频率调整部重叠。
2.根据权利要求1所述的振动器件，其特征在于，
所述振动元件具有振动基板和配置于所述振动基板的电极，
所述振动基板和所述支承基板分别由石英构成。
3.根据权利要求2所述的振动器件，其特征在于，
所述振动基板和所述支承基板彼此的晶轴方向一致。
4.根据权利要求1所述的振动器件，其特征在于，
在所述遮蔽部配置有金属膜。
5.根据权利要求4所述的振动器件，其特征在于，
所述振动器件具有布线，该布线配置于所述支承基板并与所述振动元件电连接，
所述金属膜的厚度比所述布线的厚度厚。
6.根据权利要求1所述的振动器件，其特征在于，
所述支承基板在所述支承部处与所述基座连接。
7.根据权利要求1所述的振动器件，其特征在于，
所述振动元件是检测物理量的物理量传感器元件。
8.一种振动器件，其特征在于，该振动器件具有：
基座；
电路元件，其配置于所述基座；
振动元件，其在俯视观察时至少一部分与所述电路元件重叠配置；以及
支承基板，其配置在所述电路元件与所述振动元件之间，对所述振动元件进行支承，
所述振动元件具有频率调整部，该频率调整部是通过将所述振动元件的至少一部分除去来进行频率调整，
所述支承基板具有：
基部，其对所述振动元件进行支承；
支承部，其对所述基部进行支承；
梁部，其将所述基部和所述支承部连接起来；以及
具有遮光性的遮蔽部，其配置于所述基部，在俯视观察时与所述频率调整部重叠。
9.根据权利要求8所述的振动器件，其特征在于，
所述振动元件具有振动基板和配置于所述振动基板的电极，
所述振动基板和所述支承基板分别由石英构成。
10.根据权利要求9所述的振动器件，其特征在于，
所述振动基板和所述支承基板彼此的晶轴方向一致。
11.根据权利要求8所述的振动器件，其特征在于，
在所述遮蔽部配置有金属膜。
12.根据权利要求11所述的振动器件，其特征在于，
所述振动器件具有布线，该布线配置于所述支承基板并与所述振动元件电连接，
所述金属膜的厚度比所述布线的厚度厚。
13.根据权利要求8所述的振动器件，其特征在于，
所述支承基板在所述支承部处与所述基座连接。
14.根据权利要求8所述的振动器件，其特征在于，
所述振动元件是检测物理量的物理量传感器元件。
15.一种振动器件，其特征在于，该振动器件具有：
基座；
电路元件，其配置于所述基座；
振动元件，其在俯视观察时至少一部分与所述电路元件重叠地配置；以及
支承基板，其配置在所述电路元件与所述振动元件之间，对所述振动元件进行支承，
所述振动元件具有频率调整部，该频率调整部是通过将所述振动元件的至少一部分除去来进行频率调整，
所述支承基板由石英构成，并具有：
基部，其对所述振动元件进行支承；
支承部，其对所述基部进行支承；
梁部，其将所述基部和所述支承部连接起来；以及
具有遮光性的遮蔽部，其配置于所述支承部，在俯视观察时与所述频率调整部重叠。
16.根据权利要求15所述的振动器件，其特征在于，
在所述遮蔽部配置有金属膜。
17.根据权利要求16所述的振动器件，其特征在于，
所述振动器件具有布线，该布线配置于所述支承基板并与所述振动元件电连接，
所述金属膜的厚度比所述布线的厚度厚。
18.根据权利要求15所述的振动器件，其特征在于，
所述支承基板在所述支承部处与所述基座连接。
19.根据权利要求15所述的振动器件，其特征在于，
所述振动元件是检测物理量的物理量传感器元件。
20.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备具有：
权利要求1至19中的任意一项所述的振动器件；以及
信号处理电路，其根据所述振动器件的输出信号来进行信号处理。
21.一种移动体，其特征在于，该移动体具有：
权利要求1至19中的任意一项所述的振动器件；以及
信号处理电路，其根据所述振动器件的输出信号来进行信号处理。
CN202010146827.9A 2019-03-08 2020-03-05 振动器件、电子设备以及移动体 Active CN111669127B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310579826.7A CN116388695A (zh) 2019-03-08 2020-03-05 振动器件、电子设备、移动体以及振动器件的频率调整方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-042321 2019-03-08
JP2019042321A JP2020144062A (ja) 2019-03-08 2019-03-08 振動デバイス、電子機器および移動体

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310579826.7A Division CN116388695A (zh) 2019-03-08 2020-03-05 振动器件、电子设备、移动体以及振动器件的频率调整方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111669127A CN111669127A (zh) 2020-09-15
CN111669127B true CN111669127B (zh) 2023-06-09

Family

ID=72335109

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010146827.9A Active CN111669127B (zh) 2019-03-08 2020-03-05 振动器件、电子设备以及移动体
CN202310579826.7A Pending CN116388695A (zh) 2019-03-08 2020-03-05 振动器件、电子设备、移动体以及振动器件的频率调整方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310579826.7A Pending CN116388695A (zh) 2019-03-08 2020-03-05 振动器件、电子设备、移动体以及振动器件的频率调整方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11444235B2 (zh)
JP (1) JP2020144062A (zh)
CN (2) CN111669127B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020213477A1 (ja) * 2019-04-19 2020-10-22 株式会社村田製作所 振動装置
JP7251385B2 (ja) 2019-07-30 2023-04-04 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、電子機器および移動体
JP2021117070A (ja) * 2020-01-24 2021-08-10 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、電子機器、及び移動体

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016085179A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 セイコーエプソン株式会社 物理量検出振動素子、物理量センサー、電子機器および移動体
JP2017106815A (ja) * 2015-12-10 2017-06-15 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器及び移動体
CN108627149A (zh) * 2017-03-23 2018-10-09 精工爱普生株式会社 振动器件、角速度传感器、电子设备和移动体
CN109217824A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 精工爱普生株式会社 振动元件及其频率调整方法、振子、电子设备和移动体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4929802B2 (ja) 2006-04-10 2012-05-09 セイコーエプソン株式会社 圧電デバイス
JP5682361B2 (ja) 2011-02-17 2015-03-11 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、モーションセンサー、および電子機器
JP5870532B2 (ja) * 2011-08-09 2016-03-01 セイコーエプソン株式会社 物理量検出素子、物理量検出装置および電子機器
JP5943186B2 (ja) * 2012-03-19 2016-06-29 セイコーエプソン株式会社 振動片、振動子、電子デバイス、および電子機器
US9013242B2 (en) * 2012-03-27 2015-04-21 Seiko Epson Corporation Resonator element, resonator, electronic device, electronic apparatus, and mobile object
US10295346B2 (en) 2014-10-28 2019-05-21 Seiko Epson Corporation Physical quantity detecting vibration element, physical quantity sensor, electronic apparatus, and moving object

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016085179A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 セイコーエプソン株式会社 物理量検出振動素子、物理量センサー、電子機器および移動体
JP2017106815A (ja) * 2015-12-10 2017-06-15 セイコーエプソン株式会社 振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器及び移動体
CN108627149A (zh) * 2017-03-23 2018-10-09 精工爱普生株式会社 振动器件、角速度传感器、电子设备和移动体
CN109217824A (zh) * 2017-06-30 2019-01-15 精工爱普生株式会社 振动元件及其频率调整方法、振子、电子设备和移动体

Also Published As

Publication number Publication date
CN111669127A (zh) 2020-09-15
JP2020144062A (ja) 2020-09-10
CN116388695A (zh) 2023-07-04
US20200284815A1 (en) 2020-09-10
US11444235B2 (en) 2022-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10760908B2 (en) Vibration device, angular velocity sensor, electronic device, and vehicle
CN111669127B (zh) 振动器件、电子设备以及移动体
US9933261B2 (en) Physical quantity sensor, electronic apparatus and moving object
US8804316B2 (en) Electronic device package, electronic device, and electronic apparatus
US11650054B2 (en) Vibrator device, electronic apparatus, and vehicle
JP2023104966A (ja) 振動デバイス、電子機器および移動体
US20220236058A1 (en) Vibrator Device, Electronic Apparatus, And Vehicle
JP2021032831A (ja) 振動デバイス、電子機器および移動体
JP2023076518A (ja) 振動デバイス、電子機器および移動体
JP2021032841A (ja) 振動デバイス、電子機器および移動体
JP2019176224A (ja) 振動子、発振器、電子機器および移動体
JP2019169796A (ja) 振動デバイス、電子機器および移動体
JP2021032832A (ja) 振動デバイス、電子機器および移動体
CN111628746A (zh) 振动元件、振动器件、振荡器、电子设备以及移动体
JP2013015420A (ja) 電子デバイスおよび電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant