CN111668141A - 一种引线框架的蚀刻工艺 - Google Patents
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Abstract
一种引线框架的蚀刻工艺，属于引线框架生产技术领域。其特征在于：包括如下步骤：步骤1）将腐蚀液仅喷至引线框架（1）两表面的中部，对引线框架（1）的中部进行预蚀刻，预蚀刻完成后将腐蚀液吸走；步骤2）将腐蚀液喷至引线框架（1）两个表面上，并使腐蚀液覆盖引线框架（1）的两个表面，对引线框架（1）的整个表面进行蚀刻，蚀刻完成后将腐蚀液吸走，然后再对引线框架（1）水洗；步骤3）将碱液喷至引线框架（1）两侧的表面上，使掩膜与引线框架（1）脱离，然后对引线框架（1）水洗；步骤4）对引线框架（1）进行电镀处理；步骤5）对引线框架（1）进行注塑封装。本发明提高了引线框架表面蚀刻的均匀性，生产的引线框架质量稳定。
Description
技术领域
一种引线框架的蚀刻工艺，属于引线框架生产技术领域。
背景技术
引线框架是半导体封装的基础材料，是集成线路芯片的载体，生产引线框架的主要材料是铜合金，主要通过冲压的方式生产，冲压完成后需要对引线框架进行蚀刻，以实现高密度和多脚数引线框架的生产。
蚀刻工艺的基本原理是利用化学感光材料的光敏特性，在铜带上形成抗蚀刻掩膜，通过腐蚀溶液蚀刻掉部分金属，得到所需的产品。在对引线框架进行蚀刻时，由于水池效应的存在，会导致引线框架边沿的位置的铜带蚀刻的程度要远大于中部蚀刻的程度，即引线框架边沿与中部的蚀刻速度不一致，影响了引线框架蚀刻的均匀性，如果要整个引线框架蚀刻的均匀，则很容易出现边沿部分蚀刻过度的现象。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种优先对引线框架中部进行预蚀刻，保证引线框架的整个表面蚀刻均匀的引线框架的蚀刻工艺。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：该引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1）将腐蚀液仅喷至引线框架两表面的中部，对引线框架的中部进行预蚀刻，预蚀刻完成后将腐蚀液吸走；
步骤2）将腐蚀液喷至引线框架两个表面上，并使腐蚀液覆盖引线框架的两个表面，对引线框架的整个表面进行蚀刻，蚀刻完成后将腐蚀液吸走，然后再对引线框架水洗；
步骤3）将碱液喷至引线框架两侧的表面上，使掩膜与引线框架脱离，然后对引线框架水洗；
步骤4）对引线框架进行电镀处理；
步骤5）对引线框架进行注塑封装。
步骤1）中预蚀刻完成后将腐蚀液吸走，步骤2）中蚀刻完成后将腐蚀液吸走，能够避免腐蚀液在引线框架上停留时间过长，导致引线框架对引线框架蚀刻过度。
优选的，步骤1）或步骤2）中所述的腐蚀液通过吸液刀吸走，吸液刀位于引线框架上侧，吸液刀的下侧设置有垂直于引线框架输送方向的吸液口，吸液口连接有抽负压装置。通过吸液刀将引线框架上表面的腐蚀液吸走，能够随着引线框架的输送将整个引线框架表面的腐蚀液吸走，引线框架下侧的腐蚀液在重力作用下与引线框架脱离。
优选的，所述的吸液口与引线框架的间距为0.1~1mm。吸液口与引线框架的间距为0.1~1mm，既能够保证将引线框架上的腐蚀液吸走，又能够避免对引线框架上的掩膜造成破坏。
优选的，步骤3）中所述的碱液为氢氧化钠溶液。
优选的，步骤4）中所述的引线框架经喷砂处理后再进行电镀处理。喷砂后能够增加引线框架表面的粗糙度，保证电镀层与引线框架结合牢固。
优选的，对步骤4）中电镀处理后的所述引线框架再进行喷砂处理。对电镀后的引线框架进行喷砂处理，增加了电镀后引线框架的表面粗糙度，进而保证引线框架塑封更加牢固、可靠。
优选的，所述的喷砂处理所用的喷砂液的体积浓度为10%~20%。根据不同流程或工艺要求，浓度可选 10%~20%之间，浓度越大，机组磨损程度越大。浓度不可大于 20%，否则会导致搅拌电机过载，优选的喷砂液的体积浓度为15%。
优选的，所述的喷砂处理的喷砂压力为0.8~2.0kg/cm2。喷砂压力可以在1.0~2.0kg/cm2、0.8~1.2 kg/cm2、10.~1.3 kg/cm2三个范围内选取，根据工艺要求调整压力，压力越大，机组磨损程度越大。
与现有技术相比，本发明所具有的有益效果是：
本引线框架的蚀刻工艺通过对引线框架的中部进行预蚀刻，对引线框架的中部进行补偿，然后再对整个引线框架表面进行蚀刻，提高了整个引线框架表面蚀刻的均匀性，使整个引线框架的表面达到蚀刻要求，保证生产的引线框架质量稳定。
附图说明
图1为吸液刀吸取引线框架上多余的腐蚀液的示意图。
图中：1、引线框架 2、吸液刀 201、出气口 202、吸液口。
具体实施方式
图1是本发明的最佳实施例，下面结合附图1对本发明做进一步说明。
一种引线框架的蚀刻工艺，包括如下步骤：
步骤1）将腐蚀液仅喷至引线框架1两表面的中部，对引线框架1的中部进行预蚀刻，预蚀刻完成后将腐蚀液吸走。
在对引线框架1进行预蚀刻之前，需要对引线框架1上的水池效应的范围进行测试，即直接将腐蚀液喷至覆铜板的两个表面上，覆铜板的尺寸与引线框架1的尺寸相同，将覆铜板蚀刻到有基材露出，然后测量覆铜板上因水池效应造成蚀铜量较少的水池效应的区域。
将腐蚀液喷至引线框架1两个表面上对应水池效应的区域，并对该区域进行预蚀刻，预蚀刻完成后将腐蚀液吸走。
步骤2）将腐蚀液喷至引线框架1两个表面上，并使腐蚀液覆盖引线框架1的两个表面，对引线框架1的整个表面进行蚀刻，蚀刻完成后将腐蚀液吸走，然后再对引线框架1水洗。
预蚀刻完成后，再将腐蚀液喷至引线框架1的两侧，并使腐蚀液覆盖引线框架1的两个表面，对引线框架1的两个表面进行蚀刻，由于引线框架1两个表面的中部已经进行预蚀刻，因此能够保证整个引线框架1的两个表面蚀刻均匀。
蚀刻完成后，将腐蚀液吸走，然后再对引线框架1进行水洗，将引线框架1上的腐蚀液洗净，避免腐蚀液留在引线框架1上对引线框架1过度蚀刻。
如图1所示：引线框架1上的腐蚀液是通过吸液刀2吸走的，吸液刀2为竖向设置的长方体，吸液刀2垂直于引线框架1的输送方向竖向设置，吸液刀2内设置有负压腔，吸液刀2的顶部设置有出气口201，吸液刀2的下侧设置有垂直于引线框架1的输送方向的吸液口202。出气口201和吸液口202均与吸液刀2的负压腔相连通。吸液刀2设置在引线框架1的上侧，且吸液口202与引线框架1之间的距离为0.1~1mm。
出气口201连接有抽负压装置（图中未画出），抽负压装置包括真空泵以及缓冲罐，真空泵与缓冲罐的顶部相连通，缓冲罐与出气口201相连通，既能够对负压腔抽真空，又能够避免腐蚀液进入到真空泵内腐蚀真空泵，缓冲罐的内壁可以设置耐腐蚀层。
步骤3）将碱液喷至引线框架1的两个表面上，使掩膜与引线框架1脱离，然后对引线框架1水洗。
将碱液喷至引线框架1两侧的表面上，并加热到50~60℃，使掩膜与引线框架1脱离，在本实施例中，碱液为氢氧化钠溶液。碱洗后对引线框架1进行水洗，防止碱液对引线框架1的后续处理造成妨碍。
步骤4）对引线框架1进行电镀处理。
对引线框架1进行喷砂处理后再进行电镀处理，以提高引线框架1的表面粗糙度，使引线框架1与电镀层结合更加牢固。然后再对电镀处理后的引线框架1进行喷砂处理，以提高引线框架1的表面粗糙度，方便后续注塑封装。
喷砂处理所用的喷砂液的体积浓度为10%~20%。根据不同流程或工艺要求，浓度可选 10%~20%之间，浓度越大，机组磨损程度越大。浓度不可大于 20%，否则会导致搅拌电机过载，优选的喷砂液的体积浓度为15%。
喷砂处理的喷砂压力为0.8~2.0kg/cm2。喷砂压力可以在1.0~2.0 kg/cm2、0.8~1.2kg/cm2、10.~1.3 kg/cm2三个范围内选取，根据工艺要求调整压力，压力越大，机组磨损程度越大。
步骤5）对引线框架1进行注塑封装。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非是对本发明作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (8)
1.一种引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1）将腐蚀液仅喷至引线框架（1）两表面的中部，对引线框架（1）的中部进行预蚀刻，预蚀刻完成后将腐蚀液吸走；
步骤2）将腐蚀液喷至引线框架（1）两个表面上，并使腐蚀液覆盖引线框架（1）的两个表面，对引线框架（1）的整个表面进行蚀刻，蚀刻完成后将腐蚀液吸走，然后再对引线框架（1）水洗；
步骤3）将碱液喷至引线框架（1）两侧的表面上，使掩膜与引线框架（1）脱离，然后对引线框架（1）水洗；
步骤4）对引线框架（1）进行电镀处理；
步骤5）对引线框架（1）进行注塑封装。
2.在据权利要求1所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：步骤1）或步骤2）中所述的腐蚀液通过吸液刀（2）吸走，吸液刀（2）位于引线框架（1）上侧，吸液刀（2）的下侧设置有垂直于引线框架（1）输送方向的吸液口（202），吸液口（202）连接有抽负压装置。
3.根据权利要求2所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：所述的吸液口（202）与引线框架（1）的间距为0.1~1mm。
4.根据权利要求1所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：步骤3）中所述的碱液为氢氧化钠溶液。
5.根据权利要求1所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：步骤4）中所述的引线框架（1）经喷砂处理后再进行电镀处理。
6.根据权利要求5所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：对步骤4）中电镀处理后的所述引线框架（1）再进行喷砂处理。
7.根据权利要求5或6所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：所述的喷砂处理所用的喷砂液的体积浓度为10%~20%。
8.根据权利要求7所述的引线框架的蚀刻工艺，其特征在于：所述的喷砂处理的喷砂压力为0.8~2.0kg/cm2。
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