CN218710968U - Tsv电镀抽真空机构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种TSV电镀抽真空机构，包括真空槽、分液辅槽、液位计、真空泵和超声波发生器；真空槽连接进水管和排水管；所述的进水管和排水管上分别设置进水阀和排水阀；真空槽内设置超声波发生器；所述的真空槽通过溢流管与所述的分液辅槽连接；所述的溢流管上设置有溢流阀；所述分液辅槽内设置有液位计；所述的真空槽和所述的分液辅槽连接真空泵，通过真空泵将其抽真空。本实用新型提高工作效率，避免孔底因气泡残留导致的孔底空洞现象。

Description

TSV电镀抽真空机构

技术领域

本实用新型涉及晶圆加工设备，具体涉及一种TSV电镀抽真空机构。

背景技术

晶圆 (Wafer) 是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆上电镀一层导电金属，并对导电金属层进行加工以制成导电线路。

晶圆生产过程中，晶圆表面会形成沟槽，还会形成盲孔。长期生产实践证明，晶圆表面的沟槽或盲孔内易储存气泡。现在对硅晶圆直接进行电镀工艺之前首先需要对硅晶圆进行润湿，现在通常采用喷淋的方式对晶圆进行润湿，但是硅晶圆上面有几十万个孔，在喷淋过程中由于水的本身特性，水不能进入部分孔内，尤其是晶圆上的深孔水很难浸入，对硅晶圆的润湿效果差，影响了后续电镀工艺的品质。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种TSV电镀抽真空机构，提高工作效率，避免孔底因气泡残留导致的孔底空洞现象。

为解决上述技术问题，本实用新型采取如下技术方案：一种TSV电镀抽真空机构，包括真空槽、分液辅槽、液位计、真空泵和超声波发生器；

所述的真空槽连接进水管和排水管；所述的进水管和排水管上分别设置进水阀和排水阀；真空槽内设置超声波发生器；所述的真空槽通过溢流管与所述的分液辅槽连接；所述的溢流管上设置有溢流阀；所述分液辅槽内设置有液位计；所述的真空槽连接真空泵，通过真空泵将真空槽抽真空。

进一步地，所述的进水阀为气动进水阀，排水阀为气动排水阀；所述的溢流阀为启动溢流阀。

进一步地，所述的分液辅槽底部设置排水管二；所述的排水管二上设置有排水阀二。

进一步地，所述的真空泵通过抽真空管道与分液辅槽连接，真空泵通过抽真空管道和溢流管对真空槽抽真空。

进一步地，所述的进水阀、排水阀、溢流阀、液位计、真空泵和超声波发生器与可编程控制器PLC连接，由可编程控制器PLC控制。

本实用新型的有益效果为：

1）本实用新型的抽真空机构，真空泵不易进水，故障率低，增加工作效率。

2）本实用新型的机构能有效湿润深宽比10:1的超级TSV孔，确保后续电镀制程药液能顺利进入TSV孔底部，避免孔底因气泡残留导致的孔底空洞现象。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

下面将通过具体实施方式对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述。

参考图1，为本实用新型的一种TSV电镀抽真空机构，包括真空槽1、分液辅槽2、液位计3、真空泵4和超声波发生器5。

本实用新型的真空槽1连接进水管11和排水管12；进水管11和排水管12上分别设置进水阀14和排水阀15；进水阀14为气动进水阀，排水阀15为气动排水阀。真空槽1内设置超声波发生器5。真空槽1通过溢流管13与分液辅槽2连接；溢流管13上设置有溢流阀16；溢流阀16为启动溢流阀。分液辅槽2设置于真空槽1的一侧，内设置有液位计3。分液辅槽2底部设置排水管二21；排水管二21上设置有排水阀二22，排水阀二22为手动排水阀。真空泵4通过抽真空管道与分液辅槽2和真空槽1连接，真空泵4对真空槽1和分液辅槽2抽真空。

本实用新型抽真空机构的工作流程如下：

1.打开进水阀、溢流阀；

2.水满后关闭进水溢流阀；

3.启动真空泵；

4.真空到达设定值时自动启动超声波、停真空泵；

5.超声波时间结束、停超声波、泄真空；

6.停止一定的时间；

7.停止时间到，重复3到6步骤（按设定次数运行）

8.打开溢流和排水阀，排空；

9.步骤完成。

本实用新型的进水阀14、排水阀15、溢流阀16、液位计3、真空泵4和超声波发生器与可编程控制器PLC连接，由可编程控制器PLC控制。此外，真空泵还通过抽真空管道与分液辅槽连接，真空泵通过抽真空管道和溢流管对真空槽抽真空。

本实用新型的抽真空机构在使用时，首先将晶圆装入治具中、放入抽真空槽体内，盖上密封盖，打开进水阀和溢流阀，注水，当槽体水位达到液位计时，PLC控制抽真空自动运行；当真空达到-96kpa，PLC控制设备超声波自动运行。本实用新型的抽真空机构可有效减少TSV产品深孔低部气泡，循环2-3次，可减少TSV深孔内残留的气体。工作1次可减少孔内19/20的气体。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，不用于限制本实用新型，本领域技术人员可以在本实用新型的实质和保护范围内，对本实用新型做出各种修改或等同替换，这种修改或等同替换也应视为落在本实用新型技术方案的保护范围内。

Claims (5)

1.TSV电镀抽真空机构，其特征在于：包括真空槽（1）、分液辅槽（2）、液位计（3）、真空泵（4）和超声波发生器（5）；

所述的真空槽（1）连接进水管（11）和排水管（12）；所述的进水管（11）和排水管（12）上分别设置进水阀（14）和排水阀（15）；真空槽（1）内设置超声波发生器（5）；所述的真空槽（1）通过溢流管（13）与所述的分液辅槽（2）连接；所述的溢流管（13）上设置有溢流阀（16）；所述分液辅槽（2）内设置有液位计（3）；所述的真空槽（1）和所述的分液辅槽（2）连接真空泵（4），通过真空泵（4）将其抽真空。

2.根据权利要求1所述的TSV电镀抽真空机构，其特征在于：所述的进水阀（14）为气动进水阀，排水阀（15）为气动排水阀；所述的溢流阀（16）为启动溢流阀。

3.根据权利要求1所述的TSV电镀抽真空机构，其特征在于：所述的分液辅槽（2）底部设置排水管二（21）；所述的排水管二（21）上设置有排水阀二（22）。

4.根据权利要求1所述的TSV电镀抽真空机构，其特征在于：所述的真空泵（4）通过抽真空管道与分液辅槽（2）连接，真空泵（4）通过抽真空管道和溢流管（13）对真空槽（1）抽真空。

5.根据权利要求1所述的TSV电镀抽真空机构，其特征在于：所述的进水阀（14）、排水阀（15）、溢流阀（16）、液位计（3）、真空泵（4）和超声波发生器与可编程控制器PLC连接，由可编程控制器PLC控制。

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