CN111653684B - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例发明了一种显示基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于减少甚至避免出现O2和/或H2O等气体对发光层造成侵蚀的情况，提高显示基板的显示效果。显示基板包括：背板、像素界定层、气体吸收层以及多个发光层。所述像素界定层设置在所述背板的一侧，所述像素界定层具有多个开口。所述气体吸收层设置在所述像素界定层远离所述背板的一侧，所述气体吸收层在所述背板上的正投影位于所述像素界定层在所述背板上的正投影范围内，或者，所述气体吸收层在所述背板上的正投影与所述像素界定层在所述背板上的正投影重合。一个发光层至少部分位于一个开口内。本发明实施例提供的显示基板及其制备方法、显示装置用于进行图像显示。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称为OLED)，因具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应速度快以及可柔性显示等优点，已在显示领域得到广泛应用。
目前，在OLED显示基板中，通常设置有像素界定层，以便于利用该像素界定层界定OLED显示基板的多个子像素区域。然而，该像素界定层在环境光(例如包括紫外线)的照射下，容易产生氧气(O2)和/或水蒸气(H2O)等气体。该气体容易侵蚀OLED中的发光层，导致发光层的有效发光面积减小，进而容易导致OLED的发光效率降低，影响OLED显示基板的显示效果。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，用于减少甚至避免出现O2和/或H2O等气体对发光层造成侵蚀的情况，提高显示基板的显示效果。
为达到上述目的，本发明实施例提供了如下技术方案：
本发明的一些实施例提供了一种显示基板，包括：背板、像素界定层、气体吸收层以及多个发光层。所述像素界定层设置在所述背板的一侧，所述像素界定层具有多个开口。所述气体吸收层设置在所述像素界定层远离所述背板的一侧，所述气体吸收层在所述背板上的正投影位于所述像素界定层在所述背板上的正投影范围内，或者，所述气体吸收层在所述背板上的正投影与所述像素界定层在所述背板上的正投影重合。一个发光层至少部分位于一个开口内。
本发明的一些实施例所提供的显示基板，通过在像素界定层远离背板的一侧设置气体吸收层，可以利用气体吸收层因环境光的照射而产生的自由基，对像素界定层因环境光的照射而产生的O2和/或H2O等气体进行捕获、吸收。这样可以利用气体吸收层对发光层形成保护，减少甚至避免出现O2和/或H2O等气体对发光层造成侵蚀的情况，减少甚至避免出现发光层的有效发光面积减小的情况，提高OLED发光器件的发光效率，提高显示基板的显示效果。
在一些实施例中，所述气体吸收层的材料包括乙烯/丙烯酸甲酯/丙烯酸环己烯基三元共聚物、顺酐酯化合物和二胺四乙酸亚铁盐中的至少一种。
在一些实施例中，所述气体吸收层的厚度的取值范围为0.05μm～0.5μm。
在一些实施例中，所述显示基板还包括：设置在所述气体吸收层远离所述背板一侧的光线吸收层。所述光线吸收层在所述背板上的正投影位于所述气体吸收层在所述背板上的正投影范围内，或者，所述光线吸收层在所述背板上的正投影与所述气体吸收层在所述背板上的正投影重合。
在一些实施例中，所述光线吸收层在所述背板上的正投影与所述发光层在所述背板上的正投影无交叠。
在一些实施例中，所述光线吸收层的材料包括丙烯酸脂预聚物、紫外线吸收剂和二氧化钛中的至少一种。
在一些实施例中，所述光线吸收层的厚度的取值范围为0.05μm～0.5μm。
本发明的一些实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：制备背板。在所述背板的一侧形成像素界定层；所述像素界定层具有多个开口。在所述像素界定层远离所述背板的一侧形成气体吸收层；所述气体吸收层在所述背板上的正投影位于所述像素界定层在所述背板上的正投影范围内，或者，所述气体吸收层在所述背板上的正投影与所述像素界定层在所述背板上的正投影重合。在所述气体吸收层远离所述背板的一侧形成多个发光层；一个发光层至少部分位于一个开口内。
本发明的一些实施例所提供的显示基板的制备方法所能实现的有益有益效果，与上述一些实施例中所提供的显示基板所能实现的有益效果相同，此处不再赘述。
在一些实施例中，所述制备方法还包括：在形成所述多个发光层之前，在所述气体吸收层远离所述背板的一侧形成光线吸收层。
在一些实施例中，所述气体吸收层和所述光线吸收层在相同的步骤中形成。形成所述气体吸收层和所述光线吸收层的步骤，包括：在所述像素界定层远离所述背板的一侧依次形成牺牲层和光刻胶层；对所述牺牲层和所述光刻胶层进行图案化，去除所述牺牲层和所述光刻胶层覆盖所述像素界定层的部分，保留所述牺牲层和所述光刻胶层位于所述多个开口内的部分；在图案化后的光刻胶层远离所述背板的一侧以及所述像素界定层远离所述背板的一侧依次形成气体吸收薄膜和光线吸收薄膜；对图案化后的牺牲层进行剥离，去除图案化后的牺牲层、图案化后的光刻胶层，以及所述气体吸收薄膜和所述光线吸收薄膜中位于所述多个开口内的部分，得到所述气体吸收层和所述光线吸收层。
本发明的一些实施例还提供了一种显示装置，包括：上述任一实施例中所述的显示基板。
本发明的一些实施例所提供的显示装置所能实现的有益效果，与上述一些实施例中所提供的显示基板所能实现的有益效果相同，此处不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明中的技术方案，下面将对本发明一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本发明实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程等的限制。
图1为本发明的一些实施例中的一种显示基板的结构图；
图2为本发明的一些实施例中的另一种显示基板的结构图；
图3为本发明的一些实施例中的又一种显示基板的结构图；
图4为本发明的一些实施例中的一种显示基板的制备方法的流程图；
图5为图4中S100的一种流程图；
图6为图4中S300的一种流程图；
图7为图4中S300的另一种流程图；
图8a～图8g为本发明的一些实施例中的一种显示基板的制备流程图；
图9a～图9b为本发明的一些实施例中的一种气体吸收层和光线吸收层的制备流程图；
图10为本发明的一些实施例中的一种显示装置的结构图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本发明的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。这里所发明的实施例并不必然限制于本文内容。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本发明的一些实施例提供的一种显示基板100。如图1所示，该显示基板100具有显示区A，以及位于显示区A至少一侧的边框区B。
此处，如图1所示，边框区B位于显示区A的周边，并环绕显示区A。或者，边框区B位于显示区A的一部分周边的旁侧，并未环绕显示区A。例如，边框区B位于显示区A的相对两侧。又如，边框区B位于显示区A的相邻两侧。又如，边框区B位于显示区A的一侧。
在一些实施例中，如图1～图3所示，上述显示基板100包括：背板1。
在一些示例中，如图1所示，背板1可以包括衬底11和设置在衬底11一侧的多个像素驱动电路12。上述显示区A例如可以包括多个子像素区域P，每个子像素区域P内可以设置有一个像素驱动电路12。
上述衬底11的结构包括多种，可以根据实际需要选择设置。例如，衬底11为空白的衬底基板。又如，衬底11包括空白的衬底基板以及设置在该空白的衬底基板上的功能薄膜(例如可以包括缓冲层)。
上述空白的衬底基板的类型包括多种，具体可以根据实际需要选择设置。
例如，空白的衬底基板可以为刚性衬底基板。该刚性衬底基板例如可以为玻璃衬底基板或PMMA(Polymethyl methacrylate，聚甲基丙烯酸甲酯)衬底基板。在此情况下，上述显示基板100可以为刚性显示基板。
又如，空白的衬底基板可以为柔性衬底基板。该柔性衬底基板例如可以为PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底基板、PEN(Polyethylenenaphthalate two formic acid glycol ester，聚萘二甲酸乙二醇酯)衬底基板或PI(Polyimide，聚酰亚胺)衬底基板。在此情况下，上述显示基板100可以为柔性显示基板。
上述像素驱动电路12的结构可以包括多种，可以根据实际需要选择设置。示例性的，像素驱动电路12的结构可以包括“2T1C”、“6T1C”、“7T1C”、“6T2C”或“7T2C”等结构。此处，“T”表示为薄膜晶体管，位于“T”前面的数字表示为薄膜晶体管的数量，“C”表示为存储电容器，位于“C”前面的数字表示为存储电容器的数量。每种结构的像素驱动电路2所包括的多个薄膜晶体管中，有一个薄膜晶体管为驱动晶体管。
在一些示例中，如图1所示，为了方便说明，本发明中上述多个子像素区域P是以阵列状排布为例进行的说明。此时，沿第一方向X排列成一排的子像素区域P可以称为同一行子像素区域P，沿第二方向Y排列成一排的子像素区域P可以称为一列子像素区域P。同一行子像素区域P内的各像素驱动电路12可以与一条栅线GL电连接，同一列子像素区域P内的各像素驱动电路12可以与一条数据线DL电连接。此处，同一列子像素区域P内的各像素驱动电路12还可以与其他的信号线电连接，本发明对此不做限定，示例性的，同一列子像素区域P内的各像素驱动电路12还可以与用于传输VDD信号的第一电压信号线VL1或用于传输VSS信号的第二电压信号线VL2电连接(例如与用于传输VDD信号的第一电压信号线VL1电连接)。
下面以像素驱动电路12的结构为“2T1C”的结构(也即像素驱动电路12包括一个驱动晶体管T1、一个开关晶体管T2以及一个存储电容C)为例，对显示基板100的结构进行示意性说明。
此处，驱动晶体管T1和开关晶体管T2中的至少一者可以为顶栅型薄膜晶体管，或者，至少一者可以为底栅型薄膜晶体管。下面以驱动晶体管T1和开关晶体管T2均为顶栅型薄膜晶体管为例。
在一些实施例中，如图2和图3所示，上述显示基板100还包括：设置在上述多个像素驱动电路12远离背板1的一侧、且分别与该多个像素驱动电路12电连接的多个OLED发光器件2。也即，该多个像素驱动电路12和该多个OLED发光器件2可以一一对应地电连接。
在一些示例中，如图2和图3所示，OLED发光器件2包括：依次层叠设置的第一电极21、发光层22以及第二电极23，其中，每个像素驱动电路12可以和第一电极21电连接。
此处，如图1所示，在每个像素驱动电路12还与用于传输VDD信号的第一电压信号线VL1电连接的情况下，第一电极21可以为阳极，第二电极23可以为阴极；此时，第二电极23还可以与用于传输VSS信号的第二电压信号线VL2电连接。在每个像素驱动电路12还与用于传输VSS信号的第二电压信号线VL2电连接的情况下，第一电极21可以为阴极，第二电极23可以为阳极；此时，第二电极23还可以与用于传输VDD信号的第一电压信号线VL1电连接。各像素驱动电路12可以和相应的电压信号线相配合，控制相应的OLED发光器件2的发光状态。
此外，示例性的，至少两个阴极可以相互连接，呈一体结构。
在一些示例中，OLED发光器件2还可以包括：设置在阳极和发光层22之间的空穴注入层和/或空穴传输层，以及设置在阴极和发光层22之间的电子注入层和/或电子传输层。在阳极和发光层22之间设置有空穴注入层和空穴传输层的情况下，空穴注入层位于空穴传输层靠近阳极的一侧。在阴极和发光层22之间设置有电子注入层和电子传输层的情况下，电子注入层设置在电子传输层靠近阴极的一侧。
在一些实施例中，如图2和图3所示，上述显示基板100还包括：设置在背板1的一侧的像素界定层3。该像素界定层3可以位于上述多个第一电极21远离衬底11的一侧，也即，像素界定层3相比于该多个第一电极21在后制备形成。
在一些示例中，如图2和图3所示，像素界定层3具有多个开口K。此处，考虑到像素界定层3的实际制备工艺，像素界定层3中各开口K的形状可以为如图2和图3所示的倒梯形。
示例性的，该多个开口K可以与上述多个OLED发光器件2的第一电极21一一对应。其中，至少一个开口K在衬底11上的正投影与相应的第一电极21在衬底11上的正投影相切，或者，至少一个开口K在衬底11上的正投影位于相应的第一电极21在衬底11上的正投影的范围内。
在一些示例中，上述多个开口K也可以与上述多个OLED发光器件2的发光层22一一对应，且一个发光层22至少部分位于一个开口K内。其中，发光层22和开口K之间的位置关系包括多种，其与发光层22的制备工艺相关。
示例性的，发光层22可以采用喷墨打印工艺制备形成。此时，如图3所示，发光层22可以全部位于相应的开口K内。
示例性的，发光层22可以采用蒸镀工艺制备形成。此时，如图2所示，发光层22可以一部分位于相应的开口K内，另一部分超出相应的开口K，对像素界定层3形成覆盖。
在一些实施例中，如图2和图3所示，上述显示基板100还包括：设置在像素界定层3远离背板1一侧的气体吸收层4。此处，气体吸收层4可以设置在像素界定层3远离背板1的一侧表面上，两者之间可以未设置其他薄膜，而直接接触。
示例性的，气体吸收层4可以相比于发光层22在先制备形成。
此处，气体吸收层4和像素界定层3之间的位置关系包括多种，可以根据实际需要选择设置。
在一些示例中，如图2所示，该气体吸收层4在背板1上的正投影可以位于像素界定层3在背板1上的正投影范围内，也即，气体吸收层4仅覆盖了像素界定层3的一部分。此时，在发光层22全部位于相应的开口K内的情况下，发光层22在背板1上的正投影与气体吸收层4在背板1上的正投影之间无交叠；在发光层22的一部分位于相应的开口K内、另一部分对像素界定层3形成覆盖的情况下，发光层22在背板1上的正投影与气体吸收层4在背板1上的正投影之间可以无交叠、或者相切、又或者有部分交叠。
在另一些示例中，如图3所示，气体吸收层4在背板1上的正投影与像素界定层3在背板1上的正投影重合，也即，气体吸收层4覆盖了像素界定层3的全部。此时，在发光层22全部位于相应的开口K内的情况下，发光层22在背板1上的正投影与气体吸收层4在背板1上的正投影之间可以无交叠、或者相切；在发光层22的一部分位于相应的开口K内、另一部分对像素界定层3形成覆盖的情况下，发光层22在背板1上的正投影与气体吸收层4在背板1上的正投影之间可以有部分交叠。
需要说明的是，在将显示基板100暴露在环境光(例如包括紫外线)中的情况下，显示基板100中的像素界定层3和气体吸收层4会被环境光照射。其中，像素界定层3被环境光照射后，会产生O2和/或H2O等气体；气体吸收层4被环境光照射后，可以产生自由基(例如包括P·)，该自由基可以与O2和/或H2O等气体发生反应，对O2和/或H2O等气体形成捕获、吸收。
示例性的，自由基和O2、H2O发生反应的化学式例如为：
P·+O2→P+·O2 -；
P·+H2O→P+H++·OH；
此处，在发光层22在背板1上的正投影与气体吸收层4在背板1上的正投影之间可以有部分交叠的情况下，可以利用气体吸收层4将发光层22和像素界定层3隔离开，减小发光层22和像素界定层3之间的接触面积，进而减小像素界定层3所产生的O2和/或H2O等气体与发光层22接触并对发光层22造成侵蚀的概率。
由此，本发明的一些实施例所提供的显示基板100，通过在像素界定层3远离背板1的一侧设置气体吸收层4，可以利用气体吸收层4因环境光的照射而产生的自由基，对像素界定层3因环境光的照射而产生的O2和/或H2O等气体进行捕获、吸收。这样可以利用气体吸收层4对发光层22形成保护，减少甚至避免出现O2和/或H2O等气体对发光层22造成侵蚀的情况，减少甚至避免出现发光层22的有效发光面积减小的情况，提高OLED发光器件2的发光效率，提高显示基板100的显示效果。
上述气体吸收层4的材料包括多种，可以根据实际需要选择设置。
在一些实施例中，气体吸收层4的材料包括乙烯/丙烯酸甲酯/丙烯酸环己烯基三元共聚物、顺酐酯化合物和二胺四乙酸亚铁盐中的至少一种。
上述气体吸收层4的厚度(也即气体吸收层4在垂直于背板1的方向上的尺寸)包括多种，可以根据实际需要选择设置。
在一些实施例中，气体吸收层4的厚度的取值范围为0.05μm～0.5μm。示例性的，气体吸收层4的厚度可以为0.05μm、0.1μm、0.13μm、0.18μm、0.2μm、0.3μm、0.44μm或0.5μm等。
通过将气体吸收层4的厚度设置为上述范围，可以确保显示基板100在受到环境光的照射下，气体吸收层4能够产生较多的或者足够的自由基，对像素界定层3产生的O2和/或H2O等气体进行较为充分的捕获、吸收，确保气体吸收层4对发光层22的保护效果；而且，还可以避免因设置气体吸收层4而大幅增大显示基板100的厚度。
在一些实施例中，如图3所示，上述显示基板100还包括：设置在气体吸收层4远离背板1一侧的光线吸收层5。此处，光线吸收层5可以设置在气体吸收层4远离背板1的一侧表面上，两者之间可以未设置其他薄膜，而直接接触。
示例性的，光线吸收层5可以相比于发光层22在先制备形成。
此处，光线吸收层5和气体吸收层4之间的位置关系包括多种，可以根据实际需要选择设置。
在一些示例中，如图3所示，光线吸收层5在背板1上的正投影位于气体吸收层4在背板1上的正投影范围内，也即，光线吸收层5仅覆盖了气体吸收层4的一部分。此时，光线吸收层5在背板1上的正投影位于像素界定层3在在背板1上的正投影范围内，光线吸收层5仅覆盖了像素界定层3的一部分。
在另一些示例中，光线吸收层5在背板1上的正投影与气体吸收层4在背板1上的正投影重合，也即，光线吸收层5覆盖了气体吸收层4的全部。此时，光线吸收层5在背板1上的正投影可以位于像素界定层3在在背板1上的正投影范围内，光线吸收层5仅覆盖了像素界定层3的一部分；或者，光线吸收层5在背板1上的正投影可以与像素界定层3在在背板1上的正投影重合，光线吸收层5覆盖像素界定层3的全部。
需要说明的是，上述光线吸收层5被配置为，对紫外线进行吸收。这样在显示基板100受到环境光的照射的情况下，可以利用光线吸收层5对其中的紫外线进行吸收，减少甚至消除射向像素界定层3的紫外线的量，进而减少像素界定层3产生的O2和/或H2O等气体的量，甚至避免像素界定层3产生O2和/或H2O等气体，减少甚至避免出现O2和/或H2O等气体对发光层22造成侵蚀的情况。
此外，在光线吸收层5未对射向像素界定层3的紫外线进行完全地吸收的情况下，还可以利用气体吸收层4产生自由基，对像素界定层3产生的O2和/或H2O等气体进行捕获、吸收；也即，可以使得气体吸收层4和光线吸收层5相互配合，既能减少射向像素界定层3的紫外线的量，又能对像素界定层3所产生的O2和/或H2O等气体进行捕获、吸收，共同对发光层22进行保护，减少甚至避免出现O2和/或H2O等气体对发光层22造成侵蚀的情况，提高OLED发光器件2的发光效率，提高显示基板100的显示效果。
在一些示例中，如图3所示，光线吸收层5在背板1上的正投影与发光层22在背板1上的正投影无交叠。示例性的，光线吸收层5在背板1上的正投影与发光层22在背板1上的正投影之间可以相切，或者两者之间具有间距。
这样可以避免发光层22对光线吸收层5形成覆盖，使得光线吸收层5整体均能够对射向其自身的紫外线进行吸收，避免影响光线吸收层5对紫外线的吸收效果。
上述光线吸收层5的材料包括多种，可以根据实际需要选择设置。
在一些实施例中，光线吸收层5的材料包括丙烯酸脂预聚物、紫外线吸收剂和二氧化钛中的至少一种。
上述光线吸收层5的厚度(也即光线吸收层5在垂直于背板1的方向上的尺寸)包括多种，可以根据实际需要选择设置。
在一些实施例中，光线吸收层5的厚度的取值范围为0.05μm～0.5μm。示例性的，光线吸收层5的厚度可以为0.05μm、0.09μm、0.13μm、0.18μm、0.2μm、0.3μm、0.45μm或0.5μm等。
通过将光线吸收层5的厚度设置为上述范围，可以确保显示基板100在受到环境光的照射下，光线吸收层5能够对其中的紫外线进行较为完全的吸收，减小甚至避免出现其中的紫外线射向像素界定层3的情况，确保光线吸收层5具有良好的紫外线吸收效果；而且，还可以避免因设置气体吸收层4而大幅增大显示基板100的厚度。
本发明的一些实施例提供了一种显示基板的制备方法。如图4所示，该显示基板的制备方法，包括：S100～S400。
S100，如图8a所示，制备背板1。
示例性的，背板1的结构可以参照上述一些实施例中对背板1的结构的示意性说明，此处不再赘述。
下面，以背板1所包括的像素驱动电路12的结构为“2T1C”结构、且其中的驱动晶体管T1和开关晶体管T2采用顶栅型晶体管为例，对制备背板1的过程进行示意性说明。
在一些示例中，如图5所示，在上述S100中，制备背板1包括：S110～S160。
S110，在衬底11的一侧形成有源薄膜。该有源薄膜包括多个驱动晶体管T1的第一有源层，以及多个开关晶体管T2的第二有源层。
示例性的，可以采用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition，简称PECVD)工艺形成上述有源薄膜。
S120，在有源薄膜远离衬底11的一侧形成栅绝缘层。
示例性的，可以采用PECVD工艺形成该栅绝缘层。
S130，在栅绝缘层远离衬底11的一侧形成第一栅导电层。该第一栅导电层包括多个驱动晶体管T1的第一栅极，多个开关晶体管T2的第二栅极，以及多个存储电容C的第一极板。
示例性的，可以采用溅射沉积工艺形成第一栅导电层。
示例性的，第一栅导电层可以采用铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)和钨(W)等单质金属材料或该多种金属单质材料中的由至少两种金属单质构成的金属合金材料。
S140，在第一栅导电层远离衬底11的一侧形成第二栅导电层。该第二栅导电层包括多个存储电容C的第二极板。每个第二极板与一个第一极板相对设置。
示例性的，可以采用溅射沉积工艺形成第二栅导电层。
示例性的，第二栅导电层可以采用Cu、Al、Mo、Ti、Cr和W等单质金属材料或该多种金属单质材料中的由至少两种金属单质构成的金属合金材料。
S150，在第二栅导电层远离衬底11的一侧形成层间介质层。
示例性的，可以采用PECVD工艺形成该层间介质层。
S160，在层间介质层远离衬底11的一侧形成源漏导电层。该源漏导电层包括多个驱动晶体管T1的第一源极和第一漏极，多个开关晶体管T2的第二源极和第二漏极。
示例性的，可以采用溅射沉积工艺形成该源漏导电层。
示例性的，源漏导电层可以采用铜(Cu)、铝(Al)等金属材料制备形成。
在一些示例中，在上述S160之后，并在下面的S200之前，还会在源漏导电层远离衬底11的一侧形成平坦层，并在平坦层远离衬底1的一侧形成多个第一电极21。
S200，如图8b所示，在背板1的一侧形成像素界定层3。像素界定层3具有多个开口K。
此处，像素界定层3可以位于上述多个第一电极21远离背板1的一侧。
示例性的，可以依次采用涂覆工艺以及固化工艺形成上述像素界定薄膜，然后采用光刻工艺形成上述多个开口K，得到像素界定层3。
上述多个开口K以及多个第一电极21之间的位置关系可以参照上述一些实施例中的示意性说明，此处不再赘述。
S300，在像素界定层3远离背板1的一侧形成气体吸收层4。气体吸收层4在背板1上的正投影位于像素界定层3在背板1上的正投影范围内，或者，气体吸收层4在背板1上的正投影与像素界定层3在背板1上的正投影重合。
在一些示例中，如图6所示，在上述S300中，形成气体吸收层4，包括：S310a～S340a。
S310a，如图8c所示，在像素界定层3远离背板1的一侧依次形成牺牲层6和光刻胶层7。
上述光刻胶层7的材料的类型包括多种，可以根据实际需要选择设置。
例如，上述光刻胶层7的材料包括正性光刻胶。此时，在采用掩膜板对光刻胶层7进行曝光、显影的情况下，所得到的图案与掩膜板的图案相同或大致相同。
又如，上述光刻胶层7的材料包括负性光刻胶。此时，在采用掩膜板对光刻胶层7进行曝光、显影的情况下，所得到的图案与掩膜板的图案互补或大致互补。
示例性的，可以采用涂覆工艺形成上述牺牲层6及上述光刻胶层7。
S320a，如图8d所示，对牺牲层6和光刻胶层7进行图案化，去除牺牲层6和光刻胶层7覆盖像素界定层3的部分，保留牺牲层6和光刻胶层7位于上述多个开口K内的部分。
示例性的，可以采用光刻工艺对牺牲层6和光刻胶层7进行图案化。
下面，以光刻胶层7的材料包括负性光刻胶为例，上述S320包括：在光刻胶层7远离背板1的一侧设置掩膜板；对光刻胶层7进行曝光，其中，光刻胶层7被曝光的部分为位于上述多个开口K内的部分；然后对光刻胶层7进行显影，共同去除牺牲层6和光刻胶层7覆盖像素界定层3的部分，保留牺牲层6和光刻胶层7位于上述多个开口K内的部分。
此处，牺牲层6和光刻胶层7位于上述多个开口K内的部分的形状与上述多个开口K的形状相对应。示例性的，每个开口K的形状如图8d所示，牺牲层6和光刻胶层7位于上述多个开口K内的部分的形状则可以为倒梯形。
S330a，如图8e所示，在图案化后的光刻胶层71远离背板1的一侧以及像素界定层3远离背板1的一侧依次形成气体吸收薄膜41。
示例性的，可以采用涂覆工艺(例如为旋涂)或喷墨打印(Ink Jet Printing，简称IJP)工艺形成该气体吸收薄膜41。此外，在形成该气体吸收薄膜41之后，还可以采用固化工艺(例如包括高温固化工艺)对该气体吸收薄膜41进行固化处理，以稳定气体吸收薄膜41的形态。
S340a，如图8f所示，对图案化后的牺牲层61进行剥离，去除图案化后的牺牲层61、图案化后的光刻胶层71，以及气体吸收薄膜41中位于上述多个开口K内的部分，得到气体吸收层4。
示例性的，可以采用剥离液对形成有气体吸收薄膜41的待形成显示基板进行清洗，该剥离液可以透过气体吸收薄膜41及图案化后的光刻胶层71，对图案化后的牺牲层61进行剥离，使得图案化后的牺牲层61脱落，并使得图案化后的光刻胶层71以及气体吸收薄膜41中位于上述多个开口K内的部分随着图案化后的牺牲层61的脱落而脱落，保留了气体吸收薄膜41中位于像素界定层3远离背板1的一侧的部分，也便得到了气体吸收层4。
S400，如图8g所示，在气体吸收层4远离背板1的一侧形成多个发光层22。一个发光层22至少部分位于一个开口内。
示例性的，可以采用IJP工艺或者蒸镀工艺形成上述多个发光层22。
本发明的一些实施例所提供的显示基板的制备方法所能实现的有益有益效果，与上述一些实施例中所提供的显示基板100所能实现的有益效果相同，此处不再赘述。
此外，本发明的一些实施例所提供的显示基板的制备方法，在制备气体吸收层4的过程中，通过采用剥离液对图案化后的牺牲层61进行剥离，即可得到气体吸收层4，工艺简单易操作，可以避免增加显示基板的制备方法难度。
在一些实施例中，上述显示基板的制备方法还包括：在形成上述多个发光层22之前，在气体吸收层4远离背板1的一侧形成光线吸收层5。
在一些示例中，气体吸收层4和光线吸收层5在相同的步骤中形成。这样有利于简化显示基板100的制备工艺流程，提高显示基板100的生产效率。
示例性的，如图7所示，形成上述气体吸收层4和光线吸收层5的步骤，包括：S310b～S340b。
S310b，如图8c所示，在像素界定层4远离背板1的一侧依次形成牺牲层6和光刻胶层7。
S320b，如图8d所示，对牺牲层6和光刻胶层7进行图案化，去除牺牲层6和光刻胶层7覆盖像素界定层3的部分，保留牺牲层6和光刻胶层7位于上述多个开口K内的部分。
此处，S310b和S320b可以分别参照对S310a和S320a的示意性说明，此处不再赘述。
S330b，如图9a所示，在图案化后的光刻胶层71远离背板1的一侧以及像素界定层3远离背板1的一侧依次形成气体吸收薄膜41和光线吸收薄膜51。
此处，形成气体吸收薄膜41的工艺可以参照上述S330a。
示例性的，在形成气体吸收薄膜41之后，可以采用涂覆工艺(例如为旋涂)或IJP工艺形成该光线吸收薄膜51。此外，在形成该光线吸收薄膜51之后，还可以采用固化工艺(例如包括高温固化工艺)对该光线吸收薄膜51进行固化处理，以稳定光线吸收薄膜51的形态。
需要说明的是，可以在对气体吸收薄膜41进行固化处理之后，再在气体吸收薄膜41远离背板1的一侧形成光线吸收薄膜51。这样可以避免气体吸收薄膜41的材料和光线吸收薄膜51的材料出现混合的现象。
S340b，如图9b所示，对图案化后的牺牲层61进行剥离，去除图案化后的牺牲层61、图案化后的光刻胶层71，以及气体吸收薄膜41和光线吸收薄膜51中位于上述多个开口K内的部分，得到气体吸收层4和光线吸收层5。
此处，对图案化后的牺牲层61进行剥离的过程可以参照上述S340a。在图案化后的牺牲层61脱离后，可以使得位于图案化后的牺牲层61远离背板1一侧的图案化后的光刻胶层71、以及气体吸收薄膜41和光线吸收薄膜51中位于上述多个开口K内的部分随之脱落，保留了气体吸收薄膜41和光线吸收薄膜51中位于像素界定层3远离背板1的一侧的部分，也便得到了气体吸收层4和光线吸收层5。
在一些实施例中，以第一电极21为阳极为例，在上述S400之前，显示基板的制备方法还包括：形成空穴注入层和/或空穴传输层；一个空穴和/或空穴传输层至少部分位于一个开口K内。
示例性的，空穴注入层和/或空穴传输层可以采用蒸镀工艺制备形成。
在一些实施例中，在上述S400之后，显示基板的制备方法还包括：形成电子传输层和/或电子注入层；一个电子传输层和/或电子注入层至少部分位于一个开口K内。
示例性的，电子传输层和/或电子注入层可以采用蒸镀工艺制备形成。
在一些实施例中，在形成电子传输层和/或电子注入层之后，显示基板的制备方法还包括：形成多个第二电极23。
示例性的，第二电极23可以采用蒸镀工艺制备形成。
本发明的一些实施例还提供了一种显示装置1000。如图10所示，该显示装置1000包括上述一些实施例中所述的显示基板100。
本发明的一些实施例所提供的显示装置1000所能实现的有益效果，与上述一些实施例中所提供的显示基板100所能实现的有益效果相同，此处不再赘述。
在一些实施例中，曲面显示装置1000可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是图像的任何装置。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理(Personal Digital Assistant，简称PDA)、手持式或便携式计算机、全球定位系统(Global Positioning System，简称GPS)接收器/导航器、相机、动态图像专家组(Moving Picture Experts Group 4，简称MP4)视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：
背板；
设置在所述背板一侧的像素界定层，所述像素界定层具有多个开口；
设置在所述像素界定层远离所述背板一侧的气体吸收层，所述气体吸收层对所述像素界定层因环境光的照射所产生的氧气和/或水气体进行吸收；所述气体吸收层在所述背板上的正投影位于所述像素界定层在所述背板上的正投影范围内，或者，所述气体吸收层在所述背板上的正投影与所述像素界定层在所述背板上的正投影重合；以及，
多个发光层，所述多个发光层形成在所述气体吸收层远离所述背板的一侧；一个发光层至少部分位于一个开口内；所述发光层在所述背板上的正投影，与所述气体吸收层在所述背板上的正投影部分交叠；
设置在所述气体吸收层远离所述背板一侧的光线吸收层；
所述光线吸收层在所述背板上的正投影位于所述气体吸收层在所述背板上的正投影范围内，或者，所述光线吸收层在所述背板上的正投影与所述气体吸收层在所述背板上的正投影重合。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述气体吸收层的材料包括乙烯/丙烯酸甲酯/丙烯酸环己烯基三元共聚物、顺酐酯化合物和二胺四乙酸亚铁盐中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述气体吸收层的厚度的取值范围为0.05μm~0.5μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述光线吸收层的材料包括丙烯酸脂预聚物、紫外线吸收剂和二氧化钛中的至少一种。
5.根据权利要求1-3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述光线吸收层的厚度的取值范围为0.05μm ~0.5μm。
6.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
制备背板；
在所述背板的一侧形成像素界定层；所述像素界定层具有多个开口；
在所述像素界定层远离所述背板的一侧形成气体吸收层；所述气体吸收层对所述像素界定层因环境光的照射所产生的氧气和/或水气体进行吸收；所述气体吸收层在所述背板上的正投影位于所述像素界定层在所述背板上的正投影范围内，或者，所述气体吸收层在所述背板上的正投影与所述像素界定层在所述背板上的正投影重合；
在所述气体吸收层远离所述背板的一侧形成多个发光层；一个发光层至少部分位于一个开口内；所述发光层在所述背板上的正投影，与所述气体吸收层在所述背板上的正投影部分交叠；
在形成所述多个发光层之前，在所述气体吸收层远离所述背板的一侧形成光线吸收层；
所述光线吸收层在所述背板上的正投影位于所述气体吸收层在所述背板上的正投影范围内，或者，所述光线吸收层在所述背板上的正投影与所述气体吸收层在所述背板上的正投影重合。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述气体吸收层和所述光线吸收层在相同的步骤中形成；
形成所述气体吸收层和所述光线吸收层的步骤，包括：
在所述像素界定层远离所述背板的一侧依次形成牺牲层和光刻胶层；
对所述牺牲层和所述光刻胶层进行图案化，去除所述牺牲层和所述光刻胶层覆盖所述像素界定层的部分，保留所述牺牲层和所述光刻胶层位于所述多个开口内的部分；
在图案化后的光刻胶层远离所述背板的一侧以及所述像素界定层远离所述背板的一侧依次形成气体吸收薄膜和光线吸收薄膜；
对图案化后的牺牲层进行剥离，去除图案化后的牺牲层、图案化后的光刻胶层，以及所述气体吸收薄膜和所述光线吸收薄膜中位于所述多个开口内的部分，得到所述气体吸收层和所述光线吸收层。
8.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1~5中任一项所述的显示基板。
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