CN111650820B - 确定光阻的适用条件的方法及所用的掩膜板 - Google Patents

Abstract

本发明提供的确定光阻的适用条件的方法及其所用的掩膜板中，利用具有不同大小光刻图形的掩膜板对光阻进行光刻，以在基板上形成对应的测试图形，对所有测试图形进行缺陷检测，统计不同面积大小的所述测试图形分别对应的光刻良率，并在一数据库中放入相关的数据资料，将所述数据库中最高光刻良率所对应的所述测试图形的面积定义为该光阻在一光刻工艺条件下的优选光刻面积，进而，在光刻图形面积大小发生变化时，可以在所述数据库中找到目标光刻图形面积为优选光刻图形面积时所对应的光刻良率最高的光阻和光刻工艺条件，并利用所述光阻和所述光刻工艺条件来进行刻蚀，从而，可不必改变光阻的适用条件而达到较佳的刻蚀效果。

Description

确定光阻的适用条件的方法及所用的掩膜板

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种确定光阻的适用条件的方法及所用的掩膜板。

背景技术

光刻工艺是半导体器件制造中的关键性工艺，其工艺质量直接影响着器件的成品率、可靠性、性能以及使用寿命等参数的稳定和提高，而造成影响这些参数的最直接、最重要的因素之一就是在整个光刻工艺中由于光阻而引发的各种缺陷。

在光刻工艺中，光阻是形成图形不可或缺的介质，因此光阻的稳定性直接影响光刻工艺的稳定性和器件的质量。而当光阻的稳定性发生变化时，将会导致光阻对光刻工艺的要求的改变，即，当光刻工艺条件不变的情况下，光阻的稳定性发生了变化，则会导致器件的成品率下降。光阻的稳定性通常受热稳定性和溶解度的影响。

在实际生产过程中，由于光阻的制造厂很难控制不同批次的光阻的稳定性保持一致，因此，光阻的稳定性通常会在一定范围内进行波动。为了确认不同批次的光阻能否满足光刻要求，通常会选择一款需光刻的产品来用该批次的光阻进行光刻，如光刻结果OK，则表明该批次的光阻可以被正常使用。

通常情况下，用于检测光阻的产品的光刻图形尺寸较小，因此对光刻的工艺条件要求并不严苛。当光阻的稳定性发生了较大的变化时，通过该产品无法检测出光阻的稳定性发生了改变。而当此种光阻被应用于光刻具有较大光刻面积的产品上时，如不改变光刻条件，则会出现大批量光刻不良。而要改变光刻条件，则需要经过大量的验证才可以找到最优的光刻条件，不利于光刻成本的控制。

发明内容

本发明的目的在于提供一种确定光阻的适用条件的方法及所用的掩膜板，以解决当光阻稳定性发生变化时，需经过大量验证来找到光阻的适用条件，且不利于光刻成本控制的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种确定光阻的适用条件的方法，所述确定光阻的适用条件的方法包括：

提供一基板，在所述基板上涂布待评估的光阻；

在一光刻工艺条件下，利用一掩膜板对所述光阻进行光刻，以在所述基板上形成多个测试图形，至少部分所述测试图形的面积大小不同；

对所有所述测试图形进行缺陷检测，以得到不同面积大小的所述测试图形的光刻良率；

统计在所述光刻工艺条件下，不同面积大小的所述测试图形分别对应的所述光刻良率，以形成包括所述光刻工艺条件、所述测试图形的面积及所述光刻良率的多个数据对，并将所有所述数据对纳入一数据库中；

将所述数据库中具有最高光刻良率的所述测试图形的面积定义为所述光阻在所述光刻工艺条件下的优选光刻面积。

可选的，在所述的确定光阻的适用条件的方法中，所述确定光阻的适用条件的方法还包括：

改变所述光刻工艺条件，以得到不同光刻工艺条件下，不同面积大小的所述测试图形的光刻良率；

统计不同光刻工艺条件下，不同面积大小的所述测试图形分别对应的所述光刻良率，以形成多个相应的所述数据对，并将所有所述数据对纳入所述数据库中。

可选的，在所述的确定光阻的适用条件的方法中，所述对所有所述测试图形进行缺陷检测，以得到不同面积大小的所述测试图形的光刻良率的方法包括：

获取所有所述测试图形的光刻图像；

判断所有所述光刻图像与所述掩膜板的图像是否匹配，若所述光刻图像与所述掩膜板的图像不匹配，则判定所述测试图形存在缺陷；

按所述测试图形的面积大小分别统计被判定存在缺陷的所述测试图形的数量，并根据统计结果计算不同面积大小的所述测试图形的光刻良率。

可选的，在所述的确定光阻的适用条件的方法中，利用光学检测设备获取所述测试图形的光刻图像。

可选的，在所述的确定光阻的适用条件的方法中，所述判断所有所述光刻图像与所述掩膜板的图像是否匹配的方法包括：

判断所有所述光刻图像中是否存在凹坑、划痕、凸出或杂质，若所述光刻图像中存在凹坑、划痕、凸出或杂质，则判定所述光刻图像与所述掩膜板的图像不匹配；以及，

判断所有所述光刻图像是否将所述掩膜板的图像完整呈现，若所述光刻图像没有将所述掩膜板的图像完整呈现，则判定所述光刻图像与所述掩膜板的图像不匹配。

可选的，在所述的确定光阻的适用条件的方法中，所述计算不同面积大小的所述测试图形的光刻良率的方法为：某一面积大小的所述测试图形的光刻良率＝1-某一面积大小的被判定存在缺陷的所述测试图形的数量/某一面积大小的总的所述测试图形的数量。

可选的，在所述的确定光阻的适用条件的方法中，多个所述测试图形按面积大小分布在所述基板上不同的区域，且同一区域内的所述测试图形的面积大小相同。

可选的，在所述的确定光阻的适用条件的方法中，所述光刻工艺条件包括精密曝光烘烤时间。

为解决上述技术问题，本发明还提供一种掩膜板，用于如上任一种所述的确定光阻的适用条件的方法中，所述掩膜板包括多个光刻图形，至少部分所述光刻图形的面积大小不同，多个所述光刻图形对应形成多个所述测试图形。

可选的，在所述的掩膜板中，多个所述光刻图形按面积大小分布在所述掩膜板上不同的区域，且同一区域内的所述光刻图形的面积大小相同。

在本发明提供的确定光阻的适用条件的方法及其所用的掩膜板中，通过在掩膜板上形成面积大小不同的光刻图形，并在基板上涂布待评估的光阻，在一光刻工艺条件下，利用该掩膜板对所述光阻进行光刻，以在所述基板上形成多个面积大小不同测试图形，对所有所述测试图形进行缺陷检测，统计不同面积大小的所述测试图形分别对应的光刻良率，以形成包括所述光刻工艺条件、所述测试图形的面积及所述光刻良率的多个数据对，并将所有所述数据对纳入一数据库中，将所述数据库中最高所述光刻良率所对应的所述测试图形的面积定义为所述待评估光阻在所述光刻工艺条件下的优选光刻面积，进而，在光刻图形面积大小发生变化时，可以通过所述数据库中所述光刻良率最高所对应的所述测试图形的面积来确定光阻的适用条件，并利用所述光阻和所述光刻工艺条件来进行刻蚀，从而达到较佳的刻蚀效果。

附图说明

图1为本实施例提供的确定光阻的适用条件的方法的流程图；

图2为本实施例中掩膜板的结构示意图；

图3为本实施例中基板涂布光阻后的结构示意图；

图4为本实施例中光阻上放置掩膜板后的结构示意图；

图5为本实施例中利用掩膜板对光阻进行曝光和显影后的结构示意图；

其中，各附图标记说明如下：

10-基板；20-光阻；21-测试图形；211-小面积的测试图形；212-中面积的测试图形；213-大面积的测试图形；30-掩膜板；31-光刻图形；311-小面积的光刻图形；312-中面积的光刻图形；313-大面积的光刻图形；

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的确定光阻的适用条件的方法及所用的掩膜板作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。

在实际光刻工艺过程中，影响光刻质量的通常有两种因素：一种是光刻设备控制的光刻工艺参数，如涂布参数、曝光参数、显影参数等；另一种是光刻原材料的质量。其中，光刻工艺参数经验证后通常在产品量产时会固定，因此造成量产产品出现光刻不良大都是因为原材料的质量出现了问题，这其中光阻的质量对光刻成品率的影响尤为凸出。光阻的质量的衡量标准之一就是光阻的稳定性，因此如何有效确定光阻的适用条件是光刻工艺必须要面对的问题。

发明人在光刻工艺生产过程中发现：在使用A批次的X光阻进行光刻时，发现54×74μm的光刻图形出现了缺陷反常，经工艺验证发现，提高精密曝光烘烤(PEB)时间，即将PEB时间从60s增加到110s后，缺陷得到了改善，因而在光刻较大面积的光刻图形时，PEB时间均使用110s；而在使用B批次的X光阻进行光刻时，发现60×60μm的光刻图像出现了缺陷反常，而此次将PEB时间改回60s后，缺陷得到了改善，这表明A批次的X光阻和B批次的X光阻之间存在稳定性差异，且造成该差异的原因不同；而在使用C批次的X光阻进行光刻时，发现60×60μm的光刻图像在PEB时间为110s时又出现了缺陷反常，而此次增加一道显影过程可以改善缺陷。发明人由此推测：光阻涂覆的稳定性在批次之间存在差异，并造成了在线异常。

发明人进一步发现：当通过增加PEB时间来增加光阻的激活能量以使光阻的光刻效果得到改善时，通常表明光阻的热稳定性较差；当通过增加PEB的时间并不能得到改善，而需要增加一道显影来使光阻得到更好的溶解时，表明光阻的溶解度较低。因此表明：光阻的稳定性体现在两个方面：一个是热稳定性，一个是溶解度。在使用同一种光阻的情形下，由于光阻的生产批次不同，会导致热稳定性和/或溶解度出现批次间差异。

而由于光阻的热稳定性不良和溶解度不良造成的光刻缺陷的表象是一样的，即，较大面积的光刻图形出现了光刻缺陷，因此每一批次的光阻是何种原因造成的稳定性不良并不能确认。同时，由于现有检测光阻稳定性的光刻图形的面积较小，因此对光阻的稳定性并不敏感，无法满足对较大面积的光刻图形的光刻要求，这就导致稳定性不良的光阻在上线前没有被检测出来，而在上线后造成较大面积的光刻图形出现光刻缺陷，而针对光刻缺陷进行分析和验证又会耗费大量的时间和成本。

有鉴于此，本实施例提供一种确定光阻的适用条件的方法，如图1所示，所述确定光阻的适用条件的方法包括：

S1，提供一基板，在所述基板上涂布待评估的光阻；

S2，在一光刻工艺条件下，利用一掩膜板对所述光阻进行光刻，以在所述基板上形成多个测试图形，至少部分所述测试图形的面积大小不同；

S3，对所有所述测试图形进行缺陷检测，以得到不同面积大小的所述测试图形的光刻良率；

S4，统计在所述光刻工艺条件下，不同面积大小的所述测试图形分别对应的所述光刻良率，以形成包括所述光刻工艺条件、所述测试图形的面积及所述光刻良率的多个数据对，并将所有所述数据对纳入一数据库中；

S5，将所述数据库中具有最高光刻良率的所述测试图形的面积定义为所述光阻在所述光刻工艺条件下的优选光刻面积。

在一定光刻工艺条件下，用待评估光阻来光刻形成多个不同面积大小的测试图形，由于受光阻稳定性的影响，可能部分面积大小的所述测试图形会出现缺陷。本实施例提供的确定光阻的适用条件的方法，通过对测试图形进行缺陷检测并统计不同面积大小的所述测试图形的光刻良率，进而形成相关的数据库，通过利用所述数据库中所述光刻良率最高所对应的所述测试图形的面积来确定光阻的适用条件，如此一来，将光阻的稳定性与光刻良率最高的光刻工艺条件和光刻图形的面积相关联，使得不同稳定性的光阻能够在一光刻工艺条件下对应光刻图形的不同面积大小，以使光阻在光刻对应的面积大小的光刻图形时达到最佳的光刻效果，如此便解决了当光阻稳定性发生变化时，需经过大量验证来找到光阻的适用条件，且不利于光刻成本控制的问题。

进一步的，在本实施例提供的确定光阻的适用条件的方法中，所述确定光阻的适用条件的方法还包括：

改变所述光刻工艺条件，以得到不同光刻工艺条件下，不同面积大小的所述测试图形的光刻良率；

统计不同光刻工艺条件下，不同面积大小的所述测试图形分别对应的所述光刻良率，以形成多个相应的所述数据对，并将所有所述数据对纳入所述数据库中。

如此一来，就可以进一步的丰富数据库中的内容，使得光阻的适用条件的结果更加准确，也使得光阻的匹配范围更加广泛。例如，在实际生产应用中，可以通过实际的光刻工艺条件和实际光刻图形的面积大小，从数据库中选出与光刻工艺条件相吻合，且对应光刻图形面积大小一致的光刻良率最高的光阻的批次信息；又或者，可以通过现有光阻的批次信息获取该批次的光阻在何种工艺条件下对多大面积的光刻图形进行光刻可以得到最佳的光刻效果等。

同时，改变所述光刻工艺条件，例如更改精密曝光烘烤(PEB)时间，不仅可以得到不同光刻工艺条件下所述光阻的适用条件，还可以通过数据对比得知光阻的稳定性的差异来源于热稳定性还是溶解度。

当然，数据库中还可以放入不同稳定性甚至不同类型的光阻的光刻数据，以确定不同稳定性或不同类型的光阻的适用条件，进而以便实际生产应用中使用。

在本实施例中，由于影响光阻稳定性的光刻工艺条件主要为PEB时间，因此，所述光刻工艺条件包括精密曝光烘烤(PEB)时间，但不限于PEB时间。在实际应用中，可以丰富光刻工艺条件的内容以丰富数据库中的内容，例如可以加入涂布参数、曝光参数、显影参数等。

在本实施例提供的确定光阻的适用条件的方法中，步骤S3具体可以包括：

S31，获取所有所述测试图形的光刻图像。在本实施例中，利用光学检测设备获取所述测试图形的光刻图像。获取光刻图像的方式为本领域技术人员所熟知的，此处不再赘述。

S32，判断所有所述光刻图像与所述掩膜板的图像是否匹配，若所述光刻图像与所述掩膜板的图像不匹配，则判定所述测试图形存在缺陷。

具体的，判断所有所述光刻图像与所述掩膜板的图像是否匹配的方法包括：

判断所有所述光刻图像中是否存在凹坑、划痕、凸出或杂质，若所述光刻图像中存在凹坑、划痕、凸出或杂质，则判定所述光刻图像与所述掩膜板的图像不匹配；以及，

判断所有所述光刻图像是否将所述掩膜板的图像完整呈现，若所述光刻图像没有将所述掩膜板的图像完整呈现，则判定所述光刻图像与所述掩膜板的图像不匹配。

S33，按所述测试图形的面积大小分别统计被判定存在缺陷的所述测试图形的数量，并根据统计结果计算不同面积大小的所述测试图形的光刻良率。

具体的，计算不同面积大小的所述测试图形的光刻良率的方法为：某一面积大小的所述测试图形的光刻良率＝1-某一面积大小的被判定存在缺陷的所述测试图形的数量/某一面积大小的总的所述测试图形的数量。例如，60×60μm的测试图形共有12个，其中5个通过上述S32中所述的内容被判定为存在缺陷，因此，60×60μm的测试图形的光刻良率＝1-5/12＝58.33％。

由于不同稳定性的光阻的适用条件与光刻图形的面积大小之间存在一定的关系，即不同面积大小的光刻图形的光刻效果受光阻的稳定性的影响不同，因此，在统计得出各面积大小的测试图形的光刻良率后，将光阻与光刻良率最高的所述测试图形的面积大小相对应，可以将光阻的稳定性量化表达，即能够有效确定光阻的适用条件。

本实施例还提供一种掩膜板，用于如上所述的确定光阻的适用条件的方法中，如图2所示，所述掩膜板30包括多个光刻图形31，至少部分所述光刻图形31的面积大小不同，多个所述光刻图形31对应形成多个所述测试图形。具体的，所述掩膜板30上的多个光刻图形31依据面积大小分为小面积的光刻图形311、中面积的光刻图形312和大面积的光刻图形313，多个所述光刻图形31按面积大小分布在所述掩膜板30上不同的区域，且同一区域内的所述光刻图形31的面积大小相同。此外，具有相同面积大小的所述光刻图形31在所述掩膜板30上还可以呈阵列排布。将不同面积大小的所述光刻图形31分区域集中设置，便于对不同面积大小的所述光刻图形31的区分，方便光刻良率的统计计算。

同时，所述光刻图形31还可以在所述掩膜板30上沿所述掩膜板30的板面边缘排布。这样可以有效利用掩膜板的空白区域的资源，在不影响掩膜板30正常光刻区域的同时，可以通过边缘排布的光刻图形31对不同稳定性的光阻进行光刻以确定该光阻的适用条件。

在本实施例中，所述光刻图形31以矩形示意性的表述。在其他实施例中，所述光刻图形31还可以被分为若干个具体尺寸的矩形、圆形或其他形状的图形，如30×30μm、60×60μm、70×70μm、φ45μm、φ60μm等。尺寸划分的越细密，则光阻的稳定性的评估结果越精准。此外，在具体应用中，所述光刻图形31具体的排布方式，包括形状、大小、位置均可以按照实际需求布置。

由于在一定光刻工艺条件下，采用掩膜板对所述光阻执行曝光和显影，以在所述基板上形成与光刻图形相对应的测试图形，因此，多个所述测试图形按面积大小分布在所述基板上不同的区域，且同一区域内的所述测试图形的面积大小相同。

以下，以一具体实施方式对本实施例提供的确定光阻的适用条件的方法进行详细说明，需要说明的是，以下说明只是一个较佳的实现方式，本领域的技术人员应该可以容易推及到不脱离本实施方式本质的其他实施方式。

首先，如图3所示，提供一基板10，在所述基板10上涂布待评估的光阻20；所述基板10可以是半导体衬底。

接着，如图4所示，在一定光刻工艺条件下，采用掩膜板30对所述光阻20执行曝光和显影，所述掩膜板30具有多个不同面积大小的光刻图形31，包括小面积的光刻图形311、中面积的光刻图形312和大面积的光刻图形313。

然后，如图5所示，进行光刻，以在所述基板10上形成与所述光刻图形31对应的多个不同面积大小的测试图形21，包括小面积的测试图形211、中面积的测试图形212和大面积的测试图形213。

之后，利用光学检测设备获取所述测试图形21的光刻图像；判断所述光刻图像与所述掩膜板的图像是否匹配，若不匹配，则判定所述测试图形21存在缺陷。

接着，统计所述光刻工艺条件下不同面积大小的所述测试图形21的光刻良率，并通过获取的数据形成包括所述光刻工艺条件、所述测试图形的面积及所述光刻良率的多个数据对，并将所有所述数据对纳入一数据库中。

最后，从数据库中选出光刻良率最高的一组数据对，并将所述数据库中具有最高光刻良率的所述测试图形的面积定义为所述光阻在所述光刻工艺条件下的优选光刻面积。

具体的，假设小面积的测试图形211的面积为30×30μm，统计得到共有小面积的测试图形211的数量为M个，且其存在缺陷的测试图形的数量为m个；中面积的测试图形212的面积为60×60μm，统计得到共有中面积的测试图形212的数量为N个，且其存在缺陷的测试图形的数量为n个；大面积的测试图形213的面积为70×75μm，统计得到共有大面积的测试图形213的数量为Q个，且其存在缺陷的测试图形的数量为q个；则，小面积的测试图形211的光刻良率为1-m/M，中面积的测试图形212的光刻良率为1-n/N，以及，大面积的测试图形213的光刻良率为1-q/Q；若1-m/M＞1-n/N＞1-q/Q，则光阻的稳定性与所述小面积的测试图形211的面积大小相对应，即光阻的稳定性可以与30×30μm的光刻面积相对应，换句话说，就是该光阻能够被用于在该光刻工艺条件下，光刻面积不大于30×30μm的光刻图形。若光刻良率存在相等的情况，例如1-m/M＝1-n/N＞1-q/Q，则光阻的稳定性应当与光刻良率最大的几组测试图形中面积最大的一组相对应，即光阻的稳定性可以与60×60μm的光刻面积相对应，换句话说，就是该光阻能够被用于在该光刻工艺条件下光刻面积不大于60×60μm的光刻图形。

通过确认光刻工艺条件及待光刻的图形的面积大小，在相同光刻工艺条件下，选择具有相同面积大小的所述测试图形中光刻良率最高所对应的光阻。通过此种选择光阻的方法，能够在确定了光阻的稳定性以及该光阻适用光刻图形的面积的情况下，使得光阻在该光刻工艺条件下的光刻效率更高。

综上所述，本发明提供的确定光阻的适用条件的方法及其所用的掩膜板，通过在掩膜板上形成面积大小不同的光刻图形，并在基板上涂布待评估的光阻，在一光刻工艺条件下，利用该掩膜板对所述光阻进行光刻，以在所述基板上形成多个面积大小不同测试图形，对所有所述测试图形进行缺陷检测，统计不同面积大小的所述测试图形分别对应的光刻良率，以形成包括所述光刻工艺条件、所述测试图形的面积及所述光刻良率的多个数据对，并将所有所述数据对纳入一数据库中，将所述数据库中具有最高光刻良率的所述测试图形的面积定义为所述光阻在所述光刻工艺条件下的优选光刻面积，进而，在光刻图形面积大小发生变化时，可以通过所述数据库中所述光刻良率最高所对应的所述测试图形的面积来确定光阻的适用条件，并利用所述光阻和所述光刻工艺条件来进行刻蚀，从而，可以达到较佳的刻蚀效果。如此便解决了当光阻稳定性发生变化时，如何有效确定光阻的适用条件的问题。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。

Claims (10)

1.一种确定光阻的适用条件的方法，其特征在于，所述确定光阻的适用条件的方法包括：

提供一基板，在所述基板上涂布待评估的光阻；

在一光刻工艺条件下，利用一掩膜板对所述光阻进行光刻，以在所述基板上形成多个测试图形，至少部分所述测试图形的面积大小不同；

对所有所述测试图形进行缺陷检测，以得到不同面积大小的所述测试图形的光刻良率；

统计在所述光刻工艺条件下，不同面积大小的所述测试图形分别对应的所述光刻良率，以形成包括所述光刻工艺条件、所述测试图形的面积及所述光刻良率的多个数据对，并将所有所述数据对纳入一数据库中；

将所述数据库中具有最高光刻良率的所述测试图形的面积定义为所述光阻在所述光刻工艺条件下的优选光刻面积。

2.根据权利要求1所述的确定光阻的适用条件的方法，其特征在于，所述确定光阻的适用条件的方法还包括：

改变所述光刻工艺条件，以得到不同光刻工艺条件下，不同面积大小的所述测试图形的光刻良率；

统计不同光刻工艺条件下，不同面积大小的所述测试图形分别对应的所述光刻良率，以形成多个相应的所述数据对，并将所有所述数据对纳入所述数据库中。

3.根据权利要求1所述的确定光阻的适用条件的方法，其特征在于，所述对所有所述测试图形进行缺陷检测，以得到不同面积大小的所述测试图形的光刻良率的方法包括：

获取所有所述测试图形的光刻图像；

判断所有所述光刻图像与所述掩膜板的图像是否匹配，若所述光刻图像与所述掩膜板的图像不匹配，则判定所述测试图形存在缺陷；

按所述测试图形的面积大小分别统计被判定存在缺陷的所述测试图形的数量，并根据统计结果计算不同面积大小的所述测试图形的光刻良率。

4.根据权利要求3所述的确定光阻的适用条件的方法，其特征在于，利用光学检测设备获取所述测试图形的光刻图像。

5.根据权利要求3所述的确定光阻的适用条件的方法，其特征在于，所述判断所有所述光刻图像与所述掩膜板的图像是否匹配的方法包括：

判断所有所述光刻图像中是否存在凹坑、划痕、凸出或杂质，若所述光刻图像中存在凹坑、划痕、凸出或杂质，则判定所述光刻图像与所述掩膜板的图像不匹配；以及，

判断所有所述光刻图像是否将所述掩膜板的图像完整呈现，若所述光刻图像没有将所述掩膜板的图像完整呈现，则判定所述光刻图像与所述掩膜板的图像不匹配。

6.根据权利要求3所述的确定光阻的适用条件的方法，其特征在于，所述计算不同面积大小的所述测试图形的光刻良率的方法为：某一面积大小的所述测试图形的光刻良率＝1-某一面积大小的被判定存在缺陷的所述测试图形的数量/某一面积大小的总的所述测试图形的数量。

7.根据权利要求1所述的确定光阻的适用条件的方法，其特征在于，多个所述测试图形按面积大小分布在所述基板上不同的区域，且同一区域内的所述测试图形的面积大小相同。

8.根据权利要求1所述的确定光阻的适用条件的方法，其特征在于，所述光刻工艺条件包括精密曝光烘烤时间。

9.一种掩膜板，用于如权利要求1～8任一项所述的确定光阻的适用条件的方法中，其特征在于，所述掩膜板包括多个光刻图形，至少部分所述光刻图形的面积大小不同，多个所述光刻图形对应形成多个所述测试图形。

10.根据权利要求9所述的掩膜板，其特征在于，多个所述光刻图形按面积大小分布在所述掩膜板上不同的区域，且同一区域内的所述光刻图形的面积大小相同。

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