CN111640678A - 一种半导体元件加工方法及成型工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种半导体元件加工方法及成型工艺，通过以经双面光刻的半导体圆片为加工对象，在半导体圆片上下表面均涂覆焊膏，完成双面涂覆焊膏，得到半导体元件半成品，将半导体元件半成品送入划片设备内切割出若干个小块，将切割出的小块移至引线框架上进行封装后，对封装的小块进行成品测试，得到该半导体元件；该半导体元件加工方法工艺简单可行、焊膏层涂覆固着效果好，可以有效防止半导体芯片的表面氧化，提高半导体芯片表面的致密性，可靠性高；该成型工艺中使用划片设备制备半导体元件，该划片设备自动化程度高，上下料速率快，有效地提高了半导体元件的生产效率。

Description

一种半导体元件加工方法及成型工艺
技术领域
本发明涉及半导体元件领域，具体涉及一种半导体元件加工方法及成型工艺。
背景技术
半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的，大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的芯片都是由半导体制成的元件。
现有的半导体芯片表面不具有焊膏层，需通过焊片与引线框架焊接为一体，而采用表面不具有焊膏层的半导体芯片表面易氧化，甚至对其表面的致密性也有一定的影响，而且半导体芯片在生产过程中，采用传统的切割工艺对晶圆划切时，需要人工上下料，自动化程度低，生产效率低。
因此，如何改善半导体芯片表面易氧化，半导体芯片生产效率低是本发明需要解决的问题。
发明内容
为了克服上述的技术问题，本发明的目的在于提供了一种半导体元件加工方法及成型工艺：(1)通过以经双面光刻的半导体圆片为加工对象，将该半导体圆片放入印刷机的固定平台，使用印刷机将焊膏涂覆在半导体圆片上表面，然后取出半导体圆片，并放入烘箱内烘干，使半导体圆片上表面的焊膏层硬化，然后翻转半导体圆片，使用印刷机将焊膏涂覆在半导体圆片下表面，然后半导体圆片，并放入烘箱内烘干，使半导体圆片下表面的焊膏层硬化，完成双面涂覆焊膏，得到半导体元件半成品，将半导体元件半成品送入划片设备内切割出若干个小块，将切割出的小块移至引线框架上进行封装后，对封装的小块进行成品测试，得到该半导体元件，解决了现有的半导体芯片表面易氧化的问题；(2)通过将半导体元件半成品放入划片设备的第一自动上下料机构或者第二自动上下料机构上的上料吸盘中，启动升降机构带动上料盒、下料盒上升，使得上料吸盘接触半导体元件半成品，上料吸盘运转将半导体元件半成品吸附，通过步进电机运转，带动L形板转动，将半导体元件半成品移动至划片板正上方，通过升降气缸调整上料吸盘的高度，上料吸盘释放，将半导体元件半成品放置于划片板上，通过高能激光发生器运转释放高能激光，通过第一气缸运转推动第二滑轨移动，改变高能激光发生器在划片板上的横向位置，通过第二气缸运转推动C形安装架移动，改变高能激光发生器在划片板上的纵向位置，实现了高能激光发生器释放第二高能激光将半导体元件半成品切割出小块，解决了现有的半导体芯片生产效率低的问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种半导体元件加工方法，该半导体元件包括半导体层以及涂敷于半导体层上、下表面的焊膏层；
该半导体元件由以下步骤制备得到：
步骤一、涂覆成型：以经双面光刻的半导体圆片为加工对象，将该半导体圆片放入印刷机的固定平台，使用印刷机将焊膏涂覆在半导体圆片上表面，然后取出半导体圆片，并放入烘箱内烘干，使半导体圆片上表面的焊膏层硬化，然后翻转半导体圆片，使用印刷机将焊膏涂覆在半导体圆片下表面，然后半导体圆片，并放入烘箱内烘干，使半导体圆片下表面的焊膏层硬化，完成双面涂覆焊膏，得到半导体元件半成品；
步骤二、划片：将半导体元件半成品送入划片设备内切割出若干个小块，将切割出的小块移至引线框架上进行封装后，对封装的小块进行成品测试，得到该半导体元件，即半导体芯片。
作为本发明进一步的方案：所述焊膏层的厚度控制在10um～200um范围内。
作为本发明进一步的方案：所述半导体圆片在烘箱内烘干一次的时间为2～12分钟，且其温度控制在110～125℃范围内，所述烘箱是红外线烘箱。
作为本发明进一步的方案：一种半导体元件的成型工艺，包括以下步骤：
步骤一：将半导体元件半成品放入划片设备的第一自动上下料机构或者第二自动上下料机构上的上料吸盘中，启动升降机构带动上料盒、下料盒上升，使得上料吸盘接触半导体元件半成品，上料吸盘运转将半导体元件半成品吸附，通过步进电机运转，带动L形板转动，将半导体元件半成品移动至划片板正上方，通过升降气缸调整上料吸盘的高度，上料吸盘释放，将半导体元件半成品放置于划片板上；
步骤二：通过高能激光发生器运转释放高能激光，通过第一气缸运转推动第二滑轨移动，改变高能激光发生器在划片板上的横向位置，通过第二气缸运转推动C形安装架移动，改变高能激光发生器在划片板上的纵向位置，实现了高能激光发生器释放第二高能激光将半导体元件半成品切割出小块；
步骤三：将切割出的小块移至引线框架上进行封装后，对封装的小块进行成品测试，得到该半导体元件，即半导体芯片。
作为本发明进一步的方案：所述划片设备的工作过程如下：
步骤一：将半导体元件半成品放入第一自动上下料机构、第二自动上下料机构上的上料吸盘中，启动划片机构，通过第三气缸延伸推动划片板向前移动至第三滑轨接近第一自动上下料机构的一端；
步骤二：启动第一自动上下料机构，启动升降机构，伺服电机带动丝杆转动，从而带动螺纹板上升，通过导向杆、升降板带动上料盒、下料盒上升，使得上料吸盘接触半导体元件半成品，上料吸盘运转将半导体元件半成品吸附，通过步进电机运转，带动L形板转动，将半导体元件半成品移动至划片板正上方，通过升降气缸调整上料吸盘的高度，上料吸盘释放，将半导体元件半成品放置于划片板上；
步骤三：启动高能激光发生器，高能激光发生器运转释放高能激光，通过第一气缸运转推动第二滑轨移动，改变高能激光发生器在划片板上的横向位置，通过第二气缸运转推动C形安装架移动，改变高能激光发生器在划片板上的纵向位置，实现了高能激光发生器释放第二高能激光将半导体元件半成品切割出小块，得到半导体元件；
步骤四：通过步进电机运转，带动L形板转动，将下料吸盘移动至半导体元件上方，通过升降气缸调整下料吸盘的高度，下料吸盘运转将半导体元件吸附，通过步进电机运转使得半导体元件移动至下料盒上方，通过升降气缸调整上料吸盘的高度，下料吸盘释放，将半导体元件放置于下料盒中。
本发明的有益效果：
(1)本发明的一种半导体元件加工方法，通过以经双面光刻的半导体圆片为加工对象，将该半导体圆片放入印刷机的固定平台，使用印刷机将焊膏涂覆在半导体圆片上表面，然后取出半导体圆片，并放入烘箱内烘干，使半导体圆片上表面的焊膏层硬化，然后翻转半导体圆片，使用印刷机将焊膏涂覆在半导体圆片下表面，然后半导体圆片，并放入烘箱内烘干，使半导体圆片下表面的焊膏层硬化，完成双面涂覆焊膏，得到半导体元件半成品，将半导体元件半成品送入划片设备内切割出若干个小块，将切割出的小块移至引线框架上进行封装后，对封装的小块进行成品测试，得到该半导体元件；该半导体元件加工方法工艺简单可行、焊膏层涂覆固着效果好，可以有效防止半导体芯片的表面氧化，提高半导体芯片表面的致密性，可靠性高；
(2)本发明的一种半导体元件的成型工艺，通过将半导体元件半成品放入划片设备的第一自动上下料机构或者第二自动上下料机构上的上料吸盘中，启动升降机构带动上料盒、下料盒上升，使得上料吸盘接触半导体元件半成品，上料吸盘运转将半导体元件半成品吸附，通过步进电机运转，带动L形板转动，将半导体元件半成品移动至划片板正上方，通过升降气缸调整上料吸盘的高度，上料吸盘释放，将半导体元件半成品放置于划片板上，通过高能激光发生器运转释放高能激光，通过第一气缸运转推动第二滑轨移动，改变高能激光发生器在划片板上的横向位置，通过第二气缸运转推动C形安装架移动，改变高能激光发生器在划片板上的纵向位置，实现了高能激光发生器释放第二高能激光将半导体元件半成品切割出小块；该成型工艺中通过第一自动上下料机构和第二自动上下料机构可以将半导体元件半成品自动移动至划片机构的划片板上，划片机构通过第一气缸、第二气缸、第三气缸运转实现高能激光发生器在划片板上方全方位移动，自动将半导体元件半成品切割成品，同时通过设置第一自动上下料机构、第二自动上下料机构同时使用，增加切割数量，或者在第一自动上下料机构下料时移动划片板至第三滑轨另一端，通过第二自动上下料机构进行上料；本发明中的划片设备自动化程度高，上下料速率快，有效地提高了半导体元件的生产效率。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1是本发明中划片设备的立体图一；
图2是本发明中划片设备的正视图；
图3是本发明中划片设备的立体图二；
图4是本发明中划片机构的结构示意图；
图5是本发明中第一自动上下料机构的结构示意图；
图6是本发明中第一自动上下料机构的正视图；
图7是本发明中升降机构的结构示意图。
图中：100、承重底座；200、第一自动上下料机构；300、划片机构；400、第二自动上下料机构；201、第一支撑架；202、上料盒；203、上料吸盘；204、L形板；205、下料吸盘；206、升降气缸；207、第二支撑架；208、步进电机；209、下料盒；210、升降机构；2101、升降板；2102、固定套；2103、导向杆；2104、伺服电机；2105、螺纹板；2106、丝杆；301、高能激光发生器；302、C形安装架；303、支撑块；304、辅助轨道；305、第一滑轨；306、第二滑轨；307、第一气缸；308、第二气缸；309、第三支撑架；310、第三气缸；311、第三滑轨；312、划片板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1：
请参阅图1-7所示，本实施例为一种半导体元件加工方法，该半导体元件包括半导体层以及涂敷于半导体层上、下表面的焊膏层；
该半导体元件由以下步骤制备得到：
步骤一、涂覆成型：以经双面光刻的半导体圆片为加工对象，将该半导体圆片放入印刷机的固定平台，使用印刷机将焊膏涂覆在半导体圆片上表面，然后取出半导体圆片，并放入烘箱内烘干，使半导体圆片上表面的焊膏层硬化，然后翻转半导体圆片，使用印刷机将焊膏涂覆在半导体圆片下表面，然后半导体圆片，并放入烘箱内烘干，使半导体圆片下表面的焊膏层硬化，完成双面涂覆焊膏，得到半导体元件半成品；
步骤二、划片：将半导体元件半成品送入划片设备内切割出若干个小块，将切割出的小块移至引线框架上进行封装后，对封装的小块进行成品测试，得到该半导体元件，即半导体芯片。
具体的，焊膏层的厚度控制在10um～200um范围内；半导体圆片在烘箱内烘干一次的时间为2～12分钟，且其温度控制在110～125℃范围内，烘箱是红外线烘箱。
一种半导体元件的成型工艺，包括以下步骤：
步骤一：将半导体元件半成品放入划片设备的第一自动上下料机构200或者第二自动上下料机构400上的上料吸盘203中，启动升降机构210带动上料盒202、下料盒209上升，使得上料吸盘203接触半导体元件半成品，上料吸盘203运转将半导体元件半成品吸附，通过步进电机208运转，带动L形板204转动，将半导体元件半成品移动至划片板312正上方，通过升降气缸206调整上料吸盘203的高度，上料吸盘203释放，将半导体元件半成品放置于划片板312上；
步骤二：通过高能激光发生器301运转释放高能激光，通过第一气缸307运转推动第二滑轨306移动，改变高能激光发生器301在划片板312上的横向位置，通过第二气缸308运转推动C形安装架302移动，改变高能激光发生器301在划片板312上的纵向位置，实现了高能激光发生器301释放第二高能激光将半导体元件半成品切割出小块；
步骤三：将切割出的小块移至引线框架上进行封装后，对封装的小块进行成品测试，得到该半导体元件，即半导体芯片。
实施例2：
请参阅图1-7所示，本实施例中的划片设备，包括承重底座100、第一自动上下料机构200、划片机构300、第二自动上下料机构400，所述承重底座100顶部一端安装有第一自动上下料机构200，所述承重底座100远离第一自动上下料机构200一端安装有第二自动上下料机构400，所述承重底座100在第一自动上下料机构200、第二自动上下料机构400之间安装有划片机构300；
其中，所述划片机构300包括高能激光发生器301、C形安装架302、第一滑轨305、第二滑轨306、第三滑轨311、划片板312，所述C形安装架302、第二滑轨306、划片板312底部均安装有滑块，所述C形安装架302通过滑块滑动安装在第二滑轨306的顶部，所述第二滑轨306通过滑块滑动安装在第一滑轨305的顶部，所述划片板312通过滑块滑动安装在第三滑轨311顶部，所述C形安装架302顶端一侧竖直安装有高能激光发生器301，所述第二滑轨306一端底部安装有支撑块303，所述支撑块303滑动安装在辅助轨道304的顶部，所述第三滑轨311安装在第三支撑架309的顶部；所述第一滑轨305一端安装有第一气缸307，所述第一气缸307的活动杆连接至第二滑轨306的滑块上，所述第二滑轨306远离支撑块303一端安装有第二气缸308，所述第二气缸308的活动杆连接至C形安装架302的滑块上，所述第三滑轨311一端安装有第三气缸310，所述第三气缸310的活动杆连接至划片板312的滑块上；
其中，所述第一自动上下料机构200、第二自动上下料机构400的结构相同，所述第一自动上下料机构200包括第一支撑架201、上料盒202、上料吸盘203、L形板204、下料吸盘205、升降气缸206、第二支撑架207、步进电机208、下料盒209、升降机构210，所述第一支撑架201顶部一端设置有上料盒202，所述上料盒202正上方设置有上料吸盘203，所述第一支撑架201顶部远离上料盒202一端设置有下料盒209，所述上料吸盘203安装在L形板204的底部一端，所述L形板底部远离上料吸盘203一端安装有下料吸盘205，所述上料盒202、下料盒209底部均通过升降机构210连接至第一支撑架201顶部，所述升降机构210贯穿安装在第一支撑架201上，所述第一支撑架201顶部在上料盒202、下料盒209的中间位置安装有第二支撑架207，所述第二支撑架207内腔中设置有升降气缸206，所述升降气缸206安装在第一支撑架201的顶部，所述第二支撑架207顶部放置有步进电机208，所述升降气缸206的活动杆贯穿第二支撑架207顶部且连接至步进电机208的底部，所述L形板204中部拐角安装在步进电机208的输出轴上；
所述升降机构210包括升降板2101、固定套2102、导向杆2103、伺服电机2104、螺纹板2105、丝杆2106，所述升降板2101底部两端均安装有导向杆2103，两个所述导向杆2103顶端均套接有固定套2102，两个所述导向杆2103底端分别贯穿螺纹板2105的两端上，所述螺纹板2105中部贯穿安装有丝杆2106，所述丝杆2106顶端连接至伺服电机2104的输出轴上，所述伺服电机2104两侧分别连接至两个固定套2102上；所述升降板2101安装在上料盒202或下料盒209的底部，所述固定套2102的顶部安装在第一支撑架201的内腔顶部。
请参阅图1-7所示，本实施例中的划片设备的工作过程如下：
步骤一：将半导体元件半成品放入第一自动上下料机构200、第二自动上下料机构400上的上料吸盘203中，启动划片机构300，通过第三气缸310延伸推动划片板312向前移动至第三滑轨311接近第一自动上下料机构200的一端；
步骤二：启动第一自动上下料机构200，启动升降机构210，伺服电机2104带动丝杆2106转动，从而带动螺纹板2105上升，通过导向杆2103、升降板2101带动上料盒202、下料盒209上升，使得上料吸盘203接触半导体元件半成品，上料吸盘203运转将半导体元件半成品吸附，通过步进电机208运转，带动L形板204转动，将半导体元件半成品移动至划片板312正上方，通过升降气缸206调整上料吸盘203的高度，上料吸盘203释放，将半导体元件半成品放置于划片板312上；
步骤三：启动高能激光发生器301，高能激光发生器301运转释放高能激光，通过第一气缸307运转推动第二滑轨306移动，改变高能激光发生器301在划片板312上的横向位置，通过第二气缸308运转推动C形安装架302移动，改变高能激光发生器301在划片板312上的纵向位置，实现了高能激光发生器301释放第二高能激光将半导体元件半成品切割出小块；
并将小块移至引线框架上进行封装后，对封装的小块进行成品测试，得到该半导体元件，即半导体芯片。
步骤四：通过步进电机208运转，带动L形板204转动，将下料吸盘205移动至半导体元件上方，通过升降气缸206调整下料吸盘205的高度，下料吸盘205运转将半导体元件吸附，通过步进电机208运转使得半导体元件移动至下料盒209上方，通过升降气缸206调整上料吸盘203的高度，下料吸盘205释放，将半导体元件放置于下料盒209中。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“示例”、“具体示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上内容仅仅是对本发明所作的举例和说明，所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离发明或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种半导体元件加工方法，其特征在于，该半导体元件包括半导体层以及涂敷于半导体层上、下表面的焊膏层；
该半导体元件由以下步骤制备得到：
步骤一、涂覆成型：以经双面光刻的半导体圆片为加工对象，将该半导体圆片放入印刷机的固定平台，使用印刷机将焊膏涂覆在半导体圆片上表面，然后取出半导体圆片，并放入烘箱内烘干，使半导体圆片上表面的焊膏层硬化，然后翻转半导体圆片，使用印刷机将焊膏涂覆在半导体圆片下表面，然后半导体圆片，并放入烘箱内烘干，使半导体圆片下表面的焊膏层硬化，完成双面涂覆焊膏，得到半导体元件半成品；
步骤二、划片：将半导体元件半成品送入划片设备内切割出若干个小块，将切割出的小块移至引线框架上进行封装后，对封装的小块进行成品测试，得到该半导体元件，即半导体芯片。
2.根据权利要求1所述的一种半导体元件加工方法，其特征在于，所述焊膏层的厚度控制在10um～200um范围内。
3.根据权利要求1所述的一种半导体元件加工方法，其特征在于，所述半导体圆片在烘箱内烘干一次的时间为2～12分钟，且其温度控制在110～125℃范围内，所述烘箱是红外线烘箱。
4.一种半导体元件的成型工艺，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：将半导体元件半成品放入划片设备的第一自动上下料机构(200)或者第二自动上下料机构(400)上的上料吸盘(203)中，启动升降机构(210)带动上料盒(202)、下料盒(209)上升，使得上料吸盘(203)接触半导体元件半成品，上料吸盘(203)运转将半导体元件半成品吸附，通过步进电机(208)运转，带动L形板(204)转动，将半导体元件半成品移动至划片板(312)正上方，通过升降气缸(206)调整上料吸盘(203)的高度，上料吸盘(203)释放，将半导体元件半成品放置于划片板(312)上；
步骤二：通过高能激光发生器(301)运转释放高能激光，通过第一气缸(307)运转推动第二滑轨(306)移动，改变高能激光发生器(301)在划片板(312)上的横向位置，通过第二气缸(308)运转推动C形安装架(302)移动，改变高能激光发生器(301)在划片板(312)上的纵向位置，实现了高能激光发生器(301)释放第二高能激光将半导体元件半成品切割出小块；
步骤三：将切割出的小块移至引线框架上进行封装后，对封装的小块进行成品测试，得到该半导体元件，即半导体芯片。
5.根据权利要求4所述的一种半导体元件的成型工艺，其特征在于，所述划片设备的工作过程如下：
步骤一：将半导体元件半成品放入第一自动上下料机构(200)、第二自动上下料机构(400)上的上料吸盘(203)中，启动划片机构(300)，通过第三气缸(310)延伸推动划片板(312)向前移动至第三滑轨(311)接近第一自动上下料机构(200)的一端；
步骤二：启动第一自动上下料机构(200)，启动升降机构(210)，伺服电机(2104)带动丝杆(2106)转动，从而带动螺纹板(2105)上升，通过导向杆(2103)、升降板(2101)带动上料盒(202)、下料盒(209)上升，使得上料吸盘(203)接触半导体元件半成品，上料吸盘(203)运转将半导体元件半成品吸附，通过步进电机(208)运转，带动L形板(204)转动，将半导体元件半成品移动至划片板(312)正上方，通过升降气缸(206)调整上料吸盘(203)的高度，上料吸盘(203)释放，将半导体元件半成品放置于划片板(312)上；
步骤三：启动高能激光发生器(301)，高能激光发生器(301)运转释放高能激光，通过第一气缸(307)运转推动第二滑轨(306)移动，改变高能激光发生器(301)在划片板(312)上的横向位置，通过第二气缸(308)运转推动C形安装架(302)移动，改变高能激光发生器(301)在划片板(312)上的纵向位置，实现了高能激光发生器(301)释放第二高能激光将半导体元件半成品切割出小块，得到半导体元件；
步骤四：通过步进电机(208)运转，带动L形板(204)转动，将下料吸盘(205)移动至半导体元件上方，通过升降气缸(206)调整下料吸盘(205)的高度，下料吸盘(205)运转将半导体元件吸附，通过步进电机(208)运转使得半导体元件移动至下料盒(209)上方，通过升降气缸(206)调整上料吸盘(203)的高度，下料吸盘(205)释放，将半导体元件放置于下料盒(209)中。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115472565A (zh) * 2022-10-18 2022-12-13 安徽省富捷电子科技有限公司 一种半导体元件的加工方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1065372A (zh) * 1991-03-26 1992-10-14 古河电气工业株式会社 带焊料涂层的印刷电路板及其制造方法
EP0926729A2 (en) * 1997-12-10 1999-06-30 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Semiconductor plastic package and process for the production thereof
JP2001024310A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Nippon Circuit Kogyo Kk プリント基板の製造方法
CN101969054A (zh) * 2010-08-20 2011-02-09 常州银河电器有限公司 一种半导体芯片及其制备方法
CN204094318U (zh) * 2014-08-18 2015-01-14 深圳市韵腾激光科技有限公司 激光划片定位装置
CN106684234A (zh) * 2017-01-20 2017-05-17 深圳市润芯科技有限公司 Led晶片封装基板、其制备方法及led光源
CN206393062U (zh) * 2017-01-05 2017-08-11 湖北工业大学 一种太阳能电池片划片机
DE102018213784A1 (de) * 2017-08-22 2019-02-28 Disco Corporation Schneidvorrichtung und Detektionsverfahren für eine Nut
CN209922404U (zh) * 2019-03-05 2020-01-10 上海爵企电子科技有限公司 一种晶片自动括晶机

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1065372A (zh) * 1991-03-26 1992-10-14 古河电气工业株式会社 带焊料涂层的印刷电路板及其制造方法
EP0926729A2 (en) * 1997-12-10 1999-06-30 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Semiconductor plastic package and process for the production thereof
JP2001024310A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Nippon Circuit Kogyo Kk プリント基板の製造方法
CN101969054A (zh) * 2010-08-20 2011-02-09 常州银河电器有限公司 一种半导体芯片及其制备方法
CN204094318U (zh) * 2014-08-18 2015-01-14 深圳市韵腾激光科技有限公司 激光划片定位装置
CN206393062U (zh) * 2017-01-05 2017-08-11 湖北工业大学 一种太阳能电池片划片机
CN106684234A (zh) * 2017-01-20 2017-05-17 深圳市润芯科技有限公司 Led晶片封装基板、其制备方法及led光源
DE102018213784A1 (de) * 2017-08-22 2019-02-28 Disco Corporation Schneidvorrichtung und Detektionsverfahren für eine Nut
CN209922404U (zh) * 2019-03-05 2020-01-10 上海爵企电子科技有限公司 一种晶片自动括晶机

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115472565A (zh) * 2022-10-18 2022-12-13 安徽省富捷电子科技有限公司 一种半导体元件的加工方法

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