CN111628105A - 显示面板及其制备方法、显示基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种显示面板及其制备方法、显示基板及其制备方法和显示装置，涉及显示技术领域，能够改善显示面板的显示效果和封装效果。其中的显示面板，包括：衬底、第一电极、像素界定层和第一发光功能层。其中，第一电极，设置于衬底的一侧；像素界定层，设置于衬底的一侧，包括第一镂空部，第一镂空部包括相对设置的第一开口和第二开口；相比于第二开口，第一开口更靠近衬底，且第一开口露出第一电极的至少部分；第一发光功能层，设置于像素界定层和第一电极远离衬底的一侧，包括第二镂空部，第二镂空部在像素界定层上的正投影与第一开口不重叠。

Description

显示面板及其制备方法、显示基板及其制备方法和显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是一种通过有机薄膜电致发光的器件，常用于显示装置中。OLED显示装置具有自发光、发光效率高、响应时间短、清晰度和对比度高、可实现柔性显示等优点，从而被应用在越来越多的场合中。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示基板及其制备方法和显示装置，能够改善显示面板的显示效果和封装效果。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种显示面板。所述显示面板包括衬底、第一电极、像素界定层和第一发光功能层。
所述第一电极设置于所述衬底的一侧。
所述像素界定层，设置于所述衬底的一侧，包括第一镂空部，所述第一镂空部包括相对设置的第一开口和第二开口；相比于所述第二开口，所述第一开口更靠近所述衬底，其中所述第一开口露出所述第一电极的至少部分。
所述第一发光功能层，设置于所述像素界定层和所述第一电极远离所述衬底的一侧，包括第二镂空部，所述第二镂空部在所述像素界定层上的正投影与所述第一开口不重叠。
在一些实施例中，所述第二镂空部在所述像素界定层上的正投影与所述第二开口之间具有间隙。
在一些实施例中，所述第二镂空部的最大尺寸小于所述第一镂空部的最大尺寸。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：第二电极，设置于所述第一发光功能层远离所述衬底的一侧，且所述第二电极覆盖所述第二镂空部。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：薄膜晶体管，设置于所述衬底与所述第一电极之间，且所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述第一电极电连接。
在一些实施例中，所述薄膜晶体管还包括：沿远离衬底一侧方向层叠的有源层、第一栅绝缘层、栅极层、第二栅绝缘层、层间绝缘层；所述薄膜晶体管的源极和漏极设置于所述层间绝缘层远离所述衬底的一侧，且通过贯穿所述层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层的过孔与所述有源层接触。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：第一金属层，所述第一金属层设置于所述薄膜晶体管与所述衬底之间，且所述第一金属层与一补偿电压端电连接，所述补偿电压端被配置为提供用于补偿所述薄膜晶体管的阈值电压的补偿电压信号。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：封装层，所述封装层包括沿远离衬底一侧方向层叠的第一无机封装子层、有机封装子层和第二无机封装子层。
另一方面，提供一种显示基板，包括：衬底、第一电极、像素界定层、牺牲图案、隔垫物和第二发光功能层。
所述第一电极设置于所述衬底的一侧。
所述像素界定层设置于所述衬底的一侧，包括第一镂空部，所述第一镂空部包括相对设置的第一开口和第二开口；相比于所述第二开口，所述第一开口更靠近所述衬底，其中所述第一开口露出所述第一电极的至少部分。
所述牺牲图案设置于像素界定层远离所述衬底的一侧，且所述牺牲图案在所述像素界定层上的正投影与所述第一开口不重叠。
所述隔垫物设置于所述牺牲图案远离所述衬底的一侧，所述隔垫物在所述像素界定层上的正投影与所述第一开口不重叠。
所述第二发光功能层设置于所述像素界定层和所述第一电极远离所述衬底的一侧。
在一些实施例中，所述隔垫物包括沿远离衬底一侧方向相对设置的第一表面和第二表面，相对于所述第二表面，所述第一表面更靠近所述衬底；其中，所述第一表面在所述像素界定层上的正投影落在所述第二表面在所述像素界定层上的正投影以内，且所述第一表面在所述像素界定层上的正投影的边界与所述第二表面在所述像素界定层上的正投影的边界之间存在间隙。
在一些实施例中，所述第二表面的最大尺寸小于所述第一镂空部的最大尺寸。
在一些实施例中，所述隔垫物在所述像素界定层上的正投影与所述第二开口之间具有间隙。
在一些实施例中，所述牺牲图案的厚度大于所述第二发光功能层的厚度。
在一些实施例中，所述显示基板还包括：薄膜晶体管，设置于所述衬底与所述第一电极之间，且所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述第一电极电连接。
又一方面，提供一种显示装置，包括如上所述的显示面板。
又一方面，提供一种显示基板的制备方法，包括：
在衬底上形成第一电极。
在形成有第一电极的衬底上形成像素界定层；所述像素界定层包括：第一镂空部，所述第一镂空部包括相对设置的第一开口和第二开口，相比于所述第二开口，所述第一开口更靠近所述衬底，其中所述第一开口露出所述第一电极的至少部分。
在所述像素界定层上形成层叠的牺牲图案和隔垫物，相对于所述隔垫物，所述牺牲图案更靠近所述衬底。
将形成有所述隔垫物的衬底与掩膜板相对设置，所述隔垫物与所述掩膜板抵接，透过所述掩膜板向所述衬底设置有所述隔垫物的一侧蒸镀发光功能材料，以形成第二发光功能层。
在一些实施例中，在所述像素界定层上形成层叠的牺牲图案和隔垫物，包括：在形成有所述像素界定层的衬底上形成第一薄膜，并将第一薄膜图案化，以形成位于所述像素界定层远离衬底一侧的牺牲图案。
在形成有牺牲图案的衬底上形成第二薄膜，并将第二薄膜图案化，以形成位于所述牺牲图案远离所述衬底一侧的隔垫物。
在另一些实施例中，在所述像素界定层上形成层叠的牺牲图案和隔垫物，包括：在形成有所述像素界定层的衬底上形成第一薄膜。
在第一薄膜上形成第二薄膜。
同时将第一薄膜和第二薄膜图案化，以形成层叠的牺牲图案和隔垫物。
又一方面，提供一种显示面板的制备方法，包括：
如上所述的显示基板的制备方法。
去除所述显示基板中的牺牲图案，以使得所述显示基板中位于所述牺牲图案远离衬底一侧的隔垫物脱离所述显示基板，以通过第二发光功能层形成第一发光功能层。
在一些实施例中，所述显示面板的制备方法还包括：
在形成有第一发光功能层的衬底上形成第二电极。
在所述第二电极上形成第一无机封装子层。
在所述第一无机封装子层上形成有机封装子层。
在所述有机封装子层上形成第二无机封装子层，所述第一无机封装子层、所述有机封装子层和所述第二无机封装子层构成封装层。
而在本公开中，在显示面板的制备过程中，会在像素界定层上形成牺牲图案和隔垫物，用以支撑FMM，而在第二发光功能层制备完成后，又会通过去除牺牲图案去除或移除隔垫物，从而通过第二发光功能层制备出了具有第二镂空部的第一发光功能层。所以，一方面，在制备本公开中的有机封装子层时，由于无隔垫物的阻挡，制备的有机封装子层各处的膜层厚度接近，膜厚均一性较好，可以改善显示面板的封装效果；另一方面，隔垫物由于被FMM刮伤所产生的异物颗粒也会被去除，从而制备出的有机封装子层不会因异物颗粒而出现缺陷，膜层的品质也较好，可以进一步改善显示面板的封装效果；再一方面，由于不存在隔垫物，显示面板便不会因为隔垫物的高度差异而产生色偏现象，从而显示面板的显示效果也较好；又一方面，由于无隔垫物，还可以使得显示面板的厚度减小，从而制备出厚度更小的显示面板，更符合显示面板向着轻薄化发展的趋势，以及提高显示面板的市场竞争力。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1A～1G为根据本公开的一些实施例提供的一种显示面板的结构图；
图2为根据本公开的一些实施例提供的一种第一发光功能层的结构图；
图3A～图3C为根据本公开的一些实施例提供的一种显示面板的制备过程图；
图4A和图4B为根据本公开的一些实施例提供的另一种显示面板的结构图；
图5为根据本公开的一些实施例提供的一种像素驱动电路的结构图；
图6为根据本公开的一些实施例提供的一种像素驱动电路的时序图；
图7A为根据本公开的一些实施例提供的另一种显示面板的结构图；
图7B为图7A中A-A′向的截面图；
图7C为根据本公开的一些实施例提供的一种第一金属层的结构图；
图7D为根据本公开的一些实施例提供的一种有源层的结构图；
图7E为根据本公开的一些实施例提供的一种栅极金属层的结构图；
图7F为根据本公开的一些实施例提供的一种第二金属层的结构图；
图7G为根据本公开的一些实施例提供的一种第三金属层的结构图；
图7H为根据本公开的一些实施例提供的另一种显示面板的结构图；
图8A～8I为根据本公开的一些实施例提供的一种显示基板的结构图；
图9A为根据本公开的一些实施例提供的另一种显示基板的结构图；
图9B为图9A中B-B′向的截面图；
图9C为根据本公开的一些实施例提供的一种第一电极、第一镂空部、牺牲图案和隔垫物的结构图；
图9D为根据本公开的一些实施例提供的另一种显示基板的结构图；
图10A为根据本公开的一些实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图；
图10B～10G为根据本公开的一些实施例提供的一种显示基板的制备过程图；
图10H为图10G中C-C′向的截面图；
图11A为根据本公开的一些实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程图；
图11B为根据本公开的一些实施例提供的一种显示面板的制备过程图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而，术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
如本文中所使用，根据上下文，术语“如果”任选地被解释为意思是“当……时”或“在……时”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，根据上下文，短语“如果确定……”或“如果检测到[所陈述的条件或事件]”任选地被解释为是指“在确定……时”或“响应于确定……”或“在检测到[所陈述的条件或事件]时”或“响应于检测到[所陈述的条件或事件]”。
本文中“适用于”或“被配置为”的使用意味着开放和包容性的语言，其不排除适用于或被配置为执行额外任务或步骤的设备。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“约”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本公开的实施例提供一种显示装置，该显示装置例如为电致发光显示装置。
在一些实施例中，电致发光显示装置例如包括显示面板，显示面板可以为OLED显示面板或者量子点电致发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)显示面板。
参考图1A～图1G，显示面板1例如包括：
衬底11，该衬底11例如为柔性衬底，该柔性衬底的材料例如为聚酰亚胺(Polyimide，PI)。
至少一个第一电极12，设置于衬底11的一侧。第一电极12例如为透明电极，又例如为阳极，其材料例如包括氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)。在一些实施例中，第一电极12为多个。
像素界定层13，设置于衬底11的一侧，包括至少一个第一镂空部130，第一镂空部130包括相对设置的第一开口1301和第二开口1302。相比于第二开口1302，第一开口1301更靠近衬底11，其中第一开口1301露出第一电极12的至少部分。
在一些实施例中，参考图1A～图1E，第一开口1301的尺寸和第二开口1302的尺寸完全相同，此处的尺寸例如包括长度和宽度。
在另一些实施例中，参考图1F和图1G，第一开口1301的尺寸和第二开口1302的尺寸不同，例如长度和宽度中的至少一个不同。
在一些实施例中，第一镂空部130的数量例如大于等于第一电极12的数量，多余的第一镂空部130例如用于实现显示面板1中各膜层之间的跨层电连接。
在一些实施例中，参考参考图1A～图1D、图1F和图1G，第一镂空部130露出第一电极12远离衬底11一侧的表面的部分。
在另一些实施例中，参考图1E，第一镂空部130露出第一电极12远离衬底11的一侧的表面的全部。
第一发光功能层14，设置于像素界定层13和第一电极12远离衬底11的一侧，包括第二镂空部140，第二镂空部140在像素界定层13上的正投影与第一开口1301不重叠。
其中，第一发光功能层14至少包括发光层，发光层的材料例如可以包括有机电致发光材料。
参考图2，第一发光功能层14除包括发光层141外，还可以包括电子传输层(election transporting layer，ETL)142、电子注入层(election injection layer，EIL)143、空穴传输层(hole transporting layer，HTL)144以及空穴注入层(hole injectionlayer，HIL)145。需要说明的是，第一发光功能层14并不限于仅包括发光层141和ETL142、EIL143、HTL144、HIL145的组合，其还可以包括其它功能层别。
第二镂空部140在像素界定层13上的正投影与第一开口1301不重叠包括：
参考图1A～图1C、图1E和图1F，沿衬底11的厚度方向，衬底的厚度方向为与衬底的一侧和衬底的另一侧垂直的方向，第二镂空部140在像素界定层13上的正投影与第一开口1301之间具有间隙，且第一发光功能层14覆盖该间隙。
参考图1D，沿衬底11的厚度方向，第二镂空部140在像素界定层13上的正投影与第一开口1301之间紧挨，即第二镂空部140与第一开口1301之间不具有间隙；同时第二镂空部140在像素界定层13上的正投影与第二开口1302之间也紧挨。
参考图1G，沿衬底11的厚度方向，第二镂空部140在像素界定层13上的正投影与第一开口1301之间具有间隙，同时第二镂空部140在像素界定层13上的正投影与第二开口1302之间部分重叠。
在制作第一发光功能层14时，需要使用精细金属掩膜板(Fine metal mask，FFM)来蒸镀用于形成第一发光功能层14的材料，但是为了避免精细金属掩膜板划伤在制作第一发光功能层14前已制作好的膜层，例如像素界定层13和第一电极12等，从而会在像素界定层13上设置隔垫物17用于支撑FMM，使得FMM与已制作好的膜层之间具有一定距离，不会直接接触，从而保护已制作好的膜层。
参考图3A～图3C，在显示面板1的制备过程中，会在像素界定层13上设置层叠的牺牲图案18和隔垫物17，牺牲图案18位于隔垫物17和像素界定层13之间，牺牲图案18后续会被去除(例如可以通过溶解的方式去除)，从而使得隔垫物17可以脱离显示面板1。在第一电极12、像素界定层13和隔垫物17远离衬底11的一侧形成有第二发光功能层24，第二发光功能层24覆盖第一电极12和像素界定层13，在一些实施例中，第二发光功能层24还覆盖隔垫物17。在去除牺牲图案18和隔垫物17后，或者在去除牺牲图案18、隔垫物17以及位于隔垫物17上的部分第二发光功能层24后，会在第二发光功能层24上形成了一个镂空部，该镂空部可以理解为第二镂空部140，此时过程可以理解为通过第二发光功能层24形成了具有第二镂空部140的第一发光功能层14。
参考图3A和图3B，第二发光功能层24覆盖像素界定层13、隔垫物17和第一电极12；参考图3C，第二发光功能层24覆盖像素界定层13和第一电极12；参考图1A～图1G，第一发光功能层14覆盖像素界定层13和第一电极12，也就是说第二发光功能层24的结构可能和第一发光功能层14的不同，因此本公开中为了区分发光功能层不同阶段的结构，从而使用第一发光功能层14和第二发光功能层24进行区分，而本领域技术人员可以理解的是，第一发光功能层14是通过第二发光功能层24制备的，或者，也可以理解为第一发光功能层14是第二发光功能层24的至少部分。
由于隔垫物17存在于显示面板1的制备过程中，其不仅可以起到支撑FMM的作用，使得第二发光功能层24顺利制备，且在第二发光功能层24制备完成后，可以通过先去除牺牲图案18，以使得隔垫物17脱离显示面板1，以及可以去除在移除FMM的过程中导致隔垫物17所产生的异物颗粒，从而为后续制备封装层提供一个较好的支撑面。
去除牺牲图案18例如可以采用湿法刻蚀、干法刻蚀等方式；其中的湿法刻蚀例如采用剥离液溶解牺牲图案18，干法刻蚀例如采用气体与牺牲图案18发生反应，从而刻蚀掉牺牲图案18。
牺牲图案18被去除后，隔垫物17失去了支撑，从而便可以从显示面板1上脱离(也可称为掉落)下来。
在相关技术中，由于隔垫物17的材料为有机材料，而在使用FMM时，在FMM的安装或者拆卸过程中，FMM可能会划伤隔垫物17，从而产生异物颗粒。一方面，隔垫物17的密度和其所产生的异物颗粒会影响在第一发光功能层14后所制备的膜层的品质，在第一发光功能层14后所制备的膜层例如包括封装层，封装层至少包括有机封装子层，有机封装子层例如可以通过喷墨打印(Ink jet printing，IJP)的方式形成，由于有机封装子层的材料具有一定的流动性，从而隔垫物17的密度会影响其流动性，例如在一些隔垫物17密度较大的区域，有机封装子层中的材料的流动性减小，从而形成厚度较大的部分有机封装子层，而在另一些隔垫物17密度较小的区域，有机封装子层的材料的流动性增加，从而形成厚度较小的部分有机层封装层，因此，最终导致有机封装子层各处的膜层厚度不同，膜厚均一性较差，且异物颗粒可能导致有机封装子层存在缺陷，影响有机封装子层的封装效果。另一方面，显示面板1还会因为隔垫物17的高度差异，例如沿显示面板1的长度方向，若左右两侧隔垫物17的高度不同，则导致显示面板1的边缘亮度与其它区域的不同，从而导致显示面板1产生色偏现象，影响显示效果。因此，在该相关技术中，隔垫物17的存在会影响在第一发光功能层14后所制备的膜层的品质，还会影响显示面板1的显示效果。
而在本公开中，在显示面板1的制备过程中，会在像素界定层13上形成牺牲图案18和隔垫物17，用以支撑FMM，而在第二发光功能层24制备完成后，又会通过去除牺牲图案18去除或移除隔垫物17，从而通过第二发光功能层24制备出了具有第二镂空部140的第一发光功能层14。所以，一方面，在制备本公开中的有机封装子层时，由于无隔垫物17的阻挡，制备的有机封装子层各处的膜层厚度接近，膜厚均一性较好，可以改善显示面板1的封装效果；另一方面，隔垫物17由于被FMM刮伤所产生的异物颗粒也会被去除，从而制备出的有机封装子层不会因异物颗粒而出现缺陷，膜层的品质也较好，可以进一步改善显示面板1的封装效果；再一方面，由于不存在隔垫物17，显示面板1便不会因为隔垫物17的高度差异而产生色偏现象，从而显示面板1的显示效果也较好；又一方面，由于无隔垫物17，还可以使得显示面板1的厚度减小，从而制备出厚度更小的显示面板1，更符合显示面板1向着轻薄化发展的趋势，以及提高显示面板1的市场竞争力。
在一些实施例中，参考图1A～图1C、图1E和图1F，第二镂空部140在像素界定层13上的正投影与第二开口1302之间具有间隙。当第二镂空部140在像素界定层13上的正投影与第二开口1302之间具有间隙时，形成的第一发光功能层14会覆盖该间隙，从而可以保证第一发光功能层14完全覆盖第一开口1301，进而保证了第一发光功能层14与第一电极12之间的接触面积较大。若第一发光功能层14未完全覆盖第一开口1301，则第一发光功能层14也未完全覆盖第一开口1301所露出部分第一电极12，也就是说，第一开口1301露出的部分第一电极12中仅部分区域覆盖有第一发光功能层14，剩余部分区域未被第一发光功能层14所覆盖，从而使得第一发光功能层14与第一电极12之间的接触面积较小，最终导致有机发光二极管的发光面积较小，而本公开可以保证第一发光功能层14与第一电极12之间的接触面积较大，进而保证有机发光二极管的发光面积较大。
在一些实施例中，在第一镂空部130在衬底11上的正投影为矩形时，参考图1A～图1G，第一开口1301的长度小于等于第二开口1302的长度。
第一开口1301和第二开口1302的长度方向例如为显示面板1的长度方向，显示面板1的长度方向例如参考图1A～图1G，沿从左向右或者从右向左的方向。
其中，参考图1A～图1E，第一开口1301的长度等于第二开口1302的长度，此时便于形成第一开口1301和第二开口1302。
参考图1F和图1G，第一开口1301的长度小于第二开口1302的长度，从而使得第一镂空部130的侧壁为斜面，便于让后续制备的第一发光功能层14附着在第一镂空部130的侧壁上，进一步保证第一发光功能层14完全覆盖第一开口1301所露出的第一电极12的至少部分。
在一些实施例中，第一镂空部130的最大尺寸为第一镂空部130在衬底11上的正投影的边界上任意两点之间的最大距离，第二镂空部140的最大尺寸为第二镂空部140在衬底11上的正投影的边界上任意两点之间的最大距离。
示例的，第一镂空部130的最大尺寸例如为其最大长度，第二镂空部140的最大尺寸例如为其最大长度。下面对影响第一镂空部130和第二镂空部140长度的因素进行分析：
参考图3A～图3C，第二镂空部140的长度与牺牲图案18和隔垫物17的长度相关。
示例的，参考图3A和图3C，第二镂空部140的长度等于牺牲图案18的长度。
又示例的，参考图3B，第二镂空部140的长度等于隔垫物17远离衬底11的一侧表面的长度。因此，调整第二镂空部140的长度可以通过改变牺牲图案18和/或隔垫物17远离衬底11的一侧表面的长度来实现。
在此基础上，第二镂空部140的最大尺寸(例如其长度)与第一镂空部130的最大尺寸(例如其长度)存在以下关系：
示例的，参考图1A、图1D，图1E、图1F和图1G，第二镂空部140的长度小于第一镂空部130的长度。
参考图1B，第二镂空部140的长度等于第一镂空部130的长度。
参考图1C，第二镂空部140的长度大于第一镂空部130的长度。
其中，当第二镂空部140的最大尺寸小于第一镂空部130的最大尺寸时，第二镂空部140的整体尺寸较小，便于在第一发光功能层14上形成第二镂空部140，以及使得第二镂空部140与第二开口1302之间存在间隙。
在一些实施例中，参考图4A，显示面板1还包括：第二电极15，设置于第一发光功能层14远离衬底11的一侧，且第二电极15覆盖第二镂空部140。
第二电极15覆盖第二镂空部140，即用于形成第二电极15的材料填充在第二镂空部140中。
第二电极15的材料例如为银，第二电极15例如为半透明电极，以使得有机发光二极管所产生的光线透过第二电极15出射。上述，第一电极12例如为阳极，第二电极15例如为阴极。
本领域技术人员可以理解的是，有机发光二极管包括第一电极12、第二电极15，以及位于第一电极12和第二电极15之间的部分第一发光功能层14，有机发光二极管也可称为发光器件D，发光器件D用于为显示面板1提供光源。
在一些实施例中，参考图4B，显示面板1还包括封装层111，封装层111包括沿衬底11厚度方向层叠的第一无机封装子层1111、有机封装子层1113和第二无机封装子层1112。
第一无机封装子层1111和第二无机封装子层1112的材料例如为氮化硅、氧化硅中的至少一种。形成第一无机封装子层1111和第二无机封装子层1112例如可采用磁控溅射的方式。
有机封装子层1113采用喷墨打印的方式形成，而在本公开的实施例中，在形成有机封装子层1113时，显示面板1上已不存在隔垫物17，所以在形成机封装子层1113的过程中，用于制作有机封装子层1113的材料的流动性较好，从而制作的有机封装子层1113的膜层质量和膜厚均一性较好。
参考图5，本公开的实施例提供一种像素驱动电路3，该像素驱动电路3包括：复位子电路31、数据写入子电路32、驱动子电路33、发光控制子电路34。
复位子电路31与复位信号端Reset、初始化信号端Vint、节点N和发光器件D的第一极电连接。在另一些实施例中，复位子电路31还可以与栅极驱动信号端Gate电连接。复位子电路31被配置为在复位信号端Reset的控制下，将初始化信号端Vint提供的初始化信号传输至节点N，对节点N复位；还被配置为在复位信号端Reset或栅极驱动信号端Gate的控制下，将初始化信号端Vint提供的初始化信号传输至发光器件D的第一极，对发光器件D的第一极复位。
数据写入子电路32与数据信号端Data、栅极驱动信号端Gate和驱动子电路33电连接。数据写入子电路32被配置为，在栅极驱动信号端Gate的控制下，将数据信号端Data提供的数据信号写入驱动子电路33中。
驱动子电路33与栅极驱动信号端Gate、节点N和第一电源电压信号端VDD电连接。驱动子电路33配置为，在栅极驱动信号的控制下，将数据信号和驱动晶体管的阈值电压写入第一节点，对电容C充电；以及在第一电源电压信号端VDD和节点N的控制下，向发光器件D输出驱动信号，驱动信号例如为驱动电流信号。
发光控制子电路34与第一电源电压信号端VDD、发光控制信号端EM、驱动子电路33和发光器件D的第一极电连接。发光控制子电路34被配置为在发光控制信号端EM的控制下，使得驱动晶体管的第一极与第一电源电压信号端VDD电连接，驱动晶体管的第二极与发光器件D电连接。
示例的，上述的像素驱动电路3例如可以为7T1C型像素驱动电路。7T1C型像素驱动电路例如包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和电容C；其中第三晶体管T3为驱动晶体管。
第一晶体管T1至第七晶体管T7中的部分或者全部例如可以为P型薄膜晶体管。
示例的，薄膜晶体管的第一极例如为源极，第二极例如为漏极。
参考图5，第一晶体管T1的栅极与复位信号端Reset电连接，第一极与初始化信号端Vint电连接，第二极与节点N电连接。
第二晶体管T2的栅极与栅极驱动信号端Gate电连接，第一极与第三晶体管T3的第二极电连接，第二极与节点N电连接。第二晶体管T2为补偿晶体管，可以使得第三晶体管T3的阈值电压和数据信号之和被写入节点N。
第三晶体管T3的栅极与节点N电连接，第一极与第四晶体管T4的第二极电连接。
第四晶体管T4的栅极与栅极驱动信号端Gate电连接，第一极与数据信号端Data电连接。
第五晶体管T5的栅极与发光控制信号端EM电连接，第一极与第一电源电压信号端VDD电连接，第二极与第三晶体管T3的第一极电连接。
第六晶体管T6的栅极与发光控制信号端EM电连接，第一极与第三晶体管T3的第二极电连接，第二极与发光器件D的第一极电连接。
第七晶体管T7的栅极与栅极驱动信号端Gate电连接，第一极与初始化信号端Vint电连接，第二极与发光器件D的第一极电连接。在另一些实施例中，第七晶体管T7的栅极还可以与复位信号端Reset电连接，以通过复位信号控制第七晶体管T7的工作状态。
电容C的一端与节点N电连接，另一端与第一电源电压信号端VDD电连接。示例的，电容C的一端为其第一极板C1，另一端为其第二极板C2。
发光器件D的第二极与第二电源电压信号端VSS电连接。
示例的，第一电源电压信号端VDD例如与显示面板1中的第一电极12电连接，第二电源电压信号端VSS例如与显示面板1中的第二电极15电连接。
结合图5和图6，像素驱动电路3的工作阶段例如包括复位阶段D1、数据写入阶段D2和发光阶段D3。
在复位阶段D1，在复位信号端Reset的控制下，第一晶体管T1开启，将初始化信号端Vint提供的初始信号传输至节点N，对节点N复位。
在第七晶体管T7的栅极与复位信号端Reset电连接的情况下：在复位信号端Reset的控制下，第七晶体管T7开启，初始化信号端Vint提供的初始信号传输至发光器件D的第一极，对发光器件D的第一极进行复位。
在数据写入阶段D2：在栅极驱动信号的控制下，第四晶体管T4和第二晶体管T2开启，将数据信号端Data提供的数据信号和第三晶体管T3的阈值电压写入节点N。
在第七晶体管T7的栅极与栅极栅极驱动信号端Gate电连接的情况下：在栅极驱动信号端Gate的控制下，第七晶体管T7开启，将初始化信号端Vint提供的初始化信号传输至发光器件D的第一极，对发光器件D的第一极进行复位。
在发光阶段D3：在发光控制信号端EM的控制下，第五晶体管T5和第六晶体管T6开启；其中，第五晶体管T5使得第三晶体管T3的第一极与第一电源电压信号端VDD电连接，第六晶体管T6使得第三晶体管T3的第二极与发光器件D的第一极电连接，从而使得第三晶体管T3可以驱动发光器件D发光。
本领域技术人员可以理解的是，在上述过程中，无论第七晶体管T7的栅极与栅极驱动信号端Gate还是复位信号端Reset电连接，当第七晶体管T7开启时，均可以对发光器件D的第一极进行复位。其中，当第七晶体管T7的栅极与栅极驱动信号端Gate电连接时，栅极驱动信号在数据写入阶段D2才为有效信号，从而使得对发光器件D的复位过程处于数据写入阶段D2中，而当第七晶体管T7的栅极与复位信号端Reset电连接时，复位信号在复位阶段D1即为有效信号，从而使得对发光器件D的复位过程处于复位阶段D1中，但是该两种实施方式并不会影响复位子电路31的功能，因此，本公开的实施例中将第七晶体管T7归入了复位子电路31中。
基于上述，像素驱动电路3中各个薄膜晶体管(第一晶体管T1～第七晶体管T7)在显示面板1中的具体结构可以参考图7A；其中，第七晶体管T7的栅极与复位信号端Reset电连接。
其中，像素驱动电路3中的第三晶体管T3的第一极与第一电极12电连接，第一镂空部130露出了至少部分第一电极12。第三晶体管T3的栅极层作为了电容C的第一极板C1，电容C的第二极板C2与第一极板C1沿衬底11厚度方向相对设置。电容C的第二极板C2与初始化信号线Vint同层同材料。
示例的，第一晶体管T1和第二晶体管T2例如还可以为双栅型薄膜晶体管，且该双栅型薄膜晶体管的两个栅极层同层同材料。
示例的，参考图7B，沿衬底11厚度方向，显示面板1包括依次远离衬底11的第一金属层191、缓冲层192、有源层193、第一栅绝缘层194、栅极金属层195、第二栅绝缘层196、第二金属层197、层间绝缘层198、第三金属层199和平坦层16。
其中，缓冲层192、第一栅绝缘层194、第二栅绝缘层196和层间绝缘层198均为绝缘层，起绝缘作用，该些绝缘层的材质例如为氧化硅、氮化硅中的至少一种。
其中，有源层193、第一栅绝缘层194、栅极层、第二栅绝缘层196、层间绝缘层198、源极和漏极构成了薄膜晶体管。在另一些实施例中，薄膜晶体管还可以包括缓冲层192。
其中，平坦层16起平坦化作用，其材料例如为有机材料，例如光刻胶和树脂中的至少一种。
第一金属层191可以作为遮光层和第一晶体管T1～T7薄膜晶体管T7的第二栅极层。第一金属层191的材料例如为银、铝等金属或合金。当第一金属层191作为遮光层时，可以降低第一晶体管T1～T7薄膜晶体管T7的漏电流大小；当第一金属层191作为第二栅极层时，其需要与一补偿电压端电连接，该补偿电压端可以提供补偿电压信号，该补偿电压信号用于补偿薄膜晶体管的阈值电压。当第一金属层191作为第二栅极层时，第一晶体管T1～第七晶体管T7均至少包括两个沿衬底11厚度方向相对设置的栅极层；对于还可以包括同层同材料的两个栅极层的第一晶体管T1和第二晶体管T2中的任一个薄膜晶体管而言，则具有了3个栅极层。
当薄膜晶体管的阈值电压Vth因制作薄膜晶体管中各膜层的工艺影响而偏离预设值时，可通过补偿电压端提供的补偿电压信号来补偿阈值电压Vth的偏差值。在薄膜晶体管为P型管的情况下，薄膜晶体管的阈值电压Vth小于0，补偿电压端提供的补偿电压信号大于0，其中，随着补偿电压端提供的补偿电压信号的增大，薄膜晶体管的阈值电压Vth减小。所以，当阈值电压Vth因工艺原因而偏大时，可通过增大补偿电压端提供的补偿电压信号来进行补偿，以使得偏大的阈值电压Vth减小至预设值。
示例的，薄膜晶体管的阈值电压Vth的预设值为-3.0V，当因工艺原因导致阈值电压Vth的实际值为-2.5V时，可以通过增大补偿电压端提供的补偿电压信号使得阈值电压Vth从-2.5V降低至-3.0V，从而实现补偿薄膜晶体管的阈值电压的作用。
栅极金属层195用于形成薄膜晶体管的栅极层、栅线Gate、复位信号线Vint、发光控制信号线EM；其中，驱动晶体管的栅极层还可以作为电容C的第一极板C1。栅极金属层195的材料例如为银、铝、钼等金属或合金。
上述，栅线Gate与栅极驱动信号端Gate电连接，用于为栅极驱动信号端Gate提供栅极驱动信号；复位信号线Reset与复位信号端Reset电连接，用于为复位信号端Reset提供复位信号；发光控制信号线EM与发光控制信号端EM电连接，用于为发光控制信号端EM提供发光控制信号。
第二金属层197用于形成初始化信号线Vint和电容C的第二极板C2。第二金属层197的材料例如为银、铝、钼等金属或合金。
第三金属层199用于形成薄膜晶体管的源极和漏极、数据信号线Data、第一电源电压信号线VDD、补偿电压信号线以及连接电极。其中，数据信号线Data与数据信号端Data电连接，用于为数据信号端Data提供数据信号；第一电源电压信号线VDD与第一电源电压信号端VDD电连接，用于为第一电源电压信号端VDD提供第一电源电压信号；补偿电压信号线与补偿电压信号端电连接，用于为补偿电压信号端提供补偿电压信号；连接电极用于使得需要电连接的膜层(例如第一金属层191和第三金属层199)实现电连接。第二金属层197的材料例如为银、铝、钼等金属或合金。
示例的，参考图7C，为第一金属层191的结构图，在第一金属层191上设有通孔1910，该通孔1910例如用于使得第一金属层191与补偿电压信号线电连接，即使得第一金属层191与一补偿电压端电连接。
在一些实施例中，补偿电压信号线提供的电压大小等于第一电源电压信号线VDD提供的第一电源电压信号。此时，参考图7A和图7G，第一电源电压信号线VDD也是补偿电压信号线，即第一电源电压信号线VDD复用为补偿电压信号线。
在另一些实施例中，补偿电压信号线提供的电压大小于第一电源电压信号线VDD提供的第一电源电压信号不同，则补偿电压信号线与第一电源电压信号线VDD为两条同层同材料的信号线。
在同一显示面板1中，补偿电压信号线提供的补偿电压信号为一固定值，例如等于电源电压信号的大小；在不同的显示面板1中，由于工艺的影响，不同的显示面板1中的薄膜晶体管的阈值电压偏离预设值的程度可能不同，从而不同显示面板1中的补偿电压端所提供的补偿电压信号的大小可能不同。
在一些实施例中，像素驱动电路中的薄膜晶体管例如均为P型晶体管，第一电源电压信号端VDD例如提供高电平的固定电压，从而使得薄膜晶体管的工作更为稳定，以及通过薄膜晶体管中有源层与第一金属层191之间的相互作用，调节薄膜晶体管的阈值电压。
示例的，参考图7D，为像素驱动电路3中有源层193的结构图，有源层193的材料例如为多晶硅(P-si)。
示例的，参考图7E，为栅极金属层195的结构图，其中，驱动晶体管(第三晶体管T3)的栅极层也作为了电容C的第一极板C1。
示例的，参考图7F，为第二金属层197的结构图，其中，在电容C的第二极板C2上设置有通孔1910，该通孔1910用于使得电容C与第三金属层199实现电连接。
示例的，参考图7G，为第三金属层199的结构图，其中第一电源电压信号线VDD和连接电极1990上设置的通孔1910，用于实现各个薄膜晶体管与信号线(例如包括数据信号线Data、第一电源电压信号线VDD、发光控制信号线EM、栅线Gate、初始化信号线Vint等)之间的电连接。本领域技术人员可以理解的是，数据信号线Data和第一电源电压信号线VDD与薄膜晶体管重叠的部分作为了薄膜晶体管中的源极和漏极。
在一些实施例中，参考图7B和图7H，显示面板1还包括设置于衬底11上的阻挡层110，阻挡层110用于隔离衬底11与薄膜晶体管，避免衬底11中的物质影响薄膜晶体管中的有源层193。
基于上述，当在像素界定层13和第一电极12上形成第一发光功能层14后，显示面板1的整体结构例如参考图7H。
参考图8A～图8I，本公开的实施例还提供一种显示基板1′，包括：衬底11。
第一电极12，设置于衬底11的一侧。
像素界定层13，设置于衬底11的一侧，包括第一镂空部130，第一镂空部130包括相对设置的第一开口1301和第二开口1302；相比于第二开口1302，第一开口1301更靠近衬底11，其中第一开口1301露出第一电极12的至少部分。
对于衬底11、第一电极12和像素界定层13的解释，可以参照对显示面板1中的衬底11、第一电极12和像素界定层13的解释，因此不再赘述。
牺牲图案18，设置于像素界定层13远离衬底11的一侧，且牺牲图案18在像素界定层13上的正投影与第一开口1301不重叠。
在一些实施例中，牺牲图案18的材料例如为有机材料，又例如为含氟元素的有机材料。
在另一些实施例中，牺牲图案18的材料例如为金属材料，例如银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)和钛(Ti)等金属或合金。
选择的牺牲图案18的材料例如与剥离液相对应，不同材料对应不同的剥离液，选择的剥离液除了能溶解牺牲图案18外，不能与显示基板1′中的其它膜层发生反应。示例的，金属材料的牺牲图案18可以选择酸性或者碱性的剥离液，负性光刻胶材料的牺牲图案18例如可以选择氢氟醚类作为剥离液。
牺牲图案18在像素界定层13上的正投影与第一开口1301不重叠，包括：参考图8E和图8I，牺牲图案18在像素界定层13上的正投影与第一开口1301的一侧重合，以及参考图8A～图8D、图8F～图8H，牺牲图案18在像素界定层13上的正投影与第一开口1301之间存在间距。
牺牲图案18在像素界定层13上的正投影与第一开口1301不重叠，用于避免因牺牲图案18的遮挡，导致用于形成第二发光功能层24的材料(例如发光材料)无法完全覆盖位于第一开口1301中的至少部分第一电极12。
隔垫物17，设置于牺牲图案18远离衬底11的一侧，隔垫物17在像素界定层13上的正投影与第一开口1301不重叠。
第二发光功能层24，设置于像素界定层13和第一电极12远离衬底11的一侧。
上述隔垫物17的材料例如为有机材料，又例如为感光型的有机材料，例如光刻胶。在一些实施例中，隔垫物17的材料为负性的光刻胶。
在一些实施例中，隔垫物17包括沿衬底11厚度方向相对设置的第一表面和第二表面，相对于第二表面，第一表面更靠近衬底11；其中，第一表面在像素界定层13上的正投影落在第二表面在像素界定层13上的正投影以内，且第一表面在像素界定层13上的正投影的边界与第二表面在像素界定层13上的正投影的边界之间存在间隙。
在一些实施例中，第一表面在像素界定层13上的正投影的中心点和第二表面在像素界定层13上的正投影的中心点重合。
第一表面在像素界定层13上的正投影落在第二表面在像素界定层13上的正投影以内，则说明第一表面的面积小于第二表面的面积。第一表面例如为下表面(沿衬底11厚度方向靠近衬底11的一侧表面)，第二表面例如为上表面(沿衬底11厚度方向远离衬底11的一侧表面)。
参考图8A～图8I，隔垫物17的纵截面形状例如为倒梯形，该倒梯形的底边长度小于其顶边长度。当隔垫物17的纵截面形状为倒梯形时，隔垫物17的三维立体结构例如为棱台，该棱台的上表面和下表面(与上表面相对)例如均为矩形，且上表面矩形的面积大于下表面矩形的面积；或者隔垫物17的三维立体结构还可以为圆台，圆台的上表面和下表面可以均为圆形，也可以均为椭圆形，且上表面的面积大于下表面的面积。当隔垫物17的材料为负性的光刻胶时，可以通过构图工艺(例如包括曝光、显影和刻蚀)形成纵截面为倒梯形的隔垫物17。
在另一些实施例中，隔垫物17的纵截面形状还可以为“T”型。当隔垫物17的材料为两层材质不同的金属时，根据同一种剥离液对不同金属的刻蚀速率不同的原理，可以形成T型的隔垫物17。
示例的，隔垫物17的高度例如为0.5μm～3μm。
在隔垫物17的纵截面形状为倒梯形和T型时，可以使得后续蒸镀在像素界定层13和第一电极12上的第二发光功能层24在隔垫物17的侧壁和牺牲图案18的侧壁上断开，即，使得第二发光功能层24无法完全覆盖隔垫物17的侧壁和牺牲图案18的侧壁。示例的，参考图8A，第二发光功能层24覆盖了牺牲图案18的部分侧壁，剩余部分的牺牲图案18的侧壁暴露，第二发光功能层24还覆盖了隔垫物17的上表面，隔垫物17的侧壁暴露。又示例的，参考图8B，第二发光功能层24覆盖了隔垫物17的部分上表面，牺牲图案18的侧壁和隔垫物17的侧壁暴露。牺牲图案18的侧壁暴露可以便于剥离液进入牺牲图案18中，快速溶解牺牲图案18，隔垫物17的侧壁暴露可以便于后续移除隔垫物17。
需要说明的是，即使隔垫物17的纵截面形状不为倒梯形和T型，第二发光功能层24覆盖了隔垫物17和牺牲图案18的侧壁，剥离液也可以透过第二发光功能层24进入牺牲图案18中，从而溶解牺牲图案；而当牺牲图案18被溶解后，由于第二发光功能层24的厚度较小，膜层中的应力不足以阻拦隔垫物17，隔垫物17仍然可以从显示基板1′中脱落下来。
隔垫物17在像素界定层13上的正投影与第一开口1301不重叠，包括：参考图8D和图8E，隔垫物17在像素界定层13上的正投影靠近第一开口1301的一侧与第一开口1301的边缘重合，以及参考图8A～图8C，图8F～图8I，隔垫物17在像素界定层13上的正投影与第一开口1301之间存在间距。
隔垫物17在像素界定层13上的正投影与第一开口1301不重叠，可以保证在后续在蒸镀第二发光功能层24时，第二发光功能层24能完全覆盖位于第一开口1301中的至少部分第一电极12，从而保证第二发光功能层24与第一电极12之间的接触面积较大。
隔垫物17位于牺牲图案18上，其中隔垫物17的第一表面(下表面)与牺牲图案18的上表面接触，而隔垫物17的第一表面的长度小于等于牺牲图案18的长度，隔垫物17的第一表面的宽度小于等于牺牲图案18的宽度，从而用于保证在牺牲图案18被去除后，隔垫物17可以脱离显示基板1′。
示例的，参考图8A、图8C、图8D、图8E、图8H和图8I，第二发光功能层24覆盖像素界定层13、第一电极12和隔垫物17，其中，第二发光功能层24完全覆盖隔垫物17远离衬底11的一侧表面(第二表面)。
又示例的，参考图8B和图8G，第二发光功能层24覆盖像素界定层13、第一电极12和隔垫物17，其中，第二发光功能层24覆盖隔垫物17远离衬底11的一侧表面(第二表面)的部分。
参考图8F，第二发光功能层24覆盖像素界定层13和第一电极12，第二发光功能层24未覆盖隔垫物17远离衬底11的一侧表面(第二表面)。
上述第二发光功能层24是否覆盖隔垫物17的第二表面，即隔垫物17的第二表面是否存在用于形成第二发光功能层24的材料，和蒸镀第二发光功能层24时所使用的FMM中与每个亚像素对应的蒸镀开口所产生的阴影(Shadow)有关。当蒸镀开口所产生的Shadow延伸至隔垫物17的第二表面时，则隔垫物17的第二表面上将存在用于形成第二发光功能层24的材料，当蒸镀开口所产生的Shadow未延伸至隔垫物17的第二表面时，则隔垫物17的第二表面将没有用于形成第二发光功能层24的材料。
对于第二发光功能层24的材料和内部层别结构(即第二发光功能层24所包括的层别，例如发光层)的介绍可以参考对第一发光功能层14的介绍。在去除牺牲图案18和隔垫物17后，第二发光功能层24便成为了第一发光功能层14。在去除牺牲图案18和隔垫物17后，第二发光功能层24的结构可能发生了变化，也可能未发生变化。示例的，参考图8A，第二发光功能层24覆盖了隔垫物17的第二表面，在去除牺牲图案18和隔垫物17后，隔垫物17第二表面的部分第二发光功能层24也被移除，从而使得第二发光功能层24的结构发生了变化。又示例的，参考图8F，第二发光功能层24未覆盖隔垫物17的第二表面，在去除牺牲图案18和隔垫物17后，第二发光功能层24的结构并未发生改变。因此，在本公开的实施例中，无论去除牺牲图案18和隔垫物17后，第二发光功能层24的结构是否改变，均将未去除牺牲图案18和隔垫物17之间的发光功能层称为第二发光功能层24，将去除牺牲图案18和隔垫物17之后的发光功能层称为第一发光功能层14。
在本公开的显示基板1′中设置有牺牲图案18和隔垫物17，其中，隔垫物17用于支撑蒸镀第二发光功能层24时所使用的FMM，在形成第二发光功能层24后，通过去除牺牲图案18，以使得隔垫物17脱离显示基板1′。对于去除牺牲图案18和隔垫物17的方式可参照前文在显示面板1中对去除牺牲图案18和隔垫物17的解释。去除牺牲图案18和隔垫物17后的显示基板1′的结构与上述的显示面板1的结构相同，从而对于去除牺牲图案18和隔垫物17后显示基板1′所具有的优点，请参照前文在显示面板1中的描述，在此不再赘述。
在一些实施例中，参考图8A～图8I，隔垫物17中的第二表面的最大尺寸小于第一镂空部130的最大尺寸。第一镂空部130的最大尺寸可能是第一开口1301的最大尺寸，也可能是第二开口1302的最大尺寸。示例的，第二开口1302的最大尺寸大于第一开口1301的最大尺寸，则隔垫物17中的第二表面的最大尺寸小于第一镂空部130的最大尺寸，即隔垫物17中第二表面的最大尺寸小于第二开口1302的最大尺寸。隔垫物17中第二表面的最大尺寸为隔垫物17的第二表面边界上任意两点之间的最大距离，第二开口1302的最大尺寸为第二开口1302边界上任意两点之间的最大距离。又示例的，隔垫物17的第二表面和第二开口1302均为矩形，则隔垫物17的第二表面的最大尺寸为其对角线的长度，第二开口1302的最大尺寸为其对角线的长度。
在另一些实施例中，隔垫物17的第二表面例如为矩形，而第二开口1302例如为六边形。
由于第一镂空部130的尺寸为亚像素级别的，而隔垫物17的第二表面的最大尺寸小于第一镂空部130的最大尺寸，此时隔垫物17的尺寸也为亚像素级别的，从而隔垫物17的尺寸可以做的较小，便于后续通过去除牺牲图案18去除隔垫物17。
在一些实施例中，参考图8A～图8C、图8F和图8G、隔垫物17在像素界定层13上的正投影与第二开口1302之间具有间隙。当隔垫物17在像素界定层13上的正投影与第二开口1302之间具有间隙时，第二发光功能层24可以覆盖该间隙，从而可以保证第二发光功能层24能够完全覆盖第一开口1301所露出的至少部分第一电极12。第二发光功能层24与第一电极12的接触面积越大，发光二极管的发光面积则越大。
在一些实施例中，参考图8G～图8I，在第一开口1301和第二开口1302均为矩形的情况下，第一开口1301的长度小于第二开口1302的长度。第一开口1301的长度小于第二开口1302的长度，可以使得第一镂空部130的侧壁为斜面，进而使得像素界定层13形成一个钝角α，α越大，第二发光功能层24越不容易在α处产生裂痕，膜层质量越好。
在一些实施例中，参考图8A～图8I，牺牲图案18的厚度大于第二发光功能层24的厚度。示例的，牺牲图案18的厚度例如为0.1μm～2μm。
牺牲图案18的厚度大于第二发光功能层24的厚度时，牺牲图案18的侧壁(沿其厚度方向)未被第二发光功能层24覆盖的部分越多，从而有利于增大牺牲图案18与剥离液接触的面积，进而减小去除牺牲图案18所需的时间。
在一些实施例中，参考图9A和图9B，显示基板1′还包括：薄膜晶体管，设置于衬底11与第一电极12之间，且薄膜晶体管的源极或漏极与第一电极12电连接。
显示基板1′所包括薄膜晶体管的结构与显示面板1所包括薄膜晶体管的结构相同，因此可以参照前文对显示面板1中的薄膜晶体管的解释。
参考图9A和图9C，牺牲图案18和隔垫物17的俯视图例如均为矩形，第一镂空部130的俯视图例如为六边形。
在另一些实施例中，参考图9B，显示基板1′还包括：基板10，设置于衬底11远离薄膜晶体管的一侧。基板10例如为玻璃基板，在显示基板1′的制备过程中，衬底11形成于基板10上。
在此基础上，当在像素界定层13和第一电极12上形成第二发光功能层24后，显示基板1′的整体结构例如参考图9D。
显示基板1′具有与显示面板1相同的有益效果，因此不再赘述。
参考图10A，本公开的实施例还提供一种显示基板1′的制备方法，包括：
S1、参考图10B，在衬底11上形成第一电极12。
第一电极12的材料例如为ITO。首先，在衬底11上形成ITO薄膜，然后再通过构图工艺中的涂胶、曝光、显影和刻蚀等工艺，将ITO薄膜制作为多个第一电极12。
S2、参考图10C，在形成有第一电极12的衬底11上形成像素界定层13；像素界定层13包括：第一镂空部130，第一镂空部130包括相对设置的第一开口1301和第二开口1302，相比于第二开口1302，第一开口1301更靠近衬底11，其中第一开口1301露出第一电极12的至少部分。
在第一电极12上形成有机薄膜，通过构图工艺，形成第一镂空部130，从而形成像素界定层13。有机薄膜的材料例如聚酰亚胺。
S3、参考图10D～图10F，在像素界定层13上形成层叠的牺牲图案18和隔垫物17，相对于隔垫物17，牺牲图案18更靠近衬底11。
示例的，参考图10D，牺牲图案18和隔垫物17均为多个，且牺牲图案18和隔垫物17的尺寸均较小，例如牺牲图案18和隔垫物17的最大尺寸均小于第一镂空部130的最大尺寸。在该种结构中，由于隔垫物17的尺寸较小，从而更易脱离显示基板1′。
又示例的，参考图10E，牺牲图案18和隔垫物17均为多个，且牺牲图案18和隔垫物17的尺寸均较大，例如牺牲图案18和隔垫物17的最大尺寸均大于第一镂空部130的最大尺寸。在该种结构中，便于通过工图工艺，制作牺牲图案18和隔垫物17。
再示例的，参考图10F，牺牲图案18和隔垫物17均为一个，且牺牲图案18和隔垫物17的尺寸均较大，例如牺牲图案18和隔垫物17的最大尺寸均大于第一镂空部130的最大尺寸。在该种结构中，隔垫物17对于FMM的支撑稳定性较好。
S4、参考图10G和图10H，将形成有隔垫物17的衬底11与掩膜板2相对设置，隔垫物17与掩膜板2抵接，透过掩膜板2向衬底11设置有隔垫物17的一侧蒸镀发光功能材料，以形成第二发光功能层24。
将形成有隔垫物17的衬底11与掩膜板2相对设置，隔垫物17与掩膜板2抵接，即将掩膜板2放置在隔垫物17远离衬底11的一侧上，隔垫物17起支撑掩膜板2的作用，该掩膜板2例如为FMM，在该掩膜板2上设置有多个与第一镂空部130一一对应的蒸镀开口20，发光功能材料通过蒸镀开口20蒸镀在第一电极12和像素界定层13上，从而形成第二发光功能层24。其中，发光功能材料包括用于形成第二发光功能层24中各个膜层的所有材料，例如包括形成发光层的有机电致发光材料和形成电子传输层的材料，其中，电子传输层的材料例如包括铯、锂和一氧化硅等材料。
参考图10D～图10F，由于牺牲图案18和隔垫物17的结构不同，会影响去除牺牲图案18和隔垫物17后所形成的第二镂空部140的结构。示例的，在图10E所示的显示基板1′的结构中，牺牲图案18的长度小于显示基板1′的宽度，在去除牺牲图案18后，第二镂空部140的结构与牺牲图案18的结构相同或大致相同，因此，通过第二发光功能层24所形成的第一发光功能层14整体是相连，第二镂空部140间隔设置在第一发光功能层14上。又示例的，参考图10E，当牺牲图案18的长度等于显示基板1′的长度时，在去除牺牲图案18后，通过第二发光功能层24所形成的第一发光功能层14被分割为多个未相连的发光功能图案，但是相邻的发光功能图案之间的间隙仍然可以理解为本公开中的第二镂空部140。
上述显示基板1′的制备方法，与上述的显示基板1′具有相同的有益效果，因此不再赘述。
在另一些实施例中，在像素界定层13上形成层叠的牺牲图案18和隔垫物17，包括：
S300、在形成有像素界定层13的衬底11上形成第一薄膜，并将第一薄膜图案化，以形成位于像素界定层13远离衬底11一侧的牺牲图案18。
示例的，在第一薄膜的材料为含氟元素的有机材料时，在低温90℃的环境下形成第一薄膜，其中低温有利于保护有机材料的特性，从而形成的第一薄膜的膜层质量较好。
S301、在形成有牺牲图案18的衬底11上形成第二薄膜，并将第二薄膜图案化，以形成位于牺牲图案18远离衬底11一侧的隔垫物17。
上述显示基板1′制备过程中牺牲图案18和隔垫物17图案化的难度较低。
在另一些实施例中，在像素界定层13上形成层叠的牺牲图案18和隔垫物17，包括：
S300′、在形成有像素界定层13的衬底11上形成第一薄膜。
S301′、在第一薄膜上形成第二薄膜。
S302′、同时将第一薄膜和第二薄膜图案化，以形成层叠的牺牲图案18和隔垫物17。
上述显示基板1′制备过程中牺牲图案18和隔垫物17图案化的过程较为简单。
参考图11A，本公开的实施例还提供一种显示面板1的制备方法，包括：
S10、在衬底11上形成第一电极12。
形成第一电极12的过程请参照在上述显示基板1′中形成第一电极12的过程。
S20、在形成有第一电极12的衬底11上形成像素界定层13；像素界定层13包括：第一镂空部130，第一镂空部130包括相对设置的第一开口1301和第二开口1302，相比于第二开口1302，第一开口1301更靠近衬底11，其中第一开口1301露出第一电极12的至少部分。
形成像素界定层13的过程请参照在上述显示基板1′中形成像素界定层13的过程。
S30、在像素界定层13上形成层叠的牺牲图案18和隔垫物17，相对于隔垫物17，牺牲图案18更靠近衬底11。
形成牺牲图案18和隔垫物17的过程请参照在上述显示基板1′中形成牺牲图案18和隔垫物17的过程。
S40、将形成有隔垫物17的衬底11与掩膜板2相对设置，隔垫物17与掩膜板2抵接，透过掩膜板2向衬底11设置有隔垫物17的一侧蒸镀发光功能材料，以形成第二发光功能层24。
形成第二发光功能层24的过程请参照在上述显示基板1′中形成第二发光功能层24的过程。
S50、参考图11B，去除牺牲图案18，以使得位于牺牲图案18远离衬底11一侧的隔垫物17脱离显示面板1，以通过第二发光功能层24形成第一发光功能层14。
示例的，通过剥离液溶解牺牲图案18，从而使得隔垫物17自行掉落，以实现去除隔垫物17的目的。
上述显示面板1的制备过程具有与上述的显示基板1′相同的有益效果，因此不再赘述。
在一些实施例中，结合图4A和图11A，显示面板1的制备方法还包括：
S51、在形成有第一发光功能层14的衬底11上形成第二电极15。
在一些实施例中，结合图4B和图11A，显示面板1的制备方法还包括：
S52、在第二电极15上形成封装层111。
参考图4B，形成封装层111例如包括：
S520、在第二电极15上形成第一无机封装子层1111。
S521、在第一无机封装子层1111上形成有机封装子层1113。
S522、在有机封装子层1113上形成第二无机封装子层1112。
其实，对第一无机封装子层1111、有机封装层111和第二无机封装子层1112的介绍可以参照上述对显示面板1中第一无机封装子层1111、有机封装层111和第二无机封装子层1112的介绍，因此不再赘述。
在一些实施例中，参考图7B，在形成第一电极12之前，显示面板1的制备方法还包括：
在基板10上形成衬底11，衬底11的材料例如为聚酰亚胺。
在此基础上，在一些实施例中，参考图7B，在形成衬底11之后，形成第一电极12之前，显示面板1的制备方法还包括：在衬底上形成薄膜晶体管。
示例的，例如在衬底11的一侧至少形成有源层薄膜、第一栅绝缘层194、栅极金属薄膜、第二栅绝缘层196和第三金属薄膜，并通过构图工艺形成有源层193、栅极层、源极和漏极，以构成薄膜晶体管。
在本公开中，相同的附图标记即可以理解为信号端，还可以理解为信号线和信号，例如Data既可以理解为数据信号端，也可以理解为数据信号线和数据信号。
本领域技术人员可以理解的是，一个第一电极与显示基板中的一个亚像素对，本公开实施例中提供的附图仅为示意，其中所体现的第一电极的数量仅为示意，并不因此而限定本公开中第一电极的数量，同样的，附图中所体现的多个隔垫物和多个牺牲图案的数量，也并不因此而被限定。
本领域技术人可以理解的是，“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。根据特定图形的不同，同一构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (19)

1.一种显示面板，包括：
衬底；
第一电极，设置于所述衬底的一侧；
像素界定层，设置于所述衬底的一侧，包括第一镂空部，所述第一镂空部包括相对设置的第一开口和第二开口；相比于所述第二开口，所述第一开口更靠近所述衬底，其中所述第一开口露出所述第一电极的至少部分；
第一发光功能层，设置于所述像素界定层和所述第一电极远离所述衬底的一侧，包括第二镂空部，所述第二镂空部在所述像素界定层上的正投影与所述第一开口不重叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二镂空部在所述像素界定层上的正投影与所述第二开口之间具有间隙。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其中，所述第二镂空部的最大尺寸小于所述第一镂空部的最大尺寸。
4.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：第二电极，设置于所述第一发光功能层远离所述衬底的一侧，且所述第二电极覆盖所述第二镂空部。
5.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：薄膜晶体管，设置于所述衬底与所述第一电极之间，且所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述第一电极电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板，所述薄膜晶体管还包括：沿远离衬底一侧方向层叠的有源层、第一栅绝缘层、栅极层、第二栅绝缘层、层间绝缘层；所述薄膜晶体管的源极和漏极设置于所述层间绝缘层远离所述衬底的一侧，且通过贯穿所述层间绝缘层、第二栅绝缘层和第一栅绝缘层的过孔与所述有源层接触。
7.根据权利要求5所述的显示面板，还包括：第一金属层，所述第一金属层设置于所述薄膜晶体管与所述衬底之间，且所述第一金属层与一补偿电压端电连接，所述补偿电压端被配置为提供用于补偿所述薄膜晶体管的阈值电压的补偿电压信号。
8.根据权利要求1所述的显示面板，还包括：封装层，所述封装层包括沿远离衬底一侧方向层叠的第一无机封装子层、有机封装子层和第二无机封装子层。
9.一种显示基板，包括：
衬底；
第一电极，设置于所述衬底的一侧；
像素界定层，设置于所述衬底的一侧，包括第一镂空部，所述第一镂空部包括相对设置的第一开口和第二开口；相比于所述第二开口，所述第一开口更靠近所述衬底，其中所述第一开口露出所述第一电极的至少部分；
牺牲图案，设置于像素界定层远离所述衬底的一侧，且所述牺牲图案在所述像素界定层上的正投影与所述第一开口不重叠；
隔垫物，设置于所述牺牲图案远离所述衬底的一侧，所述隔垫物在所述像素界定层上的正投影与所述第一开口不重叠；
第二发光功能层，设置于所述像素界定层和所述第一电极远离所述衬底的一侧。
10.根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述隔垫物包括沿远离衬底一侧方向相对设置的第一表面和第二表面，相对于所述第二表面，所述第一表面更靠近所述衬底；其中，所述第一表面在所述像素界定层上的正投影落在所述第二表面在所述像素界定层上的正投影以内，且所述第一表面在所述像素界定层上的正投影的边界与所述第二表面在所述像素界定层上的正投影的边界之间存在间隙。
11.根据权利要求10所述的显示基板，其中，所述第二表面的最大尺寸小于所述第一镂空部的最大尺寸。
12.根据权利要求9～11任一项所述的显示基板，其中，所述隔垫物在所述像素界定层上的正投影与所述第二开口之间具有间隙。
13.根据权利要求9所述的显示基板，其中，所述牺牲图案的厚度大于所述第二发光功能层的厚度。
14.根据权利要求9所述的显示基板，还包括：薄膜晶体管，设置于所述衬底与所述第一电极之间，且所述薄膜晶体管的源极或漏极与所述第一电极电连接。
15.一种显示装置，包括如权利要求1～8任一项所述的显示面板。
16.一种显示基板的制备方法，包括：
在衬底上形成第一电极；
在形成有第一电极的衬底上形成像素界定层；所述像素界定层包括：第一镂空部，所述第一镂空部包括相对设置的第一开口和第二开口，相比于所述第二开口，所述第一开口更靠近所述衬底，其中所述第一开口露出所述第一电极的至少部分；
在所述像素界定层上形成层叠的牺牲图案和隔垫物，相对于所述隔垫物，所述牺牲图案更靠近所述衬底；
将形成有所述隔垫物的衬底与掩膜板相对设置，所述隔垫物与所述掩膜板抵接，透过所述掩膜板向所述衬底设置有所述隔垫物的一侧蒸镀发光功能材料，以形成第二发光功能层。
17.根据权利要求16所述的显示基板的制备方法，其中，在所述像素界定层上形成层叠的牺牲图案和隔垫物，包括：
在形成有所述像素界定层的衬底上形成第一薄膜，并将第一薄膜图案化，以形成位于所述像素界定层远离衬底一侧的牺牲图案；
在形成有牺牲图案的衬底上形成第二薄膜，并将第二薄膜图案化，以形成位于所述牺牲图案远离所述衬底一侧的隔垫物；
或者，
在形成有所述像素界定层的衬底上形成第一薄膜；
在第一薄膜上形成第二薄膜；
同时将第一薄膜和第二薄膜图案化，以形成层叠的牺牲图案和隔垫物。
18.一种显示面板的制备方法，包括：
如权利要求16或17所述的显示基板的制备方法；
去除所述显示基板中的牺牲图案，以使得所述显示基板中位于所述牺牲图案远离衬底一侧的隔垫物脱离所述显示基板，以通过第二发光功能层形成第一发光功能层。
19.根据权利要求18所述的显示面板的制备方法，还包括：
在形成有第一发光功能层的衬底上形成第二电极；
在所述第二电极上形成第一无机封装子层；
在所述第一无机封装子层上形成有机封装子层；
在所述有机封装子层上形成第二无机封装子层，所述第一无机封装子层、所述有机封装子层和所述第二无机封装子层构成封装层。
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