CN111628014A - 3d结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法 - Google Patents

3d结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111628014A
CN111628014A CN202010513714.8A CN202010513714A CN111628014A CN 111628014 A CN111628014 A CN 111628014A CN 202010513714 A CN202010513714 A CN 202010513714A CN 111628014 A CN111628014 A CN 111628014A
Authority
CN
China
Prior art keywords
diamond
iron
ultraviolet detector
solar blind
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010513714.8A
Other languages
English (en)
Inventor
刘康
张晓晖
朱嘉琦
代兵
张森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Institute of Technology
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN202010513714.8A priority Critical patent/CN111628014A/zh
Publication of CN111628014A publication Critical patent/CN111628014A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

3D结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法，本发明属于金刚石紫外探测器技术领域，它为了解决现有日盲紫外探测器的探测性能较低的问题。制备方法：一、超声清洗金刚石；二、在金刚石表面镀制金属铁叉指电极；三、对镀制有铁叉指电极的金刚石进行氢等离子体刻蚀处理；四、用稀盐酸溶解金刚石褶皱表面的铁；五、利用磁控溅射在金刚石表面镀制金属电极层；六、将带有金属叉指电极的金刚石表面的金属擦除，在凹槽中的形成3D金属电极。本发明3D结构金刚石日盲紫外探测器的电场能够分布在更纵深的位置，3D结构较平面结构在更深位置处的光生电子和光生空穴能够在电场作用下有效分离，从而提升探测性能。

Description

3D结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻 蚀的制备方法
技术领域
本发明属于金刚石紫外探测器技术领域，具体涉及一种3D结构金刚石日盲紫外探测器及其制备方法。
背景技术
光导型金刚石紫外探测器一般使用金属或者碳电极收集由光电效应产生的载流子。通常，使用两种探测结构：(i)在金刚石片一侧表面沉积金属电极的平面探测结构，和(ii)金刚石片两面都沉积电极的金属-金刚石-金属夹层结构，平面电极通常采用间隙约几十微米的叉指电极结构。
在传统平面电极结构中，靠近金刚石表面以下的紫外光穿透深度范围内的光生载流子在电场作用下漂移到电极。然而，平面电极在金刚石体内的电场E很不均匀，在表面达到最大值，在一定的深度下，电场比较微弱，不足以收集穿透深度内的光生载流子。而且金刚石表面存在各种缺陷，特别是由抛光引起的缺陷(抛光引起的缺陷层的深度可达到大约1微米)。光生载流子很容易被金刚石表面缺陷俘获，这也是金刚石紫外探测器收集效率小于100％的原因之一。因此，想办法使得电场能够深入到金刚石体内是提升光生载流子收集效率的有效解决方案。
考虑到紫外光在金刚石体内的穿透深度以及传统平面电极不能提供足够的场强去收集光生载流子的结构设计缺陷，所以需要研发一种提升光生载流子收集效率的新型金刚石日盲紫外探测器。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有日盲紫外探测器电场分布不均匀，探测器的探测性能较低的问题，而提供一种3D结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法。
本发明3D结构金刚石日盲紫外探测器是通过铁催化氢等离子体在金刚石表面刻蚀形成叉指电极凹槽，在叉指电极凹槽中通过磁控溅射电极材料，形成金属叉指电极。
本发明铁催化氢等离子体刻蚀制备3D结构金刚石日盲紫外探测器的方法按照下列步骤实现：
一、清洗：将金刚石试样依次使用丙酮、去离子水、无水乙醇进行超声清洗，得到清洗后的金刚石；
二、掩膜板镀铁：将金属掩膜板放置于清洗后的金刚石表面，采用电阻热蒸发镀制金属铁叉指电极，去掉掩膜板，得到镀制有铁叉指电极的金刚石；
三、刻蚀：将镀制有铁叉指电极的金刚石置于微波等离子体化学气相沉积设备中进行氢等离子体刻蚀处理，控制氢气流量为300～400sccm、气压13～15kPa、微波功率为
2500～3500W，得到刻蚀后的金刚石；
四、去除铁：将刻蚀后分散在金刚石褶皱表面的铁用稀盐酸溶解，得到除铁后的金刚石；
五、磁控溅射镀金：利用磁控溅射在除铁后的金刚石表面镀制金属电极层，得到带有金属叉指电极的金刚石；
六、使用机械方法将带有金属叉指电极的金刚石表面的金属擦除，在刻蚀凹槽中形成3D金属电极，完成3D结构金刚石日盲紫外探测器的制备。
本发明3D结构金刚石日盲紫外探测器与平面电极结构相比，电场能够分布在更纵深的位置，3D结构较平面结构在更深位置处的光生电子和光生空穴能够在电场作用下有效分离，被电极收集，从而提升探测性能。
本发明3D结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法具有以下优点：
1、金刚石内部空间利用率提高；
2、电场强度更均匀；
3、降低表面缺陷影响；
4、收集内部光生载流子以提高探测器响应度。
附图说明
图1为本发明3D结构金刚石日盲紫外探测器载流子收集原理图；
图2为刻蚀后的金刚石扫描电镜图；
图3为图2中A区域的扫描电镜图；
图4为图2中B区域的扫描电镜图；
图5为本发明3D结构金刚石日盲紫外探测器的光电流及暗电流特性测试图；
图6为本发明3D结构金刚石日盲紫外探测器的时间响应测试图。
具体实施方式
具体实施方式一：本实施方式3D结构金刚石日盲紫外探测器是通过铁催化氢等离子体在金刚石表面刻蚀形成叉指电极凹槽，在叉指电极凹槽中通过磁控溅射电极材料，形成金属叉指电极。
具体实施方式二：本实施方式铁催化氢等离子体刻蚀制备3D结构金刚石日盲紫外探测器的方法按照下列步骤实施：
一、清洗：将金刚石试样依次使用丙酮、去离子水、无水乙醇进行超声清洗，得到清洗后的金刚石；
二、掩膜板镀铁：将金属掩膜板放置于清洗后的金刚石表面，采用电阻热蒸发镀制金属铁叉指电极，去掉掩膜板，得到镀制有铁叉指电极的金刚石；
三、刻蚀：将镀制有铁叉指电极的金刚石置于微波等离子体化学气相沉积设备中进行氢等离子体刻蚀处理，控制氢气流量为300～400sccm、气压13～15kPa、微波功率为
2500～3500W，得到刻蚀后的金刚石；
四、去除铁：将刻蚀后分散在金刚石褶皱表面的铁用稀盐酸溶解，得到除铁后的金刚石；
五、磁控溅射镀金：利用磁控溅射在除铁后的金刚石表面镀制金属电极层，得到带有金属叉指电极的金刚石；
六、使用机械方法将带有金属叉指电极的金刚石表面的金属擦除，在刻蚀凹槽中形成3D金属电极，完成3D结构金刚石日盲紫外探测器的制备。
本实施方式利用Fe催化氢等离子体刻蚀金刚石的方法，在金刚石表面制备叉指状3D电极结构，该方法制备的日盲紫外探测器电场分布更均匀，同时提高了探测器的响应度。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式二不同的是步骤一所述的超声清洗时间为10～30min。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式二或三不同的是步骤二采用电阻热蒸发镀制厚度为50nm～300nm金属铁叉指电极。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式二至四之一不同的是步骤三刻蚀的时间为3～5h。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式二至五之一不同的是步骤三控制氢气流量为300～350sccm、气压130～140mBar、微波功率为3000～3500W。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式二至六之一不同的是步骤四所述的稀盐酸的质量分数为15％。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式二至七之一不同的是步骤五所述的金属电极的材质为金。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式八不同的是步骤五磁控溅射金电极层的工艺为：氢气流量20sccm、功率50W和镀膜气压为0.5Pa。
实施例：本实施例铁催化氢等离子体刻蚀制备3D结构金刚石日盲紫外探测器的方法按照下列步骤实施：
一、清洗：利用超声波清洗器，将尺寸为3*3*0.3mm CVD金刚石依次使用丙酮、去离子水、无水乙醇各超声清洗15min，去除表面污渍，得到清洗后的金刚石；
二、掩膜板镀铁：将金属掩膜板放置于清洗后的金刚石表面，采用电阻热蒸发镀制50nm厚度的金属铁叉指电极，去掉掩膜板，得到镀制有铁叉指电极的金刚石；
三、刻蚀：将镀制有铁叉指电极的金刚石置于微波等离子体化学气相沉积设备(5kW,2.45GHz，PLASSYS)中进行氢等离子体刻蚀处理，控制氢气流量为300sccm、气压136mBar、微波功率为3500W，刻蚀时间3h，得到刻蚀后的金刚石，刻蚀凹槽的深度为10微米；
四、去除铁：将刻蚀后的金刚石试样放置在烧杯中，取10mL质量分数为15％的稀盐酸倒入烧杯中，溶解刻蚀之后分散在金刚石褶皱表面的铁，得到除铁后的金刚石；
五、磁控溅射镀金：利用磁控溅射在除铁后的金刚石表面镀制金电极层，磁控溅射金电极层的工艺为：氢气流量20sccm、功率50W、镀膜气压0.5Pa、时间15min得到带有厚度为50nm金属叉指电极的金刚石；
六、在显微镜下使用棉签蘸取酒精将金刚石表面的金擦除，由于在表面上的膜基结合力很弱，因此能够被轻易擦去，在刻蚀凹槽中形成3D金属电极，完成3D结构金刚石日盲紫外探测器的制备。
图2-图4所示为刻蚀后样品的SEM扫描图，图3为图2中A区域的高倍扫描，A区域属于没有铁镀覆的区域，可以看出该区域被铁刻蚀出了台阶，但没有出现刻蚀坑。图4为图2中B区域的高倍扫描，B区域属于被铁镀覆并且被氢气刻蚀下去的区域，可以看出，被铁镀覆的区域由光滑平面被刻蚀成了表面褶皱凹坑状，镀制的连续铁薄膜也变成了颗粒分散在金刚石表面。
利用半导体参数测试仪，测试探测器的光电流及暗电流特性，通过与平面电极紫外探测器探测性能对比发现，本实施例3D结构金刚石日盲紫外探测器的暗电流和光电流都明显比平面电极结构大几个数量级，暗电流与光电流同时增大的特性可以使得探测器工作偏压大大降低，如图5所示，当平面电极结构加200V偏压时，暗电流与光电流分别为156pA和274nA,而对于3D结构金刚石日盲紫外探测器来说，只需要2.4V，在几乎同样的暗电流水平下(168pA)，光电流却高达10μA，是平面电极200V偏压下光电流的约40倍。图6为3D探测器的时间响应测试，开关重复性非常稳定。

Claims (9)

1.3D结构金刚石日盲紫外探测器，其特征在于该3D结构金刚石日盲紫外探测器是通过铁催化氢等离子体在金刚石表面刻蚀形成叉指电极凹槽，在叉指电极凹槽中通过磁控溅射电极材料，形成金属叉指电极。
2.铁催化氢等离子体刻蚀制备3D结构金刚石日盲紫外探测器的方法，其特征在于该制备方法按照以下步骤实现：
一、清洗：将金刚石试样依次使用丙酮、去离子水、无水乙醇进行超声清洗，得到清洗后的金刚石；
二、掩膜板镀铁：将金属掩膜板放置于清洗后的金刚石表面，采用电阻热蒸发镀制金属铁叉指电极，去掉掩膜板，得到镀制有铁叉指电极的金刚石；
三、刻蚀：将镀制有铁叉指电极的金刚石置于微波等离子体化学气相沉积设备中进行氢等离子体刻蚀处理，控制氢气流量为300～400sccm、气压13～15kPa、微波功率为2500～3500W，得到刻蚀后的金刚石；
四、去除铁：将刻蚀后分散在金刚石褶皱表面的铁用稀盐酸溶解，得到除铁后的金刚石；
五、磁控溅射镀金：利用磁控溅射在除铁后的金刚石表面镀制金属电极层，得到带有金属叉指电极的金刚石；
六、使用机械方法将带有金属叉指电极的金刚石表面的金属擦除，在刻蚀凹槽中形成3D金属电极，完成3D结构金刚石日盲紫外探测器的制备。
3.根据权利要求2所述的铁催化氢等离子体刻蚀制备3D结构金刚石日盲紫外探测器的方法，其特征在于步骤一所述的超声清洗时间为10～30min。
4.根据权利要求2所述的铁催化氢等离子体刻蚀制备3D结构金刚石日盲紫外探测器的方法，其特征在于步骤二采用电阻热蒸发镀制厚度为50nm～300nm金属铁叉指电极。
5.根据权利要求2所述的铁催化氢等离子体刻蚀制备3D结构金刚石日盲紫外探测器的方法，其特征在于步骤三刻蚀的时间为3～5h。
6.根据权利要求2所述的铁催化氢等离子体刻蚀制备3D结构金刚石日盲紫外探测器的方法，其特征在于步骤三控制氢气流量为300～350sccm、气压130～140mBar、微波功率为3000～3500W。
7.根据权利要求2所述的铁催化氢等离子体刻蚀制备3D结构金刚石日盲紫外探测器的方法，其特征在于步骤四所述的稀盐酸的质量分数为15％。
8.根据权利要求2所述的铁催化氢等离子体刻蚀制备3D结构金刚石日盲紫外探测器的方法，其特征在于步骤五所述的金属电极的材质为金。
9.根据权利要求2所述的铁催化氢等离子体刻蚀制备3D结构金刚石日盲紫外探测器的方法，其特征在于步骤五磁控溅射金电极层的工艺为：氢气流量20sccm、功率50W和镀膜气压为0.5Pa。
CN202010513714.8A 2020-06-08 2020-06-08 3d结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法 Pending CN111628014A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010513714.8A CN111628014A (zh) 2020-06-08 2020-06-08 3d结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010513714.8A CN111628014A (zh) 2020-06-08 2020-06-08 3d结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111628014A true CN111628014A (zh) 2020-09-04

Family

ID=72271353

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010513714.8A Pending CN111628014A (zh) 2020-06-08 2020-06-08 3d结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111628014A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114784120A (zh) * 2022-03-03 2022-07-22 深圳大学 银电极的制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08137215A (ja) * 1994-11-10 1996-05-31 Olympus Optical Co Ltd 電荷発生器
GB0320972D0 (en) * 2001-08-06 2003-10-08 Occuity Ltd Direct view reflective display apparatus
CN1874009A (zh) * 2006-06-27 2006-12-06 上海大学 紫外光探测器的制备方法
US20110024361A1 (en) * 2007-06-04 2011-02-03 Schwartzel David T Aqueous treatment apparatus utilizing precursor materials and ultrasonics to generate customized oxidation-reduction-reactant chemistry environments in electrochemical cells and/or similar devices
US20120137787A1 (en) * 2009-08-14 2012-06-07 Kui Yao Piezoelectric sensor and a method of fabricating a piezoelectric sensor
WO2012154498A2 (en) * 2011-05-06 2012-11-15 Advanced Technology Materials, Inc. Removal of metal impurities from silicon surfaces for solar cell and semiconductor applications
CN106784044A (zh) * 2016-12-26 2017-05-31 哈尔滨工业大学 一种三维结构金刚石紫外探测器及其制备方法
CN110931576A (zh) * 2019-12-06 2020-03-27 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种日盲紫外探测器及其制备方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08137215A (ja) * 1994-11-10 1996-05-31 Olympus Optical Co Ltd 電荷発生器
GB0320972D0 (en) * 2001-08-06 2003-10-08 Occuity Ltd Direct view reflective display apparatus
CN1874009A (zh) * 2006-06-27 2006-12-06 上海大学 紫外光探测器的制备方法
US20110024361A1 (en) * 2007-06-04 2011-02-03 Schwartzel David T Aqueous treatment apparatus utilizing precursor materials and ultrasonics to generate customized oxidation-reduction-reactant chemistry environments in electrochemical cells and/or similar devices
US20120137787A1 (en) * 2009-08-14 2012-06-07 Kui Yao Piezoelectric sensor and a method of fabricating a piezoelectric sensor
WO2012154498A2 (en) * 2011-05-06 2012-11-15 Advanced Technology Materials, Inc. Removal of metal impurities from silicon surfaces for solar cell and semiconductor applications
CN106784044A (zh) * 2016-12-26 2017-05-31 哈尔滨工业大学 一种三维结构金刚石紫外探测器及其制备方法
CN110931576A (zh) * 2019-12-06 2020-03-27 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种日盲紫外探测器及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
吕致君: "金属催化等离子体刻蚀金刚石及其紫外探测器的制备", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库（电子期刊）》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114784120A (zh) * 2022-03-03 2022-07-22 深圳大学 银电极的制备方法
CN114784120B (zh) * 2022-03-03 2024-06-07 深圳大学 银电极的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110055496B (zh) 一种在核用锆合金基底表面制备Cr涂层的制备工艺
Feng et al. C/CrN multilayer coating for polymer electrolyte membrane fuel cell metallic bipolar plates
JP5759490B2 (ja) 基板上に形成される金属接点の処理のための方法
KR20160122071A (ko) 연료 전지용 세퍼레이터의 제조 방법 및 연료 전지용 세퍼레이터
JP5438330B2 (ja) 質量分析法に用いられる試料ターゲットおよびその製造方法、並びに当該試料ターゲットを用いた質量分析装置
CN101638781B (zh) 一种在阵列式排列的微腔结构中直接加热金属膜生长氧化物纳米线的方法及应用
KR101446411B1 (ko) 스테인레스스틸을 모재로 한 내식성 및 전도성 나노 카본 코팅 방법 및 그에 따른 연료전지분리판
CN109300774B (zh) 一种微米级含有金属电极的石墨烯层的加工和转移的方法
CN106558466A (zh) 一种单晶六硼化镧场发射阵列阴极的制备方法
CN111628014A (zh) 3d结构金刚石日盲紫外探测器及其利用铁催化氢等离子体刻蚀的制备方法
CN102634765B (zh) 一种制备非晶碳涂层方法制备的非晶碳涂层的应用
CN108470777B (zh) 用于透射电镜原位通电芯片的拥有纳米级间距小电极的材料测试单元制备方法
JP2019009140A (ja) ガス拡散電極基材およびガス拡散電極の製造方法
Cheng et al. Plasma electrolytic oxidation behavior and corrosion resistance of brass in aluminate electrolyte containing NaH2PO4 or Na2SiO3
Qin et al. Corrosion behavior of TiC/amorphous carbon coated stainless steel as bipolar plate for proton exchange membrane fuel cell
CN109087837A (zh) 一种条纹相机光电阴极的制备方法
CN111455429B (zh) 一种钛表面超疏水复合涂层及其制备方法
CN111362225A (zh) 纳米针尖结构、复合结构及其制备方法
CN103413865A (zh) 一种黑硅超疏水材料及其制造方法
CN106711250B (zh) 一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器
CN102945894A (zh) 一种晶体硅太阳能电池氧化铝钝化膜和背电极的制备方法
CN115142062A (zh) 一种自清洁复合sers基底及其制备方法
CN113270314A (zh) 一种锥形纳米结构的ⅲ族氮化物及其制备方法
CN104230180B (zh) 一种自清洁玻璃及其制备方法
CN103266302A (zh) 一种用于薄膜太阳能电池的azo薄膜绒面结构的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200904

RJ01 Rejection of invention patent application after publication