CN111584611A - 显示面板、透明显示面板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种显示面板、透明显示面板及其制作方法，透明显示面板包括透光基底、像素结构、第二电极连接部以及纳米材料层；透光基底的显示区包括交替分布的像素区与非像素区；像素结构位于像素区，包括：靠近透光基底的第一电极、远离透光基底的第二电极以及第一电极与第二电极之间的发光块；第二电极连接部位于非像素区，连接相邻第二电极，第二电极连接部与第二电极的材料相同，都包括半透半反材料；纳米材料层包括多个彼此分离的纳米岛状结构，至少位于第二电极连接部远离透光基底的一侧，用于使红外光对应的表面等离子激元激发。根据本发明的实施例，能提高非像素区的红外光的透过率，可满足屏下TOF的应用需求。

Description

显示面板、透明显示面板及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种显示面板、透明显示面板及其制作方法。

背景技术

目前显示领域对人脸识别、3D体感游戏、拍照等3D立体视觉应用的需求越来越多。TOF(time of flight)与我们实现3D立体视觉体验有关。TOF技术的原理就是用一个发射器向物体发射激光，再由一个传感器接收反射回来的激光信号，然后再根据光线往返的时间来计算物体与手机之间距离，从而可以确定反射点。当发射的激光足够多的时候，所有的点就能连成一个立体面。TOF装置的信号波长一般在红外波段(如940nm)。

在屏下放置TOF装置时，发射光首先要透过屏幕到达探测物体，然后反射光再次透过屏幕到达接收传感器。为了接收到较强的反射光，屏幕在红外波段的透过率要求很高。

常用的有机发光二极管顶电极结构为半透明金属薄膜，其在可见光波段透过率约为40％-60％，红外波段透过率约为20％-40％。这就制约了整个屏幕的透过率，尤其是红外波段的透过率。目前屏幕在红外波段的透过率只有20-30％左右，远远不能满足屏下TOF的应用需求。

发明内容

本发明提供一种显示面板、透明显示面板及其制作方法，以解决相关技术中的不足。

为实现上述目的，本发明实施例的第一方面提供一种透明显示面板，包括：

透光基底，所述透光基底包括显示区，所述显示区包括交替分布的像素区与非像素区；

像素结构，位于所述像素区，每一所述像素结构包括：靠近所述透光基底的第一电极、远离所述透光基底的第二电极以及所述第一电极与所述第二电极之间的发光块，所述第二电极的材料包括半透半反材料；

第二电极连接部，位于所述非像素区，所述第二电极连接部连接相邻所述第二电极，所述第二电极连接部与所述第二电极的材料相同；

以及纳米材料层，包括多个彼此分离的纳米岛状结构，所述纳米材料层至少位于所述第二电极连接部远离所述透光基底的一侧，用于使红外光对应的表面等离子激元激发。

需要说明的是，本申请中的红外光是指波长大于620nm。

可选地，所述第二电极连接部与所述纳米材料层的材料不同，所述第二电极连接部的材料包括：镁、银、铝中的至少一种，所述纳米材料层的材料包括：金、银、铅、铝、镁中的至少一种。

可选地，所述纳米岛状结构为周期性分布或非周期性分布；和/或所述纳米岛状结构呈长方体、正方体、圆锥体、棱台或半球体。

可选地，所述像素结构的发光方式为主动驱动方式，各个所述第二电极与各个所述第二电极连接部连接成一面电极。

可选地，所述第一电极为反光电极。

可选地，所述第一电极为透光电极。

可选地，所述第二电极远离所述透光基底的一侧具有所述纳米材料层。

可选地，所述像素结构的发光方式为被动驱动方式，所述非像素区具有第一电极连接部，位于同一第一方向的各个所述第一电极与各个所述第一电极连接部连接成一条状电极；位于同一第二方向的各个所述第二电极与各个所述第二电极连接部连接成一条状电极，所述第二方向与所述第一方向垂直。

可选地，所述第一电极为透光电极。

可选地，所述第二电极远离所述透光基底的一侧具有所述纳米材料层。

本发明实施例的第二方面提供一种显示面板，包括透明显示区与非透明显示区，所述透明显示区具有上述任一项所述的透明显示面板。

本发明实施例的第三方面提供一种透明显示面板的制作方法，包括：

提供透光基底，所述透光基底包括显示区，所述显示区包括交替分布的像素区与非像素区；

在所述像素区形成像素结构，每一所述像素结构包括：靠近所述透光基底的第一电极、远离所述透光基底的第二电极以及所述第一电极与所述第二电极之间的发光块，所述第二电极的材料包括半透半反材料；同时在所述非像素区形成第二电极连接部，所述第二电极连接部连接相邻所述第二电极，所述第二电极连接部与所述第二电极在同一工序中形成；

至少在所述第二电极连接部远离所述透光基底的一侧形成纳米材料层，所述纳米材料层包括多个彼此分离的纳米岛状结构，用于使红外光对应的表面等离子激元激发。

可选地，所述纳米岛状结构采用蒸镀法、刻蚀法或激光烧蚀法形成。

根据本发明的上述实施例中，在非像素区的第二电极连接部远离透光基底的一侧设置纳米材料层，纳米材料层包括多个纳米岛状结构。各个纳米岛状结构彼此分离，形成光栅或形成粗糙表面，可使入射的红外光线产生衍射，改变波数，匹配表面等离子激元的波数，使其激发，使得原本限定在第二电极连接部内的红外光得以射出，增加了非像素区的红外光的透过率，可满足屏下TOF的应用需求。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明第一实施例示出的透明显示面板的俯视结构示意图；

图2是沿着图1中的AA线的剖视图；

图3是一种2T1C结构的像素驱动电路的电路图；

图4是根据本发明第一实施例示出的透明显示面板的制作方法的流程图；

图5与图6是图4流程对应的中间结构示意图；

图7(a)与图7(b)是根据本发明第二实施例示出的两种透明显示面板的截面结构示意图；

图8是根据本发明第三实施例示出的透明显示面板的俯视结构示意图；

图9是沿着图8中的BB线的剖视图；

图10是根据本发明第四实施例示出的透明显示面板的俯视结构示意图；

图11是沿着图10中的CC线的剖视图；

图12是根据本发明第五实施例示出的透明显示面板的俯视结构示意图；

图13是沿着图12中的DD线的剖视图；

图14是根据本发明第六实施例示出的显示面板的俯视结构示意图。

附图标记列表：

透明显示面板1、2、3、4、5 透光基底10

显示区101 像素区101a

非像素区101b 像素结构11

第一电极11a 第二电极11b

发光块11c 第二电极连接部12

纳米材料层13 纳米岛状结构13a

平坦化层PLN 像素定义层PDL

开关晶体管X1 驱动晶体管X2

存储电容Cst 扫描信号Sn

数据信号VData 电源信号VDD

底栅141 栅极绝缘层142

有源层143 层间介质层ILD

源极144a 漏极144b

钝化层PVX 第一电极连接部15

显示面板6 透明显示区61

非透明显示区62

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。

图1是根据本发明第一实施例示出的透明显示面板的俯视结构示意图，图2是沿着图1中的AA线的剖视图。

参照图1与图2所示，透明显示面板1，包括：

透光基底10，透光基底10包括显示区101，显示区101包括交替分布的像素区101a与非像素区101b；

像素结构11，位于像素区101a，每一像素结构11包括：靠近透光基底10的第一电极11a、远离透光基底10的第二电极11b以及第一电极11a与第二电极11b之间的发光块11c，第二电极11b的材料包括半透半反材料；

第二电极连接部12，位于非像素区101b，第二电极连接部12连接相邻第二电极11b，第二电极连接部12与第二电极11b的材料相同；

以及纳米材料层13，包括多个彼此分离的纳米岛状结构13a，纳米材料层13至少位于第二电极连接部12远离透光基底10的一侧，用于使红外光对应的表面等离子激元激发。

参照图1与图2所示，透光基底10可以为柔性基底，也可以为硬质基底。柔性基底的材料可以为聚酰亚胺，硬质基底的材料可以为玻璃。

一些实施例中，透光基底10还可以包括围绕显示区101的非显示区(未标示)。非显示区可以用于设置电路，例如栅极驱动电路。一些实施例中，透光基底10可以仅包括显示区101。电路设置在显示区101或集成在其它芯片。

透光基底10上具有平坦化层PLN。平坦化层PLN远离透光基底10的一侧具有第一电极11a。第一电极11a以及未覆盖第一电极11a的平坦化层PLN上设置有像素定义层PDL。像素定义层PDL具有暴露第一电极11a的部分区域的开口，开口内设置有发光块11c。发光块11c以及像素定义层PDL上设置有第二电极11b。

发光块11c可以为红、绿或蓝，也可以为红、绿、蓝或黄。红绿蓝三基色或红绿蓝黄四基色的像素结构11交替分布。发光块11c的材料可以为有机发光材料(OLED)。

平坦化层PLN、像素定义层PDL的材料都可以为聚酰亚胺等透明材料。

第一电极11a可以为阳极，材料为透光材料或反光材料。透光材料可以为氧化铟锡(ITO)、铟锌氧化物(IZO)以及氧化铟镓锌(IGZO)中的至少一种。反光材料可以为包括银(Ag)及其合金、铝(Al)及其合金，例如银(Ag)、银和铅的合金(Ag：Pb)、铝和钕的合金(Al：Nd)、银铂铜的合金(Ag：Pt：Cu)等。当使用银及其合金作为反光材料时，在第一电极11a与有机发光材料层之间可以设置一层ITO、IZO或IGZO。

第二电极11b可以为阴极，材料为具有部分透光、部分反光功能的材料(半透半反材料)。第二电极11b可以为单层结构，该单层结构的材料可以包括：镁、银、铝中的至少一种，例如为：镁与银的混合物或铝与银的混合物。第二电极11b也可以为透明导电层、中间层、透明导电层的三层结构。透明导电层的材料可以为ITO、IZO以及IGZO中的至少一种，中间层的材料包括：镁、银、铝中的至少一种，例如为：镁与银的混合物或铝与银的混合物。换言之，透明显示面板1为顶发光结构。

本实施例中，像素结构11的发光方式为主动驱动发光(Active Matrix，AM)。因而，第一电极11a与透光基底10之间设置有像素驱动电路。

图3是一种2T1C结构的像素驱动电路的电路图。参照图3所示，像素驱动电路包括开关晶体管X1、驱动晶体管X2以及存储电容Cst。

开关晶体管X1的栅极与一行扫描信号线电连接，该行扫描信号Sn为开启电压时，开关晶体管X1将一列数据信号线上的数据信号VData保持在存储电容Cst的一个极板；扫描信号Sn为关断电压时，存储电容Cst上保持的数据信号保持驱动晶体管X2打开，使得一列电源信号线上的电源信号VDD对一像素结构11的第一电极11a持续供电。

位于同一行的各色像素结构11的像素驱动电路可以连接至同一行扫描信号线，位于同一列的同色像素结构11的像素驱动电路可以连接至同一列数据信号线与同一列电源信号线。一些实施例中，存储电容Cst可由电源信号线与驱动晶体管X2的栅极重叠区域构成。

参照图2所示，本实施例中，像素驱动电路中的驱动晶体管X2包括：底栅141、栅极绝缘层142、有源层143、层间介质层ILD、源极144a、漏极144b以及钝化层PVX。开关晶体管X1中的各层可与驱动晶体管X2中的同一功能层位于同一层。换言之，开关晶体管X1与驱动晶体管X2为底栅结构。

开关晶体管X1的漏极144b与驱动晶体管X2的源极144a可通过导电插塞以及金属互连层连接。

一些实施例中，开关晶体管X1与驱动晶体管X2中的一个为底栅结构，另一个为顶栅结构，或两者都为顶栅结构。

一些实施例中，像素结构11的像素驱动电路还可以为3T1C、5T2C、6T1C、7T1C等相关技术中的电路结构，本实施例对此不加以限定。

参照图1所示，本实施例中，各个第二电极11b与各个第二电极连接部12连接成一面电极，以方便对各个第二电极11b施加电压。

一些实施例中，在行方向和列方向上，第二电极连接部12的宽度等于第二电极11b的宽度。

另一些实施例中，在行方向和/或列方向上，第二电极连接部12的宽度小于第二电极11b的宽度。换言之，面电极具有镂空区域。

第二电极连接部12与第二电极11b的材料相同。

一些实施例中，第二电极连接部12与第二电极11b都为单层结构，该单层结构的材料包括：镁、银、铝中的至少一种，例如为：镁与银的混合物或铝与银的混合物。此外，单层结构的材料还可以填入其它金属，例如钙等。

另一些实施例中，第二电极连接部12与第二电极11b都为透明导电层、中间层、透明导电层的三层结构。透明导电层的材料可以为ITO、IZO以及IGZO中的至少一种，中间层的材料包括：镁、银、铝中的至少一种，例如为：镁与银的混合物，或铝与银的混合物。此外，中间层的材料还可以填入其它金属，例如钙等。

纳米材料层13包括多个纳米岛状结构。一些实施例中，至少部分区域的各个彼此分离的纳米岛状结构13a为周期性分布，用于形成光栅；其它区域的纳米岛状结构13a为非周期性分布，用于形成粗糙表面。另一些实施例中，各个彼此分离的纳米岛状结构13a都为非周期性分布，用于形成粗糙表面。

一些实施例中，纳米材料层13的材料可以为Au、Ag、Pb、Al、Mg中的至少一种。

本实施例中，各纳米岛状结构13a呈圆锥体。

一些实施例中，纳米材料层13与各个第二电极11b远离透光基底10的一侧还可以设置有光提取层(CPL)或封装层(例如TFE薄膜)。

第二电极连接部12远离透光基底10一侧若未设置纳米材料层13，则红外光在传播至金属(第二电极连接部12)与介质(光提取层或TFE薄膜)的交界面时，会产生表面等离子激元(Surface Plasma Polaritons，SPPs)。表面等离子激元是在金属表面区域的一种自由电子和光子相互作用而形成的混合激发态。也即在相同频率的光波照射下，表面近自由电子发生集体共振。由于表面等离子激元有着大于同一频率下光子在真空中或周边介质中的波数，由于波数不匹配，通常情况下它不能被激发而从金属表面辐射出去。

本实施例中，由于纳米材料层13的设置，多个纳米岛状结构13a形成光栅或形成粗糙表面，可使入射的红外光线产生衍射，改变波数，匹配表面等离子激元的波数，使其激发，使得原本限定在第二电极连接部12内的红外光得以射出，增加了红外光的透过率。

此外，由于红外光的波长大于可见光的波长，因而红外光的波数小于可见光的波数，从而衍射光的波数更容易与红外光对应的表面等离子激元的波数匹配，红外光射出的概率大于可见光射出的概率。换言之，对可见光透过率改变不大，非常适合屏下TOF应用。

为验证本实施例的上述有益效果，本发明一实施例进行了对照实验。样品1与对照样品的透明显示面板1的结构及参数大致相同，第二电极连接部12的材料都为镁，区别仅在于：样品1设置了纳米材料层13，材料为银，厚度为2nm；第二电极连接部12的厚度为11nm；对照样品未设置纳米材料层13，第二电极连接部12的厚度为12nm。

表1为样品1与对照样品分别在入射波长为460nm、530nm、620nm、940nm时的透过率。

表1

对于图1与图2中的透明显示面板1，本发明一实施例还提供一种制作方法。图4是制作方法的流程图。图5与图6是图4流程对应的中间结构示意图。

首先，参照图4中的步骤S1与图5所示，提供透光基底10，透光基底10包括显示区101，显示区101包括交替分布的像素区101a与非像素区101b。

透光基底10可以为柔性基底，也可以为硬质基底。柔性基底的材料可以为聚酰亚胺，硬质基底的材料可以为玻璃。

图5中，像素区101a与非像素区101b在行方向与列方向上都交替分布。

一些实施例中，像素区101a与非像素区101b可以仅在行方向交替分布，或仅在列方向上交替分布。

接着，参照图4中的步骤S2与图6所示，在像素区101a形成像素结构11，每一像素结构11包括：靠近透光基底10的第一电极11a、远离透光基底10的第二电极11b以及第一电极11a与第二电极11b之间的发光块11c，第二电极11b的材料包括半透半反材料；同时在非像素区101b形成第二电极连接部12，第二电极连接部12连接相邻第二电极11b，第二电极连接部12与第二电极11b在同一工序中形成。

本实施例中，像素结构11的发光方式为主动驱动发光。主动驱动发光方式，也称有源驱动方式，由像素驱动电路对像素结构11施加电压，使其发光。因而，先在像素区101a形成像素驱动电路。

像素结构11为电流型器件，因而，像素驱动电路包括若干晶体管与存储电容。以下仍以图3中的2T1C结构为例，介绍像素驱动电路的制作工序。步骤S2可包括步骤S21-S23。

步骤S21：在像素区101a的开关晶体管区与驱动晶体管区分别形成底栅141；在像素区101a与非像素区101b形成覆盖底栅141与透光基底10的栅极绝缘层142；在开关晶体管区与驱动晶体管区分别形成有源层143(包括源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道区)；在像素区101a与非像素区101b形成覆盖有源层143与栅极绝缘层142的层间介质层ILD；在开关晶体管区与驱动晶体管区形成连接源区的源极144a与连接漏区的漏极144b；在像素区101a与非像素区101b形成覆盖源极144a、漏极144b以及层间介质层ILD的钝化层PVX；在开关晶体管区与驱动晶体管区形成连接开关晶体管X1的漏极144b与驱动晶体管X2的源极144a的导电插塞以及金属互连层。开关晶体管区为待形成开关晶体管的区域；驱动晶体管区为待形成驱动晶体管的区域。

一些实施例中，开关晶体管X1与驱动晶体管X2中的一个为底栅结构，另一个为顶栅结构，或两者都为顶栅结构。顶栅结构时指栅极比有源层143远离透光基底10。

位于同一行的子像素结构11的像素驱动电路连接至同一行扫描信号线，位于同一列的同色像素结构11的像素驱动电路连接至同一列数据信号线与同一列电源信号线。扫描信号线可与底栅141在同一工序中形成。数据信号线、电源信号线可与源极144a/漏极144b在同一工序中形成。存储电容Cst可由电源信号线与驱动晶体管X2的栅极重叠区域构成。

一些实施例中，像素结构11的像素驱动电路还可以为3T1C、5T2C、6T1C、7T1C等相关技术中的电路结构，本实施例对此不加以限定。

步骤S22：在金属互连层与钝化层PVX上形成平坦化层PLN。

平坦化层PLN可以采用涂布法形成。平坦化层PLN的材料可以为聚酰亚胺等透明材料。

步骤S23：在平坦化层PLN远离透光基底10的一侧形成若干第一电极11a，每一像素区101a具有一个第一电极11a；在各个第一电极11a以及平坦化层PLN远离透光基底10的一侧形成像素定义层PDL；在像素定义层PDL内形成若干开口，每一像素区101a具有一个开口；在各个开口内形成发光块11c；在各个发光块11c以及像素定义层PDL远离透光基底10的一侧形成第二电极11b以及第二电极连接部12，其中，第二电极11b位于像素区101a，第二电极连接部12位于非像素区101b。

第一电极11a可以先采用沉积法形成一整面第一电极材料层，后经干法刻蚀或湿法刻蚀形成若干个第一电极块。第一电极11a可以为阳极，材料为透光材料或反光材料。透光材料可以为ITO、IZO以及IGZO中的至少一种。反光材料可以为包括银(Ag)及其合金、铝(Al)及其合金，例如银(Ag)、银和铅的合金(Ag：Pb)、铝和钕的合金(Al：Nd)、银铂铜的合金(Ag：Pt：Cu)等。当使用银及其合金作为反光材料时，在第一电极11a与有机发光材料层之间可以设置一层ITO、IZO或IGZO。

像素定义层PDL可以采用涂布法形成，开口可以采用刻蚀法形成。像素定义层PDL的材料可以为聚酰亚胺等透明材料。

发光块11c可以采用蒸镀法形成。

各个第二电极11b与各个第二电极连接部12可以连接成一面电极。第二电极11b以及第二电极连接部12可以采用溅射法或蒸镀法在同一工序中形成，因而两者材料相同。第二电极11b可以为阴极，材料为具有部分透光、部分反光功能的材料。第二电极11b可以为单层结构，该单层结构的材料可以包括：镁、银、铝中的至少一种，例如为：镁与银的混合物，或铝与银的混合物；也可以掺杂其它金属，例如钙。第二电极11b也可以为透明导电层、中间层、透明导电层的三层结构。透明导电层的材料可以为ITO、IZO以及IGZO中的至少一种，中间层的材料包括：镁、银、铝中的至少一种，例如为：镁与银的混合物，或铝与银的混合物；也可以掺杂其它金属，例如钙。

之后，参照图4中的步骤S3、图1与图2所示，在第二电极连接部12远离透光基底10的一侧形成纳米材料层13，纳米材料层13包括多个彼此分离的纳米岛状结构13a，用于使红外光对应的表面等离子激元激发。

纳米材料层13与第二电极连接部12的材料不同。由于两者材料不同，因而晶格并不能完全匹配，在第二电极连接部12上蒸镀异种材料时，更倾向于首先形成纳米岛状结构13a，而不会形成完整的膜。一些实施例中，纳米材料层13的材料可以为Au、Ag、Pb、Al、Mg中的至少一种。

一些实施例中，也可以增加蒸镀时间、或采用溅射法、物理气相沉积法、化学气相沉积法等形成完整膜，后通过刻蚀法或激光烧蚀法对完整膜图形化，形成多个彼此分离的纳米岛状结构13a。

一些实施例中，还可以在纳米材料层13与各个第二电极11b远离透光基底10的一侧形成光提取层(CPL)或封装层(例如TFE薄膜)。

图7(a)是根据本发明第二实施例示出的一种透明显示面板的截面结构示意图，图7(b)是另一种透明显示面板的截面结构示意图。参照图7(a)与图7(b)所示，本实施例的透明显示面板2与图1至图2中的透明显示面板1的结构大致相同，区别仅在于：各纳米岛状结构13a呈长方体或半球体。

一些实施例中，各纳米岛状结构13a还可以呈正方体或棱台等其它形状，本实施例对此不加以限定。

相应地，对于制作方法，区别仅在于：步骤S3中，通过控制各纳米岛状结构13a的材料种类、蒸镀时的各纳米岛状结构13a的密度、刻蚀时的腐蚀液或刻蚀气体、或烧灼的时间长短及能量大小，以控制各纳米岛状结构13a的具体形状。

图8是根据本发明第三实施例示出的透明显示面板的俯视结构示意图，图9是沿着图8中的BB线的剖视图。

参照图8与图9所示，本实施例的透明显示面板3与图1至图2、图7(a)、图7(b)中的透明显示面板1、2的结构大致相同，区别仅在于：各个第二电极11b远离透光基底10的一侧也具有纳米材料层13。

像素区101a中设置纳米材料层13，各个彼此分离的纳米岛状结构13a形成的光栅或粗糙表面，对于透光第一电极11a，在像素结构11不发光时，可使入射的红外光线产生衍射，改变波数，匹配表面等离子激元的波数，使其激发。进而使得原本限定在第二电极11b内的红外光得以射出，增加了像素区101a的红外光的透过率，可进一步满足屏下TOF的应用需求。

相应地，对于制作方法，区别仅在于：步骤S3中，在第二电极连接部12远离透光基底10的一侧形成纳米材料层13时，也在各个第二电极11b远离透光基底10的一侧形成纳米材料层13。

纳米材料层13的形成方法可以参照第一实施例中的纳米材料层13的形成方法。

图10是根据本发明第四实施例示出的透明显示面板的俯视结构示意图，图11是沿着图10中的CC线的剖视图。

参照图10与图11所示，本实施例的透明显示面板4与图1至图2、图7(a)、图7(b)中的透明显示面板1、2的结构大致相同，区别仅在于：像素结构11的发光方式为被动驱动方式，非像素区101b还具有第一电极连接部15，位于同一第一方向的各个第一电极11a与各个第一电极连接部15连接成一条状电极；位于同一第二方向的各个第二电极11b与各个第二电极连接部12连接成一条状电极，第二方向与第一方向垂直。

此外，被动驱动发光方式(Passive Matrix，PM)，也称无源驱动方式，由行列交叉的条状电极在交叉处对像素结构11施加电压，使其发光；因而，第一电极11a与透光基底10之间无像素驱动电路。

图10中，第一方向为行方向，第二方向为列方向。一些实施例中，也可以第一方向为列方向，第二方向为行方向。

非像素区101b中设置纳米材料层13，各个彼此分离的纳米岛状结构13a形成的光栅或粗糙表面，可使入射的红外光线产生衍射，改变波数，匹配表面等离子激元的波数，使其激发。进而使得原本限定在第二电极连接部12内的红外光得以射出，增加了非像素区101b的红外光的透过率，可满足屏下TOF的应用需求。

各个第一电极11a与各个第一电极连接部15可以位于同一层，两者材料相同，都为透光材料，例如ITO、IZO以及IGZO中的至少一种。

相应地，对于制作方法，区别仅在于：步骤S2中，位于同一第二方向的各个第二电极连接部12将在同一方向的各个第二电极11b连接成一条状电极；同时还在非像素区101b形成第一电极连接部15，位于同一第一方向的各个第一电极连接部15将在同一方向的各个第一电极11a连接成一条状电极，第一电极连接部15与第一电极11a在同一工序中形成。

图12是根据本发明第五实施例示出的透明显示面板的俯视结构示意图，图13是沿着图12中的DD线的剖视图。

参照图12与图13所示，本实施例的透明显示面板5与图10至图11中的透明显示面板1的结构大致相同，区别仅在于：各个第二电极11b远离透光基底10的一侧也具有纳米材料层13。

像素区101a中设置纳米材料层13，各个彼此分离的纳米岛状结构13a形成的光栅或粗糙表面，在像素结构11不发光时，可使入射的红外光线产生衍射，改变波数，匹配表面等离子激元的波数，使其激发。进而使得原本限定在第二电极11b内的红外光得以射出，增加了像素区101a的红外光的透过率，可进一步满足屏下TOF的应用需求。

图14是根据本发明第六实施例示出的显示面板的俯视结构示意图。

参照图14所示，本实施例的显示面板6包括透明显示区61与非透明显示区62，透明显示区62具有上述任一的透明显示面板1、2、3、4、5。

非透明显示区62可以具有非透明显示面板。非透明显示面板与透明显示面板1、2、3、4、5类似，区别仅在于：第一电极的材料为反光材料；此外，省略纳米材料层13。

一些实施例中，非透明显示面板的基底可以为非透光基底。

非透明显示面板可以与透明显示面板1、2、3、4、5装配一起。

一些实施例中，非透明显示区62可以与透明显示区61位于同一透光基底10上。区别仅在于：非透明显示区62的像素结构中，第一电极的材料为反光材料；此外，可以省略或不省略纳米材料层13。

基于上述透明显示面板1、2、3、4、5或显示面板6，本发明一实施例还提供一种包括上述任一种透明显示面板1、2、3、4、5或显示面板6的显示装置。显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种透明显示面板，其特征在于，包括：

透光基底，所述透光基底包括显示区，所述显示区包括交替分布的像素区与非像素区；

像素结构，位于所述像素区，每一所述像素结构包括：靠近所述透光基底的第一电极、远离所述透光基底的第二电极以及所述第一电极与所述第二电极之间的发光块，所述第二电极的材料包括半透半反材料；

第二电极连接部，位于所述非像素区，所述第二电极连接部连接相邻所述第二电极，所述第二电极连接部与所述第二电极的材料相同；

以及纳米材料层，包括多个彼此分离的纳米岛状结构，所述纳米材料层至少位于所述第二电极连接部远离所述透光基底的一侧，用于使红外光对应的表面等离子激元激发。

2.根据权利要求1所述的透明显示面板，其特征在于，所述第二电极连接部与所述纳米材料层的材料不同，所述第二电极连接部的材料包括：镁、银、铝中的至少一种，所述纳米材料层的材料包括：金、银、铅、铝、镁中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的透明显示面板，其特征在于，所述纳米岛状结构为周期性分布或非周期性分布；和/或所述纳米岛状结构呈长方体、正方体、圆锥体、棱台或半球体。

4.根据权利要求1至3任一项所述的透明显示面板，其特征在于，所述像素结构的发光方式为主动驱动方式，各个所述第二电极与各个所述第二电极连接部连接成一面电极。

5.根据权利要求4所述的透明显示面板，其特征在于，所述第二电极远离所述透光基底的一侧具有所述纳米材料层。

6.根据权利要求1至3任一项所述的透明显示面板，其特征在于，所述像素结构的发光方式为被动驱动方式，所述非像素区具有第一电极连接部，位于同一第一方向的各个所述第一电极与各个所述第一电极连接部连接成一条状电极；位于同一第二方向的各个所述第二电极与各个所述第二电极连接部连接成一条状电极，所述第二方向与所述第一方向垂直。

7.根据权利要求6所述的透明显示面板，其特征在于，所述第二电极远离所述透光基底的一侧具有所述纳米材料层。

8.一种显示面板，其特征在于，包括透明显示区与非透明显示区，所述透明显示区具有权利要求1至7任一项所述的透明显示面板。

9.一种透明显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

提供透光基底，所述透光基底包括显示区，所述显示区包括交替分布的像素区与非像素区；

在所述像素区形成像素结构，每一所述像素结构包括：靠近所述透光基底的第一电极、远离所述透光基底的第二电极以及所述第一电极与所述第二电极之间的发光块，所述第二电极的材料包括半透半反材料；同时在所述非像素区形成第二电极连接部，所述第二电极连接部连接相邻所述第二电极，所述第二电极连接部与所述第二电极在同一工序中形成；

至少在所述第二电极连接部远离所述透光基底的一侧形成纳米材料层，所述纳米材料层包括多个彼此分离的纳米岛状结构，用于使红外光对应的表面等离子激元激发。

10.根据权利要求9所述的透明显示面板的制作方法，其特征在于，所述纳米岛状结构采用蒸镀法、刻蚀法或激光烧蚀法形成。

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