CN111584569A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种显示面板和显示装置，该显示面板包括依次设置的衬底层、栅极绝缘层、第一层间介质层以及第二层间介质层，显示面板包括盲孔区域和走线区域，在盲孔区域内，第一层间介质层和第二层间介质层之间设有第一透明导电层，第二层间介质层远离第一层间介质层的一侧设有盲孔区阳极；在走线区域内，衬底层和栅极绝缘层之间设有走线区半导体层，第一层间介质层和第二层间介质层之间设有第二透明导电层，栅极绝缘层和第一层间介质层之间设有走线区栅极层；其中，第一透明导电层连接走线区半导体层和盲孔区阳极，第二透明导电层与走线区栅极层形成存储电容。本申请能够简化显示面板的结构，提高显示面板的产能。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
AMOLED是英文Active-matrix organic light emitting diode的简写，中文全称是有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体。被称为下一代显示技术。
继刘海屏、水滴屏、美人尖、升降结构、推拉结构后，屏下摄像头无疑将全面屏的工业设计推上了新的高度，这将成为手机市场最成熟、应用最广泛的全面屏解决方案。在AMOLED屏幕上做屏下摄像头已是各大厂商追求的目标。AMOLED屏下摄像头的盲孔细分为盲孔区域不显示与盲孔区域显示方案。所谓的盲孔区域显示方案，当使用摄像头时，该盲孔区域不显示画面，当不使用摄像头时，盲孔区域正常显示画面，不仅实现了高屏占比，而且外观更加美观。但现有技术中盲孔区域显示的方案结构，通常需要两层栅极层形成存储电容，显示面板结构较为复杂，产能较低。
也即，现有技术中，可实现盲孔区域显示的显示面板结构复杂，产能较低。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板及显示装置，能够实现盲孔区域显示的同时，简化显示面板的结构，提高显示面板的产能。
为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括依次设置的衬底层、栅极绝缘层、第一层间介质层以及第二层间介质层，所述显示面板包括盲孔区域和走线区域，在所述盲孔区域内，所述第一层间介质层和所述第二层间介质层之间设有第一透明导电层，所述第二层间介质层远离所述第一层间介质层的一侧设有盲孔区阳极；在所述走线区域内，所述衬底层和所述栅极绝缘层之间设有走线区半导体层，所述第一层间介质层和所述第二层间介质层之间设有第二透明导电层，所述栅极绝缘层和所述第一层间介质层之间设有走线区栅极层；其中，所述第一透明导电层连接所述走线区半导体层和所述盲孔区阳极，所述第二透明导电层与所述走线区栅极层形成存储电容。
其中，所述显示面板还包括显示区域，在所述显示区域内，所述衬底层和所述栅极绝缘层之间设有显示区半导体层，所述第一层间介质层和所述第二层间介质层之间设有第三透明导电层，所述栅极绝缘层和所述第一层间介质层之间设有显示区栅极层，所述第三透明导电层与所述显示区栅极层形成存储电容。
其中，所述第三透明导电层的数量为多个，多个所述第三透明导电层在所述第一层间介质层上呈阵列排布。
其中，所述第一透明导电层、第二透明导电层以及所述第三透明导电层的材料相同。
其中，所述第一透明导电层、第二透明导电层以及所述第三透明导电层的厚度相同。
其中，所述第二透明导电层的厚度200埃～3000埃。
其中，所述第二透明导电层与所述第一层间介质层的刻蚀选择比不小于10。
其中，所述第一层间介质层与所述第二透明导电层的刻蚀选择比不小于30。
其中，所述第二透明导电层的光透过率不小于90％，所述第二透明导电层的电阻率不小于600μΩ·cm。
为解决上述问题，第二方面，本申请提供一种显示装置显示装置包括以上任一项的显示面板。
本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请提供一种显示面板，该显示面板包括依次设置的衬底层、栅极绝缘层、第一层间介质层以及第二层间介质层，显示面板包括盲孔区域和走线区域，在盲孔区域内，第一层间介质层和第二层间介质层之间设有第一透明导电层，第二层间介质层远离第一层间介质层的一侧设有盲孔区阳极；在走线区域内，衬底层和栅极绝缘层之间设有走线区半导体层，第一层间介质层和第二层间介质层之间设有第二透明导电层，栅极绝缘层和第一层间介质层之间设有走线区栅极层；其中，第一透明导电层连接走线区半导体层和盲孔区阳极，第二透明导电层与走线区栅极层形成存储电容。本申请第一透明导电层连接走线区半导体层和盲孔区阳极能够实现盲孔区域显示，通过第二透明导电层与走线区栅极层形成存储电容，而第一透明导电层和第二透明导电层同层设置，因此可同时实现盲孔区域显示和存储电容一极的制备，从而能够实现盲孔区域显示的同时，简化显示面板的结构，提高显示面板的产能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供一种显示面板的一个实施例平面结构示意图；
图2是图1显示面板沿剖面线L剖开的一个实施例剖面结构示意图；
图3是图1显示面板中多个第三透明电极层在第一层间介质层上排布的平面结构示意图。
具体实施例
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本申请，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本申请。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本申请的描述变得晦涩。因此，本申请并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。
本申请实施例提供一种显示面板，该显示面板包括依次设置的衬底层、栅极绝缘层、第一层间介质层以及第二层间介质层，显示面板包括盲孔区域和走线区域，在盲孔区域内，第一层间介质层和第二层间介质层之间设有第一透明导电层，第二层间介质层远离第一层间介质层的一侧设有盲孔区阳极；在走线区域内，衬底层和栅极绝缘层之间设有走线区半导体层，第一层间介质层和第二层间介质层之间设有第二透明导电层，栅极绝缘层和第一层间介质层之间设有走线区栅极层；其中，第一透明导电层连接走线区半导体层和盲孔区阳极，第二透明导电层与走线区栅极层形成存储电容。以下分别进行详细说明。
参阅图1至图3，图1是本申请实施例提供一种显示面板的一个实施例平面结构示意图；图2是图1显示面板沿剖面线L剖开的一个实施例剖面结构示意图；图3是图1显示面板中多个第三透明电极层在第一层间介质层上排布的平面结构示意图。
结合图1-图3，本申请实施例中，显示面板10包括盲孔区域11、走线区域12以及显示区域13。显示面板10包括依次设置的衬底层19、栅极绝缘层14、第一层间介质层15以及第二层间介质层16。在盲孔区域11内，第一层间介质层15和第二层间介质层16之间设有第一透明导电层231，第二层间介质层16远离第一层间介质层的一侧设有盲孔区阳极241。在走线区域12内，衬底层19和栅极绝缘层14之间设有走线区半导体层211，第一层间介质层15和第二层间介质层16之间设有第二透明导电层232，栅极绝缘层14和第一层间介质层15之间设有走线区栅极层221。其中，第一透明导电层231连接走线区半导体层211和盲孔区阳极241，第二透明导电层232与走线区栅极层221形成存储电容。本申请第一透明导电层231连接走线区半导体层211和盲孔区阳极241能够实现盲孔区域11显示，通过第二透明导电层232与走线区栅极层221形成存储电容，而第一透明导电层231和第二透明导电层232同层设置，可同时制备，因此可同时实现盲孔区域11显示和存储电容一极的制备。而现有技术不仅需要在半导体层制程之后制备两层栅极层作为存储电容，另外还需要在制备完两层栅极层之后在层间介质层上制备电极层以实现盲孔区域11显示，实现制备存储电容一极和盲孔区域11显示需要两道工艺。相对于现有技术，本申请可同时实现盲孔区域11显示和存储电容一极的制备，从而能够实现盲孔区域11显示的同时，简化显示面板10的结构，提高显示面板10的产能。
在一个具体的实施例中，第二层间介质层16远离第一层间介质层15的一侧依次设置有源漏层25、平坦层17以及像素定义层18。盲孔区阳极241位于平坦层17和像素定义层18之间，且位于盲孔区域11内。源漏层25包括多条间隔排布的金属线。盲孔区阳极241通过相邻金属线与第一透明导电层231连接。走线区半导体层211通过相邻金属线与第一透明导电层231连接。
在一个具体的实施例中，衬底层19为柔性衬底，衬底层19包括依次层叠设置的第一柔性薄膜191、第一缓冲层192、第二柔性薄膜193及第二缓冲层194。走线区半导体层211位于第二缓冲层上。第一柔性薄膜191及第二柔性薄膜193的材料为聚酰亚胺。第一柔性薄膜191远离第一缓冲层192的一侧设置传感器26，传感器26位于盲孔区域11，传感器26可以为摄像头。
在一个具体的实施例中，栅极绝缘层14可选择单层氧化硅结构，也可以选择氧化硅和氮化硅层叠的结构。第一层间介质层15可以为无机材料，也可以为有机材料，第一层间介质层15的介电常数不小于6.5。需要说明的是，如果第一层间介质层15选择有机材料，那需要在栅极绝缘层14成膜后进行活化工艺。如果第一层间介质层15选择无机材料氮化硅，那需要在第一层间介质层15成膜后或第二层间介质层16成膜后进行活化工艺。如果第一层间介质层15选择无机材料氧化硅，那需要在第二层间介质层16成膜后进行活化工艺。
本申请实施例中，显示面板10还包括显示区域13，在显示区域13内，衬底层19和栅极绝缘层14之间设有显示区半导体层212，第一层间介质层15和第二层间介质层16之间设有第三透明导电层233，栅极绝缘层14和第一层间介质层15之间设有显示区栅极层222，第三透明导电层233与显示区栅极层222形成存储电容。
在一个优选的实施例中，第三透明导电层233的数量为多个，多个第三透明导电层233在第一层间介质层15上呈阵列排布。第三透明导电层233呈阵列排布，能够提高第三透明导电层233的透光率。
本申请实施例中，第一透明导电层231、第二透明导电层232以及第三透明导电层233的材料相同。由于第一透明导电层231、第二透明导电层232以及第三透明导电层233材料，因此，可通过一道工艺同时制备第一透明导电层231、第二透明导电层232以及第三透明导电层233，减少工艺流程数的同时可以降低工艺复杂度。当然，第一透明导电层231、第二透明导电层232以及第三透明导电层233的材料也可以不同，此时，第一透明导电层231、第二透明导电层232以及第三透明导电层233可通过不同工艺同时进行制备，同样可以提高产能。
本申请实施例中，第一透明导电层231、第二透明导电层232以及第三透明导电层233可通过物理气相沉积工艺一道制备。物理气相沉积(Physical Vapour Deposition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。
本申请实施例中，第一透明导电层231、第二透明导电层232以及第三透明导电层233的厚度相同。具体的，第一透明导电层231、第二透明导电层232以及第三透明导电层233导电层的厚度均为200埃～3000埃。
在一个优选的实施例中，第二透明导电层232与第一层间介质层15的刻蚀选择比不小于10。刻蚀选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少，它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料(刻蚀到恰当的深度时停止)并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度。高选择比在最先进的工艺中为了确保关键尺寸和剖面控制是必需的。特别是关键尺寸越小，选择比要求越高。
在一个优选的实施例中，第一层间介质层15与第二透明导电层232的刻蚀选择比不小于30。
进一步的，第二透明导电层232的光透过率不小于90％，第二透明导电层232的电阻率不小于600μΩ·cm。第二透明导电层232的材料可以为ITO或IGZO。IGZO(indiumgallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物的缩写，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶体管技术中的沟道层材料,是金属氧化物(Oxide)面板技术的一种。ITO是Indium Tin Oxides的缩写。作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此，铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏上，用作透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。
区别于现有技术，本申请提供一种显示面板，该显示面板包括依次设置的衬底层、栅极绝缘层、第一层间介质层以及第二层间介质层，显示面板包括盲孔区域和走线区域，在盲孔区域内，第一层间介质层和第二层间介质层之间设有第一透明导电层，第二层间介质层远离第一层间介质层的一侧设有盲孔区阳极；在走线区域内，衬底层和栅极绝缘层之间设有走线区半导体层，第一层间介质层和第二层间介质层之间设有第二透明导电层，栅极绝缘层和第一层间介质层之间设有走线区栅极层；其中，第一透明导电层连接走线区半导体层和盲孔区阳极，第二透明导电层与走线区栅极层形成存储电容。本申请第一透明导电层连接走线区半导体层和盲孔区阳极能够实现盲孔区域显示，通过第二透明导电层与走线区栅极层形成存储电容，而第一透明导电层和第二透明导电层同层设置，因此可同时实现盲孔区域显示和存储电容一极的制备，从而能够实现盲孔区域显示的同时，简化显示面板的结构，提高显示面板的产能。
本申请还提供一种显示装置，显示装置包括以上的显示面板10。
需要说明的是，上述显示面板实施例中仅描述了上述结构，可以理解的是，除了上述结构之外，本申请实施例显示面板中，还可以根据需要包括任何其他的必要结构，例如基板，缓冲层，层间介质层(ILD)等，具体此处不作限定。
具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施例进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施例及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括依次设置的衬底层、栅极绝缘层、第一层间介质层以及第二层间介质层，
所述显示面板包括盲孔区域和走线区域，
在所述盲孔区域内，所述第一层间介质层和所述第二层间介质层之间设有第一透明导电层，所述第二层间介质层远离所述第一层间介质层的一侧设有盲孔区阳极；
在所述走线区域内，所述衬底层和所述栅极绝缘层之间设有走线区半导体层，所述第一层间介质层和所述第二层间介质层之间设有第二透明导电层，所述栅极绝缘层和所述第一层间介质层之间设有走线区栅极层；
其中，所述第一透明导电层连接所述走线区半导体层和所述盲孔区阳极，所述第二透明导电层与所述走线区栅极层形成存储电容。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括显示区域，在所述显示区域内，所述衬底层和所述栅极绝缘层之间设有显示区半导体层，所述第一层间介质层和所述第二层间介质层之间设有第三透明导电层，所述栅极绝缘层和所述第一层间介质层之间设有显示区栅极层，所述第三透明导电层与所述显示区栅极层形成存储电容。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第三透明导电层的数量为多个，多个所述第三透明导电层在所述第一层间介质层上呈阵列排布。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明导电层、第二透明导电层以及所述第三透明导电层的材料相同。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明导电层、第二透明导电层以及所述第三透明导电层的厚度相同。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二透明导电层的厚度200埃～3000埃。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二透明导电层与所述第一层间介质层的刻蚀选择比不小于10。
8.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一层间介质层与所述第二透明导电层的刻蚀选择比不小于30。
9.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第二透明导电层的光透过率不小于90％，所述第二透明导电层的电阻率不小于600μΩ·cm。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-9任一项所述的显示面板。
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