CN111575647A - 蒸镀掩模用基材及其制造方法、蒸镀掩模及显示装置的制造方法 - Google Patents

蒸镀掩模用基材及其制造方法、蒸镀掩模及显示装置的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111575647A
CN111575647A CN202010540876.0A CN202010540876A CN111575647A CN 111575647 A CN111575647 A CN 111575647A CN 202010540876 A CN202010540876 A CN 202010540876A CN 111575647 A CN111575647 A CN 111575647A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vapor deposition
deposition mask
mask
wave
metal plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010540876.0A
Other languages
English (en)
Inventor
新纳干大
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
Publication of CN111575647A publication Critical patent/CN111575647A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21B—ROLLING OF METAL
    • B21B1/00—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations
    • B21B1/38—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations for rolling sheets of limited length, e.g. folded sheets, superimposed sheets, pack rolling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
    • C21D1/26—Methods of annealing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D6/00—Heat treatment of ferrous alloys
    • C21D6/004—Heat treatment of ferrous alloys containing Cr and Ni
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D6/00—Heat treatment of ferrous alloys
    • C21D6/005—Heat treatment of ferrous alloys containing Mn
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D6/00—Heat treatment of ferrous alloys
    • C21D6/007—Heat treatment of ferrous alloys containing Co
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/02—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips
    • C21D8/0221—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips characterised by the working steps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D9/00—Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor
    • C21D9/0081—Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor for slabs; for billets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/04—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing manganese
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/18—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium
    • C22C38/40—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with nickel
    • C22C38/52—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing chromium with nickel with cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Metal Rolling (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

提供一种能够提高通过蒸镀形成的图案的精度的蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法。金属板的长度方向DL上的各位置处的沿着金属板的宽度方向的形状互不相同；各形状具有在金属板的宽度方向DW上反复的波；从波的一个谷连结到另一个谷的宽度方向的直线的长度是波的长度；波的高度相对于波的长度的百分率是单位陡峭度；长度方向DL上的金属板的单位长度是500mm；单位长度的金属板中的单位陡峭度的最大值是第1陡峭度；第1陡峭度是0.5％以下。

Description

蒸镀掩模用基材及其制造方法、蒸镀掩模及显示装置的制造 方法
本申请是申请日为2018年3月22日、申请号为201810238626.4、发明名称为《蒸镀掩模用基材及其制造方法、蒸镀掩模及显示装置的制造方法》的分案申请。
技术领域
本发明涉及蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法。
背景技术
蒸镀掩模具备第1面、第2面和从第1面贯通到第2面的孔。第1面与基板等的对象物对置，第2面位于与第1面相反侧。孔具备位于第1面的第1开口和位于第2面的第2开口。从第2开口进入到孔中的蒸镀物质在对象物形成追随于第1开口的位置及第1开口的形状的图案(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2015－055007号公报
蒸镀掩模具备的孔具有从第1开口朝向第2开口扩大的截面积，由此，提高从第2开口进入孔中的蒸镀物质的数量，确保到达第1开口的蒸镀物质的数量。另一方面，从第2开口进入孔中的蒸镀物质的至少一部分没有到达第1开口而是附着到划分孔的壁面上。附着在壁面上的蒸镀物质妨碍其他蒸镀物质对孔的穿过，使图案具有的尺寸的精度下降。
近年来，以使附着在壁面上的蒸镀物质的体积下降为目的，研究了使蒸镀掩模的厚度变薄、使壁面的面积本身缩小。并且，作为使蒸镀掩模的厚度变薄的技术，研究了使作为用来制造蒸镀掩模的基材的金属板的厚度本身变薄。
另一方面，在金属板形成孔的蚀刻的工序中，金属板的厚度越薄，被除去的金属的体积越小。因此，对金属板供给蚀刻液的时间及供给的蚀刻液的温度等的加工条件的容许范围变窄，结果，难以在第1开口及第2开口的尺寸中得到足够的精度。特别是，在制造金属板的技术中，使用通过辊将母材延伸的轧制、或将析出到电极上的金属板从电极剥离的电解，在金属板本身上形成有波形状。对于具有这样的形状的金属板，使金属板与蚀刻液接触的时间例如在波形状的山部与波形状的谷部之间较大地不同。从而使伴随着上述容许范围的窄小化的精度的下降更深刻化。如以上这样，使蒸镀掩模的厚度变薄的技术使附着在壁面上的蒸镀物质的量下降，由此能提高蒸镀的反复进行下的图案的尺寸的精度，但通过蒸镀，会新招致难以得到图案的尺寸所需要的精度这样的课题。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够提高通过蒸镀形成的图案的精度的蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法。
用来解决上述课题的蒸镀掩模用基材，是用于通过蚀刻而形成多个孔来制造蒸镀掩模的、作为具有带状的金属板的蒸镀掩模用基材，上述金属板具有长度方向和宽度方向，上述金属板的上述长度方向上的各位置处的沿着上述宽度方向的形状相互不同，各形状具有在上述宽度方向上反复的波；各波在其两侧分别具有谷，从上述波的一个谷连结到另一个谷的宽度方向的直线的长度是波的长度；上述波的高度相对于上述波的长度的百分比是单位陡峭度；上述长度方向上的上述金属板的单位长度是500mm；上述单位长度的金属板中的上述单位陡峭度的最大值是第1陡峭度；上述第1陡峭度是0.5％以下。
用来解决上述课题的蒸镀掩模用基材的制造方法是作为具有带状的金属板的蒸镀掩模用基材的制造方法，所述蒸镀掩模用基材用于通过蚀刻而形成多个孔来制造蒸镀掩模；上述制造方法包括将母材轧制而得到上述金属板的工序；上述金属板具有长度方向和宽度方向，上述金属板的上述长度方向上的各位置处的沿着上述宽度方向的形状相互不同，各形状具有在上述金属板的宽度方向上反复的波；各波在其两侧分别具有谷，从上述波的一个谷连结到另一个谷的宽度方向的直线的长度是波的长度；上述波的高度相对于上述波的长度的百分比是单位陡峭度；上述长度方向上的上述金属板的单位长度是500mm；上述单位长度的金属板中的上述单位陡峭度的最大值是第1陡峭度；将上述母材轧制，以使上述第1陡峭度是0.5％以下。
用来解决上述课题的蒸镀掩模的制造方法是包括：在具有带状的金属板上形成抗蚀剂层的工序、和通过以上述抗蚀剂层为掩模的蚀刻而在上述金属板上形成多个孔来形成掩模部的蒸镀掩模的制造方法；上述金属板具有长度方向和宽度方向，上述金属板的上述长度方向上的各位置处的沿着上述宽度方向的形状相互不同，各形状具有在上述宽度方向上反复的波；各波在其两侧分别具有谷，从上述波的一个谷连结到另一个谷的宽度方向的直线的长度是波的长度；上述波的高度相对于上述波的长度的百分比是单位陡峭度；上述长度方向上的金属板的上述单位长度是500mm；上述单位长度的金属板中的单位陡峭度的最大值是第1陡峭度；上述第1陡峭度是0.5％以下。
根据上述蒸镀掩模用基材，由于单位长度的金属板的宽度方向上的陡峭度的最大值是0.5以下，所以即使对被沿长度方向输送的蒸镀掩模用基材的表面供给液体，也容易使液体在蒸镀掩模用基材的表面上均匀地流动。结果，能抑制对沿长度方向被输送的蒸镀掩模用基材的表面供给的液体在长度方向的一部分处沉积。并且，能够提高使用了基于蚀刻液等液体的处理后的长度方向上的加工的均匀性，即能够提高蒸镀掩模用基材所具有孔的长度方向上的均匀性、以及通过蒸镀形成的图案的精度。
在上述蒸镀掩模用基材中，也可以是，在上述长度方向上的各位置，上述宽度方向上包含的全部波的单位陡峭度中的最大值是第2陡峭度；上述单位长度的金属板中的上述第2陡峭度的平均值是0.25％以下。根据该蒸镀掩模用基材，由于宽度方向上的陡峭度在单位长度的整体上被抑制，所以能够进一步提高图案的精度。
在上述蒸镀掩模用基材中，也可以是，在上述长度方向上的各位置，上述宽度方向上包含的波的数量是该位置处的波数；上述单位长度的金属板的上述波数的最大值是4个以下。根据该蒸镀掩模用基材，由于宽度方向上包含的波的数量是4个以下，并且各波的单位陡峭度是0.5％以下，所以能够进一步抑制蒸镀掩模用基材的表面上的液体的沉积。
在上述蒸镀掩模用基材中，也可以是，在上述长度方向上的各位置，上述宽度方向上包含的波的数量是该位置处的波数；上述单位长度的金属板中的上述波数的平均值是2个以下。根据该蒸镀掩模用基材，由于宽度方向上的波数在单位长度的整体上被抑制，所以能够进一步提高图案的精度。
在上述蒸镀掩模的制造方法中，也可以是，形成上述掩模部的工序是在单一的上述金属板上形成多个上述掩模部的工序；上述各掩模部分别具备具有上述多个孔的1个侧面；上述制造方法还包括将上述各掩模部的侧面与1体的(日语：1体の)框部相互接合、以对于每个上述掩模部由上述1体的框部将上述多个孔包围的工序。根据该蒸镀掩模的制造方法，由于将各掩模部的侧面与1体的框部接合，所以在具备多个掩模部的蒸镀掩模中，还能够提高各掩模部的形状的稳定性。
用来解决上述课题的显示装置的制造方法包括：准备由上述蒸镀掩模的制造方法形成的蒸镀掩模；通过使用了上述蒸镀掩模的蒸镀而形成图案。
根据上述各结构，能够提高通过蒸镀而形成的图案的精度。
附图说明
图1是表示蒸镀掩模用基材的立体图。
图2是表示测量用基材的平面图。
图3是将用来说明陡峭度的曲线图与测量用基材的截面构造一起表示的图。
图4是表示掩模装置的平面构造的平面图。
图5是部分地表示掩模部的截面构造的一例的剖视图。
图6是部分地表示掩模部的截面构造的另一例的剖视图。
图7是部分地表示掩模部的边缘与框部的接合构造的一例的剖视图。
图8是部分地表示掩模部的边缘与框部的接合构造的另一例的剖视图。
图9(a)是表示蒸镀掩模的平面构造的一例的平面图，图9(b)是表示蒸镀掩模的截面构造的一例的剖视图。
图10(a)是表示蒸镀掩模的平面构造的另一例的平面图，图10(b)是表示蒸镀掩模的截面构造的另一例的剖视图。
图11是表示用来制造蒸镀掩模用基材的轧制工序的工序图。
图12是表示用来制造蒸镀掩模用基材的加热工序的工序图。
图13是表示用来制造掩模部的蚀刻工序的工序图。
图14是表示用来制造掩模部的蚀刻工序的工序图。
图15是表示用来制造掩模部的蚀刻工序的工序图。
图16是表示用来制造掩模部的蚀刻工序的工序图。
图17是表示用来制造掩模部的蚀刻工序的工序图。
图18是表示用来制造掩模部的蚀刻工序的工序图。
图19(a)～图19(h)是说明蒸镀掩模的制造方法的一例的工序图。
图20(a)～图20(e)是说明蒸镀掩模的制造方法的一例的工序图。
图21(a)～图21(f)是说明蒸镀掩模的制造方法的一例的工序图。
图22是将各实施例中的测量用基材的平面构造与尺寸一起表示的平面图。
具体实施方式
参照图1至图22，说明蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法的一实施方式。
[蒸镀掩模用基材的结构]
如图1所示，蒸镀掩模用基材1是具有带状的金属板。蒸镀掩模用基材1具有在长度方向DL的各位置处具有在宽度方向DW上反复的波的波形状。蒸镀掩模用基材1的长度方向DL上的各位置具有相互不同的波形状。在相互不同的波形状中，波形状中包含的波(凹凸)的数量、波的长度、波的高度等相互不同。另外，在图1中，为了说明而将蒸镀掩模用基材1所具有的形状与实际相比夸张地表示。蒸镀掩模用基材1具有的厚度是10μm以上且50μm以下。蒸镀掩模用基材1具有的厚度的均匀性是，例如厚度的最大值与厚度的最小值的差相对于厚度的平均值的比率是5％以下。
构成蒸镀掩模用基材1的材料是镍或铁镍合金，例如优选的是包含30质量％以上的镍的铁镍合金，其中，优选的是以36质量％镍与64质量％铁的合金为主成分的所谓因瓦合金(invar)。在以36质量％镍与64质量％铁的合金为主成分的情况下，残留量包含铬、锰、碳、钴等的添加物。在构成蒸镀掩模用基材1的材料是因瓦合金的情况下，蒸镀掩模用基材1的热膨胀系数例如是1.2×10－6/℃左右。如果是具有这样的热膨胀系数的蒸镀掩模用基材1，则从蒸镀掩模用基材1制造的掩模中的热膨胀带来的大小的变化、和玻璃基板或聚酰亚胺片中的热膨胀带来的大小的变化是相同左右，所以作为蒸镀对象的一例，优选的是使用玻璃基板或聚酰亚胺片。
[陡峭度]
在蒸镀掩模用基材1被载置在水平面上的状态下，相对于水平面的蒸镀掩模用基材1的表面的位置(高度)是表面位置。
如图2所示，在表面位置的计测中，首先，将金属板切断，以使轧制出的、或用电解制作出的金属板的宽度方向DW上的尺寸成为宽度W，将作为具有带状的金属板的蒸镀掩模用基材1卷绕为卷状。接着，实施将蒸镀掩模用基材1在宽度方向DW的整体(全宽度)上切断的切割工序，作为蒸镀掩模用基材1的长度方向DL上的一部分而切割出测量用基材2M。测量用基材2M的宽度方向DW上的宽度W与蒸镀掩模用基材1的宽度方向DW上的尺寸相等。接着，关于测量用基材2M的表面2S，按照长度方向DL的规定的间隔，计测宽度方向DW的各位置处的表面位置。表面位置被计测的范围是计测范围ZL。
计测范围ZL是测量用基材2M的长度方向DL上的将作为两方的端部的非计测范围ZE除去后的范围。计测范围ZL也是测量用基材2M的宽度方向DW上的将作为两端部的未图示的非计测范围除去后的范围。将蒸镀掩模用基材1切断的切割工序能够在测量用基材上形成与蒸镀掩模用基材1不同的新的波形状。各非计测范围ZE的长度方向DL上的长度是能够形成这样的新的波形状的长度，非计测范围ZE被从表面位置的测量中排除。各非计测范围ZE所具有的长度方向DL上的长度例如是100mm。在宽度方向上，由于也将由切割工序带来的新的波形状排除在外，所以非计测范围的宽度方向DW上的长度为，距宽度方向DW的端部例如是10mm。
图3是表示测量用基材2M的宽度方向DW的各位置处的表面位置的一例的曲线图，是与测量用基材2M的包括宽度方向DW在内的截面的截面构造一起表示表面位置的图。另外，在图3中，表示在长度方向DL的各部位中的、在宽度方向DW上具有3个波的部位的例子。
如图3所示，表面位置被测量的宽度方向DW的各位置以能够将蒸镀掩模用基材1的波形状复制的间隔排列。表面位置被测量的宽度方向DW的各位置例如在宽度方向DW上以1mm以上且20mm以下的间隔排列。将宽度方向DW上的各位置的表面位置连结的线LC被看作沿着蒸镀掩模用基材1的表面的线，线LC的长度是蒸镀掩模用基材1的表面上的沿面距离。在线LC中包含的各波中，从波的一方的谷连结到另一方的谷的宽度方向DW上的直线的长度是波的长度L1、L2、L3。在线LC中包含的各波中，与将波的谷间连结的直线相对的高度是波的高度HW1、HW2、HW3。蒸镀掩模用基材1的单位陡峭度是波的高度相对于波的长度的百分比，在图3所示的例子中，是高度HW1/长度L1×100(％)、高度HW2/长度L2×100(％)、及高度HW3/长度L3×100(％)。另外，在波的波峰位于宽度方向DW的端部的情况下，在宽度方向DW上，将波的长度推测为从波峰到波谷的长度的二倍。
蒸镀掩模用基材1的长度方向DL上的单位长度是500mm。
蒸镀掩模用基材1的第1陡峭度，是在蒸镀掩模用基材1的具有单位长度及宽度W的部分中包含的全部波的单位陡峭度中的最大值。
蒸镀掩模用基材1的第2陡峭度，是在长度方向DL上的各位置处、宽度方向DW中包含的全部波的单位陡峭度中的最大值。即，蒸镀掩模用基材1的第1陡峭度也是单位长度的第2陡峭度的最大值。
在蒸镀掩模用基材1的长度方向DL上的各位置处，宽度方向DW中包含的波的数量是该位置处的波数。
蒸镀掩模用基材1的第1陡峭度满足下述[条件1]。在蒸镀掩模用基材1的宽度方向DW上的陡峭度中，优选的是第2陡峭度满足下述[条件2]，波数满足[条件3]及[条件4]。
[条件1]第1陡峭度是0.5％以下。
[条件2]第2陡峭度的平均值是0.25％以下。
[条件3]每单位长度的波数的最大值是4个以下。
[条件4]每单位长度的波数的平均值是2个以下。
在满足[条件1]的蒸镀掩模用基材1中，由于作为宽度方向DW上的陡峭度的单位陡峭度的最大值是0.5％以下，所以从长度方向DL观察，不存在由伴随着较陡的倾斜的突出或凹陷带来的波。在伴随着较陡的倾斜的突出或凹陷中，被供给到那里的液体与周围相比更容易沉淀，根据单位陡峭度的平均值等，难以得到这样的波是否存在的信息。因此，即使对在长度方向DL上输送的蒸镀掩模用基材1的表面供给处理用的液体，在突出的波的周边，液体也不会沉淀，即使将相同的处理在长度方向DL上反复，也容易使液体在蒸镀掩模用基材1的表面上均匀地流动。结果，抑制了被供给到蒸镀掩模用基材的表面上的液体在长度方向DL的一部分处沉淀。由此，能够将使用了通过蚀刻液等的液体的处理的、长度方向DL上的加工的均匀性提高，即，能够提高蒸镀掩模用基材1所具有的孔的长度方向DL上的均匀性、以及通过蒸镀形成的图案的精度。
此外，在从卷将蒸镀掩模用基材1拉出而输送蒸镀掩模用基材1的卷对卷方式中，用来将蒸镀掩模用基材1拉出的张紧(tension)在蒸镀掩模用基材1的长度方向DL上作用。在长度方向DL上作用的张紧将蒸镀掩模用基材1的挠曲及凹陷在长度方向DL上拉伸。另一方面，这样的张紧开始作用的部位是在蒸镀掩模用基材1中被从卷刚要被拉出前等的部位，也是宽度方向DW上的陡峭度越大则拉伸的程度越不均匀的部位。并且，每当卷旋转就反复出现容易发生由张紧带来的拉伸的情况、和难以发生由张紧带来的拉伸的情况，使在长度方向DL上被输送的蒸镀掩模用基材1发生输送偏差或褶皱等。结果，宽度方向DW上的较大的陡峭度容易引起卷对卷方式下的输送偏差，此外，当将干膜抗蚀剂等那样的其他薄膜粘贴到蒸镀掩模用基材1上时，容易引起由褶皱带来的位置偏差或密接性的下降等。对于这一点，根据满足[条件1]的结构，能够抑制输送偏差、位置偏差及褶皱，由此，也能够提高通过蒸镀形成的图案的精度。
向蒸镀掩模用基材1的表面供给的液体例如是用来将位于蒸镀掩模用基材1的表面上的抗蚀剂层显影的显影液、和用来将显影液从表面除去的清洗液。此外，向蒸镀掩模用基材1的表面供给的液体例如是用来将蒸镀掩模用基材1蚀刻的蚀刻液、和用来将蚀刻液从表面除去的清洗液。此外，向蒸镀掩模用基材1的表面供给的液体例如是用来将在蒸镀掩模用基材1的表面上蚀刻后残留的抗蚀剂层剥离的剥离液、和用来将剥离液从表面除去的清洗液。
并且，只要是在被供给到蒸镀掩模用基材1的表面上的液体的长度方向DL上的流动中不易发生沉淀的上述结构，就能够在蒸镀掩模用基材1的表面内将使用了通过液体的处理的加工的均匀性提高。而且，只要是第2陡峭度的平均值满足[条件2]的结构，就能在长度方向DL的整体中抑制单位陡峭度，所以能够进一步提高图案的精度。并且，还能够确保在长度方向DL上被输送的蒸镀掩模用基材1与干膜等的抗蚀剂层之间的密接性、及对于抗蚀剂层的曝光的精度。即，只要是满足条件1和条件2的结构，就也能够提高曝光的精度，所以与在长度方向DL上的液体的流动中难以发生沉淀相辅相成，能够进一步提高加工的均匀性。
此外，在满足[条件3]的蒸镀掩模用基材1中，由于每单位长度的波数的最大值是4个以下，所以从长度方向DL观察，在蒸镀掩模用基材1中不包含许多波。因此，即使对在长度方向DL上被输送的蒸镀掩模用基材1的表面供给处理用的液体，不会因在长度方向DL的一部分处波数较大而液体沉淀，即使将相同的处理在长度方向DL上反复进行，也容易使液体在蒸镀掩模用基材1的表面上更均匀地流动。
此外，在满足[条件4]的蒸镀掩模用基材1中，由于每单位长度的波数的平均值是2个以下，所以在长度方向DL的整体中能够抑制波的数量。因此，也能够进一步确保在长度方向DL上被输送的蒸镀掩模用基材1与干膜等的抗蚀剂层之间的密接性、及对于抗蚀剂层的曝光的精度。
这样，满足条件1至条件4的结构及由此得到的效果，是通过认识到如下课题才导出的，所述课题为：由在长度方向DL上被输送的蒸镀掩模用基材1产生的、使用了液体的表面的加工中的课题，此外加入了由在长度方向DL上作用的张紧带来的影响的课题。
[掩模装置的结构]
图4表示具备使用蒸镀掩模用基材1制造的蒸镀掩模的掩模装置的概略性的平面构造。图5表示蒸镀掩模所具备的掩模部的截面构造的一例，图6表示蒸镀掩模所具备的掩模部的截面构造的另一例。另外，掩模装置所具备的蒸镀掩模的数量及蒸镀掩模30所具备的掩模部的数量是一例。
如图4所示，掩模装置10具备主框20和3个蒸镀掩模30。主框20具有支承多个蒸镀掩模30的矩形框状，被安装在用来进行蒸镀的蒸镀装置上。主框20具有遍及各蒸镀掩模30所处的范围的大致整体地将主框20贯通的主框孔21。
各蒸镀掩模30具备具有带板状的多个框部31、和在各框部31上各有3个的掩模部32。框部31具有支承掩模部32的短条板状，被安装在主框20上。框部31具有遍及掩模部32所处的范围的大致整体将框部31贯通的框孔33。框部31具有比掩模部32高的刚性，并且具有将框孔33包围的框状。各掩模部32在划分框孔33的框部31的框内缘部上通过熔接或粘接固定有各1个。
如图5所示，掩模部32的一例由掩模板323构成。掩模板323既可以是由蒸镀掩模用基材1形成的1片板部件，也可以是由蒸镀掩模用基材1形成的1片板部件与树脂板的层叠体。另外，在图5中，表示为由蒸镀掩模用基材1形成的1片板部件。
掩模板323具备第1面321(图5的下表面)、和作为与第1面321相反侧的面的第2面322(图5的上表面)。第1面321在掩模装置10被安装在蒸镀装置上的状态下与玻璃基板等的蒸镀对象对置。第2面322与蒸镀装置的蒸镀源对置。掩模部32具有将掩模板323贯通的多个孔32H。孔32H的壁面相对于掩模板323的厚度方向在剖视中具有倾斜。孔32H的壁面的形状在剖视中，既可以是如图5所示那样朝向孔32H的外侧伸出的半圆弧状，也可以是具有多个弯曲点的复杂的曲线状。
掩模板323的厚度是1μm以上且50μm以下，优选的是2μm以上且20μm以下。只要掩模板323的厚度是50μm以下，就能够使在掩模板323上形成的孔32H的深度成为50μm以下。这样，如果是较薄的掩模板323，则能够使孔32H所具有的壁面的面积本身变小，使附着到孔32H的壁面上的蒸镀物质的体积减小。
第2面322包括作为孔32H的开口的第2开口H2，第1面321包括作为孔32H的开口的第1开口H1。第2开口H2在俯视中比第1开口H1大。各孔32H是从蒸镀源升华的蒸镀物质经过的通路。从蒸镀源升华的蒸镀物质从第2开口H2朝向第1开口H1前进。只要第2开口H2是比第1开口H1大的孔32H，就能够增加从第2开口H2进入孔32H的蒸镀物质的量。另外，沿着第1面321的截面中的孔32H的面积从第1开口H1朝向第2开口H2，可以是从第1开口H1到第2开口H2单调地增大、也可以具备在从第1开口H1到第2开口H2的途中大致为一定的部位。
如图6所示，掩模部32的另一例具有将掩模板323贯通的多个孔32H。第2开口H2在俯视中比第1开口H1大。孔32H由具有第2开口H2的大孔32LH和具有第1开口H1的小孔32SH构成。大孔32LH的截面积从第2开口H2朝向第1面321单调地减小。小孔32SH的截面积从第1开口H1朝向第2面322单调地减小。孔32H的壁面在剖视中具有大孔32LH与小孔32SH连接的部位，即在掩模板323的厚度方向的中间部分处，具有朝向孔32H的内侧突出的形状。在孔32H的壁面上突出的部位与第1面321之间的距离是阶高SH。另外，在图5中说明过的截面构造的例子中，阶高SH是零。从容易确保到达第1开口H1的蒸镀物质的量的观点来看，优选的是，阶高SH为零的结构。在得到阶高SH是零的掩模部32的结构中，以通过来自蒸镀掩模用基材1的单面的湿式蚀刻形成孔32H的程度，掩模板323的厚度较薄，例如是50μm以下。
[掩模部的接合构造]
图7表示掩模部32与框部31的接合构造具有的截面构造的一例。图8表示掩模部32与框部31的接合构造具有的截面构造的另一例。
如图7表示的例子那样，掩模板323的外缘部32E是不具备孔32H的区域。掩模板323所具有的第2面322中、掩模板323的外缘部32E所包含的部分，是掩模部所具备的侧面的一例，被接合在框部31上。框部31具备划分框孔33的内缘部31E。内缘部31E具备与掩模板323对置的接合面311(图7的下表面)、和作为与接合面311相反侧的面的非接合面312(图7的上表面)。内缘部31E的厚度T31，即接合面311与非接合面312的距离相比掩模板323所具有的厚度T32充分厚，由此，框部31具有比掩模板323高的刚性。特别是，对于内缘部31E通过自重而垂下的情况、或内缘部31E朝向掩模部32变位的情况，框部31具有较高的刚性。内缘部31E的接合面311具备与第2面322接合的接合部32BN。
接合部32BN遍及内缘部31E的大致整周连续或间隔性地配置。接合部32BN既可以是通过接合面311与第2面322的熔接形成的熔接痕，也可以是将接合面311与第2面322接合的接合层。框部31将内缘部31E的接合面311与掩模板323的第2面322接合，并且对掩模板323施加将掩模板323朝向其外侧牵拉那样的应力F。
另外，框部31也还以与掩模板323中的应力F相同的程度被主框20施加朝向其外侧牵拉那样的应力。因此，在被从主框20拆下的蒸镀掩模30中，主框20与框部31的接合所带来的应力被解除，施加在掩模板323上的应力F也被缓和。接合面311上的接合部32BN的位置优选的是使应力F各向同性地作用在掩模板323上的位置，该位置是基于掩模板323的形状及框孔33的形状而适当选择的。
接合面311是接合部32BN所处的平面，从第2面322的外缘部32E朝向掩模板323的外侧扩大。换言之，内缘部31E具备第2面322向其外侧虚拟地扩展的面构造，从第2面322的外缘部32E朝向掩模板323的外侧扩大。因此，在接合面311扩大的范围中，容易在掩模板323的周围形成相当于掩模板323的厚度的空间V。结果，在掩模板323的周围，能够抑制蒸镀对象S与框部31物理性地干涉。
在图8所示的例子中，第2面322的外缘部32E也具备没有形成孔32H的区域。第2面322的外缘部32E通过接合部32BN的接合，被接合到框部31所具备的接合面311上。并且，框部31对掩模板323施加将掩模板323朝向其外侧牵拉那样的应力F，并且在接合面311扩大的范围中，形成相当于掩模板323的厚度的空间V。
另外，应力F不作用的状态下的掩模板323与蒸镀掩模用基材1同样，有具有较多波形状的情况。并且，上述应力F作用的状态下的掩模板323、即搭载在蒸镀掩模30上的掩模板323有以降低波的高度的方式进行变形的情况。关于这一点，只要是满足上述条件的蒸镀掩模用基材1，即使发生了由应力F带来的变形，它也被抑制在被容许的程度以内，结果，也能够抑制蒸镀掩模30上的孔32H的变形，提高图案的位置及形状的精度。
[掩模部的数量]
图9表示蒸镀掩模30所具备的孔32H的数量与掩模部32所具备的孔32H的数量的关系的一例。此外，图10表示蒸镀掩模30所具备的孔32H的数量与掩模部32所具备的孔32H的数量的关系的另一例。
如图9(a)的例子所示，框部31具有3个框孔33(33A、33B、33C)。如图9(b)的例子所示，蒸镀掩模30在各框孔33上具备各1个掩模部32(32A、32B、32C)。划分框孔33A的内缘部31E与1个掩模部32A接合，划分框孔33B的内缘部31E与另1个掩模部32B接合，划分框孔33C的内缘部31E与另1个掩模部32C接合。
这里，将蒸镀掩模30对于多个蒸镀对象反复使用。因此，蒸镀掩模30所具备的各孔32H在孔32H的位置及孔32H的构造等上被要求更高的精度。并且，在孔32H的位置及孔32H的构造等中不能得到希望的精度的情况下，不管是蒸镀掩模30的制造还是蒸镀掩模30的补修，都希望将掩模部32适当更换。
关于这一点，如果是如图9所示的结构那样、将1体的框部31所需要的孔32H的数量用3个掩模部32分担的结构，则即使是对于1个掩模部32希望更换的情况，也只要将3个掩模部32中的1个掩模部32更换就足够。即，能够将3个掩模部32中的2个掩模部32继续利用。所以，只要是在各框孔33上接合着不同的掩模部32的结构，则不管是蒸镀掩模30的制造还是蒸镀掩模30的补修，都能够抑制上述所需要的各种材料的消耗量。掩模板323的厚度越薄，此外孔32H越小，则掩模部32的成品率越容易下降，对于掩模部32的更换的请求越大。因此，在各框孔33上具备不同的掩模部32的上述结构在被要求高解析度的蒸镀掩模30中特别优选。
另外，关于孔32H的位置及孔32H的构造的检查，优选的是，在被施加了应力F的状态、即在框部31上接合着掩模部32的状态下进行。在这样的观点下，上述接合部32BN优选的是例如间隔性地存在于内缘部31E的一部分上，以便能够进行掩模部32的更换。
如图10(a)的例子所示，框部31具有3个框孔33(33A、33B、33C)。如图10(b)的例子所示，蒸镀掩模30也能够具备对各框孔33共用的1个掩模部32。此时，划分框孔33A的内缘部31E、划分框孔33B的内缘部31E、划分框孔33C的内缘部31E与对它们共用的1个掩模部32接合。
另外，只要是将在1体的框部31中需要的孔32H的数量用1个掩模部32承担的结构，就能够使与框部31接合的掩模部32的数量为1个，所以能够减轻框部31与掩模部32的接合所需要的负荷。构成掩模部32的掩模板323的厚度越厚，此外孔32H的尺寸越大，则掩模部32的成品率越容易上升，对于掩模部32的更换的要求越小。因此，在被要求低解析度的蒸镀掩模30中，特别优选具备对各框孔33共用的掩模部32的结构。
[蒸镀掩模用基材的制造方法]
接着，对蒸镀掩模用基材的制造方法进行说明。另外，在蒸镀掩模用基材的制造方法中，分别例示出使用轧制的方式和使用电解的方式。首先，说明使用轧制的方式，接着说明使用电解的方式。图11及图12表示使用轧制的例子。
在使用轧制的制造方法中，如图11所示，首先，准备由因瓦合金等形成的在长度方向DL上延伸的母材1a。接着，以母材1a的长度方向DL与输送母材1a的输送方向平行的方式，朝向轧制装置50输送母材1a。轧制装置50例如具备一对轧制辊51、52，用一对轧制辊51、52轧制母材1a。由此，母材1a在长度方向DL上被拉长，形成轧制材料1b。轧制材料1b被切断以使宽度方向DW上的尺寸成为宽度W。轧制材料1b例如既可以被卷取到芯C上，也可以在被拉长为带形状的状态下被处置。轧制材料1b的厚度例如是10μm以上且50μm以下。另外，也可以设为使用多对轧制辊的方法，在图12中，作为一例而表示使用一对轧制辊的方法。
接着，如图12所示，将轧制材料1b向退火装置53输送。在轧制材料1b被沿着长度方向DL牵拉的状态下，退火装置53对轧制材料1b进行加热。由此，从轧制材料1b的内部将积蓄的残留应力去除，形成蒸镀掩模用基材1。此时，优选的是，以满足上述[条件1]的方式，设定轧制辊51、52之间的推压力、轧制辊51、52的旋转速度、轧制材料1b的退火温度等。优选的是，以与[条件1]一起满足上述[条件2]至[条件4]的方式，设定轧制辊51、52之间的推压力、轧制辊51、52的旋转速度、轧制辊51、52上的推压温度、轧制材料1b的退火温度等。另外，也可以将轧制材料1b在退火后切断，以使宽度方向DW上的尺寸成为宽度W。
在使用电解的制造方法中，在电解所使用的电极表面上形成蒸镀掩模用基材1，然后，从电极表面将蒸镀掩模用基材1脱模。此时，例如将以镜面为表面的电解滚筒电极浸渍到电解池中，并且使用在下方承接电解滚筒电极且与电解滚筒电极的表面对置的其他电极。并且，在电解滚筒电极与其他电极之间流过电流，蒸镀掩模用基材1沉积到作为电解滚筒电极的表面的电极表面上。在电解滚筒电极旋转而蒸镀掩模用基材1成为希望的厚度的定时，从电解滚筒电极的表面将蒸镀掩模用基材1剥离并卷取。
在构成蒸镀掩模用基材1的材料是因瓦合金的情况下，电解所使用的电解池含有铁离子供给剂、镍离子供给剂及pH缓冲剂。电解所使用的电解池也可以含有应力缓和剂、Fe3+离子掩模剂、苹果酸或柠檬酸等的络化剂等，是被调整为适合于电解的pH的弱酸性的溶液。铁离子供给剂例如是七水合硫酸亚铁、氯化亚铁、氨基磺酸铁等。镍离子供给剂例如是硫酸镍(II)、氯化镍(II)、氨基磺酸镍、溴化镍。pH缓冲剂例如是硼酸、丙二酸。丙二酸也作为Fe3+离子掩模剂发挥功能。应力缓和剂例如是糖精钠。在电解中使用的电解池例如是含有上述添加剂的水溶液，通过5％硫酸或碳酸镍等的pH调整剂调整，例如使pH成为2以上且3以下。另外，根据需要也可以加入退火工序。
在电解所使用的电解条件下，根据蒸镀掩模用基材1的厚度、蒸镀掩模用基材1的组成比等，适当调整电解池的温度、电流密度及电解时间。在上述电解池中使用的阳极例如是纯铁制和镍制。在上述电解池中使用的阴极例如是SUS304等的不锈钢板。电解池的温度例如是40℃以上且60℃以下。电流密度例如是1A/dm2以上且4A/dm2以下。此时，设定电极表面中的电流密度以满足上述[条件1]。优选的是，设定电极表面中的电流密度，以使其在满足[条件1]的同时满足上述[条件2]至[条件4]。
另外，由电解形成的蒸镀掩模用基材1及由轧制形成的蒸镀掩模用基材1也可以通过化学性的研磨或电气性的研磨等加工得更薄。在化学性的研磨中使用的研磨液例如是以过氧化氢为主成分的铁类合金用的化学研磨液。在电气性的研磨中使用的电解液是高氯酸类的电解研磨液或硫酸类的电解研磨液。此时，由于满足上述条件，所以关于由研磨液进行的研磨的结果、和由清洗液进行的研磨液的清洗的结果，抑制了蒸镀掩模用基材1的表面上的不均匀。
[掩模部的制造方法]
参照图13至图18对用来制造图6所示的掩模部32的工序进行说明。另外，由于用来制造图5所说明的掩模部32的工序与用来制造图6所说明的掩模部32的工序中、将以小孔32SH为贯通孔而用来形成大孔32LH的工序除去后的工序是同样的，所以省去其重复的说明。
如图13所示，在制造掩模部时，首先准备包括第1面1Sa和第2面1Sb的蒸镀掩模用基材1、向第1面1Sa粘贴的第1干膜抗蚀剂(Dry Film Resist：DFR)2、和向第2面1Sb粘贴的第2干膜抗蚀剂(DFR)3。DFR2、3各自独立于蒸镀掩模用基材1形成。接着，在第1面1Sa上粘贴第1DFR2，并且在第2面1Sb上粘贴第2DFR3。此时，由于满足上述条件，所以在沿长度方向DL输送的蒸镀掩模用基材1与沿着蒸镀掩模用基材1输送的DFR2、3的贴合时，抑制了输送偏差、位置偏差、褶皱的发生。
如图14所示，将DFR2、3中的形成孔的部位以外的部分曝光，将曝光后的DFR显影。由此，在第1DFR2上形成第1贯通孔2a，并且在第2DFR3上形成第2贯通孔3a。在将曝光后的DFR显影时，作为显影液而例如使用碳酸钠水溶液。此时，由于满足上述条件，所以关于由显影液进行的显影的结果、及由其清洗液进行的清洗的结果，抑制了蒸镀掩模用基材1的表面上的不均匀。此外，由于在上述贴合中抑制了输送偏差、位置偏差、褶皱的发生，所以抑制了由这些引起的曝光位置的偏差，还能够提高曝光的精度。结果，关于第1贯通孔2a的形状及大小、以及第2贯通孔3a的形状及大小，能够提高蒸镀掩模用基材1的表面内的均匀性。
如图15所示，例如将显影后的第1DFR2作为掩模，使用氯化铁液将蒸镀掩模用基材1的第1面1Sa蚀刻。此时，在第2面1Sb上形成第2保护层61，以免第2面1Sb与第1面1Sa同时被蚀刻。第2保护层61的材料具有对于氯化铁液的化学上的耐受性。由此，在第1面1Sa上形成朝向第2面1Sb凹陷的小孔32SH。小孔32SH具有在第1面1Sa上开口的第1开口H1。此时，由于满足上述条件，所以关于由蚀刻液进行的蚀刻的结果、及由其清洗液进行的清洗的结果，抑制了蒸镀掩模用基材1的表面上的不均匀。结果，关于小孔32SH的形状及大小，能够提高蒸镀掩模用基材1的表面内的均匀性。
将蒸镀掩模用基材1蚀刻的蚀刻液是酸性的蚀刻液，在蒸镀掩模用基材1由因瓦合金构成的情况下，只要是能够将因瓦合金蚀刻的蚀刻液就可以。酸性的蚀刻液例如是对高氯酸铁液及高氯酸铁液与氯化铁液的混合液混合了高氯酸、盐酸、硫酸、蚁酸及醋酸的某种的溶液。将蒸镀掩模用基材1蚀刻的方法，既可以是将蒸镀掩模用基材1浸渍到酸性的蚀刻液中的浸蘸式，也可以是向蒸镀掩模用基材1喷吹酸性的蚀刻液的喷雾式。
接着，如图16所示，将形成在第1面1Sa上的第1DFR2、和与第2DFR3接触的第2保护层61去除。此外，在第1面1Sa上形成用来防止第1面1Sa的进一步的蚀刻的第1保护层4。第1保护层4的材料具有对于氯化铁液的化学上的耐受性。
接着，如图17所示，将显影后的第2DFR3作为掩模，使用氯化铁液将第2面1Sb蚀刻。由此，在第2面1Sb上形成朝向第1面1Sa凹陷的大孔32LH。大孔32LH具有在第2面1Sb上开口的第2开口H2。在与第2面1Sb对置的俯视中，第2开口H2比第1开口H1大。此时，由于满足上述条件，所以关于由蚀刻液进行的蚀刻的结果、及由清洗液进行的蚀刻液的清洗的结果，抑制了蒸镀掩模用基材1的表面上的不均匀。结果，关于大孔32LH的形状及大小，能够提高蒸镀掩模用基材1的表面内的均匀性。此时使用的蚀刻液也是酸性的蚀刻液，在蒸镀掩模用基材1由因瓦合金构成的情况下，只要是能够将因瓦合金蚀刻的蚀刻液就可以。将蒸镀掩模用基材1蚀刻的方法，既可以是将蒸镀掩模用基材1浸渍到酸性的蚀刻液中的浸蘸式，也可以是向蒸镀掩模用基材1喷吹酸性的蚀刻液的喷雾式。
接着，如图18所示，通过将第1保护层4和第2DFR3从蒸镀掩模用基材1去除，得到形成有多个小孔32SH和与各小孔32SH相连的大孔32LH的掩模部32。
另外，在使用轧制的制造方法中，氧化铝或氧化镁等的金属氧化物在蒸镀掩模用基材1中包含不少。即，当形成上述母材1a时，通常为了抑制在母材1a中混入氧，在原料中混入粒状的铝或镁等的脱氧剂。并且，铝或镁作为氧化铝或氧化镁等的金属氧化物而在母材1a中残留不少。对于这一点，根据使用电解的制造方法，能抑制金属氧化物混入到掩模部32中。
[蒸镀掩模的制造方法]
说明蒸镀掩模的制造方法的各例。另外，参照图19，说明通过湿式蚀刻形成孔的方法中的例子(第1制造方法)。此外，参照图20，说明通过电解形成孔的方法中的例子(第2制造方法)。此外，参照图21，说明通过电解形成孔的方法中的另一例(第3制造方法)。
[第1制造方法]
另外，制造具备图5所说明的掩模部32的蒸镀掩模的方法、和制造具备图6所说明的掩模部32的蒸镀掩模的方法，虽然对于基材32K进行的蚀刻的方式不同，但其以外的工序大致是同样的。以下，主要说明具备图5所说明的掩模部32的蒸镀掩模的制造方法，关于具备图6所说明的掩模部32的蒸镀掩模的制造方法，省略其重复的说明。
如图19(a)～图19(h)所示的例子那样，在蒸镀掩模的制造方法的一例中，首先准备基材32K(参照图19(a))。另外，基材32K是被加工为掩模板323的上述蒸镀掩模用基材1，优选的是除了蒸镀掩模用基材1以外，还具备用来支承其蒸镀掩模用基材1的支承体SP。另外，基材32K的第1面321(图19的下表面)相当于上述第1面1Sa，基材32K的第2面322(图19的上表面)相当于上述第2面1Sb。
首先，在基材32K具有的第2面322上形成抗蚀剂层PR(参照图19(b))，通过进行对于抗蚀剂层PR的曝光及显影，在第2面322上形成抗蚀剂掩模RM(参照图19(c))。接着，通过从使用了抗蚀剂掩模RM的第2面322起的湿式蚀刻，在基材32K上形成孔32H(参照图19(d))。
此时，在被开始湿式蚀刻的第2面322上形成第2开口H2，在晚于其被蚀刻的第1面321上，形成比第2开口H2小的第1开口H1。接着，通过将抗蚀剂掩模RM从第2面322除去，形成上述掩模部32(参照图19(e))。最后，将第2面322的外缘部32E接合到框部31的内缘部31E上，通过从掩模部32将支承体SP分型，制造蒸镀掩模30(参照图19(f)至图19(h))。
另外，在具备图6中说明过的掩模部32的蒸镀掩模的制造方法中，在不具有支承体SP的基材32K上向与第1面321对应的基材32K的面实施上述的工序，由此形成小孔32SH。接着，将用来保护小孔32SH的抗蚀剂等填充到小孔32SH中。接着，向与第2面322对应的基材32K的面实施上述工序，由此制造掩模部32。
另外，在图19(f)表示的例子中，作为将第2面322的外缘部32E接合到框部31的内缘部31E上的方法而使用电阻焊接。此时，在具有绝缘性的支承体SP上形成多个孔SPH。各孔SPH在支承体SP中被形成在与作为接合部32BN的部位对置的部位上。并且，经由各孔SPH通电，形成间隔性的接合部32BN。由此，将外缘部32E和内缘部31E熔接。
此外，在图19(g)表示的例子中，作为将第2面322的外缘部32E接合到框部31的内缘部31E上的方法而使用激光焊接。此时，使用具有光透过性的支承体SP，经由支承体SP向作为接合部32BN的部位照射激光L。并且，通过在外缘部32E的周围将激光L间隔性地照射，形成间隔性的接合部32BN。或者，通过在外缘部32E的周围将激光L连续地持续照射，遍及外缘部32E的整周形成连续的接合部32BN。由此，将外缘部32E与内缘部31E熔接。
此外，在图19(h)表示的例子中，作为将第2面322的外缘部32E接合到框部31的内缘部31E上的方法而使用超声波焊接。此时，将外缘部32E和内缘部31E用夹钳CP等夹持，对作为接合部32BN的部位施加超声波。被直接施加超声波的部件既可以是框部31，也可以是掩模部32。另外，在使用超声波焊接的情况下，在框部31或支承体SP上形成由夹钳CP带来的压接痕。
另外，在上述各接合中，也可以在对掩模部32施加了朝向其外侧的应力的状态下进行熔接或焊接。此外，在对掩模部32施加了朝向其外侧的应力的状态下、支承体SP支承着掩模部32的情况下，也可以省去对于掩模部32的应力的施加。
[第2制造方法]
在图7及图8中说明的蒸镀掩模除了上述第1制造方法以外，也可以通过在图20(a)～图20(e)中表示的另一例制造。
如图20(a)～图20(e)表示的例子那样，首先，在电解所使用的电极EP的表面即电极表面EPS上形成抗蚀剂层PR(参照图20(a))。接着，通过进行对于抗蚀剂层PR的曝光及显影，在电极表面EPS上形成抗蚀剂掩模RM(参照图20(b))。抗蚀剂掩模RM在与电极表面EPS正交的截面中具有倒锥台状，具有距电极表面EPS的距离越大、沿着电极表面EPS的截面中的面积越大的形状。接着，进行使用具有抗蚀剂掩模RM的电极表面EPS的电解，在电极表面EPS之中抗蚀剂掩模RM以外的区域中形成掩模部32(参照图20(c))。
此时，由于在抗蚀剂掩模RM占有的空间以外形成掩模部32，所以在掩模部32上形成具有形状追随于抗蚀剂掩模RM的形状的孔。即，在掩模部32中自调节地形成掩模部32的孔32H。并且，与电极表面EPS接触的面作为具有第1开口H1的第1面321发挥功能，具有作为比第1开口H1大的开口的第2开口H2的最表面作为第2面322发挥功能。
接着，从电极表面EPS仅将抗蚀剂掩模RM除去，形成使从第1开口H1到第2开口H2为中空的孔32H(参照图20(d))。最后，在具有第2开口H2的第2面322的外缘部32E上，接合内缘部31E的接合面311，接着，对框部31施加用来将掩模部32从电极表面EPS剥离的应力。由此，制造在框部31上接合着掩模部32的状态的蒸镀掩模30(参照图20(e))。
另外，在第2制造方法中，不将蒸镀掩模用基材1蚀刻而形成掩模部32。此时，如果是以沿着掩模部32的一边的方向为宽度方向、在外缘部32E中满足上述条件1的结构，则能够提高框部31与掩模部32的接合中的位置的精度，此外，还能够提高接合的强度。
[第3制造方法]
在图7及图8中说明的蒸镀掩模除了上述第1制造方法以外，还可以通过在图21(a)～图21(f)中表示的另一例制造。
如图21(a)～图21(f)表示的例子那样，首先，在电解所使用的电极表面EPS上形成抗蚀剂层PR(参照图21(a))。接着，通过进行对于抗蚀剂层PR的曝光，在电极表面EPS上形成抗蚀剂掩模RM(参照图21(b))。抗蚀剂掩模RM在与电极表面EPS正交的截面中具有锥台状，具有距电极表面EPS的距离越大则沿着电极表面EPS的截面中的面积越小的形状。接着，进行使用具有抗蚀剂掩模RM的电极表面EPS的电解，在电极表面EPS之中抗蚀剂掩模RM以外的区域中形成掩模部32(参照图21(c))。
这里，由于在抗蚀剂掩模RM占有的空间以外形成掩模部32，所以在掩模部32上形成了具有形状追随于抗蚀剂掩模RM的形状的孔。即，在掩模部32上自调节地形成掩模部32的孔32H。并且，与电极表面EPS接触的面作为具有第2开口H2的第2面322发挥功能，具有作为比第2开口H2小的开口的第1开口H1的最表面作为第1面321发挥功能。
接着，从电极表面EPS仅将抗蚀剂掩模RM除去，形成使从第1开口H1到第2开口H2为中空的孔32H(参照图21(d))。并且，在具有第1开口H1的第1面321上接合中间转印基材TM，接着，对中间转印基材TM施加用来将掩模部32从电极表面EPS剥离的应力。由此，在中间转印基材TM上接合着掩模部32的状态下，使第2面322从电极表面EPS离开(参照图21(e))。最后，在第2面322的外缘部32E上接合内缘部31E的接合面311，将中间转印基材TM从掩模部32拆下。由此，制造出在框部31上接合着掩模部32的状态的蒸镀掩模30(参照图21(f))。
另外，在第3制造方法中，也不将蒸镀掩模用基材1蚀刻而形成掩模部32。此时，只要是以沿着掩模部32的一边的方向为宽度方向而在外缘部32E中满足上述条件1的结构，就能够提高框部31与掩模部32的接合中的位置的精度，此外，还能够提高接合的强度。
在使用上述蒸镀掩模30制造显示装置的方法中，首先，将搭载有蒸镀掩模30的掩模装置10安装到蒸镀装置的真空槽内。此时，以玻璃基板等的蒸镀对象与第1面321对置并且蒸镀源与第2面322对置的方式安装掩模装置10。接着，将蒸镀对象运入到蒸镀装置的真空槽中，由蒸镀源使蒸镀物质升华。由此，在与第1开口H1对置的蒸镀对象上形成具有追随于第1开口H1的形状的图案。另外，蒸镀物质例如是构成显示装置的像素的有机发光材料、或构成显示装置的像素电路的像素电极等。
[实施例]
参照图22说明各实施例。
首先，对以因瓦合金为材料的母材1a实施轧制工序而形成金属板，接着，进行将金属板切断以在宽度方向DW上得到希望的大小的切割工序，形成轧制材料1b。接着，对轧制材料1b实施退火工序，得到宽度方向DW的长度是500mm、并且厚度是20μm的实施例1的蒸镀掩模用基材1。
此外，通过从实施例1改变轧制辊51、52的旋转速度和推压力，将其他条件与实施例1的条件同样地设定，得到了宽度方向DW的长度是500mm并且厚度是20μm的实施例2的蒸镀掩模用基材1。
此外，通过从实施例1改变轧制辊51、52之间的推压力，将其他条件与实施例1的条件同样地设定，得到了宽度方向DW的长度是500mm并且厚度是50μm的实施例3的蒸镀掩模用基材1。
此外，通过从实施例1改变轧制辊51、52的数量，将其他条件与实施例1的条件同样地设定，得到了宽度方向DW的长度是500mm并且厚度是20μm的实施例4的蒸镀掩模用基材1。
接着，通过从实施例1及实施例4改变轧制辊51、52的数量及温度，将其他条件与实施例1的条件同样地设定，得到了宽度方向DW的长度是500mm并且厚度是20μm的比较例1的蒸镀掩模用基材1。
此外，通过从实施例1及实施例3改变轧制辊51、52的数量及推压力，将其他条件与实施例1的条件同样地设定，得到了宽度方向DW的长度是500mm并且厚度是20μm的比较例2的蒸镀掩模用基材1。
此外，通过从实施例1改变轧制辊51、52的数量及推压力，将其他条件与实施例1的条件同样地设定，得到了宽度方向DW的长度是500mm并且厚度是20μm的比较例3的蒸镀掩模用基材1。
接着，如图22所示，从各实施例的蒸镀掩模用基材1及各比较例的蒸镀掩模用基材1切割出长度方向DL的长度是700mm的测量用基材2M。接着，遍及计测范围ZL的整体而测量出所切割的各测量用基材2M的宽度方向DW上的陡峭度。此时，作为宽度方向DW上的陡峭度的测量条件，使用了以下所示的条件。
测量装置：株式会社ニコン制CNC图像测量系统VMR－6555
计测范围ZL的长度方向DL的长度：500mm(单位长度)
非计测范围ZE的长度方向DL的长度：100mm
长度方向DL的测量间隔：20mm
宽度方向DW的测量间隔：20mm
另外，由于将由切割工序带来的新的波形状排除，所以从宽度方向DW的两端除去10mm，在宽度方向DW上在480mm的范围中实施宽度方向的测量。即，沿着宽度方向DW计测25点，将该25点作为1行，在长度方向DL上计测26行。在各实施例及各比较例的某一个的测量间隔中，长度方向DL都是母材1a通过轧制被拉伸的方向。
关于各实施例1～4及比较例1～3，将第1陡峭度、第2陡峭度的平均值、波数的最大值及波数的平均值的测量结果表示在表1中。
如表1所示，实施例1的第1陡峭度是0.43％，确认了满足[条件1]。另外，关于实施例1的26行之中的4行，单位陡峭度的最小值是0％，确认了在宽度方向DW上几乎看不到波。实施例1的第2陡峭度的平均值是0.20％，确认了满足[条件2]。此时，确认了第2陡峭度的标准偏差σ是0.12％。实施例1的波数的最大值是4个，确认了满足[条件3]。此外，实施例1的波数的平均值是1个，确认了满足[条件4]。
实施例2的第1陡峭度是0.29％，确认了满足[条件1]。另外，关于实施例2的26行之中的5行，单位陡峭度的最小值是0％，确认了在宽度方向DW上几乎看不到波。实施例2的第2陡峭度的平均值是0.12％，确认了满足[条件2]。此时，确认了第2陡峭度的标准偏差σ是0.09％。实施例2的波数的最大值是3个，确认了满足[条件3]。此外，实施例2的波数的平均值是1个，确认了满足[条件4]。
实施例3的第1陡峭度是0.37％，确认了满足[条件1]。另外，关于实施例3的26行之中的7行，单位陡峭度的最小值是0％，确认了在宽度方向DW上几乎看不到波。实施例3的第2陡峭度的平均值是0.11％，确认了满足[条件2]。此时，确认了第2陡峭度的标准偏差σ是0.12％。实施例3的波数的最大值是3个，确认了满足[条件3]。此外，实施例3的波数的平均值是1个，确认了满足[条件4]。
实施例4的第1陡峭度是0.44％，确认了满足[条件1]。另外，关于实施例4的26行之中的1行，实施例4的单位陡峭度的最小值是0％，确认了在宽度方向DW上几乎看不到波。实施例4的第2陡峭度的平均值是0.22％，确认了满足[条件2]。此时，确认了第2陡峭度的标准偏差σ是0.11％。实施例4的波数的最大值是5个，确认了不满足[条件3]。此外，实施例4的波数的平均值是2个，确认了满足[条件4]。
比较例1的第1陡峭度是0.90％，确认了不满足[条件1]。另外，确认了比较例1的单位陡峭度的最小值是0.11％。比较例1的第2陡峭度的平均值是0.33％，确认了不满足[条件2]。此时，确认了第2陡峭度的标准偏差σ是0.18％。比较例1的波数的最大值是8个，确认了不满足[条件3]。此外，比较例1的波数的平均值是5个，确认了不满足[条件4]。另外，确认了比较例1的波数的最小值是3个。
比较例2的第1陡峭度是1.39％，确认了不满足[条件1]。另外，确认了比较例2的单位陡峭度的最小值是0.06％。比较例2的第2陡峭度的平均值是0.28％，确认了不满足[条件2]。此时，确认了第2陡峭度的标准偏差σ是0.29％。比较例2的波数的最大值是5个，确认了不满足[条件3]。此外，比较例2的波数的平均值是2个，确认了满足[条件4]。另外，确认了比较例2的波数的最小值是1个。
比较例3的第1陡峭度是0.58％，确认了不满足[条件1]。另外，确认了比较例3的单位陡峭度的最小值是0.06％。比较例3的第2陡峭度的平均值是0.31％，确认了不满足[条件2]。此时，确认了第2陡峭度的标准偏差σ是0.14％。比较例3的波数的最大值是6个，确认了不满足[条件3]。此外，比较例3的波数的平均值是4个，确认了不满足[条件4]。另外，确认了比较例3的波数的最小值是1个。
[表1]
实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 比较例1 比较例2 比较例3
第1陡峭度(％) 0.43 0.29 0.37 0.44 0.90 1.39 0.58
第2陡峭度的平均值(％) 0.20 0.12 0.11 0.22 0.33 0.28 0.31
波数的最大值(个) 4 3 3 5 8 5 6
波数的平均值(个) 1 1 1 2 5 2 4
偏差 ○ ○ ○ ○ × × ×
[图案的精度]
使用各实施例1～4及各比较例1～3的蒸镀掩模用基材1，在蒸镀掩模用基材1的第1面1Sa上粘贴着厚度为10μm的第1DFR2。接着，实施使曝光掩模接触在第1DFR2上而曝光的曝光工序，接着实施显影工序、在第1DFR2上以栅格状形成具有30μm的直径的多个贯通孔2a。接着，对第1面1Sa实施以第1DFR2为掩模的蚀刻，在蒸镀掩模用基材1上形成以栅格状配置的多个孔32H。并且，对各孔32H计测蒸镀掩模用基材1的宽度方向DW上的开口径。将各孔32H的宽度方向DW上的开口径的偏差表示在表1中。另外，在表1中，在各孔32H具有的开口径之中，对于开口径的最大值与开口径的最小值之差是2.0μm以下的水准，记载○标记，对于开口径的最大值与开口径的最小值之差比2.0μm大的水准，记载×标记。
如表1所示，在实施例1～4中，确认了开口径的偏差都是2.0μm以下。此外，在实施例1～4之中，也确认了实施例1～3与实施例4相比开口径的偏差更小。另一方面，在各比较例1～3中，确认了开口径的偏差都比2.0μm大。结果，根据实施例1～4与比较例1～3的比较，确认了通过第1陡峭度是0.5％以下即满足[条件1]，从而开口径的偏差得以抑制。此外，还确认了通过第2陡峭度的平均值是0.25％以下即满足[条件2]，从而开口径的偏差得以抑制。
此外，根据实施例1、2、3与实施例4的比较，确认了通过每单位长度的波数是4个以下即满足[条件3]，从而开口径的偏差进一步得到抑制。此外，确认了通过每单位长度的波数的平均值是2个以下即满足[条件4]，从而开口径的偏差进一步得到抑制。
根据上述实施方式，能得到以下列举的效果。
(1)能够提高关于掩模部32具备的孔的形状及孔的大小的精度，进而能够提高通过蒸镀形成的图案的精度。另外，将抗蚀剂曝光的方法并不限定于使曝光掩模接触在抗蚀剂上的方法，也可以是不使曝光掩模接触到抗蚀剂的方法。如果是使曝光掩模接触在抗蚀剂上的方法，则由于蒸镀掩模用基材被推压在曝光掩模的表面上，所以能够抑制由蒸镀掩模用基材具备的波形状引起的曝光精度的下降。不论是哪种曝光方法，用液体将表面加工的工序中的精度都被提高，进而能够提高通过蒸镀形成的图案的精度。
(2)关于由显影液进行的显影的结果、及由其清洗液进行的清洗的结果，能抑制蒸镀掩模用基材1的表面上的不均匀。结果，关于经过曝光工序和显影工序形成的第1贯通孔2a及第2贯通孔3a，能够在蒸镀掩模用基材1的表面内提高其形状及大小的均匀性。
(3)关于由蚀刻液进行的蚀刻的结果、及由其清洗液进行的清洗的结果，能抑制蒸镀掩模用基材1的表面上的不均匀。此外，关于由剥离液进行的抗蚀剂层的剥离的结果、及由其清洗液进行的清洗的结果，能抑制蒸镀掩模用基材1的表面上的不均匀。结果，关于小孔32SH的形状及大小、此外关于大孔32LH的形状，能够提高蒸镀掩模用基材1的表面内的均匀性。
(4)例如由3个掩模部32承担在1体的框部31中需要的孔32H的数量。即，将在1体的框部31中需要的掩模部32的总面积例如分割为3个掩模部32。因此，即使是在1体的框部31中在掩模部32的一部分发生了变形的情况，也不需要将1体的框部31的全部掩模部32更换。并且，与在1体的框部31中具备1体的掩模部32的结构相比，能够使变形后的掩模部32和更换的新的掩模部32的大小变小到1/3左右。
(5)在使用了测量用基材2M的陡峭度的测量中，将测量用基材2M的长度方向DL上的两方的端部及测量用基材2M的宽度方向DW上的两方的端部设为非计测范围，从陡峭度的测量对象中排除。各非计测范围是有可能通过蒸镀掩模用基材1的切断而具有与蒸镀掩模用基材1不同的波形状的范围。因此，只要是将非计测范围ZE从测量对象中排除的测量，就能够提高陡峭度的精度。
另外，上述实施方式也可以如以下这样变更。
[蒸镀掩模用基材的制造方法]
·在轧制工序中，也可以使用具备多对轧制辊的轧制装置，通过多对的轧制辊将母材1a轧制。如果是使用多对轧制辊的方法，则关于用来满足上述条件1～3的控制参数也能够提高自由度。
·在退火工序中，还可以不是将轧制材料1b一边在长度方向DL上牵拉一边进行退火，而是将卷绕在芯C上的辊状的轧制材料1b退火。另外，在将辊状的轧制材料1b退火的方法中，有在蒸镀掩模用基材1上带有与卷径对应的翘曲的瑕疵的情况。因此，根据蒸镀掩模用基材1的材料及被卷绕在芯C上时的卷径的大小，优选的是将轧制材料1b一边牵拉一边退火。
·也可以通过将轧制工序和退火工序经过多次交替地反复进行，来制造蒸镀掩模用基材1。
·由电解形成的蒸镀掩模用基材1或由轧制带来的蒸镀掩模用基材1也可以通过化学性的研磨或电气性的研磨而更薄地加工。此时，也可以设定研磨液的组成或其供给的方式等的条件，以包括研磨的工序而满足上述条件1～3。另外，通过研磨得到的蒸镀掩模用基材1也可以根据使内部应力缓和的请求来进行退火工序。
标号说明
C芯；F应力；S蒸镀对象；V空间；W宽度；CP夹钳；DL长度方向；DW宽度方向；EP电极；H1第1开口；H2第2开口；PR抗蚀剂层；RM抗蚀剂掩模；SH阶高；SP支承体；TM中间转印基材；ZE非计测范围；ZL计测范围；EPS电极表面；1蒸镀掩模用基材；1a母材；1b轧制材料；1Sa、321第1面；1Sb、322第2面；2M测量用基材；2a第1贯通孔；2S表面；3a第2贯通孔；4第1保护层；10掩模装置；20主框；21主框孔；30蒸镀掩模；31框部；31E内缘部；32、32A、32B、32C掩模部；32BN接合部；32E外缘部；32H孔；32K基材；32LH大孔；32SH小孔；33、33A、33B、33C框孔；50轧制装置；51、52轧制辊；53退火装置；61第2保护层；311接合面；312非接合面；323掩模板。

Claims (8)

1.一种蒸镀掩模用基材，是具有带状的金属板，用于通过蚀刻形成多个孔来制造蒸镀掩模，其中，
上述金属板具有长度方向和宽度方向，上述金属板的上述长度方向上的各位置处的沿着上述宽度方向的形状互不相同，各形状具有在上述宽度方向上反复的波，各波在其两侧分别具有谷；
从上述波的一个谷连结到另一个谷的宽度方向的直线的长度是波的长度；
上述波的高度相对于上述波的长度的百分比是单位陡峭度；
上述长度方向上的上述金属板的单位长度是500mm；
上述单位长度的金属板中的上述单位陡峭度的最大值是第1陡峭度；
上述第1陡峭度是0.5％以下。
2.如权利要求1所述的蒸镀掩模用基材，其中，
在上述长度方向上的各位置，上述宽度方向上所包含的全部波的单位陡峭度中的最大值是第2陡峭度；
上述单位长度的金属板中的上述第2陡峭度的平均值是0.25％以下。
3.如权利要求1所述的蒸镀掩模用基材，其中，
在上述长度方向上的各位置，上述宽度方向上所包含的波的数量是该位置处的波数；
上述单位长度的金属板中的上述波数的最大值是4个以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的蒸镀掩模用基材，其中，
在上述长度方向上的各位置，上述宽度方向上所包含的波的数量是该位置处的波数；
上述单位长度的金属板中的上述波数的平均值是2个以下。
5.一种蒸镀掩模用基材的制造方法，上述蒸镀掩模用基材是具有带状的金属板，用于通过蚀刻形成多个孔来制造蒸镀掩模，其中，
上述制造方法包括将母材轧制而得到上述金属板的工序；
上述金属板具有长度方向和宽度方向，上述金属板的上述长度方向上的各位置处的沿着上述宽度方向的形状互不相同，各形状具有在上述宽度方向上反复的波，各波在其两侧分别具有谷；
从上述波的一个谷连结到另一个谷的宽度方向的直线的长度是波的长度；
上述波的高度相对于上述波的长度的百分比是单位陡峭度；
上述长度方向上的上述金属板的单位长度是500mm；
上述单位长度的金属板中的上述单位陡峭度的最大值是第1陡峭度；
将上述母材轧制，以使上述第1陡峭度是0.5％以下。
6.一种蒸镀掩模的制造方法，包括在具有带状的金属板上形成抗蚀剂层的工序、和通过以上述抗蚀剂层为掩模的蚀刻而在上述金属板上形成多个孔来形成掩模部的工序，其中，
上述金属板具有长度方向和宽度方向，上述金属板的上述长度方向上的各位置处的沿着上述宽度方向的形状互不相同，各形状具有在上述宽度方向上反复的波，各波在其两侧分别具有谷；
从上述波的一个谷连结到另一个谷的宽度方向的直线的长度是波的长度；
上述波的高度相对于上述波的长度的百分比是单位陡峭度；
上述长度方向上的上述金属板的单位长度是500mm；
上述单位长度的金属板中的上述单位陡峭度的最大值是第1陡峭度；
上述第1陡峭度是0.5％以下。
7.如权利要求6所述的蒸镀掩模的制造方法，其中，
形成上述掩模部的工序是在单一的上述金属板上形成多个上述掩模部的工序；
上述各掩模部分别具备具有上述多个孔的1个侧面；
上述蒸镀掩模的制造方法还包括如下工序：将上述各掩模部的侧面与1体的框部相互接合，以便上述1体的框部按照每个上述掩模部将上述多个孔包围。
8.一种显示装置的制造方法，其中，
包括如下工序：
准备由权利要求6或7所述的蒸镀掩模的制造方法形成的蒸镀掩模；
通过使用了上述蒸镀掩模的蒸镀来形成图案。
CN202010540876.0A 2017-10-13 2018-03-22 蒸镀掩模用基材及其制造方法、蒸镀掩模及显示装置的制造方法 Pending CN111575647A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017199921A JP6299922B1 (ja) 2017-10-13 2017-10-13 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
JP2017-199921 2017-10-13
CN201810238626.4A CN108950473B (zh) 2017-10-13 2018-03-22 蒸镀掩模用基材及其制造方法、蒸镀掩模及显示装置的制造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810238626.4A Division CN108950473B (zh) 2017-10-13 2018-03-22 蒸镀掩模用基材及其制造方法、蒸镀掩模及显示装置的制造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111575647A true CN111575647A (zh) 2020-08-25

Family

ID=61756531

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010540876.0A Pending CN111575647A (zh) 2017-10-13 2018-03-22 蒸镀掩模用基材及其制造方法、蒸镀掩模及显示装置的制造方法
CN201810238626.4A Active CN108950473B (zh) 2017-10-13 2018-03-22 蒸镀掩模用基材及其制造方法、蒸镀掩模及显示装置的制造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810238626.4A Active CN108950473B (zh) 2017-10-13 2018-03-22 蒸镀掩模用基材及其制造方法、蒸镀掩模及显示装置的制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20190112699A1 (zh)
JP (1) JP6299922B1 (zh)
KR (2) KR20190041894A (zh)
CN (2) CN111575647A (zh)
DE (1) DE102018106690B4 (zh)
TW (2) TWI658160B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI713899B (zh) 2016-04-14 2020-12-21 日商凸版印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩用基材、蒸鍍遮罩用基材的製造方法、及蒸鍍遮罩的製造方法
JP6319505B1 (ja) 2017-09-08 2018-05-09 凸版印刷株式会社 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法および表示装置の製造方法
KR102153870B1 (ko) * 2017-09-15 2020-09-09 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크의 제조 방법, 표시 장치의 제조 방법, 및 증착 마스크
JP6299921B1 (ja) 2017-10-13 2018-03-28 凸版印刷株式会社 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
KR102520811B1 (ko) * 2018-07-09 2023-04-12 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크의 양부 판정 방법, 증착 마스크의 제조 방법, 증착 마스크 장치의 제조 방법, 증착 마스크의 선정 방법 및 증착 마스크

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11229040A (ja) * 1998-02-16 1999-08-24 Nkk Corp Ｆｅ−Ｎｉ合金鋼ストリップの形状矯正を伴なう焼鈍方法及び焼鈍装置
CN105492654A (zh) * 2013-09-13 2016-04-13 大日本印刷株式会社 金属板、金属板的制造方法、和使用金属板制造掩模的方法
CN106460149A (zh) * 2014-05-13 2017-02-22 大日本印刷株式会社 金属板、金属板的制造方法、以及利用金属板制造掩模的方法
CN106955892A (zh) * 2015-09-30 2017-07-18 日立金属株式会社 Fe－Ni系合金薄板的制造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5382259B1 (ja) * 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP5516816B1 (ja) * 2013-10-15 2014-06-11 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
CN205974646U (zh) * 2015-07-17 2017-02-22 凸版印刷株式会社 蒸镀用金属掩模
DE112016003224T5 (de) * 2015-07-17 2018-04-19 Toppan Printing Co., Ltd. Metallmaskensubstrat für dampfabscheidung, metallmaske für dampfabscheidung, herstellungsverfahren für metallmaskensubstrat für dampfabscheidung und herstellungsverfahren für metallmaske für dampfabscheidung
TWI713899B (zh) * 2016-04-14 2020-12-21 日商凸版印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩用基材、蒸鍍遮罩用基材的製造方法、及蒸鍍遮罩的製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11229040A (ja) * 1998-02-16 1999-08-24 Nkk Corp Ｆｅ−Ｎｉ合金鋼ストリップの形状矯正を伴なう焼鈍方法及び焼鈍装置
CN105492654A (zh) * 2013-09-13 2016-04-13 大日本印刷株式会社 金属板、金属板的制造方法、和使用金属板制造掩模的方法
CN106460149A (zh) * 2014-05-13 2017-02-22 大日本印刷株式会社 金属板、金属板的制造方法、以及利用金属板制造掩模的方法
CN106955892A (zh) * 2015-09-30 2017-07-18 日立金属株式会社 Fe－Ni系合金薄板的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE102018106690A1 (de) 2019-04-18
TW201915198A (zh) 2019-04-16
CN108950473A (zh) 2018-12-07
TWI658160B (zh) 2019-05-01
TWI744612B (zh) 2021-11-01
US20190112699A1 (en) 2019-04-18
KR102268199B1 (ko) 2021-06-22
JP6299922B1 (ja) 2018-03-28
KR102268199B9 (ko) 2023-05-11
JP2019073762A (ja) 2019-05-16
KR20190041894A (ko) 2019-04-23
DE102018106690B4 (de) 2024-01-18
TW201923116A (zh) 2019-06-16
KR20190041983A (ko) 2019-04-23
CN108950473B (zh) 2020-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110144547B (zh) 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法及蒸镀掩模的制造方法
CN108950473B (zh) 蒸镀掩模用基材及其制造方法、蒸镀掩模及显示装置的制造方法
TWI766114B (zh) 蒸鍍遮罩用基材、蒸鍍遮罩用基材的製造方法、蒸鍍遮罩的製造方法及顯示裝置的製造方法
CN111286694B (zh) 蒸镀掩模用基材、蒸镀掩模用基材的制造方法、蒸镀掩模的制造方法及显示装置的制造方法
JP6988565B2 (ja) 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
JP6981302B2 (ja) 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
JP6984529B2 (ja) 蒸着マスク用基材、蒸着マスク用基材の製造方法、蒸着マスクの製造方法および表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination