CN111566435A - 应变片和传感器模组 - Google Patents

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Abstract

本应变片包括具有可挠性的基材、在所述基材上由包含铬和镍中的至少一者的材料形成的电阻体、形成在所述基材上且与所述电阻体的两个端部进行了电连接的一对配线图案、及形成在所述基材上且与各个所述配线图案进行了电连接的一对电极，其中，所述配线图案具有从所述电阻体延伸的第1层和层叠在所述第1层上的电阻低于所述第1层的电阻的第2层，所述基材上定义有能够安装与所述电极进行电连接的电子部件的电子部件安装区域。

Description

应变片和传感器模组
技术领域
本发明涉及应变片(strain gauge)和传感器模组。
背景技术
贴附在测定对象物上进而对测定对象物的应变进行检测的应变片是众所周知的。应变片具备对应变进行检测的电阻体，作为电阻体的材料，例如可使用包含Cr(铬)和/或Ni(镍)的材料。此外，例如，电阻体的两端还可作为电极而被使用，通过使外部连接用的引线等藉由焊料与电极接合，可进行电极与电子部件之间的信号的输入和输出(例如，参照专利文献1)。
＜现有技术文献＞
＜专利文献＞
专利文献1：(日本)特开2016－74934号公报
发明内容
＜本发明要解决的问题＞
然而，如果电极和电子部件之间的电连接使用了引线，则存在装置整体大型化的问题。
本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于使应变片小型化。
＜用于解决问题的手段＞
本应变片具有：基材，具有可挠性；电阻体，在所述基材上由包含铬和镍中的至少一者的材料形成；一对配线图案，形成在所述基材上，并与所述电阻体的两个端部进行了电连接；及一对电极，形成在所述基材上，并与各个所述配线图案进行了电连接。其中，所述配线图案包括从所述电阻体延伸的第1层和层叠在所述第1层上的电阻低于所述第1层的电阻的第2层，所述基材上定义有能够安装与所述电极进行电连接的电子部件的电子部件安装区域。
＜发明的效果＞
根据所公开的技术，可使应变片小型化。
附图说明
[图1]第1实施方式的应变片的例示平面图。
[图2]第1实施方式的应变片的例示剖面图(其1)。
[图3]第1实施方式的应变片的例示剖面图(其2)。
[图4]第1实施方式的变形例1的应变片的例示平面图。
[图5]第1实施方式的变形例1的应变片的例示剖面图。
[图6]第1实施方式的变形例2的应变片的例示平面图(其1)。
[图7]第1实施方式的变形例2的应变片的例示平面图(其2)。
[图8]第1实施方式的变形例3的应变片的例示平面图。
[图9]第2实施的形态的传感器模组的例示剖面图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。各附图中，对相同部件赋予了相同的符号，并存在省略了重复说明的情况。
〈第1实施方式〉
图1是第1实施方式的应变片的例示平面图。图2是第1实施方式的应变片的例示剖面图，示出了沿图1的A－A线的剖面。参照图1和图2，应变片1具有基材10、电阻体30、配线图案40、及电极40A。
需要说明的是，在本实施方式中，为方便起见，在应变片1中，基材10的设置有电阻体30的一侧为上侧或一侧，未设置电阻体30的一侧为下侧或另一侧。另外，各部分的设置有电阻体30的一侧的表面为一个表面或上表面，未设置电阻体30的一侧的表面为另一表面或下表面。然而，也能以上下颠倒的状态来使用应变片1，或者能以任意角度来布置应变片1。此外，平面图是指从基材10的上表面10a的法线方向观察对象物时的视图，平面形状是指从基材10的上表面10a的法线方观察对象物时的形状。
基材10是作为用于形成电阻体30等的基层的部件，并具有可挠性。对基材10的厚度并无特别限制，可根据使用目的适当地进行选择，例如可为5μm～500μm左右。特别地，如果基材10的厚度为5μm～200μm，则从来自经由粘接层等而接合于基材10的下表面的应变体表面的应变的传递性和相对于环境的尺寸稳定性的观点来看，为优选，如果为10μm以上，则从绝缘性的观点来看，为较佳。
基材10例如可由PI(聚酰亚胺)树脂、环氧树脂、PEEK(聚醚醚酮)树脂、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)树脂、PPS(聚苯硫醚)树脂、聚烯烃树脂等绝缘树脂薄膜形成。需要说明的是，薄膜是指厚度为大约500μm以下且具有可挠性的部件。
这里，“由绝缘树脂薄膜形成”是指，不妨碍基材10在绝缘树脂薄膜中含有填料、杂质等。基材10例如也可由含有二氧化硅、氧化铝等的填料的绝缘树脂薄膜形成。
基材10的上表面10a上定义出了可安装与电极40A进行电连接的电子部件的电子部件安装区域101。可安装于电子部件安装区域101的电子部件为半导体芯片等的能动部件和/或电容器等的被动部件。电子部件安装区域101内可形成与电子部件进行电连接的配线图案。
电阻体30是以预定图案形成在基材10上的薄膜，并且是藉由接受应变而可产生电阻变化的感测部。电阻体30可直接形成在基材10的上表面10a上，也可经由其他层而形成在基材10的上表面10a上。需要说明的是，图1中为方便起见，以缎纹图案示出了电阻体30。
电阻体30例如可由包含Cr(铬)的材料、包含Ni(镍)的材料、或包含Cr和Ni两者的材料形成。即，电阻体30可由包含Cr和Ni中的至少一者的材料形成。作为包含Cr的材料，例如可列举出Cr混相膜(多相膜)。作为包含Ni的材料，例如可列举出Cu－Ni(铜镍)。作为包含Cr和Ni两者的材料，例如可列举出Ni－Cr(镍铬)。
在此，Cr混相膜是对Cr、CrN、Cr2N等进行相混合而成的膜。Cr混相膜还可包含氧化铬等的不可避杂质。
对于电阻体30的厚度并无特别限制，可根据使用目的适当地进行选择，例如可为大约0.05μm～2μm。特别地，从构成电阻体30的晶体的结晶性(例如，α－Cr的结晶性)得到提高的观点来看，电阻体30的厚度优选为0.1μm以上，从能够减少因构成电阻体30的膜的内部应力而引起的膜的裂纹和/或从基材10所发生的翘曲的观点来看，较佳为1μm以下。
例如，在电阻体30为Cr混相膜的情况下，通过将稳定的结晶相即α－Cr(α铬)作为主成分，可提高应变特性的稳定性。另外，通过使电阻体30以α－Cr作为主成分，可将应变片1的应变率(gauge factor(应变系数))设为10以上，并可将应变率温度系数TCS和电阻温度系数TCR设为－1000ppm/℃～+1000ppm/℃的范围内。这里，主成分是指对象物质占构成电阻体的全部物质的50质量％以上，从提高应变特性的观点来看，电阻体30优选包含80重量％以上的α－Cr。需要说明的是，α－Cr是bcc结构(体心立方晶格结构)的Cr。
配线图案40是与电阻体30的两个端部进行了电连接的一对配线图案。配线图案40具有第1层41和层叠在第1层41上的第2层42。第1层41从电阻体30的两个端部开始延伸，平面图中，宽度大于电阻体30的宽度，并被形成为大致矩形形状。第2层42在第1层41的上表面上进行了层叠。电阻体30例如从配线图案40的一个开始曲折延伸(即，呈之字形延伸并进行折返)，并与另一个配线图案40进行了连接。配线图案40并不限定于直线形状，可为任意的图案。此外，配线图案40还可为任意的宽度和任意的长度。
电极40A与各个配线图案40进行了电连接。电极40A是用于对藉由应变而产生的电阻体30的电阻值的变化进行输出的一对电极，并可与安装在电子部件安装区域101内的电子部件进行电连接。电极40A也可被形成为具有与配线图案40的宽度不同的宽度。
需要说明的是，为了方便起见，电阻体30和第1层41被标注了不同的符号，但两者可在同一步骤中使用相同材料进行一体形成。
第2层42是电阻低于第1层41的电阻的层。就第2层42的材料而言，只要是电阻低于第1层41的电阻的材料，对其并无特别限定，可根据使用目的进行适当的选择，例如可使用Cu、Cu合金、Ni、或Ni合金。第2层42的厚度例如可为0.5μm～30μm左右。
第2层42可为层叠膜。作为层叠膜，例如可列举出Cu/Ni/Au、Cu/NiP/Au、Cu/Pd/Au、Cu/Pt/Au、Ni/Au、NiP/Au等。需要说明的是，“AA/BB”是指，AA层和BB层在下层的上表面上按照该顺序进行了层叠的层叠膜(3层以上的情况也同样)。这些层叠膜中，也可使用Cu合金来取代Cu，并可使用Ni合金来取代Ni。
需要说明的是，为了方便起见，配线图案40和电极40A被赋予了不同的符号，但两者可在同一步骤中使用相同材料进行一体形成。另外，也可将电极40A的层结构改变为配线图案40的层结构。例如，可仅在电极40A的最上层上形成Au等，由此也可提高连接可靠性。
这样，通过对第2层42的材料进行选择，能够以不依赖于与电阻体30的材料相同的第1层41的材料的方式来提高与电子部件之间的连接可靠性。
需要说明的是，在基材10的上表面10a的任意位置处，可与安装在电子部件安装区域101内的电子部件进行电连接，并可设置与电连接于应变片1的外部回路之间能够进行信号的输入和输出的外部输入输出端子。
可采用对电阻体30和配线图案40进行覆盖并使电极40A和电子部件安装区域101露出的方式，在基材10的上表面10a上设置覆盖层60A(第1绝缘树脂层)。通过设置覆盖层60A，可防止电阻体30和配线图案40受到机械损伤等。此外，通过设置覆盖层60A，还可保护电阻体30和配线图案40以免受湿气等的影响。需要说明的是，覆盖层60A也可采用对除了电极40A和电子部件安装区域101的部分的整体进行覆盖的方式而进行设置。
覆盖层60A例如可由PI树脂、环氧树脂、PEEK树脂、PEN树脂、PET树脂、PPS树脂、复合树脂(例如，硅树脂、聚烯烃树脂)等的绝缘树脂形成。覆盖层60A也可含有填料和/或颜料。对覆盖层60A的厚度并无特别限制，可根据使用目的进行适当的选择，例如可为2μm～30μm左右。
制造应变片1时，首先准备基材10，并在基材10的上表面10a上形成图1所示的平面形状的电阻体30和第1层41。电阻体30和第1层41的材料和厚度如前所述。电阻体30和第1层41可使用相同材料进行一体形成。
就电阻体30和第1层41而言，例如可采用“藉由将能够形成电阻体30和第1层41的原料作为靶的磁控溅射方法进行成膜”并“藉由光刻技术进行图案化”的方式而形成。也可使用反应性溅射法、蒸镀法、电弧离子镀法、脉冲激光沉积方法等来取代磁控溅射方法，由此对电阻体30和第1层41进行成膜。
从稳定应变特性的观点来看，对电阻体30和第1层41进行成膜之前，作为底层，例如优选在基材10的上表面10a上藉由常规溅射法进行膜厚为1nm～100nm左右的的功能层的真空成膜。需要说明的是，就功能层而言，在功能层的整个上表面上形成电阻体30和第1层41之后，可藉由光刻技术与电阻体30和第1层41一起被图案化为图1所示的平面形状。
本申请中，功能层是指至少具有促进作为上层的电阻体30的晶体生长的功能的层。功能层优选还具有防止电阻体30因基材10中所含的氧或水分而氧化的功能以及提高基材10与电阻体30之间的密接性的功能。功能层还可具有其他功能。
由于构成基材10的绝缘树脂薄膜包含氧或水分，所以尤其在电阻体30包含Cr的情况下，Cr会形成自氧化膜，因此功能层所具有的防止电阻体30氧化的功能是有效的。
关于功能层的材料，只要是至少具有可促进作为上层的电阻体30的晶体生长的功能的材料，对其没有特别的限定，可根据使用目的进行适当的选择，例如可列举出从由Cr(铬)、Ti(钛)、V(钒)、Nb(铌)、Ta(钽)、Ni(镍)、Y(钇)、Zr(锆)、Hf(铪)，Si(硅)、C(碳)、Zn(锌)、Cu(铜)、Bi(铋)、Fe(铁)、Mo(钼)、W(钨)、Ru(钌)、Rh(铑)、Re(铼)、Os(锇)、Ir(铱)、Pt(铂)、Pd(钯)、Ag(银)、Au(金)、Co(钴)、Mn(锰)、及Al(铝)组成的群中选出的一种或多种金属、该群中的任意金属的合金、或该群中的任意金属的化合物。
作为上述合金，例如可列举出FeCr、TiAl、FeNi、NiCr、CrCu等。另外，作为上述化合物，例如可列举出TiN、TaN、Si3N4、TiO2、Ta2O5、SiO2等。
功能层例如可利用传统的溅射法来进行真空成膜，该传统的溅射法以能够形成功能层的原料作为靶，并向腔室内导入Ar(氩)气体。通过使用传统的溅射法，能够一边利用Ar对基材10的上表面10a进行蚀刻一边形成功能层，所以能够使功能层的成膜量最小化，从而可获得密接性改善效果。
然而，上述方法仅是功能层的成膜方法的一个示例，也可利用其他方法来形成功能层。例如可采用如下方法，即，在功能层的成膜之前，藉由使用了Ar等的等离子体处理等，将基材10的上表面10a活化，从而获得密接性改善效果，然后再通过磁控溅射法对功能层进行真空成膜。
对功能层的材料以及电阻体30和第1层41的材料的组合并无特别限制，可根据使用目的进行适当的选择，例如，作为功能层可使用Ti，作为电阻体30和第1层41可进行以α－Cr(α铬)为主成分的Cr混相膜的成膜。
此情况下，例如可采用将能够形成Cr混相膜的原料作为靶并将Ar气体导入腔内的磁控溅射方法来对电阻体30和第1层41进行成膜。或者，也可采用将纯Cr作为靶并将Ar气体和适量的氮气一起导入腔内的反应性溅射法来对电阻体30和第1层41进行成膜。
在这些方法中，能够通过由Ti构成的功能层对Cr混相膜的生长面进行规定，由此可形成以稳定的晶体结构即α－Cr为主成分的Cr混相膜。另外，通过使构成功能层的Ti扩散至Cr混相膜中，还可使应变特性得到提高。例如，可使应变片1的应变率为10以上，并可使应变率温度系数TCS和电阻温度系数TCR位于－1000ppm/℃～+1000ppm/℃的范围内。需要说明的是，在功能层由Ti形成的情况下，Cr混相膜中有时还会包含Ti和/或TiN(氮化钛)。
需要说明的是，在电阻体30为Cr混相膜的情况下，由Ti构成的功能层具备促进电阻体30的晶体生长的功能、防止电阻体30因包含在基材10中的氧或水分而氧化的功能、及提高基材10与电阻体30之间的密接性的功能的全部功能。使用Ta、Si、Al、Fe来代替Ti用作功能层的情况也同样。
这样，通过在电阻体30的下层上设置功能层，能够促进电阻体30的晶体生长，并能够制作由稳定的结晶相构成的电阻体30。据此，在应变片1中，能够提高应变特性的稳定性。另外，通过使构成功能层的材料扩散至电阻体30中，还能够在应变片1中提高应变特性。
形成电阻体30和第1层41之后，在第1层41上对第2层42进行层叠。第2层42的材料和厚度如前所述。第2层42例如可通过电解镀法、无电解镀法等形成。
形成第2层42之后，根据需要，还可在基材10的上表面10a上设置对电阻体30和配线图案40进行覆盖且使电极40A和电子部件安装区域101露出的覆盖层60A，藉此可完成应变片1的制作。就覆盖层60A而言，例如可在基材10的上表面10a上，采用对电阻体30和配线图案40进行覆盖并使电极40A和电子部件安装区域101露出的方式，对半硬化状态的热硬化性绝缘树脂膜进行层压，然后再进行加热以使其硬化，由此来进行制作。覆盖层60A也可藉由如下方法制作，即，在基材10的上表面10a上，采用对电阻体30和配线图案40进行覆盖并使电极40A和电子部件安装区域101露出的方式，涂敷液状或膏状的热硬化性绝缘树脂，然后再进行加热以使其硬化。
需要说明的是，在基材10的上表面10a上设置功能层作为电阻体30和端子部41的底层的情况下，应变片1为图3所示的剖面形状。由符号20所表示的层为功能层。设置了功能层20的情况下的应变片1的平面形状与图1相同。
这样，应变片1中，在1个基材10的上表面10a上设置有电阻体30、配线图案40、电极40A、及电子部件安装区域101。据此，藉有金属线等可短距离地对安装在电子部件安装区域101内的电子部件和电极40A进行连接，由此可缩短电阻体30至电子部件之间的距离，进而可实现小型的应变片1。该结构对使用引线和焊料等难以对电阻体和电子部件进行连接的小型应变片尤其有效。
此外，藉由缩短电阻体30至电子部件之间的距离，还可提高抗噪性。
另外，电极40A为在第1层41上对第2层42进行了层叠的结构。为此，通过对第2层42的材料进行选择，还能够以不依赖于与电阻体30的材料相同的第1层41的材料的方式来提高与电子部件之间的连接可靠性。
〈第1实施方式的变形例1〉
第1实施方式的变形例1中示出了在电子部件安装区域内安装了电子部件的应变片的例子。需要说明的是，第1实施方式的变形例1中，存在对与已经说明的实施方式相同的构成部分的说明进行了省略的情况。
图4是第1实施方式的变形例1的应变片的例示平面图。图5是第1实施方式的变形例1的应变片的例示剖面图，示出了沿图4的B－B线的剖面。
参照图4和图5，应变片1A为在应变片1的电子部件安装区域101内实装了电子部件200的应变片。
就电子部件200而言，例如可为对经由配线图案40和电极40A从电阻体30输入的电气信号进行增幅(放大)和/或温度补正的半导体芯片。电容器等的被动部件也可与半导体芯片一起进行安装。电子部件200例如可藉由芯片贴膜等的粘接层而被安装在基材10的上表面10a上所定义的电子部件安装区域101内。
电子部件200的电极200A可经由金线、铜线等的金属线210与电极40A进行电连接。电极200A和电极40A例如可藉由引线键合而进行连接。
在基材10的上表面10a上没有设置覆盖层60A的情况下，也可采用对电阻体30、配线图案40、电极40A、电子部件200、及金属线210进行覆盖的方式，在基材10的上表面10a上设置覆盖层60B(第2绝缘树脂层)。通过设置覆盖层60B，可防止电阻体30、配线图案40、电极40A、电子部件200、及金属线210受到机械损伤等。此外，藉由设置覆盖层60B，还可对电阻体30、配线图案40、电极40A、电子部件200、及金属线210进行保护以免受湿气等的影响。
覆盖层60B例如可由PI树脂、环氧树脂、PEEK树脂、PEN树脂、PET树脂、PPS树脂、复合树脂(例如，硅树脂、聚烯烃树脂)等的绝缘树脂形成。覆盖层60B也可含有填料和/或颜料。对覆盖层60B的厚度并无特别限定，可根据使用目的进行适当的选择，例如可为2μm～30μm左右。就覆盖层60B而言，例如可藉由在基材10的上表面10a上采用覆盖配线图案40、电极40A、电子部件200、及金属线210的方式对半硬化状态的热硬化性绝缘树脂膜进行层压，然后再进行加热以使其硬化而进行制作。覆盖层60B还可通过如下方法制作，即，在基材10的上表面10a上，采用对配线图案40、电极40A、电子部件200、及金属线210进行覆盖的方式，涂敷液状或膏状的热硬化性绝缘树脂，然后再进行加热以使其硬化。
在基材10的上表面10a上设置了覆盖层60A的情况下，可采用对覆盖层60A、电极40A、电子部件200、及金属线210进行覆盖的方式，再设置覆盖层60B。通过设置覆盖层60B，可防止没有被覆盖层60A覆盖的电极40A、电子部件200、及金属线210受到机械损伤等。此外，藉由设置覆盖层60B，还可对没有被覆盖层60A覆盖的电极40A、电子部件200、及金属线210进行保护以免受湿气等的影响。需要说明的是，覆盖层60A和覆盖层60B可由相同材料形成，也可由不同材料形成。
这样，应变片1A中，在1个基材10的上表面10a上设置有电阻体30、配线图案40、电极40A、及电子部件200。因为藉由金属线210可短距离地对电子部件200的电极200A和电极40A进行连接，所以可缩短电阻体30至电子部件200之间的距离，从而可实现小型的应变片1A。该结构对使用引线和焊料等难以对电阻体和电子部件进行连接的小型应变片尤其有效。
此外，藉由缩短电阻体30至电子部件200之间的距离，还可提高抗噪性。
另外，电极40A为在第1层41上对第2层42进行了层叠的结构。为此，藉由对第2层42的材料进行选择，能够以不依赖于与电阻体30的材料相同的第1层41的材料的方式来提高与电子部件200的连接可靠性。
需要说明的是，尽管图4和图5中示出了藉由金属线210对电极40A和电极200A进行连接的例子，但电子部件200也可采用倒装芯片(flip chip)的方式而被实装在基材10的上表面10a上。此情况下，可对配线图案40的布线方式进行变更从而使电极40A配置在电子部件安装区域101内，并可使用焊球等对电子部件安装区域101内的电极40A和电子部件200的电极200A进行连接。
〈第1实施方式的变形例2〉
第1实施方式的变形例2中示出了具备多个电阻体等的应变片的例子。需要说明的是，第1实施方式的变形例2中，存在对与已经说明了实施方式相同的构成部分的说明进行了省略的情况。
图6是第1实施方式的变形例2的应变片的例示平面图。第1实施方式的变形例2的应变片的剖面构造与图2相同，故对剖面图的图示进行了省略。
参照图6，应变片1B具有多组电阻体30、配线图案40、及电极40A，该点与应变片1(参照图1和图2)不同。图6的例子中，应变片1B具有3组电阻体30、配线图案40、及电极40A，但并并不限定于此，本实施方式的应变片也可具有2组电阻体30、配线图案40、及电极40A，还可具有4组以上。此外，电阻体30的个数和电极40A的个数亦无需相同。
例如，如图7所示的应变片1C那样，4组电阻体30藉由配线图案40进行连接，由此可构成惠斯通电桥电路。此情况下，电阻体30之间的4处连接点分别经由配线图案40与电极40A进行连接。需要说明的是，图7中的各电阻体30的网格(grid)方向仅为一例，并不限定于此。
此外，图7中，在电子部件安装区域101内的4个角(corner)附近还形成有定位标记105。定位标记105是当在电子部件安装区域101内安装电子部件时用于定位的标记。通过形成定位标记105，可使电子部件的安装位置更为明确，并可对芯片实装等时的位置进行控制，由此可在电子部件安装区域101内高精度地对电子部件进行安装。定位标记105例如可在与电阻体30、配线图案40、及电极40A相同的步骤中形成。需要说明的是，定位标记105可根据需要来形成，也就是说，定位标记105的形成并非必须事项。
图6和图7中，也可采用对电阻体30和配线图案40进行覆盖并使电极40A和电子部件安装区域101露出的方式，在基材10的上表面10a上设置覆盖层60A。覆盖层60A的材料、厚度、及制作方法与上述相同。
这样，应变片1B或1C中，在1个基材10的上表面10a上设置有多组电阻体30、配线图案40、电极40、及电子部件安装区域101。据此，可实现能够对多个区域的应变进行检测的小型应变片1B或1C。关于其他效果，与第1实施方式相同。
〈第1实施方式的变形例3〉
第1实施方式的变形例3中示出了具备多组电阻体等且在电子部件安装区域内安装有电子部件的应变片的例子。需要说明的是，第1实施方式的变形例3中，存在对与已经说明的实施方式相同的构成部分的说明进行了省略的情况。
图8是第1实施方式的变形例3的应变片的例示平面图。第1实施方式的变形例3的应变片的剖面结构与图5相同，故对剖面图的图示进行了省略。
参照图8，应变片1D为在应变片1B的电子部件安装区域101内对电子部件200进行了实装的应变片。
就电子部件200而言，例如为对经由配线图案40和电极40A从电阻体30输入的电气信号进行放大和/或温度补正的半导体芯片，并具备可独立地对从多个电阻体30输入的电气信号进行处理的功能。与半导体芯片一起还可进行电容器等的被动部件的安装。电子部件200例如可藉由芯片贴膜等的粘接层而被安装在基材10的上表面10a上所定义的电子部件安装区域101内。
电子部件200的电极200A可经由金线、铜线等的金属线210与各组电极40A进行电连接。电极200A和电极40A例如可通过引线键合进行连接。
需要说明的是，也可按照每组电阻体30、配线图案40、及电极40A分别安装电子部件。
图8中，可采用对电阻体30和配线图案40进行覆盖并使电极40A和电子部件安装区域101露出的方式，在基材10的上表面10a上设置覆盖层60A。此外，还可采用对电阻体30、配线图案40、电极40A、电子部件200、及金属线210进行覆盖的方式，在基材10的上表面10a上设置覆盖层60B。另外，也可采用对电阻体30和配线图案40进行覆盖并使电极40A和电子部件安装区域101露出的方式，在基材10的上表面10a上设置覆盖层60A，然后采用对覆盖层60A、电极40A、电子部件200、及金属线210进行覆盖的方式，再设置覆盖层60B。覆盖层60A、60B的材料、厚度、及制作方法与上述相同。
此外，还可使用应变片1C取代应变片1B。
这样，应变片1D中，在1个基材10的上表面10a上设置有多组电阻体30、配线图案40、电极40A、及电子部件200。因为藉由金属线210可短距离地对电子部件200的电极200A和各组电极40A进行连接，所以可缩短各组电阻体30至电子部件200之间的距离，从而可实现能够对多个区域的应变进行检测的小型应变片1D。关于其他效果，与第1实施方式的变形例1相同。
这里，尽管图8中示出了各组电极40A和电极200A藉由金属线210进行连接的例子，但电子部件200也可采用芯片倒装的方式而被实装在基材10的上表面10a上。此情况下，可对各组配线图案40的布线方式进行变更从而使各组电极40A配置在电子部件安装区域101内，并可使用焊球等对电子部件安装区域101内的各组电极40A和电子部件200的电极200A进行连接。
〈第2实施的形态〉
第2实施方式中示出了使用应变片的传感器模组的例子。需要说明的是，第2实施方式中，存在对与已经说明的实施方式相同的构成部分的说明进行了省略的情况。
图9是第2实施方式的传感器模组的例示剖面图，示出了与图5相对应的剖面。参照图9，传感器模组5具有应变片1A、应变体510、及粘接层520。
传感器模组5中，应变体510的上表面510a经由粘接层520固着在基材10的下表面10b上。应变体510例如由Fe、SUS(不锈钢)、Al等的金属、PEEK等的树脂形成，是基于被施加的力可进行变形(产生应变)的物体。应变片1A可将应变体510所产生的应变作为电阻体30的电阻值变化而进行检测。
就粘接层520而言，只要是具有对应变片1A和应变体510进行固着的功能的材料，对其并无特别限定，可根据使用目的进行适当的选择，例如可使用环氧树脂、改性环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂、聚氨酯树脂、改性聚氨酯树脂等。此外，也可使用粘接片等的材料。对粘接层520的厚度并无特别限制，可根据使用目的进行适当的选择，例如可为0.1μm～50μm左右。
制作传感器模组5时，完成应变片1A的制作之后，可在基材10的下表面10b和/或应变体510的上表面510a上涂敷例如可成为粘接层520的上述任意的材料。接着，使基材10的下表面10b面对应变体510的上表面510a，并以夹着所涂敷的材料的方式将应变片1A配置在在应变体510上。或者，也可使粘接片夹在应变体510和基材10之间。
之后，一边将应变片1A压向应变体510侧，一边加热至所定的温度，以使被涂敷了的材料硬化，由此可形成粘接层520。据此，经由粘接层520，应变体510的上表面510a和基材10的下表面10b之间可进行固着，这样就可完成传感器模组5的制作。传感器模组5例如可用于对负载、压力、扭矩、加速度等进行测定。
需要说明的是，传感器模组5中也可使用应变片1、1B、1C、或1D来取代应变片1A。这里需要说明的是，在使用应变片1、1B、或1C的情况下，尽管可根据需要设置覆盖层60A，但不能设置覆盖层60B。
以上对优选的实施方式等进行了详细说明，但不限于上述的实施方式等，在不脱离权利要求书所记载的范围情况下，可以对上述实施方式等进行各种变形及替换。
本国际申请主张2017年10月27日申请的日本国专利申请第2017－208195号的优先权，并将日本国专利申请2017－208195号的内容全部援引于本国际申请。
符号说明
1、1A、1B、1C、1D应变片；5传感器模组；10基材；10a、510a上表面；10b下表面；20功能层；30电阻体；40配线图案；40A、200A电极；41第1层；42第2层；60A、60B覆盖层；101电子部件安装区域；105定位标记；200电子部件；210金属线；510应变体；520粘接层。

Claims (13)

1.一种应变片，具有：
基材，具有可挠性；
电阻体，在所述基材上由包含铬和镍中的至少一者的材料形成；
一对配线图案，形成在所述基材上，并与所述电阻体的两个端部进行了电连接；及
一对电极，形成在所述基材上，并与各个所述配线图案进行了电连接，
其中，
所述配线图案包括从所述电阻体延伸的第1层和层叠在所述第1层上的电阻低于所述第1层的电阻的第2层，
所述基材上定义有能够安装与所述电极进行电连接的电子部件的电子部件安装区域。
2.如权利要求1所述的应变片，其中，
所述基材上具有多组所述电阻体、所述配线图案、及所述电极。
3.如权利要求1或2所述的应变片，具有：
电子部件，安装在所述电子部件安装区域内。
4.如权利要求2所述的应变片，具有：
电子部件，安装在所述电子部件安装区域内，
其中，所述电子部件包括与多组所述电极进行了电连接的一个半导体芯片。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的应变片，具有：
第1绝缘树脂层，覆盖所述电阻体和所述配线图案。
6.如权利要求3或4所述的应变片，具有：
第2绝缘树脂层，覆盖所述电阻体、所述配线图案、所述电极、及所述电子部件。
7.如权利要求3或4所述的应变片，具有：
第1绝缘树脂层，覆盖所述电阻体和所述配线图案；及
第2绝缘树脂层，覆盖所述第1绝缘树脂层、所述电极、及所述电子部件。
8.如权利要求1至7中的任一项所述的应变片，其中，
所述电阻体以α铬为主成分。
9.如权利要求8所述的应变片，其中，
所述电阻体包含80重量％以上的α铬。
10.如权利要求8或9所述的应变片，其中，
所述电阻体包含氮化铬。
11.如权利要求1至10中的任一项所述的应变片，具有：
功能层，在所述基材的一个表面上由金属、合金、或金属的化合物形成，
其中，所述电阻体、所述配线图案、及所述电极形成在所述功能层的一个表面上。
12.如权利要求11所述的应变片，其中，
所述功能层具有促进所述电阻体的晶体生长的功能。
13.一种传感器模组，具有：
如权利要求1至12中的任一项所述的应变片；及
设置在所述基材的另一表面侧的应变体。
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