CN111564536B - Micro-LED芯片的制备方法、结构及显示终端 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种Micro‑LED芯片的制备方法、结构及显示设备，其中，所述Micro‑LED芯片的制备方法包括以下步骤：在真空设备中制备一GaN基外延片；在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层；对所述ITO层的周缘进行遮挡后，对所述ITO层进行氧离子轰击；将经过氧离子轰击后的ITO层连接第一电极，所述GaN基外延片连接第二电极，制成Micro‑LED芯片。本发明技术方案旨在降低Micro‑LED芯片周缘漏电的几率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种Micro-LED芯片的制备方法、结构及显示终端。
背景技术
Micro-LED(Micro-Light Emitting Diode，微型发光二极管)在显示行业具有较大的应用前景，可制备大尺寸、超高清、节能以及具有优质的画面显示效果的显示屏。Micro-LED芯片通常是在蓝宝石上沉积GaN材料形成N型层及P型层，其中n-GaN材料的载流子浓度相对较高，相比之下p-GaN材料的载流子浓度相对较低，因此，掺杂了空穴的P-GaN材料的导电能力相对较弱，为提升P型层的导电性，需要在P型层上添加一层透明导电薄膜，通常为氧化铟嫁(ITO)。由于Micro-LED芯片尺寸较小，通常会低于40μm，因此在芯片的侧边容易产生漏电流，侧边悬空键会导致非辐射复合，电流拥堵效应和热效应变弱，降低Microled芯片的发光效率。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种Micro-LED芯片的制备方法，旨在改善Micro-LED芯片易发生漏电现象且发光效率低的问题。
为实现上述目的，本发明实施例提供的Micro-LED芯片的制备方法，包括以下步骤：
在真空设备中制备一GaN基外延片；
在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层；
对所述ITO层的周缘进行遮挡后，对所述ITO层进行氧离子轰击；
将经过氧离子轰击后的ITO层连接第一电极，所述GaN基外延片连接第二电极，制成所述Micro-LED芯片。
可选地，所述对所述ITO层的周缘进行遮挡的步骤具体包括：
使用一中间镂空的遮挡板对所述ITO层进行遮挡，所述遮挡板的外周缘与所述ITO层的外周缘相重合。
可选地，所述遮挡板于其中间部分形成有镂空孔，所述镂空孔的孔内壁至所述遮挡板的外周缘的距离范围为2～6微米。
可选地，所述对所述ITO层进行氧离子轰击的步骤包括：
向所述真空设备充入氧气；
将所述真空设备内的氧气电离成氧离子；
加速所述氧离子使其轰击所述ITO层。
可选地，所述在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层的步骤之前，还包括：
获取所述ITO层的预设沉积厚度；
根据一修正值调整所述预设沉积厚度形成新的沉积厚度。
可选地，所述修正值为所述预设沉积厚度的8％-12％。
可选地，所述在真空设备中制备一GaN基外延片的步骤包括：
在一衬底上依次沉积形成过渡层、N型层、有源层及P型层；
完成GaN基外延片的制备。
可选地，所述对所述ITO层进行氧离子轰击的步骤之后，所述将经过氧离子轰击后的ITO层连接第一电极，所述GaN基外延片连接第二电极的步骤之前，还包括：
对所述GaN基外延片和轰击后的ITO层进行退火处理。
本发明又提出一种Micro-LED芯片结构，所述Micro-LED芯片结构由上述任一所述的Micro-LED芯片的制备方法制得。
本发明还提出一种显示终端，包括显示屏和与所述显示屏通讯连接的Micro-LED芯片结构，所述Micro-LED芯片结构为如上所述Micro-LED芯片的制备方法制得。
本发明技术方案中，Micro-LED芯片的制备方法中直接在GaN外延片上沉积ITO层，然后将ITO层的周缘进行遮挡后再进行氧离子轰击，从而能够在ITO层的中间位置直接注入氧离子，因氧离子加入ITO晶格内，能够更便于电子的传输，从而可以增加ITO中间位置的电流密度，使得ITO层的中间位置的导电性提高，而周缘的导电性较低，有效避免边缘区域上下导电性能均较大产生的漏电现象，从而增强电流拥堵效应和热效应，提高发光效率。同时，ITO边缘具有一定的导电性，相比于蚀刻掉ITO周缘的结构，能够增加与之相连的GaN外延片的载流子浓度，从而提升GaN外延片自身的结合强度和稳定性。此外，ITO层中间位置受到轰击后厚度相对于周缘的厚度减小，形成中间厚度小，周缘厚度大的结构形式。
附图说明
图1为本发明应用Micro-LED芯片制备程序的存储介质的结构示意图；
图2为本发明Micro-LED芯片的制备方法一实施例的流程示意图；
图3为本发明Micro-LED芯片的制备方法中对所述ITO层的周缘进行遮挡步骤的具体流程图；
图4为本发明Micro-LED芯片的制备方法中对所述ITO层进行氧离子轰击步骤的具体流程示意图；
图5为本发明Micro-LED芯片的制备方法中在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层步骤前的具体流程示意图；
图6为本发明Micro-LED芯片的制备方法中制备一GaN基外延片步骤的具体流程示意图；
图7为本发明Micro-LED芯片的制备方法中对所述ITO层进行氧离子轰击步骤后的具体流程示意图；
图8为本发明Micro-LED芯片结构一实施例的示意图；
图9为本发明Micro-LED芯片结构另一实施例的示意图；
图10为本发明Micro-LED芯片的制备方法中遮挡板的结构示意图。
附图标号：
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
如图1所示，本发明可涉及一种存储介质，所述存储介质存储有Micro-LED芯片的制备方法程序30，存储介质还包括处理器20和存储器10，所述存储器10存储Micro-LED芯片的制备方法程序30，而处理器20可以用于调用存储器10中存储的Micro-LED芯片制备方法程序30，并执行以下操作：
在真空设备中制备一GaN基外延片；
在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层；
对所述ITO层的周缘进行遮挡后，对所述ITO层进行氧离子轰击。
进一步地，处理器20可以调用存储器10中存储的Micro-LED芯片制备方法程序，还执行以下操作：
所述对所述ITO层的周缘进行遮挡后的步骤包括：
使用一中间镂空的遮挡板对所述ITO层进行遮挡，所述遮挡板的外周缘与所述ITO层的外周缘相重合。
进一步地，处理器20可以调用存储器10中存储的Micro-LED芯片制备方法程序，还执行以下操作：
所述遮挡板于其中间部分形成有镂空孔，所述镂空孔的孔内壁至所述遮挡板的外周缘的距离范围为2-6微米。
进一步地，处理器20可以调用存储器10中存储的消Micro-LED芯片制备方法程序，还执行以下操作：
所述对所述ITO层进行氧离子轰击的步骤包括：
向所述真空设备充入氧气；
将所述真空设备内的氧气电离成氧离子；
加速所述氧离子使其轰击所述ITO层。
进一步地，处理器20可以调用存储器10中存储的Micro-LED芯片制备方法程序，还执行以下操作：
所述在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层的步骤之前，还包括：
获取所述ITO层的预设沉积厚度；
根据一修正值调整所述预设沉积厚度形成新的沉积厚度。
进一步地，处理器20可以调用存储器10中存储的Micro-LED芯片制备方法程序，还执行以下操作：
所述修正值为所述预设沉积厚度的8％-12％。
进一步地，处理器20可以调用存储器10中存储的Micro-LED芯片制备方法程序，还执行以下操作：
所述在真空设备中制备一GaN基外延片的步骤包括：
在一衬底上依次沉积形成过渡层、N型层、有源层及P型层；
完成GaN基外延片的制备。
进一步地，处理器20可以调用存储器10中存储的Micro-LED芯片制备方法程序，还执行以下操作：
所述对所述ITO层进行氧离子轰击的步骤之后，还包括：
对所述GaN基外延片和轰击后的ITO层进行退火处理。
请结合参照图2和图8，本发明进一步提供一种Micro-LED芯片的制备方法，于一实施例中，该方法包括以下步骤：
步骤S10：在真空设备中制备一GaN基外延片；
步骤S20：在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层56；
步骤S30：对所述ITO层56的周缘进行遮挡后，对所述ITO层56进行氧离子轰击。
步骤S40：将经过氧离子轰击后的ITO层56连接第一电极60，所述GaN基外延片连接第二电极70，制成所述Micro-LED芯片。
本实施例中，该Micro-LED芯片的制备方法用于制备Micro-LED芯片结构50，Micro-LED即微型发光二极管，是指高密度集成的LED阵列，阵列中的LED像素点距离在10微米量级，每一个LED像素都能自发光，Micro-LED具有发光效率高、功耗低、响应快、寿命长的特点。而透明导电氧化物薄膜中(ITO层56)具有很高的可见光透射率，较低的电阻率，较好的耐磨性，且化学性能稳定，常被用于增加GaN基外延片的导电性，且不影响其透光性能。
同时，为了进一步增加ITO层56的导电性和透光性，基于ITO的本身结构特性，可以对ITO层56进行氧离子轰击，能够将氧离子直接注入ITO层56内，从而增加ITO层56内的氧离子数量，能够更便于电子的传输，增加ITO层56的导电性能。对ITO层56的周缘遮挡可以使用结构强度大且致密度高的材料在各个边缘进行遮盖，例如，不锈钢、铝合金或钛合金等等，该用于遮挡的部件位于ITO层56的上方，与ITO层56不接触，用于阻挡氧离子的轰击。
本发明技术方案中，Micro-LED芯片的制备方法中直接在GaN外延片上沉积ITO层56，然后将ITO层56的周缘进行遮挡后再进行氧离子轰击，从而能够在ITO层56的中间位置直接注入氧离子，周缘位置因为遮挡不能注入氧离子，因氧离子加入ITO晶格内，可以增加ITO的电流密度，从而使ITO层56的中间部位和周缘位置的导电性产生差异，ITO层56的中间位置的导电性相对较高，而周缘的导电性较低，即周缘的电流密度较小，有效避免边缘区域上下导电性能均较大产生的漏电现象，从而增强电流拥堵效应和热效应，提高发光效率。同时，ITO边缘具有一定的导电性，相比于蚀刻掉ITO周缘的结构，能够增加与之相连的GaN外延片的载流子浓度，从而提升GaN外延片自身的结合强度和稳定性。
参照图3，可以理解的，所述在真空设备中制备一GaN基外延片的步骤S10包括：
S11：在一衬底51上依次沉积形成过渡层52、N型层53、有源层54及P型层55；
完成GaN基外延片的制备。
衬底51一般为蓝宝石、碳化硅、硅片中的任意一种，制备工艺成熟，性能稳定。本实施例中，选择蓝宝石衬底51生长GaN材料，成本低、性能稳定且机械强度高。过渡层52沉积于衬底51一表面，该过渡层52为未掺杂的GaN材料；在过渡层52背离衬底51的表面沉积N型层53，N型层53为N-GaN层，是掺杂了电子的GaN材料形成，其载流子浓度较高；在N型层53背离过渡层52的表面沉积有源层54，有源层54为掺杂电子和空穴的复合GaN材料；在有源层54背离N型层53的表面沉积P型层55，该P型层55为掺杂空穴的GaN材料形成，由此，完成GaN基外延片的制备。由于本身材料决定，P型层55的载流子浓度较低，故而需要增加透明导电膜ITO进行导电性能的提升。当然，于其他实施例中，还可以设置其他结构，例如钝化层或是电流扩展层等。
可选地，参照图4，基于上述实施例的Micro-LED芯片的制备方法，于一实施例中，所述对所述ITO层56的周缘进行遮挡的步骤S30具体包括：
S31：使用一中间镂空的遮挡板80对所述ITO层56进行遮挡，其中，所述遮挡板80的外周缘与所述ITO层56的外周缘相重合。
本实施例中，使用一整块遮挡板80进行遮挡，该遮挡板80的中间镂空，一方面便于加工，另一方面也方便对该遮挡板80的固定支撑，无需过多的连接工序，提高制备效率。具体地，该遮挡板80的周缘与ITO层56的外周缘相重合，中间位置镂空，即遮挡板80的外形尺寸与ITO层56的外周缘尺寸相同，在保证周缘能够被遮挡的情况下，可以节约遮挡板80的使用材料，进而节约成本。
请参照图10，可选的实施例中，所述遮挡板80于其中间部分形成有镂空孔81，所述镂空孔81的孔内壁至所述遮挡板80的外周缘的距离范围为2～6微米。
本实施例中，遮挡板80的形状与Micro-LED芯片结构50的形状相匹配，遮挡板80的中间位置形成有镂空孔81，该镂空孔81为一个，且其形状可以是方形、圆形或是不规则图形等，镂空孔81的中心可与遮挡板80的中心重合，也可以不重合设置，在此不作限定。具体地，为了保证ITO层56的导电性能，对ITO层56的周缘遮盖范围不宜过大，保证其连接性能；当然，对ITO层56的周缘遮盖范围也不宜过小，否则，ITO层56的周缘电流密度较大，容易出现边缘漏电现象。故，设置镂空孔81的孔内壁至遮挡板80的外周缘之间的距离范围为2～6微米，在保证遮挡板80对ITO层56的有效遮挡下，减小周缘位置的电流密度，从而防止边缘漏电，同时也可以有效保证ITO的电连接性能。
可选地，参照图5，基于上述实施例的Micro-LED芯片的制备方法，于另一实施例中，所述对所述ITO层56进行氧离子轰击的步骤S30包括：
S32：向所述真空设备充入氧气；
S33：将所述真空设备内的氧气电离成氧离子；
S34：加速所述氧离子使其轰击所述ITO层56。
本实施例中，因芯片特殊性，故需要在真空设备中进行制备，以免除空气中的水分和灰尘粘附于芯片上，对其性能和寿命产生影响。当需要对ITO层56的部分进行氧离子轰击时，首先向真空设备充入氧气，通过电离设备将氧气直接电离成氧离子，并通过电离设备对氧离子进行加速，进而使氧离子产生较大的速度和冲击力，对ITO层56进行轰击。此处，氧离子的速度可以根据需要进行设置和调整。通过氧离子的轰击ITO层56的中间位置可以快速地提高导电性。
进一步地，参照图6，基于上述实施例的Micro-LED芯片的制备方法，可选地，所述在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层56的步骤S20之前，还包括：
S12：获取所述ITO层56的预设沉积厚度；
S13：根据一修正值调整所述预设沉积厚度形成新的沉积厚度。
本实施例中，因氧离子带有一定的能量，氧离子的轰击会对ITO层56的厚度进行削减，故而为了保证ITO层56的有效沉积厚度，需要先获取ITO层56的预设沉积厚度，根据一修正值调整预设沉积厚度，形成新的沉积厚度。具体地，增加ITO层56的沉积厚度，使得ITO层56被轰击后的厚度达到预设沉积厚度。因ITO层56的周缘被遮盖，故而ITO层56的周缘厚度大，沉积厚度通过修正值的修正，使得被轰击后的ITO层56的中间位置保留原预设厚度或适当的厚度，进而保证ITO层56与电极的电性能连接。
可选地，所述修正值为所述预设沉积厚度的8％-12％。
本实施例中，通常情况下，根据电离设备的正常性能得到氧离子的轰击速度，且结合轰击时间长短，从而得到ITO层56被削减的厚度范围，故设置修正值的范围为预设沉积厚度的8％-12％，优选为预设沉积厚度的10％，保证被氧离子轰击后的ITO层56的中间位置厚度不至于过小，保证电连接性能。当然，特殊情况下，根据氧离子的能量和轰击时间长短设置修正值，从而得到所需要的ITO层56。
此外，为进一步提高该方法的效率，请参照图7，可选地，所述对所述ITO层56进行氧离子轰击的步骤S30之后，所述将经过氧离子轰击后的ITO层56连接第一电极60，所述GaN基外延片连接第二电极70的步骤之前，还包括：
S301：对所述GaN基外延片和轰击后的ITO层56进行退火处理。
本实施例中，对GaN基外延片和轰击后的ITO层56进行退火处理，能够使得ITO层56由非晶状态转变为多晶状态，进而可以进一步提升ITO层56的透过率和导电性。
综上所述，应用本技术方案的制备方法可以使得Micro-LED芯片结构50的周缘电流密度小，中间位置电流密度大，有效降低芯片周缘漏电的几率，延长屏体的使用寿命，同时可保证用户正常使用。
请参照图8和图9，本发明还提出一种Micro-LED芯片结构50，所述Micro-LED芯片结构50由上述任一实施例所述的Micro-LED芯片的制备方法制备。由于本Micro-LED芯片结构50采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
可选地，Micro-LED芯片结构50包括衬底51和依次叠设于所述衬底51的过渡层52、N型层53、有源层54、P型层55以及ITO层56，所述ITO层56的中部厚度小于其周缘厚度；
所述ITO层56的中部连接第一电极60，所述衬底51连接第二电极70；或，
所述ITO层56的中部连接第一电极60，所述N型层53连接第二电极70。
本实施例中，Micro-LED芯片结构50包括衬底51和依次叠设于所述衬底51的过渡层52、N型层53、有源层54、P型层55以及ITO层56，其中各个部件的材质以及具体的位置设置如上所述，在此不做过多叙述。具体地，因ITO层56的中间位置裸露于氧离子轰击的环境中，氧离子轰击会削减ITO层56的中间位置的厚度，故而，ITO层56的中部厚度小于周缘厚度，此时，将与驱动电路连接的第一电极60连接至该ITO层56的中间位置，可以减小Micro-LED芯片结构50的整体厚度，保持Micro-LED芯片结构50的纤薄化。
此处，Micro-LED芯片结构50包括两种类型的结构，一种是垂直型结构，另一种是水平型结构。当Micro-LED芯片结构50为垂直型结构时，叠设于N型层53的有源层54、P型层55以及ITO层56的表面尺寸与N型层53的表面尺寸相同，与驱动电路连接的第一电极60连接在ITO层56的中间位置，与驱动电路连接的第二电极70连接在衬底51上，第一电极60和第二电极70分别位于Micro-LED芯片结构50竖直方向上的两侧，从而实现显示控制。当Micro-LED芯片结构50为水平型结构时，叠设于N型层53的有源层54、P型层55以及ITO层56的表面尺寸小于N型层53的表面尺寸，从而使得N型层53的部分裸露于外，此时，与驱动电路连接的第一电极60仍连接在ITO层56的中间位置，与驱动电路连接的第二电极70则连接于N型层53朝向ITO层56的表面，从而使得第一电极60与第二电极70位于Micro-LED芯片结构50水平方向上的两端，实现显示控制。
本发明还提出一种显示终端，显示终端包括显示屏和与所述显示屏通讯连接的Micro-LED芯片结构50。所述Micro-LED芯片结构50由上述任一实施例所述的Micro-LED芯片的制备方法制备。由于本显示终端的Micro-LED芯片结构50采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
本实施例中，包含Micro-LED芯片结构50的显示终端可以是投影设备、电视机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、智能手机、电子书阅读器等终端，也可以是MP3(MovingPicture Experts Group Audio Layer III，动态影像专家压缩标准音频层面3)播放器、MP4(Moving Picture Experts Group Audio Layer IV，动态影像专家压缩标准音频层面4)播放器、便携计算机等具有显示功能的可移动式终端设备，或是其他任何可包含Micro-LED芯片结构50的装置。本发明包含Micro-LED芯片结构50的实施例中，Micro-LED芯片结构50可以是安装于投影设备、计算机、平板电脑、手机等终端中，也可以独立于上述终端，仅与上述终端进行通信连接，或者是其他任何适用的安装和使用方式。
可选地，终端还可以包括摄像头、RF(Radio Frequency，射频)电路，传感器、音频电路、WiFi模块等等。其中，传感器比如光传感器、运动传感器以及其他传感器。具体地，光传感器可包括环境光传感器及接近传感器，其中，环境光传感器可根据环境光线的明暗来调节显示屏的亮度，接近传感器可在移动终端移动到耳边时，关闭显示屏和/或背光。作为运动传感器的一种，重力加速度传感器可检测各个方向上(一般为三轴)加速度的大小，静止时可检测出重力的大小及方向，可用于识别移动终端姿态的应用(比如横竖屏切换、相关游戏、磁力计姿态校准)、振动识别相关功能(比如计步器、敲击)等；当然，移动终端还可配置陀螺仪、气压计、湿度计、温度计、红外线传感器等其他传感器，在此不再赘述。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到上述实施例方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在如上所述的一个存储介质(如ROM/RAM、磁碟、光盘)中，包括若干指令用以使得一台终端设备(可以是手机，计算机，服务器，空调器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述的方法。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在真空设备中制备一GaN基外延片，所述GaN基外延片包括P型层；
在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层，所述ITO层的周缘与所述P型层的周缘相平齐；
对所述ITO层的周缘进行遮挡后，对所述ITO层进行氧离子轰击，以使氧离子直接注入ITO层内，增加ITO层内的氧离子数量；
将经过氧离子轰击后的ITO层连接第一电极，所述GaN基外延片连接第二电极，制成Micro-LED芯片；
所述在所述GaN基外延片的表面沉积ITO层的步骤之前，还包括：
获取所述ITO层的预设沉积厚度；
根据一修正值调整所述预设沉积厚度形成新的沉积厚度；
在所述对所述ITO层进行氧离子轰击的步骤之后，所述将经过氧离子轰击后的ITO层连接第一电极，所述GaN基外延片连接第二电极的步骤之前，还包括：
对所述GaN基外延片和轰击后的ITO层进行退火处理。
2.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述对所述ITO层的周缘进行遮挡的步骤具体包括：
使用一中间镂空的遮挡板对所述ITO层进行遮挡，所述遮挡板的外周缘与所述ITO层的外周缘相重合。
3.如权利要求2所述的Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述遮挡板于其中间部分形成有镂空孔，所述镂空孔的孔内壁至所述遮挡板的外周缘的距离范围为2-6微米。
4.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述对所述ITO层进行氧离子轰击的步骤包括：
向所述真空设备充入氧气；
将所述真空设备内的氧气电离成氧离子；
加速所述氧离子使其轰击所述ITO层。
5.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述修正值为所述预设沉积厚度的8％-12％。
6.如权利要求1所述的Micro-LED芯片的制备方法，其特征在于，所述在真空设备中制备一GaN基外延片的步骤包括：
在一衬底上依次沉积形成过渡层、N型层、有源层及P型层；
完成GaN基外延片的制备。
7.一种Micro-LED芯片结构，其特征在于，所述Micro-LED芯片结构由上述权利要求1至6中任一项所述的Micro-LED芯片的制备方法制得。
8.一种显示终端，其特征在于，包括显示屏和与所述显示屏通讯连接的Micro-LED芯片结构，所述Micro-LED芯片结构为权利要求1至6任一所述Micro-LED芯片的制备方法制得。
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