CN111063812A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

阵列基板及显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN111063812A
CN111063812A CN201911007975.6A CN201911007975A CN111063812A CN 111063812 A CN111063812 A CN 111063812A CN 201911007975 A CN201911007975 A CN 201911007975A CN 111063812 A CN111063812 A CN 111063812A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
hydrophilic
array substrate
display panel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201911007975.6A
Other languages
English (en)
Inventor
赵瑾荣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201911007975.6A priority Critical patent/CN111063812A/zh
Priority to US16/641,239 priority patent/US20210391399A1/en
Priority to PCT/CN2019/126065 priority patent/WO2021077582A1/zh
Publication of CN111063812A publication Critical patent/CN111063812A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本发明提供一种阵列基板及显示面板。阵列基板，包括依次设置的柔性基板、缓冲层、半导体层、第一栅绝缘层、第一栅极、中间介电层、有机填充层、源极和漏极，所述阵列基板还包括：亲疏水性匹配层设置于所述有机填充层与所述源极和所述漏极之间。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及阵列基板及显示面板。
背景技术
随着有源矩阵有机发光二极体(active-matrix organic light emittingdiode，AMOLED)显示面板技术在产业界越来越成熟，柔性有机发光二极体 (organic lightemitting diode，OLED)显示面板的成功量产不仅重大利好于新一代高端智能手机的制造，也因其低功耗、可弯曲的特性对可穿戴式设备的应用带来深远的影响，未来柔性OLED显示面板将随着个人智能终端的不断渗透而广泛应用。相较于传统显示面板，柔性OLED显示面板优势明显，不仅在体积上更加轻薄，功耗上也低于原有器件，有助于提升设备的续航能力，同时基于其可弯曲、柔韧性佳的特性，降低设备意外损伤的概率。
现有OLED显示面板包括OLED器件和薄膜晶体管(thin film transistor， TFT)阵列基板，图1为现有的柔性OLED显示面板结构示意图，其中的TFT阵列结构包括从下往上依次设置的柔性基板10，阻隔层20,缓冲层30,第一栅绝缘层40，介于第一栅绝缘层40与缓冲层30之间的半导体层35，位于第一栅绝缘层40上方的第一栅极45，第二栅绝缘层50覆盖第一栅极45，位于第二栅绝缘层50上方的第二栅极55，中间介电层60覆盖第二栅极55，位于中间介电层60上方的有机填充层70，并且有机填充层70填充显示区域的所有通孔 110以及非显示区域的至少一通孔120，位于有机填充层70上方的源极和漏极分别透过通孔130、140电性连接至半导体层35的两端，平坦层80覆盖源极、漏极、有机填充层70及通孔120顶端。接着，在平坦层80上方的是OLED器件的阳极，之后接续像素定义层90及OLED器件等结构。
现有的结构在平坦层工艺后，会出现大面积的平坦层剥落的不良现象，对良率造成影响，因此成为急欲解决的问题。
发明内容
为解决上述现有技术的问题，本发明的目的在于提供一种阵列基板，通过有机填充层与源极、漏极间增加一层亲疏水性匹配层，避免了有机填充层与平坦层之间碳氟键的产生，从而改善平坦层脱落的现象。再者，本发明亲疏水性匹配层的设置并不会增加光罩的数量，如此可有效地提升良率、减少产品的制作成本。
为达成上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括依次设置的柔性基板、缓冲层、半导体层、第一栅绝缘层、第一栅极、中间介电层、有机填充层、源极和漏极，其中，所述阵列基板还包括亲疏水性匹配层设置于所述有机填充层与所述源极和所述漏极之间。
本发明之一实施例中，所述亲疏水性匹配层为无机材料所组成。
本发明之一实施例中，所述所述亲疏水性匹配层为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅与氮化硅的复合层。
本发明之一实施例中，所述亲疏水性匹配层设置于所述有机填充层上方，并覆盖所述源极和所述漏极。
本发明之一实施例中，所述所述阵列基板还包括平坦层设置于所述亲疏水性匹配层上方，并覆盖所述源极和所述漏极。
本发明之一实施例中，所述阵列基板还包括第二栅绝缘层设置于所述第一栅绝缘层与所述中间介电层之间，以及第二栅极设置于所述第二栅绝缘层与所述中间介电层之间。
为达成上述目的，本发明更提供一种显示面板，包括:阵列基板，所述阵列基板包括依次设置的柔性基板、缓冲层、半导体层、第一栅绝缘层、第一栅极、中间介电层、有机填充层、源极和漏极；第一电极层设置于所述阵列基板上方；像素定义层设置于所述阵列基板上方并部份覆盖所述第一电极层；发光层设置于所述第一电极层上方；第二电极层设置于所述发光层上方；其中，所述显示面板还包括：亲疏水性匹配层设置于所述有机填充层与所述源极和所述漏极之间。
本发明之一实施例中，所述所述显示面板还包括平坦层设置于所述亲疏水性匹配层上方，并覆盖所述源极和所述漏极。
本发明之一实施例中，所述所述亲疏水性匹配层为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅与氮化硅的复合层。
本发明之一实施例中，所述亲疏水性匹配层设置于所述有机填充层与所述第一电极层和部份所述像素定义层之间。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1显示一种现有的柔性显示面板的结构示意图。
图2显示本发明提供的柔性显示面板一实施例的结构示意图。
图3显示本发明提供的柔性显示面板另一实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、 [右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
另外，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤。
本发明提出一种阵列基板，包括依次设置的柔性基板、缓冲层、半导体层、第一栅绝缘层、第一栅极、中间介电层、有机填充层、源极和漏极，其中，阵列基板还包括：亲疏水性匹配层设置于有机填充层与源极和漏极之间。
透过本发明亲疏水性匹配层的设置，在有机填充层与源极、漏极间增加一层亲疏水性匹配层，例如:亲疏水性匹配层设置于有机填充层上方，并覆盖源极和漏极，或者是，亲疏水性匹配层设置于有机填充层上方，还包括平坦层设置于亲疏水性匹配层上方，并覆盖所述源极和所述漏极。由于亲疏水性匹配层是无机材料，其亲水性与疏水性的匹配能力可以避免有机填充层与平坦层之间碳氟(C-F)键的产生，从而改善平坦层脱落的现象。详细说明如下。
请参照图2，其显示一种运用于本发明的显示面板一实施例的结构示意图。显示面板500包括有机发光二极体(organic light emitting diode，OLED)器件和薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)阵列基板100，其中的TFT阵列基板100包括柔性基板10，以及设置于柔性基板10方的阻隔层20,缓冲层30,第一栅绝缘层40，半导体层35设置于第一栅绝缘层40与缓冲层30之间，第一栅极 45设置于第一栅绝缘层40上方，第二栅绝缘层50覆盖第一栅极45，第二栅极55 设置于第二栅绝缘层50上方，中间介电层60覆盖第二栅极55，有机填充层70设置于中间介电层60上方，亲疏水性匹配层200设置于所述有机填充层70上方，接着，设置源极135、漏极145于亲疏水性匹配层200上方，并且分别透过通孔 130、140电性连接至半导体层35的两端。其中，有机填充层70填充显示区域的至少一通孔110以及非显示区域的至少一通孔120。
接着在TFT阵列基板100上方设置平坦层80覆盖亲疏水性匹配层200、源极 135、漏极145、部份有机填充层70及通孔120顶端。接着，设置第一电极层310 于平坦层80上方，设置像素定义层320于TFT阵列基板100上方并覆盖部份第一电极层310，设置发光层330于第一电极层310上方，设置第二电极层340于发光层330上方。
其中，亲疏水性匹配层200为无机材料所组成，例如是氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅与氮化硅的复合层。而形成亲疏水性匹配层200的方法例如采用低温化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)工艺制成，其制程温度在摄氏220至240度之间。
有机填充层70具有有机光阻成份，而有机光阻分子式中的苯环，原本是跟氢原子形成碳-氢(C-H)键，然而，在TFT阵列制造过程中，在完成源/极干蚀刻之后，电负性(electrone-gativity)较强的氟原子取代氢原子，形成了碳- 氟键，电子被紧紧吸附在氟原子核周围，大大降低了有机填充层70表面自由能 (surface free energy)。根据固体表面亲水指数的公式计算，当指数小于 5mJ1/2/m时固体表面呈现疏水，当指数大于或接近5mJ1/2/m时固体表面呈现亲水，可知表面自由能的降低会导致疏水性增强。有机填充层70表面形成碳氟键，偏向疏水，但是平坦层80湿膜含有羟基(COOH)，羟基偏向亲水，因此有机填充层 70与平坦层80的亲疏水性不匹配，导致有机填充层70与平坦层80间的粘附性差容易出现平坦层80剥落现象。
透过本发明实施例亲疏水性匹配层200的设置，在有机填充层70与源极 135、漏极145间增加一层亲疏水性匹配层200。由于亲疏水性匹配层200是无机材料，其亲水性与疏水性的匹配能力可以避免有机填充层70与平坦层80之间碳氟键的产生，从而改善平坦层80脱落的现象。
进一步地，本发明更提供另一实施例，请参考图3，其显示本发明提供的显示面板另一实施例的结构示意图。部份结构与组件标号与图2实施例相同部份在此就略过不再重复陈述，仅就差异部份进行说明。
在此实施例中，直接将设置在有机填充层70与源极135、漏极145上方的平坦层80更换为亲疏水性匹配层200，也就是在设置有机填充层70与源极135、漏极145之后，接着设置亲疏水性匹配层200覆盖有机填充层70与源极135、漏极 145，接着再设置第一电极层310、像素定义层320、发光层330，以及第二电极层340。
可以理解的，参阅上述提供的实施例，其中的第一、第二电极层，如果第一电极层为阳极，则第二电极层为阴极；如果第一电极层为阴极，则第二电极层为阳极。
可选的，第一电极层可以为多层复合薄膜，所述多层复合薄膜包括依次设置的顶层氧化铟锡膜、银膜和底层氧化铟锡膜。
可选的，在第一电极层与第二电极层之间还可以包括空穴注入层和空穴传输层、电子注入层和电子传输层。
上述显示面板还可以包括封装盖板、填充的惰性气体等等，这里不再赘述。
虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括依次设置的柔性基板、缓冲层、半导体层、第一栅绝缘层、第一栅极、中间介电层、有机填充层、源极和漏极，其特征在于，所述阵列基板还包括：
亲疏水性匹配层设置于所述有机填充层与所述源极和所述漏极之间。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述亲疏水性匹配层为无机材料所组成。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述亲疏水性匹配层为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅与氮化硅的复合层。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述亲疏水性匹配层设置于所述有机填充层上方，并覆盖所述源极和所述漏极。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括平坦层设置于所述亲疏水性匹配层上方，并覆盖所述源极和所述漏极。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二栅绝缘层设置于所述第一栅绝缘层与所述中间介电层之间，以及第二栅极设置于所述第二栅绝缘层与所述中间介电层之间。
7.一种显示面板，包括:
阵列基板，所述阵列基板包括依次设置的柔性基板、缓冲层、半导体层、第一栅绝缘层、第一栅极、中间介电层、有机填充层、源极和漏极；
第一电极层设置于所述阵列基板上方；
像素定义层设置于所述阵列基板上方并部份覆盖所述第一电极层；发光层设置于所述第一电极层上方；以及第二电极层设置于所述发光层上方；
其特征在于，所述显示面板还包括：
亲疏水性匹配层设置于所述有机填充层与所述源极和所述漏极之间。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括平坦层设置于所述亲疏水性匹配层上方，并覆盖所述源极和所述漏极。
9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述亲疏水性匹配层为氧化硅层、氮化硅层、或氧化硅与氮化硅的复合层。
10.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述亲疏水性匹配层设置于所述有机填充层与所述第一电极层和部份所述像素定义层之间。
CN201911007975.6A 2019-10-22 2019-10-22 阵列基板及显示面板 Pending CN111063812A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911007975.6A CN111063812A (zh) 2019-10-22 2019-10-22 阵列基板及显示面板
US16/641,239 US20210391399A1 (en) 2019-10-22 2019-12-17 Array substrate and display panel
PCT/CN2019/126065 WO2021077582A1 (zh) 2019-10-22 2019-12-17 阵列基板及显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911007975.6A CN111063812A (zh) 2019-10-22 2019-10-22 阵列基板及显示面板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111063812A true CN111063812A (zh) 2020-04-24

Family

ID=70298430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911007975.6A Pending CN111063812A (zh) 2019-10-22 2019-10-22 阵列基板及显示面板

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20210391399A1 (zh)
CN (1) CN111063812A (zh)
WO (1) WO2021077582A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115268150A (zh) * 2022-07-19 2022-11-01 广州华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109166880A (zh) * 2018-07-25 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制备方法
CN109671719A (zh) * 2018-12-04 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN110112196A (zh) * 2019-05-20 2019-08-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110610948A (zh) * 2019-08-30 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180038600A (ko) * 2016-10-06 2018-04-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109638054B (zh) * 2018-12-18 2020-11-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及制作方法
CN110112186A (zh) * 2019-04-19 2019-08-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板以及显示装置
CN110112142B (zh) * 2019-04-29 2021-05-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制造方法、显示面板及电子装置
CN110112204B (zh) * 2019-06-05 2022-07-29 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109166880A (zh) * 2018-07-25 2019-01-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板及其制备方法
CN109671719A (zh) * 2018-12-04 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN110112196A (zh) * 2019-05-20 2019-08-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN110610948A (zh) * 2019-08-30 2019-12-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及显示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115268150A (zh) * 2022-07-19 2022-11-01 广州华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20210391399A1 (en) 2021-12-16
WO2021077582A1 (zh) 2021-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11005056B2 (en) Flexible display panel and manufacturing method for the same
US11152443B2 (en) Display panel having a storage capacitor and method of fabricating same
US10714624B2 (en) Thin-film transistor fabrication method for reducing size of thin-film transistor and pixel area
CN110416269B (zh) 一种显示面板和显示面板的制作方法
WO2019071751A1 (zh) Tft基板及其制作方法与oled面板的制作方法
US20120070919A1 (en) Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material
CN104779269B (zh) Oled显示器件
CN107819013B (zh) 显示面板及显示装置
US8084941B2 (en) Organic light emitting diode display having improved mechanical strength
CN108922979A (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
CN109360901B (zh) 一种显示装置、柔性oled显示面板及其制作方法
CN104779268B (zh) Oled显示器件
CN110112312B (zh) 显示面板及制作方法
CN109659347B (zh) 柔性oled显示面板以及显示装置
US8786180B2 (en) Display device
CN107731754B (zh) 一种有机电致发光显示面板及制备方法、显示装置
US6850000B1 (en) Thin film transistor organic light emitting diode structure
CN111244111A (zh) 阵列基板及显示装置
US20240040862A1 (en) Display panel and a display device
US8378569B2 (en) Organic light emitting diode display having improved strength by preventing the exfoliation of a sealant
CN104538421A (zh) Oled显示基板及其制造方法
CN111370366A (zh) 一种双面显示面板及制作方法
US10658400B2 (en) Method of manufacturing display device having a multilayered undercoating layer of silicon oxide and silicon nitride
CN111063812A (zh) 阵列基板及显示面板
WO2015180349A1 (zh) 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20200424

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication