CN103824918A - 均匀电流分布led - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种均匀电流分布LED，它包括位于底层的基底、位于基底上方的CBL层、覆盖于基底与CBL层上的ITO层、以及位于ITO层上的金属电极，CBL层与金属电极在垂直方向上相对应，ITO层上通过注入形成有氧离子区域，氧离子区域位于金属电极周围。由于采用上述技术方案，通过电极周围区域用离子注入的方式注入氧离子，从而提高了电极周围区域的电阻，从而帮助电流向电流扩展层的电阻阻值低的区域扩展，从而使得电流在整个TCL层上得到更好的扩展。同时，增加的氧可以提高电极周围区域的透光度，从而提高了亮度。<b/>

Description

均匀电流分布LED
技术领域
本发明涉及一种均匀电流分布LED。
背景技术
为了提高LED芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ITO芯片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作为P型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20％－30％。在众多可作为透明电极(TCL)的材料中，ITO(Indium Tin Oxide氧化铟锡)是被最广泛应用的一种，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率，由于ITO可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性，符合了导电性及透光性良好的要求。与其它透明的半导体导电薄膜相比，ITO具有良好的化学稳定性和热稳定性。对衬底具有良好的附着性和图形加工特性。ITO为一种N型氧化物半导体，作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。
现有技术中的LED芯片，首先是在外延片上沉积一层CBL，然后再沉积一层ITO作发光层。这样做可以减少电极下的电流密度，但不能保证电极外，尤其是远离电极处的电流的均匀性，造成的结果是LED芯片发光的不均匀。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术中LED芯片发光不均匀的技术问题，提供一种在发光面积内均匀出光的LED芯片。
为了达到上述技术目的，本发明提供了一种均匀电流分布LED，它包括位于底层的基底、位于所述的基底上方的CBL层、覆盖于所述的基底与CBL层上的ITO层、以及位于所述的ITO层上的金属电极，所述的CBL层与金属电极在垂直方向上相对应，所述的ITO层上通过注入形成有氧离子区域，所述的氧离子区域位于所述的金属电极周围。
优选地，所述的氧离子区域的氧离子浓度从中心向外侧逐渐增高。
优选地，所述的基底为P-GaN层。
由于采用上述技术方案，通过电极周围区域用离子注入的方式注入氧离子，从而提高了电极周围区域的电阻，从而帮助电流向电流扩展层的电阻阻值低的区域扩展，从而使得电流在整个TCL层上得到更好的扩展。同时，增加的氧可以提高电极周围区域的透光度，从而提高了亮度。  
附图说明
附图1为根据本发明的均匀电流分布LED的结构示意图；
附图2为根据本发明的均匀电流分布LED的生产加工流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
附图1为根据本发明的均匀电流分布LED的结构示意图，附图2为根据本发明的均匀电流分布LED的生产加工流程示意图。
如附图1所示，本实施例中的均匀电流分布LED，它包括位于底层的基底、位于基底上方的CBL层、覆盖于基底与CBL层上的ITO层、以及位于ITO层上的金属电极，CBL层与金属电极在垂直方向上相对应，ITO层上通过注入形成有氧离子区域，氧离子区域位于金属电极周围，其中，基底为P-GaN层。
参见附图2所示，首先在P-GaN基层上沉积CBL层，之后在有CBL层的外延片上沉积ITO层，然后在预做电极区域包括周围一定范围内的区域暴露，其他区域用光掩模掩蔽起来，用离子注入的方式对暴露区域进行氧离子注入；然后去除掩模、退火，然后制作芯片其他部分即可。这样，通过电极周围区域用离子注入的方式注入氧离子，从而提高了电极周围区域的电阻，从而帮助电流向电流扩展层的电阻阻值低的区域扩展，从而使得电流在整个TCL层上得到更好的扩展。同时，增加的氧离子可以提高电极周围区域的透光度，从而提高了亮度。
需要指出的是，作为一种可选择的方案，氧离子区域的氧离子浓度可以从中心向外侧逐渐增高，例如通过多次的曝光、注入制程，形成具有一定浓度梯度的氧离子区域，从而使得ITO层的电阻从中心到外侧逐渐降低，以实现更加均匀的电流分布的效果。
以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (3)

1.一种均匀电流分布LED，它包括位于底层的基底、位于所述的基底上方的CBL层、覆盖于所述的基底与CBL层上的ITO层、以及位于所述的ITO层上的金属电极，所述的CBL层与金属电极在垂直方向上相对应，其特征在于：所述的ITO层上通过注入形成有氧离子区域，所述的氧离子区域位于所述的金属电极周围。
2.根据权利要求1所述的均匀电流分布LED，其特征在于：所述的氧离子区域的氧离子浓度从中心向外侧逐渐增高。
3.根据权利要求1所述的均匀电流分布LED，其特征在于：所述的基底为P-GaN层。
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PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
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C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: 215123 Suzhou Province Industrial Park, Jiangsu new road, No. 8

Applicant after: FOCUS LIGHTINGS TECHNOLOGY CO., LTD.

Address before: 215123 Suzhou Province Industrial Park, Jiangsu new road, No. 8

Applicant before: Focus Lightings Tech Inc.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: FOCUS LIGHTING (SUZHOU) CO., LTD. TO: FOCUS LIGHINGS TECHNOLOGY CO., LTD.

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140528