CN103872205B - 均匀发光led - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种均匀发光LED，它包括位于底层的基底、位于所述的基底上方的CBL层、覆盖于所述的基底与CBL层上的ITO层、以及位于所述的ITO层上的金属电极，所述的CBL层与金属电极在垂直方向上相对应，所述的ITO层的厚度从中心向外侧逐渐增高。本发明提供了本发明的目的是解决现有技术中LED芯片发光不均匀的技术问题，提供一种在发光面积内均匀出光的LED芯片。

Description

均匀发光LED
技术领域
本发明涉及一种均匀发光LED。
背景技术
为了提高LED芯片的出光效率，人们想了许多办法。比如，当前市场上出现了许多亮度较高的ITO芯片的LED，GaN基白光LED中如果用ITO替代Ni/Au作为P型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20％－30％。在众多可作为透明电极(TCL)的材料中，ITO(Indium Tin Oxide氧化铟锡)是被最广泛应用的一种，ITO薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指标:电阻率和透光率，由于ITO可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性，符合了导电性及透光性良好的要求。与其它透明的半导体导电薄膜相比，ITO具有良好的化学稳定性和热稳定性。对衬底具有良好的附着性和图形加工特性。ITO为一种N型氧化物半导体，作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射，紫外线及远红外线。
现有技术中的LED芯片，首先是在外延片上沉积一层CBL，然后再沉积一层ITO作发光层。这样做可以减少电极下的电流密度，但不能保证电极外，尤其是远离电极处的电流的均匀性，造成的结果是LED芯片发光的不均匀。
发明内容
本发明的目的是解决现有技术中LED芯片发光不均匀的技术问题，提供一种在发光面积内均匀出光的LED芯片。
为了达到上述技术目的，本发明提供了一种均匀发光LED，它包括位于底层的基底、位于所述的基底上方的CBL层、覆盖于所述的基底与CBL层上的 ITO 层、以及位于所述的ITO层上的金属电极，所述的 CBL 层与 金属电极在垂直方向上相对应， 所述的ITO层的厚度从中心向外侧逐渐增高。
优选地，所述的ITO层的厚度从中心向外侧呈阶梯状逐渐增高。
优选地，所述的基底为P-GaN层。
由于采用上述技术方案， 通过制作呈现梯度分布的ITO扩展层，从而使电流在整个TCL层上得到更好的扩展, 使得LED 芯片在发光面积内均匀出光。
附图说明
附图1为根据本发明的均匀发光LED的结构示意图；
附图2为根据本发明的均匀发光LED的生产加工流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
附图1为根据本发明的均匀发光LED的结构示意图，附图2为根据本发明的均匀发光LED的生产加工流程示意图。
如附图1所示，本实施例中的均匀发光LED，它包括位于底层的基底、位于基底上方的CBL层、覆盖于基底与CBL层上的 ITO 层、以及位于ITO层上的金属电极， CBL 层与 金属电极在垂直方向上相对应， ITO 层的厚度从中心向外侧逐渐增高，其中，基底为P-GaN层。
ITO 导电膜是指采用磁控溅射的方法（ITO 薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等, 但使用最多的是反应磁控溅射法），在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO膜层的厚度不同，膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说，在相同的工艺条件和性能相同的PET基底材料的情况下，ITO膜层越厚，PET-ITO膜的表面电阻越小，光透过率也相应的越小。需要指出的是，本发明中的ITO层的厚度从中心向外侧逐渐增高的方式可以是线性的或者非线性的，但是由于工艺、成本等限制，ITO层的厚度从中心向外侧呈阶梯状逐渐增高方式为较佳的方式。参见附图2所示，首先在P-GaN基层上沉积CBL层，之后再沉积ITO层，通过多步镀膜与光刻的方式来达到制造阶梯的形貌（本实施例中以两步为例），从而形成靠近电极处的ITO薄，然后随着离电极处的距离越远，ITO厚度越厚。这样，通过改变ITO层的厚度来调节发光层的电阻，使电流的流通扩展性变强，从而实现本发明的目的。
以上实施方式只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。

Claims (2)

1.一种均匀发光 LED，它包括位于底层的基底、位于所述的基底上方的 CBL 层、覆盖于所述的基底与 CBL 层上的 ITO 层、以及位于所述的 ITO 层上的金属电极，所述的 CBL 层与金属电极在垂直方向上相对应，其特征在于 ：所述的 ITO 层的厚度从中心向外侧逐渐增高，所述ITO层上方设有凹陷设置的大于金属电极宽度的金属电极收容区，所述ITO层具有位于CBL层正上方的第一厚度、位于CBL层旁侧的第二厚度、以及远离所述CBL层的第三厚度，第一厚度、第二厚度及第三厚度呈阶梯状逐渐增高。
2.根据权利要求 1 所述的均匀发光 LED，其特征在于 ：所述的基底为 P-GaN 层。
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