CN111556678A - 复合板材及其制备方法、壳体和电子设备 - Google Patents

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张迅
向军
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徐彬彬
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Abstract

本发明涉及一种复合板材及其制备方法、壳体和电子设备。该复合板材包括基材层、打底层和铜层，基材层的材料为塑料，打底层位于基材层上，打底层的材料选自金属及金属氧化物中的至少一种，铜层位于打底层远离基材层的一侧的表面。上述复合板材的铜层与基材层的附着力强，不易从基材层上脱落。

Description

复合板材及其制备方法、壳体和电子设备
技术领域
本发明涉及镀膜技术领域，特别是涉及一种复合板材及其制备方法、壳体和电子设备。
背景技术
5G通信将采用3Ghz以上的频谱，其毫米波的波长很短，对金属敏感，传统的金属化壳体及金属化线路容易对其信号产生干扰，因此5G产品(例如手机)的壳体去金属化趋势逐步加快，塑料壳体再次成为研究热点。
一般地，塑料壳体上的金属线路层的制备方法主要是在壳体上直接镀上金属，例如在塑料壳体上直接镀铝形成具有铝质线路的壳体。由于铜的导电性能好于铝，因此制备高品质的线路往往选择铜作为原料。但目前塑料壳体上的铜质线路往往与塑料基材的结合力不牢，容易从塑料基材上脱落。
发明内容
基于此，有必要提供一种铜层不易脱落的复合板材。
此外，还有必要提供一种铜层不易脱落的复合板材的制备方法、由该复合板材制备的壳体及包括该壳体的电子设备。
一种复合板材，包括：
基材层，所述基材层的材料为塑料；
打底层，位于所述基材层上，所述打底层的材料选自金属及金属氧化物中的至少一种；
铜层，位于所述打底层远离所述基材层的一侧的表面。
上述复合板材的铜层与基材层之间设有增强铜层与基材层之间的结合力的打底层，使得铜层不易从基材层脱落。
在其中一个实施例中，所述打底层的材料选自锆、锆氧化物、钼、钼氧化物、镍及镍氧化物中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述打底层的材料选自锆、镍中的至少一种；或所述打底层的材料选自锆氧化物、钼氧化物及镍氧化物中的至少一种。
在其中一个实施例中，基材层的材料选自聚甲基丙烯酸甲酯和聚碳酸酯中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述打底层的厚度为5nm～15nm；
及/或，所述基材层的厚度为0.2mm～0.8mm。
在其中一个实施例中，所述铜层为图案化的铜层。
一种复合板材的制备方法，包括以下步骤：
在基材层上沉积打底层，所述基材层的材料为塑料，所述打底层的材料选自锆、锆氧化物、钼、钼氧化物、镍及镍氧化物中的至少一种；及
在所述打底层远离所述基材层的一侧镀铜，得到铜层。
在其中一个实施例中，采用磁控溅射法在所述打底层远离所述基材层的一侧镀铜，所述磁控溅射在温度不高于超过50℃的条件下进行，所述磁控溅射的功率为1kW～5kW；及/或，
在所述打底层远离所述基材层的一侧镀铜的步骤之后，还包括蚀刻所述铜层以形成线路的步骤。
一种壳体，所述壳体由上述的复合板材或上述的复合板材的制备方法制得的复合板材制成。
一种电子设备，包括上述的壳体。
附图说明
图1为一实施方式的复合板材的示意图。
附图标记：
10：复合板材；110：基材层；120：打底层；130：铜层。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本发明公开内容更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。
请参阅图1，本发明一实施方式提供一种复合板材10，该复合板材10包括基材层110、打底层120及铜层130，该复合板材10的铜层130与基材层110之间设有增强铜层130与基材层110之间的结合力的打底层120，使得铜层130不易从基材层110脱落。具体地：
基材层110为塑料，用于承载其上的膜层。可以理解的，本领域常用的塑料均可作为基材层的材料。由于该复合板材10的基材层为塑料，含有的金属很少，可满足5G产品的需求。
在其中一个实施例中，基材层110的材料选自聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚碳酸酯(PC)中的至少一种。
在其中一个实施例中，基材层110的材料为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚碳酸酯。具体地，基材层110为PC+PMMA复合板材。具体地，基材层110包括PC层和层叠于PC层的PMMA层，打底层120层叠于PC层上。在其中一个实施例中，基材层110包括两个PMMA层，两个PMMA层分别层叠于PC层相对的两个表面上，打底层120层叠于PMMA层上。
在其中一个实施例中，基材层110的厚度为0.2mm～0.8m。当然，在其他实施例中，基材层110的厚度可以根据实际需求进行调整。
打底层120位于基材层110上，用于提高基材层110与铜层130的之间的粘附力。打底层120的材料选自金属及金属氧化物中的至少一种。
在其中一个实施例中，打底层120的材料选自金属及金属氧化物中的一种。
在其中一个实施例中，打底层120的材料选自锆、锆氧化物、钼、钼氧化物、镍及镍氧化物中的至少一种。
在其中一个实施例中，打底层120的材料选自锆、镍和钼中的至少一种。
在其中一个实施例中，打底层120的材料选自锆、镍和钼中的一种。
在其中一个实施例中，打底层120的材料选自锆氧化物、钼氧化物及镍氧化物中的至少一种。
在其中一个实施例中，打底层120的材料选自锆氧化物、钼氧化物及镍氧化物中的一种。
在其中一个实施例中，打底层120的厚度为5nm～15nm。进一步地，打底层120的厚度为8nm～12nm。
在其中一个实施例中，基材层110的材料为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚碳酸酯，基材层110的厚度为0.2mm～0.8m；打底层120的材料选自锆、镍和钼中的至少一种，打底层120的厚度为5nm～15nm。
在其中一个实施例中，基材层110的材料为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚碳酸酯，基材层110的厚度为0.2mm～0.8m；打底层120的材料选自锆氧化物、钼氧化物及镍氧化物中的至少一种，打底层120的厚度为5nm～15nm。
铜层130位于打底层120远离基材层110的一侧的表面。
在其中一个实施例中，铜层130为图案化的铜层130，该铜层130可作为天线。与传统的需要将天线设置专门的模块，占用空间相比，将天线等线路设置在复合板材10上，更节约空间。
在其中一个实施例中，铜层130的厚度为能够达到10μm。
在其中一个实施例中，基材层110的材料为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚碳酸酯，基材层110的厚度为0.2mm～0.8m；打底层120的材料选自锆、镍和钼中的至少一种，打底层120的厚度为5nm～15nm；铜层130的厚度为2μm～10μm。
在其中一个实施例中，基材层110的材料为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和聚碳酸酯，基材层110的厚度为0.2mm～0.8m；打底层120的材料选自锆氧化物、钼氧化物及镍氧化物中的至少一种，打底层120的厚度为5nm～15nm；铜层130的厚度为2μm～10μm。
本发明还提供一种上述复合板材10的制备方法，包括以下步骤：
步骤S110、在基材层110上沉积形成打底层120。
具体地，采用磁控溅射法或蒸镀法在基材层110上沉积打底层120。基材层110的材料和厚度如上述，打底层120的材料和厚度也如上述，此处不再赘述。根据需要制备的打底层120的材料和厚度选择靶材及制备条件。例如，锆氧化物、钼氧化物和镍氧化物分别由对应的靶材与氧气反应而制得。
在其中一个实施例中，在基材层110上沉积打底层120的步骤之前，还包括将基材层110清洁的步骤。
在其中一个实施例中，在基材层110上沉积打底层120，打底层120的靶材由需要制备的打底层120的材料而选择。采用磁控溅射法在基材层110上沉积打底层120的步骤中，磁控溅射的功率为1kW～5kW，磁控溅射的时间为5min～60min。进一步地，磁控溅射的功率为1kW～2kW，磁控溅射的时间为10min～20min。当然，在其他一些实施例中，磁控溅射的功率和时间可以通过实际需要制备的打底层120的厚度进行调整。
步骤S120、在打底层120远离基材层110的一侧镀铜，得到铜层130。
具体地，采用磁控溅射法在打底层120远离基材层110的一侧镀铜，得到铜层130。在采用磁控溅射法在打底层120远离基材层110的一侧镀铜的步骤中，开启冷泵，使得磁控溅射在不超过50℃条件下进行；磁控溅射的功率为1kW～5kW。进一步地，在磁控溅射时，基材层110的温度为15℃～35℃。按照上述条件制备铜层130能够使得含有打底层120的复合板材10不易发生形变，从而提高铜层130的附着力，使得铜不易脱落。
在其中一个实施例中，在采用磁控溅射法在打底层120远离基材层110的一侧镀铜的步骤中，磁控溅射的功率为1kW～5kW。进一步地，磁控溅射的功率为1kW～3kW。
在其中一个实施例中，在采用磁控溅射法在打底层120远离基材层110的一侧镀铜的步骤中，磁控溅射在15℃～35℃的条件下进行，磁控溅射的功率为1kW～5kW。
在其中一个实施例中，在采用磁控溅射法在打底层120远离基材层110的一侧镀铜的步骤之后，还包括蚀刻铜层130以形成线路的步骤。采用蚀刻使得形成的线路能够达到微纳米级别，提高线路的精准度的同时还进一步减少了金属的使用，进一步地提高了上述复合板材10的性能。
具体地，蚀刻的步骤包括：将具有铜层130的复合板材10按照预设图案曝光，然后显影，蚀刻，得到含有图案化的铜层130复合板材10。更具体地，曝光量为30mj～200mj。需要说明的是，预设图案为根据实际需求而设计。例如需要制备天线，则根据天线的线路设计预设图案。在其中一个实施例中，显影的步骤中的显影液为NH4OH，电导率为10ms/cm3～100ms/cm3。在蚀刻的步骤中，蚀刻溶液为磷酸、硝酸、醋酸和水的混合溶液，磷酸、硝酸、醋酸和水的质量之比为：(45～75)：(5～10)：(3.5～7.5)：(7.5～46.5)。当然，在其他实施例中，显影液和蚀刻溶液的选择不限于上述，可根据具体情况进行调整。
需要说明的是，在打底层120具有导电性时，在蚀刻铜层130时也需要将打底层120一起蚀刻，得到由打底层120和铜层130共同形成的线路。当然，在打底层120不具有导电性时，不必将打底层120也蚀刻。
在其中一个实施例中，在采用磁控溅射法在打底层120远离基材层110的一侧镀铜的步骤之后，还包括将复合板材10压铸成型的步骤。具体地，采用高压压铸成型。
本发明一实施方式还提供一种壳体，该壳体由上述复合板材或上述复合板材的制备方法制得的复合板材制成。
具体地，该壳体为手机盖板。
上述壳体由于由上述复合板材制得，铜层不易与基材层脱落，使得上述电子设备的壳体具有良好的使用寿命和性能。
本发明一实施方式还提供一种电子设备，包括上述壳体。
上述电子设备包括上述壳体，也具有相应的优良性能。
以下结合具体实施例进行详细说明。以下实施例如未特殊说明，则不包括除不可避免的杂质外的其他组分。实施例中采用药物和仪器如非特别说明，均为本领域常规选择。实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规条件，例如文献、书本中所述的条件或者生产厂家推荐的方法实现。
实施例1～实施例30
(1)将各实施例的基材层进行预处理以清洁表面，其中，实施例1～30的基材层均为PC+PMMA复合板。
(2)运用磁控溅射法，在实施例1～4的基材层的PC层的表面上分别采用如表1所示的镀膜条件镀铜，得到实施例1～4的含有铜层的复合板材。
(3)运用磁控溅射法，在实施例4～30的基材层的PC层的表面上分别按照表1所示的打底层的材料选择对应的靶材沉积打底层，并采用磁控溅射法沉积10nm厚的打底层，得到实施例4～30的含有打底层的复合板材。其中，实施例4～30的磁控溅射的功率为1KW，磁控溅射的时间为20min；当然，在沉积实施例18～30的打底层时需通入氧气，以制备各实施例对应的氧化物。
(4)采用磁控溅射法，在实施例4～30的含有打底层的复合板材上分别镀铜，得到各实施例对应的铜层，各实施例的镀铜条件如表1所示。
(5)采用百格测试GBT9286-1998实施例1～30的含有铜层的复合板材中铜层的附着力，结果如表1所示。
表1
Figure BDA0002459423640000071
Figure BDA0002459423640000081
对比表1的实施例1～4与实施例5～30发现，打底层可以提高铜层与PC+PMMA复合板的结合力。对比实施例5和实施例9、或对比实施例6和实施例10、或对比实施例7和实施例11、或对比实施例8和实施例12可知，降低镀铜的磁控溅射功率有利于提高铜层与PC+PMMA复合板的结合力。对比实施例5和实施例13、或对比实施例6和实施例14可知，开启冷泵有利于提高铜层与PC+PMMA复合板的结合力。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种复合板材，其特征在于，包括：
基材层，所述基材层的材料为塑料；
打底层，位于所述基材层上，所述打底层的材料选自金属及金属氧化物中的至少一种；
铜层，位于所述打底层远离所述基材层的一侧的表面。
2.根据权利要求1所述的复合板材，其特征在于，所述打底层的材料选自锆、锆氧化物、钼、钼氧化物、镍及镍氧化物中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的复合板材，其特征在于，所述打底层的材料选自锆、镍中的至少一种；或所述打底层的材料选自锆氧化物、钼氧化物及镍氧化物中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的复合板材，其特征在于，基材层的材料选自聚甲基丙烯酸甲酯和聚碳酸酯中的至少一种。
5.根据权利要求1～4任一项所述的复合板材，其特征在于，所述打底层的厚度为5nm～15nm；
及/或，所述基材层的厚度为0.2mm～0.8mm。
6.根据权利要求1～4任一项所述的复合板材，其特征在于，所述铜层为图案化的铜层。
7.一种复合板材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基材层上沉积打底层，所述基材层的材料为塑料，所述打底层的材料选自锆、锆氧化物、钼、钼氧化物、镍及镍氧化物中的至少一种；及
在所述打底层远离所述基材层的一侧镀铜，得到铜层。
8.根据权利要求7所述的复合板材的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射法在所述打底层远离所述基材层的一侧镀铜，所述磁控溅射在温度不高于超过50℃的条件下进行，所述磁控溅射的功率为1kW～5kW；及/或，
在所述打底层远离所述基材层的一侧镀铜的步骤之后，还包括蚀刻所述铜层以形成线路的步骤。
9.一种壳体，其特征在于，所述壳体由权利要求1～6任一项所述的复合板材或权利要求7～8任一项所述的复合板材的制备方法制得的复合板材制成。
10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求9所述的壳体。
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