CN111554337B - 电阻式存储器及控制方法 - Google Patents

Abstract

一种电阻式存储器及控制方法，该电阻式存储器包括一第一存储电路、一验证电路、一第二存储电路以及一控制电路。第一存储电路具有多个存储单元组。每一存储单元组具有至少一个存储单元。验证电路耦接至第一存储电路，验证对所述多个存储单元中至少一个所执行的一特定操作是否成功。第二存储电路具有多个旗标位。每一旗标位储存对应每一存储单元组的旗标状态。控制电路耦接验证电路、第一存储电路以及第二存储电路。所述多个旗标位的每一个旗标位的初始状态为第一旗标状态。在一重置期间，控制电路根据一存储单元组所对应的一旗标位的旗标状态决定对存储单元组中的一第一存储单元执行一第一重置操作或是一第二重置操作。

Description

电阻式存储器及控制方法

技术领域

本发明有关于一种存储装置，特别是有关于一种电阻式存储器及控制方法。

背景技术

非易失性存储器具有存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此是许多电器产品维持正常操作所必备的存储器件元件。目前，电阻式存储器是业界积极发展的一种非易失性存储器，其具有写入操作电压低、写入抹除时间短、记忆时间长、非破坏性读取、多状态存储、结构简单以及体积小等优点，未来在个人电脑和电子设备上极具应用潜力。

一般来说，电阻式存储器需要具有明显的感测窗(sense window)，使电阻式存储器具有明显的数据鉴别度。一种已知方法是，可通过在重置操作时施加较大的重置电压以得到明显的感测窗。然而，持续使用较大的重置电压进行重置操作虽可得到明显的感测窗，但却会使得装置快速劣化，降低装置的耐操度(endurance)。

发明内容

本发明提供一种电阻式存储器，包括一第一存储电路、一验证电路、一第二存储电路以及一控制电路。第一存储电路具有多个存储单元组。每一存储单元组具有至少一个存储单元。验证电路耦接至第一存储电路，验证对所述多个存储单元中的至少一个所执行的一特定操作是否成功。第二存储电路具有多个旗标位。每一旗标位储存对应于每一存储单元组的旗标状态。控制电路耦接验证电路、第一存储电路以及第二存储电路。所述多个旗标位的每一个旗标位的初始状态为一第一旗标状态。在一重置期间，控制电路根据一存储单元组所对应的一旗标位的旗标状态决定对存储单元组中的一第一存储单元执行一第一重置操作或是一第二重置操作。当旗标位具有第一旗标状态时，控制电路执行第一重置操作。当旗标位具有一第二旗标状态时，控制电路执行第二重置操作。

本发明另提供一种控制方法，适用于一种电阻式存储器。电阻式存储器至少包括多个存储单元组以及多个旗标位。每一旗标位具有对应于所述多个存储单元组中的一个存储单位组的旗标状态。本发明提出的控制方法包括：选择一存储单元组中的一第一存储单元；判断对应该存储单元组的该旗标位是否具有一预设旗标状态；当该旗标位具有该预设旗标状态时，对该存储单元进行一第一重置操作；以及当该旗标位不具有该预设旗标状态时，对该存储单元进行一第二重置操作。

本发明能判断任一存储单元是否出现劣化的现象，且可增加电阻式存储器的耐受力、可靠度及性能。

附图说明

图1为本发明的电阻式存储器的一可能实施例；

图2为本发明的电阻式存储器的设置方法的流程示意图；

图3为本发明的电阻式存储器的设置方法的另一流程示意图；

图4为本发明的电阻式存储器的重置方法的流程示意图。

附图标记：

100：电阻式存储器

110：控制电路

120：验证电路

130、140：存储电路

131～13m：存储单元

MG0～MGn：存储单元组

F0～Fn：旗标位

Vs1、Vs2：设置电压

Vis1、Vis2：反相设置电压

Vr1、Vr1’、Vr2、Vr2’：重置电压

S211～S214、S219～S221、S311～S321、S410、S420～S425、S430～S435、S440：步骤

具体实施方式

为让本发明的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出实施例，并配合所附图式，做详细的说明。本发明说明书提供不同的实施例来说明本发明不同实施方式的技术特征。其中，实施例中的各元件的配置为说明之用，并非用以限制本发明。另外，在本发明所指的电压大小是指所述电压的脉冲在强度、振幅、或宽度的大小。举例而言，当叙述第一电压在实质上大于第二电压时，指第一电压的电压脉冲可在强度、振幅、或宽度上大于第二电压。

图1为本发明的电阻式存储器的一可能实施例。如图所示，电阻式存储器100包括一控制电路110、验证电路120以及存储电路130及140。存储电路130具有存储单元组MG0～MGn。存储单元组MG0～MGn构成一存储阵列(memory array)。在一实施例中，存储单元组MG0～MGn的每一个都具有多个存储单元131～13m(memory cell)，且每一存储单元组可具有相同数量的存储单元。举例而言，存储单元组MG0～MGn的每一个可各具有32个存储单元，但本发明不限于此，存储单元组MG0～MGn的每一个也可具有更多或更少的存储单元。在另一实施例中，每一存储单元组可各自具有不同数量的存储单元。举例而言，存储单元组MG0可具有4个存储单元，存储单元组MG1可具有8个存储单元，存储单元组MG2可具有16个存储单元……等，以此类推。

存储电路140储存旗标位(flag bit)F0～Fn。旗标位F0～Fn分别对应存储单元组MG0～MGn。举例而言，旗标位F0对应存储单元组MG0，旗标位F1对应存储单元组MG1，旗标位Fn对应存储单元组MGn，以此类推。旗标位F0～Fn的每一个都具有一第一旗标状态或一第二旗标状态。以旗标位F0为例，当旗标位F0为第一数值(如0或1)时，表示旗标位F0具有第一旗标状态。当旗标位F0为第二数值(如1或0)时，表示旗标位F0具有第二旗标状态。在一实施例中，旗标位F0～Fn的初始状态为第一旗标状态。在此是以旗标位具有两种旗标状态为例进行说明，但本发明不限于此，本领域人员亦可根据不同的设计使旗标位具有多种旗标状态。

验证电路120耦接至存储电路130，用以执行一验证步骤。该验证步骤是判断对存储电路130中的存储单元进行的一特定操作是否成功，并将判断结果提供给控制电路110。举例而言，在一实施例中，当对存储电路130中的一存储单元进行一特定操作时，验证电路120可根据流经该存储单元的电流与一预设的验证电流的比较结果，判断对该存储单元所进行的特定操作是否成功。在另一实施例中，当对存储电路130中的一存储单元组进行一特定操作时，验证电路120可逐一将流经该存储单元组中所有存储单元的电流与一预设的验证电流的比较，并根据比较结果判断对该存储单元组进行的特定操作是否成功。本发明并不限定验证电路120如何读取流经存储电路130中的存储单元的电流。在一可能实施例中，验证电路120先提供一电流予存储电路130的一特定存储单元，再读取流经该存储单元的电流，并将读取结果与预设的验证电流进行比较。

控制电路110耦接验证电路120、存储电路130以及存储电路140。在本实施例中，控制电路110根据验证电路120的判断结果，施加适当的电压，例如设置电压(如Vs1或Vs2)、反相设置电压(如Vis1或Vis2)、或重置电压(如Vr1、Vr1’、Vr2、或Vr2’)予存储电路130。在本实施例中，控制电路110还根据验证电路120的判断结果，调整旗标位F0～Fn的旗标状态。

在一设置期间(set period)，控制电路110对存储阵列130中的一存储单元(例如存储单元131)进行一设置操作(set operation)，并通过验证电路120判断该存储单元是否设置成功。若是，控制电路110结束设置操作。若否，控制电路110可能继续进行设置操作的其他步骤并判断对该存储单元进行的设置操作是否成功，或者判定对该存储单元进行的设置操作失败并结束设置操作。

特别说明的是，本发明的设置操作至少包括一施加设置电压(例如Vs1或Vs2)的步骤、一施加反相设置电压(例如Vis1或Vis2)的步骤以及在每次施加电压后判断设置操作是否成功的多个验证步骤。以设置电压Vs1与反相设置电压Vis1为例，设置电压Vs1与反相设置电压Vis1的相位相反，且设置电压Vs1大小的绝对值大于反相设置电压Vis1大小的绝对值。在一实施例中，施加设置电压Vs1的步骤例如是通过对耦接至存储单元(例如存储单元131)的字线施加一栅极电压、对耦接至存储单元的位线施加设置电压Vs1，并将耦接至存储单元的源极线接地进行。另外，施加反相设置电压Vis1的步骤例如是通过对耦接至存储单元(例如存储单元131)的字线施加一栅极电压、对耦接至存储单元的源极线施加反相设置电压Vis1，并将耦接至存储单元的位线接地进行。

值得注意的是，本发明的施加反相设置电压(例如Vis1或Vis2)的步骤是在施加设置电压(例如Vs1或Vs2)后的验证步骤判断出设置操作不成功后才进行的。其中，需进一步说明的是，因电阻式存储器在执行上述施加设置电压的步骤后，有一定数量的氧离子可能卡在存储单元的传导灯丝(conducting filament)与上电极的连接面上，使得在施加设置电压的步骤后，流经存储单元的电流仍无法达一目标值，导致设置操作不成功。因此，本发明会在施加设置电压后的验证步骤判断出设置操作不成功时，执行施加反相设置电压的步骤。此处，施加反相设置电压的步骤用以推开卡在连接面上的氧离子，使得流经存储单元的电流可以有效增加。然而，如果在施加反相设置电压后，仍发现无法使流经存储单元的电流有效增加，则代表存储单元开始出现劣化的倾向。

在本发明的一实施例中，若对存储单元(例如存储单元131)进行设置操作，并在施加反相设置电压后的验证步骤前，成功地设置存储单元时，则该存储单元所属存储单元组(存储单元组MG0)对应的旗标位(旗标位F0)维持为第一旗标状态。然而，若对该存储单元进行设置操作，并在施加反相设置电压Vis1后的验证步骤后仍未成功设置该存储单元时，则控制电路110会将该存储单元所属存储单元组对应的旗标位(旗标位F0)调整为第二旗标状态。在本发明的另一实施例中，当设置操作包括多个施加反相设置电压Vis的步骤时，控制电路110可以根据设计需求选择性地在任一施加反相设置电压(例如Vis1或Vis2)后的验证步骤判断出仍未成功设置该存储单元时，才将对应的旗标位调整为第二旗标状态。

在一重置期间，控制电路110根据一存储单元(例如存储单元132)所属存储单元组(存储单元组MG0)对应的旗标位(旗标位F0)，对该存储单元进行不同的重置操作(resetoperation)，并通过验证电路120，判断对该存储单元的重置操作是否成功。若是，控制电路110结束重置操作。若否，控制电路110可能继续进行重置操作的其他步骤并判断对该存储单元的重置操作是否成功，或者判定对该存储单元的重置操作失败并结束重置操作。

在本发明的一实施例中，当旗标位具有第一旗标状态时，控制电路110输出一正常的重置电压(例如Vr1)，用以对该存储单元进行一第一重置操作。当旗标位具有第二旗标状态时，表示此时存储单元已开始出现劣化的倾向，因此，控制电路110输出较弱的重置电压(例如Vr1’)，用以对存储单元进行一第二重置操作，避免存储单元加速劣化。

特别说明的是，本发明的重置操作至少包括一施加重置电压(例如Vr1)的步骤以及在每次施加电压后判断重置操作是否成功的至少一验证步骤。以重置电压Vr1为例，重置电压Vr1与反相设置电压Vis1的相位相同，且重置电压Vr1大小的绝对值大于反相设置电压Vis1大小的绝对值。在一实施例中，重置电压Vr1的大小介于反相设置电压Vis1的4/3～2倍之间。在一实施例中，施加重置电压Vr1的步骤例如是通过对耦接至存储单元(例如存储单元132)的字线施加栅极电压，对耦接至存储单元的源极线施加重置电压，并将耦接至存储单元的位线接地进行。

图2为本发明的电阻式存储器的设置方法的流程示意图。假设，控制电路110对存储单元131进行一设置操作。首先，控制电路110对存储单元131施加一设置电压Vs1(步骤S211)。在一实施例中，设置电压Vs1为一正电压。

接着，验证电路120执行一验证步骤，以判断设置操作是否成功(步骤S212)，并将判断结果提供给控制电路110。在本实施例的验证步骤中，验证电路120可通过比较流经存储单元131的电流是否大于等于一预设的验证电流Ivfy1以判断设置操作是否成功。即当流经存储单元131的电流大于等于验证电流Ivfy1时，表示设置操作成功。相反地，当流经存储单元131的电流小于验证电流Ivfy1时，表示设置操作不成功，此时，控制电路110可能继续进行设置操作的下一步骤或判定设置操作失败而结束设置操作。

当判断出设置操作成功时，控制电路110结束设置操作(步骤S221)。然而，当判断出设置操作不成功时，控制电路110对存储器131施加一反相设置电压Vis1(步骤S213)。在一实施例中，反相设置电压Vis1为一负电压。在另一实施例中，反相设置电压Vis1的绝对值小于设置电压Vs1的绝对值。

接着，验证电路120再次执行验证步骤以判断设置操作是否成功(步骤S214)，并将判断结果提供给控制电路110。当判断出设置操作成功时，控制电路110结束设置操作(步骤S221)。然而，当验证电路120再次判断出设置操作不成功时，控制电路110则将存储单元131所属存储单元组MG0对应的旗标位F0设定为第二旗标状态(步骤S219)。此时，由于存储单元131可能已经发生故障，因此控制电路110判定设置操作失败并结束设置操作(步骤S220)。

在一些实施例中，在执行步骤S219时，控制电路110亦可继续执行设置操作的其他步骤并持续判断设置操作是否成功，直到设置操作中预设的所有步骤都执行完后，仍未判断出设置操作成功时，才执行步骤S220。

在此说明的是，当步骤S213对存储单元131施加的反相设置电压Vis1未能使对存储单元131的设置操作成功时(即步骤S214判断出设置操作不成功)，表示存储单元131及所属存储单元组MG0的其他存储单元132～13m可能已经出现劣化的倾向，因此本发明在步骤S219时会将存储单元131所属存储单元组MG0对应的旗标位F0设定为第二旗标状态。

图3绘示本发明的电阻式存储器的设置方法的另一流程示意图。图3相似于图2，不同之处在于图3多了步骤S315～S318。其中，由于图3的步骤S311～S314相同于图2的步骤S211～S214，且步骤S319～S321相同于图2的步骤S219～S221，故不再赘述。

请参照图3，在步骤S315中，当步骤S314判断出设置操作不成功时，控制电路110对存储单元131施加设置电压Vs2。在一实施例中，设置电压Vs2为一正电压。在一实施例中，设置电压Vs2的大小可能相同或大于设置电压Vs1。

接着，验证电路120执行验证步骤以判断设置操作是否成功(步骤S316)，并将判断结果提供给控制电路110。当判断出设置操作成功时，控制电路110结束设置操作(步骤S321)。当判断出设置操作不成功时，控制电路110对存储单元131施加一反相设置电压Vis2(步骤S317)。在本实施例中，反相设置电压Vis2为一负电压。且反相设置电压Vis2大小的绝对值在实质上可能相同或大于反相设置电压Vis1。

之后，验证电路120再次执行验证步骤以判断设置操作是否成功(步骤S318)。当判断出设置操作成功时，结束设置操作(步骤S321)。然而，当判断出设置操作不成功时，控制电路110则将旗标位F0设定为第二旗标状态(步骤S319)，并判定设置操作失败而结束设置操作(步骤S320)。

在此特别说明的是，在一些实施例中，当如图3的实施例所示，若电阻式存储器的设置方法包含了多个施加反相设置电压的步骤(如步骤S313及S317)时，使用者可根据需求(例如产品设计、制造工艺能力)的不同，选择性地在任一施加反相设置电压后的验证步骤(如步骤S314及S318)后判断出仍未成功设置该存储单元时，将对应的旗标位调整为第二旗标状态。

图4为本发明的电阻式存储器的重置方法的一流程示意图。在本实施例中，控制电路110根据旗标位F0～Fn，对存储单元执行一第一重置操作或一第二重置操作。为清楚说明本发明的重置方法，在此假设控制电路110对存储阵列130的另一存储单元132执行重置操作。

首先，控制电路110判断存储单元132所属存储单元组MG0所对应的旗标位F0的旗标状态(步骤S410)。当旗标位F0具有第一旗标状态时，表示存储单元组MG0中的存储单元131～13m尚未出现劣化的倾向。因此，控制电路110对存储单元132执行第一重置操作S420。第一重置操作S420包括步骤S421～S425及S440。

在步骤S421中，控制电路110对存储单元132施加一重置电压Vr1。在一实施例中，重置电压Vr1为一负电压。在另一实施例中，重置电压Vr1的大小的绝对值大于反相设置电压Vis1及Vis2的大小的绝对值。在其他实施例中，重置电压Vr1的大小介于反相设置电压Vis1及Vis2的4/3～2倍之间。

接着，验证电路120执行一验证步骤以判断重置操作是否成功(步骤S422)，并将判断结果提供给控制电路110。在本实施例的验证步骤中，验证电路120可通过比较流经存储单元132的电流是否小于等于一预设的验证电流Ivfy2以判断重置操作是否成功。亦即，当流经存储单元132的电流小于等于验证电流Ivfy2时，表示重置操作成功。相反地，当流经存储单元132的电流大于验证电流Ivfy2时，表示重置操作不成功，此时，控制电路110可能继续进行重置操作的下一步骤或判定重置操作失败而结束重置操作。

当判断出重置操作成功时，控制电路110结束重置操作(步骤S440)。然而，当判断出重置操作不成功时，控制电路110对存储单元132施加重置电压Vr2(步骤S423)。在一实施例中，重置电压Vr2为一负电压。在另一实施例中，重置电压Vr2的绝对值在实质上大于或等于重置电压Vr1的绝对值。

之后，验证电路120再次执行验证步骤以判断重置操作是否成功(步骤S424)，并将判断结果提供给控制电路110。当判断出重置操作成功时，控制电路110结束重置操作(步骤S440)。然而，当再次判断出重置操作不成功时，表示存储单元132无法被重置。因此，控制电路110判定重置操作失败并结束第一重置操作(步骤S425)。

请回到步骤S410，当旗标位F0具有第二旗标状态时，表示存储单元组MG0中的存储单元131～13m可能已经出现劣化的倾向。因此，控制电路110对存储单元132执行第二重置操作S430。第二重置操作S430包括步骤S431～S435及S440。

在步骤S431中，控制电路110对存储单元132施加一重置电压Vr1’。在一实施例中，重置电压Vr1’为一负电压。重置电压Vr1’的大小在实质上小于重置电压Vr1。

接着，验证电路120执行验证步骤以判断重置操作是否成功(步骤S432)，并将判断结果提供给控制电路110。当判断出重置操作成功时，控制电路110结束重置操作(步骤S440)。然而，当判断出重置操作不成功时，控制电路110对存储单元132施加一重置电压Vr2’(步骤S433)。在一实施例中，重置电压Vr2’为一负电压。重置电压Vr2’的大小在实质上可能大于或等于重置电压Vr1’。

接着，验证电路120再次执行验证步骤以判断重置操作是否成功(步骤S434)，并将判断结果提供给控制电路110。当判断出重置操作成功时，控制电路110结束重置操作(步骤S440)。然而，当再次判断出重置操作不成功时，表示存储单元132无法被重置，故控制电路110结束第二重置操作(步骤S435)。

在本发明中，由于当存储单元组中的任一存储单元出现劣化的现象时，控制电路会变更该存储单元所属存储单元组的旗标位的旗标状态。并且，本发明会根据旗标位的不同旗标状态，对正常存储单元组中的存储单元使用正常的重置电压进行重置操作，并对劣化的存储单元组中的存储单元使用较弱的重置电压进行重置操作，故可增加电阻式存储器的耐受力(endurance)、可靠度(reliability)及性能。再者，由于本发明不需计数电阻式存储器中的存储单元的操作次数以判断存储单元是否可能会开始劣化，故可减少电阻式存储器的功耗，并增加电阻式存储器的可使用空间。

除非另作定义，在此所有词汇(包含技术与科学词汇)均属本发明所属技术领域中技术人员的一般理解。此外，除非明白表示，词汇于一般字典中的定义应解释为与其相关技术领域的文章中意义一致，而不应解释为理想状态或过分正式的语态。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰。举例来，本发明实施例的系统、装置或是方法可以硬件、软件或硬件以及软件的组合的实体实施例加以实现。因此本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。

Claims (14)

1.一种电阻式存储器，其特征在于，包括：

一第一存储电路，具有多个存储单元组，其中每一存储单元组具有至少一存储单元；

一验证电路，耦接至该第一存储电路，验证对所述多个存储单元中的至少一个所执行的一特定操作是否成功；

一第二存储电路，具有多个旗标位，其中每一旗标位储存对应于每一存储单元组的旗标状态；以及

一控制电路，耦接该验证电路、该第一存储电路以及该第二存储电路；

其中所述多个旗标位的每一个旗标位的初始状态为一第一旗标状态；

其中在一重置期间，该控制电路根据一存储单元组所对应的一旗标位的旗标状态决定对该存储单元组中的一第一存储单元执行一第一重置操作或是一第二重置操作，当该旗标位具有该第一旗标状态时，该控制电路执行该第一重置操作，而当该旗标位具有一第二旗标状态时，该控制电路执行该第二重置操作。

2.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，在执行该第一重置操作时，该控制电路施加一第一重置电压予该第一存储单元，并且在执行该第二重置操作时，该控制电路施加一第二重置电压予该第一存储单元，该第一重置电压大小的绝对值大于该第二重置电压大小的绝对值。

3.如权利要求2所述的电阻式存储器，其特征在于，在执行该第一重置操作的期间，该控制电路先施加该第一重置电压予该第一存储单元，该验证电路再判断该第一重置操作是否成功，当判断出该第一重置操作成功时，该控制电路结束该第一重置操作，当判断出该第一重置操作不成功时，该控制电路再施加一第三重置电压予该第一存储单元。

4.如权利要求3所述的电阻式存储器，其特征在于，该第三重置电压大小的绝对值大于等于该第一重置电压大小的绝对值。

5.如权利要求1所述的电阻式存储器，其特征在于，在一设置期间，当该控制电路在施加一第一设置电压予该第一存储单元，并施加一反相设置电压予该第一存储单元后，仍无法成功设置该第一存储单元时，该控制电路设定该第一存储单元所属存储单元组对应的该旗标位为该第二旗标状态。

6.如权利要求5所述的电阻式存储器，其特征在于，当该控制电路在施加该反相设置电压后仍无法成功设置该第一存储单元时，该控制电路再施加一第二设置电压予该第一存储单元。

7.如权利要求6所述的电阻式存储器，其中该第二设置电压的大小大于该第一设置电压。

8.一种控制方法，适用于一电阻式存储器，该电阻式存储器至少包括多个存储单元组以及多个旗标位，其中每一旗标位具有对应于所述多个存储单元组中的一个存储单元组的旗标状态，其特征在于，该控制方法包括：

选择一存储单元组中的一第一存储单元；

对该第一存储单元进行一设置操作；

判断该设置操作是否成功，用以产生一判断结果；

根据该判断结果，调整该第一存储单元对应的该存储单元 组对应的旗标位；

判断对应该存储单元组的该旗标位是否具有一预设旗标状态；

当该旗标位具有该预设旗标状态时，对该第一存储单元进行一第一重置操作；以及

当该旗标位不具有该预设旗标状态时，对该第一存储单元进行一第二重置操作。

9.如权利要求8所述的控制方法，其特征在于，该第一重置操作至少包括施加一第一重置电压予该第一存储单元的步骤，并且该第二重置操作至少包括施加一第二重置电压予该第一存储单元的步骤，其中第一重置电压大小的绝对值大于该第二重置电压大小的绝对值。

10.如权利要求9所述的控制方法，其中该第一重置操作包括：

施加该第一重置电压予该第一存储单元；

判断该第一重置操作是否成功；

当判断出该第一重置操作不成功时，施加一第三重置电压予该第一存储单元。

11.如权利要求10所述的控制方法，其特征在于，该第三重置电压大小的绝对值大于等于该第一重置电压大小的绝对值。

12.如权利要求8所述的控制方法，其特征在于，在一设置期间对该第一存储单元执行该设置操作，还包括：

施加一第一设置电压予该第一存储单元；

判断该设置操作是否成功；

当判断出该设置操作不成功时，施加一反相设置电压予该第一存储单元，并再次判断该设置操作是否成功；

当判断出该设置操作不成功时，设定该旗标位为一第二旗标状态。

13.如权利要求12所述的控制方法，其特征在于，在施加该反相设置电压予该第一存储单元后仍无法成功设置该第一存储单元时，施加一第二设置电压予该第一存储单元。

14.如权利要求13所述的控制方法，其特征在于，该第二设置电压的大小大于该第一设置电压。

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