CN111538365A - 高压集成电路及其温度检测电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种高压集成电路及其温度检测电路，包括反馈模块、第一电流镜模块、第二电流镜模块、第一采集电阻、第二采集电阻、第一开关、第二开关、第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻以及第四分压电阻，通过设置反馈模块进行负反馈，使流进反馈模块中的第一电流和第二电流相等，再通过第一分压电阻上的电压和反馈模块中的电压相减，得到正温度系数的电压，再通过电阻分压网络放大，在第二开关的一端输出正温度系数电压，从而实现温度检测电路的功能，并且不需要基准电压源来调节电压偏置，也不需要通过很大的电流和很大的电阻来获取高灵敏度，减少了器件设备，简化了电路结构，占用面积减小，而且灵敏度更高，电压偏置更低。

Description

高压集成电路及其温度检测电路

技术领域

本发明属于集成电路技术领域，尤其涉及一种高压集成电路及其温度检测电路。

背景技术

高压集成电路技术是现代电力电子技术领域内一种不可或缺的技术，越来越多的被应用在功率MOSFET、IGBT的驱动领域。将高压集成电路和高压功率开关器件封装在一起做成的芯片叫做智能功率驱动芯片。由于高压功率开关器件一般工作在高压大电流下，开关损耗较大，产生的热量大，如果这些热能不能迅速地从芯片中散发，将使得芯片内部温度不断地上升。若是在没有任何温度监测措施的情况下，热量的进一步积聚将严重影响了芯片的正常工作，甚至使芯片直接失效。因此，温度检测电路成为了高压集成电路中的重要组成部分。

温度检测电路将芯片内部的温度变化转化为电信号，反馈给前端的微控制器以便实现实时监测，进而保证智能功率驱动芯片能够更加可靠、稳定地正常工作。现有技术中的温度检测电路通常包括：与绝对温度成正比的电压产生电路(PTAT，Proportion ToAbsolute Temperature)、基准电压源和运算电路。通过运算电路对从电压产生电路中输出的PTAT电压，和从基准电压源输出的基准电压进行减法运算后输出的电压Vtemp即为温度检测电路检测到的绝对温度。

通过对现有技术的研究发现，现有技术中的温度检测电路中包括有基准电压源，该电路产生的基准电压和PTAT电压需要进行运算，才可以得到一个灵敏度和电压偏置合适的与绝对温度值相对应的电压。因此，现有技术中的温度检测电路由于设置电压产生电路、基准电压源和运算电路，增加了温度检测电路的复杂度，对于空间有严格要求的集成电路来说，不利于包含集成电路的芯片体积的缩小。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高压集成电路及其温度检测电路，旨在解决现有技术中存在温度检测电路的电路设计过于复杂导致芯片体积过大的问题。

本发明是这样实现的，第一方面提供一种高压集成电路的温度检测电路，包括反馈模块、第一电流镜模块、第二电流镜模块、第一电压采集电阻、第二电压采集电阻、第一开关、第二开关、第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻以及第四分压电阻；

所述第二电流镜模块根据外部信号开始工作并向所述第一电流镜模块输出电流；

所述第一电流镜模块向所述反馈模块输出第一电流和第二电流；

所述第一开关在所述第一电流镜模块处于工作状态时开始导通，并使所述第一电流镜模块、所述第一开关、所述第一采集电阻、所述第一分压电阻以及所述第二分压电阻形成通路，所述第一采集电阻和所述第二采集电阻分别向所述反馈模块输出基准电压；

所述反馈模块在所述第一电流和第二电流不相同时，根据所述第三分压电阻上的电压调节所述第一分压模块的电压，进而调整所述第一电流镜模块的输出电流使所述第一电流和第二电流相等。

本发明第二方面提供一种高压集成电路，所述高压集成电路包括上述的温度检测电路。

本发明提供一种高压集成电路及其温度检测电路，包括反馈模块、第一电流镜模块、第二电流镜模块、第一采集电阻、第二采集电阻、第一开关、第二开关、第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻以及第四分压电阻，通过设置反馈模块进行负反馈，使流进反馈模块中的第一电流和第二电流相等，再通过第一分压电阻上的电压和反馈模块中的电压相减，得到正温度系数的电压，再通过电阻分压网络放大，在第二开关的一端输出正温度系数电压，从而实现温度检测电路的功能，并且不需要基准电压源来调节电压偏置，也不需要通过很大的电流和很大的电阻来获取高灵敏度，减少了器件设备，简化了电路结构，占用面积减小，而且灵敏度更高，电压偏置更低。

附图说明

图1本发明一实施例所提供的一种高压集成电路的温度检测电路的模块结构示意图；

图2本发明一实施例所提供的一种高压集成电路的温度检测电路的电路图；

图3本发明另一实施例所提供的一种高压集成电路的温度检测电路的电路图；

图4是本发明一实施例所提供的一种高压集成电路的温度检测电路的输出电压随温度变化的仿真曲线图；

图5是本发明一实施例所提供的一种高压集成电路的温度检测电路的输出电压随电源电压变化的仿真曲线图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

以下结合具体附图对本发明的实现进行详细的描述：

图1示出了本发明一实施例所提供的一种高压集成电路的温度检测电路，为了便于说明，仅示出了与本实施例相关的部分，详述如下：

本发明一种实施例所提供的一种高压集成电路的温度检测电路，如图1所示，包括反馈模块101、第一电流镜模块102、第二电流镜模块103、第一采集电阻106、第二采集电阻105、第一开关104、第二开关109、第一分压电阻108、第二分压电阻107、第三分压电阻110以及第四分压电阻111；

第二电流镜模块103根据外部信号开始工作并向第一电流镜模块102输出电流；

第一电流镜模块102向反馈模块101输出第一电流和第二电流；

第一开关104在第一电流镜模块102处于工作状态时开始导通，并使第一电流镜模块102、第一开关104、第一采集电阻106、第一分压电阻108以及第二分压电阻107形成通路，第一采集电阻106和第二采集电阻105分别向反馈模块101输出基准电压；

反馈模块101在第一电流和第二电流不相同时，根据第三分压电阻110上的电压调节第一分压模块的电压，进而调整第一电流镜模块102的输出电流使第一电流和第二电流相等。

其中，第二电流镜模块103可以包括两个PMOS管，其中两个PMOS管均连接电源电压，当两个PMOS管根据外部控制信号导通时输出电流。

其中，第一电流镜模块102可以包括两个PMOS管，第一电流镜模块102接收第二电流镜模块103输出的电流，并向反馈模块101输出第一电流和第二电流，第一电流和第二电流可以不相同。

其中，第一开关104可以为NMOS管，当第二电流镜模块103导通时可以通过向第一开关104输出电流使第一开关104导通，当第一开关104导通时，第二电流镜模块103输出的电流通过第一开关104依次流经第一采集电阻106、第一分压电阻108以及第二分压电阻107，进而使第一采集电阻106和第二采集电阻105分别向反馈模块101输出基准电压。

其中，反馈模块101在接收到第一采集电阻106和第二采集电阻105输出的基准电压后开始导通工作，并接收第一电流和第二电流不相同时，通过调节第三分压电阻110上的电压进而调节第一分压模块的电压，进而调整流经第一分压模块的电流，使第一电流镜模块102的输出电流发生变化，最终使第一电流和第二电流相等，当电路稳定后，通过第一分压电阻108上的电压与反馈模块101中的电压进行比较，再通过第三分压电阻110和第四分压电阻111进行放大后在第二开关109的一端进行输出，得到正温度系数电压。

本发明提供一种高压集成电路的温度检测电路，包括反馈模块、第一电流镜模块、第二电流镜模块、第一采集电阻、第二采集电阻、第一开关、第二开关、第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻以及第四分压电阻，通过设置反馈模块进行负反馈，使流进反馈模块中的第一电流和第二电流相等，再通过第一分压电阻上的电压和反馈模块中的电压相减，得到正温度系数的电压，再通过电阻分压网络放大，在第二开关的一端输出正温度系数电压，从而实现温度检测电路的功能，并且不需要基准电压源来调节电压偏置，也不需要通过很大的电流和很大的电阻来获取高灵敏度，减少了器件设备，简化了电路结构，占用面积减小，而且灵敏度更高，电压偏置更低。

作为一种实施方式，温度检测电路中各个模块的连接关系为：第二电流镜模块103的输入端连接电源电压，第二电流镜模块103的第一输出端连接第一开关104的输入端，第二电流镜模块103的第二输出端连接第一开关104的控制端、第一电流镜模块102的第一输入端以及第一电流镜模块102的第二输入端，第一开关104的输出端连接第二分压电阻107的第一端，第二分压电阻107的第二端分别连接第一采集电阻106的第一端和第二采集电阻105的第一端，第一采集电阻106的第二端连接反馈模块101的第一输入端，第二采集电阻105的第二端连接反馈模块101的第二输入端，第一电流镜模块102的第一输出端连接反馈模块101的第三输入端，第一电流镜模块102的第二输出端连接反馈模块101的第四输入端和第二开关109的控制端，第二开关109的输入端连接电源电压，第二开关109的输出端连接第四分压电阻111的第一端，并构成温度检测电路的输出端，第四分压电阻111的第二端连接第三分压电阻110的第一端和反馈模块101的第五输入端，第一分压电阻108的第二端、反馈模块101的接地端以及第三分压电阻110的第二端共接于地。

对于第二电流镜模块103，如图2所示，第二电流镜模块103包括PMOS管M4和PMOS管M5，PMOS管M4的源极和PMOS管M5的源极共接形成第二电流镜模块103的输入端并输入电源电压VCC，PMOS管M4的栅极、PMOS管M5的栅极以及PMOS管M4的漏极共接形成第二电流镜模块103的第一输出端，PMOS管M5的漏极形成第二电流镜模块103的第二输出端。

对于第一开关104，如图2所示，第一开关104为NMOS管M3，NMOS管M3的栅极为第一开关104的控制端，NMOS管M3的漏极为第一开关104的输入端，NMOS管M3的源极为第一开关104的输出端。

对于第二分压电阻107，如图2所示，第二分压电阻107为电阻R4。

对于第一采集电阻106，如图2所示，第一采集电阻106为电阻R2。

对于第二采集电阻105，如图2所示，第二采集电阻105为电阻R3。

对于第一分压电阻108，如图2所示，第二分压电阻107为电阻R4。

对于第一电流镜模块102，如图2所示，第一电流镜模块102包括PMOS管M1和PMOS管M2，PMOS管M1的源极为第一电流镜模块102的第一输入端，PMOS管M2的源极为第一电流镜模块102的第二输入端，PMOS管M1的栅极、PMOS管M2的栅极以及PMOS管M1的漏极共接形成第一电流镜模块102的第一输出端，PMOS管M2的漏极形成第一电流镜模块102的第二输出端。

对于反馈模块101，如图2所示，反馈模块101包括三极管Q1、三极管Q2以及三极管Q3，三极管Q1的基极为反馈模块101的第一输入端，三极管Q1的基极为反馈模块101的第二输入端，三极管Q1的集电极为反馈模块101的第三输入端，三极管Q2的集电极为反馈模块101的第四输入端，三极管Q1的发射极和三极管Q2的发射极共接后与三极管Q3的集电极连接，三极管Q3的基极为反馈模块101的第五输入端，三极管Q3的发射极为反馈模块101的接地端。

对于第二开关109，如图2所示，第二开关109为NMOS管M6，NMOS管M6的栅极为第二开关109的控制端，NMOS管M6的漏极为第二开关109的输入端，NMOS管M6的源极为第二开关109的输出端。

本实施方式的工作原理为：PMOS管M1、PMOS管M2、三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3构成了一个单级运放，三极管Q1和三极管Q2作为输入对管，三极管Q1和三极管Q2发射极面积比为8:1，反馈模块101进行负反馈的过程为：假设某时刻流过三极管Q1集电极的电流大于流过三极管Q2集电极的电流，第三分压电阻110R5上的电压值增加，三极管Q3的基极电压增大，使得电阻R1上端的压降增大，因此，流过PMOS管M4的电流增加，PMOS管M5复制PMOS管M4中的电流也将增加，PMOS管M1和PMOS管M2中的电流同时增大，由于三极管Q2的集电极对地的阻抗高于三极管Q1的集电极对地的阻抗，所以PMOS管M2的源漏电压增大并且变化量大于PMOS管M1的源漏电压变化量，使得三极管Q2的集电极电流以快于三极管Q1的集电极电流增速的速度增大，最终让三极管Q1、三极管Q2的集电极电流相等。可以看出，环路中同时存在一个正反馈，正是正反馈使得三极管Q1集电极电流变大，但是由于负反馈大于正反馈，才使得电路的稳定性不受影响。另外，当电阻R1上端压降增大时，由于电阻R2、电阻R3电阻值相等，通过分析节点VX处的电压变化与三极管Q1、三极管Q2的基极电流变化的关系可知，三极管Q2的基极电流的增速也大于三极管Q1基极电流的增速。

在电路稳定后，三极管Q1、三极管Q2的集电极电流相等，那么三极管Q1、三极管Q2的基极电流也近似相等，获得的关系式为(VX-VB2)/R3＝(VX-VB1)/R2+(VB1/R1)，其中，VX为分析节点VX的电压值，VB1是三极管Q1的基极电压，VB2是三极管Q2的基极电压，由于电阻R2、电阻R3的阻值相等，从而可以推导出关系式：

(VBE2-VBE1)/R2＝(VB3+VEB3+VBE1)/R1……(Ⅰ)

上面(Ⅰ)式VBE2是三极管Q2基极和发射极之间的电压，VBE1是三极管Q1基极和发射极之间的电压，VB3是三极管Q3的基极电压，VEB3是三极管Q3基极和发射极之间的电压，(Ⅰ)式中左边是三极管Q1、三极管Q2的基极-发射极的电压差ΔVBE除以电阻R2的阻值，右边是三极管Q1的基极电压除以电阻R1的阻值。ΔVBE与热电压VT的关系为：ΔVBE＝VTlnN，其中N是Q1、Q2的发射极面积之比，lnN为常数，VT为线性正温度系数电压，温度系数约为85μV/℃。由此可知，(Ⅰ)式获得PTAT电流为IPTAT＝ΔVBE/R2，该电流流过电阻R1，又因为VB1＝VB3+VEB3+VBE1＝IPTAT*R1，因此电阻R1上端的电压VB1就是一个PTAT电压VPTAT＝IPTAT*R1，那么三极管Q3的基极电压VB3可表示为VB3＝VPTAT-VBE1-VEB3。另外，流过PMOS管M4的电流为ID，ID＝IPTAT+IB1+IB2，由于IB1＝IB2《IPTAT，因此近似认为ID等于IPTAT。假设电流镜和源跟随电路都是理想的，那么容易推导出温度检测电路的输出电压Vtemp的计算公式为：

Vtemp＝A*(B*VT-VBE1-VEB3)……(Ⅱ)

(Ⅱ)式中，A＝(R6+R5)/R5，B＝{(R1/R2)-[R5*R6/[R2*β3*(R5+R6)]}*ln8≈(R1/R2)*ln8，其中β3是BJT管Q3的电流放大倍数。从(Ⅱ)式看出，Vtemp包括3个对正温度系数有贡献的项：VT、-VBE1、-VEB3，因而在获得正温度系数电压时灵敏度比只有VT项的PTAT电压更高。同时，由于系数B对Vtemp的灵敏度的影响相对减小了，但系数B对电压偏置的影响仍比较大，由此可知，可以通过调节系数B来调节电压偏置值，通过调节系数A来调节灵敏度，结合两种调节就可以实现想要的与绝对温度成正比的电压Vtemp。

本发明提供的温度检测电路的输出可连接至芯片引脚，中间可以增加一个与ESD保护相关的300欧姆的电阻。NMOS管M6形成的源跟随为本电路提供了一定的输出负载能力。另外，在环路稳定性方面，通过在单级运放的输出节点处的电容C1来调节主极点的位置，提高了电路的稳定性。

进一步的，温度检测电路还包括启动模块112，启动模块112的第一输入端连接电源电压，启动模块112的第二输入端连接第一电流镜模块102的第一输出端，启动模块112的输出端连接第一开关104的输出端，启动模块的接地端接地。

对于启动模块，如图3所示，启动模块112包括NMOS管M7、NMOS管M8以及PMOS管M9，PMOS管M9的源极为启动模块的第一输入端，PMOS管M9的栅极、PMOS管M9的漏极、NMOS管M8的栅极以及NMOS管M7的漏极共接，NMOS管M8的漏极为启动模块的第二输入端，NMOS管M8的源极与NMOS管M7的栅极共接形成启动模块的输出端，NMOS管M7的源极为启动模块的接地端。

其中，启动模块112的启动过程如下：上电时，NMOS管M8的栅极电压被NMOS管M9拉至电源VCC附近，此时NMOS管M8的源极电压还很低，因此NMOS管M8导通并与PMOS管M4、电阻R4、电阻R2、电阻R1构成通路，拉低PMOS管M5栅极电压，从而为三极管Q1和三极管Q2的集电极注入电流。然后，NMOS管M6的栅极电压、三极管Q3的基极电压都逐渐升高，NMOS管M7的栅极电压也逐渐升高，当升高至NMOS管M7的阈值电压时，NMOS管M7导通并拉低NMOS管M8的栅极电压，由于NMOS管M8的栅源电压不断减小，最终使得NMOS管M8截止，而右侧的电路进入正常工作状态，完成启动过程。

图4和图5分别给出了本发明的温度检测电路的输出电压随温度变化的仿真曲线和输出电压随电源电压变化的仿真曲线。从图4可以看出，输出电压Vtemp与温度成正比，其温度系数为19.5mV/℃，常温下的输出电压值为896mV，表明温度检测电路灵敏度高、线性度好。从图5看出，电源电压VCC从12V变化到18V时，输出电压Vtemp仅仅变化14mV,表明电路具有较好的电源抑制能力，这是由于温度检测电路中的工作电流主要为PTAT电流，它与VCC无关，此外，PMOS管M5的漏极为运放提供了二级电源，该电源在一定范围内与VCC无关。

与现有技术相比，本申请技术方案的优点在于本发明所提出的温度检测电路以反馈模块中的双极结型晶体管作为采温器件，利用负反馈得到与两个双极结型晶体管的基极-发射极电压差ΔVBE密切相关的PTAT电流，进而在电阻R1上得到PTAT电压，然后将该PTAT电压减去双极结型晶体管Q1、Q3的基极-发射极电压VBE1、VBE3之和，由于VBE1、VBE3是负温度系数，因此得到的电压仍是正温度系数的电压，而且灵敏度更高、电压偏置更低，最后再利用电阻R5和电阻R6构成的分压网络进一步提高灵敏度，从而实现本发明的温度检测电路的基本功能。

本发明还提供了一种高压集成电路，高压集成电路包括上述的温度检测电路。

需要说明的是，由于本发明实施例所提供的高压集成电路包括图2所示的温度检测电路，因此，本发明实施例所提供的高压集成电路的具体工作原理，可参考前述关于图2的详细描述，此处不再赘述。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种高压集成电路的温度检测电路，其特征在于，包括反馈模块、第一电流镜模块、第二电流镜模块、第一采集电阻、第二采集电阻、第一开关、第二开关、第一分压电阻、第二分压电阻、第三分压电阻以及第四分压电阻；

所述第二电流镜模块根据外部信号开始工作并向所述第一电流镜模块输出电流；

所述第一电流镜模块向所述反馈模块输出第一电流和第二电流；

所述第一开关在所述第一电流镜模块处于工作状态时开始导通，并使所述第一电流镜模块、所述第一开关、所述第一采集电阻、所述第一分压电阻以及所述第二分压电阻形成通路，所述第一采集电阻和所述第二采集电阻分别向所述反馈模块输出基准电压；

所述反馈模块在所述第一电流和第二电流不相同时，根据所述第三分压电阻上的电压调节所述第一分压模块的电压，进而调整所述第一电流镜模块的输出电流使所述第一电流和第二电流相等。

2.根据权利要求1所述的温度检测电路，其特征在于，所述第二电流镜模块的输入端连接电源电压，所述第二电流镜模块的第一输出端连接所述第一开关的输入端，所述第二电流镜模块的第二输出端连接所述第一开关的控制端、所述第一电流镜模块的第一输入端以及所述第一电流镜模块的第二输入端，所述第一开关的输出端连接所述第二分压电阻的第一端，所述第二分压电阻的第二端分别连接所述第一采集电阻的第一端和所述第二采集电阻的第一端，所述第一采集电阻的第二端连接所述反馈模块的第一输入端，所述第二采集电阻的第二端连接所述反馈模块的第二输入端，所述第一电流镜模块的第一输出端连接所述反馈模块的第三输入端，所述第一电流镜模块的第二输出端连接所述反馈模块的第四输入端和所述第二开关的控制端，所述第二开关的输入端连接电源电压，所述第二开关的输出端连接所述第四分压电阻的第一端，并构成所述温度检测电路的输出端，所述第四分压电阻的第二端连接所述第三分压电阻的第一端和所述反馈模块的第五输入端，所述第一分压电阻的第二端、所述反馈模块的接地端以及所述第三分压电阻的第二端共接于地。

3.根据权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，所述第二电流镜模块包括PMOS管M4和PMOS管M5，所述PMOS管M4的源极和所述PMOS管M5的源极共接形成所述第二电流镜模块的输入端，所述PMOS管M4的栅极、所述PMOS管M5的栅极以及所述PMOS管M4的漏极共接形成所述第二电流镜模块的第一输出端，所述PMOS管M5的漏极形成所述第二电流镜模块的第二输出端。

4.根据权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，所述第一电流镜模块包括PMOS管M1和PMOS管M2，所述PMOS管M1的源极为所述第一电流镜模块的第一输入端，所述PMOS管M2的源极为所述第一电流镜模块的第二输入端，所述PMOS管M1的栅极、所述PMOS管M2的栅极以及所述PMOS管M1的漏极共接形成所述第一电流镜模块的第一输出端，所述PMOS管M2的漏极形成所述第一电流镜模块的第二输出端。

5.根据权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，所述反馈模块包括三极管Q1、三极管Q2以及三极管Q3，所述三极管Q1的基极为所述反馈模块的第一输入端，所述三极管Q1的基极为所述反馈模块的第二输入端，所述三极管Q1的集电极为所述反馈模块的第三输入端，所述三极管Q2的集电极为所述反馈模块的第四输入端，所述三极管Q1的发射极和所述三极管Q2的发射极共接后与所述三极管Q3的集电极连接，所述三极管Q3的基极为所述反馈模块的第五输入端，所述三极管Q3的发射极为所述反馈模块的接地端。

6.根据权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，所述第一开关为NMOS管M3，所述NMOS管M3的栅极为所述第一开关的控制端，所述NMOS管M3的漏极为所述第一开关的输入端，所述NMOS管M3的源极为所述第一开关的输出端。

7.根据权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，所述第二开关为NMOS管M6，所述NMOS管M6的栅极为所述第二开关的控制端，所述NMOS管M6的漏极为所述第二开关的输入端，所述NMOS管M6的源极为所述第二开关的输出端。

8.根据权利要求2所述的温度检测电路，其特征在于，所述温度检测电路包括启动模块，所述启动模块的第一输入端连接电源电压，所述启动模块的第二输入端连接所述第一电流镜模块的第一输出端，所述启动模块的输出端连接所述第一开关的输出端，所述启动模块的接地端接地。

9.根据权利要求8所述的温度检测电路，其特征在于，所述启动模块包括NMOS管M7、NMOS管M8以及PMOS管M9，所述PMOS管M9的源极为所述启动模块的第一输入端，所述PMOS管M9的栅极、所述PMOS管M9的漏极、所述NMOS管M8的栅极以及所述NMOS管M7的漏极共接，所述NMOS管M8的漏极为所述启动模块的第二输入端，所述NMOS管M8的源极与所述NMOS管M7的栅极共接形成所述启动模块的输出端，所述NMOS管M7的源极为所述启动模块的接地端。

10.一种高压集成电路，其特征在于，所述高压集成电路包括如权利要求1至9任一项所述的温度检测电路。

Images