CN111524673A - 钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用。该钕铁硼磁体材料的原料组合物包含：第一组分：LR：13～31.5wt％；LR包括Nd；Ho：0～10wt％、且不为0；Gd：0～5wt％、且不为0；Dy和/或Tb：0～3wt％，且不为0；Cu：0～0.35wt％，且不为0；Ga：0～0.35wt％，且不为0；Al：0～0.5wt％；X：0.05～0.45wt％；Co：0～0.5wt％；B：0.9～1.05wt％；余量为Fe；第二组分：Dy和/或Tb：0.2～1wt％；总稀土含量为29.5～32.5wt％。该钕铁硼磁体材料具有高剩磁、高矫顽力和良好的高温性能。

Description

钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用。
背景技术
Nd-Fe-B永磁材料以Nd2Fel4B化合物为基体，具有磁性能高、热膨胀系数小、易加工和价格低等优点，自问世以来，以平均每年20-30％的速度增长，成为应用最广泛的永磁材料。按制备方法，Nd-Fe-B永磁体可分为烧结、粘结和热压三种，其中烧结磁体占总产量的80％以上，应用最广泛。
随着制备工艺和磁体成分的不断优化，烧结Nd-Fe-B磁体的最大磁能积已接近理论值。随着近年来风力发电、混合动力汽车和变频空调等新兴行业的蓬勃发展对高性能Nd-Fe-B磁体的需求越来越大，同时，这些高温领域的应用也对烧结Nd-Fe-B磁体的高温性能提出了更高的要求。
现有技术中，在制作耐热、耐蚀型烧结Nd-Fe-B磁体时，Co是用得最多而且最有效的元素。这是因为添加Co能够降低磁感可逆温度系数温度系数，有效提高居里温度，并且可以提高NdFeB磁体抗腐蚀性能。但是，Co的加入容易造成矫顽力下降，并且Co的成本较高。Al元素能在烧结过程中降低主相与周围液相的浸润角，通过改善主相与富Nd相之间的微结构而提高矫顽力，因此，现有技术中也通常通过Al的添加来补偿Co添加造成的矫顽力降低。然而Al的过量加入会恶化剩磁和居里温度。
发明内容
本发明为了克服现有技术的钕铁硼磁体通过添加Co来提高居里温度和抗腐蚀性能、而Co又容易造成矫顽力急剧下降以及价格昂贵的缺陷以及Al的过量加入恶化剩磁和居里温度的缺陷，从而提供了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及其制备方法和应用。本发明的钕铁硼磁体材料晶界连续性好，具有高剩磁、高矫顽力和良好的高温性能。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种钕铁硼磁体材料的原料组合物，其包含第一组分和第二组分，所述第一组分为熔炼时添加的元素，所述第二组分为晶界扩散时添加的元素；
所述第一组分包括：
轻稀土元素LR：13～31.5wt％；所述LR包括Nd；
Ho：0～10wt％、且不为0；
Gd：0～5wt％、且不为0；
Dy和/或Tb：0～3wt％，且不为0；
Cu：0～0.35wt％，且不为0；
Ga：0～0.35wt％，且不为0；
Al：0～0.5wt％；
X：0.05～0.45wt％；所述X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；
Co：0～0.5wt％；
B：0.9～1.05wt％；
余量为Fe；
所述第二组分包括：Dy和/或Tb：0.2～1wt％；
所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中总稀土含量为29.5～32.5wt％；
wt％为各元素占所述钕铁硼磁体材料的原料组合物的重量百分比。
本发明中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中总稀土含量较佳地为30.1～32.1wt％，例如30.5wt％、30.8wt％或31.5wt％。
本发明中，所述LR的含量较佳地为15～30wt％，例如17.4wt％、18wt％、20wt％、22.5wt％、23wt％、23.4wt％、23.8wt％、24.5wt％、25.5wt％、26wt％或29.9wt％。
本发明中，所述Nd的含量较佳地为13～20wt％，例如18wt％或18.56wt％。
本发明中，所述LR还可包括本领域其他常规的轻稀土元素，例如包括Pr和/或Sm。
其中，当所述LR包含Pr时，所述Pr的含量可为0～16wt％、且不为0wt％；较佳地为4wt％～12wt％，例如4.84wt％或10.8wt％。所述Pr的添加形式可为纯净Pr和/或PrNd，较佳地为PrNd。所述PrNd为Pr和Nd的合金，PrNd中Pr与Nd的重量比一般为25:75或20：80。
其中，当所述LR包含Sm时，所述Sm的含量可为0～5wt％，且不为0；例如4.8wt％。
本发明中，所述Ho含量较佳地为1～8.5wt％，更佳地为4.5～7.5wt％，例如1.7wt％、3wt％、4.3wt％或8.1wt％。
本发明中，所述Gd含量较佳地为0.5～3wt％，例如1wt％、1.5wt％、1.8wt％、2.5wt％或2.6wt％。
本发明中，所述Ho和所述Gd的总含量较佳地为不超过10wt％。
本发明中，所述第一组分中所述Dy和/或Tb的含量范围较佳地为0.1～2wt％，例如0.5wt％、1wt％、1.5wt％、2wt％或2.5wt％。当所述第一组分包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如50:50、60:40或者40:60。
本发明中，所述Cu的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％。
本发明中，所述Ga的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％。
本发明中，所述Al的含量范围较佳地为0～0.3wt％，更佳地为0～0.1wt％，例如0.02wt％、0.04wt％或0.08wt％；更佳地为0～0.04wt％，最佳地为0。其中当Al的含量为0～0.1wt％时，Al可以为制备钕铁硼材料的过程中引入的杂质Al和/或额外添加的Al。当Al的含量为0～0.04wt％时，Al一般为制备钕铁硼材料的过程中引入的杂质Al。
本发明中，所述X的种类较佳地为Ti、Nb、Zr和Hf中的一种或多种。
本发明中，所述X的含量较佳地为0.1～0.4wt％，更佳地为0.15～0.2wt％。
当所述X包括Zr时，所述Zr的含量范围较佳地为0.02～0.4wt％，例如0.2wt％。
当所述X包括Ti时，所述Ti的含量范围较佳地为0～0.2wt％、且不为0，例如0.15wt％。
当所述X包括Nb时，所述Nb的含量范围较佳地为0～0.4wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.1wt％。
当所述X包括Hf时，所述Hf的含量范围较佳地为0～0.1wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.05wt％。
当X包括Ti和Nb时，Ti和Nb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如2:1或2:3。
当X包括Hf和Zr时，Hf和Zr的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如1:10或5:2。
当X包括Hf和Nb时，Hf和Nb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如1:8。
本发明中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物还可包括Mn，所述Mn的含量范围≤0.035wt％，更佳地≤0.0175wt％。
本发明中，所述Co的含量较佳地为0～0.2wt％，更佳地为0。
本发明中，所述B的含量范围较佳地为0.94～1.02wt％，例如0.98wt％或0.99wt％。
本发明中，所述第二组分中Dy和/或Tb的含量范围较佳地为0.5～0.8wt％。
当所述第二组分包括Dy时，所述Dy的含量范围较佳地为0.2～1wt％，例如0.5wt％或0.8wt％。所述第二组分中Dy的添加形式可为纯净Dy、Dy合金和Dy氟化物中的一种或多种。其中，所述Dy合金较佳地为DyGaCu；所述DyGaCu合金中，较佳地Dy含量≥75wt％，更佳地≥95wt％，上述百分比为Dy用量占所述DyGaCu合金总重量的百分比。
当所述第二组分包括Tb时，所述Tb的含量范围较佳地为0.2～1wt％，例如0.5wt％。所述第二组分中Tb的添加形式可为纯净Tb、Tb合金和Tb氟化物中的一种或多种。所述Tb合金较佳地为TbGaCu合金；所述TbGaCu合金中，较佳地Tb含量≥75wt％，更佳地≥95wt％，上述百分比为Tb用量占所述TbGaCu合金总重量的百分比。
当所述第二组分包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如50:50、60:40或者40:60。
本发明中，所述“余量为Fe”是指，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中添加其它元素时，所述原料组合物的总重量发生变化，此时，对于各元素用量而言，除Fe以外的已有元素的重量百分比含量不发生变化，仅降低Fe元素的百分含量，以实现各元素总含量为100wt％。
本发明中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中可含有不可避免的杂质。例如，在制备工艺中一般会添加润滑剂等而引入碳杂质，碳杂质的含量不超过0.12wt％。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：15～30wt％；Ho：1～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.1wt％；Zr：0.2～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.02wt％；所述第二组分：Dy和/或Tb：0.5～0.8wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：25.5wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：25.5wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Tb：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：26wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：26wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Tb：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：20wt％；Ho：10wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：29.9wt％；Ho：0.1wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：22.5wt％；Ho：7.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：24.5wt％；Ho：4.5wt％；Gd：1.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：23wt％；Ho：4.5wt％；Gd：3wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：24.5wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.1wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：23wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：3wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：17.4wt％；Ho：8.1wt％；Gd：2.6wt％；Tb：3wt％；Cu：0.3wt％；Ga：0.1wt％；Al：0.02wt％；Zr：0.4wt％；B：0.99wt％；所述第二组分：Tb：1wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：25.5wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.1wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：25.5wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.5wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：26wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Co：0.2wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：26wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Co：0.5wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；所述第二组分：Dy：0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：13～20wt％；Sm：0～5wt％；Ho：4.5～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.04wt％；Nb：0～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.9～0.99wt％；所述第二组分：Dy和/或Tb：0.2～0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：18wt％；Sm：4.8wt％；Ho：5.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.2wt％；Ga：0.3wt％；Al：0.03wt％；Nb：0.15wt％；B：0.9wt％；所述第二组分：Dy：0.2wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：3.5～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0～0.3wt％；Al：0～0.4wt％；Ti：0～0.2wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.98～1.05wt％；所述第二组分：Dy和/或Tb：0.8～1wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：18.56wt％；Pr：4.84wt％；Ho：4.3wt％；Gd：1.8wt％；Dy：2wt％；Cu：0.25wt％；Ga：0.05wt％；Al：0.02wt％；Ti：0.15wt％；B：1.05wt％；所述第二组分：Dy：1wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：1～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.2～0.35wt％；Ga：0.2～0.35wt％；Al：0～0.0.04wt％；Hf：0～0.1wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～0.99wt％；所述第二组分：Dy和/或Tb：0.5～1wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：13wt％；Pr：10.8wt％；Ho：1.7wt％；Gd：2.5wt％；Dy：0.5wt％；Tb：1.5wt％；Cu：0.35wt％；Ga：0.35wt％；Hf：0.1wt％；B：0.98wt％；所述第二组分：Dy：0.8wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明还提供了一种钕铁硼磁体材料的制备方法，其采用如上所述钕铁硼磁体材料的原料组合物进行，所述制备方法包括如下步骤：
S1、将所述第一组分熔炼、制粉、成型、烧结，得钕铁硼烧结体；
S2、采用所述第二组分对步骤S1所得的钕铁硼烧结体进行晶界扩散；
S3、热处理，即得钕铁硼磁体材料。
本发明中，步骤S1中，所述熔炼的操作和条件可为本领域常规的熔炼工艺，一般为将所述第一组分的各元素采用铸锭工艺或速凝片工艺进行熔炼浇铸，得到合金片。
本发明中，步骤S1中，所述熔炼的温度可为1300～1700℃，例如1500℃。
本发明中，步骤S1中，所述熔炼的设备一般为高频真空熔炼炉和/或中频真空熔炼炉。所述中频真空熔炼炉可为中频真空感应速凝甩带炉。
本领域技术人员知晓，因熔炼和烧结工艺中通常会损耗稀土元素，为保证终产品的质量，一般会在熔炼过程中在原料组合物的配方基础中额外添加0～0.3wt％的稀土元素(一般为Nd元素)，百分比为额外添加的稀土元素的含量占所述原料组合物的总含量的重量百分比；另外这部分额外添加的稀土元素的含量不计入原料组合物的范畴。
本发明中，步骤S1中，所述制粉的操作和条件可为本领域常规制粉工艺，一般包括氢破制粉和/或气流磨制粉。
所述氢破制粉一般包括吸氢、脱氢和冷却处理。所述吸氢的温度一般为20～200℃，较佳地为20～40℃(即室温)。所述吸氢的压力一般为50～600kPa，例如90kPa。所述脱氢的温度一般为400～650℃，例如550℃。
所述气流磨制粉中的气流例如可为氮气和/或氩气。所述气流磨制粉的压力一般为0.1～2MPa，优选0.5～0.7MPa，例如0.65MPa。所述气流磨制粉的效率可根据设备不同有所差别，例如可为30-400kg/h，优选200kg/h。
本发明中，步骤S1中，所述成型的操作和条件可为本领域常规的成型工艺，例如磁场成型法。所述的磁场成型法的磁场强度一般在1.5T以上。
本发明中，步骤S1中，所述烧结的操作和条件可为本领域常规的烧结工艺，例如真空烧结工艺和/或惰性气氛烧结工艺。所述真空烧结工艺或所述惰性气氛烧结工艺均为本领域常规操作。当采用惰性气氛烧结工艺时，所述烧结开始阶段可在真空度低于0.5Pa的条件下进行。所述惰性气氛可为本领域常规的含有惰性气体的气氛，不限于氦气、氩气，还可为氮气。
本发明中，步骤S1中，所述烧结的温度可为1000～1200℃，较佳地为1030～1090℃。
本发明中，步骤S1中，所述烧结的时间可为0.5～10h，较佳地为2～8h。
本发明中，步骤S2中，所述晶界扩散的操作和条件可为本领域常规的晶界扩散工艺，一般为将所述第二组分施加于所述钕铁硼烧结体上保温即可。其中，所述施加方式可为涂覆、磁控等离子溅射或蒸镀。
所述涂覆的操作和条件可为本领域常规，一般将所述第二组分以氟化物或低熔点合金的形式涂覆到所述钕铁硼烧结体上。当所述第二组分包括Tb时，较佳地，Tb以Tb的氟化物或低熔点合金的形式涂覆。当所述第二组分包含Dy时，较佳地，Dy以Dy的氟化物或低熔点合金的形式涂覆。
所述磁控等离子溅射的操作和条件可为本领域常规，一般是通过惰性气体轰击所述第二组分的靶材，产生Dy和/或Tb离子，经过磁场的控制均匀附着在所述钕铁硼烧结体的表面。
所述蒸镀的操作和条件可为本领域常规，一般是通过将所述第二组分的金属做成一定形状，在真空扩散炉中抽真空到设定值(如5Pa到5×10-2Pa)并加热到设定温度下(如500～900℃)产生Dy和/或Tb的蒸气，从而富集到所述钕铁硼烧结体的表面。
本发明中，步骤S2中，所述晶界扩散的温度可为800～1000℃，优选850～950℃，更佳地为900℃。所述晶界扩散的时间可为12～90h，例如24h。
本发明中，步骤S3中，所述热处理的温度可为450℃～510℃。所述热处理的时间可为2～4小时。
本发明还提供了一种由如上所述的制备方法制得的钕铁硼磁体材料。
本发明还提供了一种钕铁硼磁体材料，其包括：
轻稀土元素LR：13～31.5wt％；所述LR包括Nd；
重稀土元素HR：Ho：0～10wt％、且不为0；Gd：0～5wt％、且不为0；
Dy和/或Tb：0.2～4wt％；
Cu：0～0.35wt％，且不为0；
Ga：0～0.35wt％，且不为0；
Al：0～0.5wt％；
X：0.05～0.45wt％；所述X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；
Co：0～0.5wt％；
B：0.9～1.05wt％；
余量为Fe；
所述钕铁硼磁体材料中总稀土含量为29.5～32.5wt％；
wt％为各元素占所述原料组合物的重量百分比；
所述钕铁硼磁体材料包含主相、晶界外延层和富钕相；所述主相和所述晶界外延层分布有Ho和Gd，以及部分Dy和/或Tb；所述富钕相分布有Dy和/或Tb；所述钕铁硼磁体材料的晶界连续性为96％以上。
本发明中，所述主相的主要结构为本领域常规的Nd2Fel4B晶粒。所述晶界外延层一般是指邻接富钕相和主相的二颗粒晶界处，也可以称为“二颗粒晶界”或者称为“主相和富钕相的晶界边沿壳层结构”。所述富钕相为本领域常规理解的富钕相，本领域中晶界结构中的相结构大部分为富钕相。
本发明中，所述主相和所述晶界外延层中较佳地分布有Ho和Gd元素的总重量的95％以上。也就是说，只有少部分Ho和Gd元素分布在富钕相。
本发明中，所述晶界连续性的计算方式是指晶界中除空洞外的物相(例如富钕相、晶界外延层中的相等)占据的长度与总晶界长度的比值。所述晶界连续性超过96％即可称为连续通道。所述晶界连续性较佳地为96.3％～97.11％，例如96.3％、96.33％、96.42％、96.43％、96.45％、96.5％、96.51％、96.54％、96.55％、96.58％、96.59％、96.7％、96.71％、96.8％或97％。
本发明中，所述钕铁硼磁体材料中总稀土含量较佳地为30.1～32.1wt％，例如30.5wt％、30.8wt％或31.5wt％。
本发明中，所述LR的含量较佳地为15～30wt％，例如17.4wt％、18wt％、20wt％、22.5wt％、23wt％、23.4wt％、23.8wt％、24.5wt％、25.5wt％、26wt％或29.9wt％。
本发明中，所述Nd的含量较佳地为13～20wt％，例如18wt％或18.56wt％。
本发明中，所述LR还可包括本领域其他常规的轻稀土元素，例如包括Pr和/或Sm。
其中，当所述LR包含Pr时，所述Pr的含量可为0～16wt％、且不为0wt％；较佳地为4wt％～12wt％，例如4.84wt％或10.8wt％。所述Pr的添加形式可为纯净Pr和/或PrNd，较佳地为PrNd。所述PrNd为Pr和Nd的合金，PrNd中Pr与Nd的重量比一般为25:75或20：80。
其中，当所述LR包含Sm时，所述Sm的含量可为0～5wt％，且不为0；例如4.8wt％。
本发明中，所述Ho含量较佳地为1～8.5wt％，更佳地为4.5～7.5wt％，例如1.7wt％、3wt％、4.3wt％或8.1wt％。
本发明中，所述Gd含量较佳地为0.5～3wt％，例如1wt％、1.5wt％、1.8wt％、2.5wt％或2.6wt％。
本发明中，所述Ho和所述Gd的总含量较佳地为不超过10wt％。
本发明中，所述Dy和/或Tb的含量范围较佳地为0.5～3.5wt％，例如0.6wt％、0.7wt％、1wt％、1.5wt％、2wt％或2.8wt％。当所述钕铁硼磁体材料包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如50:50、60:40或者40:60。
本发明中，所述Cu的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％。
本发明中，所述Ga的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％。
本发明中，所述Al的含量范围为0～0.3wt％，更佳地为0～0.1wt％，例如0.02wt％、0.04wt％或0.08wt％；更佳地为0～0.04wt％，最佳地为0。其中当Al的含量为0～0.1wt％时，Al可以为制备钕铁硼材料的过程中引入的杂质Al和/或额外添加的Al。当Al的含量为0～0.04wt％时，Al一般为制备钕铁硼材料的过程中引入的杂质Al。
本发明中，所述X的种类较佳地为Ti、Nb、Zr和Hf中的一种或多种。
本发明中，所述X的含量较佳地为0.1～0.4wt％，更佳地为0.15～0.2wt％。
当所述X包括Zr时，所述Zr的含量范围较佳地为0.02～0.4wt％，例如0.2wt％。
当所述X包括Ti时，所述Ti的含量范围较佳地为0～0.2wt％、且不为0，例如0.15wt％。
当所述X包括Nb时，所述Nb的含量范围较佳地为0～0.4wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.1wt％。
当所述X包括Hf时，所述Hf的含量范围较佳地为0～0.1wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.05wt％。
当X包括Ti和Nb时，Ti和Nb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如2:1或2:3。
当X包括Hf和Zr时，Hf和Zr的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如1:10或5:2。
当X包括Hf和Nb时，Hf和Nb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如1:8。
本发明中，所述钕铁硼磁体材料还可包括Mn，所述Mn的含量范围≤0.035wt％，更佳地≤0.0175wt％。
本发明中，所述Co的含量较佳地为0～0.2wt％，更佳地为0。
本发明中，所述B的含量范围较佳地为0.94～1.02wt％，例如0.98wt％或0.99wt％。
本发明中，所述“余量为Fe”是指所述钕铁硼磁体材料中还包括其它元素时，所述钕铁硼磁体材料的总重量发生变化，此时，对于各元素用量而言，除Fe以外的已有元素的重量百分比含量不发生变化，仅降低Fe元素的百分含量，以实现各元素总含量为100wt％。
本发明中，所述钕铁硼磁体材料中可含有不可避免的杂质，例如碳杂质，所述碳杂质的含量不超过0.12wt％。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：15～30wt％；Ho：1～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.5～3.5wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.1wt％；Zr：0.2～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.02wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：25.5wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：1wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：25.5wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料原料组合物包括：PrNd：26wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：26wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：1wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：PrNd：20wt％；Ho：10wt％；Gd：0.5wt％；Dy：1wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：29.9wt％；Ho：0.1wt％；Gd：0.5wt％；Dy：1wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：22.5wt％；Ho：7.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：1wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：24.5wt％；Ho：4.5wt％；Gd：1.5wt％；Dy：1wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：23wt％；Ho：4.5wt％；Gd：3wt％；Dy：1wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：24.5wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.6wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：23wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：3.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：17.4wt％；Ho：8.1wt％；Gd：2.6wt％；Tb：4wt％；Cu：0.3wt％；Ga：0.1wt％；Al：0.02wt％；Zr：0.4wt％；B：0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：25.5wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：1wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.1wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：25.5wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：1wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.5wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：26wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Co：0.2wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：26wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Co：0.5wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼磁体材料包括：Nd：13～20wt％；Sm：0～5wt％；Ho：4.5～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.3～2.5wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.04wt％；Nb：0～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.9～0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：Nd：18wt％；Sm：4.8wt％；Ho：5.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.7wt％；Cu：0.2wt％；Ga：0.3wt％；Al：0.03wt％；Nb：0.15wt％；B：0.9wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼磁体材料包括：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：3.5～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.9～3wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0～0.3wt％；Al：0～0.4wt％；Ti：0～0.2wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.98～1.05wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：Nd：18.56wt％；Pr：4.84wt％；Ho：4.3wt％；Gd：1.8wt％；Dy：3wt％；Cu：0.25wt％；Ga：0.05wt％；Al：0.02wt％；Ti：0.15wt％；B：1.05wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼磁体材料包括：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：1～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.6～3wt％；Cu：0.2～0.35wt％；Ga：0.2～0.35wt％；Al：0～0.0.04wt％；Hf：0～0.1wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼磁体材料包括：Nd：13wt％；Pr：10.8wt％；Ho：1.7wt％；Gd：2.5wt％；Dy：1.3wt％；Tb：1.5wt％；Cu：0.35wt％；Ga：0.35wt％；Hf：0.1wt％；B：0.98wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明还提供了一种钕铁硼烧结体的原料组合物，其包括：
轻稀土元素LR：13～31.5wt％；所述LR包括Nd；
Ho：0～10wt％、且不为0；
Gd：0～5wt％、且不为0；
Dy和/或Tb：0～3.1wt％，且不为0；
Cu：0～0.35wt％，且不为0；
Ga：0～0.35wt％，且不为0；
Al：0～0.5wt％；
X：0.05～0.45wt％；所述X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；
Co：0～0.5wt％；
B：0.9～1.1wt％；
余量为Fe；
所述钕铁硼烧结体的原料组合物中总稀土含量为29.5～32.5wt％；
wt％为各元素占所述钕铁硼烧结体的原料组合物的重量百分比。
本发明中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物中总稀土含量较佳地为29.7～31.82wt％，例如30.1wt％、30.24wt％、31.1wt％、31.2wt％、31.46wt％或31.82wt％。
本发明中，所述LR的含量较佳地为15～30.5wt％，例如17.6wt％、20.1wt％、22.6wt％、22.8wt％、23.1wt％、23.64wt％、24wt％、24.6wt％、25.6wt％、26.1wt％或30.1wt％。
本发明中，所述Nd的含量较佳地为13～20wt％，例如13.1wt％、18wt％或18.75wt％。
本发明中，所述LR还可包括本领域其他常规的轻稀土元素，例如包括Pr和/或Sm。
其中，当所述LR包含Pr时，所述Pr的含量可为0～16wt％、且不为0wt％；较佳地为4wt％～12wt％，例如4.89wt％或10.9wt％。所述Pr的添加形式可为纯净Pr和/或PrNd，较佳地为PrNd。所述PrNd为Pr和Nd的合金，PrNd中Pr与Nd的重量比一般为25:75或20：80。
其中，当所述LR包含Sm时，所述Sm的含量可为0～5wt％，且不为0；例如4.8wt％。
本发明中，所述Ho含量较佳地为1～8.5wt％，更佳地为4.5～7.5wt％，例如1.71wt％、3wt％、4.34wt％、5.5wt％或8.2wt％。
本发明中，所述Gd含量较佳地为0.5～3wt％，例如1wt％、1.5wt％、1.82wt％、2.52wt％或2.63wt％。
本发明中，所述Ho和所述Gd的总含量较佳地为不超过10wt％。
本发明中，所述Dy和/或Tb的含量范围较佳地为0.1～2wt％，例如0.5wt％、1wt％、1.51wt％、2.02wt％或2.5wt％。当所述第一组分包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如50:50、60:40或者40:60。
本发明中，所述Cu的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％。
本发明中，所述Ga的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％。
本发明中，所述Al的含量范围为0～0.3wt％，更佳地为0～0.1wt％，例如0.02wt％、0.04wt％或0.08wt％；更佳地为0～0.04wt％，最佳地为0。其中当Al的含量为0～0.1wt％时，Al可以为制备钕铁硼材料的过程中引入的杂质Al和/或额外添加的Al。当Al的含量为0～0.04wt％时，Al一般为制备钕铁硼材料的过程中引入的杂质Al。
本发明中，所述X的种类较佳地为Ti、Nb、Zr和Hf中的一种或多种。
本发明中，所述X的含量较佳地为0.1～0.4wt％，更佳地为0.15～0.2wt％。
当所述X包括Zr时，所述Zr的含量范围较佳地为0.02～0.4wt％，例如0.2wt％。
当所述X包括Ti时，所述Ti的含量范围较佳地为0～0.2wt％、且不为0，例如0.15wt％。
当所述X包括Nb时，所述Nb的含量范围较佳地为0～0.4wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.1wt％。
当所述X包括Hf时，所述Hf的含量范围较佳地为0～0.1wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.05wt％。
当X包括Ti和Nb时，Ti和Nb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如2:1或2:3。
当X包括Hf和Zr时，Hf和Zr的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如1:10或5:2。
当X包括Hf和Nb时，Hf和Nb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如1:8。
本发明中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物还可包括Mn，所述Mn的含量范围≤0.035wt％，更佳地≤0.0175wt％。
本发明中，所述Co的含量较佳地为0～0.2wt％，更佳地为0。
本发明中，所述B的含量范围较佳地为0.94～1.02wt％，例如0.98wt％或0.99wt％。
本发明中，所述“余量为Fe”是指，所述钕铁硼烧结体的原料组合物中添加其它元素时，所述原料组合物的总重量发生变化，此时，对于各元素用量而言，除Fe以外的已有元素的重量百分比含量不发生变化，仅降低Fe元素的百分含量，以实现各元素总含量为100wt％。
本发明中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物中可含有不可避免的杂质。例如，在制备工艺中一般会添加润滑剂等而引入碳杂质，碳杂质的含量不超过0.12wt％。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：15～30.5wt％；Ho：1～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.1wt％；Zr：0.2～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.02wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：25.6wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：25.6wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：26.1wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：26.1wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：20.1wt％；Ho：10wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：30.1wt％；Ho：0.1wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：22.6wt％；Ho：7.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：24.6wt％；Ho：4.5wt％；Gd：1.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：23.1wt％；Ho：4.5wt％；Gd：3wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：24.6wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.1wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：23.1wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：3wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：17.6wt％；Ho：8.2wt％；Gd：2.63wt％；Tb：3.03wt％；Cu：0.3wt％；Ga：0.1wt％；Al：0.02wt％；Zr：0.4wt％；B：0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：25.6wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.1wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：25.6wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.5wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：26.1wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Co：0.2wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：26.1wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Co：0.5wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：Nd：13～20wt％；Sm：0～5wt％；Ho：4.5～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.04wt％；Nb：0～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.9～0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：Nd：18wt％；Sm：4.8wt％；Ho：5.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.2wt％；Ga：0.3wt％；Al：0.03wt％；Nb：0.15wt％；B：0.9wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：3.5～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2.5wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0～0.3wt％；Al：0～0.4wt％；Ti：0～0.2wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.98～1.1wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：Nd：18.75wt％；Pr：4.89wt％；Ho：4.34wt％；Gd：1.82wt％；Dy：2.02wt％；Cu：0.25wt％；Ga：0.05wt％；Al：0.02wt％；Ti：0.15wt％；B：1.06wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：1～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.2～0.35wt％；Ga：0.2～0.35wt％；Al：0～0.0.04wt％；Hf：0～0.1wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.05wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：13.1wt％；Pr：10.9wt％；Ho：1.71wt％；Gd：2.52wt％；Dy：0.5wt％；Tb：1.51wt％；Cu：0.35wt％；Ga：0.35wt％；Hf：0.1wt％；B：0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明还提供了一种钕铁硼烧结体的制备方法，将上述钕铁硼烧结体的原料组合物经熔炼、制粉、成型、烧结即可。
其中，所述熔炼、所述制粉、所述成型和所述烧结的过程与上述相同。
本发明还提供了一种由如上所述的制备方法制得的钕铁硼烧结体。
本发明还提供了一种钕铁硼烧结体，其包括：
轻稀土元素LR：13～31.5wt％；所述LR包括Nd；
Ho：0～10wt％、且不为0；
Gd：0～5wt％、且不为0；
Dy和/或Tb：0～3.1wt％，且不为0；
Cu：0～0.35wt％，且不为0；
Ga：0～0.35wt％，且不为0；
Al：0～0.5wt％；
X：0.05～0.45wt％；所述X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；
Co：0～0.5wt％；
B：0.9～1.1wt％；
余量为Fe；
所述钕铁硼烧结体中总稀土含量为29.5～32.5wt％；
wt％为各元素占所述钕铁硼烧结体的重量百分比；
所述钕铁硼烧结体包含主相、晶界外延层和富钕相；所述主相和所述晶界外延层分布有Ho和Gd，以及Dy和/或Tb；所述钕铁硼烧结体的晶界连续性为96％以上。
其中，所述主相和所述晶界外延层中较佳地分布有Ho和Gd以及Dy和/或Tb元素的总重量的95％以上。也就是说，只有少部分Ho和Gd元素以及Dy和/或Tb分布在富钕相。
本发明中，所述钕铁硼烧结体中总稀土含量较佳地为29.7～31.82wt％，例如30.1wt％、30.24wt％、31.1wt％、31.2wt％、31.46wt％或31.82wt％。
本发明中，所述LR的含量较佳地为15～30.5wt％，例如17.6wt％、20.1wt％、22.6wt％、22.8wt％、23.1wt％、23.64wt％、24wt％、24.6wt％、25.6wt％、26.1wt％或30.1wt％。
本发明中，所述Nd的含量较佳地为13～20wt％，例如13.1wt％、18wt％或18.75wt％。
本发明中，所述LR还可包括本领域其他常规的轻稀土元素，例如包括Pr和/或Sm。
其中，当所述LR包含Pr时，所述Pr的含量可为0～16wt％、且不为0wt％；较佳地为4wt％～12wt％，例如4.89wt％或10.9wt％。所述Pr的添加形式可为纯净Pr和/或PrNd，较佳地为PrNd。所述PrNd为Pr和Nd的合金，PrNd中Pr与Nd的重量比一般为25:75或20：80。
其中，当所述LR包含Sm时，所述Sm的含量可为0～5wt％，且不为0；例如4.8wt％。
本发明中，所述Ho含量较佳地为1～8.5wt％，更佳地为4.5～7.5wt％，例如1.71wt％、3wt％、4.34wt％、5.5wt％或8.2wt％。
本发明中，所述Gd含量较佳地为0.5～3wt％，例如1wt％、1.5wt％、1.82wt％、2.52wt％或2.63wt％。
本发明中，所述Ho和所述Gd的总含量较佳地为不超过10wt％。
本发明中，所述Dy和/或Tb的含量范围较佳地为0.1～2wt％，例如0.5wt％、1wt％、1.51wt％、2.02wt％或2.5wt％。当所述第一组分包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如50:50、60:40或者40:60。
本发明中，所述Cu的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％。
本发明中，所述Ga的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％。
本发明中，所述Al的含量范围为0～0.3wt％，更佳地为0～0.1wt％，例如0.02wt％、0.04wt％或0.08wt％；更佳地为0～0.04wt％，最佳地为0。其中当Al的含量为0～0.1wt％时，Al可以为制备钕铁硼材料的过程中引入的杂质Al和/或额外添加的Al。当Al的含量为0～0.04wt％时，Al一般为制备钕铁硼材料的过程中引入的杂质Al。
本发明中，所述X的种类较佳地为Ti、Nb、Zr和Hf中的一种或多种。
本发明中，所述X的含量较佳地为0.1～0.4wt％，更佳地为0.15～0.2wt％。
当所述X包括Zr时，所述Zr的含量范围较佳地为0.02～0.4wt％，例如0.2wt％。
当所述X包括Ti时，所述Ti的含量范围较佳地为0～0.2wt％、且不为0，例如0.15wt％。
当所述X包括Nb时，所述Nb的含量范围较佳地为0～0.4wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.1wt％。
当所述X包括Hf时，所述Hf的含量范围较佳地为0～0.1wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.05wt％。
当X包括Ti和Nb时，Ti和Nb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如2:1或2:3。
当X包括Hf和Zr时，Hf和Zr的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如1:10或5:2。
当X包括Hf和Nb时，Hf和Nb的重量比可为本领域常规，一般为1:99～99:1，例如1:8。
本发明中，所述钕铁硼烧结体还可包括Mn，所述Mn的含量范围≤0.035wt％，更佳地≤0.0175wt％。
本发明中，所述Co的含量较佳地为0～0.2wt％，更佳地为0。
本发明中，所述B的含量范围较佳地为0.94～1.02wt％，例如0.98wt％或0.99wt％。
本发明中，所述“余量为Fe”是指，所述钕铁硼烧结体中还包括其它元素时，所述钕铁硼烧结体的总重量发生变化，此时，对于各元素用量而言，除Fe以外的已有元素的重量百分比含量不发生变化，仅降低Fe元素的百分含量，以实现各元素总含量为100wt％。
本发明中，所述钕铁硼烧结体中可含有不可避免的杂质。例如，在制备工艺中一般会添加润滑剂等而引入碳杂质，碳杂质的含量不超过0.12wt％。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：15～30.5wt％；Ho：1～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.1wt％；Zr：0.2～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.02wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：25.6wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：25.6wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：26.1wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：26.1wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：20.1wt％；Ho：10wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：30.1wt％；Ho：0.1wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：22.6wt％；Ho：7.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：24.6wt％；Ho：4.5wt％；Gd：1.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：23.1wt％；Ho：4.5wt％；Gd：3wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：24.6wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.1wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：23.1wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：3wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：17.6wt％；Ho：8.2wt％；Gd：2.63wt％；Tb：3.03wt％；Cu：0.3wt％；Ga：0.1wt％；Al：0.02wt％；Zr：0.4wt％；B：0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：25.6wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.1wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：25.6wt％；Ho：4.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.5wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：26.1wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Co：0.2wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：26.1wt％；Ho：3wt％；Gd：0.5wt％；Tb：0.5wt％；Cu：0.15wt％；Co：0.5wt％；Ga：0.15wt％；Al：0.04wt％；Zr：0.2wt％；B：0.94wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼烧结体包括：Nd：13～20wt％；Sm：0～5wt％；Ho：4.5～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.04wt％；Nb：0～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.9～0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：Nd：18wt％；Sm：4.8wt％；Ho：5.5wt％；Gd：0.5wt％；Dy：0.5wt％；Cu：0.2wt％；Ga：0.3wt％；Al：0.03wt％；Nb：0.15wt％；B：0.9wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼烧结体包括：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：3.5～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2.5wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0～0.3wt％；Al：0～0.4wt％；Ti：0～0.2wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.98～1.1wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：Nd：18.75wt％；Pr：4.89wt％；Ho：4.34wt％；Gd：1.82wt％；Dy：2.02wt％；Cu：0.25wt％；Ga：0.05wt％；Al：0.02wt％；Ti：0.15wt％；B：1.06wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明中，较佳地，所述钕铁硼烧结体包括：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：1～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.2～0.35wt％；Ga：0.2～0.35wt％；Al：0～0.0.04wt％；Hf：0～0.1wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.05wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
在本发明一较佳实施方式中，所述钕铁硼烧结体包括：所述第一组分：Nd：13.1wt％；Pr：10.9wt％；Ho：1.71wt％；Gd：2.52wt％；Dy：0.5wt％；Tb：1.51wt％；Cu：0.35wt％；Ga：0.35wt％；Hf：0.1wt％；B：0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
本发明还提供了所述钕铁硼磁体材料和/或所述钕铁硼烧结体在制备磁钢中的应用。所述磁钢可为本领域常规使用的牌号，例如42UH、45UH、42EH或45EH。
在符合本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
本发明所用试剂和原料均市售可得。
本发明的积极进步效果在于：
在无或低Co且低Al含量时，通过调整各元素种类及用量，调节材料的剩磁、矫顽力在特定范围内，同时改善高温稳定性，具体地：
1)常温下，本发明钕铁硼磁体材料的Br可为11.2～14kGs，Hcj为25.1～38.2kOe；高温(140℃)下，Br为10～12.3kGs，Hcj为10～19.7kOe。
2)常温下，本发明钕铁硼烧结体的Br为11.32～14.1kGs，Hcj为16.5～26.5kOe；扩散后Hcj增加量为7.33～12.92kOe。
3)基于本申请的配方组分，各元素相配合，耐高温性能好：钕铁硼磁体材料的开路磁损0.05％～3.2％，Br温度系数绝对值为0.089～0.101％；Hcj温度系数绝对值为0.404％～0.501％。
附图说明
图1为本发明实施例4中钕铁硼烧结体的SEM图；
其中，1、主相，2、晶界外延层，3、富钕相，4、空洞。
图2为本发明对比例1中钕铁硼烧结体的SEM图。
图3为本发明实施例4制得的钕铁硼磁体材料的EPMA图谱。
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书选择。
制备实施例
按照如下制备过程制备实施例1～19和对比例1～8中的钕铁硼磁体材料：
S1、将第一组分熔炼、制粉、成型、烧结，具体如下：
(1)熔炼浇铸：将表1中第一组分的各元素(也即表2中的各元素)放入氧化铝的坩埚中，在高频真空熔炼炉中以0.05Pa的真空和1500℃的条件进行真空熔炼；转移至中频真空感应速凝甩带炉中，通入氩气，进行铸造，急冷，得合金片。
(2)氢破制粉：将合金片放置在氢破用炉中，在室温下将氢破用炉抽真空，而后向氢破用炉内通入纯度为99.9％的氢气，维持氢气的压力90kPa，使合金片充分吸氢；接着，边抽真空边升温至550℃，使合金片充分脱氢；之后进行冷却处理，得粉末。
(3)气流磨制粉：在氮气气氛下，压力为0.65MPa的条件下对氢破制粉得到的粉末进行气流磨粉碎(气流磨制粉的效率可根据设备不同有所差别，例如可为200kg/h)，得到细粉。
(4)磁场成型：将气流磨制粉得到的细粉在1.5T以上的磁场强度中压制成型，得成型体。
(5)惰性气氛烧结：将成型体转移至烧结炉中，在氮气气氛下，在真空度低于0.5Pa的条件下，在1030～1090℃的温度下烧结2～8h，得钕铁硼烧结体。
S2、采用表1中的第二组分对所述钕铁硼烧结体进行晶界扩散，具体如下：
将步骤S1得到的钕铁硼烧结体的表面净化，将第二组分涂覆于钕铁硼烧结体的表面，并以900℃的温度扩散24h，之后冷却至室温。
S3、热处理：在480～510℃的温度进行热处理3h，即得钕铁硼磁体材料。
表1钕铁硼磁体材料的原料组合物的配方和含量(wt％)
Figure BDA0002476519300000251
*PrNd合金中Pr与Nd的重量比为25:75。
表2钕铁硼烧结体的原料组合物的配方和含量(wt％)
Figure BDA0002476519300000261
*PrNd合金中Pr与Nd的重量比为25:75。
效果实施例1：材料成分测定
采用本领域常规的方法，使用高频电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-OES)对实施例1～19和对比例1～8中的钕铁硼磁体材料(扩散后)和钕铁硼烧结体(扩散前)的各成分进行测定，测定结果分别如表3和表4所示。
表3钕铁硼磁体材料的组分和含量(wt％)
Figure BDA0002476519300000271
表4钕铁硼烧结体的组分和含量(wt％)
Figure BDA0002476519300000281
效果实施例2：微观结构测定
1、SEM分析
采用SEM-EDS背散射仪(仪器型号：日立S-3400N)测定实施例1～19和对比例1～8中的钕铁硼烧结体和钕铁硼磁体材料的SEM图。实施例4制得的钕铁硼烧结体和对比例1制得的钕铁硼烧结体的SEM图分别如图1和图2所示。
图1为实施例4制得的钕铁硼烧结体的SEM图，该钕铁硼烧结体中含有3wt％的Ho、0.5wt％的Gd和0.5wt％的Tb，不含Co。由图1可见，该无Co含(Ho+Gd+Tb)的钕铁硼烧结体包含主相1(深灰色区域)、晶界外延层2(浅灰色区域)、富钕相3(白色区域)和空洞4(黑色区域)；晶界外延层2处于主相1和富钕相3之间，空洞4是因为制样时富钕相有氧化脱落造成。其中，富钕相较为均匀地分布在主相颗粒周围，且富钕相占比较大，可增加晶界扩散过程中Dy和/或Tb扩散通道，有利于提高晶界扩散过程中Dy和/或Tb扩散能力。
图2为对比例1制得的钕铁硼烧结体的SEM图，该钕铁硼烧结体中不含Ho，含有0.5wt％的Gd和0.5wt％的Dy，含有2wt％的Co。由图2可见，该无Ho含Co的钕铁硼烧结体中没有明显的晶界外延层，富钕相分布较少，其占比明显低于图1，不能起到磁去耦合的作用，不利于矫顽力的提高。另外，图2中富钕相有团聚现象，无法提供均匀分布的扩散通道，不利于后续Dy和/或Tb在富钕相中的扩散过程。
2、SEM-EDS分析
在图1的基础上，通过SEM电镜中的EDS测试，计算实施例4制得的钕铁硼烧结体在取样范围内的元素组成，结果见表5。
表5
Figure BDA0002476519300000291
注：以取样点1为例，其属于主相，在该取样范围内，PrNd含量为25.58wt％，Ho含量为3.12wt％，Gd含量为0.52wt％，Tb含量为0.51wt％，其它元素含量为70.27wt％，上述百分比为该取样范围内，各元素重量分别占全部元素总重量的重量百分比。
由表5可知，Ho、Gd和Tb元素主要进入主相，Ho和Tb对主相的各向异性场有一定的提高作用，可提高Hcj。同时，由于Ho、Gd和Tb元素的进入，部分代替主相中的Nd，使得更多的Nd迁移到富钕相，增加富钕相占比，为后续Dy或/和Tb扩散提供更多扩散通道。
Ho、Gd和Tb元素在晶界外延层中也有一定的分布。在晶界外延层中，重稀土元素浓度增加，在扩散过程中减少扩散重稀土元素与主相的浓度差，避免扩散元素向主相扩散，优先沿着晶界外延层扩散，进而增加扩散重稀土元素沿着富钕相扩散，增加扩散深度和扩散速度。
Ho、Gd和Tb元素在富钕相中占比很少，尤其是Gd和Tb，在富钕相中的占比几乎为零。主相的熔点远高于富钕相的，晶界外延层次之。由于Ho、Gd和Tb的熔点高于PrNd，在多元相图上，优先析出高熔点物质，所以Ho、Gd和Tb元素在主相中分布更多，富钕相中分布较少。富钕相中重稀土元素Ho、Tb、Gd过高会大幅度降低产品的Br，不利于产品的综合性能。
3、EPMA分析
采用微区X射线光谱分析仪(仪器型号：EPMA-1720)测得实施例4制得的钕铁硼磁体材料的EPMA图谱，见图3。
图3显示了钕铁硼磁体材料中Tb的分布情况，从图3中可以看出，实施例4的无Co含(Ho+Gd+Tb)的钕铁硼烧结体经过Tb扩散后，Tb元素未进入主相，而主要集中到富钕相中。
4、晶界连续性
晶界连续性是指晶界中除空洞外的物相(例如富钕相、晶界外延层)占据的长度与总晶界长度的比值。晶界连续性超过96％即可称为连续通道。基于各实施例和对比例的钕铁硼磁体材料的SEM图，计算晶界连续性。实施例1～19和对比例1～8中的钕铁硼磁体材料的晶界连续性，如表6所示。实施例1～19的钕铁硼磁体材料的晶界连续性均在96％以上，对比例1～8中的钕铁硼磁体材料的晶界连续性均在96％以下。
表6钕铁硼磁体材料的晶界连续性
Figure BDA0002476519300000301
效果实施例3：磁性能测试
使用英国Hirst公司的PFM-14磁性能测量仪，对实施例1～19和对比例1～8中的个各个样品进行磁性能测试(测试样品为直径D10mm*厚度1.8mm圆片)，测试结果如表7所示。其中，实施例4制得钕铁硼磁体材料可用于制备牌号为45EH的磁钢。
表7磁性能测试结果
Figure BDA0002476519300000311
表7中数据说明如下：
1.ΔHcj(kOe)：指常温(20℃)下，扩散后的钕铁硼磁体材料的矫顽力Hcj相对于扩散前的钕铁硼烧结体的矫顽力的增加值。
2.Br温度系数α绝对值(％)：指基于钕铁硼磁体材料在常温(20℃)和高温(140℃)的剩磁Br计算出来的温度系数，计算公式为：
Br温度系数
Figure BDA0002476519300000321
3.Hcj温度系数β绝对值(％)：指基于钕铁硼磁体材料在常温(20℃)和高温(140℃)的矫顽力Hcj计算出来的温度系数，计算公式为：
Hcj温度系数
Figure BDA0002476519300000322
4.全开路磁损(％)：指钕铁硼磁体材料在高温(140℃)烘烤一定时间(如120min)，基于烘烤前后钕铁硼磁体材料的磁通变化计算出来的全开路磁损，计算公式为：
Figure BDA0002476519300000323
其中，在常温(20℃)下测定钕铁硼磁体材料的磁通，记为M1；然后在烘箱中加热钕铁硼磁体材料到设定温度140℃，保温120min，再冷却到常温测定磁通，记为M2。
对表7中磁性能测试结果的分析：
1)对比例1：基于实施例1，用相同量的PrNd替代Ho，总稀土含量不变。
对比例1中，扩散后矫顽力提升(ΔHcj)较小；高温下Hcj比较小，全开路磁损失远高于实施例1，高温下Br、Hcj温度系数绝对值较大，高温性能较差。
2)对比例2：基于实施例1，熔炼时不添加Dy，用相同量的PrNd替代，总稀土含量不变。
对比例1中，扩散后矫顽力提升(ΔHcj)较小；高温下Hcj比较小，全开路磁损失远高于实施例1，高温下Br、Hcj温度系数绝对值较大，高温性能较差。
3)对比例3：基于实施例1，增加Gd的含量使之过量，同时减少PrNd的含量以保证总稀土含量不变。
对比例3中，常温下剩磁稍低，扩散后矫顽力提升(ΔHcj)较小；高温下Hcj比较小，全开路磁损失远高于实施例1，高温下Br、Hcj温度系数绝对值较大，高温性能较差。
4)对比例4：基于实施例1，不含Zr，用Fe补足。
对比例4中，扩散后矫顽力提升(ΔHcj)较小；高温下Hcj比较小，全开路磁损失远高于实施例1，高温下Br、Hcj温度系数绝对值较大，高温性能较差。
5)对比例5：基于实施例1，用相同量的Mn替代Zr。
对比例5中，扩散后矫顽力提升(ΔHcj)较小；高温下Hcj比较小，全开路磁损失远高于实施例1，高温下Br、Hcj温度系数绝对值较大，高温性能较差。
6)对比例6：基于实施例1，不含Ga，用Fe补足。
对比例6中，扩散后矫顽力提升(ΔHcj)较小；高温下Hcj比较小，全开路磁损失远高于实施例1，高温下Br、Hcj温度系数绝对值较大，高温性能较差。
7)对比例7：基于实施例1，增加Al的含量使之过量，调整Fe含量。
对比例6中，扩散后矫顽力提升(ΔHcj)较小；高温下Hcj比较小，全开路磁损失远高于实施例1，高温下Br、Hcj温度系数绝对值较大，高温性能较差。
8)对比例8：不含Ga，Al含量过高，不含X元素，总稀土含量过高。
对比例8中，扩散后矫顽力提升(ΔHcj)较小；高温下Hcj比较小，全开路磁损失远高于实施例1，高温下Br、Hcj温度系数绝对值较大，高温性能较差。

Claims (10)

1.一种钕铁硼磁体材料的原料组合物，其包含第一组分和第二组分，所述第一组分为熔炼时添加的元素，所述第二组分为晶界扩散时添加的元素；
所述第一组分包括：
轻稀土元素LR：13～31.5wt％；所述LR包括Nd；
Ho：0～10wt％、且不为0；
Gd：0～5wt％、且不为0；
Dy和/或Tb：0～3wt％，且不为0；
Cu：0～0.35wt％，且不为0；
Ga：0～0.35wt％，且不为0；
Al：0～0.5wt％；
X：0.05～0.45wt％；所述X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；
Co：0～0.5wt％；
B：0.9～1.05wt％；
余量为Fe；
所述第二组分包括：Dy和/或Tb：0.2～1wt％；
所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中总稀土含量为29.5～32.5wt％；
wt％为各元素占所述钕铁硼磁体材料的原料组合物的重量百分比。
2.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体材料的原料组合物，其特征在于，
所述钕铁硼磁体材料的原料组合物中总稀土含量为30.1～32.1wt％，例如30.5wt％、30.8wt％或31.5wt％；
和/或，所述LR的含量为15～30wt％，例如17.4wt％、18wt％、20wt％、22.5wt％、23wt％、23.4wt％、23.8wt％、24.5wt％、25.5wt％、26wt％或29.9wt％；
和/或，所述Nd的含量为13～20wt％，例如18wt％或18.56wt％；
和/或，所述LR还包括Pr和/或Sm；其中，
当所述LR包含Pr时，所述Pr的含量为0～16wt％、且不为0wt％；较佳地为4wt％～12wt％，例如4.84wt％或10.8wt％；所述Pr的添加形式为纯净Pr和/或PrNd，较佳地为PrNd；当所述LR包含Sm时，所述Sm的含量为0～5wt％，且不为0；例如4.8wt％；
和/或，所述Ho含量为1～8.5wt％，更佳地为4.5～7.5wt％，例如1.7wt％、3wt％、4.3wt％或8.1wt％；
和/或，所述Gd含量为0.5～3wt％，例如1wt％、1.5wt％、1.8wt％、2.5wt％或2.6wt％；
所述Ho和所述Gd的总含量较佳地为不超过10wt％；
和/或，所述第一组分中所述Dy和/或Tb的含量范围为0.1～2wt％，例如0.5wt％、1wt％、1.5wt％、2wt％或2.5wt％；当所述第一组分包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如50:50、60:40或者40:60；
和/或，所述Cu的含量范围为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％；
和/或，所述Ga的含量范围为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％；
和/或，所述Al的含量范围为0～0.3wt％，较佳地为0～0.1wt％，例如0.02wt％、0.04wt％或0.08wt％；更佳地为0～0.04wt％，最佳地为0；
和/或，所述X的种类为Ti、Nb、Zr和Hf中的一种或多种；所述X的含量较佳地为0.1～0.4wt％，更佳地为0.15～0.2wt％；
当所述X包括Zr时，所述Zr的含量范围较佳地为0.02～0.4wt％，例如0.2wt％；
当所述X包括Ti时，所述Ti的含量范围较佳地为0～0.2wt％、且不为0，例如0.15wt％；
当所述X包括Nb时，所述Nb的含量范围较佳地为0～0.4wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.1wt％；
当所述X包括Hf时，所述Hf的含量范围较佳地为0～0.1wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.05wt％；
当X包括Ti和Nb时，Ti和Nb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如2:1或2:3；
当X包括Hf和Zr时，Hf和Zr的重量比较佳地为1:99～99:1，例如1:10或5:2；
当X包括Hf和Nb时，Hf和Nb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如1:8；
和/或，所述Co的含量为0～0.2wt％；
和/或，所述B的含量范围为0.94～1.02wt％，例如0.98wt％或0.99wt％；
和/或，所述第二组分中Dy和/或Tb的含量范围为0.5～0.8wt％；
当所述第二组分包括Dy时，所述Dy的含量范围较佳地为0.2～1wt％，例如0.5wt％或0.8wt％；
当所述第二组分包括Tb时，所述Tb的含量范围较佳地为0.2～1wt％，例如0.5wt％；
当所述第二组分包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如50:50、60:40或者40:60；
较佳地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：PrNd：15～30wt％；Ho：1～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.1wt％；Zr：0.2～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.02wt％；所述第二组分：Dy和/或Tb：0.5～0.8wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
较佳地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：13～20wt％；Sm：0～5wt％；Ho：4.5～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.04wt％；Nb：0～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.9～0.99wt％；所述第二组分：Dy和/或Tb：0.2～0.5wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
较佳地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：3.5～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0～0.3wt％；Al：0～0.4wt％；Ti：0～0.2wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.98～1.05wt％；所述第二组分：Dy和/或Tb：0.8～1wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
较佳地，所述钕铁硼磁体材料的原料组合物包括：所述第一组分：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：1～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.2～0.35wt％；Ga：0.2～0.35wt％；Al：0～0.0.04wt％；Hf：0～0.1wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～0.99wt％；所述第二组分：Dy和/或Tb：0.5～1wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
3.一种钕铁硼磁体材料的制备方法，其采用权利要求1或2所述钕铁硼磁体材料的原料组合物进行，所述制备方法包括如下步骤：
S1、将所述第一组分熔炼、制粉、成型、烧结，得钕铁硼烧结体；
S2、采用所述第二组分对步骤S1所得的钕铁硼烧结体进行晶界扩散；
S3、热处理，即得钕铁硼磁体材料；
步骤S1中，所述熔炼的操作和条件较佳地为将所述第一组分的各元素采用铸锭工艺或速凝片工艺进行熔炼浇铸，得到合金片；
步骤S1中，所述熔炼的温度较佳地为1300～1700℃，例如1500℃；
步骤S1中，所述熔炼的设备较佳地为高频真空熔炼炉和/或中频真空熔炼炉；所述中频真空熔炼炉较佳地为中频真空感应速凝甩带炉；
步骤S1中，所述制粉的操作和条件较佳地包括氢破制粉和/或气流磨制粉；其中，
所述氢破制粉较佳地包括吸氢、脱氢和冷却处理；所述吸氢的温度较佳地为20～200℃，更佳地为20～40℃；所述吸氢的压力较佳地为50～600kPa，例如90kPa；所述脱氢的温度较佳地为400～650℃，例如550℃；
所述气流磨制粉中的气流较佳地为氮气和/或氩气；所述气流磨制粉的压力较佳地为0.1～2MPa，更佳地为0.5～0.7MPa，例如0.65MPa；所述气流磨制粉的效率较佳地为30-400kg/h，例如200kg/h；
步骤S1中，所述成型的操作和条件较佳地为磁场成型法，所述的磁场成型法的磁场强度较佳地在1.5T以上；
步骤S1中，所述烧结的操作和条件较佳地为真空烧结工艺和/或惰性气氛烧结工艺；
步骤S1中，所述烧结的温度较佳地为1000～1200℃，更佳地为1030～1090℃；
步骤S1中，所述烧结的时间较佳地为0.5～10h，更佳地为2～8h；
步骤S2中，所述晶界扩散的操作和条件较佳地为将所述第二组分施加于所述钕铁硼烧结体上保温即可，其中，所述施加方式较佳地为涂覆、磁控等离子溅射或蒸镀；所述晶界扩散的温度较佳地为800～1000℃，更佳地为850～950℃，更佳地为900℃；
步骤S2中，所述晶界扩散的时间较佳地为12～90h，例如24h；
步骤S3中，所述热处理的温度较佳地为450℃～510℃；所述热处理的时间较佳地为2～4小时。
4.一种钕铁硼磁体材料，其由权利要求3所述的钕铁硼磁体材料的制备方法制得。
5.一种钕铁硼磁体材料，其包括：
轻稀土元素LR：13～31.5wt％；所述LR包括Nd；
重稀土元素HR：Ho：0～10wt％、且不为0；Gd：0～5wt％、且不为0；
Dy和/或Tb：0.2～4wt％；
Cu：0～0.35wt％，且不为0；
Ga：0～0.35wt％，且不为0；
Al：0～0.5wt％；
X：0.05～0.45wt％；所述X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；
Co：0～0.5wt％；
B：0.9～1.05wt％；
余量为Fe；
所述钕铁硼磁体材料中总稀土含量为29.5～32.5wt％；
wt％为各元素占所述原料组合物的重量百分比；
所述钕铁硼磁体材料包含主相、晶界外延层和富钕相；所述主相和所述晶界外延层分布有Ho和Gd，以及部分Dy和/或Tb；所述富钕相分布有Dy和/或Tb；所述钕铁硼磁体材料的晶界连续性为96％以上；
所述主相和所述晶界外延层中较佳地分布有Ho和Gd元素的总重量的95％以上；
所述晶界连续性较佳地为96.3％～97.11％，例如96.3％、96.33％、96.42％、96.43％、96.45％、96.5％、96.51％、96.54％、96.55％、96.58％、96.59％、96.7％、96.71％、96.8％或97％；
所述钕铁硼磁体材料中总稀土含量较佳地为30.1～32.1wt％，例如30.5wt％、30.8wt％或31.5wt％；
所述LR的含量较佳地为15～30wt％，例如17.4wt％、18wt％、20wt％、22.5wt％、23wt％、23.4wt％、23.8wt％、24.5wt％、25.5wt％、26wt％或29.9wt％；
所述Nd的含量较佳地为13～20wt％，例如18wt％或18.56wt％；
所述LR较佳地还包括Pr和/或Sm；其中，
当所述LR包含Pr时，所述Pr的含量为0～16wt％、且不为0wt％；较佳地为4wt％～12wt％，例如4.84wt％或10.8wt％；所述Pr的添加形式为纯净Pr和/或PrNd，较佳地为PrNd；
当所述LR包含Sm时，所述Sm的含量为0～5wt％，且不为0；例如4.8wt％；
所述Ho含量较佳地为1～8.5wt％，更佳地为4.5～7.5wt％，例如1.7wt％、3wt％、4.3wt％或8.1wt％；
所述Gd含量较佳地为0.5～3wt％，例如1wt％、1.5wt％、1.8wt％、2.5wt％或2.6wt％；
所述Ho和所述Gd的总含量较佳地为不超过10wt％；
所述Dy和/或Tb的含量范围较佳地为0.5～3.5wt％，例如0.6wt％、0.7wt％、1wt％、1.5wt％、2wt％或2.8wt％；当所述钕铁硼磁体材料包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如50:50、60:40或者40:60；
所述Cu的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％；
所述Ga的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％；
所述Al的含量范围较佳地为0～0.3wt％，更佳地为0～0.1wt％，例如0.02wt％、0.04wt％或0.08wt％；更佳地为0～0.04wt％，最佳地为0；
所述X的种类较佳地为Ti、Nb、Zr和Hf中的一种或多种；
所述X的含量较佳地为0.1～0.4wt％，更佳地为0.15～0.2wt％；
当所述X包括Zr时，所述Zr的含量范围较佳地为0.02～0.4wt％，例如0.2wt％；
当所述X包括Ti时，所述Ti的含量范围较佳地为0～0.2wt％、且不为0，例如0.15wt％；
当所述X包括Nb时，所述Nb的含量范围较佳地为0～0.4wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.1wt％；
当所述X包括Hf时，所述Hf的含量范围较佳地为0～0.1wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.05wt％；
当X包括Ti和Nb时，Ti和Nb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如2:1或2:3；
当X包括Hf和Zr时，Hf和Zr的重量比较佳地为1:99～99:1，例如1:10或5:2；
当X包括Hf和Nb时，Hf和Nb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如1:8；
所述Co的含量较佳地为0～0.2wt％，更佳地为0；
所述B的含量范围较佳地为0.94～1.02wt％，例如0.98wt％或0.99wt％；
较佳地，所述钕铁硼磁体材料包括：PrNd：15～30wt％；Ho：1～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.5～3.5wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.1wt％；Zr：0.2～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.02wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
较佳地，所述钕铁硼磁体材料包括：Nd：13～20wt％；Sm：0～5wt％；Ho：4.5～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.3～2.5wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.04wt％；Nb：0～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.9～0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
较佳地，所述钕铁硼磁体材料包括：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：3.5～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.9～3wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0～0.3wt％；Al：0～0.4wt％；Ti：0～0.2wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.98～1.05wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
较佳地，所述钕铁硼磁体材料包括：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：1～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.6～3wt％；Cu：0.2～0.35wt％；Ga：0.2～0.35wt％；Al：0～0.0.04wt％；Hf：0～0.1wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
6.一种钕铁硼烧结体的原料组合物，其包括：
轻稀土元素LR：13～31.5wt％；所述LR包括Nd；
Ho：0～10wt％、且不为0；
Gd：0～5wt％、且不为0；
Dy和/或Tb：0～3.1wt％，且不为0；
Cu：0～0.35wt％，且不为0；
Ga：0～0.35wt％，且不为0；
Al：0～0.5wt％；
X：0.05～0.45wt％；所述X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；
Co：0～0.5wt％；
B：0.9～1.1wt％；
余量为Fe；
所述钕铁硼烧结体的原料组合物中总稀土含量为29.5～32.5wt％；
wt％为各元素占所述钕铁硼烧结体的原料组合物的重量百分比；
所述钕铁硼烧结体的原料组合物中总稀土含量较佳地为29.7～31.82wt％，例如30.1wt％、30.24wt％、31.1wt％、31.2wt％、31.46wt％或31.82wt％；
所述LR的含量较佳地为15～30.5wt％，例如17.6wt％、20.1wt％、22.6wt％、22.8wt％、23.1wt％、23.64wt％、24wt％、24.6wt％、25.6wt％、26.1wt％或30.1wt％；
所述Nd的含量较佳地为13～20wt％，例如13.1wt％、18wt％或18.75wt％；
所述LR较佳地还包括Pr和/或Sm；其中，
当所述LR包含Pr时，所述Pr的含量为0～16wt％、且不为0wt％；较佳地为4wt％～12wt％，例如4.89wt％或10.9wt％；所述Pr的添加形式为纯净Pr和/或PrNd，较佳地为PrNd；
当所述LR包含Sm时，所述Sm的含量为0～5wt％，且不为0；例如4.8wt％；
所述Ho含量较佳地为1～8.5wt％，更佳地为4.5～7.5wt％，例如1.71wt％、3wt％、4.34wt％、5.5wt％或8.2wt％；
所述Gd含量较佳地为0.5～3wt％，例如1wt％、1.5wt％、1.82wt％、2.52wt％或2.63wt％；
所述Ho和所述Gd的总含量较佳地为不超过10wt％；
所述Dy和/或Tb的含量范围较佳地为0.1～2wt％，例如0.5wt％、1wt％、1.51wt％、2.02wt％或2.5wt％；当所述第一组分包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如50:50、60:40或者40:60；
所述Cu的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％；
所述Ga的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％；
所述Al的含量范围较佳地为0～0.3wt％，更佳地为0～0.1wt％，例如0.02wt％、0.04wt％或0.08wt％；更佳地为0～0.04wt％，最佳地为0；
所述X的种类较佳地为Ti、Nb、Zr和Hf中的一种或多种；
所述X的含量较佳地为0.1～0.4wt％，更佳地为0.15～0.2wt％；
当所述X包括Zr时，所述Zr的含量范围较佳地为0.02～0.4wt％，例如0.2wt％；
当所述X包括Ti时，所述Ti的含量范围较佳地为0～0.2wt％、且不为0，例如0.15wt％；
当所述X包括Nb时，所述Nb的含量范围较佳地为0～0.4wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.1wt％；
当所述X包括Hf时，所述Hf的含量范围较佳地为0～0.1wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.05wt％；
当X包括Ti和Nb时，Ti和Nb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如2:1或2:3；
当X包括Hf和Zr时，Hf和Zr的重量比较佳地为1:99～99:1，例如1:10或5:2；
当X包括Hf和Nb时，Hf和Nb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如1:8；
所述Co的含量较佳地为0～0.2wt％，更佳地为0；
所述B的含量范围较佳地为0.94～1.02wt％，例如0.98wt％或0.99wt％；
较佳地，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：PrNd：15～30.5wt％；Ho：1～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.1wt％；Zr：0.2～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.02wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
较佳地，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：Nd：13～20wt％；Sm：0～5wt％；Ho：4.5～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.04wt％；Nb：0～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.9～0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
较佳地，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：3.5～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2.5wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0～0.3wt％；Al：0～0.4wt％；Ti：0～0.2wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.98～1.1wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
较佳地，所述钕铁硼烧结体的原料组合物包括：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：1～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.2～0.35wt％；Ga：0.2～0.35wt％；Al：0～0.0.04wt％；Hf：0～0.1wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.05wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
7.一种钕铁硼烧结体的制备方法，其包括：将权利要求6所述的钕铁硼烧结体的原料组合物经熔炼、制粉、成型、烧结即可；所述熔炼、制粉、成型、烧结如权利要求3所述。
8.一种钕铁硼烧结体，其由权利要求所述7的钕铁硼烧结体的制备方法制得。
9.一种钕铁硼烧结体，其包括：
轻稀土元素LR：13～31.5wt％；所述LR包括Nd；
Ho：0～10wt％、且不为0；
Gd：0～5wt％、且不为0；
Dy和/或Tb：0～3.1wt％，且不为0；
Cu：0～0.35wt％，且不为0；
Ga：0～0.35wt％，且不为0；
Al：0～0.5wt％；
X：0.05～0.45wt％；所述X包括Ti、Nb、Zr、Hf、V、Mo、W、Ta和Cr中的一种或多种；
Co：0～0.5wt％；
B：0.9～1.1wt％；
余量为Fe；
所述钕铁硼烧结体中总稀土含量为29.5～32.5wt％；
wt％为各元素占所述钕铁硼烧结体的重量百分比；
所述钕铁硼烧结体包含主相、晶界外延层和富钕相；所述主相和所述晶界外延层分布有Ho和Gd，以及Dy和/或Tb；所述钕铁硼烧结体的晶界连续性为96％以上；
所述主相和所述晶界外延层中较佳地分布有Ho和Gd以及Dy和/或Tb元素的总重量的95％以上；
所述钕铁硼烧结体中总稀土含量较佳地为29.7～31.82wt％，例如30.1wt％、30.24wt％、31.1wt％、31.2wt％、31.46wt％或31.82wt％；
所述LR的含量较佳地为15～30.5wt％，例如17.6wt％、20.1wt％、22.6wt％、22.8wt％、23.1wt％、23.64wt％、24wt％、24.6wt％、25.6wt％、26.1wt％或30.1wt％；
所述Nd的含量较佳地为13～20wt％，例如13.1wt％、18wt％或18.75wt％；
所述LR较佳地还可包括Pr和/或Sm；其中，
当所述LR包含Pr时，所述Pr的含量为0～16wt％、且不为0wt％；较佳地为4wt％～12wt％，例如4.89wt％或10.9wt％；所述Pr的添加形式为纯净Pr和/或PrNd，较佳地为PrNd；
其中，当所述LR包含Sm时，所述Sm的含量为0～5wt％，且不为0；例如4.8wt％；
所述Ho含量较佳地为1～8.5wt％，更佳地为4.5～7.5wt％，例如1.71wt％、3wt％、4.34wt％、5.5wt％或8.2wt％；
所述Gd含量较佳地为0.5～3wt％，例如1wt％、1.5wt％、1.82wt％、2.52wt％或2.63wt％；
所述Ho和所述Gd的总含量较佳地为不超过10wt％；
所述Dy和/或Tb的含量范围较佳地为0.1～2wt％，例如0.5wt％、1wt％、1.51wt％、2.02wt％或2.5wt％；当所述第一组分包括Dy和Tb的混合物时，Dy和Tb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如50:50、60:40或者40:60；
所述Cu的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％；
所述Ga的含量范围较佳地为0.1～0.3wt％，例如0.15wt％、0.2wt％或0.25wt％；
所述Al的含量范围较佳地为0～0.3wt％，更佳地为0～0.1wt％，例如0.02wt％、0.04wt％或0.08wt％；更佳地为0～0.04wt％，最佳地为；
所述X的种类较佳地为Ti、Nb、Zr和Hf中的一种或多种；
所述X的含量较佳地为0.1～0.4wt％，更佳地为0.15～0.2wt％；
当所述X包括Zr时，所述Zr的含量范围较佳地为0.02～0.4wt％，例如0.2wt％；
当所述X包括Ti时，所述Ti的含量范围较佳地为0～0.2wt％、且不为0，例如0.15wt％；
当所述X包括Nb时，所述Nb的含量范围较佳地为0～0.4wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.1wt％；
当所述X包括Hf时，所述Hf的含量范围较佳地为0～0.1wt％、且不为0，例如0.03wt％或0.05wt％；
当X包括Ti和Nb时，Ti和Nb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如2:1或2:3；
当X包括Hf和Zr时，Hf和Zr的重量比较佳地为1:99～99:1，例如1:10或5:2；
当X包括Hf和Nb时，Hf和Nb的重量比较佳地为1:99～99:1，例如1:8；
所述Co的含量较佳地为0～0.2wt％，更佳地为0；
所述B的含量范围较佳地为0.94～1.02wt％，例如0.98wt％或0.99wt％；
较佳地，所述钕铁硼烧结体包括：PrNd：15～30.5wt％；Ho：1～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.1wt％；Zr：0.2～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.02wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
较佳地，所述钕铁硼烧结体包括：Nd：13～20wt％；Sm：0～5wt％；Ho：4.5～8.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0.1～0.3wt％；Al：0～0.04wt％；Nb：0～0.4wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.9～0.99wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
较佳地，所述钕铁硼烧结体包括：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：3.5～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2.5wt％；Cu：0.1～0.3wt％；Ga：0～0.3wt％；Al：0～0.4wt％；Ti：0～0.2wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.98～1.1wt％；余量为Fe及不可避免的杂质；
较佳地，所述钕铁硼烧结体包括：Nd：13～20wt％；Pr：0～16wt％；Ho：1～4.5wt％；Gd：0.5～3wt％；Dy和/或Tb：0.1～2wt％；Cu：0.2～0.35wt％；Ga：0.2～0.35wt％；Al：0～0.0.04wt％；Hf：0～0.1wt％；Co：0～0.2wt％；B：0.94～1.05wt％；余量为Fe及不可避免的杂质。
10.一种根据权利要求4或5所述钕铁硼磁体材料和/或权利要求8或9所述钕铁硼烧结体在制备磁钢中的应用。
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