CN111505898A - 一种结合图形匹配的opc修正方法 - Google Patents

一种结合图形匹配的opc修正方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111505898A
CN111505898A CN202010336793.XA CN202010336793A CN111505898A CN 111505898 A CN111505898 A CN 111505898A CN 202010336793 A CN202010336793 A CN 202010336793A CN 111505898 A CN111505898 A CN 111505898A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
opc
graph
target layer
pattern matching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202010336793.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN111505898B (zh
Inventor
雷海波
乔彦辉
田明
王丹
于世瑞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd filed Critical Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd
Priority to CN202010336793.XA priority Critical patent/CN111505898B/zh
Publication of CN111505898A publication Critical patent/CN111505898A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111505898B publication Critical patent/CN111505898B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明提供一种结合图形匹配的OPC修正方法，提供图形库，对图形库中多个图形作常规OPC，得到第一掩膜层和第一目标层；根据第一掩膜层中每个分段与第一目标层中相应分段的距离差算出每个分段的偏移值，将该偏移值对应到图形的相应分段形成数据库；输入待执行OPC的版图，以该版图中的图形层为第二目标层，通过图形对第二目标层作图形匹配，再将得到匹配的图形根据数据库做分段和偏移，形成光罩前的迭代层；以第二目标层作目标层、以光罩前的迭代层作修正层执行基于模型的OPC修正，经迭代后得到目标轮廓的第二掩膜层。本发明能通过降低基于模型的OPC修正的迭代次数，提高修正效率，来降低OPC整体的运算时间。

Description

一种结合图形匹配的OPC修正方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种结合图形匹配的OPC修正方法。
背景技术
随着人们对芯片性能与耗能要求越来越苛刻，想要获得小面积、高性能、低能耗的芯片，半导体工艺经历了无OPC(光学临近修正)、基于规则的OPC修正方法(rule-basedOPC)、基于模型的OPC修正方法(model-based OPC)的发展历程，现在通用的方法是先根据光刻、刻蚀等因素，使用rule-based OPC为版图形成目标层(target层)，在进行model-based OPC得到最终的掩膜层，其中model-based OPC修正花费掉的时间与计算资源也越来越多。并且随着版图设计CD(图形关键尺寸)的减小，model-based OPC花费的时间更是大幅增加。因此减少运行时间的痛点亟待解决。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种合图形匹配的OPC修正方法，用于解决现有技术中随着版图中图形关键尺寸的减小，基于模型的OPC修正花费的时间大幅增加的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种合图形匹配的OPC修正方法，一种结合图形匹配的OPC修正方法，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供一个图形库，所述图形库为由形状各异的多个图形组成的集合；
步骤二、对所述图形库中的所述多个图形依次作基于规则的OPC修正和基于模型的OPC修正，依次得到第一掩膜层和第一目标层；然后根据所述第一掩膜层中每个分段与所述第一目标层中相应分段的距离差算出每个分段的偏移值，将所述偏移值对应到所述图形的相应分段形成数据库；
步骤三、输入待执行OPC的版图，以该版图中的图形层作为第二目标层；
步骤四、通过所述图形库里的所述图形对所述第二目标层作图形匹配，再将所述版图中得到匹配的图形根据所述数据库做分段和偏移，形成光罩前的迭代层；
步骤五、以所述第二目标层作目标层、以所述光罩前的迭代层作修正层执行基于模型的OPC修正，经迭代后得到目标轮廓的第二掩膜层。
优选地，步骤一中的所述图形库是由绘制或者截取图形的方法形成。
优选地，步骤一中的所述图形库中的图形根据需要随时更新。
优选地，步骤二中的所述数据库中包括所述图形库中的图形、所述偏移值以及与所述偏移值对应的图形的相应分段。
优选地，所述数据库根据需要随时更新。
优选地，步骤二中的所述偏移值为所述第一掩膜层和所述第一目标层之间带方向的距离。
优选地，步骤三中的所述第二目标层为基于规则的OPC修正后形成的图层。
优选地，步骤五中将所述版图、所述第二目标层、所述光罩前的迭代层输入到基于模型的OPC系统中执行所述基于模型的OPC修正。
如上所述，本发明的合图形匹配的OPC修正方法，具有以下有益效果：本发明通过建立一个预偏移量的数据库，通过图形匹配将预偏移量应用到版图，能通过降低基于模型的OPC修正的迭代次数，提高修正效率，来降低OPC整体的运算时间。
附图说明
图1显示为本发明的结合图形匹配的OPC修正方法流程示意图；
图2显示为本发明的结合图形匹配的OPC修正方法的流程框图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图2。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
本发明提供一种结合图形匹配的OPC修正方法，如图1和图2所示，其中图1显示为本发明的结合图形匹配的OPC修正方法流程示意图，图2显示为本发明的结合图形匹配的OPC修正方法的流程框图，该方法在本实施例中包括以下步骤：
步骤一、提供一个图形库，所述图形库为由形状各异的多个图形组成的集合；本发明进一步地，步骤一中的所述图形库是由绘制或者截取图形的方法形成。再进一步地，步骤一中的所述图形库中的图形根据需要随时更新。也就是说，该步骤一中，绘制或者截取图形形成一个图形库。该图形库是一个形状各异的图形组成的集合,且该库可以按需随时更新。
步骤二、对所述图形库中的所述多个图形依次作基于规则的OPC修正和基于模型的OPC修正，依次得到第一掩膜层和第一目标层；然后根据所述第一掩膜层中每个分段与所述第一目标层中相应分段的距离差算出每个分段的偏移值，将所述偏移值对应到所述图形的相应分段形成数据库；本发明进一步地，步骤二中的所述数据库中包括所述图形库中的图形、所述偏移值以及与所述偏移值对应的图形的相应分段。再进一步地，所述数据库根据需要随时更新。更进一步地，步骤二中的所述偏移值为所述第一掩膜层和所述第一目标层之间带方向的距离。也就是说，该步骤对图形库中的图形做rule-based OPC(基于规则的OPC修正)和model-based OPC(基于模型的OPC修正)，根据所述第一掩膜层与所述第一目标层(target层)每个所述分段(fragment)的距离差算出每个所述分段(fragment)的偏移值(bias值)，每个bias值对应到所述图形的相应的fragment形成一个数据库。也就是说，该步骤四通过运用图形匹配(pattern match)并调用所述数据库给予所述第二目标层预bias值，所述偏移值为所述图形库中图形做完model-based OPC后,每个图形的分段(fragment)的移动量,即所述第一掩膜层与所述第一目标层层之间带方向的距离。
步骤三、输入待执行OPC的版图，以该版图中的图形层作为第二目标层；本发明进一步地，步骤三中的所述第二目标层为基于规则的OPC修正后形成的图层。在其他实施例中，所述第二目标层也可以是未做基于规则的OPC修正(rule-based OPC)的原始版图。
步骤四、通过所述图形库里的所述图形对所述第二目标层作图形匹配，再将所述版图中得到匹配的图形根据所述数据库做分段和偏移，形成光罩前的迭代层；也就是说，该步骤四通过图形库里的图形对所述第二目标层(target层)做图形匹配(pattern match)，再将版图中匹配的图形根据数据库做fragment和bias，形成光罩前的迭代层(mask beforeinteration层)。
步骤五、以所述第二目标层作目标层、以所述光罩前的迭代层(mask beforeinteration层)作修正层执行基于模型的OPC修正，经迭代后得到目标轮廓的第二掩膜层。本发明进一步地，步骤五中将所述版图、所述第二目标层、所述光罩前的迭代层输入到基于模型的OPC系统中执行所述基于模型的OPC修正。如图2所示，图2中显示出本发明的所述结合图形匹配的OPC修正方法的基本执行流程，其中最后形成的所述掩膜层表示为本发明的所述第二掩膜层。所述版图警告过基于规则的OPC后，形成的Target层表示为本发明的所述第二目标层，在其他实施例中所述版图可以不经过基于规则的OPC修正，因此图2中的Target层表示为原始的版图。
简单来说，本发明的结合图形匹配的OPC修正方法中，首先绘制或者截取图形形成一个图形库(本发明是以建立模型的测试光罩test mask)，并对图形库中的图形做rule-based OPC和model-based OPC，算出每个分段的偏移值，对应到图形的分段形成一个数据库，该数据库可以通过新增图形来更新；
当给需要做OPC的版图做完rule-based OPC生成目标层后，通过图形库里的图形对目标层层做图形，再将版图中匹配的图形根据数据库做分段和偏移，即model-based OPC迭代计算之前的预bias，得到新的层mask_before_interation；
将版图、第二目标层、mask_before_interation等层输入到model-based OPC中，以第二目标层做目标，mask_before_interation做修正层，经过迭代后得到目标轮廓的第二掩膜层。本发明通过建立了一个图形库，通过对图形库中的每个图形做model-basedOPC，得到每个分段(model-based OPC过程中各个边会被切分为若干个线段)的bias(偏移值)，然后这些bias值对应到图形库中每个图形的每个分段，就形成了一个预bias的数据库。在当一个版图需要做model-based OPC的时候，使用图形匹配在其中找出相似的图形，直接给予相似图形预定的bias，最后在进行常规的model-based OPC。使用本发明能使最终得到模拟图形更容易符合预期目标，通过降低了model-based OPC的迭代次数来降低花费的时间。
综上所述，本发明通过建立一个预偏移量的数据库，通过图形匹配将预偏移量应用到版图，能通过降低基于模型的OPC修正的迭代次数，提高修正效率，来降低OPC整体的运算时间。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (8)

1.一种结合图形匹配的OPC修正方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：
步骤一、提供一个图形库，所述图形库为由形状各异的多个图形组成的集合；
步骤二、对所述图形库中的所述多个图形依次作基于规则的OPC修正和基于模型的OPC修正，依次得到第一掩膜层和第一目标层；然后根据所述第一掩膜层中每个分段与所述第一目标层中相应分段的距离差算出每个分段的偏移值，将所述偏移值对应到所述图形的相应分段形成数据库；
步骤三、输入待执行OPC的版图，以该版图中的图形层作为第二目标层；
步骤四、通过所述图形库里的所述图形对所述第二目标层作图形匹配，再将所述版图中得到匹配的图形根据所述数据库做分段和偏移，形成光罩前的迭代层；
步骤五、以所述第二目标层作目标层、以所述光罩前的迭代层作修正层执行基于模型的OPC修正，经迭代后得到目标轮廓的第二掩膜层。
2.根据权利要求1所述的结合图形匹配的OPC修正方法，其特征在于：步骤一中的所述图形库是由绘制或者截取图形的方法形成。
3.根据权利要求1所述的结合图形匹配的OPC修正方法，其特征在于：步骤一中的所述图形库中的图形根据需要随时更新。
4.根据权利要求1所述的结合图形匹配的OPC修正方法，其特征在于：步骤二中的所述数据库中包括所述图形库中的图形、所述偏移值以及与所述偏移值对应的图形的相应分段。
5.根据权利要求4所述的结合图形匹配的OPC修正方法，其特征在于：所述数据库根据需要随时更新。
6.根据权利要求5所述的结合图形匹配的OPC修正方法，其特征在于：步骤二中的所述偏移值为所述第一掩膜层和所述第一目标层之间带方向的距离。
7.根据权利要求1所述的结合图形匹配的OPC修正方法，其特征在于：步骤三中的所述第二目标层为基于规则的OPC修正后形成的图层。
8.根据权利要求1所述的结合图形匹配的OPC修正方法，其特征在于：步骤五中将所述版图、所述第二目标层、所述光罩前的迭代层输入到基于模型的OPC系统中执行所述基于模型的OPC修正。
CN202010336793.XA 2020-04-26 2020-04-26 一种结合图形匹配的opc修正方法 Active CN111505898B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010336793.XA CN111505898B (zh) 2020-04-26 2020-04-26 一种结合图形匹配的opc修正方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010336793.XA CN111505898B (zh) 2020-04-26 2020-04-26 一种结合图形匹配的opc修正方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111505898A true CN111505898A (zh) 2020-08-07
CN111505898B CN111505898B (zh) 2023-08-11

Family

ID=71867723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010336793.XA Active CN111505898B (zh) 2020-04-26 2020-04-26 一种结合图形匹配的opc修正方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111505898B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114609858A (zh) * 2022-05-11 2022-06-10 合肥晶合集成电路股份有限公司 光学临近修正方法、装置及电子设备
CN115981115A (zh) * 2023-03-21 2023-04-18 墨研计算科学（南京）有限公司 光学邻近校正方法、装置、计算机设备和存储介质

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101013271A (zh) * 2007-01-26 2007-08-08 浙江大学 一种层次化的光学邻近效应校正方法
US20100185998A1 (en) * 2009-01-20 2010-07-22 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for opc correction
JP2011191296A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Ngr Inc パターン検査装置および方法
CN104166305A (zh) * 2014-08-27 2014-11-26 上海华力微电子有限公司 减少修正迭代次数的opc方法
CN105759561A (zh) * 2016-05-17 2016-07-13 上海华力微电子有限公司 基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101013271A (zh) * 2007-01-26 2007-08-08 浙江大学 一种层次化的光学邻近效应校正方法
US20100185998A1 (en) * 2009-01-20 2010-07-22 Vanguard International Semiconductor Corporation Method for opc correction
JP2011191296A (ja) * 2010-03-16 2011-09-29 Ngr Inc パターン検査装置および方法
CN104166305A (zh) * 2014-08-27 2014-11-26 上海华力微电子有限公司 减少修正迭代次数的opc方法
CN105759561A (zh) * 2016-05-17 2016-07-13 上海华力微电子有限公司 基于掩模板规则限制优化光学临近修正结果的方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114609858A (zh) * 2022-05-11 2022-06-10 合肥晶合集成电路股份有限公司 光学临近修正方法、装置及电子设备
CN115981115A (zh) * 2023-03-21 2023-04-18 墨研计算科学（南京）有限公司 光学邻近校正方法、装置、计算机设备和存储介质
CN115981115B (zh) * 2023-03-21 2023-08-04 墨研计算科学（南京）有限公司 光学邻近校正方法、装置、计算机设备和存储介质
WO2024192821A1 (zh) * 2023-03-21 2024-09-26 墨研计算科学（南京）有限公司 光学邻近校正方法、装置、计算机设备和存储介质

Also Published As

Publication number Publication date
CN111505898B (zh) 2023-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9501601B2 (en) Layout optimization of a main pattern and a cut pattern
US8762900B2 (en) Method for proximity correction
US20040040000A1 (en) Device parameter and gate performance simulation based on wafer image prediction
US20040019872A1 (en) Caching of lithography and etch simulation results
US20060033049A1 (en) Design pattern data preparing method, mask pattern data preparing method, mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and program recording medium
JPH08286358A (ja) 改善された光学的近接補正システム
US9064078B2 (en) Methods and systems for designing and manufacturing optical lithography masks
US8997027B2 (en) Methods for modifying an integrated circuit layout design
CN111505898A (zh) 一种结合图形匹配的opc修正方法
CN108009316B (zh) Opc修正方法
CN102385242A (zh) 掩膜版制作方法及系统
CN115457350B (zh) 光学邻近修正的蚀刻模型训练方法及光学邻近修正方法
US8458631B2 (en) Cycle time reduction in data preparation
TWI557584B (zh) 設計半導體裝置的方法、準備積體電路裝置佈局的方法及電腦可讀取儲存媒體
CN103365071B (zh) 掩膜板的光学邻近校正方法
CN117391040A (zh) 仿真坏点的修正方法、神经网络训练方法及存储介质
JP2008134434A (ja) マスクデータ処理方法、半導体装置の製造方法、及びマスクデータ処理を実行するプログラム
CN103311103A (zh) 半导体芯片的版图图层设计方法及其掩膜板
CN115758699B (zh) 面向全芯片光源掩模优化的关键图形快速筛选方法和装置
CN100592494C (zh) 修正接触孔金属覆盖层布图设计的方法
US9977325B2 (en) Modifying design layer of integrated circuit (IC)
CN111611761B (zh) 生成电路版图图案的方法、设备和计算机可读存储介质
CN111752088B (zh) 一种网格图形统一尺寸的方法、存储介质及计算机设备
US20020112222A1 (en) Method of producing masks for fabricating semiconductor structures
CN113777877A (zh) 一种集成电路光学邻近修正并行处理的方法及其系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant