CN111492317A - 用于减少抗蚀剂模型预测误差的系统和方法 - Google Patents

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Abstract

本文描述了一种用于校准抗蚀剂模型的方法。该方法包括以下步骤：基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和抗蚀剂模型的参数来产生抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；以及基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，根据模型化抗蚀剂轮廓来预测抗蚀剂结构的量测轮廓。该方法包括：基于所预测的量测轮廓与由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整抗蚀剂模型的参数。

Description

用于减少抗蚀剂模型预测误差的系统和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年12月22日提交的US申请62/609,776和2018年11月19日提交的US申请62/769,283的优先权，该US申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本文的描述涉及用于改善对由抗蚀剂模型构成的抗蚀剂轮廓的预测的系统和方法。具体地说，本文的描述提供了减少抗蚀剂模型预测误差的技术。
背景技术
光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)或其他器件。在这种情况下，图案化装置(例如掩模)可以包含或提供对应于器件的单层的图案(“设计布局”)，并且该图案可以转移到衬底(例如硅晶片)上已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的目标部分(例如包括一个或多个管芯)上(利用诸如经由图案化装置上的图案辐射该目标部分的方法)。通常，单个衬底包含多个相邻目标部分，图案是由光刻设备连续转移到这些相邻目标部分，一次一个目标部分。在一种类型的光刻设备中，将整个图案化装置上的图案一次转移到一个目标部分上；这种设备通常被称为步进器。在通常被称为步进扫描设备的可替代设备中，投影束在给定参考方向(“扫描”方向)上横跨图案化装置进行扫描，同时平行或反向平行于该参考方向而同步地移动衬底。图案化装置上的图案的不同部分逐渐转移到一个目标部分上。通常，因是光刻设备将具有放大因子M(通常＜1)，所以衬底被移动的速率F将是投影束扫描图案化装置的速率的因子M倍。
在将图案从图案化装置转移到器件制造过程的衬底的器件制作程序之前，衬底可以经历器件制造过程的各种器件制作程序，诸如涂底料、抗蚀剂涂覆和软烘烤。在图案转移之后，衬底可以经受器件制造过程的其他器件制作程序，诸如经转移图案的曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤以及测量/检测。这一系列装置制造程序是用作制造器件(例如IC)的单层的基础。然后，衬底可以经受器件制造过程的各种器件制作程序，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光、量测(例如使用扫描电子显微镜(SEM)等，这些都旨在对器件的单层进行精加工。如果在器件中需要数个层，则针对每一层重复整个过程或其变型。最终，在衬底上的每一个目标部分中将存在器件。如果存在多个器件，则随后利用诸如切块或锯切的技术将这些器件彼此分离，由此可以将单独的器件安装于载体上、连接到引脚等。
因此，制造器件(诸如半导体器件)通常涉及使用数个制造过程来处理衬底(例如半导体晶片)以形成该器件的各种特征和多个层。通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械抛光以及离子注入来制造和处理这些层和特征。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件，并且接着将这些器件分离成单独的器件。该器件制造过程可以被认为是图案化过程。图案化过程涉及图案化步骤，诸如使用光刻设备的光学或纳米压印光刻，以在衬底上提供图案并且通常但是可选地涉及一个或多个相关图案处理步骤，诸如由显影设备执行抗蚀剂显影、使用烘烤工具烘烤衬底、使用蚀刻设备且使用图案进行蚀刻等。另外，通常在图案化过程中涉及一个或多个量测过程。
随着半导体制造工艺持续进步，几十年来，功能元件的尺寸已经不断地缩小，而每器件的诸如电晶体的功能元件的数量已经稳定地增加，遵循通常被称为“摩尔定律”的趋势。在当前技术状态下，使用光刻投影设备制造器件的多个层，该光刻投影设备使用来自深紫外照射源的照射将对应于设计布局的图案投影到衬底上，从而产生单独的功能元件，该功能元件的尺寸远小于100nm(即，小于来自照射源(例如193nm照射源))的辐射的波长的一半。供印刷尺寸小于光刻投影设备的经典分辨率极限的特征的这种工艺根据分辨率公式CD＝k1×λ/NA通常被称为低k1光刻，其中，λ是所采用辐射的波长(当前在大多数情况下为248nm或193nm)，NA是光刻投影设备中的投影光学器件的数值孔径，CD是“临界尺寸”(通常是所印刷的最小特征尺寸)，并且k1是经验分辨率因子。通常，k1越小，则在衬底上再现类似于由电路设计者规划的形状和尺寸以便获得特定电功能性和性能的图案变得越困难。为了克服这些困难，将复杂的微调步骤应用到光刻投影设备和/或对应于设计布局的图案。这些步骤包括例如但不限于NA和/或光学相干设定的优化、定制的照射方案、相移图案化装置的使用、对应于设计布局的图案中的光学邻近效应校正(OPC)(诸如图案特征的偏差、辅助特征的添加、将配线施加到图案特征等)，或者通常定义为“分辨率增强技术”(RET)的其他方法。
在光刻应用中，常常使用抗蚀剂模型(例如快子抗蚀剂模型)来预测将由SEM设备测量的轮廓的抗蚀剂轮廓。引入抗蚀剂模型以便校正相对于由单一空间图像预测的抗蚀剂轮廓的抗蚀剂偏差。具体地说，将抗蚀剂厚度内的合适高度处的空间图像或空间图像在抗蚀剂厚度上的平均强度用于预测目的。这种抗蚀剂模型不能准确地预测焦点依赖性特征(诸如具有接近于主要特征的子分辨率辅助特征(SRAF)的负性色调显影(NTD)抗蚀剂中的1D线空间图案)的影响。
当前使用的抗蚀剂模型不能准确地预测焦点依赖性特征的影响可以归因于抗蚀剂轮廓的量测测量值(例如CDSEM测量值)中的特征依赖性偏差。预期特征尺寸持续减小，由量测装置引入的这种偏差的相对贡献将持续变大，并且因此引入进一步模型化误差。因此，需要开发用于减少抗蚀剂模型预测误差的系统和方法。
发明内容
为了能够理解图案化过程如何工作，计算光刻技术可以用于模拟图案化过程的一个或多个方面如何“工作”。因此，适当的计算光刻术软件可以预测衬底上的图案的形成的一个或多个特性，诸如该图案的所预测的CD、所预测的轮廓等，并且可能在图案的形成的不同阶段这样做。
这种计算光刻术的一个方面是对抗蚀剂层中的图案的预测。然而，已经发现预测抗蚀剂层中图案的形成的现有技术可能不会恰当和/或快速地评估抗蚀剂层中可能出现的图案。因此，例如，期望提供一种准确地和/或快速地预测抗蚀剂图案的预期(经常非常复杂)形状的技术。因此，例如，提供用于改善抗蚀剂层的抗蚀剂模型预测的方法和系统。具体地说，本文描述了一种用于对于焦点依赖性特征由利用例如来自抗蚀剂轮廓的SEM测量值的信息校正量测装置(例如SEM装置)诱发的伪影来减少抗蚀剂模型化误差的方法。
由本发明的一个实施例提供一种校准抗蚀剂模型的方法。所述方法包括以下步骤：基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和所述抗蚀剂模型的参数来产生所述抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，通过所述模型化抗蚀剂轮廓来预测所述抗蚀剂结构的量测轮廓；以及基于所预测的量测轮廓与由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整所述抗蚀剂模型的参数。
由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息对应于由所述量测装置产生的波形的一部分的宽度。
所述波形的一部分对应于由所述量测装置成像的实际抗蚀剂结构的边缘。
所述抗蚀剂结构的所预测的量测轮廓是基于与所述量测装置相关联的参数而从所述模型化抗蚀剂轮廓产生的。
所述方法还包括以下步骤：基于所预测的量测轮廓与由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来更新所述量测装置的参数。
所述量测装置是扫描电子显微镜。
所述方法还包括以下步骤：基于所述抗蚀剂模型的经调整的抗蚀剂参数来优化掩模布局的参数和光源的参数。
所述方法还包括以下步骤：基于所述抗蚀剂模型的经调整的参数来预测另一抗蚀剂结构的量测轮廓；由所述量测装置获得所述另一抗蚀剂结构的实际量测轮廓；以及基于另一抗蚀剂结构的所预测的量测轮廓与另一抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来计算误差。
由一个实施例提供一种用于校准抗蚀剂模型的装置。所述装置包括处理器，该处理器被配置为：基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和所述抗蚀剂模型的参数来产生所述抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，通过所述模型化抗蚀剂轮廓来预测所述抗蚀剂结构的量测轮廓；以及基于所预测的量测轮廓与由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整所述抗蚀剂模型的参数。
由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息对应于由所述量测装置产生的波形的一部分的宽度。
所述波形的一部分对应于由所述量测装置成像的实际抗蚀剂结构的边缘。
所述波形的一部分的宽度是在预定阈值强度水平下测量的。
所述抗蚀剂结构的所预测的量测轮廓是基于与所述量测装置相关联的参数而从所述模型化抗蚀剂轮廓产生的。
包括于所述装置中的处理器进一步被配置为基于所预测的量测轮廓与由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来更新所述量测装置的参数。
所述量测装置是扫描电子显微镜。
包括于所述装置中的处理器进一步被配置为基于所述抗蚀剂模型的经调整的抗蚀剂参数来优化掩模布局的参数和光源的参数。
包括于所述装置中的处理器进一步被配置为：基于所述抗蚀剂模型的经调整的参数来预测另一抗蚀剂结构的量测轮廓；由所述量测装置获得所述另一抗蚀剂结构的实际量测轮廓；以及基于另一抗蚀剂结构的所预测的量测轮廓与另一抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来计算误差。
由一个实施例提供一种方法，所述方法包括以下步骤：至少基于抗蚀剂结构的模拟空间图像来产生所述抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；基于所述模型化抗蚀剂轮廓、所述模拟空间图像以及与所述抗蚀剂结构相关联的一组抗蚀剂侧壁参数中的至少一个抗蚀剂侧壁参数来预测对应于由量测装置成像的实际抗蚀剂结构的边缘的波形的一部分的测量值；以及基于所述波形的一部分的所预测的测量值与对应于由所述量测装置成像的所述实际抗蚀剂结构的边缘的波形的一部分的实际测量值的对比来调整所述至少一个抗蚀剂侧壁参数。
所述波形的一部分的所预测的测量值是由所述量测装置产生的波形的一部分的宽度，该宽度是在预定阈值强度水平下测量的。
由所述量测装置产生的波形的一部分的所预测的测量值是基于所述一组抗蚀剂侧壁参数中的至少两个抗蚀剂侧壁参数。
所述一组抗蚀剂侧壁参数包括三个抗蚀剂侧壁参数，并且由量测装置产生的波形的一部分的所预测的测量值是基于所述一组抗蚀剂侧壁参数中的每一个抗蚀剂侧壁参数。
竖直强度范围参数被计算为第一空间图像的第一强度与第二空间图像的第二强度之间的差，所述第一空间图像对应于抗蚀剂层内的第一位置，并且所述第二空间图像对应于所述抗蚀剂层内的第二位置。
所述第一位置在所述抗蚀剂层的顶部第三部分中，并且所述第二位置在所述抗蚀剂层的底部第三部分中。
所述第一位置在所述抗蚀剂层的顶表面下方15纳米处，并且所述第二位置在所述抗蚀剂层的顶表面下方75纳米处。
所述方法还包括以下步骤：基于经调整的抗蚀剂侧壁参数优化掩模布局的参数和光源的参数。
所述方法还包括以下步骤：基于另一抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓、另一抗蚀剂结构的模拟空间图像以及所述一组抗蚀剂侧壁参数中经调整的至少一个抗蚀剂侧壁参数来预测对应于由所述量测装置成像的另一实际抗蚀剂结构的边缘的另一波形的一部分的另一测量值；以及基于另一波形的一部分的所预测的测量值来确定另一实际抗蚀剂结构的边缘的蚀刻品质。
在实施例中，提供一种包括机器可读指令的非暂时性计算机程序产品，所述机器可读指令用于使处理器执行如本文所描述的方法。在实施例中，提供一种系统，该系统包括：硬件处理器；以及如本文所描述的非暂时性计算机程序产品。
附图说明
并入本说明书中并且构成本说明书的一部分的附图示出了一个或多个实施例，并且连同本说明书一起解释这些实施例。现在将参照随附的示意性附图并仅以示例的方式来描述本发明的实施例。在附图中，对应的附图标记指示对应的部分，并且其中：
图1是光刻系统的各个子系统的框图。
图2是计算光刻技术的模拟模型的框图。
图3A、图3B、图3C和图3D示意性地示出了衬底上的抗蚀剂层的示例性变形。
图4A、图4B、图4C和图4D示意性地示出了由抗蚀剂层的显影引起的示例性附加变形。
图5A描绘了示例性SEM图像。
图5B描绘了对应于SEM图像的一部分的示例性SEM波形。
图6A说明了描绘竖直强度范围对抗蚀剂层的形状的影响的示例性曲线图。
图6B说明了描绘图像对数斜率对抗蚀剂层的形状的影响的示例性曲线图。
图7A和图7B描绘了根据实施例的说明竖直强度范围对抗蚀剂形状的影响的示意图。
图8A和图8B描绘了根据实施例的说明图像对数斜率对抗蚀剂形状的影响的示意图。
图9描绘了说明根据本发明的一个实施例的在校准抗蚀剂模型时执行的步骤的示例性流程图。
图10描绘了说明根据本发明的实施例的经执行以验证经校准抗蚀剂模型的步骤的示例性流程图。
图11描绘了说明根据本发明的实施例的在源掩模优化过程中执行的步骤的示例性流程图。
图12描绘了说明根据本发明的一个实施例的在校准抗蚀剂侧壁参数以预测白色条带的宽度时执行的步骤的示例性流程图。
图13描绘了说明经执行以检测抗蚀剂层的奇异特征的示例性流程图。
图14是示例性计算机系统的框图。
图15是光刻投影设备的示意图。
图16是另一光刻投影设备的示意图。
图17是图16的设备的更详细视图。
图18是图16和图17的设备的源收集器模块的更详细视图。
具体实施方式
作为实施例的背景并且转到图1，说明示例性光刻投影设备10A。主要部件为：辐射源12A，其可以是深紫外准分子激光源或者包括极紫外(EUV)光源的其他类型的光源；照射光学器件，其限定部分相干性(表示为σ)并且可以包括对来自源12A的辐射进行整形的光学器件14A、16Aa和16Ab；支撑件，其被配置为保持图案化装置18A；以及投影光学器件16Ac，其将图案化装置图案的图像投影到衬底平面22A上。投影光学器件的光瞳平面处的可调整滤光片或孔径20A可以限定照射于衬底平面22A上的束角度的范围，其中，最大可能角度定义投影光学器件的数值孔径NA＝sin(Θmax)。在实施例中，光刻投影设备自身无需具有辐射源12A。
因此，在光刻投影设备中，光学器件16Ac将图案化装置图案的空间图像引导到衬底上(通常为缩小的版本)。空间图像(AI)是在衬底位阶处的辐射强度分布。曝光衬底上的抗蚀剂层，并且将空间图像转移到抗蚀剂层以在其中作为潜像“抗蚀剂图像”(RI)。可以将抗蚀剂图像(RI)定义为抗蚀剂层中的抗蚀剂的溶解度的空间分布。
现在，经常需要能够以计算方式确定图案化过程将如何在衬底上产生期望的图案。因此，可以提供模拟以模拟工艺的一个或多个部分。例如，需要能够模拟在显影抗蚀剂之后将图案化装置图案转移到衬底的抗蚀剂层上以及该抗蚀剂层中产生的图案上的光刻工艺。
图2中说明了用于模拟光刻投影设备中的光刻的示例性流程图。照射模型31表示照射的光学特性(包括辐射强度分布和/或相位分布)。投影光学器件模型32表示投影光学器件的光学特性(包括由投影光学器件引起的辐射强度分布、偏振和/或相位分布的改变)。设计布局模型35表示设计布局的光学特性(包括由给定设计布局引起的对辐射强度分布和/或相位分布的改变)，该设计布局是在图案化装置上或者由图案化装置形成的特征的配置的表示。可以使用照射模型31、投影光学器件模型32和设计布局模型35模拟空间图像36。可以使用抗蚀剂模型37自空间图像36模拟抗蚀剂图像38。光刻的模拟可以例如预测抗蚀剂图像中的轮廓和/或CD。
更具体地，应该注意的是，照射模型31可以表示照射的光学特性，包括但不限于，NA-西格玛(σ)设定以及任何特定照射形状(例如离轴照射，诸如环形、四极、偶极等)。投影光学器件模型32可以表示投影光学器件的光学特性，包括例如像差、变形、折射率、实体大小或尺寸等。例如以全文引用的方式并入本文中的美国专利No.7,587,704中所描述的，设计布局模型35也可以表示实体图案化装置的一个或多个物理性质。与光刻投影设备相关联的光学性质(例如照射、图案化装置和投影光学器件的性质)规定空间图像。由于光刻投影设备中使用的图案化装置可以改变，所以需要将图案化装置的光学性质与光刻投影设备中至少包括照射和投影光学器件的其余部分的光学性质分离，并且因此提供设计布局模型35。
可以使用抗蚀剂模型37以根据空间图像计算抗蚀剂图像，其示例可以在美国专利No.8,200,468中找到，该美国专利以全文引用的方式并入本文中。虽然抗蚀剂模型通常主要与抗蚀剂层的性质相关(例如在曝光期间出现的化学工艺、曝光后烘烤和/或显影的影响)，但是因为抗蚀剂模型通常依据SEM测量数据加以校准，所以其将倾向于也含有SEM伪影。
模拟的目标是准确地预测例如边缘放置、空间图像强度斜率和/或CD，然后可以将该边缘放置、空间图像强度斜率和/或CD与预期设计进行对比。预期设计通常被定义为可以诸如GDSII、OASIS或其他文件格式的标准化数字文件格式而提供的预OPC设计布局。
根据该设计布局，可以识别被称为“片段”的一个或多个部分。在实施例中，提取一组片段，这些片段表示设计布局中的复杂图案(虽然通常为约50至1000个片段，但是可以使用任何数目个片段)。本领域技术人员将明白，这些图案或片段表示设计的小部分(即，电路、单元等)，并且这些片段表示需要特定关注和/或验证的小部分。换句话说，这些片段可以是设计布局的多个部分，或者可以类似或具有临界特征是通过体验而识别(包括由客户提供的片段)、通过试错法而识别或者通过执行全晶片模拟而识别的设计布局的多个部分的类似行为。片段经常包含一个或多个测试图案或测规图案。可以由客户基于设计布局中要求特定图像优化的已知临界特征区域而先验地提供初始较大的一组片段。可替代地，在另一个实施例中，可以通过使用识别临界特征区域的某种自动化(诸如机器视觉)或手动演算法而从整个设计布局提取初始较大的一组片段。
在一些示例中，模拟和模型化可以用来配置图案化装置图案的一个或多个特征(例如执行光学邻近效应校正)、照射的一个或多个特征(例如改变照射的空间/角强度分布的一个或多个特性，诸如改变形状)和/或投影光学器件的一个或多个特征(例如数值孔径等)。这类配置通常可以分别被称为掩模优化、源优化和投影优化。可以独立地执行或者以不同组合形式组合这些优化。一个这种示例是源-掩模优化(SMO)，这种优化涉及配置图案化装置图案的一个或多个特征以及照射的一个或多个特征。优化技术可以聚焦于片段中的一个或多个片段。优化可以使用本文所描述的模拟以产生各种参数的值。
在系统的优化过程中，可以将该系统的品质因数表示为成本函数。优化过程归结为找到使成本函数最小化的系统的一组参数(设计变量)的过程。成本函数可以依赖于优化的目标而具有任何适当的形式。例如，成本函数可以是系统的某些特性(评估点)相对于这些特性的预期值(例如理想值)的偏差的加权均方根(RMS)；成本函数也可以是这些偏差的最大值(即，最坏偏差)。本发明中的术语“评估点”应该被宽泛地解释为包括系统的任何特性。由于系统的实施的实践性，系统的设计变量可以被限定成有限的范围和/或可以相互依赖。在光刻投影设备的情况下，约束经常与硬件的物理性质和特性(诸如可调谐范围和/或图案化装置可制造性设计规则)相关联，并且评估点可以包括衬底上的抗蚀剂图像上的实体点以及诸如剂量和焦点的非物理特性。
如上文所提及的，衬底上的层可以具有转移到该层的图案。这些层通常将被称为抗蚀剂层，并且可以具有各种化学成分。在实施例中，抗蚀剂层是辐射敏感材料层。抗蚀剂层通常具有小但有限的厚度，该厚度在大小方面可以与成像到抗蚀剂上的图案具有可比性。抗蚀剂层可以经历光刻工艺中的各种处理。例如，抗蚀剂可以曝光于诸如EUV或DUV的辐射，辐射在抗蚀剂中引起化学反应。抗蚀剂可以经历曝光后烘烤(PEB)、显影(例如正性色调显影或负性色调显影)和/或硬烘烤。这些处理中的每一者可以使得抗蚀剂在一个、两个或三个维度上发生变形，并且变形可以是位置相关的(例如三维位置相关的)。抗蚀剂的变形可能影响下游处理，诸如材料沉积和蚀刻。在使用负性色调显影的光刻工艺中，抗蚀剂变形对抗蚀剂顶部最大损耗和临界尺寸的影响可能尤其显著。因此，能够预测抗蚀剂的变形的抗蚀剂模型37有益于较准确的光刻和较高的良率。抗蚀剂模型37也能够预测抗蚀剂层的对光刻工艺中的各种其他物理及化学处理的反应。稍后描述根据本发明的一方面的示例性抗蚀剂模型。
图3A、图3B、图3C和图3D示意性地示出了衬底320上的抗蚀剂层310的示例性变形。在抗蚀剂层中例如通过经由图案化装置340将抗蚀剂层310曝光于辐射330而形成图案。抗蚀剂层310可以经历诸如PEB的曝光后处理，并且变形成经变形抗蚀剂层350。在该示例中，抗蚀剂层310的变形使得经变形抗蚀剂层350中曝光于辐射的部分相比于经变形抗蚀剂层350的其余部分具有较小的厚度。经变形抗蚀剂层350的一部分355在曝光期间接收足够高的剂量以在负性色调显影之后保持在衬底320上，并且经变形抗蚀剂层350的其余部分(例如部分356)在负性色调显影之后溶解。可替代地，经变形抗蚀剂层350的一部分355在曝光期间接收足够高剂量以在正性色调显影之后溶解，并且经变形抗蚀剂层350的其余部分在正性色调显影之后保持在衬底320上。部分355是保留还是溶解依赖于抗蚀剂的化学成分及显影剂的化学成分。
在显影期间移除抗蚀剂层的对显影剂可溶的部分。这些部分的移除可以引起除了如参照图3所描述的抗蚀剂层350的变形之外或者替代该变形的抗蚀剂层的其余部分的变形。图4A、图4B、图4C和图4D示意性地示出了这种示例性附加变形。图4A示出了图3的经曝光抗蚀剂层350(具有图3C中示出的可选的变形)，具有部分355和部分356，其中，部分355在曝光期间接收足够高剂量并因此可溶于正性色调显影剂且部分356并没有接收足够高剂量并因此不可溶于正性色调显影剂。图3B示出了在显影期间部分355溶解并且部分356保留。作为这种显影的一部分或者在此后的一时间段内，部分356可以变形为部分357。这可以发生在部分355的移除期间和/或在显影完成之后的一时间段内。点线表示部分356的轮廓。在示例中，部分356收缩并变为部分357。图4C示出了图3的经曝光抗蚀剂层350(具有图3C中示出的可选变形)，其中，部分355在曝光期间接收足够高剂量并因此不可溶于负性色调显影剂，而部分356没有接收足够高剂量并因此可溶于负性色调显影剂。图4D示出了在显影期间部分355保留并且部分356溶解。作为这种显影的部分或者在此后的一时间段内，部分355可以变形为部分354。这可以发生在部分356的移除期间和/或在显影完成之后的一时间段内。点线表示部分355的轮廓。在示例中，部分355收缩并变为部分354。
由本发明的一个实施例提供一种预测抗蚀剂层的轮廓时减小抗蚀剂模型误差的方法。该方法通过校正SEM(即，量测装置)诱发的伪影来准确地预测抗蚀剂轮廓，对于焦点依赖性特征尤其如此。具体地说，该方法利用来自SEM波形的信息来校正SEM诱发的伪影。通过一个实施例，来自SEM波形的信息对应于SEM波形中对应于抗蚀剂轮廓的白色条带的宽度。接下来参照图5A和图5B描述关于SEM波形的细节。
通过一个实施例，通过使用CDSEM图像中的白色条带的宽度来校正SEM诱发的伪影的动机是：白色条带的宽度是抗蚀剂的侧壁形状的量度。抗蚀剂的侧壁形状由三个参数确定：空间图像的斜率、竖直强度范围参数以及线CD。此外，白色条带的宽度与抗蚀剂模型误差相关；通过本发明的一个实施例，抗蚀剂模型误差归因于CDSEM测量值中的形状诱发偏差。必须明白的是，CDSEM测量值中的偏差当前不被模型化于诸如快子抗蚀剂模型的抗蚀剂模型中。因此，在下文中，白色条带的宽度用于抗蚀剂模型的校准程序中。此外，如下文所描述的，经校准抗蚀剂模型可以用于验证目的以及源-掩模优化应用。
现在转到图5A，图中描绘了示例性SEM图像500。该SEM图像包括由510表示的多个抗蚀剂轮廓(例如1D线特征)。每个线特征包括在线特征的任一侧处的白色条带520。必须明白的是，由于当前扫描电子显微镜中的伪影，线特征的左侧与右侧的白色条带的宽度及亮度存在差异。因此，通过一个实施例，仅在该特征的一侧(例如左侧或右侧)处白色条带的测量的宽度被用于抗蚀剂模型的校准过程中。
如将明白的，无需全部轮廓用于执行本文所描述的方法。例如，可以使用轮廓的尺寸。如果轮廓为圆，则例如圆的大小可以用作轮廓的参数化。在一种方法中，尺寸可以是在一个方向(例如x或y)上的宽度。一般而言，轮廓的任何类型的参数化都可以用于替代轮廓本身。
作为示例，细长特征可以被拟合于椭圆，并且参数化可以是长轴或短轴。在典型图案中，特征沿着x或y方向印刷，使得拟合至该特征的椭圆的长轴和短轴将同样在x或y方向上。
更一般而言，轮廓可以被拟合至预定义形状(圆、椭圆、直线、具有圆盖的线)，并且根据例如椭圆的轴、线的宽度(CD)、一个特征与其他特征之间(尖端至尖端)的距离来确定参数。
图5B描绘了对应于SEM图像的一区域的示例性SEM波形550。具体地说，图5B中的SEM波形550对应于如图5A中所描绘的白色条带区520。参照图5B，相对于预定阈值强度水平560测量SEM波形的白色条带的宽度570。
在实施例中，阈值是基于如图5B中所示的经滤波SEM信号的最小值和最大值。通常，虽然阈值可以设定为最小值与最大值之间的差的约60％，但是原则上可以使用其他百分比。
在实施例中，因为不表示感兴趣的特征的SEM伪影或局部极值的其他源，所以靠近感兴趣的白色条带在局部测量最小值和最大值，而不量测全图像的最小值和最大值。
典型抗蚀剂模型(例如，快子抗蚀剂模型)包括在抗蚀剂厚度上对空间图像求平均值，或者选择抗蚀剂层内合适高度处的空间图像。这种方法导致不准确地预测焦点依赖性特征，诸如具有接近于主要特征的子分辨率辅助特征(SRAF)的负性色调显影(NTD)抗蚀剂中的1D线空间图案。因此，通过本发明的一个实施例，在特征边缘处的在本文中称为竖直强度范围(VIR)参数的参数用作抗蚀剂厚度上的空间图像强度改变的量度。具体地说，参数VIR被定义如下：
VIR(x,y)＝AI(x,y,AIlocation＝15nm)-AI(x,y,AIlocation＝75nm) (1)
其中，x和y对应于抗蚀剂层内的坐标，并且AIlocation对应于抗蚀剂厚度内的深度。注意，可以相对于抗蚀剂层的顶表面量测深度。
通过一个实施例，空间图像的斜率和VIR影响抗蚀剂的形状。随着位置而改变的空间图像强度的斜率测量从亮至暗的转变中图像的陡度。通过将斜率除以图像的强度来获得空间图像的正规化斜率(在本文中称为图像对数斜率(ILS))。图6A说明了描绘特征形状针对具有类似图像对数斜率的特征的竖直强度范围的影响的示例性曲线图。具体地说，图6A描绘了抗蚀剂层的侧壁的轮廓如何随VIR的变化而改变。可以观察到，VIR的增大导致抗蚀剂层的侧壁的减小。以类似方式，图6B说明了描绘针对具有类似VIR的特征图像对数斜率对特征形状的影响的示例性曲线图。图6B描绘了ILS的增大导致抗蚀剂层的侧壁的增大。
转到图7A和图7B，图中描绘了根据实施例的说明竖直强度范围对特征形状的影响的示意图。图7A描绘了在抗蚀剂厚度的顶表面与底表面之间具有较大的正VIR的情形。线701和703分别对应于抗蚀剂层的底部与抗蚀剂层的顶部处具有相同空间图像强度的点。必须明白的是，在VIR具有较大的正值(即，抗蚀剂的顶部层与底部层之间的空间图像强度差较大)时，等强度曲线730基本上悬垂。这导致形成于衬底720上的竖直抗蚀剂形状710。
相反地，图7B描绘了在抗蚀剂厚度的顶表面与底表面之间具有较小的正VIR的情形。线751和753分别对应于抗蚀剂层的底部与抗蚀剂层的顶部处具有相同空间图像强度的点。在抗蚀剂厚度的顶表面与底表面之间的VIR较小(即，抗蚀剂的顶部层与底部层之间的空间图像强度差较小)时，等强度曲线780基本上竖直。在这种情况下，形成于衬底770上的抗蚀剂760具有显著的侧壁。
现在转到图8A和图8B，描绘了根据实施例示意说明图像对数斜率(ILS)对抗蚀剂形状的影响。必须明白的是，当抗蚀剂吸收光，抗蚀剂的顶部处的强度始终略微高于底部。
图8A描绘了在抗蚀剂厚度的顶表面与底表面之间具有较小ILS的情形。曲线801和803分别对应于抗蚀剂层的底部与抗蚀剂层的顶部处具有相同空间图像强度的点。必须明白的是，在ILS较小时，抗蚀剂的顶部层与底部层上具有相同强度的点之间的水平距离较大。具体地说，考虑由线807表示的特定强度水平，人们可以注意到，曲线801(或803)上和与线807相交的点之间的水平距离大。在具有较小ILS的情况下，等强度曲线805基本上悬垂。这导致形成于衬底820上的竖直抗蚀剂形状810。
相反地，图8B描绘了在抗蚀剂厚度的顶表面与底表面之间具有较大ILS的情形。曲线851和853分别对应于抗蚀剂层的底部与抗蚀剂层的顶部处具有相同空间图像强度的点。必须明白的是，在ILS较大时，抗蚀剂的顶部层和底部层上具有相同强度的点之间的水平距离较小。具体地说，考虑由线857表示的特定强度水平，人们可以注意到，曲线851(或853)上和与线857相交的点之间的水平距离较小。在具有较大ILS的这种情况下，等强度曲线855基本上竖直。在这种情况下，形成于衬底870上的抗蚀剂860具有显著的侧壁。
如前文所述，白色条带(经由SEM图像获得)的宽度是抗蚀剂的侧壁形状的量度。抗蚀剂的侧壁形状由三个参数确定：空间图像的斜率、抗蚀剂的竖直强度范围参数以及线CD(临界尺寸)。
VIR参数被计算为在抗蚀剂内第一位置处的第一空间图像的第一强度与在抗蚀剂层内第二位置处的第二空间图像的第二强度之间的差。通过一个实施例，第一位置在抗蚀剂层的顶表面下方15nm处，并且第二位置在抗蚀剂层的顶表面下方75nm处。然而，必须明白的是，15nm和75nm的上述值绝不限制本发明的范围。例如，第一位置可以选自抗蚀剂层的顶部第三部分，并且第二位置可以选自抗蚀剂层的底部第三部分。
另外，通过本发明的一个实施例，第一位置可以是对应于在抗蚀剂层的第一部分中计算的空间图像的第一平均强度的位置，并且第二位置可以是对应于在抗蚀剂层的第二部分中计算的空间图像的第二平均强度的位置。第一部分可以是抗蚀剂层的具有第一高度的顶部部分，并且第二部分为抗蚀剂层的具有第二高度的底部部分，其中，第一高度是抗蚀剂层的高度的20％，并且第二高度是抗蚀剂层的高度的20％。可替代地，第一高度可以是抗蚀剂层的高度的30％，并且第二高度可以是抗蚀剂层的高度的30％。
此外，通过一个实施例，SEM图像的白色条带的宽度依赖于线CD、VIR参数和空间图像的斜率。具体地说，通过一个实施例，白色条带的宽度随着线CD增大而增大，并且随着空间图像的斜率增大而减小。此外，SEM图像的白色条带的宽度随着VIR值增大而减小。因此，白色条带的宽度受另外确定的侧壁形状的相同参数影响，即线CD、空间图像的斜率和VIR参数。因此，通过一个实施例，SEM图像的白色条带的宽度是抗蚀剂的侧壁形状的量度。因此，如下文所描述的，SEM图像的白色条带的宽度用于在抗蚀剂轮廓的抗蚀剂模型预测中校正SEM诱发的伪影。
现在转到图9，图中提供了根据本发明的实施例的说明在校准抗蚀剂模型时执行的步骤的示例性流程图。
抗蚀剂模型(例如，快子抗蚀剂模型)的校准开始于获得掩模(步骤910)和照射光学系统模型(步骤920)以产生抗蚀剂层的模拟空间图像(步骤930)。
另外，在步骤940中确定考虑中的抗蚀剂模型的一组抗蚀剂参数的初始值。在步骤950中基于在步骤940中确定的抗蚀剂参数以及在步骤930中产生的模拟空间图像来产生(即，预测)抗蚀剂结构的抗蚀剂轮廓。
另外，校准过程在步骤955中获得如由量测装置(例如SEM装置)获取的实际抗蚀剂结构的信息。例如，通过一个实施例，在步骤955中获得如由CDSEM获取的白色条带的宽度的测量值。基于由CDSEM获取的白色条带的所测量的宽度、步骤950的预测抗蚀剂轮廓以及来自步骤980的SEM偏差参数(表征SEM装置)的初始值，校准过程在步骤960中预测抗蚀剂结构的SEM轮廓。通过一个实施例，与SEM装置相关联的偏差可以表示为：
SEM bias＝c0+cWwhite band×Wwhite band (2)
其中，c0和cWwhite band是有效SEM参数。然后，该过程进行至步骤970，其中，执行查询以确定步骤960的所预测的SEM轮廓是否匹配如由CDSEM所测量的实际SEM轮廓(步骤990)。基于所预测的SEM轮廓与实际SEM轮廓之间的匹配程度，校准过程将反馈分别提供至步骤940和980。具体地说，反馈回路对应于参数校准步骤，其中分别地，抗蚀剂参数在步骤940中更新，并且有效SEM参数在步骤980中更新。
另外，如图9中所概述的校准过程重复步骤940、950、980、960和970，直至满足停止准则。通过一个实施例，停止准则可以对应于在所预测的SEM轮廓与实际SEM轮廓之间具有精确匹配。可替代地，通过一个实施例，停止准则可以对应于所预测的SEM轮廓与实际SEM轮廓之间的匹配误差在预定或所选择的阈值水平内。在实施例中，可以使用抗蚀剂参数的一组预设组合来执行校准。在参数网上的各点上评估该模型，并且选择具有最小误差的结果。在这种情况下，不存在“停止准则”本身，而实际上从各种选择方案中进行选择。
注意，在满足停止准则时，以使得抗蚀剂模型基本上独立于SEM设定的方式校准抗蚀剂模型的抗蚀剂参数。也就是说，认识到完美的校准可能实际上是不可获得的，理想情况下，以不同SEM电压重复实验应该仅改变模型980的参数。因此，实施例可以提供以不同处理条件使用多个SEM测量值的能力，其可以提供对抗蚀剂模型的附加校准选项。在这方面，抗蚀剂参数可以进一步含有如上文所论述的VIR参数。
图10描绘了说明根据本发明的实施例的经执行以验证经校准抗蚀剂模型的步骤的示例性流程图。
验证经校准抗蚀剂模型的过程开始于获得掩模(步骤1010)和照射光学系统(步骤1020)以产生另一抗蚀剂结构的模拟空间图像(步骤1030)。
另外，在步骤1050中，利用抗蚀剂模型的抗蚀剂参数的经校准值(步骤1040)以及在步骤1030中产生的模拟空间图像来预测考虑中的另一抗蚀剂结构的抗蚀剂轮廓。
此外，验证过程在步骤1055中获得由量测装置(例如SEM装置)获取的实际抗蚀剂结构的信息。例如，如前文所述，通过一个实施例，可以在步骤1055中获得如由CDSEM获取的白色条带的宽度的测量值。基于如由CDSEM获取的白色条带的所测量的宽度、步骤1050的预测抗蚀剂轮廓以及SEM偏差参数的经校准值(步骤1080)，验证过程在步骤1060中预测抗蚀剂结构的SEM轮廓。
验证过程进一步进行至步骤1070，其中，执行查询以确定步骤1060的所预测的SEM轮廓是否匹配如由CDSEM所测量的(考虑中的抗蚀剂结构的)实际SEM轮廓(步骤1090)。该过程进一步进行至步骤1095，其中，可以计算所预测的SEM轮廓与实际SEM轮廓之间的均方根误差以确定经校准模型的有效性。必须明白的是，在步骤1095中计算的均方根误差的低值对应于准确校准的抗蚀剂模型。
图11描绘了说明根据本发明的实施例的源掩模优化(SMO)过程中执行的步骤的示例性流程图。
SMO优化过程开始于确定掩模布局图案的初始参数值(步骤1110)和光学照射系统参数(步骤1120)。通过一个实施例，光学照射系统的初始参数包括调谐及调整参数，诸如圆形照射区的外半径、环形区的内半径、限定内半径和外半径中的每一极所对的角度的极角等，而掩模布局图案参数可以对应于与掩模或二元掩模相关的相移。
在步骤1130中，基于掩模布局图案和光学照射系统的初始参数产生空间图像。另外，优化过程在步骤1150中基于所产生的空间图像(步骤1130)以及抗蚀剂模型的抗蚀剂参数(步骤1140)来预测抗蚀剂轮廓。必须明白的是，可以通过如图9中所概述的校准过程来初始校准SMO过程中在考虑中的抗蚀剂模型。
另外，该过程进行至步骤1160，其中，执行查询以确定步骤1150的预测抗蚀剂轮廓是否匹配例如由晶片设计者设计的实际轮廓(步骤1170)。
通过一个实施例，基于步骤1150的预测抗蚀剂轮廓与实际轮廓之间的匹配程度，SMO过程将反馈分别提供至步骤1110和1120。具体地说，反馈回路对应于掩模布局参数和光学照射系统参数的参数校准步骤。
必须明白的是，如图11中所概述的SMO过程重复所述校准步骤(即，更新掩模布局和光学照射系统的参数)，直至满足停止准则。通过一个实施例，停止准则可以对应于在预测抗蚀剂轮廓与如由晶片设计者设计的实际轮廓之间具有精确匹配。可替代地，通过一个实施例，停止准则可以对应于预测抗蚀剂轮廓与实际轮廓之间的匹配误差在预定阈值水平内。另外，SMO过程可以继续进行至校准掩模布局的参数和/或光学照射系统的参数，直至获得与SMO相关联的优化目标(例如，成本函数)。必须明白的是，如图11中所概述的SMO过程不同于典型源-掩模优化应用，不同的处在于图11的SMO试图使所需轮廓匹配不包括SEM伪影的预测抗蚀剂轮廓。注意，预测抗蚀剂轮廓不包括SEM诱发的伪影，这是因为用于预测抗蚀剂轮廓的抗蚀剂参数是以含有SEM偏差的方式加以校准的。具体地说，通过如图9中所概述的校准过程来校准抗蚀剂参数。
图12描绘了说明根据本发明的一个实施例的在校准抗蚀剂侧壁参数以预测白色条带的宽度时执行的步骤的示例性流程图。通过一个实施例，从SEM波形获得的信息可以用于校准3D抗蚀剂模型。如接下来所描述的，白色条带的预测宽度可以用于指示具有独特侧壁形状的抗蚀剂特征。因此，如参照图12所概述的过程可以用来指示热点的存在，所述热点就是预期以不良方式印刷的抗蚀剂特征，即具有奇异印刷形状的抗蚀剂特征。
图12的过程开始于获得掩模的参数(步骤1210)和照射光学系统的参数(步骤1220)以产生抗蚀剂层的模拟空间图像(步骤1230)。
另外，在步骤1250中，利用抗蚀剂模型的一组经校准抗蚀剂参数(步骤1240)以及在步骤1230中产生的空间图像预测抗蚀剂结构的抗蚀剂轮廓。
然后，该过程移至步骤1260，其中，基于空间图像(步骤1230)、预测抗蚀剂轮廓(1250)和抗蚀剂侧壁参数的初始值(步骤1280)预测白色条带的宽度。通过一个实施例，抗蚀剂侧壁参数至少包括抗蚀剂层的VIR、抗蚀剂轮廓的线CD和空间图像的斜率。
此外，通过本发明的一个方面，可以使用仅一个侧壁参数来产生白色条带的预测宽度。可替代地，通过一个方面，可以使用任何两个侧壁参数来预测白色条带的宽度。另外，通过一个方面，可以使用全部三个侧壁参数(即，抗蚀剂层的VIR、抗蚀剂轮廓的线CD以及空间图像的斜率)来预测白色条带的宽度。
在预测白色条带的宽度之后，图12中的过程进行至步骤1270，其中，进行查询以确定步骤1260的白色条带的预测宽度是否匹配如从SEM装置获得的所测量的白色条带。另外，基于白色条带的预测宽度和白色条带的量测宽度之间的匹配程度，该校准过程将反馈提供至步骤1280。具体地说，反馈回路对应于参数校准步骤，其中，在步骤1280中更新至少一个抗蚀剂侧壁参数。
另外，如图12中所概述的校准过程重复步骤1260、1270和1280，直至满足停止准则。通过一个实施例，停止准则可以对应于在白色条带的预测宽度与白色条带的量测宽度之间具有精确匹配。可替代地，通过一个实施例，停止准则可以对应于白色条带的预测宽度与白色条带的量测宽度之间的匹配误差在预定阈值水平内。如接下来所描述的，图12的校准过程可以用于指示预期以不可接受的方式印刷在抗蚀剂层的衬底上的抗蚀剂特征。
图13描绘了说明经执行以检测抗蚀剂层的奇异特征(即，预期以不可接受的方式印刷在衬底上的抗蚀剂图案)的步骤的示例性流程图。
图13的过程开始于获得掩模的参数(步骤1310)和照射光学系统的参数(步骤1320)以产生抗蚀剂层的模拟空间图像(步骤1330)。
另外，在步骤1350中，利用抗蚀剂模型的一组经校准抗蚀剂参数(步骤1340)以及在步骤1330中产生的空间图像预测抗蚀剂结构的抗蚀剂轮廓。
然后，该过程移至步骤1360，其中，基于空间图像(步骤1330)、预测抗蚀剂轮廓(1350)和抗蚀剂侧壁参数的经校准值(步骤1370)预测对应于考虑中的特定抗蚀剂特征的白色条带的宽度。通过一个实施例，抗蚀剂侧壁参数包括抗蚀剂层的VIR、抗蚀剂轮廓的CD以及空间图像的斜率，其中，通过如图12中所概述的过程来校准抗蚀剂侧壁参数中的至少一个参数。
基于步骤1360中的白色条带的预测宽度，在步骤1380中可以对奇异的抗蚀剂印刷特征加位标或标记(flagged)。具体地说，基于抗蚀剂特征的预测白色条带宽度对预期以不良方式印刷的抗蚀剂特征加位标。例如，通过一个实施例，基于预测白色条带具有较大值(即，宽宽度白色条带)，可以将对应抗蚀剂特征加位标为预期以不可接受的方式印刷的特征。必须明白的是，对应于白色条带的预测宽度的信息可以用于改善蚀刻模型的效率。视为过宽的程度将依赖于所考虑的特定图案而变化。例如，它可以依赖于图案的抗蚀剂类型或典型线宽。在这里考虑的特定情况下，可以认为宽于18nm的白色条带过宽。宽泛地，给定过程可以包括限定可接受特征尺寸的外部限制的所选择的阈值。
图14是说明执行本文中所披露的方法和流程的一个或多个方面的计算机系统100的框图。计算机系统100包括用于传送信息的总线102或其他通信机构以及与总线102联接以用于处理信息的处理器104(或多个处理器104和105)。计算机系统100还包括主存储器106，诸如随机存取存储器(RAM)或其他动态存储装置，其联接到总线102以用于存储待由处理器104执行的信息和指令。主存储器106在执行待由处理器104执行的指令期间也可以用于存储暂时变量或其他中间信息。计算机系统100还包括联接到总线102以用于存储用于处理器104的静态信息和指令的只读存储器(ROM)108或其他静态存储装置。提供存储装置110(诸如，磁盘或光盘)并且将其联接到总线102以用于存储信息和指令。
计算机系统100可以经由总线102联接到用于向计算机使用者显示信息的显示器112，诸如，阴极射线管(CRT)或平板显示器或触控面板显示器。包括字母/数字按键及其他按键的输入装置114联接到总线102以用于将信息和命令选择传送到处理器104。另一类型的使用者输入装置是用于将方向信息和命令选择传送到处理器104并且用于控制显示器112上的游标移动的游标控制件116，诸如，鼠标、轨迹球或游标方向按键。这种输入装置通常具有在两个轴(第一轴(例如x)和第二轴(例如y))上的两个自由度，其允许装置指定平面中的位置。触控面板(屏幕)显示器也可以被用作输入装置。
根据一个实施例，本文所描述的过程的部分可以响应于处理器104执行包含于主存储器106中的一个或多个指令的一个或多个序列而由计算机系统100执行。可以从诸如存储装置110的另一计算机可读介质将这类指令读取到主存储器106中。包含于主存储器106中的指令序列的执行使得处理器104执行本文所描述的过程步骤。也可以采用多处理布置配置中的一个或多个处理器，以执行包括于主存储器106中的指令序列。在可替代实施例中，可以取代或结合软件指令来使用硬配线电路系统。因此，本文中的描述不限于硬件电路系统和软件的任何特定组合。
如本文中所使用的术语“计算机可读介质”是指参与将指令提供至处理器104以供执行的任何介质。该介质可以呈多种形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如存储装置110。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器106。传输介质包括同轴电缆、铜线和光纤，包括含有总线102的线。传输介质还可以呈声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间所产生的声波或光波。计算机可读介质的常见形式包括例如软性磁盘、柔性磁盘、硬盘、磁带、任何其他磁介质、CD-ROM、DVD、任何其他光学介质、打孔卡、纸带、具有孔图案的任何其他实体介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM、任何其他存储器晶片或卡盒、如下文所描述的载波，或者可供计算机读取的任何其他介质。
各种形式的计算机可读介质可能涉及将一个或多个指令的一个或多个序列携载至处理器104以供执行。例如，可以将所述指令初始地承载于远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将指令载入至其动态存储器中，并且使用调制解调器经由电话线路发送指令。在计算机系统100本端的调制解调器可以接收电话线路上的数据，并且使用红外传输器以将数据转换成红外信号。联接到总线102的红外检测器可以接收红外信号中携载的数据并且将该数据放置于总线102上。总线102将数据携载至主存储器106，处理器104从主存储器106获取并执行指令。由主存储器106接收的指令可选地在由处理器104执行之前或之后存储于存储装置110上。
计算机系统100还优选地包括联接到总线102的通信界面118。通信界面118将双向数据通信联接器提供至连接到局域网122的网络链路120。例如，通信界面118可以是综合业务服务网(ISDN)卡或调制解调器，以将提供至对应类型的电话线路的数据通信连接提供至对应类型的电话线路。作为另一示例，通信界面118可以是局域网(LAN)卡以提供对兼容LAN的数据通信连接。还可以实施无线连接。在任何这种实施方案中，通信界面118发送并接收携载表示各种类型的信息的数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。
网络链路120通常经由一个或多个网络而将数据通信提供至其他数据装置。例如，网络链路120可以经由局域网122将提供至主机计算机124的连接或由因特网服务提供者(ISP)126操作的数据装备的连接。ISP 126又经由全球封包数据通信网络(现在通常被称为“因特网”128)来提供数据通信服务。局域网122和因特网128两者使用携载数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。经由各种网络的信号以及在网络链路120上并经由通信界面118的信号是输送信息的示例性形式的载波，该信号将数字数据携载至计算机系统100并从计算机系统100携载数字数据。
计算机系统100可以经由网络、网络链路120和通信界面118发送讯息以及接收数据，包括程序代码。在因特网示例中，服务器130可以经由因特网128、ISP 126、局域网122和通信界面118传送应用程序所请求的程序代码。一个这种下载的应用程序可以提供例如本文所描述的过程。所接收到的代码可以在其被接收时由处理器104执行，和/或存储于存储装置110或其他非易失性存储器中以供稍后执行。这样，计算机系统100可以获得呈载波形式的应用程序代码。
图15示意性地描绘了用于与本文所描述的方法一起使用的示例性光刻投影设备。该设备包括：
-照射系统IL，其用于调节辐射束B。在这种特定情况下，照射系统还包括辐射源SO；
-第一载物台(例如掩模台)MT，其配备有用于保持图案化装置MA(例如掩模版)的图案化装置保持器，并且连接到用于相对于项目PS来准确地定位该图案化装置的第一定位器；
-第二载物台(衬底台)WT，其具备用于保持衬底W(例如涂覆有抗蚀剂的硅晶片)的衬底保持器，并且连接到用于相对于项目PS来准确地定位该衬底的第二定位器；
-投影系统(“透镜”)PS(例如折射型、反射型或反射折射型光学系统)，其用于将图案化装置MA的经辐射部分成像到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。
如本文所描绘的，该设备是透射型的(即，具有透射型掩模)。然而，通常，它也可以是例如反射型的(具有反射型掩模)。可替代地，该设备可以使用另一种图案化装置作为经典掩模的使用的替代物；示例包括可编程反射镜阵列或LCD矩阵。
源SO(例如汞灯或准分子激光器)产生辐射束。例如，该束是直接地或者在已经穿过诸如扩束器Ex的调节构件之后被馈送到照射系统(照射器)IL中。照射器IL可以包括调整构件AD以用于设定束中的强度分布的外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称为σ外部及σ内部)。另外，照射器IL通常将包括各种其他部件，诸如积光器IN和聚光器CO。这样，照射于图案化装置MA上的束B在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。
应该注意的是，关于图15，虽然源SO可以在光刻投影设备的壳体内(源SO为例如汞灯时经常是这种情况)，但是源SO也可以远离光刻投影设备，源SO产生的辐射束被引导至设备(例如借助于合适导向镜)；所述后一种情形经常是源SO为准分子激光器(例如基于KrF、ArF或F2发出激光)时的情况。
束PB随后截取被保持于图案化装置台MT上的图案化装置MA。在已经穿过图案化装置MA的情况下，束B传送通过透镜PL，该透镜将束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位构件(以及干涉测量构件IF)，衬底台WT可以准确地移动，以便例如将不同目标部分C定位在束PB的路径中。类似地，第一定位构件可以用于例如在从图案化装置库对图案化装置MA的机械获取之后或者在扫描期间相对于束B的路径来准确地定位图案化装置MA。通常，将利用未在图15中明确地描绘的长冲程模块(粗定位)和短冲程模块(精定位)来实现载物台MT、WT的移动。然而，在晶片步进器(与步进扫描工具相对)的情况下，图案化装置台MT可以仅连接到短冲程致动器，或者可以是固定的。
所描绘的工具可以用于两种不同模式中：
-在步进模式中，图案化装置台MT保持基本上固定，并且整个图案化装置图像一次(即，单次“闪光”)投影到目标部分C上。然后，使衬底台WT在x方向和/或y方向上移位，使得束PB能够辐射不同的目标部分C；
-在扫描模式中，基本上适用相同的情境，但单次“闪光”中不曝光给定目标部分C除外。实际上，图案化装置台MT可以以速度v在给定方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)上移动，使得投影束B扫过图案化装置图像；同时，衬底台WT同步地以速度V＝Mv在相同或相反方向上移动，其中，M是透镜PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。这样，可以在不必损害分辨率的情况下曝光相对较大的目标部分C。
图16示意性地描绘了可以用于本文所描述的方法的另一示例性光刻投影设备1000。
光刻投影设备1000包括：
-源收集器模块SO
-照射系统(照射器)IL，其被配置为调节辐射束B(例如EUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，其被构造成支撑图案化装置(例如掩模或掩模版)MA并且连接到配置成准确地定位图案化装置的第一定位器PM；
-衬底台(例如晶片台)WT，其被构造成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并且连接到被配置成准确地定位该衬底的第二定位器PW；以及
-投影系统(例如，反射性投影系统)PS，其被配置为由图案化装置MA将赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上。
如这里所描绘的，设备1000是反射型的(例如使用反射型掩模)。应该注意的是，因为大多数材料在EUV波长范围内具有吸收性，所以掩模可以具有包括例如钼与硅的多叠层的多层反射器。在一个示例中，多叠层反射器具有钼和硅的40个层对，其中，每一层的厚度为四分之一波长。可以利用X射线光刻术来产生更小的波长。由于大部分材料在EUV和X射线波长下具有吸收性，因为该图案化装置形貌上的图案化吸收材料的薄件(例如在多层反射器的顶部上的TaN吸收体)限定特征将印刷(正性抗蚀剂)或不印刷(负性抗蚀剂)在何处。
参照图16，照射器IL接收来自源收集器模块SO的极紫外辐射束。用于产生EUV辐射的方法包括但不一定限于将材料转换为等离子体状态，该材料具有的至少一种元素具有在EUV范围中的一个或多个发射谱线，例如氙、锂或锡。在一种这样的方法(经常被称为激光产生等离子体(“LPP”))中，可以通过利用激光束来辐射燃料(诸如具有谱线发射元素的材料微滴、串流或簇)来产生等离子体。源收集器模块SO可以是包括激光器(图16中未示出)的EUV辐射系统的一部分，该激光器用于提供激发燃料的激光束。所得到的等离子体发射输出辐射(例如EUV辐射)，通过使用安置于源收集器模块中的辐射收集器来收集该辐射。例如，当使用CO2激光器以提供用于燃料激发的激光束时，激光器和源收集器模块可以是分立的实体。
在这些情况下，激光器不被视为形成光刻设备的一部分，并且利用包括例如适合引导反射镜和/或扩束器的束传送系统将辐射束从激光器传送到源收集器模块。在其他情况下，例如，当源是放电产生等离子体EUV产生器(经常被称为DPP源)时，该源可以是源收集器模块的组成部分。
照射器IL可以包括用于调整辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别称作σ-外部和σ-内部)。另外，照射器IL可以包括各种其他部件，诸如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。照射器可以被用于调节辐射束，以在其横截面中具有期望的均一性和强度分布。
辐射束B入射于保持在支撑结构(例如掩模台)MT上的图案化装置(例如掩模)MA上，并且由图案化装置图案化。在从图案化装置(例如掩模)MA反射之后，辐射束B传送通过投影系统PS，该投影系统PS将辐射束B聚焦到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器PS2(例如干涉测量装置、线性编码器或电容式传感器)，衬底台WT可以准确地移动以便例如将不同目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器PS1可以用来准确地相对于辐射束B的路径定位图案化装置(例如掩模)MA。图案化装置(例如掩模)MA与衬底W可以使用图案化装置对准标记M1、M2以及衬底对准标记P1、P2来对准。
所描绘的设备1000可以用于以下模式中的至少一个模式中：
1.在步进模式中，支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持基本上固定，同时赋予辐射束的整个图案一次(即，单次静态曝光)投影到目标部分C上。接着，使衬底台WT在X和/或Y方向上移位，使得可以曝光不同目标部分C。
2.在扫描模式中，在将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上的同时，同步地扫描支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT(即，单次动态曝光)。可以由投影系统PS的放大率(缩小率)和图像反转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向。
3.在另一模式中，支撑结构(例如掩模台)MT保持基本上固定以保持可编程图案化装置，并且在将赋予辐射束的图案投影到目标部分C上的同时移动或扫描衬底台WT。在该模式中，通常，使用脉冲式辐射源，并且在衬底台WT的每一次移动之后或扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案化装置。该操作模式可以容易地应用于利用可编程图案化装置(诸如上文所提及的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术。
图17更详细地示出了设备1000，该设备包括源收集器模块SO、照射系统IL和投影系统PS。源收集器模块SO被构造和配置为使得可以将真空环境维持于源收集器模块SO的封闭结构220中。可以由放电产生等离子体源形成EUV辐射发射等离子体210。可以由气体或蒸汽(例如氙气体、锂蒸汽或锡蒸汽)产生EUV辐射，其中，产生极热等离子体210以发射在电磁光谱的EUV范围内的辐射。例如，通过引起至少部分离子化等离子体的放电来产生极热等离子体210。为了辐射的高效率产生，可以要求例如10Pa的分压的氙、锂、锡蒸汽或者任何其他适合气体或蒸汽。在实施例中，提供经激发的锡(Sn)等离子体以产生EUV辐射。
由热等离子体210发射的辐射经由定位于源腔211中的开口中或后方的可选的气体阻挡件或污染物陷阱230(在一些情况下也被称为污染物阻挡件或箔片陷阱)而从源腔211传送到收集器腔212中。污染物陷阱230可以包括通道结构。污染物陷阱230也可以包括气体阻挡件或者气体阻挡件与通道结构的组合体。如在本领域中公知的，本文中进一步指示的污染物陷阱或污染物阻挡件230至少包括通道结构。
收集器腔211可以包括可以是所谓的掠入射收集器的辐射收集器CO。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。穿过收集器CO的辐射可以由光栅光谱滤光片240反射，光栅光谱滤光片240待沿着由点虚线“O”指示的光轴而聚焦在虚源点IF中。虚源点IF通常被称为中间焦点，并且源收集器模块被配置为使得中间焦点IF位于围封结构220中的开口221处或附近。虚源点IF是辐射发射等离子体210的图像。
随后，辐射穿过照射系统IL，照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，该琢面场反射镜装置和该琢面光瞳反射镜装置被配置为提供辐射束21在图案化装置MA处的期望的角分布以及辐射强度在图案化装置MA处的期望的均一性。在由支撑结构MT保持的图案化装置MA处反射辐射束21之后，形成经图案化束26，并且由投影系统PS将经图案化束26经由反射元件28、30成像到由衬底台WT保持的衬底W上。
在照射光学器件单元IL和投影系统PS中通常可以存在比所示出的元件更多的元件。依赖于光刻设备的类型，可选地存在光栅光谱滤光片240。另外，可以存在比诸图所示出的反射镜多的反射镜，例如在投影系统PS中可以存在比图17中所示出的反射元件多1至6个的附加反射元件。
如图17中所说明的收集器光学器件CO被描绘为具有掠入射反射器253、254和255的巢式收集器，仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例。将掠入射反射器253、254和255围绕光轴O而轴向地对称安置，并且将这种类型的收集器光学装置CO与放电产生等离子体源(经常被称为DPP源)组合而被优选地使用。
可替代地，源收集器模块SO可以是如图18所示出的LPP辐射系统的一部分。激光LA被配置为将激光能量沉积至诸如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)的燃料中，从而产生具有几十电子伏特的电子温度的高度离子化等离子体210。在这些离子的去激发和再结合期间产生的高能辐射从等离子体发射、由近正入射收集器光学器件CO收集并且聚焦到围封结构220中的开口221上。
尽管在本发明中可以特定地参考诸如IC器件的制造，但是应该明确地理解的是，本文中的描述具有许多其他可能的应用。例如，可以用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导及检测图案、液晶显示器面板、薄膜磁头等。本领域技术人员将明白的是，在这些可替代应用的内容背景中，应该认为本文中对术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”的任何使用都可以分别与更上位的术语“掩模”、“衬底”及“目标部分”互换。
可以使用以下条项来进一步描述实施例：
1.一种校准抗蚀剂模型的方法，所述方法包括：
基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和所述抗蚀剂模型的参数来产生所述抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；
基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，通过所述模型化抗蚀剂轮廓来预测所述抗蚀剂结构的量测轮廓；以及
基于所预测的量测轮廓与由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整所述抗蚀剂模型的参数。
2.如条项1所述的方法，其中，由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息对应于由所述量测装置产生的波形的一部分的宽度。
3.如条项2所述的方法，其中，所述波形的一部分对应于由所述量测装置成像的实际抗蚀剂结构的边缘。
4.如条项1至3中任一项所述的方法，其中，所述波形的一部分的宽度是在预定阈值强度水平下测量的。
5.如条项1至4中任一项所述的方法，其中，所述抗蚀剂结构的所预测的量测轮廓是基于与所述量测装置相关联的参数而从所述模型化抗蚀剂轮廓产生的。
6.如条项1至5中任一项所述的方法，还包括：
基于所预测的量测轮廓与由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来更新所述量测装置的参数。
7.如条项1至6中任一项所述的方法，其中，所述量测装置是扫描电子显微镜。
8.如条项1所述的方法，还包括：
基于所述抗蚀剂模型的经调整的抗蚀剂参数来优化掩模布局的参数和光源的参数。
9.如条项1所述的方法，还包括：
基于所述抗蚀剂模型的经调整的参数来预测另一抗蚀剂结构的量测轮廓；
由所述量测装置获得所述另一抗蚀剂结构的实际量测轮廓；以及
基于另一抗蚀剂结构的所预测的量测轮廓与另一抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来计算误差。
10.一种用于校准抗蚀剂模型的装置，所述装置包括：
处理器，该处理器被配置为
基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和所述抗蚀剂模型的参数来产生所述抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；
基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，通过所述模型化抗蚀剂轮廓来预测所述抗蚀剂结构的量测轮廓；以及
基于所预测的量测轮廓与由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整所述抗蚀剂模型的参数。
11.如条项10所述的装置，其中，由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息对应于由所述量测装置产生的波形的一部分的宽度。
12.如条项11所述的装置，其中，所述波形的一部分对应于由所述量测装置成像的实际抗蚀剂结构的边缘。
13.如条项10至12中任一项所述的装置，其中，所述波形的一部分的宽度是在预定阈值强度水平下测量的。
14.如条项10至13中任一项所述的装置，其中，所述抗蚀剂结构的所预测的量测轮廓是基于与所述量测装置相关联的参数而从所述模型化抗蚀剂轮廓产生的。
15.如条项10至14中任一项所述的装置，其中，所述处理器进一步被配置为：
基于所述实际抗蚀剂结构的所预测的量测轮廓与所述实际量测轮廓的对比来更新所述量测装置的参数。
16.如条项10至16中任一项所述的装置，其中，所述量测装置是扫描电子显微镜。
17.如条项10所述的装置，其中，所述处理器进一步被配置为：
基于所述抗蚀剂模型的经调整的抗蚀剂参数来优化掩模布局的参数和光源的参数。
18.如条项10所述的装置，其中，所述处理器进一步被配置为：
基于所述抗蚀剂模型的经调整的参数来预测另一抗蚀剂结构的量测轮廓；
由所述量测装置获得所述另一抗蚀剂结构的实际量测轮廓；以及
基于另一抗蚀剂结构的所预测的量测轮廓与另一抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来计算误差。
19.一种包括机器可读指令的非暂时性计算机程序产品，所述机器可读指令用于使得处理器执行如条项1至9中任一项所述的方法。
20.一种系统，包括：
硬件处理器；以及
如条项19所述的非暂时性计算机程序产品。
21.一种方法，包括：
至少基于抗蚀剂结构的模拟空间图像来产生所述抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；
基于所述模型化抗蚀剂轮廓、所述模拟空间图像以及与所述抗蚀剂结构相关联的一组抗蚀剂侧壁参数中的至少一个抗蚀剂侧壁参数来预测对应于由量测装置成像的实际抗蚀剂结构的边缘的波形的一部分的测量值；以及
基于所述波形的一部分的所预测的测量值与对应于由所述量测装置成像的所述实际抗蚀剂结构的边缘的波形的一部分的实际测量值的对比来调整所述至少一个抗蚀剂侧壁参数。
22.如条项21所述的方法，其中，所述波形的一部分的所预测的测量值是由所述量测装置产生的波形的一部分的宽度，该宽度是在预定阈值强度水平下测量的。
23.如条项21所述的方法，其中，由所述量测装置产生的波形的一部分的所预测的测量值是基于所述一组抗蚀剂侧壁参数中的至少两个抗蚀剂侧壁参数。
24.如条项21所述的方法，其中，所述一组抗蚀剂侧壁参数包括三个抗蚀剂侧壁参数，并且由量测装置产生的波形的一部分的所预测的测量值是基于所述一组抗蚀剂侧壁参数中的每一个抗蚀剂侧壁参数。
25.如条项21至24所述的方法，其中，所述一组抗蚀剂侧壁参数包括竖直强度范围参数、临界距离线宽参数以及所述空间图像参数的斜率。
26.如条项25所述的方法，其中，所述竖直强度范围参数被计算为第一空间图像的第一强度与第二空间图像的第二强度之间的差，所述第一空间图像对应于抗蚀剂层内的第一位置，并且所述第二空间图像对应于所述抗蚀剂层内的第二位置。
27.如条项25所述的方法，其中，所述第一位置在所述抗蚀剂层的顶部第三部分中，并且所述第二位置在所述抗蚀剂层的底部第三部分中。
28.如条项26至27中任一项所述的方法，其中，所述第一位置在所述抗蚀剂层的顶表面下方15纳米处，并且所述第二位置在所述抗蚀剂层的顶表面下方75纳米处。
29.如条项21所述的方法，还包括：
基于经调整的抗蚀剂侧壁参数来优化掩模布局的参数和光源的参数。
30.如条项21所述的方法，还包括：
基于另一抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓、另一抗蚀剂结构的模拟空间图像以及所述一组抗蚀剂侧壁参数中经调整的至少一个抗蚀剂侧壁参数来预测对应于由所述量测装置成像的另一实际抗蚀剂结构的边缘的另一波形的一部分的另一测量值；以及
基于另一波形的一部分的所预测的测量值来确定另一实际抗蚀剂结构的边缘的蚀刻品质。
31.一种包括机器可读指令的非暂时性计算机程序产品，所述机器可读指令用于使得处理器执行如条项21至30中任一项所述的方法。
32.一种系统，其包括
硬件处理器；以及
如条项31的非暂时性计算机程序产品。
33.如条项1至9中任一项所述的方法，其中，将所预测的量测轮廓和所述实际量测轮廓参数化，并且将这些轮廓的参数化用于所述对比中。
34.如条项10至18中任一项所述的装置，其中，将所预测的量测轮廓和所述实际量测轮廓参数化，并且将这些轮廓的参数化用于所述对比中。
应该注意的是，术语“掩模”、“掩模版”和“图案化装置”在本发明中可以互换地使用。此外，本领域技术人员将认识到，尤其在光刻模拟/优化的内容背景中，术语“掩模”/“图案化装置”和“设计布局”可以互换地使用，这是因为在光刻模拟/优化中不一定使用实体图案化装置，而可以使用设计布局来表示实体图案化装置。
在本文中，术语“辐射”和“束”用来涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如波长为365nm、248nm、193nm、157nm或126nm)和极紫外光辐射(EUV)(例如波长在5-20nm范围内)。
如本文中所使用的术语“进行优化”和“优化”意味着调整光刻投影设备和/或图案化过程，使得图案化过程(诸如光刻)的结果和/或处理具有更合乎需要的特性，诸如设计布局在衬底上的较高投影准确度、较大处理窗口等。术语“优化”不必需要光刻的结果和/或处理具有最合乎需要的特性，诸如设计布局在衬底上的最高投影准确度、最大处理窗口等。
上文所提及的图案化装置包括或者可以形成设计布局。可以利用计算机辅助设计(CAD)程序来产生设计布局，该过程经常被称为电子设计自动化(EDA)。大多数CAD程序遵循预定设计规则的集合，以便产生功能设计布局/图案化装置。由处理和设计限制来设定这些规则。例如，设计规则定义电路装置(诸如门、电容器等)之间的空间容许度，以便确保所述电路装置或线彼此不会以不理想的方式相互作用。设计规则限制通常被称为“临界尺寸”(CD)。可以将电路的临界尺寸定义为线或孔的最小宽度，或者两条线或两个孔之间的最小空间。因此，CD确定经设计电路的总尺寸和密度。当然，集成电路制作中的目标之一是在衬底上如实地再现原始电路设计(经由图案化装置)。
如本文中所使用的术语“掩模”或“图案化装置”可以被宽泛地解释为是指可以用于向入射辐射束赋予经图案化横截面的通用图案化装置，该经图案化横截面对应于待在衬底的目标部分中产生的图案；术语“光阀”也可以用于该内容背景中。除了经典掩模(透射式或反射式、二元式、相移式、混合式等)以外，其他这类图案化装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
本文中所披露的概念可以模拟或者在数学上模型化任何图案化过程，并且可以尤其适用于能够产生越来越短波长的成像技术。已经在使用中的这类成像技术的示例包括极紫外(EUV)、DUV光刻术，该光刻术能够通过使用ArF激光器产生193nm波长和/或通过使用氟激光器产生157nm波长。此外，EUV光刻术能够通过使用例如同步加速器或者通过利用高能电子射到材料(固体或等离子体)来产生在约5nm至约20nm范围内的波长，以便产生在该范围内的光子。
虽然本文中所披露的概念可以用于涉及在诸如硅晶片的衬底上的成像的图案化过程，但是应该理解的是，所披露的概念可以与任何类型的光刻成像系统一起使用，例如用于在不同于硅晶片的衬底上的成像的光刻成像系统。
在框图中，虽然所说明的部件被描绘为离散的功能区块，但是实施例不限于下述系统：在该系统中，如图所示地组织本文所描述的功能性。由多个部件中的每一个部件提供的功能性可以由软件或硬件模块提供，该模块以与目前所描绘的方式不同的方式组织，例如可以掺和、结合、复写、解散、分配(例如在数据中心内或者按地区)，或者另外以不同方式组织该软件或硬件。可以由执行存储于有形的、非暂时性机器可读介质上的程序代码的一个或多个计算机的一个或多个处理器来提供本文所描述的功能性。在一些情况下，第三方内容传送网络可以主控经由网络传送的信息中的一些或全部信息；在这种情况下，在据称供应或者以另外方式提供信息(例如内容)的情况下，可以通过发送指令以从内容传送网络获取所述信息来提供该信息。
除非另外具体地阐明，否则如根据论述显而易见的是，将明白：在本说明书中，利用诸如“处理”、“计算”、“运算”、“确定”或者类似的术语的论述是指诸如专用计算机或者类似的专用电子处理/计算装置的特定设备的动作或过程。
读者应该明白的是，本申请描述了数个发明。不是将那些发明分开至多个分立的专利申请中，而是这些发明已经被分组到单个文件中，这是因为其相关主题在应用过程中经济地适用。然而，不应该合并这些发明的相异优点和方面。在一些情况下，实施例解决了本文中所提到的所有缺点，但是应该理解的是，这些发明的独立地有用的；并且一些实施例仅解决了这些问题的子集或者提供了其他未经提及的益处，这些益处对于查阅本文的本领域技术人员而言将是显而易见的。归因于成本约束，目前可能没有主张本文中所披露的一些发明，并且可以在后续申请中(诸如连续申请或者通过修改目前的权利要求书)主张这些发明。类似地，归因于空间限制，本文件的说明书摘要和发明内容章节都不应该被视为包含所有这些发明的穷举性清单或者这些发明的所有方面。
应该理解的是，本说明书和附图不意图将本发明限制于所披露的特定形式，而是相反，意图涵盖属于如由随附的权利要求书所限定的本发明的精神及范围内的所有变型、等同物和替代例。
鉴于本说明书，本发明的各个方面的变型和可替代实施例对于本领域技术人员而言将是显而易见的。因此，本说明书和附图应该被理解为仅是说明性的，并且是出于教导本领域技术人员实施本发明的一般方式的目的。应该理解的是，本文所示出和描述的本发明的形式应该被视为实施例的示例。元件和材料可以替代本文中所说明和描述的元件和材料，可以反转或省略一些部分和程序，可以独立地利用某些特征，并且可以组合实施例或实施例的特征，这些在本领域技术人员获得本说明书的益处之后将是显而易见的。可以在不背离如在随附的权利要求书中所描述的本发明的精神及范围的情况下对本文所描述的元件作出改变。本文中所使用的标题仅是为了获得组织性目的，并不意图用于限制本说明书的范围。
如在本申请中使用的，词语“可以”是在许可的意义(即，意味着有可能)而非强制性的意义(即，意味着必须)下被使用。词语“包括”及类似的词语意味着包括但不限于。如在本申请中使用的，单数形式“一”和“该”包括多个参照物，除非文中另外明确地指明。因此，例如提及“一个元件”包括两个或更多个元件的组合，尽管会针对一个或多个元件使用其他术语和短语，诸如“一个或多个”。除非另外指明，否则术语“或”是非独占式的，即涵盖“及”和“或”两者。描述条件关系的术语，例如“响应于X而Y”、“在X之后Y”、“如果X，则Y”、“当X时，Y”等涵盖因果关系，其中，前提是必要的因果条件，前提是充分的因果条件，或者前提是结果的贡献因果条件，例如“在获得条件Y之后即出现状态X”对于“仅在Y之后才出现X”以及“在Y和Z之后即出现X”是通用的。这些条件关系不限于立即遵循前提而获得的结果，这是因为一些结果可能延迟；并且在条件叙述中，前提连接到其结果，例如，前提与出现结果的可能性相关。除非另外指明，否则多个特质或功能被映射到多个对象(例如执行步骤A、B、C和D的一个或多个处理器)的叙述涵盖所有这些特质或功能被映射到所有这些对象和特质或功能的子集被映射到特质或功能的子集两者(例如所有处理器各自执行步骤A至D，以及其中，处理器1执行步骤A，处理器2执行步骤B和步骤C的一部分，并且处理器3执行步骤C的一部分和步骤D的情况)。另外，除非另外指示，否则一个值或动作“基于”另一条件或值的叙述涵盖条件或值是单独因子的情况以及条件或值是多个因子当中的一个因子的情况两者。除非另外指示，否则某集合的“每一个”例项具有某种属性的叙述不应该被理解为排除较大集合的一些另外相同或相似部件不具有该属性的情况，即，每一个不一定意味着每一个都。提及从一范围选择的情况包括该范围的端点。
在以上描述中，流程图中的任何程序、描述或框应该被理解为表示程序代码的模块、片段或部分，它们包括用于实施该程序中的特定逻辑功能或步骤的一个或多个可执行指令，并且可替代实施包括于本发明的示例性实施例的范围内，其中，功能可以依赖于所涉及的功能性而不按照所示出或论述的次序执行，包括实质上同时或者以相反次序执行，如本领域技术人员将理解的那样。
虽然已经描述了某些实施例，但是这些实施例仅作为示例来呈现，并不意图限制本发明的范围。实际上，本文所描述的新颖性方法、设备和系统可以以多种其他形式来体现；此外，在不背离本发明的精神的情况下，可以对本文所描述的方法、设备和系统的形式进行各种省略、替代和改变。随附的权利要求书及其等同物意图涵盖将属于本发明的范围及精神内的这类形式或变型。

Claims (15)

1.一种校准抗蚀剂模型的方法，所述方法包括：
基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和所述抗蚀剂模型的参数来产生所述抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；
基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，通过所述模型化抗蚀剂轮廓来预测所述抗蚀剂结构的量测轮廓；以及
基于所预测的量测轮廓与由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整所述抗蚀剂模型的参数。
2.如权利要求1所述的方法，其中，由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息对应于由所述量测装置产生的波形的一部分的宽度。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述波形的一部分对应于由所述量测装置成像的实际抗蚀剂结构的边缘。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述波形的一部分的宽度是在预定阈值强度水平下测量的。
5.如权利要求1所述的方法，其中，所述抗蚀剂结构的所预测的量测轮廓是基于与所述量测装置相关联的参数而从所述模型化抗蚀剂轮廓产生的。
6.如权利要求1所述的方法，还包括：
基于所预测的量测轮廓与由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来更新所述量测装置的参数。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述量测装置是扫描电子显微镜。
8.如权利要求1所述的方法，还包括：
基于所述抗蚀剂模型的经调整的抗蚀剂参数来优化掩模布局的参数和光源的参数。
9.如权利要求1所述的方法，还包括：
基于所述抗蚀剂模型的经调整的参数来预测另一抗蚀剂结构的量测轮廓；
由所述量测装置获得所述另一抗蚀剂结构的实际量测轮廓；以及
基于另一抗蚀剂结构的所预测的量测轮廓与另一抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来计算误差。
10.如权利要求1所述的方法，其中，将所预测的量测轮廓和所述实际量测轮廓参数化，并且将这些轮廓的参数化用于所述对比中。
11.一种用于校准抗蚀剂模型的装置，所述装置包括：
处理器，该处理器被配置为
基于抗蚀剂结构的模拟空间图像和所述抗蚀剂模型的参数来产生所述抗蚀剂结构的模型化抗蚀剂轮廓；
基于由量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息，通过所述模型化抗蚀剂轮廓来预测所述抗蚀剂结构的量测轮廓；以及
基于所预测的量测轮廓与由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的实际量测轮廓的对比来调整所述抗蚀剂模型的参数。
12.如权利要求11所述的装置，其中，由所述量测装置获得的实际抗蚀剂结构的信息对应于由所述量测装置产生的波形的一部分的宽度。
13.如权利要求12所述的装置，其中，所述波形的一部分对应于由所述量测装置成像的实际抗蚀剂结构的边缘。
14.如权利要求11所述的装置，其中，所述波形的一部分的宽度是在预定阈值强度水平下测量的。
15.如权利要求11所述的装置，其中，所预测的量测轮廓和所述实际量测轮廓被参数化，并且这些轮廓的参数化被用于所述对比中。
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