CN111490093A - 电沉积制备石墨烯基晶体管及其沟道材料的方法 - Google Patents
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- CN111490093A CN111490093A CN202010293431.7A CN202010293431A CN111490093A CN 111490093 A CN111490093 A CN 111490093A CN 202010293431 A CN202010293431 A CN 202010293431A CN 111490093 A CN111490093 A CN 111490093A
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 153
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 153
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 10
- CMOAHYOGLLEOGO-UHFFFAOYSA-N oxozirconium;dihydrochloride Chemical compound Cl.Cl.[Zr]=O CMOAHYOGLLEOGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 50
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 48
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 28
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 17
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 14
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 14
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K sodium citrate Chemical compound O.O.[Na+].[Na+].[Na+].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O NLJMYIDDQXHKNR-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 8
- 239000001509 sodium citrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000002659 electrodeposit Substances 0.000 abstract 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 3
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 2
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229960005489 paracetamol Drugs 0.000 description 1
- RLBIQVVOMOPOHC-UHFFFAOYSA-N parathion-methyl Chemical compound COP(=S)(OC)OC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 RLBIQVVOMOPOHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000575 pesticide Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
- H01L29/1029—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors
- H01L29/1033—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/18—Metallic material, boron or silicon on other inorganic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D15/00—Electrolytic or electrophoretic production of coatings containing embedded materials, e.g. particles, whiskers, wires
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0405—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising semiconducting carbon, e.g. diamond, diamond-like carbon
Abstract
本发明涉及一种电沉积制备石墨烯基晶体管沟道材料的方法，利用循环伏安法在源漏极上电沉积石墨烯基材料作为构成沟道。本发明通过电沉积氧化石墨烯(GO)，氯金酸(HAuCl4)和氧化石墨烯(GO)，氧氯化锆(ZrOCl2)和氧化石墨烯(GO)，3,4‑乙烯二氧噻吩(EDOT)和氧化石墨烯(GO)，制备出了石墨烯，金属与石墨烯复合，金属氧化物与石墨烯复合，聚合物与石墨烯复合的沟道材料，均得到了石墨烯特有的“U”型转移曲线。
Description
技术领域
本发明涉及的是一种新的制备晶体管沟道材料的方法，具体是利用在晶体管源漏极上电沉积得到石墨烯或石墨烯复合材料作为沟道材料。
背景技术
石墨烯因其独特的物理性质和二维结构而具有广阔的应用前景，晶体管传感器便是一种。目前应用广泛的石墨烯晶体管沟道材料多为单层石墨烯，其具有零带隙，较高的迁移率等优异性能，然而单层石墨烯使用成本较高，制备工艺复杂，且转移过程繁杂易被破坏，因此降低了其作为沟道材料的稳定性，准确性和实用性。
现有技术CN107907580A CN108593747A中，虽然分别制备了有机磷农药的晶体管化学传感器、葡萄糖的晶体管传感器，但是均采用了单层石墨烯作为沟道，并且均采用湿法转移将单层石墨烯转移到沟道上。该湿法转移过程中因实际操作流程困难复杂，常导致制备出的器件性能不稳定，重复性较差，且后续在石墨烯上进行修饰时也易破坏已转移好的石墨烯，从而影响对石墨烯沟道的修饰。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足，提供一种电沉积制备石墨烯基晶体管沟道材料的方法，解决了目前电化学晶体管中石墨烯沟道依赖湿法转移工艺所带来的操作困难、不易重复、成本过高的问题。
电沉积制备石墨烯基晶体管沟通材料的方法，主要步骤如下：
(1)在电化学晶体管的源极、漏极间确定沟道区域，滴加氧化石墨烯溶液，晾干后，得到氧化石墨烯修饰的沟道区域；
(2)步骤(1)所得电化学晶体管的沟道区域浸入氧化石墨烯溶液或者沟道材料的前驱体溶液中，通过循环伏安法在沟道区域沉积石墨烯或者石墨烯基复合材料作为沟道。
按上述方案，石墨烯基复合材料为前驱体溶液电沉积还原生成的固体产物的复合物。石墨烯与不同材料(包括金属，金属氧化物，聚合物)复合得到的沟道材料可用于检测不同待检测物质，前驱体溶液通过循环伏安法还原生成的固体产物用于与检测对象发生反应或催化检测对象的反应使沟道电流变化来实现对检测对象的定性或定量检测。
按上述方案，步骤(1)、步骤(2)中，所述氧化石墨烯溶液的浓度均为0.3-0.8mg/mL。
按上述方案，所述前驱体溶液为氯金酸溶液、3,4-乙烯二氧噻吩和柠檬酸钠混合溶液、氧氯化锆溶液等中的一种或几种。当前驱体溶液为氯金酸溶液时，通过循环伏安法在沟道区域沉积的石墨烯基材料为金与石墨烯的复合材料；当前驱体溶液为氧氯化锆溶液时，通过循环伏安法在沟道区域沉积的石墨烯基复合材料为二氧化锆与石墨烯的复合材料；当前驱体溶液为3,4-乙烯二氧噻吩和柠檬酸钠混合溶液时，通过循环伏安法在沟道区域沉积的石墨烯基复合材料为聚3,4-乙烯二氧噻吩与石墨烯的复合材料。
优选地，所述氯金酸溶液的浓度为1-5mM；所述氧氯化锆溶液的浓度为5-10mM；所述3,4-乙烯二氧噻吩和柠檬酸钠混合溶液中，3,4-乙烯二氧噻吩浓度为10-50mM，柠檬酸钠浓度为20-80mM。
按上述方案，所述电化学晶体管的源极、漏极为蒸发镀膜的金/铬电极，金层重叠于铬层上方，栅极优选Ag/AgCl电极。
进一步地，铬与玻璃的粘附性好，先在玻璃基底上蒸铬，然后在铬上蒸金，铬层的厚度控制在为0.3-1nm，金层的厚度控制在为30-100nm，作为电化学晶体管的电极，选定源极与漏极，源极与漏极之间的间距不超过400μm，优选100-300μm。
按上述方案，循环伏安法的扫描速度为10-100mV/s，扫描圈数20-60圈，同时在晶体管源极和漏极上进行电沉积，使沟道区域沉积上石墨烯或者石墨烯基复合材料从而联通源极和漏极。
在上述基础上，本发明还提供一种石墨烯基晶体管的制备方法，主要步骤如下：
(1)在电化学晶体管的源极、漏极间确定沟道区域，滴加氧化石墨烯溶液，干燥后，得到氧化石墨烯修饰的沟道区域；其中，源极与漏极之间间距不超过400μm；
(2)步骤(1)所得电化学晶体管的沟道区域浸入氧化石墨烯溶液或者沟道材料的前驱体溶液中，通过循环伏安法在沟道区域沉积石墨烯或者石墨烯基复合材料作为沟道；
(3)用Ag/AgCl电极作为晶体管栅极，与步骤(1)、(2)所制备的源极、漏极、沟道相结合，得到石墨烯基晶体管。
本发明与现有技术相比，采用了新方法——循环伏安法电沉积石墨烯或石墨烯复合材料来作为晶体管沟道材料，所制备的石墨烯基电化学晶体管具有石墨烯特有的“U”型转移曲线。
现有技术中采用石墨烯作为沟道的晶体管传感器，通常采用湿法转移单层石墨烯形成沟道，这是由于单层石墨烯氧化程度更低，能够直接得到高性能的石墨烯沟道。但是，湿法转移虽然是现有手段，其实湿法转移单层石墨烯的实际操作流程比较困难复杂，重复性也比较差，从而使得晶体管传感器的性能不稳定，重复性较差；而且后续在石墨烯沟道上进行修饰时也易破坏已转移好的单层石墨烯，从而限制了对石墨烯沟道的修饰。而本发明采用电沉积制备石墨烯基晶体管沟道材料的方法，在源漏极上电沉积石墨烯形成沟道，是由于沟道足够窄，使得源漏极沉积上的石墨烯能够联通作为沟道。本发明中，电沉积石墨烯作为沟道材料需要把控好沟道宽度(源漏极之间的距离)，沉积圈数来使得石墨烯成功沉积。本发明所述方法易于操作，重现性好，成本低，利于后续得到稳定、重复性好的晶体管传感器。
附图说明
图1为实施例1中制备的石墨烯(A)，金与石墨烯的复合材料(B)，二氧化锆与石墨烯的复合材料(C)，聚3,4-乙烯二氧噻吩与石墨烯的复合材料(D)的FE-SEM图；
图2为实施例1中沟道分别是石墨烯(A)，金/石墨烯复合材料(B)，二氧化锆/石墨烯复合材料(C)，聚3,4-乙烯二氧噻吩/石墨烯复合材料(D)的晶体管的转移曲线。
具体实施方式
为了更好地理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1
电沉积制备石墨烯基晶体管沟道材料以及制备石墨烯基晶体管的方法，其步骤如下：
第一步，通过蒸发镀膜法将金和铬镀到1x1cm的玻璃基底上，铬的厚度控制在为0.3-1nm左右，金的厚度控制在为30-100nm左右，作为晶体管的栅极、源极、漏极，源极与漏极之间间距为250μm；
第二步，用胶带在沟道处固定出5mm×5mm大小，将氧化石墨烯超声1h分散于超纯水后滴涂在固定好的沟道处，氧化石墨烯浓度为0.5mg/mL，自然晾干，晶体管的沟道区域修饰上氧化石墨烯；
第三步，1、使用电化学工作站设定循环伏安法的扫描速度为50mV/s,扫描圈数20圈，将第二步所得晶体管的沟道区域在0.5mg/mL氧化石墨烯溶液中沉积得到石墨烯，作为晶体管的沟道；2、使用电化学工作站设定循环伏安法的扫描速度为50mV/s,扫描圈数20圈，将第二步所得晶体管的沟道区域在2mM氯金酸溶液中沉积得到金与石墨烯复合材料，作为晶体管的沟道；3、使用电化学工作站设定循环伏安法的扫描速度为50mV/s,扫描圈数20圈，将第二步所得晶体管的沟道区域在5mM氧氯化锆溶液中沉积得到二氧化锆与石墨烯复合材料；4、使用电化学工作站设定循环伏安法的扫描速度为50mV/s,扫描圈数20圈，将第二步所得晶体管的沟道区域在20mM 3,4-乙烯二氧噻吩，30mM柠檬酸钠溶液中沉积得到聚3,4-乙烯二氧噻吩与石墨烯复合材料，作为晶体管的沟道；
第四步，设定数字源表的VDS＝0.05V，VG从0到2V，用Ag/AgCl电极作为晶体管栅极，将器件浸入缓冲溶液中，用数字源表检测晶体管的转移曲线。
由图1可知：在晶体管沟道上电沉积石墨烯呈现褶皱状结构；在晶体管沟道上电沉积金与石墨烯复合材料可以看到金纳米粒子均匀附着在褶皱状的石墨烯表面；在晶体管沟道上电沉积二氧化锆与石墨烯复合材料同样呈现褶皱状结构，主要原因是二氧化锆结晶性能不好；在晶体管沟道上电沉积3,4-乙烯二氧噻吩与石墨烯复合材料表面呈网状交织结构。
由图2可知：电沉积石墨烯，金与石墨烯复合材料，二氧化锆与石墨烯复合材料，聚3,4-乙烯二氧噻吩与石墨烯复合材料均得到了石墨烯特有的“U”型曲线，此时分别对应的晶体管传感器可分别用于实际定性或定量检测过氧化氢，葡萄糖，甲基对硫磷，对乙酰氨基酚。“U”型曲线显示了石墨烯的双极性行为，在水溶液中石墨烯窄带隙，使得在栅电压和沟道电压作用下电子很容易从石墨烯价带转移到导带与空穴结合，随着栅电压增大，电子填满空穴并逐渐累积，导致载流子浓度先减小后增大，从而出现“U”型曲线，表示石墨烯沉积上了。
石墨烯与不同材料复合作为沟道，得到转移曲线显示出的狄拉克点不同。图2(A)中，电沉积石墨烯作为沟道的晶体管转移曲线狄拉克点为0.7V；图2(B)中，电沉积金与石墨烯复合材料作为沟道的晶体管转移曲线狄拉克点为1.17V；图2(C)中，电沉积二氧化锆与石墨烯复合材料作为沟道的晶体管转移曲线狄拉克点为1.1V；图2(D)中，电沉积聚3,4-乙烯二氧噻吩与石墨烯复合材料作为沟道的晶体管转移曲线狄拉克点为1.05V。
实施例2
电沉积制备石墨烯基晶体管沟道材料以及制备石墨烯基晶体管的方法，其步骤如下：
第一步，通过蒸发镀膜法将金和铬镀到1x1cm的玻璃基底上，铬的厚度控制在为0.3-1nm左右，金的厚度控制在为30-100nm左右，作为晶体管的栅极、源极、漏极，源极与漏极之间间距为100μm；
第二步，用胶带在沟道处固定出5mm×5mm大小，将氧化石墨烯超声1h分散于超纯水后滴涂在固定好的沟道处，氧化石墨烯浓度为0.8mg/mL，自然晾干，晶体管的沟道区域修饰上氧化石墨烯；
第三步，1、使用电化学工作站设定循环伏安法的扫描速度为50mV/s，扫描圈数20圈，将第二步所得晶体管的沟道区域在0.5mg/mL氧化石墨烯溶液中沉积得到石墨烯，作为晶体管的沟道；2、使用电化学工作站设定循环伏安法的扫描速度为50mV/s，扫描圈数20圈，将第二步所得晶体管的沟道区域在4mM氯金酸溶液中沉积得到金与石墨烯复合材料，作为晶体管的沟道；3、使用电化学工作站设定循环伏安法的扫描速度为50mV/s，扫描圈数20圈，将第二步所得晶体管的沟道区域在8mM氧氯化锆溶液中沉积得到二氧化锆与石墨烯复合材料；4、使用电化学工作站设定循环伏安法的扫描速度为50mV/s，扫描圈数20圈，将第二步所得晶体管的沟道区域在40mM 3,4-乙烯二氧噻吩，60mM柠檬酸钠溶液中沉积得到聚3,4-乙烯二氧噻吩与石墨烯复合材料，作为晶体管的沟道；
第四步，设定数字源表的VDS＝0.05V，VG从0到2V，用Ag/AgCl电极作为晶体管栅极，将器件浸入缓冲溶液中，用数字源表检测晶体管的转移曲线。
电沉积石墨烯，金与石墨烯复合材料，二氧化锆与石墨烯复合材料，聚3,4-乙烯二氧噻吩与石墨烯复合材料均得到了石墨烯特有的“U”型曲线，可用于实际检测。石墨烯与不同材料复合作为沟道，得到转移曲线显示出的狄拉克点不同。
实施例3
电沉积制备石墨烯基晶体管沟道材料以及制备石墨烯基晶体管的方法，其步骤如下：
第一步，通过蒸发镀膜法将金和铬镀到1x1cm的玻璃基底上，铬的厚度控制在为0.3-1nm左右，金的厚度控制在为30-100nm左右，作为晶体管的栅极、源极、漏极，源极与漏极之间间距为250μm；
第二步，用胶带在沟道处固定出5mm×5mm大小，将氧化石墨烯超声1h分散于超纯水后滴涂在固定好的沟道处，氧化石墨烯浓度为0.3mg/mL，自然晾干，晶体管的沟道区域修饰上氧化石墨烯；
第三步，1、使用电化学工作站设定循环伏安法的扫描速度为50mV/s，扫描圈数20圈，将第二步所得晶体管的沟道区域在0.5mg/mL氧化石墨烯溶液中沉积得到石墨烯，作为晶体管的沟道；2、使用电化学工作站设定循环伏安法的扫描速度为50mV/s，扫描圈数30圈，将第二步所得晶体管的沟道区域在2mM氯金酸溶液中沉积得到金与石墨烯复合材料，作为晶体管的沟道；3、使用电化学工作站设定循环伏安法的扫描速度为50mV/s，扫描圈数30圈，将第二步所得晶体管的沟道区域在5mM氧氯化锆溶液中沉积得到二氧化锆与石墨烯复合材料；4、使用电化学工作站设定循环伏安法的扫描速度为50mV/s，扫描圈数30圈，将第二步所得晶体管的沟道区域在20mM 3,4-乙烯二氧噻吩，30mM柠檬酸钠溶液中沉积得到聚3,4-乙烯二氧噻吩与石墨烯复合材料，作为晶体管的沟道；
第四步，设定数字源表的VDS＝0.05V，VG从0到2V，用Ag/AgCl电极作为晶体管栅极，将器件浸入缓冲溶液中，用数字源表检测晶体管的转移曲线。
电沉积石墨烯，金与石墨烯复合材料，二氧化锆与石墨烯复合材料，聚3,4-乙烯二氧噻吩与石墨烯复合材料均得到了石墨烯特有的“U”型曲线，可用于实际检测。石墨烯与不同材料复合作为沟道，得到转移曲线显示出的狄拉克点不同。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干改进和变换，这些都属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.电沉积制备石墨烯基晶体管沟通材料的方法，其特征在于主要步骤如下：
(1)在电化学晶体管的源极、漏极间确定沟道区域，滴加氧化石墨烯溶液，干燥后，得到氧化石墨烯修饰的沟道区域；其中，源极与漏极之间间距不超过400μm；
(2)步骤(1)所得电化学晶体管的沟道区域浸入氧化石墨烯溶液或者沟道材料的前驱体溶液中，通过循环伏安法在沟道区域沉积石墨烯或者石墨烯基复合材料作为沟道。
2.根据权利要求1所述的电沉积制备石墨烯基晶体管沟通材料的方法，其特征在于步骤(1)、步骤(2)中，所述氧化石墨烯溶液的浓度均为0.3-0.8mg/mL。
3.根据权利要求1所述的电沉积制备石墨烯基晶体管沟通材料的方法，其特征在于所述前驱体溶液为氯金酸溶液、3,4-乙烯二氧噻吩和柠檬酸钠混合溶液、氧氯化锆溶液中的一种；当前驱体溶液为氯金酸溶液时，通过循环伏安法在沟道区域沉积的石墨烯基材料为金与石墨烯的复合材料；当前驱体溶液为氧氯化锆溶液时，通过循环伏安法在沟道区域沉积的石墨烯基复合材料为二氧化锆与石墨烯的复合材料；当前驱体溶液为3,4-乙烯二氧噻吩和柠檬酸钠混合溶液时，通过循环伏安法在沟道区域沉积的石墨烯基复合材料为聚3,4-乙烯二氧噻吩与石墨烯的复合材料。
4.根据权利要求3所述的电沉积制备石墨烯基晶体管沟通材料的方法，其特征在于所述氯金酸溶液的浓度为1-5mM；所述氧氯化锆溶液的浓度为5-10mM；所述3,4-乙烯二氧噻吩和柠檬酸钠混合溶液中，3,4-乙烯二氧噻吩浓度为10-50mM，柠檬酸钠浓度为20-80mM。
5.根据权利要求1所述的电沉积制备石墨烯基晶体管沟通材料的方法，其特征在于源极与漏极之间的间距为100-300μm。
6.根据权利要求1所述的电沉积制备石墨烯基晶体管沟通材料的方法，其特征在于循环伏安法的扫描速度为10-100mV/s，扫描圈数20-60圈。
7.采用权利要求1所述方法制备的石墨烯基晶体管沟通材料。
8.采用权利要求7所述沟道材料的电化学晶体管传感器。
9.根据权利要求8所述的电化学晶体管传感器，其特征在于所述电化学晶体管的源极、漏极为金/铬电极，金层重叠于铬层上方，栅极为Ag/AgCl电极。
10.一种石墨烯基晶体管的制备方法，其特征在于主要步骤如下：
(1)在电化学晶体管的源极、漏极间确定沟道区域，滴加氧化石墨烯溶液，干燥后，得到氧化石墨烯修饰的沟道区域；其中，源极与漏极之间间距不超过400μm；
(2)步骤(1)所得电化学晶体管的沟道区域浸入氧化石墨烯溶液或者沟道材料的前驱体溶液中，通过循环伏安法在沟道区域沉积石墨烯或者石墨烯基复合材料作为沟道；
(3)用Ag/AgCl电极作为晶体管栅极，与步骤(1)、(2)所制备的源极、漏极、沟道相结合，得到石墨烯基晶体管。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202010293431.7A CN111490093A (zh) | 2020-04-15 | 2020-04-15 | 电沉积制备石墨烯基晶体管及其沟道材料的方法 |
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| CN202010293431.7A CN111490093A (zh) | 2020-04-15 | 2020-04-15 | 电沉积制备石墨烯基晶体管及其沟道材料的方法 |
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| CN111490093A true CN111490093A (zh) | 2020-08-04 |
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ID=71794895
Family Applications (1)
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| CN202010293431.7A Pending CN111490093A (zh) | 2020-04-15 | 2020-04-15 | 电沉积制备石墨烯基晶体管及其沟道材料的方法 |
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| Country | Link |
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| CN (1) | CN111490093A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112162026A (zh) * | 2020-09-28 | 2021-01-01 | 南京农业大学 | 基于纳米传感通道电化学掺杂的土壤三价砷检测方法 |
| CN112229890A (zh) * | 2020-10-05 | 2021-01-15 | 湖北大学 | 一种用于检测甲基对硫磷的电化学晶体管传感器及方法 |
| WO2023087353A1 (zh) * | 2021-11-19 | 2023-05-25 | 惠州华星光电显示有限公司 | 晶体管及其制作方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102051651A (zh) * | 2011-01-11 | 2011-05-11 | 湖南大学 | 一种石墨烯薄膜的制备方法 |
| CN102585174A (zh) * | 2012-01-09 | 2012-07-18 | 南京大学 | 石墨烯/聚（3，4-乙烯二氧噻吩）复合物纳米材料的制法 |
| CN103332678A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-10-02 | 东莞上海大学纳米技术研究院 | 石墨烯及石墨烯-氧化物复合物的制备方法 |
| CN106000297A (zh) * | 2016-05-10 | 2016-10-12 | 郑州大学 | 一种石墨烯负载氧化锆复合材料、制备方法及其作为脱硫吸附剂的应用 |
| US20170059514A1 (en) * | 2014-12-18 | 2017-03-02 | Agilome, Inc. | Chemically-sensitive field effect transistors, systems, and methods for manufacturing and using the same |
| CN106941130A (zh) * | 2016-01-05 | 2017-07-11 | 江苏科技大学 | 柔性场效应晶体管及其制备方法 |
| CN109713290A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-03 | 清华大学深圳研究生院 | 硅复合负极材料、制备方法及锂离子电池 |
-
2020
- 2020-04-15 CN CN202010293431.7A patent/CN111490093A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102051651A (zh) * | 2011-01-11 | 2011-05-11 | 湖南大学 | 一种石墨烯薄膜的制备方法 |
| CN102585174A (zh) * | 2012-01-09 | 2012-07-18 | 南京大学 | 石墨烯/聚（3，4-乙烯二氧噻吩）复合物纳米材料的制法 |
| CN103332678A (zh) * | 2013-05-24 | 2013-10-02 | 东莞上海大学纳米技术研究院 | 石墨烯及石墨烯-氧化物复合物的制备方法 |
| US20170059514A1 (en) * | 2014-12-18 | 2017-03-02 | Agilome, Inc. | Chemically-sensitive field effect transistors, systems, and methods for manufacturing and using the same |
| CN106941130A (zh) * | 2016-01-05 | 2017-07-11 | 江苏科技大学 | 柔性场效应晶体管及其制备方法 |
| CN106000297A (zh) * | 2016-05-10 | 2016-10-12 | 郑州大学 | 一种石墨烯负载氧化锆复合材料、制备方法及其作为脱硫吸附剂的应用 |
| CN109713290A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-03 | 清华大学深圳研究生院 | 硅复合负极材料、制备方法及锂离子电池 |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| JEFFREY M. MATIVETSKY.ET.AL: "Graphene Transistors via in Situ Voltage-Induced Reduction of Graphene-Oxide under Ambient Conditions", 《JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY》 * |
| 张海永等: "石墨烯/二氧化锆纳米复合材料的制备及其防腐性能研究", 《北京化工大学学报( 自然科学版)》 * |
| 王珂: "一步电沉积制备石墨烯及其金属纳米复合材料", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅰ辑》 * |
| 赵波等: "电化学法制备石墨烯及其复合材料", 《电化学》 * |
| 金莉等: "石墨烯/聚3,4-乙烯二氧噻吩复合物的电化学制备及其在超级电容器中的应用", 《无机化学学报》 * |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112162026A (zh) * | 2020-09-28 | 2021-01-01 | 南京农业大学 | 基于纳米传感通道电化学掺杂的土壤三价砷检测方法 |
| CN112162026B (zh) * | 2020-09-28 | 2021-07-06 | 南京农业大学 | 基于纳米传感通道电化学掺杂的土壤三价砷检测方法 |
| CN112229890A (zh) * | 2020-10-05 | 2021-01-15 | 湖北大学 | 一种用于检测甲基对硫磷的电化学晶体管传感器及方法 |
| WO2023087353A1 (zh) * | 2021-11-19 | 2023-05-25 | 惠州华星光电显示有限公司 | 晶体管及其制作方法 |
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