CN111489880A - 线圈部件 - Google Patents

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Abstract

本发明在将2根绕线多层地卷绕而成的线圈部件中降低寄生电容分量。线圈部件(1)具备卷绕于卷芯部(13)的绕线(W1、W2)。绕线(W1、W2)在卷芯部(13)上构成至少3层的卷绕层，绕线(W1、W2)的第i匝(i是1以上的整数)、第i+1匝和第i+2匝位于互相不同的卷绕层。这样，由于将匝数近的第i～第i+2匝配置于互相不同的卷绕层，因此可以防止因使匝数差大的匝彼此邻接而导致的寄生电容分量的增加。

Description

线圈部件
技术领域
本发明涉及一种线圈部件，特别是涉及一种绕线多层地卷绕于卷芯部而成的线圈部件。
背景技术
为了提高绕线卷绕于卷芯部而成的线圈部件的电感，需要使绕线的匝数增加，但是在将绕线单层地卷绕于卷芯部的方法中，与匝数成比例地增大卷芯部所需要的长度。因此，为了抑制卷芯部的长度并且使绕线的匝数增加，如专利文献1所公开的那样，需要将绕线多层地卷绕于卷芯部。
另一方面，在主要用于电源电路的线圈部件中，要求低直流电阻和高额定电流。为了实现这一点，可以考虑使用并联连接的2根绕线的方法。例如，专利文献1的图6～图8中公开了通过将2根绕线多层地卷绕而成的线圈部件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平11-74133号公报
发明内容
但是，在专利文献1的图6～图8中公开的卷绕结构中，由于匝数差大的匝彼此相邻，因此存在产生大的寄生电容成分这样的问题。这是因为存在如下趋势：由匝数差小的匝彼此产生的寄生电容成分主要被串联连接，因此该值变小，相对于此，由匝数差大的匝彼此产生的寄生电容成分主要被并联连接，因此该值变大。
因此，本发明的目的在于，在将2根绕线多层地卷绕而成的线圈部件中，降低寄生电容成分。
本发明的线圈部件，其特征在于，具备：卷芯部；以及卷绕于卷芯部的第1和第2绕线，第1和第2绕线在卷芯部上构成至少3层的卷绕层，第1和第2绕线的第i匝(i是1以上的整数)、第i+1匝和第i+2匝位于互相不同的卷绕层。
根据本发明，由于将匝数近的第i～第i+2匝配置于互相不同的卷绕层，因此可以防止因使匝数差大的匝彼此邻接而导致的寄生电容分量的增加。
在本发明中，也可以是第1和第2绕线从靠近卷芯部的层起依次构成包含下层、中间层和上层的3层的卷绕层，在下层卷绕有第1和第2绕线的第i匝，在中间层卷绕有第1和第2绕线的第i+1匝，在上层卷绕有第1和第2绕线的第i+2匝。由此，通过反复形成由第1和第2绕线的第i～第i+2匝构成的卷绕图形，能够得到由3层的卷绕层构成的规则的卷绕结构。
在本发明中，也可以是第1绕线的第i+4匝沿由第1绕线的第i匝和第2绕线的第i匝形成的谷线卷绕，第1绕线的第i+5匝沿由第1绕线的第i+1匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线卷绕。由此，可以利用由第1绕线的第i匝和第2绕线的第i匝形成的谷线支撑第1绕线的第i+4匝，可以利用由第1绕线的第i+1匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线支撑第1绕线的第i+5匝。
在该情况下，也可以是第2绕线的第i+4匝沿由第1绕线的第i+3匝和第2绕线的第i匝形成的谷线卷绕，第2绕线的第i+5匝沿由第1绕线的第i+4匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线卷绕。由此，可以利用由第1绕线的第i+3匝和第2绕线的第i匝形成的谷线支撑第2绕线的第i+4匝，可以利用由第1绕线的第i+4匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线支撑第2绕线的第i+5匝。
在本发明中，也可以是第1绕线的第i+7匝沿由第1绕线的第i匝和第2绕线的第i匝形成的谷线卷绕，第1绕线的第i+5匝沿由第1绕线的第i+1匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线卷绕。由此，可以利用由第1绕线的第i匝和第2绕线的第i匝形成的谷线支撑第1绕线的第i+7匝，可以利用由第1绕线的第i+1匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线支撑第1绕线的第i+5匝。
在该情况下，也可以是第2绕线的第i+7匝沿由第1绕线的第i+3匝和第2绕线的第i匝形成的谷线卷绕，第2绕线的第i+5匝沿由第1绕线的第i+4匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线卷绕。由此，可以利用由第1绕线的第i+3匝和第2绕线的第i匝形成的谷线支撑第2绕线的第i+7匝，可以利用由第1绕线的第i+4匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线支撑第2绕线的第i+5匝。
在本发明中，也可以是第1和第2绕线从靠近卷芯部的层起依次构成包含下层、第1中间层、第2中间层和上层的4层的卷绕层，在下层卷绕有第1和第2绕线的第i匝，在第1中间层卷绕有第1和第2绕线的第i+1匝，在第2中间层卷绕有第1和第2绕线的第i+2匝，在上层卷绕有第1和第2绕线的第i+3匝。由此，通过反复形成由第1和第2绕线的第i～第i+3匝构成的卷绕图形，能够得到由4层的卷绕层构成的规则的卷绕结构。
在本发明中，也可以是第1绕线的第i+5匝沿由第1绕线的第i匝和第2绕线的第i匝形成的谷线卷绕，第1绕线的第i+6匝沿由第1绕线的第i+1匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线卷绕，第1绕线的第i+7匝沿由第1绕线的第i+2匝和第2绕线的第i+2匝形成的谷线卷绕。由此，可以利用由第1绕线的第i匝和第2绕线的第i匝形成的谷线支撑第1绕线的第i+5匝，可以利用由第1绕线的第i+1匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线支撑第1绕线的第i+6匝，可以利用由第1绕线的第i+2匝和第2绕线的第i+2匝形成的谷线支撑第1绕线的第i+7匝。
在该情况下，也可以是第2绕线的第i+5匝沿由第1绕线的第i+4匝和第2绕线的第i匝形成的谷线卷绕，第2绕线的第i+6匝沿由第1绕线的第i+5匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线卷绕，第2绕线的第i+7匝沿由第1绕线的第i+6匝和第2绕线的第i+2匝形成的谷线卷绕。由此，可以利用由第1绕线的第i+4匝和第2绕线的第i匝形成的谷线支撑第2绕线的第i+5匝，可以利用由第1绕线的第i+5匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线支撑第2绕线的第i+6匝，可以利用由第1绕线的第i+6匝和第2绕线的第i+2匝形成的谷线支撑第2绕线的第i+7匝。
在本发明中，也可以是第1绕线的第i+9匝沿由第1绕线的第i匝和第2绕线的第i匝形成的谷线卷绕，第1绕线的第i+6匝沿由第1绕线的第i+1匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线卷绕，第1绕线的第i+7匝沿由第1绕线的第i+2匝和第2绕线的第i+2匝形成的谷线卷绕。由此，可以利用由第1绕线的第i匝和第2绕线的第i匝形成的谷线支撑第1绕线的第i+9匝，可以利用由第1绕线的第i+1匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线支撑第1绕线的第i+6匝，可以利用由第1绕线的第i+2匝和第2绕线的第i+2匝形成的谷线支撑第1绕线的第i+7匝。
在该情况下，也可以是第2绕线的第i+9匝沿由第1绕线的第i+4匝和第2绕线的第i匝形成的谷线卷绕，第2绕线的第i+6匝沿由第1绕线的第i+5匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线卷绕，第2绕线的第i+7匝沿由第1绕线的第i+6匝和第2绕线的第i+2匝形成的谷线卷绕。由此，可以利用由第1绕线的第i+4匝和第2绕线的第i匝形成的谷线支撑第2绕线的第i+9匝，可以利用由第1绕线的第i+5匝和第2绕线的第i+1匝形成的谷线支撑第2绕线的第i+6匝，可以利用由第1绕线的第i+6匝和第2绕线的第i+2匝形成的谷线支撑第2绕线的第i+7匝。
本发明的线圈部件，其特征在于，也可以还具备：凸缘部；以及端子电极，其设置于凸缘部，且接线有第1和第2绕线的一端，第1和第2绕线的一端经由端子电极而被短路。由此，能够将第1和第2绕线并联连接。
这样，根据本发明的线圈部件，可以防止防止因使匝数差大的匝彼此邻接而导致的寄生电容分量的增加。
附图说明
图1是示出本发明的优选实施方式的线圈部件1的外观的大致立体图。
图2是示出第1变形例的线圈部件2的外观的大致立体图。
图3是示出将绕线W1、W2卷绕于卷芯部13之前的状态的大致立体图。
图4是示出第2变形例的线圈部件3的外观的大致立体图。
图5是示出安装有线圈部件3的电路基板上的图形形状的大致俯视图。
图6是用于说明绕线W1、W2的第1卷绕结构的示意性的截面图。
图7是用于说明用于得到第1卷绕结构的方法的示意性的工序图。
图8是用于说明用于得到第1卷绕结构的方法的示意性的工序图。
图9是用于说明绕线W1、W2的第2卷绕结构的示意性的截面图。
图10是用于说明用于得到第2卷绕结构的方法的示意性的工序图。
图11是用于说明用于得到第2卷绕结构的方法的示意性的工序图。
图12是用于说明用于得到第2卷绕结构的方法的示意性的工序图。
图13是用于说明绕线W1、W2的第3卷绕结构的示意性的截面图。
图14是用于说明用于得到第3卷绕结构的方法的示意性的工序图。
图15是用于说明绕线W1、W2的第4卷绕结构的示意性的截面图。
图16是用于说明用于得到第4卷绕结构的方法的示意性的工序图。
图17是绕线W1、W2一体化了的双缆线的截面图。
具体实施方式
在下文中，参考附图对本发明的优选实施方式进行详细地说明。
图1是示出本发明的优选实施方式的线圈部件1的外观的大致立体图。
如图1所示，本实施方式的线圈部件1具有：具有凸缘部11、12和卷芯部13的鼓型的芯10；固定于凸缘部11、12的板状的芯20；设置于凸缘部11的端子电极E1；设置于凸缘部12的端子电极E2以及卷绕于卷芯部13的第1和第2绕线W1、W2。绕线W1、W2是将铜等良导体设为芯材料的包覆导线。
芯10是由铁氧体等的高磁导率材料构成的鼓型的块(Block)，并且具有凸缘部11、12与设置于它们之间的卷芯部13一体化的结构。芯20也是由铁氧体等的高磁导率材料构成的板状的块。芯10和芯20经由粘结剂等而互相固定。于是，绕线W1、W2的一端接线于端子电极E1，绕线W1、W2的另一端接线于端子电极E2。端子电极E1、E2由烧结于芯10的银膏体等构成。因此，绕线W1、W2的一端经由端子电极E1而被短路，绕线W1、W2的另一端经由端子电极E2而被短路。即，在端子电极E1和E2之间，绕线W1、W2并联连接。将绕线W1、W2并联连接是由于，本实施方式的线圈部件1为电源电路用的线圈部件，要求低直流电阻和高额定电流。
另外，也能够使用端子金属件来代替端子电极E1、E2。例如，如图2所示的第1变形例的线圈部件2那样，也可以使用固定于凸缘部11的端子金属件30和固定于凸缘部12的端子金属件40。端子金属件30是经由粘结剂等而固定于芯10的凸缘部11的端子电极，接线有绕线W1、W2的一端。端子金属件40是经由粘结剂等而固定于芯10的凸缘部12的端子电极，接线有绕线W1、W2的另一端。
在制作线圈部件2时，首先，将端子金属件30、40粘结于芯10，然后，将绕线W1、W2的一端接线于一个端子金属件30。接线前的端子金属件30如图3所示，具有安装部31、第1和第2接线部32、33、第1和第2熔接片34、35、第1和第2固定片36、37以及圆角形成部38，在将绕线W1的一端配置于接线部32的状态下，通过折叠固定片36，从而将绕线W1的一端固定于接线部32，并且在将绕线W2的一端配置于接线部33的状态下，通过折叠固定片37，从而将绕线W2的一端固定于接线部33。在该状态下，通过折叠熔接片34、35，并且通过热量使熔接片34、35熔解，来熔接端子金属件30和绕线W1、W2的一端。之后，通过使芯10旋转来使绕线W1、W2卷绕于卷芯部13。接线前的端子金属件40也具有安装部41、第1和第2连接部42、43、第1和第2熔接片44、45、第1和第2固定片46、47以及圆角形成部48，在将绕线W1的另一端配置于接线部42的状态下，通过折叠固定片46，从而将绕线W1的另一端固定于接线部42，并且在将绕线W2的另一端配置于接线部43的状态下，通过折叠固定片47，从而将绕线W2的另一端固定于接线部43。在该状态下，通过折叠熔接片44、45，并且通过热量使熔接片44、45熔解，来熔接端子金属件40和绕线W1、W2的另一端。最后，如果将芯20粘结于芯10，则完成图2所示的线圈部件2。
当实际使用线圈部件2时，电路基板上的焊盘图形和端子金属件30、40的安装部31、41经由焊料而连接。此时，焊料由于表面张力而也到达圆角形成部38、48，形成焊料圆角。
在本发明中，不一定必须将绕线W1、W2的一端在凸缘部11上短路，将绕线W1、W2的另一端在凸缘部12上短路，也可以如图4所示的第2变形例的线圈部件3那样，将2个端子电极E11、E12设置于凸缘部11，将2个端子电极E21、E22设置于凸缘部12，将绕线W1、W2的一端分别连接于端子电极E11、E12，并且将绕线W1、W2的另一端分别连接于端子电极E21、E22。在该情况下，在安装有线圈部件3的电路基板上，通过使端子电极E11和端子电极E12短路，并且使端子电极E21和端子电极E22短路，能够将绕线W1、W2并联连接。例如，如图5所示，将线圈构件3搭载于具有连接于配线51的焊盘图形61和连接于配线52的焊盘图形62的电路基板上的搭载区域3a即可。当将线圈部件3搭载于安装区域3a时，由于端子电极E11、E12共同地连接于焊盘图形61，且端子电极E21、E22共同地连接于焊盘图形62，因而绕线W1、W2并联连接。
在本实施方式中，2根绕线W1、W2遍及多匝而多层地卷绕于芯10的卷芯部13。
在下文中，对绕线W1、W2的卷绕结构进行详细地说明。
图6是用于说明绕线W1、W2的第1卷绕结构的示意性的截面图。
在图6中赋予绕线W1、W2的编号表示以端子电极E1(E11、E12)或端子金属件30为起点的匝数。在图7～图16中也同样。在下文中示出的例子中，将绕线W1、W2的匝数设定为36匝，但是本发明当然不限于此。
在图6所示的第1卷绕结构中，绕线W1、W2在卷芯部13上构成3层的卷绕层。3层的卷绕层由最靠近卷芯部13的下层L1、离卷芯部13最远的上层L3、以及位于下层L1和上层L3之间的中间层L2构成。在图6所示的例子中，下层L1构成最下层，上层L3构成最上层。
于是，在下层L1卷绕有绕线W1、W2的第1、2、4、7、10、13、16、19、22、25、28、31、34匝，在中间层L2卷绕有绕线W1、W2的第3、5、8、11、14、17、20、23、26、29、32、35匝，在上层L3卷绕有绕线W1、W2的第6、9、12、15、18、21、24、27、30、33、36匝。另外，成对的绕线W1、W2的各匝互相邻接而被配置于相同的卷绕层。
在此，卷绕于中间层L2的各匝沿由卷绕于下层L1的相邻的2匝形成的谷线卷绕。同样地，卷绕于上层L3的各匝沿由卷绕于中间层L2的相邻的2匝形成的谷线卷绕。具体地，卷绕于中间层L2的绕线W1的第8、11、14、17、20、23、26、29、32、35匝沿由卷绕于下层L1的绕线W1的4匝前的匝和绕线W2的4匝前的匝形成的谷线卷绕，卷绕于中间层L2的绕线W2的第8、11、14、17、20、23、26、29、32、35匝沿由卷绕于下层L1的绕线W1的1匝前的匝和绕线W2的4匝前的匝形成的谷线卷绕。另外，卷绕于上层L3的绕线W1的第9、12、15、18、21、24、27、30、33、36匝沿由卷绕于中间层L2的绕线W1的4匝前的匝和绕线W2的4匝前的匝形成的谷线卷绕，卷绕于上层L3的绕线W2的第9、12、15、18、21、24、27、30、33、36匝沿由卷绕于中间层L2的绕线W1的1匝前的匝和绕线W2的4匝前的匝形成的谷线卷绕。
当更加一般化地说明时，在下层L1卷绕有绕线W1、W2的第i匝(i是1以上的整数)，在中间层L2卷绕有绕线W1、W2的第i+1匝，在上层L3卷绕有绕线W1、W2的第i+2匝。于是，绕线W1的第i+4匝沿由绕线W1的第i匝和绕线W2的第i匝形成的谷线卷绕，绕线W2的第i+4匝沿由绕线W1的第i+3匝和绕线W2的第i匝形成的谷线卷绕。另外，绕线W1的第i+5匝沿由绕线W1的第i+1匝和绕线W2的第i+1匝形成的谷线卷绕，绕线W2的第i+5匝沿由绕线W1的第i+4匝和绕线W2的第i+1匝形成的谷线卷绕。
用于获得图6所示的第1卷绕结构的方法如下所述。首先，如图7所示，将绕线W1、W2的第1匝和第2匝排列地卷绕于下层L1。接着，将绕线W1的第3匝沿由绕线W1的第1匝和绕线W2的第1匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第3匝沿由绕线W2的第1匝和绕线W1的第2匝形成的谷线卷绕。上述的绕线W1、W2的第1～第3匝是用于以使绕线W1、W2的第4匝以后不崩落的方式正确地卷绕的成为壁的部分。
接下来，如图8所示，将绕线W1、W2的第4匝沿第2匝卷绕于下层L1。接着，将绕线W1的第5匝沿由绕线W1的第2匝和绕线W2的第2匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第5匝沿由绕线W2的第2匝和绕线W1的第4匝形成的谷线卷绕。再有，将绕线W1的第6匝沿由绕线W1的第3匝和绕线W2的第3匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第6匝沿由绕线W2的第3匝和绕线W1的第5匝形成的谷线卷绕。
接着，按照与由上述的第4～第6匝构成的3匝相同的规则进行反复的卷绕操作。即，通过反复形成由第i～第i+2匝构成的卷绕图形，可以得到具有规则的卷绕结构的第1卷绕结构。
这样，在第1卷绕结构中，绕线W1、W2的相同匝被配置于相同的卷绕层，并且绕线W1、W2的连续的3匝被配置于互相不同的卷绕层。由此，由于如将绕线W1、W2的连续的多匝依次卷绕于相同的卷绕层的情况那样，不存在匝数差大的匝彼此邻接的情况，因此可以防止寄生电容成分的增加。由于因匝数差小的匝而彼此产生的寄生电容成分主要被串联连接，因此该值变小，相对于此，由于因匝数差大的匝而彼此产生的寄生电容成分主要被并联连接，因此该值有变大的倾向。于是，在第1卷绕结构中，由于相邻的匝的匝数差被抑制为最大4匝，因此寄生电容分量被抑制，其结果，能够提高谐振频率。
图9是用于说明绕线W1、W2的第2卷绕结构的示意性的截面图。
在图9所示的第2卷绕结构中，绕线W1、W2也在卷芯部13上构成3层的卷绕层。
于是，在下层L1卷绕有绕线W1、W2的第1、2、4、7、8、11、14、17、20、23、26、29、32、35匝，在中间层L2卷绕有绕线W1、W2的第3、5、9、12、15、18、21、24、27、30、33、36匝，在上层L3卷绕有绕线W1、W2的第6、10、13、16、19、22、25、28、31、34匝。另外，成对的绕线W1、W2的各匝互相邻接而被配置于相同的卷绕层。
在此，卷绕于中间层L2的各匝沿由卷绕于下层L1的相邻的2匝形成的谷线卷绕。同样地，卷绕于上层L3的各匝沿由卷绕于中间层L2的相邻的2匝形成的谷线卷绕。具体地，卷绕于中间层L2的绕线W1的第15、18、21、24、27、30、33、36匝沿由卷绕于下层L1的绕线W1的7匝前的匝和绕线W2的7匝前的匝形成的谷线卷绕，卷绕于中间层L2的绕线W2的第15、18、21、24、27、30、33、36匝沿由卷绕于下层L1的绕线W1的4匝前的匝和绕线W2的7匝前的匝形成的谷线卷绕。另外，卷绕于上层L3的绕线W1的第13、16、19、22、25、28、31、34匝沿由卷绕于中间层L2的绕线W1的4匝前的匝和绕线W2的4匝前的匝形成的谷线卷绕，卷绕于上层L3的绕线W2的第13、16、19、22、25、28、31、34匝沿由卷绕于中间层L2的绕线W1的1匝前的匝和绕线W2的4匝前的匝形成的谷线卷绕。
当更加一般化地说明时，在下层L1卷绕有绕线W1、W2的第i匝(i是1以上的整数)，在中间层L2卷绕有绕线W1、W2的第i+1匝，在上层L3卷绕有绕线W1、W2的第i+2匝。于是，绕线W1的第i+7匝沿由绕线W1的第i匝和绕线W2的第i匝形成的谷线卷绕，绕线W2的第i+7匝沿由绕线W1的第i+3匝和绕线W2的第i匝形成的谷线卷绕。另外，绕线W1的第i+5匝沿由绕线W1的第i+1匝和绕线W2的第i+1匝形成的谷线卷绕，绕线W2的第i+5匝沿由绕线W1的第i+4匝和绕线W2的第i+1匝形成的谷线卷绕。
用于获得图9所示的第2卷绕结构的方法如下所述。首先，如图10所示，将绕线W1、W2的第1匝和第2匝排列地卷绕于下层L1。接着，将绕线W1的第3匝沿由绕线W1的第1匝和绕线W2的第1匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第3匝沿由绕线W2的第1匝和绕线W1的第2匝形成的谷线卷绕。接着，将绕线W1、W2的第4匝和第2匝排列并卷绕于下层L1。接着，将绕线W1的第5匝沿由绕线W1的第2匝和绕线W2的第2匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第5匝沿由绕线W2的第1匝和绕线W1的第4匝形成的谷线卷绕。接着，将绕线W1的第6匝沿由绕线W1的第3匝和绕线W2的第3匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第6匝沿由绕线W2的第3匝和绕线W1的第5匝形成的谷线卷绕。于是，将绕线W1、W2的第7匝与第4匝排列并卷绕于下层L1。上述的绕线W1、W2的第1～第7匝是用于以使绕线W1、W2的第8匝以后不崩落的方式正确地卷绕的成为壁的部分。在第2卷绕结构中，在构成壁的匝中，由于卷绕于下层L1的匝数比卷绕于中间层L2的匝数多4匝，因此，在之后的卷绕操作中难以发生卷绕崩落。
接下来，如图11所示，将绕线W1、W2的第8匝沿第7匝卷绕于下层L1。接着，将绕线W1的第9匝沿由绕线W1的第4匝和绕线W2的第4匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第9匝沿由绕线W2的第4匝和绕线W1的第7匝形成的谷线卷绕。再有，将绕线W1的第10匝沿由绕线W1的第5匝和绕线W2的第5匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第10匝沿由绕线W2的第5匝和绕线W1的第9匝形成的谷线卷绕。
然后，按照与由上述的第8～第10匝构成的3匝相同的规则进行反复的卷绕操作。即，通过反复形成由第i～第i+2匝构成的卷绕图形，可以得到具有规则的卷绕结构的第2卷绕结构。另外，如图12所示的变形例2的卷绕结构那样，也可以将绕线W1、W2的第35匝卷绕于中间层L2，并且将绕线W1、W2的第36匝卷绕于上层L3。
这样，在第2卷绕结构中，绕线W1、W2的相同匝被配置于相同的卷绕层，并且由于绕线W1、W2的连续的3匝被配置于互相不同的卷绕层，因此可以防止寄生电容成分的增加。具体地，在第2卷绕结构中，由于相邻的匝的匝数差被抑制为最大7匝，因此寄生电容分量被抑制，其结果，能够提高谐振频率。
图13是用于说明绕线W1、W2的第3卷绕结构的示意性的截面图。
在图13所示的第3卷绕结构中，绕线W1、W2在卷芯部13上构成4层的卷绕层。4层的卷绕层按照靠近卷芯部13的顺序，由下层L1、第1中间层L2a、第2中间层L2b和上层L3构成。
于是，在下层L1卷绕有绕线W1、W2的第1、2、4、7、11、15、19、23、27、31、35匝，在第1中间层L2a卷绕有绕线W1、W2的第3、5、8、12、16、20、24、28、32、36匝，在第2中间层L2b卷绕有绕线W1、W2的第6、9、13、17、21、25、29、33匝，在上层L3卷绕有绕线W1、W2的第10、14、18、22、26、30、34匝。另外，成对的绕线W1、W2的各匝互相邻接而被配置于相同的卷绕层。
在此，卷绕于第1中间层L2a的各匝沿由卷绕于下层L1的相邻的2匝形成的谷线卷绕。同样地，卷绕于第2中间层L2b的各匝沿由卷绕于第1中间层L2a的相邻的2匝形成的谷线卷绕。于是，卷绕于上层L3的各匝沿由卷绕于第2中间层L2b的相邻的2匝形成的谷线卷绕。具体地，卷绕于第1中间层L2a的绕线W1的第12、16、20、24、28、32、36匝沿由卷绕于下层L1的绕线W1的5匝前的匝和绕线W2的5匝前的匝形成的谷线卷绕，卷绕于第1中间层L2a的绕线W2的第12、16、20、24、28、32、36匝沿由卷绕于下层L1的绕线W2的5匝前的匝和绕线W1的1匝前的匝形成的谷线卷绕。另外，卷绕于第2中间层L2b的绕线W1的第13、17、21、25、29、33匝沿由卷绕于第1中间层L2a的绕线W1的5匝前的匝和绕线W2的5匝前的匝形成的谷线卷绕，卷绕于第2中间层L2b的绕线W2的第13、17、21、25、29、33匝沿由卷绕于第1中间层L2a的绕线W2的5匝前的匝和绕线W1的1匝前的匝形成的谷线卷绕。再有，卷绕于上层L3的绕线W1的14、18、22、26、30、34匝沿由卷绕于第2中间层L2b的绕线W1的5匝前的匝和绕线W2的5匝前的匝形成的谷线卷绕，卷绕于上层L3的绕线W2的14、18、22、26、30、34匝沿由卷绕于第2中间层L2b的绕线W2的5匝前的匝和绕线W1的1匝前的匝形成的谷线卷绕。
当更加一般化地说明时，在下层L1卷绕有绕线W1、W2的第i匝(i是1以上的整数)，在第1中间层L2a卷绕有绕线W1、W2的第i+1匝，在第2中间层L2b卷绕有绕线W1、W2的第i+2匝，在上层L3卷绕有绕线W1、W2的第i+3匝。于是，绕线W1的第i+5匝沿由绕线W1的第i匝和绕线W2的第i匝形成的谷线卷绕，绕线W2的第i+5匝沿由绕线W1的第i+4匝和绕线W2的第i匝形成的谷线卷绕。另外，绕线W1的第i+6匝沿由绕线W1的第i+1匝和绕线W2的第i+1匝形成的谷线卷绕，绕线W2的第i+6匝沿由绕线W1的第i+5匝和绕线W2的第i+1匝形成的谷线卷绕。再有，绕线W1的第i+7匝沿由绕线W1的第i+2匝和绕线W2的第i+2匝形成的谷线卷绕，绕线W2的第i+7匝沿由绕线W1的第i+6匝和绕线W2的第i+2匝形成的谷线卷绕。
用于获得图13所示的第3卷绕结构的方法如下所述。首先，通过使用图7和图8来说明的方法，卷绕绕线W1、W2的第1～第6匝。上述的绕线W1、W2的第1～第6匝是用于以使绕线W1、W2的第7匝以后不崩落的方式正确地卷绕的成为壁的部分。
接下来，如图14所示，将绕线W1、W2的第7匝沿第4匝卷绕于下层L1。接着，将绕线W1的第8匝沿由绕线W1的第4匝和绕线W2的第4匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第8匝沿由绕线W2的第4匝和绕线W1的第7匝形成的谷线卷绕。接着，将绕线W1的第9匝沿由绕线W1的第5匝和绕线W2的第5匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第9匝沿由绕线W2的第5匝和绕线W1的第8匝形成的谷线卷绕。再有，将绕线W1的第10匝沿由绕线W1的第6匝和绕线W2的第6匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第10匝沿由绕线W2的第6匝和绕线W1的第9匝形成的谷线卷绕。
然后，按照与由上述的第7～第10匝构成的4匝相同的规则进行反复的卷绕操作。即，通过反复形成由第i～第i+3匝构成的卷绕图形，可以得到具有规则的卷绕结构的第3卷绕结构。
这样，在第3卷绕结构中，绕线W1、W2的相同匝被配置于相同的卷绕层，并且由于绕线W1、W2的连续的4匝被配置于互相不同的卷绕层，因此可以防止寄生电容成分的增加。具体地，在第3卷绕结构中，由于相邻的匝的匝数差被抑制为最大5匝，因此寄生电容分量被抑制，其结果，能够提高谐振频率。而且，由于绕线W1、W2构成为4层的卷绕层，因此可以更加缩短卷芯部13的轴向上的长度。
图15是用于说明绕线W1、W2的第4卷绕结构的示意性的截面图。
在图15所示的第4卷绕结构中，与第3卷绕结构相同地，绕线W1、W2在卷芯部13上构成4层的卷绕层。
于是，在下层L1卷绕有绕线W1、W2的第1、2、4、7、8、12、16、20、24、28、32匝，在第1中间层L2a卷绕有绕线W1、W2的第3、5、9、13、17、21、25、29、33、36匝，在第2中间层L2b卷绕有绕线W1、W2的第6、10、14、18、22、26、30、34匝，在上层L3卷绕有绕线W1、W2的第11、15、19、23、27、31、35匝。另外，成对的绕线W1、W2的各匝互相邻接而被配置于相同的卷绕层。
在此，卷绕于第1中间层L2a的各匝沿由卷绕于下层L1的相邻的2匝形成的谷线卷绕。同样地，卷绕于第2中间层L2b的各匝沿由卷绕于第1中间层L2a的相邻的2匝形成的谷线卷绕。于是，卷绕于上层L3的各匝沿由卷绕于第2中间层L2b的相邻的2匝形成的谷线卷绕。具体地，卷绕于第1中间层L2a的绕线W1的第17、21、25、29、33匝沿由卷绕于下层L1的绕线W1的9匝前的匝和绕线W2的9匝前的匝形成的谷线卷绕，卷绕于第1中间层L2a的绕线W2的第17、21、25、29、33匝沿由卷绕于下层L1的绕线W2的9匝前的匝和绕线W1的5匝前的匝形成的谷线卷绕。另外，卷绕于第2中间层L2b的绕线W1的10、14、18、22、26、30、34匝沿由卷绕于第1中间层L2a的绕线W1的5匝前的匝和绕线W2的5匝前的匝形成的谷线卷绕，卷绕于第2中间层L2b的绕线W2的第18、22、26、30、34匝沿由卷绕于第1中间层L2a的绕线W2的5匝前的匝和绕线W1的1匝前的匝形成的谷线卷绕。再有，卷绕于上层L3的绕线W1的11、15、19、23、27、31、35匝沿由卷绕于第2中间层L2b的绕线W1的5匝前的匝和绕线W2的5匝前的匝形成的谷线卷绕，卷绕于上层L3的绕线W2的11、15、19、23、27、31、35匝沿由卷绕于第2中间层L2b的绕线W2的5匝前的匝和绕线W1的1匝前的匝形成的谷线卷绕。
当更加一般化地说明时，在下层L1卷绕有绕线W1、W2的第i匝(i是1以上的整数)，在第1中间层L2a卷绕有绕线W1、W2的第i+1匝，在第2中间层L2b卷绕有绕线W1、W2的第i+2匝，在上层L3卷绕有绕线W1、W2的第i+3匝。于是，绕线W1的第i+9匝沿由绕线W1的第i匝和绕线W2的第i匝形成的谷线卷绕，绕线W2的第i+9匝沿由绕线W1的第i+4匝和绕线W2的第i匝形成的谷线卷绕。另外，绕线W1的第i+6匝沿由绕线W1的第i+1匝和绕线W2的第i+1匝形成的谷线卷绕，绕线W2的第i+6匝沿由绕线W1的第i+5匝和绕线W2的第i+1匝形成的谷线卷绕。再有，绕线W1的第i+7匝沿由绕线W1的第i+2匝和绕线W2的第i+2匝形成的谷线卷绕，绕线W2的第i+7匝沿由绕线W1的第i+6匝和绕线W2的第i+2匝形成的谷线卷绕。
用于获得图15所示的第4卷绕结构的方法如下所述。首先，通过使用图10来说明的方法，卷绕绕线W1、W2的第1～第7匝。上述的绕线W1、W2的第1～第7匝是用于以使绕线W1、W2的第8匝以后不崩落的方式正确地卷绕的成为壁的部分。在第4卷绕结构中，在构成壁的匝中，由于卷绕于下层L1的匝数比卷绕于中间层L2的匝数多4匝，因此，在之后的卷绕操作中难以发生卷绕崩落。
接下来，如图16所示，将绕线W1、W2的第8匝沿第7匝卷绕于下层L1。接着，将绕线W1的第9匝沿由绕线W1的第4匝和绕线W2的第4匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第9匝沿由绕线W2的第4匝和绕线W1的第7匝形成的谷线卷绕。接着，将绕线W1的第10匝沿由绕线W1的第5匝和绕线W2的第5匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第10匝沿由绕线W2的第5匝和绕线W1的第9匝形成的谷线卷绕。再有，将绕线W1的第11匝沿由绕线W1的第6匝和绕线W2的第6匝形成的谷线卷绕，并且将绕线W2的第11匝沿由绕线W2的第6匝和绕线W1的第10匝形成的谷线卷绕。
然后，按照与由上述的第8～第11匝构成的4匝相同的规则进行反复的卷绕操作。即，通过反复形成由第i～第i+3匝构成的卷绕图形，可以得到具有规则的卷绕结构的第3卷绕结构。
这样，在第4卷绕结构中，绕线W1、W2的相同匝被配置于相同的卷绕层，并且由于绕线W1、W2的连续的4匝被配置于互相不同的卷绕层，因此可以防止寄生电容成分的增加。具体地，在第4卷绕结构中，由于相邻的匝的匝数差被抑制为最大9e匝，因此寄生电容分量被抑制，其结果，能够提高谐振频率。而且，由于绕线W1、W2构成为4层的卷绕层，因此可以更加缩短卷芯部13的轴向上的长度。
如以上说明的那样，在本实施方式中，由于成对的绕线W1、W2的各匝互相邻接而被配置于相同的卷绕层，因此，与将绕线W1、W2的相同的匝配置于互相不同的卷绕层的方法相比，卷绕操作变得容易。另外，对于绕线W1、W2，如图17所示，也可以使用两者被绝缘体70一体化了的双缆线。
以上，对本发明的优选实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述实施方式，可以在不脱离本发明的要旨的范围内可以进行各种变更，当然它们也包含于本发明的范围内。
例如，在上述实施方式中，将成对的绕线W1、W2的所有的匝配置于相同的卷绕层，但是对于一部分的匝，也可以配置于互相不同的卷绕层。
符号的说明
1～3 线圈部件
3a 搭载区域
10、20 芯
11、12 凸缘部
13 卷芯部
30、40 端子金属件
31、41 安装部
32、33、42、43 接线部
34、35、44、45 熔接片
36、37、46、47 固定片
38、48 圆角形成部
51、52 配线
61、62 焊盘图形
70 绝缘体
E1、E2、E11、E12、E21、E22 端子电极
L1 下层
L2 中间层
L2a 第1中间层
L2b 第2中间层
L3 上层
W1、W2 绕线。

Claims (17)

1.一种线圈部件，其特征在于，
具备：
卷芯部；以及
卷绕于所述卷芯部的第1和第2绕线，
所述第1和第2绕线在所述卷芯部上构成至少3层的卷绕层，
所述第1和第2绕线的第i匝、第i+1匝和第i+2匝位于互相不同的卷绕层，其中，i是1以上的整数。
2.根据权利要求1所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1和第2绕线从靠近所述卷芯部的层起按顺序构成包含下层、中间层和上层的3层的卷绕层，
在所述下层卷绕有所述第1和第2绕线的所述第i匝，
在所述中间层卷绕有所述第1和第2绕线的所述第i+1匝，
在所述上层卷绕有所述第1和第2绕线的所述第i+2匝。
3.根据权利要求2所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1绕线的第i+4匝沿由所述第1绕线的所述第i匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第1绕线的第i+5匝沿由所述第1绕线的所述第i+1匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕。
4.根据权利要求3所述的线圈部件，其特征在于，
所述第2绕线的第i+4匝沿由所述第1绕线的所述第i+3匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第2绕线的第i+5匝沿由所述第1绕线的所述第i+4匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕。
5.根据权利要求2所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1绕线的第i+7匝沿由所述第1绕线的所述第i匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第1绕线的第i+5匝沿由所述第1绕线的所述第i+1匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕。
6.根据权利要求5所述的线圈部件，其特征在于，
所述第2绕线的第i+7匝沿由所述第1绕线的所述第i+3匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第2绕线的第i+5匝沿由所述第1绕线的所述第i+4匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕。
7.根据权利要求1所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1和第2绕线从靠近所述卷芯部的层起依次构成包含下层、第1中间层、第2中间层和上层的4层的卷绕层，
在所述下层卷绕有所述第1和第2绕线的所述第i匝，
在所述第1中间层卷绕有所述第1和第2绕线的所述第i+1匝，
在所述第2中间层卷绕有所述第1和第2绕线的所述第i+2匝，
在所述上层卷绕有所述第1和第2绕线的第i+3匝。
8.根据权利要求7所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1绕线的第i+5匝沿由所述第1绕线的所述第i匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第1绕线的第i+6匝沿由所述第1绕线的所述第i+1匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕，
所述第1绕线的第i+7匝沿由所述第1绕线的所述第i+2匝和所述第2绕线的所述第i+2匝形成的谷线卷绕。
9.根据权利要求8所述的线圈部件，其特征在于，
所述第2绕线的第i+5匝沿由所述第1绕线的第i+4匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第2绕线的第i+6匝沿由所述第1绕线的所述第i+5匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕，
所述第2绕线的第i+7匝沿由所述第1绕线的所述第i+6匝和所述第2绕线的所述第i+2匝形成的谷线卷绕。
10.根据权利要求7所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1绕线的第i+9匝沿由所述第1绕线的所述第i匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第1绕线的第i+6匝沿由所述第1绕线的所述第i+1匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕，
所述第1绕线的第i+7匝沿由所述第1绕线的所述第i+2匝和所述第2绕线的所述第i+2匝形成的谷线卷绕。
11.根据权利要求10所述的线圈部件，其特征在于，
所述第2绕线的第i+9匝沿由所述第1绕线的第i+4匝和所述第2绕线的所述第i匝形成的谷线卷绕，
所述第2绕线的第i+6匝沿由所述第1绕线的第i+5匝和所述第2绕线的所述第i+1匝形成的谷线卷绕，
所述第2绕线的第i+7匝沿由所述第1绕线的所述第i+6匝和所述第2绕线的所述第i+2匝形成的谷线卷绕。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的线圈部件，其特征在于，
还具备：
凸缘部；以及
端子电极，其设置于所述凸缘部，且接线有所述所述第1和第2绕线的一端，
所述第1和第2绕线的所述一端经由所述端子电极而被短路。
13.一种线圈部件，其特征在于，
具备：
卷芯部；
凸缘部；
端子电极，其设置于所述凸缘部；以及
第1和第2绕线，其卷绕于所述卷芯部，
所述第1和第2绕线的一端连接于所述端子电极，
所述第1和第2绕线的各个自所述一端算起而具有第1匝、第2匝和第3匝，
所述第1绕线的所述第1匝、所述第2绕线的所述第1匝、所述第1绕线的所述第2匝和所述第2绕线的所述第2匝在排列的状态下按该顺序卷绕于所述卷芯部，
所述第1绕线的所述第3匝卷绕于由所述第1绕线的所述第1匝和所述第2绕线的所述第1匝形成的谷线，
所述第2绕线的所述第3匝卷绕于由所述第2绕线的所述第1匝和所述第1绕线的所述第2匝形成的谷线。
14.根据权利要求13所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1和第2绕线的各个自所述一端算起而还具有第4匝，
所述第1绕线的所述第4匝邻接于所述第2绕线的所述第2匝而卷绕于所述卷芯部，
所述第2绕线的所述第4匝邻接于所述第1绕线的所述第4匝而卷绕于所述卷芯部。
15.根据权利要求14所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1和第2绕线的各个自所述一端算起而还具有第5匝，
所述第1绕线的所述第5匝卷绕于由所述第1绕线的所述第2匝和所述第2绕线的所述第2匝形成的谷线，
所述第2绕线的所述第5匝卷绕于由所述第2绕线的所述第2匝和所述第1绕线的所述第4匝形成的谷线。
16.根据权利要求15所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1和第2绕线的各个自所述一端算起而还具有第6匝，
所述第1绕线的所述第6匝卷绕于由所述第1绕线的所述第3匝和所述第2绕线的所述第3匝形成的谷线，
所述第2绕线的所述第6匝卷绕于由所述第2绕线的所述第3匝和所述第1绕线的所述第5匝形成的谷线。
17.根据权利要求16所述的线圈部件，其特征在于，
所述第1和第2绕线的各个自所述一端算起而还具有第7匝，
所述第1绕线的所述第7匝邻接于所述第2绕线的所述第4匝而卷绕于所述卷芯部，
所述第2绕线的所述第7匝邻接于所述第1绕线的所述第7匝而卷绕于所述卷芯部。
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