CN111474192A - 追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法及系统 - Google Patents

追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法及系统 Download PDF

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潘雨航
陈哲
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Abstract

本发明提供了一种追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法及系统，包括：步骤1：根据样品晶体结构特点确定拟追踪晶粒取向及其待测{hkl}晶面组；步骤2：通过织构标定或理论计算，确定各待测{hkl}晶面空间衍射几何位置；步骤3：利用中子衍射测量待测{hkl}晶面；步骤4：计算所追踪晶粒取向的三维应力张量并输出结果；步骤5：若进行原位实验，则改变原位环境后，返回步骤3，继续执行，获得所追踪晶粒取向的原位三维应力张量并输出结果。本发明通过利用中子衍射技术对特定晶粒取向的追踪，解决了多晶材料内部不同晶粒取向二阶应力张量测量的问题。

Description

追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法及系统
技术领域
本发明涉及中子衍射应用技术领域，具体地，涉及一种追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法及系统。
背景技术
衍射法是一种适用于晶体材料的无损应力检测技术，可检测特定的化学相和结构相，其实验源主要有X射线和中子。相比于X射线衍射，中子衍射技术的穿透性更强，能测量的体积更大，能取样的晶粒数目更多，能检测材料内部的应力信息，是研究各向异性行为的一种有效的检测手段。
因此，现有技术中(申请号为201410654841.4的中国专利，公开了“利用中子衍射法测量镍铝青铜残余应力的方法”)利用中子衍射技术开发了一套残余应力的检测方法，但是在残余应力的测量中，都假设材料是均匀各向同性的，无法探究不同取向晶粒的应力差异。
本发明根据晶体学原理计算某取向晶粒中待测晶面在空间中的衍射方向，并利用中子衍射方法追踪测量此取向晶粒中各晶面的三维应变，通过分析和计算可得到该取向晶粒的三维应力张量。
专利文献CN110196126A(申请号：201810156822.7)公开了一种镍基高温合金盘锻件的宏观残余应力的中子衍射测量方法，所述方法包括，步骤一：确定中子衍射测量参数；步骤二：从所述盘锻件的残余应力集中处切割试样，将所述试样进行退火热处理；步骤三：将经过所述步骤二退火热处理的试样，在所述步骤一中设定的中子衍射测量参数下，测量经过所述步骤二退火热处理的试样的晶格间距；步骤四：将所述盘锻件在所述步骤一中设定的中子衍射测量参数下，测量所述盘锻件的晶格间距，得到所述盘锻件的宏观残余应力。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法及系统。
根据本发明提供的追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法，包括：
步骤1：根据样品晶体结构特点确定拟追踪晶粒取向及其待测{hkl}晶面组；
步骤2：通过织构标定或理论计算，确定各待测{hkl}晶面空间衍射几何位置；
步骤3：利用中子衍射测量待测{hkl}晶面；
步骤4：计算所追踪晶粒取向的三维应力张量并输出结果；
步骤5：若进行原位实验，则改变原位环境后，返回步骤3，继续执行，获得所追踪晶粒取向的原位三维应力张量并输出结果。
优选地，所述步骤1包括：某一晶粒取向表示某一组空间朝向相同的所有晶粒。
优选地，所述步骤1包括：{hkl}<uvw>晶粒取向表示{hkl}晶面的法向量与样品法向共线，{uvw}晶面的法向量与样品轧制方向共线的空间朝向。
优选地，所述步骤3包括：对所追踪的每个晶粒取向选取至少6个线性无关的{hkl}晶面进行测量。
优选地，所述步骤4包括：
步骤4.1：拟合每个单峰谱图，得到各晶粒取向的不同{hkl}晶面衍射峰的衍射角位置与半高宽变化；
步骤4.2：根据布拉格定律计算各个{hkl}晶面的应变；
步骤4.3：根据多个{hkl}晶面的应变计算三维应变张量；
步骤4.4：利用广义胡克定律和坐标转换计算得到晶粒取向在样品坐标系下的应力张量。
优选地，所述步骤4.2包括：设n方向为{hkl}晶面法向量方向，则n方向上的应变εn通过{hkl}晶面衍射角2θ相对于样品无应力情况时的偏移计算得到。
优选地，所述原位环境包括力场和温度场。
根据本发明提供的追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量系统，包括：
模块M1：根据样品晶体结构特点确定拟追踪晶粒取向及其待测{hkl}晶面组；
模块M2：通过织构标定或理论计算，确定各待测{hkl}晶面空间衍射几何位置；
模块M3：利用中子衍射测量待测{hkl}晶面；
模块M4：计算所追踪晶粒取向的三维应力张量并输出结果；
模块M5：若进行原位实验，则改变原位环境后，调回模块M3，获得所追踪晶粒取向的原位三维应力张量并输出结果。
优选地，所述模块M1包括：某一晶粒取向表示某一组空间朝向相同的所有晶粒；
所述模块M1包括：{hkl}<uvw>晶粒取向表示{hkl}晶面的法向量与样品法向共线，{uvw}晶面的法向量与样品轧制方向共线的空间朝向；
所述模块M3包括：对所追踪的每个晶粒取向选取至少6个线性无关的{hkl}晶面进行测量。
优选地，所述模块M4包括：
模块M4.1：拟合每个单峰谱图，得到各晶粒取向的不同{hkl}晶面衍射峰的衍射角位置与半高宽变化；
模块M4.2：根据布拉格定律计算各个{hkl}晶面的应变；
模块M4.3：根据多个{hkl}晶面的应变计算三维应变张量；
模块M4.4：利用广义胡克定律和坐标转换计算得到晶粒取向在样品坐标系下的应力张量；
所述模块M4.2包括：设n方向为{hkl}晶面法向量方向，则n方向上的应变εn通过{hkl}晶面衍射角2θ相对于样品无应力情况时的偏移计算得到。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
本发明通过利用中子衍射技术对特定晶粒取向的追踪，解决了多晶材料内部不同晶粒取向二阶应力张量测量的问题。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为晶粒取向示意图；
图2为不同取向晶粒在拉伸过程中的主应力方向应力分量折线图；
图3为本发明方法流程图。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。
如图3，为本发明方法流程图。根据本发明提供的追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法，包括：
步骤1：根据试样晶体结构特点，确定拟追踪晶粒取向及其待测{hkl}晶面组。某一晶粒取向表示某一组空间朝向相同的所有晶粒。具体来说，{hkl}<uvw>晶粒取向表示{hkl}晶面的法向量与样品法向(ND)共线，{uvw}晶面的法向量与样品轧制方向(RD)共线的空间朝向(如图1所示)。
步骤2：通过织构标定或理论计算，确定各待测{hkl}晶面空间衍射几何位置。
步骤3：利用中子衍射测量待测{hkl}晶面。为保证计算的准确性以及消除偶然误差，需对所追踪的每个晶粒取向选取至少6个线性无关的{hkl}晶面进行测量。
步骤4：计算所追踪晶粒取向的三维应力张量。
步骤5：如进行原位实验，可在力场、温度场等原位环境改变后重复步骤3、步骤4以获得所追踪晶粒取向的原位三维应力张量。
步骤4包括如下步骤：
步骤4.1：拟合每个单峰谱图，得到各晶粒取向的不同{hkl}晶面衍射峰的衍射角位置与半高宽变化。
步骤4.2：利用布拉格定律计算各个{hkl}晶面的应变。设n方向为{hkl}晶面法向量方向，该方向上的应变εn可以通过该{hkl}晶面衍射角2θ相对于试样无应力情况时的偏移计算得到。
步骤4.3：根据多个{hkl}晶面的应变计算三维应变张量。对于某一个晶粒取向来说，其某个n方向上的应变与三维应变张量的关系可以表示为：
Figure BDA0002423891130000041
在该关系式中，εn可利用步骤4.2的方法计算得到，(h,k,l)为所选{hkl}晶面的参数，为已知量。把6个应变张量分量(ε11，ε22，ε33，ε13，ε23，ε12)视为未知量，联立6个以上线性无关的{hkl}晶面的应变，解得在晶体坐标系下该晶粒取向的三维应变张量。
步骤4.4：利用广义胡克定律和坐标转换计算得到该晶粒取向在样品坐标系下的应力张量。
本实施例选用黄铜作为研究对象，其具体成分的质量比为58.5％-60％铜，36.3％-40％锌，1.5％-2.5％铅，0-0.3％镍，0-0.1％铝，0-0.2％锡，试样加工成适用于单轴拉伸的狗骨状样件，截面为5x5mm2。利用中子衍射测量得试样的织构，并建立不同取向的晶粒衍射峰与样品旋转角之间的关系。在α相中根据滑移系、织构增强方向等选取7个取向，分别为{-1-1-1}<1-10>，{-1-10}<-11-1>，{110}<001>，{00-1}<110>，{-1-10}<-112>，{-1-1-2}<-1-11>，{010}<100>，根据样品系与晶体系转换方法在样品空间中定位该7个取向的相关衍射峰，每个取向选取10到12个线性无关的{h，k，l}晶面利用中子衍射进行布拉格峰位记录。对试样进行单轴拉伸，在不同变形量点(弹性阶段3个、塑性阶段13个)暂停拉伸，并对之前选取的7个取向进行中子衍射实验，记录其布拉格峰位，并利用专利描述方案计算各晶粒取向的三维应力张量。图2为7个取向在拉伸实验中平行拉伸方向的主应力分量σ11值。
本领域技术人员知道，除了以纯计算机可读程序代码方式实现本发明提供的系统、装置及其各个模块以外，完全可以通过将方法步骤进行逻辑编程来使得本发明提供的系统、装置及其各个模块以逻辑门、开关、专用集成电路、可编程逻辑控制器以及嵌入式微控制器等的形式来实现相同程序。所以，本发明提供的系统、装置及其各个模块可以被认为是一种硬件部件，而对其内包括的用于实现各种程序的模块也可以视为硬件部件内的结构；也可以将用于实现各种功能的模块视为既可以是实现方法的软件程序又可以是硬件部件内的结构。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims (10)

1.一种追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法，其特征在于，包括：
步骤1：根据样品晶体结构特点确定拟追踪晶粒取向及其待测{hkl}晶面组；
步骤2：通过织构标定或理论计算，确定各待测{hkl}晶面空间衍射几何位置；
步骤3：利用中子衍射测量待测{hkl}晶面；
步骤4：计算所追踪晶粒取向的三维应力张量并输出结果；
步骤5：若进行原位实验，则改变原位环境后，返回步骤3，继续执行，获得所追踪晶粒取向的原位三维应力张量并输出结果。
2.根据权利要求1所述的追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法，其特征在于，所述步骤1包括：某一晶粒取向表示某一组空间朝向相同的所有晶粒。
3.根据权利要求1所述的追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法，其特征在于，所述步骤1包括：{hkl}<uvw>晶粒取向表示{hkl}晶面的法向量与样品法向共线，{uvw}晶面的法向量与样品轧制方向共线的空间朝向。
4.根据权利要求1所述的追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法，其特征在于，所述步骤3包括：对所追踪的每个晶粒取向选取至少6个线性无关的{hkl}晶面进行测量。
5.根据权利要求1所述的追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法，其特征在于，所述步骤4包括：
步骤4.1：拟合每个单峰谱图，得到各晶粒取向的不同{hkl}晶面衍射峰的衍射角位置与半高宽变化；
步骤4.2：根据布拉格定律计算各个{hkl}晶面的应变；
步骤4.3：根据多个{hkl}晶面的应变计算三维应变张量；
步骤4.4：利用广义胡克定律和坐标转换计算得到晶粒取向在样品坐标系下的应力张量。
6.根据权利要求5所述的追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法，其特征在于，所述步骤4.2包括：设n方向为{hkl}晶面法向量方向，则n方向上的应变εn通过{hkl}晶面衍射角2θ相对于样品无应力情况时的偏移计算得到。
7.根据权利要求1所述的追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法，其特征在于，所述原位环境包括力场和温度场。
8.一种追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量系统，其特征在于，包括：
模块M1：根据样品晶体结构特点确定拟追踪晶粒取向及其待测{hkl}晶面组；
模块M2：通过织构标定或理论计算，确定各待测{hkl}晶面空间衍射几何位置；
模块M3：利用中子衍射测量待测{hkl}晶面；
模块M4：计算所追踪晶粒取向的三维应力张量并输出结果；
模块M5：若进行原位实验，则改变原位环境后，调回模块M3，获得所追踪晶粒取向的原位三维应力张量并输出结果。
9.根据权利要求8所述的追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量系统，其特征在于，所述模块M1包括：某一晶粒取向表示某一组空间朝向相同的所有晶粒；
所述模块M1包括：{hkl}<uvw>晶粒取向表示{hkl}晶面的法向量与样品法向共线，{uvw}晶面的法向量与样品轧制方向共线的空间朝向；
所述模块M3包括：对所追踪的每个晶粒取向选取至少6个线性无关的{hkl}晶面进行测量。
10.根据权利要求8所述的追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量系统，其特征在于，所述模块M4包括：
模块M4.1：拟合每个单峰谱图，得到各晶粒取向的不同{hkl}晶面衍射峰的衍射角位置与半高宽变化；
模块M4.2：根据布拉格定律计算各个{hkl}晶面的应变；
模块M4.3：根据多个{hkl}晶面的应变计算三维应变张量；
模块M4.4：利用广义胡克定律和坐标转换计算得到晶粒取向在样品坐标系下的应力张量；
所述模块M4.2包括：设n方向为{hkl}晶面法向量方向，则n方向上的应变εn通过{hkl}晶面衍射角2θ相对于样品无应力情况时的偏移计算得到。
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Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3934138A (en) * 1973-03-30 1976-01-20 Compagnie General De Radiologie Apparatus for measuring surface stress by X-ray diffraction
US20030012334A1 (en) * 2001-06-19 2003-01-16 Kurtz David S. Method and apparatus for rapid grain size analysis of polycrystalline materials
CN1487285A (zh) * 2002-08-30 2004-04-07 ������ѧ��ʽ���� X射线衍射应力测定法
CN101206185A (zh) * 2007-10-23 2008-06-25 湘潭大学 一种测量铁电膜残余应力的方法
CN101446561A (zh) * 2008-10-17 2009-06-03 武汉钢铁(集团)公司 采用x-射线衍射极图数据定量测定钢中残余奥氏体的方法
CN104390991A (zh) * 2014-11-17 2015-03-04 上海交通大学 利用中子衍射法测量镍铝青铜残余应力的方法
CN104502385A (zh) * 2014-12-30 2015-04-08 西南技术工程研究所 一种短波长x射线衍射的板状内部应力定点无损检测方法
CN206420798U (zh) * 2017-01-11 2017-08-18 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种用于中子衍射应力分析的三维定标测量装置
CN108034910A (zh) * 2017-11-28 2018-05-15 东北大学 一种基于应力场训练提高多晶NiMnGa合金磁感生应变的处理方法
CN108333201A (zh) * 2017-08-16 2018-07-27 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种原位中子衍射应力及织构复合测试方法
CN108490006A (zh) * 2018-03-30 2018-09-04 中国石油大学(华东) 一种利用中子衍射技术测试厚板残余应力的方法
CN109142402A (zh) * 2018-09-28 2019-01-04 中国科学院金属研究所 一种多晶材料单个晶粒应力状态的tkd确定方法
CN109141706A (zh) * 2017-06-28 2019-01-04 中国石油化工股份有限公司 检测高分子材料制品残余主应力的方法
CN110095486A (zh) * 2019-05-08 2019-08-06 中国科学院金属研究所 一种快速呈现多晶材料特定晶面分布特征的方法
CN110793855A (zh) * 2019-11-13 2020-02-14 北京理工大学 一种立方结构多晶合金晶间应力的评估方法

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3934138A (en) * 1973-03-30 1976-01-20 Compagnie General De Radiologie Apparatus for measuring surface stress by X-ray diffraction
US20030012334A1 (en) * 2001-06-19 2003-01-16 Kurtz David S. Method and apparatus for rapid grain size analysis of polycrystalline materials
CN1487285A (zh) * 2002-08-30 2004-04-07 ������ѧ��ʽ���� X射线衍射应力测定法
CN101206185A (zh) * 2007-10-23 2008-06-25 湘潭大学 一种测量铁电膜残余应力的方法
CN101446561A (zh) * 2008-10-17 2009-06-03 武汉钢铁(集团)公司 采用x-射线衍射极图数据定量测定钢中残余奥氏体的方法
CN104390991A (zh) * 2014-11-17 2015-03-04 上海交通大学 利用中子衍射法测量镍铝青铜残余应力的方法
CN104502385A (zh) * 2014-12-30 2015-04-08 西南技术工程研究所 一种短波长x射线衍射的板状内部应力定点无损检测方法
CN206420798U (zh) * 2017-01-11 2017-08-18 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种用于中子衍射应力分析的三维定标测量装置
CN109141706A (zh) * 2017-06-28 2019-01-04 中国石油化工股份有限公司 检测高分子材料制品残余主应力的方法
CN108333201A (zh) * 2017-08-16 2018-07-27 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 一种原位中子衍射应力及织构复合测试方法
CN108034910A (zh) * 2017-11-28 2018-05-15 东北大学 一种基于应力场训练提高多晶NiMnGa合金磁感生应变的处理方法
CN108490006A (zh) * 2018-03-30 2018-09-04 中国石油大学(华东) 一种利用中子衍射技术测试厚板残余应力的方法
CN109142402A (zh) * 2018-09-28 2019-01-04 中国科学院金属研究所 一种多晶材料单个晶粒应力状态的tkd确定方法
CN110095486A (zh) * 2019-05-08 2019-08-06 中国科学院金属研究所 一种快速呈现多晶材料特定晶面分布特征的方法
CN110793855A (zh) * 2019-11-13 2020-02-14 北京理工大学 一种立方结构多晶合金晶间应力的评估方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张天军等: "实验力学", 《实验力学》 *
高玉魁: "残余应力基础理论及应用", 《残余应力基础理论及应用》 *

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