CN111468462A - 一种led减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法 - Google Patents

一种led减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111468462A
CN111468462A CN201910061349.9A CN201910061349A CN111468462A CN 111468462 A CN111468462 A CN 111468462A CN 201910061349 A CN201910061349 A CN 201910061349A CN 111468462 A CN111468462 A CN 111468462A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceramic
sulfuric acid
ceramic disc
solution
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910061349.9A
Other languages
English (en)
Inventor
胡夕伦
吴向龙
闫宝华
王成新
肖成峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd
Original Assignee
Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd filed Critical Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd
Priority to CN201910061349.9A priority Critical patent/CN111468462A/zh
Publication of CN111468462A publication Critical patent/CN111468462A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

一种LED减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法，通过甲苯或二甲苯强力去除陶瓷盘表面碳化层上附着的残留蜡、油污等，避免其阻碍后续碳化层的去除，之后通过高锰酸钾和硫酸混合成酸性强氧化剂氧化可以去除大部分表面碳化层，由于反应过程缓慢，清洗时间相对较长，但清洗后的陶瓷盘可以明显看出由发黄、发红变为发白或轻微发黄。最终经过浓硫酸和双氧水混合后反应放热同时产生氧气对陶瓷盘表面进行进一步氧化清洗，完全去除表面碳化层，使表面更加洁净、光亮，保证了后续贴片平整度和减薄厚度均匀性。

Description

一种LED减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法
技术领域
本发明涉及LED制造技术领域，具体涉及一种LED减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法。
背景技术
LED芯片减薄是整个芯片制程中重要的环节之一，目的是解决芯片在使用过程中的散热问题，提高芯片的使用寿命。在晶片减薄制程中，常规的方法是通过粘性胶、固体蜡、双面膜等介质将晶片粘附在研磨工件（陶瓷盘）表面并在一定压力下将晶片压片，使晶片与陶瓷盘形成良好的贴合，防止出现减薄厚度不均匀、区域性厚度异常。在常规方法中，使用最为普遍的是通过固体蜡加热熔化、降温凝固的方式进行贴片，这是LED自问世以来，最开始且一直沿用至今的贴片方法。该方法的缺点在于，由于固体蜡本身高温受热易发生变质、碳化，长期涂覆在陶瓷盘表面后经过冷热交替易附着在表面难以去除，且越来越厚，使陶瓷盘表面轻微的出现发黄，严重的出现发红，导致陶瓷盘表面平整度下降，影响贴片效果，最终使减薄并去蜡后晶片厚度均匀差而影响产品质量。常规的有机溶液、无机碱、无机溶剂和酸清洗均无法去除碳化层，只能通过刀片刮擦的方式或对陶瓷盘表面进行抛光处理，刮擦方式不能根本去除且易损伤陶瓷盘表面平整度，导致表面毛糙易残留，表面抛光处理则相对成本较高，需要借助抛光设备进行。
中国专利文献CN103639142A公开的“一种有蜡抛光陶瓷盘的清洗方法”阐述的配置KOH溶液作为去蜡清洗剂，通过药洗两次以上后再用纯水清洗至少两次去除陶瓷盘表面蜡迹，所用KOH溶液的质量浓度为3%-5%，需要借助专门的陶瓷盘清洗机才能实现，需要增加清洗设备投入，且KOH溶液对于陶瓷盘表面残留蜡有一定清洗效果，而对于由于长期加热烘烤导致的陶瓷盘表面发黄、发红现象起不到任何的清洗效果。
中国专利文献CN105344658A公开的“一种陶瓷盘清洗装置及其清洗方法”清洗装置包括清洗槽、气缸、刷盘、机械臂等部分，目的是平坦化陶瓷盘表面，去除表面较小颗粒物，需要借助专门的清洗装置，该方法无法去除陶瓷盘表面碳化发黄、发红的碳化层。
中国专利文献CN204159598U公开的“一种有蜡陶瓷盘的自动清洗装置”也是通过包含多个部分的清洗装置清洗陶瓷盘表面的残留蜡，无法去除表面固体蜡碳化层。
发明内容
本发明为了克服以上技术的不足，提供了一种完全去除陶瓷盘表面碳化层，保证后续贴片平整度和减薄厚度均匀性的LED减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法。
本发明克服其技术问题所采用的技术方案是：
一种LED减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法，包括：
a)将陶瓷盘放入加热温度为50-100℃的甲苯或二甲苯溶液中清洗，清洗30-60min；
b)将陶瓷盘从甲苯或二甲苯溶液中取出后放入乙醇溶液中漂洗，漂洗后将陶瓷盘冲水清洗；
c)将冲水后的陶瓷盘放入高锰酸钾、硫酸、水的溶液中清洗，溶液加热温度为30-70℃，清洗时间为1-6小时；
d)将陶瓷盘从高锰酸钾、硫酸、水的溶液中取出后利用纯水冲水清洗；
e)将冲水清洗后的陶瓷盘放入双氧水溶液中，向双氧水溶液中添加浓硫酸并搅拌，陶瓷盘在双氧水与浓硫酸溶液中清洗30-60min；
f)将陶瓷盘从双氧水与浓硫酸中取出利用纯水进行冲洗，纯水冲洗后放入无水乙醇中进行脱水；
g)将脱水后的陶瓷盘利用热氮气烘干或利用高压氮气吹干。
优选的，步骤c)中高锰酸钾含量为5-30wt.%，硫酸的含量为20-40wt.%，水的含量为30-70wt.%。
优选的，步骤a)中加热温度为80-90℃，清洗时间为40-50min。
优选的，步骤c)中溶液加热温度为50-60℃，清洗时间为2-3小时。
优选的，步骤e)中双氧水溶液中双氧水浓度为30%-36%，浓硫酸中硫酸浓度为95%-98%。
优选的，步骤e)中清洗时间为40-50min。
本发明的有益效果是：通过甲苯或二甲苯强力去除陶瓷盘表面碳化层上附着的残留蜡、油污等，避免其阻碍后续碳化层的去除，之后通过高锰酸钾和硫酸混合成酸性强氧化剂氧化可以去除大部分表面碳化层，由于反应过程缓慢，清洗时间相对较长，但清洗后的陶瓷盘可以明显看出由发黄、发红变为发白或轻微发黄。最终经过浓硫酸和双氧水混合后反应放热同时产生氧气对陶瓷盘表面进行进一步氧化清洗，完全去除表面碳化层，使表面更加洁净、光亮，保证了后续贴片平整度和减薄厚度均匀性。
具体实施方式
下面对本发明做进一步说明。
一种LED减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法，包括：
a)将陶瓷盘放入加热温度为50-100℃的甲苯或二甲苯溶液中清洗，清洗30-60min；
b)将陶瓷盘从甲苯或二甲苯溶液中取出后放入乙醇溶液中漂洗，漂洗后将陶瓷盘冲水清洗；
c)将冲水后的陶瓷盘放入高锰酸钾、硫酸、水的溶液中清洗，溶液加热温度为30-70℃，清洗时间为1-6小时；
d)将陶瓷盘从高锰酸钾、硫酸、水的溶液中取出后利用纯水冲水清洗；
e)将冲水清洗后的陶瓷盘放入双氧水溶液中，向双氧水溶液中添加浓硫酸并搅拌，陶瓷盘在双氧水与浓硫酸溶液中清洗30-60min；
f)将陶瓷盘从双氧水与浓硫酸中取出利用纯水进行冲洗，纯水冲洗后放入无水乙醇中进行脱水；
g)将脱水后的陶瓷盘利用热氮气烘干或利用高压氮气吹干。
首先通过甲苯或二甲苯强力去除陶瓷盘表面碳化层上附着的残留蜡、油污等，避免其阻碍后续碳化层的去除，之后通过高锰酸钾和硫酸混合成酸性强氧化剂氧化可以去除大部分表面碳化层，由于反应过程缓慢，清洗时间相对较长，但清洗后的陶瓷盘可以明显看出由发黄、发红变为发白或轻微发黄。最终经过浓硫酸和双氧水混合后反应放热同时产生氧气对陶瓷盘表面进行进一步氧化清洗，完全去除表面碳化层，使表面更加洁净、光亮，保证了后续贴片平整度和减薄厚度均匀性。
优选的，步骤c)中高锰酸钾含量为5-30wt.%，硫酸的含量为20-40wt.%，水的含量为30-70wt.%。
优选的，步骤a)中加热温度为80-90℃，清洗时间为40-50min。
优选的，步骤c)中溶液加热温度为50-60℃，清洗时间为2-3小时。
优选的，步骤e)中双氧水溶液中双氧水浓度为30%-36%，浓硫酸中硫酸浓度为95%-98%。
优选的，步骤e)中清洗时间为40-50min。
下面通过6个实施例来说明利用本发明的方法对陶瓷盘清洗后的效果。
实施例1：
a)将陶瓷盘放入加热温度为65℃的甲苯或二甲苯溶液中清洗，清洗34min；
b)将陶瓷盘从甲苯或二甲苯溶液中取出后放入乙醇溶液中漂洗，漂洗后将陶瓷盘冲水清洗；
c)将冲水后的陶瓷盘放入高锰酸钾、硫酸、水的溶液中清洗，溶液加热温度为62℃，清洗时间为75分钟，其中高锰酸钾的含量为11wt.%，硫酸的含量为29wt.%，水的含量为60wt.%；
d)将陶瓷盘从高锰酸钾、硫酸、水的溶液中取出后利用纯水冲水清洗；
e)将冲水清洗后的陶瓷盘放入双氧水溶液中，向双氧水溶液中添加浓硫酸并搅拌，陶瓷盘在双氧水与浓硫酸溶液中清洗35min，其中双氧水的浓度为30%，浓硫酸的浓度为97%；
f)将陶瓷盘从双氧水与浓硫酸中取出利用纯水进行冲洗，纯水冲洗后放入无水乙醇中进行脱水；
g)将脱水后的陶瓷盘利用热氮气烘干或利用高压氮气吹干。
实施例2：
将实施例1中步骤a)更改为将陶瓷盘放入加热温度为83℃的甲苯或二甲苯溶液中清洗，清洗45min。步骤b)至步骤g)与实施例1相同。
实施例3：
将实施例1中步骤c)更改为溶液加热温度为55℃，步骤a)、步骤b）、步骤d)至步骤g) 与实施例1相同。
实施例4：
将实施例1中步骤c)更改为高锰酸钾的含量为17wt.%，硫酸的含量为29wt.%，水的含量为54wt.%。步骤a)、步骤b）、步骤d)至步骤g) 与实施例1相同。
实施例5：
将实施例1中步骤c)更改为高锰酸钾的含量为10wt.%，硫酸的含量为21wt.%，水的含量为69wt.%。步骤a)、步骤b）、步骤d)至步骤g) 与实施例1相同。
实施例6：
将步骤e)中浓硫酸的浓度更改为98%，步骤a)至步骤d）、步骤f)、步骤g) 与实施例1相同。
利用实施例1至实施例6对陶瓷盘清洗前后陶瓷盘表面外观与平整度的对比如表1所示：
对比 处理前表面外观 处理后表面外观 处理前表面平整度 处理后表面平整度
实施例1 轻微发黄 发白 11μm 1μm
实施例2 发红 发白 19μm 1μm
实施例3 发黄 发白 15μm 2μm
实施例4 发红 发白 22μm 1μm
实施例5 严重发红 发白 32μm 1μm
实施例6 发红 发白 17μm 0μm
表1。

Claims (6)

1.一种LED减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法，其特征在于，包括：
a)将陶瓷盘放入加热温度为50-100℃的甲苯或二甲苯溶液中清洗，清洗30-60min；
b)将陶瓷盘从甲苯或二甲苯溶液中取出后放入乙醇溶液中漂洗，漂洗后将陶瓷盘冲水清洗；
c)将冲水后的陶瓷盘放入高锰酸钾、硫酸、水的溶液中清洗，溶液加热温度为30-70℃，清洗时间为1-6小时；
d)将陶瓷盘从高锰酸钾、硫酸、水的溶液中取出后利用纯水冲水清洗；
e)将冲水清洗后的陶瓷盘放入双氧水溶液中，向双氧水溶液中添加浓硫酸并搅拌，陶瓷盘在双氧水与浓硫酸溶液中清洗30-60min；
f)将陶瓷盘从双氧水与浓硫酸中取出利用纯水进行冲洗，纯水冲洗后放入无水乙醇中进行脱水；
g)将脱水后的陶瓷盘利用热氮气烘干或利用高压氮气吹干。
2.根据权利要求1所述的LED减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法，其特征在于：步骤c)中高锰酸钾含量为5-30wt.%，硫酸的含量为20-40wt.%，水的含量为30-70wt.%。
3.根据权利要求1所述的LED减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法，其特征在于：步骤a)中加热温度为80-90℃，清洗时间为40-50min。
4.根据权利要求1所述的LED减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法，其特征在于：步骤c)中溶液加热温度为50-60℃，清洗时间为2-3小时。
5.根据权利要求1所述的LED减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法，其特征在于：步骤e)中双氧水溶液中双氧水浓度为30%-36%，浓硫酸中硫酸浓度为95%-98%。
6.根据权利要求1所述的LED减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法，其特征在于：步骤e)中清洗时间为40-50min。
CN201910061349.9A 2019-01-23 2019-01-23 一种led减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法 Pending CN111468462A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910061349.9A CN111468462A (zh) 2019-01-23 2019-01-23 一种led减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910061349.9A CN111468462A (zh) 2019-01-23 2019-01-23 一种led减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111468462A true CN111468462A (zh) 2020-07-31

Family

ID=71743845

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910061349.9A Pending CN111468462A (zh) 2019-01-23 2019-01-23 一种led减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111468462A (zh)

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101074408A (zh) * 2006-05-18 2007-11-21 施汉忠 线路板表面化学清洗方法
CN101481824A (zh) * 2008-12-31 2009-07-15 嘉兴嘉晶电子有限公司 多晶碳头料的清洗方法
CN102041510A (zh) * 2010-06-09 2011-05-04 特变电工新疆硅业有限公司 一种去除多晶硅碳头料中碳的方法
CN102153370A (zh) * 2010-12-21 2011-08-17 安徽华东光电技术研究所 一种氧化铝陶瓷的净化工艺
CN102500573A (zh) * 2011-11-08 2012-06-20 哈尔滨工业大学 一种α-Al2O3单晶的清洗方法
CN103480598A (zh) * 2012-06-15 2014-01-01 无锡尚德太阳能电力有限公司 一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备
CN105093864A (zh) * 2015-08-24 2015-11-25 北京中科紫鑫科技有限责任公司 一种移除光刻胶的方法
CN105344658A (zh) * 2015-12-03 2016-02-24 江苏吉星新材料有限公司 一种陶瓷盘清洗装置及其清洗方法
CN105521988A (zh) * 2014-09-30 2016-04-27 宝钢特钢有限公司 一种简单有效去除钛废料表面杂质的方法
EP3174087A1 (en) * 2014-07-22 2017-05-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for cleaning compound semiconductor and solution for cleaning of compound semiconductor
CN108847401A (zh) * 2018-07-12 2018-11-20 安徽日能中天半导体发展有限公司 一种原生多晶硅料的清洗方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101074408A (zh) * 2006-05-18 2007-11-21 施汉忠 线路板表面化学清洗方法
CN101481824A (zh) * 2008-12-31 2009-07-15 嘉兴嘉晶电子有限公司 多晶碳头料的清洗方法
CN102041510A (zh) * 2010-06-09 2011-05-04 特变电工新疆硅业有限公司 一种去除多晶硅碳头料中碳的方法
CN102153370A (zh) * 2010-12-21 2011-08-17 安徽华东光电技术研究所 一种氧化铝陶瓷的净化工艺
CN102500573A (zh) * 2011-11-08 2012-06-20 哈尔滨工业大学 一种α-Al2O3单晶的清洗方法
CN103480598A (zh) * 2012-06-15 2014-01-01 无锡尚德太阳能电力有限公司 一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备
EP3174087A1 (en) * 2014-07-22 2017-05-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for cleaning compound semiconductor and solution for cleaning of compound semiconductor
CN105521988A (zh) * 2014-09-30 2016-04-27 宝钢特钢有限公司 一种简单有效去除钛废料表面杂质的方法
CN105093864A (zh) * 2015-08-24 2015-11-25 北京中科紫鑫科技有限责任公司 一种移除光刻胶的方法
CN105344658A (zh) * 2015-12-03 2016-02-24 江苏吉星新材料有限公司 一种陶瓷盘清洗装置及其清洗方法
CN108847401A (zh) * 2018-07-12 2018-11-20 安徽日能中天半导体发展有限公司 一种原生多晶硅料的清洗方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI511196B (zh) Method of Polishing Silica Flocking Cleaning Process
CN111659640B (zh) 半导体设备腔体内铝基材多孔分气装置超洁净清洗工艺
KR20080105957A (ko) 웨이퍼 세정방법
CN106409650A (zh) 一种硅片直接键合方法
US20070034229A1 (en) Silicon wafer cleaning method
TWI596668B (zh) 一種半導體晶圓的拋光方法
KR101229760B1 (ko) Ｓｏｉ 웨이퍼의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된ｓｏｉ 웨이퍼
CN111940394B (zh) 半导体高阶制程apc装置的石英部件再生清洗方法
WO2018018894A1 (zh) 一种蓝宝石灯丝晶片的化学抛光方法
CN113736580A (zh) 一种用于硅片清洗抛光的混酸清洗液及抛光硅片清洗方法
CN106098864A (zh) 一种led用砷化镓衬底减薄工艺中的贴片方法
CN108054236A (zh) 单晶硅片清洗制绒方法
CN108649098A (zh) 一种硅片单面刻蚀抛光的方法
CN103521474A (zh) 一种以抛代洗的蓝宝石衬底晶片表面洁净方法
CN111468462A (zh) 一种led减薄贴片用陶瓷盘碳化层的去除方法
CN105505230A (zh) 一种半导体硅片化学机械抛光清洗液
CN112086342B (zh) 一种有效去除背封硅片背面背封点的工艺方法
CN101826451A (zh) 一种超薄氧化层生长前清洗工艺
JP2009283582A (ja) 貼り合わせウェーハの製造方法及び貼り合わせウェーハ
TWI497568B (zh) 藍寶石基板回收應用之處理方法
CN114927538A (zh) 晶圆键合方法以及背照式图像传感器的形成方法
CN110712119B (zh) 一种利用cmp设备进行硅片后清洗的方法
CN111690987B (zh) 一种基于碱性抛光凝胶的晶体硅表面精细抛光方法
JP2839822B2 (ja) 高平坦度ウェーハの製造方法
CN104157551B (zh) 键合前进行基板表面预处理的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200731