CN111464162A - 米勒钳位驱动电路 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种米勒钳位驱动电路，包括驱动芯片，其包括用于输出驱动信号的输出端子、钳位端子、电源端子以及连接在所述钳位端子和电源端子之间的可控开关；驱动电阻，其一端连接至所述驱动芯片的输出端子，其另一端用于连接至功率开关管的控制极；以及米勒钳位电路，其中米勒钳位电路包括：连接在所述驱动电阻的另一端和所述钳位端子之间的第一分压电路，所述第一分压电路被构造为具有预设的电压降，以及连接在所述钳位端子和电源端子之间的第二分压电路。本发明的米勒钳位驱动电路增加了米勒钳位电压且减少功率开关管的拖尾时间。

Description

米勒钳位驱动电路
技术领域
本发明涉及驱动电路，具体涉及一种米勒钳位驱动电路。
背景技术
绝缘栅双极型晶体管的门极(或称栅极)和集电极之间具有寄生的米勒电容，米勒电容导致的米勒效应在功率开关管中非常显著。米勒电容使得绝缘栅双极型晶体管的门极电压升高，有可能导致绝缘栅双极型晶体管误导通。同样，金氧半场效应晶体管中寄生的米勒电容也会导致米勒效应。
图1是现有技术中的驱动电路和功率开关管相连接的电路图。为了便于理解，图1仅示出了开关电路12中的绝缘栅双极型晶体管T11和绝缘栅双极型晶体管T12等功率开关管，以及型号为ISO5852、NCD57000或ADUM4135的驱动芯片11中的输出端子OUT、钳位端子CLAMP和电源端子VEE2，其中电源端子VEE2连接至参考电位点，其具有小于地电位的电压V(例如-8～-6伏)。
如图1所示，绝缘栅双极型晶体管T11和T12连接在正直流母线121和负直流母线122之间，绝缘栅双极型晶体管T11的米勒电容C11连接在其门极和集电极之间，绝缘栅双极型晶体管T12的米勒电容C12连接在其门极和集电极之间。驱动芯片11的输出端子OUT通过驱动电阻R13输出高低电平的驱动信号至绝缘栅双极型晶体管T12的门极(即其控制极)以控制其导通和截止(或称关断)。钳位端子CLAMP通过导线连接至绝缘栅双极型晶体管T12的门极，且钳位端子CLAMP通过驱动芯片11内置的可控开关111连接至电源端子VEE2。当钳位端子CLAMP接收的电压小于驱动芯片11预定的米勒钳位电压(例如V+2伏)时，驱动芯片11触发米勒钳位，并给可控开关111提供开启信号使其导通。
当绝缘栅双极型晶体管T11被控制为导通时，绝缘栅双极型晶体管T12的集电极和发射极之间产生很高的瞬态电压变化，在米勒电容C12和驱动电阻R13中产生放电电流，这个放电电流使得绝缘栅双极型晶体管T12的门极和发射极之间产生电压差，如果该电压差超过门极驱动门限阈值，将导致绝缘栅双极型晶体管T12误导通。
图2是图1所示的驱动芯片输出的驱动信号和绝缘栅双极型晶体管的门极电压的电压波形图。如图2所示，当驱动芯片11的输出端子OUT输出高电平VO(例如15～18伏)的驱动信号时，使得绝缘栅双极型晶体管T12的门极电压为V1(其略小于VO)，以控制绝缘栅双极型晶体管T12导通。
驱动芯片11的输出端子OUT输出低电平V(小于地电位，例如-8～-6伏)的驱动信号以控制绝缘栅双极型晶体管T12关断(或称截止)的过程如下：
在时刻t1～t2，绝缘栅双极型晶体管T12的米勒电容C12通过驱动电阻R13开始缓慢放电，使得绝缘栅双极型晶体管T12的门极电压缓慢降低。在此放电过程中，绝缘栅双极型晶体管T12的门极电压从V1降低为V+2伏。
在时刻t2，绝缘栅双极型晶体管T12的门极电压为V+2伏，此时驱动芯片11的钳位端子CLAMP接收的电压同样为V+2伏，驱动芯片11处于米勒钳位触发的临界状态。
在时刻t2～t3，一旦绝缘栅双极型晶体管T12的门极电压低于V+2伏，此时驱动芯片11的米勒钳位被触发，可控开关111导通，使得钳位端子CLAMP的电压迅速被拉低到V，绝缘栅双极型晶体管T12的门极电压也迅速地下降到V，从而使得绝缘栅双极型晶体管T12截止。在米勒钳位被触发的过程中，米勒钳位电流从绝缘栅双极型晶体管T12的门极通过驱动芯片11中处于导通状态的可控开关111流向电源端子VEE2。
在时刻t3之后，绝缘栅双极型晶体管T12的门极电压被钳位至V，使得绝缘栅双极型晶体管T12处于截止状态。
驱动芯片11可选用现有技术中型号例如为ISO5852、NCD57000和ADUM4135的驱动芯片，但是其预定的米勒钳位电压和米勒钳位电流较低，仅分别为V+2伏和2安，因此无法应用于较高功率和较高开关频率的功率开关管。
发明内容
针对现有技术存在的上述技术问题，本发明提供了一种米勒钳位驱动电路，所述米勒钳位驱动电路包括：
驱动芯片，其包括用于输出驱动信号的输出端子、钳位端子、电源端子以及连接在所述钳位端子和电源端子之间的可控开关，所述驱动芯片在所述钳位端子处接收的电压低于预定电压时，触发米勒钳位以将所述钳位端子处的电压降低至所述电源端子处的电压；
驱动电阻，其一端连接至所述驱动芯片的输出端子，其另一端用于连接至功率开关管的控制极；以及
米勒钳位电路，其包括：
连接在所述驱动电阻的另一端和所述钳位端子之间的第一分压电路，所述第一分压电路被构造为具有预设的电压降；以及
连接在所述钳位端子和电源端子之间的第二分压电路。
优选的，所述第一分压电路包括：一个二极管，或正负极依次串联的多个二极管。
优选的，第二分压电路为第一电阻。
优选的，所述米勒钳位电路还包括：连接在所述第一分压电路和第二分压电路之间的第三分压电路；以及可控开关器件，其控制极连接至所述钳位端子，其第一电极连接至所述第三分压电路和第一分压电路相连接形成的节点，其第二电极连接至所述电源端子；其中当所述钳位端子接收的电压小于所述驱动芯片预定的米勒钳位电压时触发所述可控开关导通，以使得所述可控开关器件处于导通状态，且所述可控开关器件的导通电阻小于所述驱动芯片的可控开关的导通电阻。
优选的，所述第三分压电路为第二电阻，当所述驱动芯片的米勒钳位未被触发时，所述第二电阻两端的电压的幅值小于所述可控开关器件的开启电压的幅值。
优选的，所述可控开关器件为PNP型三极管，其基极连接至所述钳位端子，其发射极连接至所述第三分压电路和第一分压电路相连接形成的节点，其集电极连接至所述电源端子。
优选的，所述可控开关器件为P型增强型金氧半场效应晶体管，其栅极连接至所述钳位端子，其源极连接至所述第三分压电路和第一分压电路相连接形成的节点，其漏极连接至所述电源端子。
优选的，所述电源端子的电压小于地电位。
本发明提供了一种米勒钳位驱动电路，所述米勒钳位驱动电路包括：
驱动芯片，其包括用于输出驱动信号的输出端子、钳位端子、电源端子以及连接在所述钳位端子和电源端子之间的可控开关，所述驱动芯片在所述钳位端子处接收的电压低于预定电压时，触发米勒钳位以将所述钳位端子处的电压降低至所述电源端子处的电压；
驱动电阻，其一端连接至所述驱动芯片的输出端子，其另一端用于连接至功率开关管的控制极；以及
米勒钳位电路，其包括：
连接在所述钳位端子和所述驱动电阻的另一端之间的第三分压电路；以及
可控开关器件，其控制极连接至所述钳位端子，其第一电极连接至所述驱动电阻的另一端，其第二电极连接至所述电源端子；
其中当所述钳位端子接收的电压小于所述驱动芯片预定的米勒钳位电压时触发所述可控开关导通，以使得所述可控开关器件处于导通状态，且所述可控开关器件的导通电阻小于所述驱动芯片的可控开关的导通电阻。
优选的，所述第三分压电路为第二电阻，其一端连接至所述钳位端子，另一端连接至所述驱动电阻的另一端，当所述驱动芯片的米勒钳位未被触发时，所述第二电阻两端的电压的幅值小于所述可控开关器件的开启电压的幅值。
优选的，所述米勒钳位电路还包括：连接在所述驱动电阻的另一端和所述第三分压电路之间的第一分压电路，其被构造为具有预设的电压降；以及连接在所述钳位端子和电源端子之间的第二分压电路。
优选的，所述一分压电路包括：一个二极管，或正负极依次串联的多个二极管。
优选的，所述第二分压电路为第一电阻。
优选的，所述可控开关器件为PNP型三极管，其基极连接至所述钳位端子，其发射极连接至所述第一分压电路和第三分压电路相连接形成的节点，其集电极连接至所述电源端子。
优选的，所述可控开关器件为P型增强型金氧半场效应晶体管，其栅极连接至所述钳位端子，其源极连接至所述第一分压电路和第三分压电路相连接形成的节点，其漏极连接至所述电源端子。
优选的，所述电源端子的电压小于地电位。
本发明的米勒钳位驱动电路中的电子元器件数目少、成本较低。并且采用二极管和电阻等硬件电路增加了米勒钳位电压，减少了开关管的拖尾时间。同时能够根据实际需要增加米勒钳位电压。本发明的米勒钳位驱动电路还能提高米勒钳位电流。由此米勒钳位驱动电路能够用于驱动具有较高功率和较高开关频率的功率开关管。
附图说明
以下参照附图对本发明实施例作进一步说明，其中：
图1是现有技术中的驱动电路和功率开关管相连接的电路图。
图2是图1所示的驱动芯片输出的驱动信号和绝缘栅双极型晶体管的门极电压的电压波形图。
图3是根据本发明第一个实施例的米勒钳位驱动电路和功率开关管相连接的电路图。
图4是图3所示的驱动芯片输出的驱动信号和绝缘栅双极型晶体管的门极电压的电压波形图。
图5是根据本发明第二个实施例的米勒钳位驱动电路和功率开关管相连接的电路图。
图6是图5所示的驱动芯片输出的驱动信号和绝缘栅双极型晶体管的门极电压的电压波形图。
图7是根据本发明第三个实施例的米勒钳位驱动电路和功率开关管相连接的电路图。
图8是图7所示的驱动芯片输出的驱动信号和绝缘栅双极型晶体管的门极电压的电压波形图。
图9是根据本发明第四个实施例的米勒钳位驱动电路和功率开关管相连接的电路图。
图10是图9所示的驱动芯片输出的驱动信号和绝缘栅双极型晶体管的门极电压的电压波形图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图通过具体实施例对本发明进一步详细说明。
图3是根据本发明第一个实施例的米勒钳位驱动电路和功率开关管相连接的电路图。如图3所示，米勒钳位驱动电路2包括驱动芯片21、驱动电阻R23和米勒钳位电路20。
驱动芯片21与驱动芯片11相同，其具体电路结构在此不再赘述。驱动芯片21同样包括输出端子OUT、钳位端子CLAMP、电源端子VEE2以及连接在钳位端子CLAMP和电源端子VEE2之间的可控开关211，其中电源端子VEE2连接至参考电位点，其电压V小于地电位，例如为-8～-6伏。当钳位端子CLAMP接收的电压小于驱动芯片21预定的米勒钳位电压(例如V+2伏)时，驱动芯片21触发米勒钳位，并给可控开关211提供开启信号使其导通。
驱动电阻R23连接在驱动芯片21的输出端子OUT和绝缘栅双极型晶体管T22的门极(即其控制极)之间，通过选择合适的阻值以调节绝缘栅双极型晶体管T22的导通/关断时间。
米勒钳位电路20包括串联的二极管D21和二极管D22，以及电阻R21。其中二极管D21的正极连接至绝缘栅双极型晶体管T22的门极，二极管D21的负极连接至二极管D22的正极，二极管D22的负极连接至驱动芯片21的钳位端子CLAMP，且电阻R21两端连接在驱动芯片21的钳位端子CLAMP和电源端子VEE2之间。
图4是图3所示的驱动芯片输出的驱动信号和绝缘栅双极型晶体管的门极电压的电压波形图。如图4所示，当驱动芯片21的输出端子OUT输出高电平VO(例如15～18伏)的驱动信号时，使得绝缘栅双极型晶体管T22的门极电压为V1(其略小于VO)，以控制绝缘栅双极型晶体管T22导通。
驱动芯片21的输出端子OUT输出低电平V(小于地电位，例如-8～-6伏)的驱动信号以控制绝缘栅双极型晶体管T22关断(或称截止)的过程如下：
在时刻t1～t2’，绝缘栅双极型晶体管T22的米勒电容C22及其门极电容Cge(或称栅射电容)通过驱动电阻R23开始缓慢放电，使得绝缘栅双极型晶体管T22的门极电压缓慢降低，从V1降低为V+2+2*Vf伏，其中V为电源端子VEE2的电压，V+2伏为驱动芯片21预定的米勒钳位电压，Vf为二极管D21或D22的电压降(例如0.7伏)。
在时刻t2’，绝缘栅双极型晶体管T22的门极电压为V+2+2*Vf伏，此时驱动芯片21的钳位端子CLAMP的电压为V+2伏，驱动芯片21处于米勒钳位触发的临界状态。
在时刻t2’～t3’，一旦绝缘栅双极型晶体管T22的门极电压小于V+2+2*Vf伏，此时驱动芯片21的米勒钳位被触发，可控开关211导通，使得钳位端子CLAMP的电压迅速被拉低到V，绝缘栅双极型晶体管T22的门极电压迅速地下降到V+2*Vf，以确保绝缘栅双极型晶体管T22截止，不会误导通。在米勒钳位被触发的过程中，米勒钳位电流从绝缘栅双极型晶体管T22的门极依次经过串联的二极管D21、D22、钳位端子CLAMP、导通的可控开关211流到电源端子VEE2。
在时刻t3’之后，绝缘栅双极型晶体管T22的门极电压被钳位至V+2*Vf伏，确保绝缘栅双极型晶体管T22处于截止状态。
由此可知，米勒钳位驱动电路2的米勒钳位电压从V+2伏增加到V+2+2*Vf伏。由于米勒钳位电路20使得驱动芯片21更快地触发米勒钳位，减少了绝缘栅双极型晶体管T22的拖尾时间。
米勒钳位电路20中的串联的二极管D21、D22，以及电阻R21连接在绝缘栅双极型晶体管T22的门极和驱动芯片21的电源端子VEE2之间，当米勒电容C22在时刻t1～t2’通过驱动电阻R23放电过程中，电阻R21与串联的二极管D21、D22在米勒电容C22和电源端子VEE2之间形成一个导电路径，使得二极管D21、D22导通且具有固定的电压降，由此驱动芯片21的钳位端子CLAMP接收的电压为绝缘栅双极型晶体管T22的门极电压减去2*Vf伏，因此驱动芯片21能够在绝缘栅双极型晶体管T22的门极电压为V+2+2*Vf时开始触发米勒钳位。
本实施例的米勒钳位电路20中的电子元器件数目少、成本较低。并且采用二极管和电阻等硬件电路增加了米勒钳位电压，具有较高的可靠性。
图5是根据本发明第二个实施例的米勒钳位驱动电路和功率开关管相连接的电路图。如图5所示，米勒钳位驱动电路3包括驱动芯片31、驱动电阻R33和米勒钳位电路30。
驱动芯片31与驱动芯片21相同，其具体电路结构在此不再赘述。驱动芯片31同样包括输出端子OUT、钳位端子CLAMP、电源端子VEE2以及连接在钳位端子CLAMP和电源端子VEE2之间的可控开关311。
驱动电阻R33连接在驱动芯片31的输出端子OUT和绝缘栅双极型晶体管T32的门极(即其控制极)之间。
米勒钳位电路30包括PNP型三极管Q32和电阻R32，其中电阻R32连接在三极管Q32的基极(及其控制极)和发射极之间，三极管Q32的发射极连接至绝缘栅双极型晶体管T32的门极，三极管Q32的基极连接至驱动芯片31的钳位端子CLAMP，三极管Q32的集电极连接至驱动芯片31的电源端子VEE2。
图6是图5所示的驱动芯片输出的驱动信号和绝缘栅双极型晶体管的门极电压的电压波形图。如图6所示，当驱动芯片31的输出端子OUT输出高电平VO(例如15～18伏)的驱动信号时，使得绝缘栅双极型晶体管T32的门极电压为V1(其略小于VO)，以控制绝缘栅双极型晶体管T32导通。
驱动芯片31的输出端子OUT输出低电平V(小于地电位，例如-8～-6伏)的驱动信号以控制绝缘栅双极型晶体管T32关断(或称截止)的过程如下：
在时刻t1～t2，绝缘栅双极型晶体管T32的米勒电容C32及其门极电容Cge(或称栅射电容)通过驱动电阻R33开始缓慢放电，使得绝缘栅双极型晶体管T32的门极电压缓慢降低。在此放电过程中，驱动芯片31的米勒钳位还未被触发，其钳位端子CLAMP为高阻态，因此电阻R32两端没有电压降，三极管Q32处于截止状态且钳位端子CLAMP的电压等于绝缘栅双极型晶体管T32的门极电压。
在时刻t2，绝缘栅双极型晶体管T32的门极电压为V+2伏，其中V为电源端子VEE2的电压。此时驱动芯片31的钳位端子CLAMP的电压同样为V+2伏，驱动芯片31处于米勒钳位触发的临界状态。
在时刻t2～t3，一旦绝缘栅双极型晶体管T32的门极的电压低于V+2伏，此时驱动芯片31的米勒钳位被触发，可控开关311导通，使得钳位端子CLAMP的电压迅速被拉低到V，电阻R32两端具有约2伏的电压降，使得三极管Q32的发射结正向偏置，因此三极管Q32导通且处于放大状态，此时绝大部分的米勒钳位电流通过导通的三极管Q32直接流向驱动芯片31的电源端子VEE2。当本发明的三极管Q32的导通电阻小于可控开关311的导通电阻时，能够允许更大的米勒钳位电流通过导通的三极管Q32直接流向电源端子VEE2，提高了米勒钳位电流。
在时刻t3之后，绝缘栅双极型晶体管T32的门极电压被钳位至V，使得绝缘栅双极型晶体管T32处于截止状态。
通过选择合适阻值的电阻R32，可以调节驱动芯片31的米勒钳位电流。例如，当电阻R32增加时，三极管Q32的发射结的正向偏置增加，其集电极电流增加，因此增加了米勒钳位电流。
图7是根据本发明第三个实施例的米勒钳位驱动电路和功率开关管相连接的电路图。如图7所示，米勒钳位驱动电路4包括驱动芯片41、驱动电阻R43和米勒钳位电路40。
驱动芯片41与驱动芯片21相同，其具体电路结构在此不再赘述。驱动芯片41同样包括输出端子OUT、钳位端子CLAMP、电源端子VEE2以及连接在钳位端子CLAMP和电源端子VEE2之间的可控开关411。
驱动电阻R43连接在驱动芯片41的输出端子OUT和绝缘栅双极型晶体管T42的门极(及其控制极)之间。
米勒钳位电路40包括串联的二极管D41和D42、电阻R42、电阻R41以及三极管Q42。其中电阻R42连接在三极管Q42的基极(及其控制极)和发射极之间，电阻R41连接在三极管Q42的基极和集电极之间，串联的二极管D41和二极管D42连接在绝缘栅双极型晶体管T42的门极和三极管Q42的发射极之间，且三极管Q42的基极连接至驱动芯片41的钳位端子CLAMP，其集电极连接至驱动芯片41的电源端子VEE2。
图8是图7所示的驱动芯片输出的驱动信号和绝缘栅双极型晶体管的门极电压的电压波形图。如图8所示，当驱动芯片41的输出端子OUT输出高电平VO(例如15～18伏)的驱动信号时，使得绝缘栅双极型晶体管T42的门极电压为V1(其略小于VO)，以控制绝缘栅双极型晶体管T42导通。
驱动芯片41的输出端子OUT输出低电平V(小于地电位，例如-8～-6伏)的驱动信号以控制绝缘栅双极型晶体管T42关断(或称截止)的过程如下：
在时刻t1～t2’，绝缘栅双极型晶体管T42的米勒电容C42及其门极电容Cge(或称栅射电容)通过驱动电阻R43开始缓慢放电，使得绝缘栅双极型晶体管T42的门极电压缓慢降低，从V1降低为V+2+2*Vf+V2伏，其中V为电源端子VEE2的电压，Vf为二极管D21或D22的电压降(例如0.7伏)，V2为放电过程中电阻R42两端的电压降。
在此放电过程中，绝缘栅双极型晶体管T42的门极、二极管D41、二极管D42、电阻R42、电阻R41和电源端子VEE2形成导电路径，使得二极管D41、D42导通并分别具有电压降Vf，且选择阻值较小的电阻R42使其两端的电压小于三极管Q42的发射结正向偏置导通电压(或称开启电压)，使得三极管Q42处于截止状态。同时驱动芯片41的钳位端子CLAMP接收的电压大于V+2伏，因此驱动芯片41的米勒钳位还未被触发，其钳位端子CLAMP为高阻态。
在时刻t2’，绝缘栅双极型晶体管T42的门极电压为V+2+2*Vf+V2伏，此时驱动芯片41的钳位端子CLAMP的电压为V+2伏，驱动芯片41处于米勒钳位触发的临界状态。
在时刻t2’～t3，一旦绝缘栅双极型晶体管T42的门极电压小于V+2+2*Vf+V2伏，此时驱动芯片41的米勒钳位被触发，可控开关411导通，使得钳位端子CLAMP的电压迅速被拉低到V，电阻R42两端具有2+V2伏的电压降，由此三极管Q42的发射结正向偏置，使得三极管Q42导通且工作在放大状态。此时绝大部分的米勒钳位电流通过导通的三极管Q42直接流向驱动芯片41的电源端子VEE2。当选用的三极管Q42的导通电阻小于可控开关411的导通电阻时，能够允许更大的米勒钳位电流通过导通的三极管Q42直接流向电源端子VEE2，提高了驱动芯片41的米勒钳位电流。
在时刻t3’之后，绝缘栅双极型晶体管T42的门极电压被钳位至V+2*Vf伏，使得绝缘栅双极型晶体管T42处于截止状态。
由此可知，米勒钳位驱动电路4的米勒钳位电压从V+2伏增加到V+2+2*Vf+V2伏。由于米勒钳位电路40使得驱动芯片41更快地触发米勒钳位，减少了绝缘栅双极型晶体管T42的拖尾时间。驱动芯片41的米勒钳位被触发时，绝大部分的米勒钳位电流通过导通的且导通电阻较小的三极管Q42直接流向驱动芯片41的电源端子VEE2，提高了米勒钳位电流。由此米勒钳位驱动电路4能够用于驱动具有较高功率和较高开关频率的功率开关管。
图9是根据本发明第四个实施例的米勒钳位驱动电路和功率开关管相连接的电路图。如图9所示，米勒钳位驱动电路5包括驱动芯片51、驱动电阻R53和米勒钳位电路50。
驱动芯片51与驱动芯片21相同，其具体电路结构在此不再赘述。驱动芯片51同样包括输出端子OUT、钳位端子CLAMP、电源端子VEE2以及连接在钳位端子CLAMP和电源端子VEE2之间的可控开关511。
驱动电阻R53连接在驱动芯片51的输出端子OUT和绝缘栅双极型晶体管T52的门极(即其控制极)之间。
米勒钳位电路50与图7所示的米勒钳位电路40基本相同，区别在于，米勒钳位电路50采用P沟道增强型的金氧半场效应晶体管Q52代替图7中的三极管Q42，其在电阻R52与金氧半场效应晶体管Q52的源极相连接形成的节点与绝缘栅双极型晶体管T52的门极之间具有一个二极管D51，其中金氧半场效应晶体管Q52的栅极(及其控制极)连接至驱动芯片51的钳位端子CLAMP，源极连接至二极管D52的负极和电阻R52相连接形成的节点，其漏极连接至驱动芯片51的电源端子VEE2。
图10是图9所示的驱动芯片输出的驱动信号和绝缘栅双极型晶体管的门极电压的电压波形图。如图10所示，当驱动芯片51的输出端子OUT输出高电平VO(例如15～18伏)的驱动信号时，使得绝缘栅双极型晶体管T52的门极电压为V1(其略小于VO)，以控制绝缘栅双极型晶体管T52导通。
驱动芯片51的输出端子OUT输出低电平V(小于地电位，例如-8～-6伏)的驱动信号以控制绝缘栅双极型晶体管T52关断(或称截止)的过程如下：
在时刻t1～t2’，绝缘栅双极型晶体管T52的米勒电容C52及其门极电容Cge(或称栅射电容)通过驱动电阻R53开始缓慢放电，使得绝缘栅双极型晶体管T52的门极电压缓慢降低，从V1降低为V+2+Vf+V2伏。其中V为电源端子VEE2的电压。Vf为二极管D51的电压降(例如0.7伏)，V2为放电过程中电阻R52两端的电压降。
在此放电过程中，绝缘栅双极型晶体管T52的门极、二极管D51、电阻R52、电阻R51和电源端子VEE2形成导电路径，使得二极管D51导通并具有电压降Vf，且选择阻值较小的电阻R52使其两端的电压小于金氧半场效应晶体管Q52的栅极阈值电压(或称开启电压)的幅值，使得金氧半场效应晶体管Q52处于截止状态。同时驱动芯片51的钳位端子CLAMP接收的电压大于V+2伏，因此驱动芯片51的米勒钳位还未被触发，其钳位端子CLAMP为高阻态。
在时刻t2’，绝缘栅双极型晶体管T52的门极电压降低至V+2+Vf+V2伏，此时驱动芯片51的钳位端子CLAMP的电压为V+2伏，驱动芯片51处于米勒钳位触发的临界状态。
在时刻t2’～t3’，一旦绝缘栅双极型晶体管T52的门极电压小于V+2+Vf+V2伏，此时驱动芯片51的米勒钳位被触发，可控开关511导通，使得钳位端子CLAMP的电压迅速被拉低到V，电阻R52两端的电压降(2+V2伏的)大于金氧半场效应晶体管Q52的栅极阈值电压(或称开启电压)的幅值，使得金氧半场效应晶体管Q52导通。此时米勒钳位电流通过二极管D51和导通的金氧半场效应晶体管Q52直流流向至驱动芯片51的电源端子VEE2。当选用的金氧半场效应晶体管Q52的导通电阻小于可控开关511的导通电阻时，能够允许更大的米勒钳位电流通过导通的金氧半场效应晶体管Q52直接流向电源端子VEE2，提高了驱动芯片51的米勒钳位电流。
在时刻t3’之后，绝缘栅双极型晶体管T52的门极电压被钳位至V+Vf伏，使得绝缘栅双极型晶体管T52处于截止状态。
由此可知，米勒钳位驱动电路5的米勒钳位电压从V+2伏增加到V+2+Vf+V2伏。由于米勒钳位电路50使得驱动芯片51更快地触发米勒钳位，减少了绝缘栅双极型晶体管T52的拖尾时间。米勒钳位电流通过导通的且导通电阻较小的金氧半场效应晶体管Q52直接流向驱动芯片51的电源端子VEE2，提高了驱动芯片51的米勒钳位电流。由此米勒钳位驱动电路5能够用于驱动具有较高功率和较高开关频率的功率开关管。
在本发明的其他实施例中，连接在驱动电阻和驱动器的钳位端子之间的二极管的数目并不限于是1个或2个，还可以是多于两个二极管串联连接。例如，增加串联的二极管的数目，以进一步增加米勒钳位电压。
在本发明的其他实施例中，将上述实施例中的三极管Q32和Q42替换为P型增强型的金氧半场效应晶体管，其中金氧半场效应晶体管的栅极、源极和漏极的连接方式分别与三极管的门极、发射极和集电极的连接方式相同。
本发明的米勒钳位驱动电路中的驱动芯片并不限于型号为ISO5852、NCD57000和ADUM4135的驱动芯片，还可以用于功率开关管的其他驱动芯片，其电源端子VEE2具有小于地电位的电压V，钳位端子通过金氧半场效应晶体管或三极管等可控开关连接至电源端子，且当钳位端子接收的电压小于驱动芯片预定的米勒钳位电压时，触发可控开关导通。
本发明并不意欲限定驱动芯片输出的高电平的驱动信号的电压是15～18伏，低电平的驱动信号的电压是-8～-6伏。根据功率开关管和驱动芯片的类型，驱动芯片输出的高低电平的驱动信号的电压可以是其他的电压值。
本发明的米勒钳位驱动电路并不限于用于给绝缘栅双极型晶体管提供驱动信号，还可以给金氧半场效应晶体管的栅极(及其控制极)提供所需的驱动信号。
在本发明的其他实施例中，还可以采用具有预设的电压降的其他电子元器件构成的分压电路代替上述实施例中串联的二极管D21和D22，或串联的二极管D41和D42，或二极管D51。
在本发明的其他实施例中，还可以采用具有适当阻抗的其他电子元器件构成的分压电路代替上述实施例中的电阻R21、R41或R51。
在本发明的其他实施例中，还可以采用具有适当阻抗的其他电子元器件构成的分压电路代替上述实施例中的电阻R32、R42或R52。
虽然本发明已经通过优选实施例进行了描述，然而本发明并非局限于这里所描述的实施例，在不脱离本发明范围的情况下还包括所作出的各种改变以及变化。

Claims (16)

1.一种米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述米勒钳位驱动电路包括：
驱动芯片，其包括用于输出驱动信号的输出端子、钳位端子、电源端子以及连接在所述钳位端子和电源端子之间的可控开关，所述驱动芯片在所述钳位端子处接收的电压低于预定电压时，触发米勒钳位以将所述钳位端子处的电压降低至所述电源端子处的电压；
驱动电阻，其一端连接至所述驱动芯片的输出端子，其另一端用于连接至功率开关管的控制极；以及
米勒钳位电路，其包括：
连接在所述驱动电阻的另一端和所述钳位端子之间的第一分压电路，所述第一分压电路被构造为具有预设的电压降；以及
连接在所述钳位端子和电源端子之间的第二分压电路。
2.根据权利要求1所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述第一分压电路包括：一个二极管，或正负极依次串联的多个二极管。
3.根据权利要求1所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，第二分压电路为第一电阻。
4.根据权利要求3所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述米勒钳位电路还包括：
连接在所述第一分压电路和第二分压电路之间的第三分压电路；以及
可控开关器件，其控制极连接至所述钳位端子，其第一电极连接至所述第三分压电路和第一分压电路相连接形成的节点，其第二电极连接至所述电源端子；
其中当所述钳位端子接收的电压小于所述驱动芯片预定的米勒钳位电压时触发所述可控开关导通，以使得所述可控开关器件处于导通状态，且所述可控开关器件的导通电阻小于所述驱动芯片的可控开关的导通电阻。
5.根据权利要求4所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述第三分压电路为第二电阻，当所述驱动芯片的米勒钳位未被触发时，所述第二电阻两端的电压的幅值小于所述可控开关器件的开启电压的幅值。
6.根据权利要求4或5所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述可控开关器件为PNP型三极管，其基极连接至所述钳位端子，其发射极连接至所述第三分压电路和第一分压电路相连接形成的节点，其集电极连接至所述电源端子。
7.根据权利要求4或5所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述可控开关器件为P型增强型金氧半场效应晶体管，其栅极连接至所述钳位端子，其源极连接至所述第三分压电路和第一分压电路相连接形成的节点，其漏极连接至所述电源端子。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述电源端子的电压小于地电位。
9.一种米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述米勒钳位驱动电路包括：
驱动芯片，其包括用于输出驱动信号的输出端子、钳位端子、电源端子以及连接在所述钳位端子和电源端子之间的可控开关，所述驱动芯片在所述钳位端子处接收的电压低于预定电压时，触发米勒钳位以将所述钳位端子处的电压降低至所述电源端子处的电压；
驱动电阻，其一端连接至所述驱动芯片的输出端子，其另一端用于连接至功率开关管的控制极；以及
米勒钳位电路，其包括：
连接在所述钳位端子和所述驱动电阻的另一端之间的第三分压电路；以及
可控开关器件，其控制极连接至所述钳位端子，其第一电极连接至所述驱动电阻的另一端，其第二电极连接至所述电源端子；
其中当所述钳位端子接收的电压小于所述驱动芯片预定的米勒钳位电压时触发所述可控开关导通，以使得所述可控开关器件处于导通状态，且所述可控开关器件的导通电阻小于所述驱动芯片的可控开关的导通电阻。
10.根据权利要求9所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述第三分压电路为第二电阻，其一端连接至所述钳位端子，另一端连接至所述驱动电阻的另一端，当所述驱动芯片的米勒钳位未被触发时，所述第二电阻两端的电压的幅值小于所述可控开关器件的开启电压的幅值。
11.根据权利要求9所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述米勒钳位电路还包括：
连接在所述驱动电阻的另一端和所述第三分压电路之间的第一分压电路，其被构造为具有预设的电压降；以及
连接在所述钳位端子和电源端子之间的第二分压电路。
12.根据权利要求11所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述一分压电路包括：一个二极管，或正负极依次串联的多个二极管。
13.根据权利要求11所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述第二分压电路为第一电阻。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述可控开关器件为PNP型三极管，其基极连接至所述钳位端子，其发射极连接至所述第一分压电路和第三分压电路相连接形成的节点，其集电极连接至所述电源端子。
15.根据权利要求11至13中任一项所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述可控开关器件为P型增强型金氧半场效应晶体管，其栅极连接至所述钳位端子，其源极连接至所述第一分压电路和第三分压电路相连接形成的节点，其漏极连接至所述电源端子。
16.根据权利要求9至13中任一项所述的米勒钳位驱动电路，其特征在于，所述电源端子的电压小于地电位。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112713757A (zh) * 2020-12-28 2021-04-27 潍柴动力股份有限公司 一种mosfet管的驱动装置
CN113193864A (zh) * 2021-04-29 2021-07-30 武汉科华动力科技有限公司 一种双钳位的功率管驱动电路及其驱动方法
CN113659812A (zh) * 2021-07-01 2021-11-16 深圳青铜剑技术有限公司 米勒钳位控制电路
WO2022048629A1 (zh) * 2020-09-04 2022-03-10 山特电子（深圳）有限公司 用于并联的开关晶体管的米勒钳位装置及包括其的驱动器
CN118117857A (zh) * 2024-04-30 2024-05-31 华羿微电子股份有限公司 一种mos和igbt栅极米勒电容效应抑制电路及芯片

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114189140A (zh) * 2021-11-26 2022-03-15 山东联慧网络科技有限公司 Dsp互补控制的米勒钳位电路
FR3131142A1 (fr) * 2021-12-21 2023-06-23 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Commutateur et dispositif électronique associé
CN115833579B (zh) * 2023-02-09 2023-05-02 中国人民解放军国防科技大学 一种斩波器及磁悬浮列车

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040032701A1 (en) * 2002-08-16 2004-02-19 Mitsuru Yoshida Current limiting circuit and output circuit including the same
CN103683883A (zh) * 2013-12-05 2014-03-26 北京阿启蒙技术有限公司 一种单电源供电抑制igbt米勒电容效应的电路
US20140266323A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Allegro Microsystems, Inc. Systems and Methods for Driving a Load Under Various Power Conditions
CN107979360A (zh) * 2016-10-24 2018-05-01 英飞凌科技奥地利有限公司 可配置电路及其操作方法和集成电路
CN108400721A (zh) * 2017-02-07 2018-08-14 福特全球技术公司 使用接地栅极端子的逆变器开关器件的有源栅极钳位
CN110289842A (zh) * 2018-03-19 2019-09-27 富士电机株式会社 半导体装置
US20200044635A1 (en) * 2018-08-02 2020-02-06 Texas Instruments Incorporated Miller clamp driver with feedback bias control
US20200076425A1 (en) * 2018-09-05 2020-03-05 Texas Instruments Incorporated Multi-level turn-off circuit and related methods

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11057029B2 (en) * 2019-11-25 2021-07-06 Silicon Laboratories Inc. Gate driver with integrated miller clamp
US11309881B2 (en) * 2020-01-24 2022-04-19 Ford Global Technologies, Llc Universal clamping circuit for automotive switch gate drives

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040032701A1 (en) * 2002-08-16 2004-02-19 Mitsuru Yoshida Current limiting circuit and output circuit including the same
US20140266323A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Allegro Microsystems, Inc. Systems and Methods for Driving a Load Under Various Power Conditions
CN103683883A (zh) * 2013-12-05 2014-03-26 北京阿启蒙技术有限公司 一种单电源供电抑制igbt米勒电容效应的电路
CN107979360A (zh) * 2016-10-24 2018-05-01 英飞凌科技奥地利有限公司 可配置电路及其操作方法和集成电路
CN108400721A (zh) * 2017-02-07 2018-08-14 福特全球技术公司 使用接地栅极端子的逆变器开关器件的有源栅极钳位
CN110289842A (zh) * 2018-03-19 2019-09-27 富士电机株式会社 半导体装置
US20200044635A1 (en) * 2018-08-02 2020-02-06 Texas Instruments Incorporated Miller clamp driver with feedback bias control
US20200076425A1 (en) * 2018-09-05 2020-03-05 Texas Instruments Incorporated Multi-level turn-off circuit and related methods

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022048629A1 (zh) * 2020-09-04 2022-03-10 山特电子（深圳）有限公司 用于并联的开关晶体管的米勒钳位装置及包括其的驱动器
CN112713757A (zh) * 2020-12-28 2021-04-27 潍柴动力股份有限公司 一种mosfet管的驱动装置
CN113193864A (zh) * 2021-04-29 2021-07-30 武汉科华动力科技有限公司 一种双钳位的功率管驱动电路及其驱动方法
CN113659812A (zh) * 2021-07-01 2021-11-16 深圳青铜剑技术有限公司 米勒钳位控制电路
CN118117857A (zh) * 2024-04-30 2024-05-31 华羿微电子股份有限公司 一种mos和igbt栅极米勒电容效应抑制电路及芯片

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