CN111454265A - 一种稠杂环化合物及其制备方法和应用 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种稠杂环化合物及其制备方法和应用，所述稠杂环具有式I或式II所示的结构，所述稠杂环化合物用作有机电致发光器件中的发光材料，所述有机电致发光器件包括基板、第一电极、第二电极和插入在所述第一电极和第二电极之间的至少一层有机层，所述有机层中含有所述稠杂环化合物中的任意一种或至少两种组合；所述稠杂环化合物具有较高的发光效率以及较久的使用寿命。

Description

一种稠杂环化合物及其制备方法和应用
技术领域
本发明涉及有机电致发光技术领域，特别涉及一种稠杂环化合物及其制备方法和应用。
背景技术
电致发光装置(EL装置)是一种自发光显示装置，其优点在于它提供更宽的视角、更大的对比率和更快的响应时间。
有机EL装置(OLED)通过向有机发光材料施加电力而将电能转换为光，并且通常包含阳极、阴极和在这两个电极之间形成的有机层。
如果需要，OLED的有机层可以包含空穴注入层、空穴传输层、空穴辅助层、发光辅助层、电子阻挡层、发光层(含有主体和掺杂剂材料)、电子缓冲层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层等。可以根据功能将有机层中使用的材料分为空穴注入材料、空穴传输材料、空穴辅助材料、发光辅助材料、电子阻挡材料、发光材料、电子缓冲材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、电子注入材料等。
在OLED中，通过施加电压将来自阳极的空穴和来自阴极的电子注入到发光层中，并且通过空穴和电子的再结合产生具有高能量的激子。有机发光化合物通过能量移动到激发态并由当有机发光化合物从激发态返回到基态时的能量发射光。
决定有机EL装置中的发光效率的最重要因素是发光材料。发光材料要求具有以下特征：高量子效率、电子和空穴的高移动度、以及所形成的发光材料层的均匀性和稳定性。
根据发光颜色将发光材料分为蓝色、绿色和红色发光材料，并且进一步包括黄色或橙色发光材料。此外，在功能方面，将发光材料分为主体材料和掺杂剂材料。
最近，迫切的任务是开发具有高效率和长寿命的有机EL装置。具体地，考虑到中型和大型OLED面板所需的EL特性，迫切需要开发优于常规材料的高度优异的发光材料。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种稠杂环化合物及其制备方法和应用，该稠杂环化合物具有较高的效率以及较久的寿命。
为达此目的，本发明采用如下技术方案：
本发明的目的在于提供一种稠杂环化合物，所述稠杂环化合物具有式I或式II所示的结构：
Figure BDA0002481250860000011
其中，L选自单键、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C3-C30的亚杂芳基、取代或未取代的C3-C30亚环烷基中的任意一种；
n为0-2的整数，例如0、1或2；
Ar选自取代或未取代的C6-C60的芳基、取代或未取代的C3-C60的杂芳基、取代或未取代的C6-C60的芳氧基、取代或未取代的C6-C60的芳香胺基、取代或未取代的C6-C60的硫代芳氧基、取代或未取代的C6-C60的芳硼基、取代或未取代的C6-C60的芳膦基、取代或未取代的C4-C60的杂芳氧基、取代或未取代的C4-C60的杂芳香胺基、取代或未取代的C4-C60的硫代杂芳氧基、取代或未取代的C4-C60的杂芳硼基、取代或未取代的C4-C60的杂芳膦基中的任意一种；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17各自独立地选自氢原子、氘原子、卤素、氰基、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、取代或未取代的C1-C60的烷基、取代或未取代的C2-C60的烯基、取代或未取代的C2-C60的炔基、取代或未取代的C1-C60的烷胺基、取代或未取代的C2-C60的烯胺基、取代或未取代的C2-C60的炔胺基、取代或未取代的C1-C60的烷氧基、取代或未取代的C2-C60的烯氧基、取代或未取代的C2-C60的炔氧基、取代或未取代的C1-C60的硫代烷氧基、取代或未取代的C2-C60的硫代烯氧基、取代或未取代的C2-C60的硫代炔氧基、取代或未取代的三C1-C30烷基甲硅烷基、取代或未取代的二C1-C30烷基C6-C30芳基甲硅烷基、取代或未取代的C1-C30烷基二C6-C30芳基甲硅烷基、取代或未取代的三C6-C30芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-C1-C30烷基氨基、取代或未取代的单-或二-C6-C30芳基氨基、取代或未取代的C1-C30烷基C6-C30芳基氨基、取代或未取代的C1-C60的酯基、取代或未取代的C1-C60的酰胺基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C6-C30的芳氧基、取代或未取代的C6-C30的硫代芳氧基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的任意一种；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17中各基团彼此不连接或其中2-4个相邻的基团连接成环，所述环各自独立地选自C3-C7的饱和或部分不饱和的碳环、C3-C7的饱和或部分不饱和的碳杂环、C6-C60的芳环或C3-C30的杂芳环中的任意一种；
其中，部分不饱和指代的是：碳环或碳杂环中有双键，并且不具备芳香性，例如环戊烯、环己烯等；卤素包括氟、氯、溴、碘中；三C1-C30烷基甲硅烷基指代的意义是三个C1-C30的烷基均与甲硅烷中的硅原子相连，C1-C30烷基二C6-C30芳基甲硅烷基指代的意义是一个C1-C30的烷基和两个C6-C30的芳基均与甲硅烷基中的硅原子相连，二-C1-C30烷基氨基指代的意义是两个C1-C30的烷基与胺基中的氮原子相连，其他有出现类似的写法，指代的意义也基本相同。
如上述基团中含有杂原子时，所述杂原子选自O、S、N、P、B或Si中的任意一种或至少两种的组合；
如上述基团中含有取代基时，所述取代基选自氘原子、卤素、硝基、氰基或由氘原子、卤素、氰基或硝基中的一个或多个取代或未取代的C1-C4的烷基、C1-C4的烷氧基、C1-C4的烯基、C6-C12的芳基、C6-C12的芳氧基、C6-C12的芳胺基、C3-C12元的杂芳基或C3-C12的杂芳胺基中的任意一种。
优选地，如上述基团中含有取代基时，所述取代基选自氢原子、氘原子、卤素、硝基、C1-C4的烷基、卤素取代的C1-C4的烷基、氘取代的C1-C4的烷基、C1-C4的烷氧基、C1-C4的烯基、卤素取代的C1-C4的烯基、氘取代的C1-C4的烯基、C6-C12的芳基、C6-C12的芳氧基、C6-C12的芳胺基、卤素取代的C6-C12的芳基、氘取代的C6-C12的芳基、C3-C12的杂芳基、C3-C12的杂芳胺基、卤素取代的C3-C12元的杂芳基或氘取代的C3-C12的杂芳基中的任意一种。
C1-C4可以是C2、C3。
C1-C10可以是C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9等。
C1-C6可以是C2、C3、C4、C5等。
C1-C60可以是C2、C5、C8、C10、C12、C15、C18、C20、C22、C25、C28、C30、C32、C35、C38、C40、C42、C45、C48、C50、C52、C55、C58、C60等。
C2-C60可以是C3、C5、C8、C10、C12、C15、C18、C20、C22、C25、C28、C30、C32、C35、C38、C40、C42、C45、C48、C50、C52、C55、C58、C60等。
C2-C10可以是C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9等。
C3-C12可以是C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11等。
C3-C30可以是C4、C5、C8、C10、C12、C15、C18、C20、C22、C25、C28、C30等。
C6-C12可以是C7、C8、C9、C10、C11等。
C6-C30可以是C7、C10、C4、C13、C15、C18、C20、C22、C15、C28等。
C5-C30可以是C6、C10、C4、C13、C15、C18、C20、C22、C15、C28等。
本发明中芳基包括但不限于苯基、联苯基、联三苯基、萘基、联萘基、苯基萘基、萘基苯基、芴基、苯基芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、苯基菲基、蒽基、茚基、亚三苯基、芘基、并四苯基、苝基、屈基、稠四苯基、荧蒽基或螺联二芴基等。
本发明中杂芳基包括但不限于呋喃基、苯硫基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、异噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋吖基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并异噁唑基、苯并噁唑基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、咔唑基、吩噁嗪基、吩噻嗪基、菲啶基、苯并间二氧杂环戊烯基、二氢吖啶基等。
本发明中“2-4个相邻的基团连接成环”是指R1-R17中处于同一六元环或相邻六元环中相邻位置的2-4个取代基之间可以通过化学键相互连接成环，本发明对具体的连接成环方式不做限定，如下文涉及相同的描述时，具有相同的意义。
本发明提供的有机电致发光化合物作为有机电致发光器件的发光层主体材料，其中母环结构为一个大的共轭结构，具有较强的富电子性，Ar为供电子基团，整个化合物具有良好的空穴迁移性能，作为发光辅助层材料或作为电子阻挡层材料，能提高发光效率；Ar为吸电子基团，化合物的HOMO、LUMO能级分离，空穴与电子传输平衡，作为发光层材料，使得器件具有良好的发光效率和较长的使用寿命。
优选地，所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17各自独立地选自氘原子、卤素、硝基、氰基、取代或未取代的C1-C4的烷基、取代或未取代的C2-C4的烯基、取代或未取代的C2-C4的炔基、取代或未取代的C1-C4的烷胺基、取代或未取代的C2-C4的烯胺基、取代或未取代的C2-C4的炔胺基、取代或未取代的C1-C4的烷氧基、取代或未取代的C2-C4的烯氧基、取代或未取代的C2-C4的炔氧基、取代或未取代的C1-C4的硫代烷氧基、取代或未取代的C2-C4的硫代烯氧基、取代或未取代的C2-C4的硫代炔氧基、取代或未取代的三C1-C4烷基甲硅烷基、取代或未取代的二C1-C4烷基C6-C20芳基甲硅烷基、取代或未取代的C1-C4烷基二C6-C20芳基甲硅烷基、取代或未取代的三C6-C20芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-C1-C20烷基氨基、取代或未取代的单-或二-C6-C20芳基氨基、取代或未取代的C1-C4烷基C6-C20芳基氨基、C1-C4的酯基、C1-C4的酰胺基、C6-C20的芳基、C3-C20的杂芳基、C6-C20的芳氧基或C6-C20的硫代芳氧基中的任意一种；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14中各基团彼此不连接或其中2-4个相邻的基团连接成环，所述环各自独立地选自C3-C7的饱和或部分不饱和的碳环、C3-C7的饱和或部分不饱和的碳杂环、C6-C60的芳环或C3-C30的芳杂环中的任意一种；
当上述基团存在取代基时，所述取代基各自独立地具有上述相同的限定范围。
优选地，所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17各自独立地选自氘原子、卤素、硝基、氰基、C1-C4的烷基、卤素取代的C1-C4的烷基、氘取代的C1-C4的烷基、C1-C4的烷氧基、C1-C4的烯基、卤素取代的C1-C4的烯基、氘取代的C1-C4的烯基、C6-C12的芳基、C6-C12的芳氧基、C6-C12的芳胺基、卤素取代的C6-C12的芳基、氘取代的C6-C12的芳基、C2-C12的杂芳基、卤素取代的C2-C12的杂芳基或氘取代的C2-C12的杂芳基中的任意一种；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14中各基团彼此不连接或其中2-4个相邻的基团连接成环，所述环各自独立地选自C3-C7的饱和或部分不饱和的碳环、C3-C7的饱和或部分不饱和的碳杂环、C6-C60的芳环或C3-C30的芳杂环中的任意一种；
当上述基团存在取代基时，所述取代基各自独立地具有与上述相同的限定范围。
优选地，所述Ar具有式III所示的结构：
Figure BDA0002481250860000041
其中，X1、X2、X3、X4、X5和X6各自独立地选自N或CR20，且X1、X2、X3、X4、X5和X6中有0-3项为N；
R20选自氢原子、氘原子、卤素、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、取代或未取代的C1-C30的烷基、取代或未取代的C2-C30的烯基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基、取代或未取代的C6-C30的芳氧基、取代或未取代的C6-C30的芳香胺基、取代或未取代的C6-C30的硫代芳氧基、取代或未取代的C6-C30的芳硼基、取代或未取代的C6-C30的芳磷基中的任意一种；任意两个相邻的R20基团彼此不连接或连接成环，所述环各自独立地选自C3-C7的饱和或部分不饱和的碳环、C3-C7的饱和或部分不饱和的碳杂环、C6-C60的芳环或C3-C30的芳杂环中的任意一种；
本发明中“任意两个相邻的基团连接成环”是指任意两个相邻的基团处于同一六元环中相邻位置的取代基之间可以通过化学键相互连接成环，本发明对具体的连接成环方式不做限定，如下文涉及相同的描述时，具有相同的意义；
本发明中部分不饱和指代的是：碳环或碳杂环中有双键，并且不具备芳香性，例如环戊烯、环己烯等，如下文涉及相同的描述时，具有相同的意义；
Figure BDA0002481250860000042
代表基团的连接位点；
当上述基团存在取代基时，所述取代基各自独立地具有与上述相同的限定范围。
优选地，所述Ar选自如下基团中的任意一种：
Figure BDA0002481250860000043
其中，Q1、Q2和Q3各自独立地选自N或CR22；
Q4和Q5各自独立地选自单键、NR22、O或S中的任意一种；
Q6和Q7各自独立地选自N或CR22；
n1为0-4的整数，例如0、1、2、3或4；
n2为0-2的整数，例如0、1或2；
Ar2、R21、R22各自独立地选自氢原子、氘原子、卤素、硝基、氰基、取代或未取代的C1-C4的烷基、取代或未取代的C2-C4的烯基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基、取代或未取代的C6-C30的芳氧基、取代或未取代的C6-C30的芳香胺基、取代或未取代的C3-C30的杂芳香胺基、取代或未取代的C6-C30的硫代芳氧基、取代或未取代的C6-C30的芳硼基，取代或未取代的C6-C30的芳磷基；任意相邻的两个R21基团彼此不连接或连接成环，所述环各自独立地选自C3-C7的饱和或部分不饱和的碳环、C3-C7的饱和或部分不饱和的碳杂环、C6-C60的芳环或C3-C30的芳杂环中的任意一种；
Figure BDA0002481250860000051
表示接入位点；
当上述基团存在取代基时，所述取代基各自独立地具有与上述相同的限定范围；
优选地，所述Q1、Q2和Q3中至少有一项为N；
优选地，所述Q4和Q5中至少有一项为单键，且Q4和Q5不同时为单键；
优选地，所述Ar选自被R23取代或未取代的如下基团中的任意一种：
Figure BDA0002481250860000052
Figure BDA0002481250860000061
其中，
Figure BDA0002481250860000062
表示接入位点；
T1和T2各自独立地选自O、S、CR18R18或NR18中的任意一项；
R18各自独立地选自氢原子、氘原子、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1-C4的烷基、取代或未取代的C6-C12的芳基中的任意一种；
R23各自独立地选自氘原子、卤素、氰基、硝基、C1-C4的烷基、氘取代的C1-C4的烷基、卤素取代的C1-C4的烷基、C1-C4的烯基、C6-C20的芳基、氘取代C6-C20的芳基、氰基取代C6-C20的芳基、卤素取代C6-C20的芳基、三氟甲基取代C6-C20的芳基、C3-C12的杂芳基、氘取代C3-C12的杂芳基、氰基取代C3-C12的杂芳基、卤素取代C3-C12的杂芳基或三氟甲基取代C3-C12的杂芳基中的任意一种或至少两种的组合；
Figure BDA0002481250860000063
表示接入位点；
当上述基团中含有取代基时，所述取代基各自独立地具有与上述相同的限定范围；
优选地，R18选自甲基、苯基、氘代甲基、氘代苯基、卤素取代的甲基、卤素取代的苯基。
本发明的目的之二在于提供一种如目的之一所述的稠杂环化合物的制备方法，所述具有式I结构的稠杂环化合物的制备方法包括如下步骤：
(1)将H和K发生偶联反应，得到中间体1-I；
(2)将步骤(1)得到的中间体1-I发生关环反应，得到中间体2-I；
(3)将步骤(2)得到的中间体2-I与J发生偶联反应，得到所述稠杂环化合物I；
其中，步骤(1)所述H为
Figure BDA0002481250860000071
步骤(1)所述K为
Figure BDA0002481250860000072
步骤(2)所述中间体1-I为
Figure BDA0002481250860000073
步骤(2)所述中间体2-I为
Figure BDA0002481250860000074
步骤(3)所述J为
Figure BDA0002481250860000075
R1-R17、L、Ar和n具有与上述相同的限定范围，X为卤素；
优选地，步骤(1)所述H选自如下H-1～H-6结构中的任意一种：
Figure BDA0002481250860000081
优选地，步骤(1)中所述的K为：
Figure BDA0002481250860000082
优选地，步骤(3)所述J具有如下L-Ar-1～L-Ar-25结构中的任意一种：
Figure BDA0002481250860000083
Figure BDA0002481250860000091
优选地，所述具有式II结构的稠杂环化合物的制备方法包括如下步骤：
(1)将H’和K发生偶联反应，得到中间体1-Ⅱ；
(2)将步骤(1)得到的中间体1-Ⅱ发生关环反应，得到中间体2-Ⅱ；
(3)将步骤(2)得到的中间体2-Ⅱ与J发生偶联反应，得到所述稠杂环化合物Ⅱ；
其中，步骤(1)所述H’为
Figure BDA0002481250860000092
步骤(1)所述K为
Figure BDA0002481250860000093
步骤(2)所述中间体1-Ⅱ为
Figure BDA0002481250860000094
步骤(3)所述中间体2-Ⅱ为
Figure BDA0002481250860000101
步骤(3)所述J为
Figure BDA0002481250860000102
R1-R13、R16、R17、L、Ar和n具有与上述相同的限定范围，X为卤素；
优选地，步骤(1)所述H’为
Figure BDA0002481250860000103
优选地，步骤(1)中所述的K为
Figure BDA0002481250860000104
优选地，步骤(3)所述J具有如下L-Ar-1～L-Ar-25结构中的任意一种：
Figure BDA0002481250860000105
Figure BDA0002481250860000111
作为本发明的优选技术方案，所述优选化合物稠杂环化合物具有式I和式II所示的结构：
Figure BDA0002481250860000112
式I结构和式II结构的化合物均由A、B和C三部分组成。
其中式I结构的稠杂环化合物包括如下I-A、I-B以及I-C三部分组成：
Figure BDA0002481250860000113
其中，
Figure BDA00024812508600001111
与
Figure BDA00024812508600001110
连接，
Figure BDA0002481250860000116
与
Figure BDA0002481250860000117
连接，
Figure BDA0002481250860000118
与
Figure BDA0002481250860000119
连接；
其中，I-A选自如下结构：
Figure BDA0002481250860000121
I-B的结构为
Figure BDA0002481250860000122
I-C选自如下结构：
Figure BDA0002481250860000123
Figure BDA0002481250860000131
其中式II结构的稠杂环化合物包括如下II-A、II-B以及I-C三部分组成：
Figure BDA0002481250860000132
其中，
Figure BDA0002481250860000133
与
Figure BDA0002481250860000134
连接，
Figure BDA0002481250860000135
与
Figure BDA0002481250860000136
连接，
Figure BDA0002481250860000137
与
Figure BDA0002481250860000138
连接，
Figure BDA0002481250860000139
与
Figure BDA00024812508600001310
连接；
其中，II-A为
Figure BDA00024812508600001311
II-B为
Figure BDA00024812508600001312
I-C与式I中的I-C相同；具有式I结构和式II结构的稠杂环化合物I-1～II-25见表1：
表1
Figure BDA00024812508600001313
Figure BDA0002481250860000141
Figure BDA0002481250860000151
Figure BDA0002481250860000161
其中，基团A在制备过程中对应的来源为H或H’，基团B在制备过程中对应的来源为K，基团C在制备过程中对应的来源为J。
本发明的目的之三在于提供一种目的之一所述的稠杂环化合物的应用，所述稠杂环化合物用作有机电致发光材料；
优选地，所述有机电致发光材料用作有机电致发光层的主体材料。
本发明的目的之四在于提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层包括目的之一所述的稠杂环化合物中的任意一种或至少两种的组合。
优选地，所述有机层包括发光层，所述发光层包括主体材料和客体材料，所述主体材料包括目的之一所述的有机电致发光化合物中的任意一种或至少两种的组合。
在本发明中，有机层还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层中的任意一种或至少两种的组合。
本发明的目的之五在于提供一种如目的之四所述的有机电致发光器件在显示装置或照明装置中的应用。
本发明的有机电致发光装置，可以生产显示器系统，例如智能手机、平板电脑、笔记本、PC、TV、或用于汽车的显示器系统；或发光系统，例如室外或室内发光系统。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
本发明在提供的有机电致发光化合物作为有机电致发光器件的发光层主体材料，其中母环结构为一个大的共轭结构，具有较强的富电子性，Ar为供电子基团，整个化合物具有良好的空穴迁移性能，作为发光辅助层材料或作为电子阻挡层材料，能提高发光效率；Ar为吸电子基团，化合物的HOMO、LUMO能级分离，空穴与电子传输平衡，作为发光层材料，使得器件具有良好的发光效率和较长的使用寿命。
附图说明
图1为实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图，其中，1为基板，2为阳极，3为空穴注入层，4为空穴传输层，5为发光层，6为电子传输层，7为电子注入层，8为阴极。
具体实施方式
下面通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
本发明所提供的化合物的合成方法属于常规方法，本领域的技术人员可以通过现有技术进行合成，示例性地，提供如下制备例中的几种典型化合物的合成方法。
本发明中未提到的合成方法的化合物的都是通过商业途径获得的原料产品。本发明中所用溶剂和试剂，例如碳酸钾、甲苯、四(三苯基膦)钯、二氯甲烷、1,2-二氯苯、无水硫酸镁、二氧六环、双联频哪醇基二硼等化学试剂，均可以从国内化工产品市场购买，例如购买自国药集团试剂公司、TCI公司、上海毕得医药公司、百灵威试剂公司等。另外，本领域技术人员也可以通过公知方法合成。
本发明中的中间体和化合物的分析检测使用质谱仪(型号型号Orbitrap ID-XTribrid)和有机元素分析仪(型号PE2400Ⅱ)。
下面将以多个制备例为例来详述本发明的上述新化合物的具体制备方法，但本发明的制备方法并不限于这些制备例。
制备例1
Figure BDA0002481250860000171
(1)1-Ⅰ-1的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入K-1(2.79克，0.01mol，1当量)、H-1(2.43克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(乙酸乙酯/己烷，1/15)，得化合物1-Ⅰ-1(1.77克，产率40％)。
(2)2-Ⅰ-1的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入1-Ⅰ-1(4.42克，0.01mol)，二氯二(三环己基膦)钯(0.5mmol)，叔戊酸(0.2mmol)，碳酸铯(0.01mol)，二甲基乙酰胺(10毫升)，150摄氏度反应8小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/15)，得化合物2-Ⅰ-1(2.76克，产率68％)。
(3)Ⅰ-1的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入2-Ⅰ-1(4.06克，0.01mol，1当量)、L-Ar-1(2.84克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/10)，得化合物Ⅰ-1(4.70克，产率77％)。
对得到的化合物的结构进行表征，结果如下：
元素分析：C44H26N4，理论值：C，86.53，H，4.29，N，9.17，实测值：C，86.49，H，4.31，N，9.20。
高分辨质谱分析：HRMS(ESI)m/z(M+)：理论值：610.2157，实测值：610.2163。
制备例2
Figure BDA0002481250860000181
Ⅰ-9的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入2-Ⅰ-1(4.06克，0.01mol，1当量)、L-Ar-9(3.11克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/10)，得化合物Ⅰ-9(4.71克，产率74％)。
对得到的化合物的结构用进行表征，结果如下：
元素分析：C45H27N5，理论值：C，84.75，H，4.27，N，10.98，实测值：C，84.79，H，4.26，N，10.95。
高分辨质谱分析：HRMS(ESI)m/z(M+)：理论值：637.2266，实测值：637.2260。
制备例3
Figure BDA0002481250860000182
Ⅰ-10的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入2-Ⅰ-1(4.06克，0.01mol，1当量)、L-Ar-10(3.87克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/10)，得化合物Ⅰ-10(5.63克，产率79％)。
对得到的化合物的结构进行表征，结果如下：
元素分析：C51H31N5，理论值：C，85.81，H，4.38，N，9.81，实测值：C，85.76，H，4.40，N，9.84。
高分辨质谱分析：HRMS(ESI)m/z(M+)：理论值：713.2579，实测值：713.2586。
制备例4
Figure BDA0002481250860000191
(1)1-Ⅰ-33的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入K-1
(2.79克，0.01mol，1当量)、H-2(3.43克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(乙酸乙酯/己烷，
1/15)，得化合物1-Ⅰ-33(1.68克，产率31％)。
(2)2-Ⅰ-33的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入1-Ⅰ-33(5.42克，0.01mol)，二氯二(三环己基膦)钯(0.5mmol)，叔戊酸(0.2mmol)，碳酸铯(0.01mol)，二甲基乙酰胺(10毫升)，150摄氏度反应8小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/15)，得化合物2-Ⅰ-33(3.19克，产率63％)。
(3)Ⅰ-33的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入2-Ⅰ-33(5.06克，0.01mol，1当量)、L-Ar-8(3.40克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/10)，得化合物Ⅰ-33(3.70克，产率52％)。
对得到的化合物的结构进行表征，结果如下：
元素分析：C52H30N4，理论值：C，87.86，H，4.25，N，7.88，实测值：C，87.89，H，4.24，N，7.87。
高分辨质谱分析：HRMS(ESI)m/z(M+)：理论值：710.2470，实测值：710.2476。
制备例5
Figure BDA0002481250860000201
(1)1-Ⅰ-97的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入K-1(2.79克，0.01mol，1当量)、H-4(4.35克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(乙酸乙酯/己烷，1/15)，得化合物1-Ⅰ-97(2.28克，产率36％)。
(2)2-Ⅰ-97的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入1-Ⅰ-97(6.34克，0.01mol)，二氯二(三环己基膦)钯(0.5mmol)，叔戊酸(0.2mmol)，碳酸铯(0.01mol)，二甲基乙酰胺(10毫升)，150摄氏度反应8小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/15)，得化合物2-Ⅰ-97(3.89克，产率65％)。
(3)Ⅰ-97的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入2-Ⅰ-97(5.98克，0.01mol，1当量)、L-Ar-22(3.23克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/10)，得化合物Ⅰ-97(4.79克，产率57％)。
对得到的化合物的结构进行表征，结果如下：
元素分析：C63H43N3，理论值：C，89.86，H，5.15，N，4.99，实测值：C，89.90，H，5.13，N，4.97。
高分辨质谱分析：HRMS(ESI)m/z(M+)：理论值：841.3457，实测值：841.3464。
制备例6
Figure BDA0002481250860000211
(1)1-Ⅰ-102的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入K-1(2.79克，0.01mol，1当量)、H-5(3.20克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(乙酸乙酯/己烷，1/15)，得化合物1-Ⅰ-102(1.50克，产率29％)。
(2)2-Ⅰ-102的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入1-Ⅰ-102(5.19克，0.01mol)，二氯二(三环己基膦)钯(0.5mmol)，叔戊酸(0.2mmol)，碳酸铯(0.01mol)，二甲基乙酰胺(10毫升)，150摄氏度反应8小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/15)，得化合物2-Ⅰ-102(3.14克，产率65％)。
(3)Ⅰ-102的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入2-Ⅰ-102(4.83克，0.01mol，1当量)、L-Ar-2(2.85克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/10)，得化合物Ⅰ-102(3.51克，产率51％)。
对得到的化合物的结构进行表征，结果如下：
元素分析：C49H28DN5，理论值：C，85.44，H，4.39，N，10.17，实测值：C，85.39，H，4.41，N，10.20。
高分辨质谱分析：HRMS(ESI)m/z(M+)：理论值：688.2486，实测值：688.2478。
制备例7
Figure BDA0002481250860000221
(1)1-ⅠI-1的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入K-1(2.79克，0.01mol，1当量)、H-6(2.77克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(乙酸乙酯/己烷，1/15)，得化合物1-Ⅱ-1(0.86克，产率18％)。
(2)2-IⅠ-1的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入1-Ⅱ-1(4.76克，0.01mol)，二氯二(三环己基膦)钯(0.5mmol)，叔戊酸(0.2mmol)，碳酸铯(0.01mol)，二甲基乙酰胺(10毫升)，150摄氏度反应8小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/15)，得化合物2-Ⅱ-1(1.86克，产率46％)。
(3)IⅠ-1的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入2-Ⅱ-1(4.04克，0.01mol，1当量)、L-Ar-1(2.84克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/10)，得化合物Ⅱ-1(4.50克，产率74％)。
对得到的化合物的结构进行表征，结果如下：
元素分析：C44H24N4，理论值：C，86.82，H，3.97，N，9.20，实测值：C，86.78，H，3.98，N，9.24。
高分辨质谱分析：HRMS(ESI)m/z(M+)：理论值：608.2001，实测值：608.2006。
制备例8
Figure BDA0002481250860000222
Ⅱ-14的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入2-Ⅱ-1(4.04克，0.01mol，1当量)、L-Ar-14(3.60克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/10)，得化合物Ⅱ-14(4.79克，产率70％)。
对得到的化合物的结构进行表征，结果如下：
元素分析：C50H28N4，理论值：C，87.70，H，4.12，N，8.18，实测值：C，87.74，H，4.11，N，8.15。
高分辨质谱分析：HRMS(ESI)m/z(M+)：理论值：684.2314，实测值：684.2319。
制备例9
Figure BDA0002481250860000231
Ⅱ-25的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入2-Ⅱ-1(4.04克，0.01mol，1当量)、L-Ar-25(3.21克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/10)，得化合物Ⅱ-25(4.00克，产率62％)。
对得到的化合物的结构进行表征，结果如下：
元素分析：C48H27N3，理论值：C，89.28，H，4.21，N，6.51，实测值：C，89.31，H，4.20，N，6.49。
高分辨质谱分析：HRMS(ESI)m/z(M+)：理论值：645.2205，实测值：645.2210。
制备例10
Figure BDA0002481250860000241
(1)1-Ⅰ-246的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入K-1(2.79克，0.01mol，1当量)、H-7(2.88克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(乙酸乙酯/己烷，1/15)，得化合物1-Ⅰ-246(0.73克，产率15％)。
(2)2-Ⅰ-246的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入1-Ⅱ-246(4.87克，0.01mol)，二氯二(三环己基膦)钯(0.5mmol)，叔戊酸(0.2mmol)，碳酸铯(0.01mol)，二甲基乙酰胺(10毫升)，150摄氏度反应8小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/15)，得化合物2-Ⅰ-246(1.85克，产率41％)。
(3)3-Ⅰ-246的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入2-Ⅰ-246(4.51克，0.01mol，1当量)、L-Ar-5(3.60克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/10)，得化合物3-Ⅰ-246(5.41克，产率74％)。
(4)4-Ⅰ-246的合成：
50毫升双颈圆底瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入中间体3-Ⅰ-246(7.31克，0.01mol，1当量)、三苯基膦(2当量)和1，2-二氯苯(20毫升)，180摄氏度加热反应12小时，反应完成后冷却至室温，反应体系经浓缩，粗产物以层析纯化(乙酸乙酯/正己烷，1/10(体积比))，得中间体4-Ⅰ-246(3.91克，产率56％)。
(3)Ⅰ-246的合成：
取50毫升双颈圆底烧瓶并放入搅拌子与上接回流管，干燥后充入氮气，分别加入4-Ⅰ-246(6.99克，0.01mol，1当量)、L-Ar-21(2.32克，0.01mol，1当量)，醋酸钯(0.5mmol)，碳酸钾(0.012mol)，三苯基磷(1.5mmol)，甲苯(15mL)，加完后，氮气保护下回流4小时，反应后冷却至室温，反应体系过滤后浓缩，粗产物以层析纯化(二氯甲烷/己烷，1/10)，得化合物Ⅰ-246(7.23克，产率85％)。
对得到的化合物的结构进行表征，结果如下：
元素分析：C62H37N5，理论值：C，87.40，H，4.38，N，8.22，实测值：C，87.45，H，4.36，N，8.19。
高分辨质谱分析：HRMS(ESI)m/z(M+)：理论值：851.3049，实测值：851.3054。
实施例1
本实施例提供一种有机电致发光器件，结构示意图如图1所示，包括自下而上依次设置在基板1上的阳极层2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、电子注入层7和阴极8。
其中，阳极2选用ITO材料，空穴注入层3选用NDP-9和NPB，其中，NDP-9:NPB＝3:97(质量比)；空穴传输层4选用NPB；发光层5由主体材料和掺杂材料组成，主体材料选用合成例1合成的化合物I-1，客体材料选用Ir(DBQ)2(acac)，主体材料和客体材料的质量比为95:5；电子传输层6选用BPhen和LiQ，其中BPhen:LiQ＝1：1(质量比)；电子注入层7选用LiQ；阴极8选用Mg/Ag，其中，Mg:Ag＝9:1(质量比)。
Figure BDA0002481250860000251
有机电致发光器件的制备过程如下：
(1)基板清理：将涂布了透明ITO电机基板在水性清洗剂(所述水性清洗剂的成分及浓度：乙二醇类溶剂≤10wt％，三乙醇胺≤1wt％)中超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮与乙醇的混合溶剂(体积比1:1)中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水分，然后用紫外光和臭氧清洗；
(2)蒸镀：把上述带有阳极层的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-6至2×10-4Pa，在上述阳极层膜上以共蒸的方式真空蒸镀空穴注入材料，NDP-9与NPB按质量比调整速率，蒸镀总速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为10nm；
(3)在空穴注入层之上蒸镀空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀膜厚为80nm；
(4)在空穴传输层之上蒸镀发光层，以共蒸的方式真空蒸镀发光主体材料和客体材料，主体材料与客体材料按质量比调整蒸镀速率，蒸镀总速率为0.01nm/s，蒸镀总膜厚为40nm；
(5)在发光层之上真空蒸镀一层电子传输层，按质量比调整蒸镀速率，其蒸镀总速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为30nm；
(6)在电子传输层上真空蒸镀一层电子注入层，其蒸镀速率为0.05nm/s，蒸镀总膜厚为1nm；
(7)Mg/Ag作为器件的阴极层，按质量比调整蒸镀速率，蒸镀总速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为80nm。
实施例2-10
与实施例1的区别仅在于将实施例1中的化合物I-1替换为制备例2-10的化合物，其余组成以及制备方法均与实施例1相同。
对比例1
与实施例1的区别仅在于将实施例1中的化合物I-1替换为替换为CBP，其余组成以及制备方法均与实施例1相同。
Figure BDA0002481250860000261
实施例11
与实施例1的区别仅在于，发光层的主体材料采用CBP材料，并在空穴传输层和发光层之间加入电子阻挡层，电子阻挡层采用的材料为I-97，厚度为5mm。
将具体实施方式中的化合物进行如下性能测试：
(1)使用热重分析仪(美国TA TGA55)对稠环化合物材料进行热分解温度测试，测试范围室温至600℃，升温速率10℃/min，氮气氛围下，重量损失5％的温度定义为热分解温度(Td)，测定结果如表2所示：
表2
实施例 化合物 T<sub>d</sub>(℃) 实施例 化合物 T<sub>d</sub>(℃)
实施例1 Ⅰ-1 381 实施例6 Ⅰ-102 406
实施例2 Ⅰ-9 392 实施例7 Ⅱ-1 379
实施例3 Ⅰ-10 423 实施例8 Ⅱ-14 401
实施例4 Ⅰ-33 419 实施例9 Ⅱ-25 388
实施例5 Ⅰ-97 443 实施例10 Ⅰ-246 478
由表2可知，本发明所述化合物的热稳定性高，其热分解温度可达379-478℃，避免材料在制备、封装等过程中发生分解，提高器件的稳定性。
(2)测试HOMO和LOMO能级：使用电化学工作站利用循环伏安法(CV上海辰华CHI-600E)对实施例制得的稠环化合物材料的LUMO能级进行测试，以铂丝(Pt)为对电极，银/氯化银(Ag/AgCl)为参比电极。在氮气氛围下，在含有0.1M四丁基六氟磷酸铵的二氯甲烷电解液中以100mV/s的扫描速率进行测试，以二茂铁进行电位标定，设定二茂铁的电位在真空状态下的绝对能级为-4.8eV：
HOMO能阶＝-e(Eox-E1/2,ferrocene)+(-4.8)eV
LUMO能阶＝-e(Ere-E1/2,ferrocene)+(-4.8)eV
ET1(eV)三线态能级。
Eox为氧化电位，Ere为还原电位，E1/2,ferrocene为二茂铁电位。三线态能级测试条件：荧光分光光度计(日立F-4600)，溶液状态(甲苯做溶剂，浓度2*10-5mol/L)，-78摄氏度条件下测试。
ET1＝1240/最短吸收波长
测试结果见表3：
表3
Figure BDA0002481250860000271
由表3可知，本发明所述化合物具有合适的HOMO、LUMO能级，以及三线态能级，化合物的HOMO能级和LUMO能级与相邻的传输层相匹配，用作有机电致发光材料能有效降低驱动电压，提高发光效率。
(3)针对本发明提供的部分器件实施例和1个器件对比例中的有机电致发光器件进行如下测试：
器件的电流、电压、亮度、发光光谱等特性采用PR 650光谱扫描亮度计和KeithleyK 2400数字源表系统同步测试，测试条件：电流密度为20mA/cm2，室温；
寿命测试：器件亮度下降至原始亮度的95％时记录时间(以小时计)。
结果见表4。
表4
Figure BDA0002481250860000272
由表4可知，本发明化合物用作发光层材料，或电子阻挡层材料，具有低驱动电压和改进的电流效率和使用寿命，其驱动电压低至4.55-5.02V，电流效率可达14.76-26.12cd/A，工作寿命可达45-88h；由此可见，本发明提供的有机电致化合物作为发光层或者电子阻挡层时，可以有效降低器件的工作电压，同时提升器件的发光效率以及使用寿命。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种稠杂环化合物，其特征在于，所述稠杂环化合物具有式I或式II所示的结构：
Figure FDA0002481250850000011
其中，L选自单键、取代或未取代的C1-C30亚烷基、取代或未取代的C6-C30亚芳基、取代或未取代的C3-C30的亚杂芳基、取代或未取代的C3-C30亚环烷基中的任意一种；
n为0-2的整数；
Ar选自取代或未取代的C6-C60的芳基、取代或未取代的C3-C60的杂芳基、取代或未取代的C6-C60的芳氧基、取代或未取代的C6-C60的芳香胺基、取代或未取代的C6-C60的硫代芳氧基、取代或未取代的C6-C60的芳硼基、取代或未取代的C6-C60的芳膦基、取代或未取代的C4-C60的杂芳氧基、取代或未取代的C4-C60的杂芳香胺基、取代或未取代的C4-C60的硫代杂芳氧基、取代或未取代的C4-C60的杂芳硼基、取代或未取代的C4-C60的杂芳膦基中的任意一种；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17各自独立地选自氢原子、氘原子、卤素、氰基、羟基、硝基、氨基、脒基、肼、腙、取代或未取代的C1-C60的烷基、取代或未取代的C2-C60的烯基、取代或未取代的C2-C60的炔基、取代或未取代的C1-C60的烷胺基、取代或未取代的C2-C60的烯胺基、取代或未取代的C2-C60的炔胺基、取代或未取代的C1-C60的烷氧基、取代或未取代的C2-C60的烯氧基、取代或未取代的C2-C60的炔氧基、取代或未取代的C1-C60的硫代烷氧基、取代或未取代的C2-C60的硫代烯氧基、取代或未取代的C2-C60的硫代炔氧基、取代或未取代的三C1-C30烷基甲硅烷基、取代或未取代的二C1-C30烷基C6-C30芳基甲硅烷基、取代或未取代的C1-C30烷基二C6-C30芳基甲硅烷基、取代或未取代的三C6-C30芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-C1-C30烷基氨基、取代或未取代的单-或二-C6-C30芳基氨基、取代或未取代的C1-C30烷基C6-C30芳基氨基、取代或未取代的C1-C60的酯基、取代或未取代的C1-C60的酰胺基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C6-C30的芳氧基、取代或未取代的C6-C30的硫代芳氧基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基中的任意一种；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17中各基团彼此不连接或其中2-4个相邻的基团连接成环，所述环各自独立地选自C3-C7的饱和或部分不饱和的碳环、C3-C7的饱和或部分不饱和的碳杂环、C6-C60的芳环或C3-C30的杂芳环中的任意一种；
L、Ar、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17中，所述取代的基团选自氘原子、卤素、硝基、氰基或由氘原子、卤素、氰基或硝基中的一个或多个取代或未取代的C1-C4的烷基、C1-C4的烷氧基、C1-C4的烯基、C6-C12的芳基、C6-C12的芳氧基、C6-C12的芳胺基、C3-C12元的杂芳基或C3-C12的杂芳胺基中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的稠杂环化合物，其特征在于，所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17各自独立地选自氘原子、卤素、硝基、氰基、取代或未取代的C1-C4的烷基、取代或未取代的C2-C4的烯基、取代或未取代的C2-C4的炔基、取代或未取代的C1-C4的烷胺基、取代或未取代的C2-C4的烯胺基、取代或未取代的C2-C4的炔胺基、取代或未取代的C1-C4的烷氧基、取代或未取代的C2-C4的烯氧基、取代或未取代的C2-C4的炔氧基、取代或未取代的C1-C4的硫代烷氧基、取代或未取代的C2-C4的硫代烯氧基、取代或未取代的C2-C4的硫代炔氧基、取代或未取代的三C1-C4烷基甲硅烷基、取代或未取代的二C1-C4烷基C6-C20芳基甲硅烷基、取代或未取代的C1-C4烷基二C6-C20芳基甲硅烷基、取代或未取代的三C6-C20芳基甲硅烷基、取代或未取代的单-或二-C1-C20烷基氨基、取代或未取代的单-或二-C6-C20芳基氨基、取代或未取代的C1-C4烷基C6-C20芳基氨基、C1-C4的酯基、C1-C4的酰胺基、C6-C20的芳基、C3-C20的杂芳基、C6-C20的芳氧基或C6-C20的硫代芳氧基中的任意一种；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14中各基团彼此不连接或其中2-4个相邻的基团连接成环，所述环各自独立地选自C3-C7的饱和或部分不饱和的碳环、C3-C7的饱和或部分不饱和的碳杂环、C6-C60的芳环或C3-C30的芳杂环中的任意一种；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17中，所述取代的基团各自独立地具有与权利要求1相同的限定范围；
优选地，所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17各自独立地选自氘原子、卤素、硝基、氰基、C1-C4的烷基、卤素取代的C1-C4的烷基、氘取代的C1-C4的烷基、C1-C4的烷氧基、C1-C4的烯基、卤素取代的C1-C4的烯基、氘取代的C1-C4的烯基、C6-C12的芳基、C6-C12的芳氧基、C6-C12的芳胺基、卤素取代的C6-C12的芳基、氘取代的C6-C12的芳基、C2-C12的杂芳基、卤素取代的C2-C12的杂芳基或氘取代的C2-C12的杂芳基中的任意一种；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13和R14中各基团彼此不连接或其中2-4个相邻的基团连接成环，所述环各自独立地选自C3-C7的饱和或部分不饱和的碳环、C3-C7的饱和或部分不饱和的碳杂环、C6-C60的芳环或C3-C30的芳杂环中的任意一种。
3.根据权利要求1或2所述的稠杂环化合物，其特征在于，所述Ar具有式Ⅲ所示的结构：
Figure FDA0002481250850000021
其中，X1、X2、X3、X4、X5和X6各自独立地选自N或CR20，且X1、X2、X3、X4、X5和X6中有0-3项为N；
R20选自氢原子、氘原子、卤素、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、取代或未取代的C1-C30的烷基、取代或未取代的C2-C30的烯基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基、取代或未取代的C6-C30的芳氧基、取代或未取代的C6-C30的芳香胺基、取代或未取代的C6-C30的硫代芳氧基、取代或未取代的C6-C30的芳硼基、取代或未取代的C6-C30的芳磷基中的任意一种；任意两个相邻的R20基团彼此不连接或连接成环，所述环各自独立地选自C3-C7的饱和或部分不饱和的碳环、C3-C7的饱和或部分不饱和的碳杂环、C6-C60的芳环或C3-C30的芳杂环中的任意一种；
Figure FDA0002481250850000022
代表基团的连接位点；
R20中，所述取代的基团各自独立地具有与权利要求1相同的限定范围。
4.根据权利要求1-3任一项所述的稠杂环化合物，其特征在于，所述Ar选自如下基团中的任意一种：
Figure FDA0002481250850000031
其中，Q1、Q2和Q3各自独立地选自N或CR22；
Q4和Q5各自独立地选自单键、NR22、O或S中的任意一种；
Q6和Q7各自独立地选自N或CR22；
n1为0-4的整数；
n2为0-2的整数；
Ar2、R21、R22各自独立地选自氢原子、氘原子、卤素、硝基、氰基、取代或未取代的C1-C4的烷基、取代或未取代的C2-C4的烯基、取代或未取代的C6-C30的芳基、取代或未取代的C3-C30的杂芳基、取代或未取代的C6-C30的芳氧基、取代或未取代的C6-C30的芳香胺基、取代或未取代的C3-C30的杂芳香胺基、取代或未取代的C6-C30的硫代芳氧基、取代或未取代的C6-C30的芳硼基，取代或未取代的C6-C30的芳磷基；任意相邻的两个R21基团彼此不连接或连接成环，所述环各自独立地选自C3-C7的饱和或部分不饱和的碳环、C3-C7的饱和或部分不饱和的碳杂环、C6-C60的芳环或C3-C30的芳杂环中的任意一种；
Figure FDA0002481250850000033
表示接入位点；
Ar2、R21、R22中，所述取代的基团各自独立地具有与权利要求1相同的限定范围；
优选地，所述Q1、Q2和Q3中至少有一项为N；
优选地，所述Q4和Q5中至少有一项为单键，且Q4和Q5不同时为单键。
5.根据权利要求1-4任一项所述的稠杂环化合物，其特征在于，所述Ar选自被R23取代或未取代的如下基团中的任意一种：
Figure FDA0002481250850000032
Figure FDA0002481250850000041
其中，
Figure FDA0002481250850000042
表示接入位点；
T1和T2各自独立地选自O、S、CR18R18或NR18中的任意一项；
R18各自独立地选自氢原子、氘原子、卤素、氰基、硝基、取代或未取代的C1-C4的烷基、取代或未取代的C6-C12的芳基中的任意一种；
R23各自独立地选自氘原子、卤素、氰基、硝基、C1-C4的烷基、氘取代的C1-C4的烷基、卤素取代的C1-C4的烷基、C1-C4的烯基、C6-C20的芳基、氘取代C6-C20的芳基、氰基取代C6-C20的芳基、卤素取代C6-C20的芳基、三氟甲基取代C6-C20的芳基、C3-C12的杂芳基、氘取代C3-C12的杂芳基、氰基取代C3-C12的杂芳基、卤素取代C3-C12的杂芳基或三氟甲基取代C3-C12的杂芳基中的任意一种或至少两种的组合；
Figure FDA0002481250850000055
表示接入位点；
R18中，所述取代的基团各自独立地具有与权利要求1相同的限定范围；
优选地，R18选自甲基、苯基、氘代甲基、氘代苯基、卤素取代的甲基、卤素取代的苯基。
6.根据权利要求1-5任一项所述稠杂环化合物的制备方法，其特征在于，所述具有式I结构的稠杂环化合物的制备方法包括如下步骤：
(1)将H和K发生偶联反应，得到中间体1-I；
(2)将步骤(1)得到的中间体1-I发生关环反应，得到中间体2-I；
(3)将步骤(2)得到的中间体2-I与J发生偶联反应，得到所述稠杂环化合物Ⅰ；
其中，步骤(1)所述H为
Figure FDA0002481250850000051
步骤(1)所述K为
Figure FDA0002481250850000052
步骤(2)所述中间体1-I为
Figure FDA0002481250850000053
步骤(2)所述中间体2-I为
Figure FDA0002481250850000054
步骤(3)所述J为
Figure FDA0002481250850000061
R1-R17、L、Ar和n具有与权利要求1-5任一项相同的限定范围，X为卤素；
优选地，步骤(1)所述H选自如下H-1～H-6结构中的任意一种：
Figure FDA0002481250850000062
优选地，步骤(1)中所述的K为
Figure FDA0002481250850000063
优选地，步骤(3)所述J具有如下L-Ar-1～L-Ar-25结构中的任意一种：
Figure FDA0002481250850000064
Figure FDA0002481250850000071
7.根据权利要求1-5任一项所述稠杂环化合物的制备方法，其特征在于，所述具有式II结构的稠杂环化合物的制备方法包括如下步骤：
(1)将H’和K发生偶联反应，得到中间体1-Ⅱ；
(2)将步骤(1)得到的中间体1-Ⅱ发生关环反应，得到中间体2-Ⅱ；
(3)将步骤(2)得到的中间体2-Ⅱ与J发生偶联反应，得到所述稠杂环化合物Ⅱ；
其中，步骤(1)所述H’为
Figure FDA0002481250850000072
步骤(1)所述K为
Figure FDA0002481250850000073
步骤(2)所述中间体1-Ⅱ为
Figure FDA0002481250850000074
步骤(3)所述中间体2-Ⅱ为
Figure FDA0002481250850000081
步骤(3)所述J为
Figure FDA0002481250850000082
R1-R13、R16、R17、L、Ar和n具有与权利要求1-5任一项相同的限定范围，X为卤素；优选地，步骤(1)所述H’为
Figure FDA0002481250850000083
优选地，步骤(1)中所述的K为
Figure FDA0002481250850000084
优选地，步骤(3)所述J具有如下L-Ar-1～L-Ar-25结构中的任意一种：
Figure FDA0002481250850000085
Figure FDA0002481250850000091
8.一种根据权利要求1-5中任一项所述的稠杂环化合物的应用，其特征在于，所述稠杂环化合物用作有机电致发光材料；
优选地，所述有机电致发光材料用作有机电致发光层的主体材料。
9.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的有机层，所述有机层包括权利要求1-5任一项所述的稠杂环化合物中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，所述有机层包括发光层，所述发光层包括主体材料和客体材料，所述主体材料包括权利要求1-5任一项所述的稠杂环化合物中的任意一种或至少两种的组合。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件在显示装置或照明装置中的应用。
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