CN111446526B - 一种介质滤波器 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种介质滤波器，该介质滤波器一体成型，且介质滤波器的顶面设置有由第一盲孔构成的上谐振腔，底面设置有由第二盲孔构成的下谐振腔；介质滤波器开设有由自顶面至底面贯穿的通孔构成的贯穿谐振腔，解决了现有双层结构的介质滤波器不仅增加了焊接工艺，且加大了产品不一致性，产品性能波动较大的技术问题。

Description

一种介质滤波器

技术领域

本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种介质滤波器。

背景技术

随着通信技术的发展，尤其是5G时代的到来，对通信系统架构提出了更高的要求，系统模块要做到高度集成化、小型化等，介质滤波器因具有低损耗、峰值功率大、小型化等特点，在5G通信设备中具有广泛的应用前景。

现有介质波导滤波器包括：单层结构和双层结构，其中单层结构的所有谐振腔都开设在同一个平面，排腔限制较多，双层结构通过不同层排列，可以有效利用空间。但该双层结构一般分为上层或者下层两个模块，两模块间通过焊接或者烧结等方式连接在一起。这种双层方式不仅增加了焊接工艺，且加大了产品不一致性，产品性能波动较大。

发明内容

有鉴于此，本申请提供了一种介质滤波器，解决了现有双层结构的介质滤波器不仅增加了焊接工艺，且加大了产品不一致性，产品性能波动较大的技术问题。

本申请提供了一种介质滤波器，包括：所述介质滤波器一体成型；

所述介质滤波器的顶面设置有由第一盲孔构成的上谐振腔，底面设置有由第二盲孔构成的下谐振腔；

所述介质滤波器开设有由自顶面至底面贯穿的通孔构成的贯穿谐振腔。

可选地，

所述上谐振腔内沿非所述第一盲孔延伸的方向开设有第三盲孔。

可选地，

所述第三盲孔和所述第一盲孔垂直。

可选地，

所述下谐振腔内沿非所述第二盲孔延伸的方向开设有第四盲孔。

可选地，

所述第四盲孔和所述第二盲孔垂直。

可选地，

所述贯穿谐振腔内沿非所述通孔延伸的方向开设有第五盲孔。

可选地，

所述第五盲孔和所述通孔垂直。

可选地，

所述上谐振腔的数量为1个，所述下谐振腔的数量为1个，所述贯穿谐振腔的数量为2个。

可选地，

所述上谐振腔的数量为2个，所述下谐振腔的数量为2个，所述贯穿谐振腔的数量为1个。

可选地，

所述上谐振腔的数量为2个，所述下谐振腔的数量为2个，所述贯穿谐振腔的数量为2个。

从以上技术方案可以看出，本申请具有以下优点：

本申请中的介质滤波器一体成型，且介质滤波器的顶面设置有由第一盲孔构成的上谐振腔，底面设置有由第二盲孔构成的下谐振腔；介质滤波器开设有由自顶面至底面贯穿的通孔构成的贯穿谐振腔，由上述描述可知，本申请中的介质滤波器一体成型，不再是通过两个模块的结合得到，不再需要焊接工艺，也不会因块间差异带来产品不一致性，且该一体成型的介质滤波器采用上下层和贯穿排列谐振腔的方式，确保了本实施例中的介质滤波器虽然是单个块的结构，但是不会对谐振腔的排列方式带来限制，解决了现有双层结构的介质滤波器不仅增加了焊接工艺，且加大了产品不一致性，产品性能波动较大的技术问题。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种介质滤波器的结构示意图一；

图2为图1中介质滤波器的波形图；

图3为本申请实施例提供的一种介质滤波器的结构示意图二；

图4为本申请实施例提供的一种介质滤波器的结构示意图三；

图5为本申请实施例提供的一种介质滤波器的结构示意图四。

具体实施方式

本申请实施例提供了一种介质滤波器，解决了现有双层结构的介质滤波器不仅增加了焊接工艺，且加大了产品不一致性，产品性能波动较大的技术问题。

下面将结合附图对本申请实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请实施例一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请实施例中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请实施例保护的范围。

在本申请实施例的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请实施例的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可更换连接，或一体地连接，可以是机械连接，也可以是电连接，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。

本申请实施例提供一种介质滤波器的第一实施例，具体请参阅图1。

本实施例中的介质滤波器，介质滤波器一体成型；介质滤波器的顶面设置有由第一盲孔构成的上谐振腔，底面设置有由第二盲孔构成的下谐振腔；介质滤波器开设有由自顶面至底面贯穿的通孔构成的贯穿谐振腔。

需要说明的是上谐振腔和下谐振腔中各自盲孔的深度，本领域技术人员可以根据需要进行设置，在此不再赘述。

本实施例中的介质滤波器一体成型，且介质滤波器的顶面设置有由第一盲孔构成的上谐振腔，底面设置有由第二盲孔构成的下谐振腔；介质滤波器开设有由自顶面至底面贯穿的通孔构成的贯穿谐振腔，由上述描述可知，本实施例中的介质滤波器一体成型，不再是通过两个模块的结合得到，不再需要焊接工艺，也不会因块间差异带来产品不一致性，且该一体成型的介质滤波器采用上下层和贯穿排列谐振腔的方式，确保了本实施例中的介质滤波器虽然是单个块的结构，但是不会对谐振腔的排列方式带来限制，解决了现有双层结构的介质滤波器不仅增加了焊接工艺，且加大了产品不一致性，产品性能波动较大的技术问题。

以上为本申请实施例提供的一种介质滤波器的实施例一，以下为本申请实施例提供的一种介质滤波器的实施例二，具体请参阅图1至图5。

本实施例中的介质滤波器，介质滤波器一体成型；介质滤波器的顶面设置有由第一盲孔构成的上谐振腔，底面设置有由第二盲孔构成的下谐振腔；介质滤波器开设有由自顶面至底面贯穿的通孔构成的贯穿谐振腔。

为了本实施例中上谐振腔的频率灵活可调，本实施例中在上谐振腔内沿非第一盲孔延伸的方向开设有第三盲孔。第三盲孔可以是金属也可以是非金属盲孔，金属盲孔即第三盲孔的孔壁上设置有金属层，非金属盲孔即第三盲孔的孔壁上设置有非金属层。本领域技术人员可以根据设计需求灵活设置，在此不做具体限定。

第一盲孔的延伸方向即可以理解为与第一盲孔平行或重合的方向，即与第一盲孔所成的夹角为0°或180°，那非第一盲孔延伸的方向设置的第三盲孔与第一盲孔所成的夹角非0°也非180°，可以是30度，也可以是60°、90°、120°等。

具体地，本实施例中第三盲孔和第一盲孔垂直，即第三盲孔和第一盲孔之间的夹角为90°，当然可以理解的是，第三盲孔还可以与第一盲孔呈现不同的夹角，在不同的应用场景中，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。

为了本实施例中下谐振腔的频率灵活可调，本实施例中在下谐振腔内沿非第二盲孔延伸的方向开设有第四盲孔。第四盲孔可以是金属也可以是非金属盲孔，金属盲孔即第四盲孔的孔壁上设置有金属层，非金属盲孔即第四盲孔的孔壁上设置有非金属层。本领域技术人员可以根据设计需求灵活设置，在此不做具体限定。

第四盲孔与第二盲孔的位置关系参见上述第一盲孔和第三盲孔位置关系的描述，在此不再赘述。

具体地，本实施例中第四盲孔和第二盲孔垂直，即第四盲孔和第二盲孔之间的夹角为90°，当然可以理解的是，第四盲孔还可以与第二盲孔呈现不同的夹角，在不同的应用场景中，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。

为了本实施例中贯穿谐振腔的频率灵活可调，本实施例中在贯穿谐振腔内沿非通孔延伸的方向开设有第五盲孔。第五盲孔可以是金属盲孔也可以是非金属盲孔，金属盲孔即第五盲孔的孔壁上设置有金属层，非金属盲孔即第五盲孔的孔壁上设置有非金属层。本领域技术人员可以根据设计需求灵活设置，在此不做具体限定。

第五盲孔与通孔的位置关系参见上述第一盲孔和第三盲孔位置关系的描述，在此不再赘述。

具体地，本实施例中第五盲孔和通孔垂直，即第五盲孔和通孔之间的夹角为90°，当然可以理解的是，第五盲孔还可以与通孔呈现不同的夹角，在不同的应用场景中，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。

如图1所示，本实施例中的介质滤波器的上谐振腔的数量为1个，下谐振腔的数量为1个，贯穿谐振腔的数量为2个。具体设置为：谐振腔101、谐振腔102、谐振腔103和谐振腔104，谐振腔101与谐振腔103分别位于上下层，且中间有间隙隔开，谐振腔102与谐振腔104分别与上下两层连接，为贯穿谐振腔，图中110以及111分别为输入输出端口。谐振腔101与谐振腔102通过耦合结构105连接，谐振腔102与谐振腔103通过耦合结构106连接，谐振腔103与谐振腔104通过耦合结构107连接，谐振腔104与谐振腔101通过耦合结构108连接，谐振腔101与103谐振腔通过耦合结构109连接。此时可以调整耦合结构的位置，使得耦合结构105负耦合，其余耦合结构正耦合，实现两个零点。通过调整耦合结构109的极性或者强弱，可以实现两个零点高低的调整。如图2所示为该结构的介质滤波器的性能，在高端与低端各形成一个零点。

对图1所示的介质滤波器，采用减弱谐振器104与谐振器101的耦合108，并调整耦合结构109耦合的强弱，根据耦合为正或者为负，可以实现低端一个零点或者实现高端一个零点。

如图3所示，本实施例中的介质滤波器还可以是上谐振腔的数量为2个，下谐振腔的数量为2个，贯穿谐振腔的数量为1个，2个上谐振腔分布于贯穿谐振腔的一侧；2个下谐振腔分布于贯穿谐振腔的一侧。具体设置为：谐振腔301、谐振腔302、谐振腔303、谐振腔304和谐振腔305。可见谐振腔301与谐振腔305位于下层，谐振腔303与谐振腔304位于上层，上下层中间有间隙隔开，谐振腔302与上下两层连接，为贯穿谐振腔，谐振腔301与谐振腔302通过耦合结构310连接，谐振腔302与谐振腔303通过耦合结构306连接，谐振腔303与谐振腔304通过耦合结构307连接，谐振腔304与谐振腔305通过耦合结构308连接，谐振腔301与谐振腔303通过耦合结构309连接。通过调整耦合结构位置，使得所有耦合均为正耦合，则由于耦合结构309为正可以在高端形成一个零点；若使得耦合结构309为负，其余耦合结构为正，则可在低端形成一个零点。

如图4所示，本实施例中的介质滤波器还可以是上谐振腔的数量为2个，下谐振腔的数量为2个，贯穿谐振腔的数量为2个。具体设置为：谐振腔401、谐振腔402、谐振腔403、谐振腔404、谐振腔405和谐振腔406。可见谐振腔401与谐振腔406分别位于下层，谐振腔403与谐振腔404分别位上层，上下层中间有间隙隔开，谐振腔402与谐振腔405和上下两层连接，为贯穿谐振腔，谐振腔401与谐振腔402通过耦合结构407连接，谐振腔402与谐振腔403通过耦合结构408连接，谐振腔403与谐振腔404通过耦合结构409连接，谐振腔404与谐振腔405通过耦合结构410连接，谐振腔405与谐振腔406通过耦合结构411连接，谐振腔401与谐振腔403通过耦合结构412连接，谐振腔404与谐振腔406通过耦合结构413连接。通过调试耦合结构位置，根据耦合结构411耦合极性的不同，可以在通带低端或者高端形成一个零点，根据耦合结构412耦合极性的不同，可以在通带低端或者高端形成第二个零点。

如图5所示，本实施例中的介质滤波器由模块501与502组成，模块501与模块502分别包括4个谐振腔，模块501与模块502之间通过图案耦合。模块501与502单块内部采用之前实施例所用耦合结构，可以实现多个零点以及更好的性能。

本实施例中的介质滤波器一体成型，且介质滤波器的顶面设置有由第一盲孔构成的上谐振腔，底面设置有由第二盲孔构成的下谐振腔；介质滤波器开设有由自顶面至底面贯穿的通孔构成的贯穿谐振腔，由上述描述可知，本实施例中的介质滤波器一体成型，不再是通过两个模块的结合得到，不再需要焊接工艺，也不会因块间差异带来产品不一致性，且该一体成型的介质滤波器采用上下层和贯穿排列谐振腔的方式，确保了本实施例中的介质滤波器虽然是单个块的结构，但是不会对谐振腔的排列方式带来限制，解决了现有双层结构的介质滤波器不仅增加了焊接工艺，且加大了产品不一致性，产品性能波动较大的技术问题。

以上所述，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (4)

1.一种介质滤波器，其特征在于，所述介质滤波器一体成型；

所述介质滤波器的顶面设置有由第一盲孔构成的上谐振腔，底面设置有由第二盲孔构成的下谐振腔；

所述介质滤波器开设有由自顶面至底面贯穿的通孔构成的贯穿谐振腔；

相邻两个谐振腔之间设置有耦合结构。

2.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述上谐振腔的数量为1个，所述下谐振腔的数量为1个，所述贯穿谐振腔的数量为2个。

3.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述上谐振腔的数量为2个，所述下谐振腔的数量为2个，所述贯穿谐振腔的数量为1个。

4.根据权利要求1所述的介质滤波器，其特征在于，所述上谐振腔的数量为2个，所述下谐振腔的数量为2个，所述贯穿谐振腔的数量为2个。

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