CN111443566A - 掩膜板 - Google Patents
掩膜板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111443566A CN111443566A CN202010383667.XA CN202010383667A CN111443566A CN 111443566 A CN111443566 A CN 111443566A CN 202010383667 A CN202010383667 A CN 202010383667A CN 111443566 A CN111443566 A CN 111443566A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- splicing
- strip
- shielding strip
- shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 240000005528 Arctium lappa Species 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000002146 bilateral effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
本公开提供了一种掩膜板,属于显示技术领域。该掩膜板包括沿第一方向设置的第一拼接曝光区域和第二拼接曝光区域;第一拼接曝光区域沿第一向量平移后能够与第二拼接曝光区域重合;掩膜板包括设于第一拼接曝光区域的第一拼接遮光条和对应设于第二拼接曝光区域的第二拼接遮光条;第一拼接遮光条在第一方向上贯穿第一拼接曝光区域;第二拼接遮光条在第一方向上贯穿第二拼接曝光区域;第一拼接遮光条和对应的第二拼接遮光条中,一个的宽度等于目标宽度,另一个的宽度大于目标宽度;第一拼接遮光条的图案沿第一向量平移后能够形成第一辅助拼接图案;第一辅助拼接图案与第二拼接遮光条完全交叠。利用该掩膜板进行拼接曝光时,能够提高显示面板的均一性。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种掩膜板。
背景技术
在制备大尺寸显示面板时,一个膜层的图案化操作往往需要借助拼接曝光工艺。然而,通过拼接曝光工艺制备导电引线时,难以有效控制导电引线在重复曝光区域的宽度,这降低了显示面板的均一性。
所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种掩膜板,提高显示面板的均一性。
为实现上述发明目的,本公开采用如下技术方案:
根据本公开的一个方面,提供一种掩膜板,包括沿第一方向设置的第一图形区域和第二图形区域;所述第一图形区域包括第一拼接曝光区域;所述第二图形区域包括第二拼接曝光区域;所述第一拼接曝光区域沿第一向量平移后能够形成第一拼接辅助区域,所述第一拼接辅助区域与所述第二拼接曝光区域重合;
所述掩膜板包括沿第二方向排列的多个遮光条,所述第二方向与所述第一方向垂直;任意一个所述遮光条包括对应设置的第一拼接遮光条和第二拼接遮光条;所述第一拼接遮光条设于所述第一拼接曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第一拼接曝光区域;所述第二拼接遮光条设于所述第二拼接曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第二拼接曝光区域;
所述第一拼接遮光条和对应的所述第二拼接遮光条中,一个的宽度等于目标宽度,另一个的宽度等于第一辅助宽度,所述第一辅助宽度大于所述目标宽度;所述第一拼接遮光条的图案沿所述第一向量平移后能够形成第一辅助拼接图案;所述第一辅助拼接图案位于对应的所述第二拼接遮光条内,或者所述第一辅助拼接图案覆盖对应的所述第二拼接遮光条。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一辅助宽度等于所述目标宽度的1.2~2倍。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一图形区域还包括第一独立曝光区域,所述第一独立曝光区域沿所述第一方向与所述第一拼接曝光区域相邻设置;所述第二图形区域还包括第二独立曝光区域,所述第二独立曝光区域沿所述第一方向与所述第二拼接曝光区域相邻设置;所述第一独立曝光区域沿所述第一向量平移后能够形成第一独立辅助区域,所述第一独立辅助区域和所述第二独立曝光区域分别位于所述第二拼接曝光区域的两侧;
任意一个所述遮光条还包括与所述第一拼接遮光条、所述第二拼接遮光条相互对应设置的第一独立遮光条和第二独立遮光条;所述第一独立遮光条设于所述第一独立曝光区域并与对应的所述第一拼接遮光条连接,且在所述第一方向上贯穿所述第一独立曝光区域;所述第二独立遮光条设于所述第二独立曝光区域并与对应的所述第二拼接遮光条连接,且在所述第一方向上贯穿所述第二独立曝光区域;
所述第一独立遮光条和所述第二独立遮光条的宽度均等于所述目标宽度。
在本公开的一种示例性实施例中,所述掩膜板还包括第三图形区域,所述第三图形区域包括沿所述第一方向相邻设置的第三独立曝光区域和第三拼接曝光区域;所述第一图形区域还包括第四拼接曝光区域,所述第四拼接曝光区域和所述第一拼接曝光区域分别设置于所述第一独立曝光区域的两侧;所述第四拼接曝光区域沿第二向量平移后能够形成第二拼接辅助区域,所述第二拼接辅助区域与所述第三拼接曝光区域重合;所述第一独立曝光区域沿所述第二向量平移后能够形成第二独立辅助区域,所述第二独立辅助区域和所述第三独立曝光区域分别位于所述第三拼接曝光区域的两侧;
所述遮光条还包括与所述第一拼接遮光条、所述第二拼接遮光条、所述第一独立遮光条、所述第二独立遮光条相互对应设置的第三拼接遮光条、第四拼接遮光条和第三独立遮光条;所述第三独立遮光条设于所述第三独立曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第三独立曝光区域;所述第三独立遮光条的宽度等于所述目标宽度;所述第三拼接遮光条设于所述第三拼接曝光区域并与对应的所述第三独立遮光条连接,且在所述第一方向上贯穿所述第三拼接曝光区域;所述第四拼接遮光条设于所述第四拼接曝光区域并与对应的所述第一独立遮光条连接,且在所述第一方向上贯穿所述第四拼接曝光区域;
所述第四拼接遮光条和对应的所述第三拼接遮光条中,一个的宽度等于目标宽度,另一个的宽度等于第二辅助宽度,所述第二辅助宽度大于所述目标宽度;所述第四拼接遮光条的图案沿所述第二向量平移后能够形成第二辅助拼接图案;所述第二辅助拼接图案位于对应的所述第三拼接遮光条内,或者所述第二辅助拼接图案覆盖对应的所述第三拼接遮光条。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第二辅助宽度等于所述目标宽度的1.2~2倍。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第四拼接曝光区域沿第三向量平移后能够形成第三拼接辅助区域,所述第三拼接辅助区域与所述第一拼接曝光区域重合;
所述第一拼接遮光条和对应的所述第四拼接遮光条中,只有一个的宽度等于所述目标宽度;所述第四拼接遮光条的图案沿所述第三向量平移后能够形成第三辅助拼接图案;所述第三辅助拼接图案位于对应的所述第一拼接遮光条内,或者所述第三辅助拼接图案覆盖对应的所述第一拼接遮光条。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第四拼接曝光区域沿第三向量平移后能够形成第三拼接辅助区域,所述第三拼接辅助区域与所述第一拼接曝光区域重合;
所述第四拼接遮光条的图案沿所述第三向量平移后能够形成第三辅助拼接图案;所述第一拼接遮光条沿其延伸方向,至少设置有牺牲遮光段,所述牺牲遮光段与所述第三辅助拼接图案完全不交叠。
在本公开的一种示例性实施例中,多个所述遮光条组成多个遮光条组,任意一个所述遮光条组包括相邻设置的前一所述遮光条和后一所述遮光条;
在一所述遮光条组中,前一所述遮光条的所述第一独立遮光条靠近所述第一拼接曝光区域的一端向远离后一所述遮光条的方向弯折,前一所述遮光条的所述第二独立遮光条靠近所述第二拼接曝光区域的一端向远离后一所述遮光条的方向弯折,后一所述遮光条的所述第一独立遮光条靠近所述第四拼接曝光区域的一端向远离前一所述遮光条的方向弯折,后一所述遮光条的所述第三独立遮光条靠近所述第三拼接曝光区域的一端向远离前一所述遮光条的方向弯折。
在本公开的一种示例性实施例中,多个所述遮光条组成多个遮光条组,任意一个所述遮光条组包括相邻设置的前一所述遮光条和后一所述遮光条;在任意一个所述遮光条组中:
前一所述遮光条的所述第二独立遮光条靠近所述第二拼接曝光区域的一端向远离后一所述遮光条的方向弯折,前一所述遮光条的所述第三独立遮光条靠近所述第三拼接曝光区域的一端向远离后一所述遮光条的方向弯折,后一所述遮光条的所述第二独立遮光条靠近所述第二拼接曝光区域的一端向远离前一所述遮光条的方向弯折,后一所述遮光条的所述第三独立遮光条靠近所述第三拼接曝光区域的一端向远离前一所述遮光条的方向弯折;
沿远离所述第一独立曝光区域的方向,前一所述遮光条的所述第一拼接遮光条向远离后一所述遮光条的方向延伸,后一所述遮光条的所述第一拼接遮光条向远离前一所述遮光条的方向延伸,前一所述遮光条的所述第四拼接遮光条向远离后一所述遮光条的方向延伸,后一所述遮光条的所述第四拼接遮光条向远离前一所述遮光条的方向延伸;
沿远离所述第二独立曝光区域的方向,前一所述遮光条的所述第二拼接遮光条向靠近后一所述遮光条的方向延伸,后一所述遮光条的所述第二拼接遮光条向靠近前一所述遮光条的方向延伸;
沿远离所述第三独立曝光区域的方向,前一所述遮光条的所述第三拼接遮光条向靠近后一所述遮光条的方向延伸,后一所述遮光条的所述第三拼接遮光条向靠近前一所述遮光条的方向延伸。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一拼接曝光区域沿所述第一方向的尺寸,等于所述目标宽度的1.5~8倍。
在制备显示面板时,可以先在背板的表面形成一导电材料层,在导电材料层远离背板的表面形成一正性光刻胶层;然后,利用本公开提供的掩膜板进行拼接曝光。由于第一拼接遮光条和对应的第二拼接遮光条中一个的宽度大于目标宽度,因此即使其中一次曝光操作中出现对准偏移,也不会导致重复曝光区域内的未被曝光的正性光刻胶区域的宽度发生改变。在曝光完成后,可以进行显影,则在重复曝光区域可以形成宽度为目标宽度的正性光刻胶图案;然后对暴露的导电材料层进行刻蚀和去除正性光刻胶,在重复曝光区域获得宽度为所需宽度的导电引线。因此,利用本公开提供的掩膜板进行拼接曝光工艺,可以提高不同导电引线的均一性,提高不同显示面板的均一性。
附图说明
通过参照附图详细描述其示例实施方式,本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。
图1是本公开一种实施方式的掩膜板的结构示意图。
图2是本公开一种实施方式的掩膜板的结构示意图。
图3是本公开一种实施方式的掩膜板中,将第一图形区域的图案沿第一向量进行平移的结构示意图。
图4是本公开一种实施方式的掩膜板中,将第一图形区域的图案沿第二向量进行平移的结构示意图。
图5是本公开一种实施方式的掩膜板中,将第一图形区域的图案沿第三向量进行平移的结构示意图。
图6是本公开一种实施方式中的背板的结构示意图。
图7是本公开一种实施方式中,第二图案化区域进行曝光时被遮光条遮挡的区域的结构示意图。
图8是本公开一种实施方式中,第一图案化区域进行曝光时被遮光条遮挡的区域的结构示意图。
图9是本公开一种实施方式中,第三图案化区域进行曝光时被遮光条遮挡的区域的结构示意图。
图10是本公开一种实施方式中导电引线的结构示意图。
图11是本公开一种实施方式中的背板的结构示意图。
图12是本公开一种实施方式中,依次对各个图案化区域进行曝光时被遮光条遮挡的区域的结构示意图。
图13是本公开一种实施方式中导电引线的结构示意图。
图14是本公开一种实施方式中,依次对各个图案化区域进行曝光时被遮光条遮挡的区域的结构示意图。
图15是图14中C区域的局部放大图。
图16是本公开一种实施方式中导电引线的结构示意图。
图中主要元件附图标记说明如下:
010、遮光条;020、遮光条组;010a、前一遮光条;010b、后一遮光条;100、第一图形区域;110、第一独立曝光区域;1101、第一独立辅助区域;1102、第二独立辅助区域;111、第一独立遮光条;120、第一拼接曝光区域;1201、第一拼接辅助区域;121、第一拼接遮光条;1211、第一辅助拼接图案;130、第四拼接曝光区域;1301、第二拼接辅助区域;1302、第三拼接辅助区域;131、第四拼接遮光条;1311、第二辅助拼接图案;1312、第三辅助拼接图案;200、第二图形区域;210、第二独立曝光区域;211、第二独立遮光条;220、第二拼接曝光区域;221、第二拼接遮光条;300、第三图形区域;310、第三独立曝光区域;311、第三独立遮光条;320、第三拼接曝光区域;321、第三拼接遮光条;410、第一遮光带;420、第二遮光带;500、背板;501、第一重复曝光区域;502、第二重复曝光区域;503、第三重复曝光区域;510、第一图案化区域;520、第二图案化区域;530、第三图案化区域;541、第一区域;542、第二区域;543、第三区域;544、第四区域;545、第五区域;546、第六区域;547、交叠区域;550、导电引线;560、导电片段;u1、第一向量;、;u2、第二向量;u3、第三向量;A、第一方向;B、第二方向。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而,示例实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整,并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。
在图中,为了清晰,可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略它们的详细描述。
所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中,提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而,本领域技术人员将意识到,可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多,或者可以采用其它的方法、组元、材料等。在其它情况下,不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本公开的主要技术创意。
用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等;用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等。用语“第一”和“第二”等仅作为标记使用,不是对其对象的数量限制。
本公开中第一方向和第二方向为双侧方向而非单侧方向,例如可以为左右方向、上下方向、前后方向等。在本公开中,当描述一个结构或者区域的宽度时,指的是该结构或者区域在垂直于其延伸方向上的尺寸。
相关技术中,可以借助拼接曝光工艺制备导电引线。在拼接曝光过程中,利用两个掩膜板分别在背板上进行曝光,且两次曝光具有交叠的重复曝光区域,以保证两次曝光所最终形成的导电引线的连续性。在重复曝光区域,两个掩膜板的图案完全一致,以使得所形成的导电引线的宽度等于重复曝光区域的掩膜板的图案的宽度。然而,当掩膜板发生对准偏移时,重复曝光区域的导电引线的宽度将会偏离设定宽度,这会使得不同导电引线的导电特性不同,降低显示面板的均一性,尤其是降低了不同显示面板间的均一性。
本公开提供一种掩膜板,用于通过拼接曝光工艺对背板的导电材料层进行图案化,以形成所需线宽的导电引线。
如图1和图2所示,本公开提供的掩膜板包括沿第一方向A设置的第一图形区域100和第二图形区域200;第一图形区域100包括第一拼接曝光区域120;第二图形区域200包括第二拼接曝光区域220;如图3所示,第一拼接曝光区域120沿第一向量u1平移后能够形成第一拼接辅助区域1201,第一拼接辅助区域1201与第二拼接曝光区域220重合;
如图1和图2所示,本公开提供的掩膜板包括沿第二方向B排列的多个遮光条010,第二方向B与第一方向A垂直;任意一个遮光条010包括对应设置的第一拼接遮光条121和第二拼接遮光条221;第一拼接遮光条121设于第一拼接曝光区域120,并在第一方向A上贯穿第一拼接曝光区域120;第二拼接遮光条221设于第二拼接曝光区域220,并在第一方向A上贯穿第二拼接曝光区域220;
第一拼接遮光条121和对应的第二拼接遮光条221中,一个的宽度等于目标宽度,另一个的宽度等于第一辅助宽度,第一辅助宽度大于目标宽度;如图3(未示出第一拼接遮光条121的宽度等于第一辅助宽度的情形)所示,第一拼接遮光条121的图案沿第一向量u1平移后能够形成第一辅助拼接图案1211;第一辅助拼接图案1211位于对应的第二拼接遮光条221内,或者第一辅助拼接图案1211覆盖对应的第二拼接遮光条221
在制备显示面板时,可以先在背板500的表面形成一导电材料层,在导电材料层远离背板的表面形成一正性光刻胶层;然后,利用本公开提供的掩膜板进行拼接曝光。在拼接曝光时可以分别使用第一图形区域100和第二图形区域200分别对正性光刻胶层进行曝光操作,且在曝光操作中使得第一拼接曝光区域120和第二拼接曝光区域220对正性光刻胶层的同一重复曝光区域进行重复曝光。如此,在曝光过程中,第一拼接遮光条121和对应的第二拼接遮光条221在同一位置分别遮挡光线,使得该位置处最终未被曝光的正性光刻胶区域的宽度等于目标宽度。由于第一拼接遮光条121和对应的第二拼接遮光条221中一个的宽度大于目标宽度,因此即使其中一次曝光操作中出现对准偏移,也不会导致重复曝光区域内的未被曝光的正性光刻胶区域的宽度发生改变。在曝光完成后,可以进行显影,则在重复曝光区域可以形成宽度为目标宽度的正性光刻胶图案;然后对暴露的导电材料层进行刻蚀和去除正性光刻胶,在重复曝光区域获得宽度为所需宽度的导电引线。因此,利用本公开提供的掩膜板进行拼接曝光工艺,即便曝光操作中出现对准偏移等情形,也不会影响重复曝光区域的导电引线的宽度,进而可以提高不同导电引线的均一性,提高不同显示面板的均一性。
下面,结合附图对本公开的掩膜板做进一步的说明,以进一步解释本公开的掩膜板的结构、原理和效果。
本公开提供的掩膜板,用于通过拼接曝光工艺对形成于背板一侧的导电材料层进行图案化操作,以形成导电结构层。其中,所形成的导电结构层可以为显示面板的有源层、栅极层、源漏金属层、像素电极层、公共电极层、触控电极层、触控引线层或者其他具有导电结构的膜层。所形成的导电结构可以包括由导电材料层图案化所形成的各种功能结构,包括但不限于导电引线。举例而言,在本公开的一种实施方式中,导电结构层为源漏金属层,导电结构层中可以包括源漏转接电极、作为导电引线的数据线等。再举例而言,在本公开的另一种实施方式中,导电结构层为栅极层,导电结构层中可以包括存储电容的电极板、作为导电引线的扫描线等。在所制备的导电引线中,导电引线的宽度可以为根据显示面板的工艺要求进行确定。举例而言,导电引线的宽度可以为5~12微米。
本公开的掩膜板,尤其适用于制备大尺寸的显示面板,例如用于制备100寸、110寸或者其他尺寸的显示面板。所制备的显示面板可以为高分辨率的显示面板,例如可以为高清显示面板、超高清显示面板、2K显示面板、4K显示面板、8K显示面板或者更高分辨率的显示面板,本公开对此不做特殊的限定。所制备的显示面板可以为液晶显示面板、OLED显示面板、Micro LED显示面板或者其他类型的显示面板,本公开对此不做限定。
如图6所示,背板500可以包括有沿第一方向A排列的第一图案化区域510和第二图案化区域520,第一图案化区域510和第二图案化区域520部分重合,两者重合区域为第一重复曝光区域501。在进行曝光操作时,可以使得掩膜板的第一图形区域100对准背板500的第一图案化区域510进行曝光,使得掩膜板的第二图形区域200对准背板500的第二图案化区域520进行曝光,掩膜板的第一拼接曝光区域120和掩膜板的第二拼接曝光区域220在两次曝光操作中均对准背板500的第一重复曝光区域501。
可以通过对掩膜板进行优化或者对曝光过程进行优化,以避免掩膜板的不同图形区域在曝光时相互干扰。举例而言,在本公开的一种实施方式中,在利用掩膜板的一个图形区域对准背板500的一个图案化区域进行曝光时,可以利用遮光板遮挡掩膜板的其他位置,尤其是遮挡掩膜板的其他图形区域。示例性地,在利用掩膜板的第一图形区域100对准背板500的第一图案化区域510进行曝光时,可以利用遮光板遮挡掩膜板的其他位置。再举例而言,在本公开的另一种实施方式中,掩膜板在两个相邻的图形区域之间可以设置有遮光带,以避免两个图形区域在曝光操作时相互干扰。示例性地,如图1和图2所示,掩膜板在第一图形区域100和第二图形区域200之间可以设置有第一遮光带410。
在采用第一图形区域100和第二图形区域200分别进行曝光操作时,既可以先后采用第一图形区域100和第二图形区域200分别进行曝光操作,也可以先后采用第二图形区域200和第一图形区域100分别进行曝光操作,本公开对此不做特殊的限制。
在本公开的一种实施方式中,在背板500的表面依次形成导电材料层和正性光刻胶层后,如图7和图8所示,可以先利用掩膜板的第二图形区域200对准背板500的第二图案化区域520进行曝光,然后再利用掩膜板的第一图形区域100对准背板500的第一图案化区域510进行曝光。在曝光操作之后,可以进行显影操作,以形成图案化的正性光刻胶层,其中,未被曝光的正性光刻胶保留而被曝光的正性光刻胶被去除。图案化的正性光刻胶层暴露部分导电材料层,通过刻蚀工艺对导电材料层进行图案化操作,被图案化的正性光刻胶层覆盖的导电材料层部分被保留,未被图案化的正性光刻胶层覆盖的导电材料层部分被刻蚀。如此,残留的导电材料层形成所需的导电结构层。如图10(仅示出了导电引线550)所示,去除残留的正性光刻胶层,可以获得所需的导电结构层,导电结构层具有导电引线550。
在本公开的掩膜板中,第一拼接遮光条121和对应的第二拼接遮光条221的宽度不同,其中一个的宽度等于目标宽度,另一个的目标宽度为第一辅助宽度。当第一拼接遮光条121的宽度等于目标宽度时,第一辅助拼接图案1211位于对应的第二拼接遮光条221内;当第一拼接遮光条121的宽度等于第一辅助宽度时,第一辅助拼接图案1211覆盖对应的第二拼接遮光条221。因此,第一拼接遮光条121和对应的第二拼接遮光条221所最终遮挡的正性光刻胶层的宽度等于目标宽度。
示例性的,如图1和图2所示,第一拼接遮光条121的宽度等于目标宽度,第二拼接遮光条221的宽度等于第一辅助宽度;则在第一次曝光时,如图7所示,第二拼接遮光条221使得正性光刻胶层在第一重复曝光区域501形成未被曝光的第二区域542。如图8所示,在第二次曝光时,第一拼接遮光条121使得正性光刻胶层在第一重复曝光区域501形成未被曝光的第一区域541,第一区域541位于第二区域542以内。由于只有两次均未被曝光的区域内的正性光刻胶才能够在显影操作中保留,因此第一区域541和第二区域542的重叠部分内的正性光刻胶才能够在显影操作中保留;而该第一区域541和第二区域542的重叠部分恰与第一区域541重合,因此两次曝光最终遮挡的正性光刻胶层的宽度为目标宽度。不仅如此,如果曝光操作过程中出现了对准偏移的现象,则会导致第一区域541和第二区域542中的一个或者两个均发生偏移。由于第一区域541位于第二区域542以内,第一区域541和第二区域542的位置发生偏移,也很难使得第一区域541部分移出第二区域542,依旧可以保证第一区域541和第二区域542的重叠部分恰与第一区域541重合,进而保证两次曝光最终遮挡的正性光刻胶层的宽度也等于目标宽度。
同样的,当第二拼接遮光条221的宽度为目标宽度,第一拼接遮光条121的宽度为第一辅助宽度时,两次曝光最终遮挡的正性光刻胶层的宽度也等于目标宽度。
优选地,第一辅助宽度等于目标宽度的1.2~2倍。如此,既可以保证曝光操作发生合理范围内的偏移时,依然可以使得导电引线550在第一重复曝光区域501内的宽度为所需宽度,又避免了第一辅助宽度太大而制约导电引线550的布线密度。进一步优选地,第一辅助宽度等于目标宽度的1.5~2倍。
可选的,第一辅助宽度比目标宽度大至少3微米,以保证曝光操作发生合理范围内的偏移时,依然可以使得导电引线550在第一重复曝光区域501内的宽度为所需宽度。
进一步优选地,第一拼接遮光条121的图案沿第一向量u1平移后形成第一辅助拼接图案1211,第一辅助拼接图案1211沿其延伸方向的两个边缘之间可以具有一虚拟的第一辅助等距线,第一辅助等距线上的任意一个点与第一辅助拼接图案1211沿其延伸方向的两个边缘之间的距离相同。与第一拼接遮光条121对应的第二拼接遮光条221沿其延伸方向的两个边缘之间可以具有一虚拟的第二辅助等距线,第二辅助等距线上的任意一个点与第二拼接遮光条221沿其延伸方向的两个边缘之间的距离相同。第一辅助等距线与第二辅助等距线完全重合。如此,可以保证两次曝光操作在第二方向B上具有更宽的对准工艺窗口,避免第二方向B的单侧方向上的对准工艺窗口较小,进一步保证导电引线550在第一重复曝光区域501的宽度为所需宽度。
优选地,第一向量u1的方向平行于第一方向,以便于拼接曝光时的移动曝光机或者掩膜板。
可选地,如图1和图2所示,第一图形区域100还可以包括第一独立曝光区域110,第一独立曝光区域110沿第一方向A与第一拼接曝光区域120相邻设置;第二图形区域200还可以包括第二独立曝光区域210,第二独立曝光区域210沿第一方向A与第二拼接曝光区域220相邻设置。如图3所示,第一独立曝光区域110沿第一向量u1平移后能够形成第一独立辅助区域1101,第一独立辅助区域1101和第二独立曝光区域210分别位于第二拼接曝光区域220的两侧;
任意一个遮光条010还包括与第一拼接遮光条121、第二拼接遮光条221相互对应设置的第一独立遮光条111和第二独立遮光条211;第一独立遮光条111设于第一独立曝光区域110并与对应的第一拼接遮光条121连接,且在第一方向A上贯穿第一独立曝光区域110;第二独立遮光条211设于第二独立曝光区域210并与对应的第二拼接遮光条221连接,且在第一方向A上贯穿第二独立曝光区域210;第一独立遮光条111和第二独立遮光条211的宽度均等于目标宽度。
如此,如图7、图8和图10所示,在采用掩膜板的第一图形区域100和第二图形区域200分别对背板500的第一图案化区域510和第二图案化区域520进行曝光操作后,经过显影和刻蚀,可以形成导电引线550,其中,导电引线550在第一图案化区域510和第二图案化区域520的非重合部分的宽度为所需宽度,在第一重复曝光区域501的宽度也为所需宽度。如此,可以借助拼接曝光的工艺制备出宽度均匀的导电引线550,进一步提高导电引线550的均一性,提高显示面板的均一性,尤其是提高不同显示面板之间导电引线550的均一性。
优选地,在掩膜板上,如图1和图2所示,沿第一方向A依次间隔设置有第二图形区域200、第一遮光带410和第一图形区域100,其中,第一拼接曝光区域120和第二拼接曝光区域220均位于第一独立曝光区域110和第二独立曝光区域210之间。如此,可以便于使得掩膜板的第一图形区域100和第二图形区域200分别对准背板500的第一图案化区域510和第二图案化区域520,减少拼接曝光时背板500和光刻机的移动量。
可选地,如图1和图2所示,掩膜板还可以包括第三图形区域300,第三图形区域300包括沿第一方向A相邻设置的第三独立曝光区域310和第三拼接曝光区域320;第一图形区域100还可以包括第四拼接曝光区域130,第四拼接曝光区域130和第一拼接曝光区域120分别设置于第一独立曝光区域110的两侧。如图4所示,第四拼接曝光区域130沿第二向量u2平移后能够形成第二拼接辅助区域1301,第二拼接辅助区域1301与第三拼接曝光区域320重合;第一独立曝光区域110沿第二向量u2平移后能够形成第二独立辅助区域1102,第二独立辅助区域1102和第三独立曝光区域310分别位于第三拼接曝光区域320的两侧。
如图1和图2所示,遮光条010还包括与第一拼接遮光条121、第二拼接遮光条221、第一独立遮光条111、第二独立遮光条211相互对应设置的第三拼接遮光条321、第四拼接遮光条131和第三独立遮光条311;第三独立遮光条311设于第三独立曝光区域310,并在第一方向A上贯穿第三独立曝光区域310;第三独立遮光条311的宽度等于目标宽度;第三拼接遮光条321设于第三拼接曝光区域320并与对应的第三独立遮光条311连接,且在第一方向A上贯穿第三拼接曝光区域320;第四拼接遮光条131设于第四拼接曝光区域130并与对应的第一独立遮光条111连接,且在第一方向A上贯穿第四拼接曝光区域130;
第四拼接遮光条131和对应的第三拼接遮光条321中,一个的宽度等于目标宽度,另一个的宽度等于第二辅助宽度,第二辅助宽度大于目标宽度;如图4(未示出第四拼接遮光条131的宽度等于第二辅助宽度时的情形)所示,第四拼接遮光条131的图案沿第二向量u2平移后能够形成第二辅助拼接图案1311;第二辅助拼接图案1311位于对应的第三拼接遮光条321内,或者第二辅助拼接图案1311覆盖对应的第三拼接遮光条321。换言之,当第四拼接遮光条131的宽度等于目标宽度时,第二辅助拼接图案1311位于对应的第三拼接遮光条321内;当第四拼接遮光条131的宽度等于第二辅助宽度时,第二辅助拼接图案1311覆盖对应的第三拼接遮光条321。
如此,如图6所示,背板500还可以包括第三图案化区域530,沿第一方向A,第三图案化区域530和第二图案化区域520分别位于第一图案化区域510的两侧。第三图案化区域530和第一图案化区域510部分重合,两者重合区域为第二重复曝光区域502。如图9所示,在进行曝光操作时,还可以使得掩膜板的第三图形区域300对准背板500的第三图案化区域530进行曝光,掩膜板的第三拼接曝光区域320和掩膜板的第四拼接曝光区域130在曝光操作中均对准背板500的第二重复曝光区域502。如此,借助本公开的掩膜板进行拼接曝光操作,如图10所示,可以使得导电引线550依次穿过背板500的第一图案化区域510、第二图案化区域520和第三图案化区域530。
示例性的,如图1、图8和图9所示,第四拼接遮光条131的宽度等于目标宽度,第三拼接遮光条321的宽度等于第二辅助宽度;则在一次曝光中,第四拼接遮光条131使得正性光刻胶层形成未被曝光的第四区域544,在另一次曝光中,第三拼接遮光条321使得正性光刻胶层形成未被曝光的第三区域543,第四区域544位于第三区域543以内。由于只有两次均未被曝光的区域内的正性光刻胶才能够在显影操作中保留,因此第三区域543和第四区域544的重叠部分内的正性光刻胶才能够在显影操作中保留;而该第三区域543和第四区域544的重叠部分恰与第四区域544重合,因此两次曝光最终遮挡的正性光刻胶层的宽度为目标宽度。不仅如此,如果曝光操作过程中出现了对准偏移的现象,则会导致第三区域543和第四区域544中的一个或者两个均发生偏移。由于第四区域544位于第三区域543以内,第三区域543和第四区域544的位置发生偏移,也很难使得第四区域544部分移出第三区域543,依旧可以保证第三区域543和第四区域544的重叠部分恰与第四区域544重合,进而保证两次曝光最终遮挡的正性光刻胶层的宽度也等于目标宽度。如此,本公开的掩膜板可以保证导电引线550在第三图案化区域530内的宽度为所需宽度,尤其是保证导电引线550在第二重复曝光区域502内的宽度为所需宽度。因此,本公开的掩膜板可以用于通过三次曝光(两次拼接曝光)对导电材料层进行图案化。
可选地,第四拼接遮光条131的宽度等于目标宽度,第三拼接遮光条321的宽度等于第二辅助宽度。
优选地,第二辅助宽度等于目标宽度的1.2~2倍。如此,既可以保证曝光操作发生合理范围内的偏移时,依然可以使得导电引线550在第二重复曝光区域502内的宽度为所需宽度,又避免了第二辅助宽度太大而制约导电引线550的布线密度。进一步优选地,第二辅助宽度等于目标宽度的1.5~2倍。
可选的,第二辅助宽度比目标宽度大至少3微米,以保证曝光操作发生合理范围内的偏移时,依然可以使得导电引线550在第二重复曝光区域501内的宽度为所需宽度。
进一步优选地,第四拼接遮光条131的图案沿第二向量u2平移后形成第二辅助拼接图案1311,第二辅助拼接图案1311沿其延伸方向的两个边缘之间可以具有一虚拟的第四辅助等距线,第四辅助等距线上的任意一个点与第二辅助拼接图案1311沿其延伸方向的两个边缘之间的距离相同。与第四拼接遮光条131对应的第三拼接遮光条321沿其延伸方向的两个边缘之间可以具有一虚拟的第三辅助等距线,第三辅助等距线上的任意一个点与第三拼接遮光条321沿其延伸方向的两个边缘之间的距离相同。第三辅助等距线与第四辅助等距线完全重合。如此,可以保证两次曝光操作在第二方向B上具有更宽的对准工艺窗口,避免第二方向B的单侧方向上的对准工艺窗口较小,进一步保证导电引线550在第二重复曝光区域502的宽度为所需宽度。
优选地,第二向量u2的方向平行于第一方向,以便于拼接曝光时的移动曝光机或者掩膜板。
优选地,如图1和图2所示,在掩膜板上,沿第一方向A依次间隔设置有第二图形区域200、第一遮光带410、第一图形区域100、第二遮光带420和第三图形区域300,其中,第一拼接曝光区域120和第二拼接曝光区域220均位于第一独立曝光区域110和第二独立曝光区域210之间,第三拼接曝光区域320和第四拼接曝光区域130均位于第一独立曝光区域110和第三独立曝光区域310之间。如此,可以便于使得掩膜板的第一图形区域100、第二图形区域200、第三图形区域300分别对准背板500的第一图案化区域510、第二图案化区域520和第三图案化区域530,减少拼接曝光时背板500和光刻机的移动量。在曝光操作时,可以依次对第二图案化区域520、第一图案化区域510和第三图案化区域530进行曝光操作,或者依次对第三图案化区域530、第一图案化区域510和第二图案化区域520进行曝光操作。
在一些实施方式中,可以通过对第四拼接遮光条131和第一拼接遮光条121的形状和宽度进行设计,以使得可以复用第一图形区域100进行拼接曝光,以使得所制备的导电引线550为不连续结构,例如使得导电引线550分割为不连续的第一导电引线段和第二导电引线段。
在大尺寸显示面板中,导电引线550的长度太长会导致压降(IR Drop)太大,不利于提高在驱动时的充电率。因此,大尺寸显示面板可以从导电引线550的两端分别驱动导电引线550,然而,在导电引线550的两端同时驱动导电引线550容易产生信号串扰,不利于保证显示面板的显示质量。相较于连续的导电引线550,第一导电引线段和第二导电引线段的长度短,阻抗小,因此信号在第一导电引线段和第二导电引线段上的压降(IR Drop)小。如此,可以分别驱动第一导电引线段和第二导电引线段,则可以避免两侧同时驱动导致的信号串扰问题,提高显示面板的显示质量。
在本公开的一种实施方式中,如图5所示,第四拼接曝光区域130沿第三向量u3平移后能够形成第三拼接辅助区域1302,第三拼接辅助区域1302与第一拼接曝光区域120重合;第四拼接遮光条131的图案沿第三向量u3平移后能够形成第三辅助拼接图案1312;第一拼接遮光条121沿其延伸方向,至少设置有牺牲遮光段,牺牲遮光段与第三辅助拼接图案1312完全不交叠。换言之,第一拼接遮光条121设置有牺牲遮光段,牺牲遮光段为第一拼接遮光条121的某一段,其宽度与第一拼接遮光条121的宽度相同;当去除牺牲遮光段时,第一拼接遮光条121不连续,且该牺牲遮光段与第三辅助拼接图案1312完全不交叠。
如此,如图11所示,背板500在第三图案化区域530和第二图案化区域520之间可以设置有两个沿第一方向A依次排列的第一图案化区域510,靠近第二图案化区域520的第一图案化区域510与第二图案化区域520在第一重复曝光区域501重合,靠近第三图案化区域530的第一图案化区域510与第三图案化区域530在第二重复曝光区域502重合,两个第一图案化区域510相互部分重合且重合区域为第三重复曝光区域503。如此,在曝光操作时,如图12和图14所示,可以借助第一图形区域100分别对准背板500的两个第一图案化区域510进行曝光,使得第四拼接曝光区域130和第一拼接曝光区域120分别对第三重复曝光区域503进行曝光。在第三重复曝光区域503,利用第四拼接曝光区域130曝光时,第四拼接遮光条131使得正性光刻胶层形成未被曝光的第五区域545;利用第一拼接曝光区域120曝光时,第一拼接遮光条121使得正性光刻胶层形成未被曝光的第六区域546。只有两次均未被曝光的区域内的正性光刻胶才能够在显影操作中保留,因此第五区域545和第六区域546的重叠部分内的正性光刻胶才能够在显影操作中保留。然而,由于第一拼接遮光条121设置有牺牲遮光段,因此第五区域545和第六区域546的重叠部分必然不能够连续的贯穿第三重复曝光区域503。如图13和图16所示,这使得导电引线550在第三重复曝光区域503内不连续。
可选地,第一拼接曝光区域120沿第一方向A的尺寸,等于目标宽度的1.5~8倍。如此,可以在保证导电引线550在第三重复曝光区域503断开的同时,减小第三重复曝光区域503内电性环境的改变,避免显示面板在整体上的均一性的降低,保证显示面板的显示质量。在本公开的一种实施方式中,第一拼接曝光区域120沿第一方向A的宽度可以为10~55微米。优选地,第一拼接曝光区域120沿第一方向A的宽度可以为20~45微米。
举例而言,在本公开的一种实施方式中,如图1所示,多个遮光条组成多个遮光条组020,任意一个遮光条组020包括相邻设置的前一遮光条010a和后一遮光条010b;
在一遮光条组020中,前一遮光条010a的第一独立遮光条111靠近第一拼接曝光区域120的一端向远离后一遮光条010b的方向弯折,前一遮光条010a的第二独立遮光条211靠近第二拼接曝光区域220的一端向远离后一遮光条010b的方向弯折,后一遮光条010b的第一独立遮光条111靠近第四拼接曝光区域130的一端向远离前一遮光条010a的方向弯折,后一遮光条010b的第三独立遮光条311靠近第三拼接曝光区域320的一端向远离前一遮光条010a的方向弯折。
如此,如图12所示,在第三重复曝光区域503内,第三区域543和第四区域544完全不交叠;如图13所示,这导致第三重复曝光区域503内不形成有导电引线550及其残留部分,使得导电引线550被第三重复曝光区域503隔断。
可选地,第一拼接曝光区域120沿第一方向A的尺寸,等于目标宽度的1.5~4倍。如此,可以在保证导电引线550在第三重复曝光区域503断开的前提下,降低第三重复曝光区域503的宽度,避免第三重复曝光区域503宽度太大而导致在导电引线550缺失太多,进而避免导电引线550缺失太多而导致显示面板在第三重复曝光区域503的电性环境改变,避免显示面板在整体上的均一性的降低,保证显示面板的显示质量。在本公开的一种实施方式中,第一拼接曝光区域120沿第一方向A的宽度可以为10~30微米。优选地,第一拼接曝光区域120沿第一方向A的宽度可以为20微米。
在本公开的另一种实施方式中,如图2所示,多个遮光条010组成多个遮光条组020,任意一个遮光条组020包括相邻设置的前一遮光条010a和后一遮光条010b;在任意一个遮光条组020中:
前一遮光条010a的第二独立遮光条211靠近第二拼接曝光区域220的一端向远离后一遮光条010b的方向弯折,前一遮光条010a的第三独立遮光条311靠近第三拼接曝光区域320的一端向远离后一遮光条010b的方向弯折,后一遮光条010b的第二独立遮光条211靠近第二拼接曝光区域220的一端向远离前一遮光条010a的方向弯折,后一遮光条010b的第三独立遮光条311靠近第三拼接曝光区域320的一端向远离前一遮光条010a的方向弯折;
沿远离第一独立曝光区域110的方向,前一遮光条010a的第一拼接遮光条121向远离后一遮光条010b的方向延伸,后一遮光条010b的第一拼接遮光条121向远离前一遮光条010a的方向延伸,前一遮光条010a的第四拼接遮光条131向远离后一遮光条010b的方向延伸,后一遮光条010b的第四拼接遮光条131向远离前一遮光条010a的方向延伸;
沿远离第二独立曝光区域210的方向,前一遮光条010a的第二拼接遮光条221向靠近后一遮光条010b的方向延伸,后一遮光条010b的第二拼接遮光条221向靠近前一遮光条010a的方向延伸;
沿远离第三独立曝光区域310的方向,前一遮光条010a的第三拼接遮光条321向靠近后一遮光条010b的方向延伸,后一遮光条010b的第三拼接遮光条321向靠近前一遮光条010a的方向延伸。
如此,如图14和图15所示,在第三重复曝光区域503内,第五区域545和第六区域546部分交叠,形成有交叠区域547。由于第一拼接遮光条121和第四拼接遮光条131均为与第一方向A呈一定夹角的斜线,因此交叠区域547位于第三重复曝光区域503中部且不与第三重复曝光区域503的边缘连接。如此,如图16所示,第三重复曝光区域503内在交叠区域547的位置形成有多个导电片段560,各个导电片段560与导电引线550均不相连,使得导电引线550被第三重复曝光区域503隔断。
可选地,第一拼接曝光区域120沿第一方向A的尺寸,等于目标宽度的4~8倍。如此,第三重复曝光区域503设置较大宽度,可以避免交叠区域547与第三重复曝光区域503的边缘连接,保证导电引线550在第三重复曝光区域503断开。同时,与导电引线550类似,导电片段560可以与显示面板的其他膜层发生相互耦合等作用,进而减小第三重复曝光区域503内电性环境的改变,避免显示面板在整体上的均一性的降低,保证显示面板的显示质量。在本公开的一种实施方式中,第一拼接曝光区域120沿第一方向A的宽度可以为35~55微米。优选地,第一拼接曝光区域120沿第一方向A的宽度可以为45微米。
可以理解的是,在其他一些实施方式中,还可以通过对第四拼接遮光条131和第一拼接遮光条121的形状和宽度进行设计,以使得可以多次复用第一图形区域100进行多次拼接曝光,制备出具有连续的导电引线550的更宽的显示面板。举例而言,在本公开的一种实施方式中,第四拼接曝光区域130沿第三向量u3平移后能够形成第三拼接辅助区域1302,第三拼接辅助区域1302与第一拼接曝光区域120重合;第一拼接遮光条121和对应的第四拼接遮光条131中,只有一个的宽度等于目标宽度;第四拼接遮光条131的图案沿第三向量u3平移后能够形成第三辅助拼接图案1312;第三辅助拼接图案1312位于对应的第一拼接遮光条121内,或者第三辅助拼接图案1312覆盖对应的第一拼接遮光条121。换言之,当第四拼接遮光条131的宽度等于目标宽度时,第一拼接遮光条121的宽度等于第一辅助宽度,第三辅助拼接图案1312位于对应的第一拼接遮光条121内;当第四拼接遮光条131的宽度不等于目标宽度时,第四拼接遮光条131的宽度等于第二辅助宽度,第一拼接遮光条121的宽度等于目标宽度,第三辅助拼接图案1312覆盖对应的第一拼接遮光条121。
如此,背板500在第三图案化区域530和第二图案化区域520之间可以设置有多个沿第一方向A依次排列的第一图案化区域510,最靠近第二图案化区域520的第一图案化区域510与第二图案化区域520在第一重复曝光区域501重合,最靠近第三图案化区域530的第一图案化区域510与第三图案化区域530在第二重复曝光区域502重合,相邻的两个第一图案化区域510相互部分重合且重合区域为第三重复曝光区域503。如此,在曝光操作时,可以借助第一图形区域100分别对准背板500的各个第一图案化区域510进行曝光。基于与导电引线550在第一重复曝光区域501内的宽度为所需宽度相同的原理,本公开的掩膜板可以保证导电引线550在各个第一图案化区域510内的宽度为所需宽度,尤其是保证导电引线550在第三重复曝光区域503内的宽度为所需宽度。因此,本公开的掩膜板可以用于通过复用第一图形区域100进行多次拼接曝光的方式,制备出具有所需宽度的导电引线550,且所制备的导电引线550为连续的导电引线550。
优选地,第四拼接遮光条131的图案沿第三向量u3平移后形成第三辅助拼接图案1312,第三辅助拼接图案1312沿其延伸方向的两个边缘之间可以具有一虚拟的第五辅助等距线,第五辅助等距线上的任意一个点与第三辅助拼接图案1312沿其延伸方向的两个边缘之间的距离相同。与第四拼接遮光条131对应的第一拼接遮光条121沿其延伸方向的两个边缘之间可以具有一虚拟的第六辅助等距线,第六辅助等距线上的任意一个点与第一拼接遮光条121沿其延伸方向的两个边缘之间的距离相同。第五辅助等距线与第六辅助等距线完全重合。如此,可以保证两次曝光操作在第二方向B上具有更宽的对准工艺窗口,避免第二方向B的单侧方向上的对准工艺窗口较小,进一步保证导电引线550在第三重复曝光区域503的宽度为所需宽度。
应可理解的是,本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式,并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是,本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式,并且将使本领域技术人员能够利用本公开。
Claims (10)
1.一种掩膜板,其特征在于,包括沿第一方向设置的第一图形区域和第二图形区域;所述第一图形区域包括第一拼接曝光区域;所述第二图形区域包括第二拼接曝光区域;所述第一拼接曝光区域沿第一向量平移后能够形成第一拼接辅助区域,所述第一拼接辅助区域与所述第二拼接曝光区域重合;
所述掩膜板包括沿第二方向排列的多个遮光条,所述第二方向与所述第一方向垂直;任意一个所述遮光条包括对应设置的第一拼接遮光条和第二拼接遮光条;所述第一拼接遮光条设于所述第一拼接曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第一拼接曝光区域;所述第二拼接遮光条设于所述第二拼接曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第二拼接曝光区域;
所述第一拼接遮光条和对应的所述第二拼接遮光条中,一个的宽度等于目标宽度,另一个的宽度等于第一辅助宽度,所述第一辅助宽度大于所述目标宽度;所述第一拼接遮光条的图案沿所述第一向量平移后能够形成第一辅助拼接图案;所述第一辅助拼接图案位于对应的所述第二拼接遮光条内,或者所述第一辅助拼接图案覆盖对应的所述第二拼接遮光条。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一辅助宽度等于所述目标宽度的1.2~2倍。
3.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第一图形区域还包括第一独立曝光区域,所述第一独立曝光区域沿所述第一方向与所述第一拼接曝光区域相邻设置;所述第二图形区域还包括第二独立曝光区域,所述第二独立曝光区域沿所述第一方向与所述第二拼接曝光区域相邻设置;所述第一独立曝光区域沿所述第一向量平移后能够形成第一独立辅助区域,所述第一独立辅助区域和所述第二独立曝光区域分别位于所述第二拼接曝光区域的两侧;
任意一个所述遮光条还包括与所述第一拼接遮光条、所述第二拼接遮光条相互对应设置的第一独立遮光条和第二独立遮光条;所述第一独立遮光条设于所述第一独立曝光区域并与对应的所述第一拼接遮光条连接,且在所述第一方向上贯穿所述第一独立曝光区域;所述第二独立遮光条设于所述第二独立曝光区域并与对应的所述第二拼接遮光条连接,且在所述第一方向上贯穿所述第二独立曝光区域;
所述第一独立遮光条和所述第二独立遮光条的宽度均等于所述目标宽度。
4.根据权利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述掩膜板还包括第三图形区域,所述第三图形区域包括沿所述第一方向相邻设置的第三独立曝光区域和第三拼接曝光区域;所述第一图形区域还包括第四拼接曝光区域,所述第四拼接曝光区域和所述第一拼接曝光区域分别设置于所述第一独立曝光区域的两侧;所述第四拼接曝光区域沿第二向量平移后能够形成第二拼接辅助区域,所述第二拼接辅助区域与所述第三拼接曝光区域重合;所述第一独立曝光区域沿所述第二向量平移后能够形成第二独立辅助区域,所述第二独立辅助区域和所述第三独立曝光区域分别位于所述第三拼接曝光区域的两侧;
所述遮光条还包括与所述第一拼接遮光条、所述第二拼接遮光条、所述第一独立遮光条、所述第二独立遮光条相互对应设置的第三拼接遮光条、第四拼接遮光条和第三独立遮光条;所述第三独立遮光条设于所述第三独立曝光区域,并在所述第一方向上贯穿所述第三独立曝光区域;所述第三独立遮光条的宽度等于所述目标宽度;所述第三拼接遮光条设于所述第三拼接曝光区域并与对应的所述第三独立遮光条连接,且在所述第一方向上贯穿所述第三拼接曝光区域;所述第四拼接遮光条设于所述第四拼接曝光区域并与对应的所述第一独立遮光条连接,且在所述第一方向上贯穿所述第四拼接曝光区域;
所述第四拼接遮光条和对应的所述第三拼接遮光条中,一个的宽度等于目标宽度,另一个的宽度等于第二辅助宽度,所述第二辅助宽度大于所述目标宽度;所述第四拼接遮光条的图案沿所述第二向量平移后能够形成第二辅助拼接图案;所述第二辅助拼接图案位于对应的所述第三拼接遮光条内,或者所述第二辅助拼接图案覆盖对应的所述第三拼接遮光条。
5.根据权利要求4所述的掩膜板,其特征在于,所述第二辅助宽度等于所述目标宽度的1.2~2倍。
6.根据权利要求4所述的掩膜板,其特征在于,所述第四拼接曝光区域沿第三向量平移后能够形成第三拼接辅助区域,所述第三拼接辅助区域与所述第一拼接曝光区域重合;
所述第一拼接遮光条和对应的所述第四拼接遮光条中,只有一个的宽度等于所述目标宽度;所述第四拼接遮光条的图案沿所述第三向量平移后能够形成第三辅助拼接图案;所述第三辅助拼接图案位于对应的所述第一拼接遮光条内,或者所述第三辅助拼接图案覆盖对应的所述第一拼接遮光条。
7.根据权利要求4所述的掩膜板,其特征在于,所述第四拼接曝光区域沿第三向量平移后能够形成第三拼接辅助区域,所述第三拼接辅助区域与所述第一拼接曝光区域重合;
所述第四拼接遮光条的图案沿所述第三向量平移后能够形成第三辅助拼接图案;所述第一拼接遮光条沿其延伸方向,至少设置有牺牲遮光段,所述牺牲遮光段与所述第三辅助拼接图案完全不交叠。
8.根据权利要求7所述的掩膜板,其特征在于,多个所述遮光条组成多个遮光条组,任意一个所述遮光条组包括相邻设置的前一所述遮光条和后一所述遮光条;
在一所述遮光条组中,前一所述遮光条的所述第一独立遮光条靠近所述第一拼接曝光区域的一端向远离后一所述遮光条的方向弯折,前一所述遮光条的所述第二独立遮光条靠近所述第二拼接曝光区域的一端向远离后一所述遮光条的方向弯折,后一所述遮光条的所述第一独立遮光条靠近所述第四拼接曝光区域的一端向远离前一所述遮光条的方向弯折,后一所述遮光条的所述第三独立遮光条靠近所述第三拼接曝光区域的一端向远离前一所述遮光条的方向弯折。
9.根据权利要求7所述的掩膜板,其特征在于,多个所述遮光条组成多个遮光条组,任意一个所述遮光条组包括相邻设置的前一所述遮光条和后一所述遮光条;在任意一个所述遮光条组中:
前一所述遮光条的所述第二独立遮光条靠近所述第二拼接曝光区域的一端向远离后一所述遮光条的方向弯折,前一所述遮光条的所述第三独立遮光条靠近所述第三拼接曝光区域的一端向远离后一所述遮光条的方向弯折,后一所述遮光条的所述第二独立遮光条靠近所述第二拼接曝光区域的一端向远离前一所述遮光条的方向弯折,后一所述遮光条的所述第三独立遮光条靠近所述第三拼接曝光区域的一端向远离前一所述遮光条的方向弯折;
沿远离所述第一独立曝光区域的方向,前一所述遮光条的所述第一拼接遮光条向远离后一所述遮光条的方向延伸,后一所述遮光条的所述第一拼接遮光条向远离前一所述遮光条的方向延伸,前一所述遮光条的所述第四拼接遮光条向远离后一所述遮光条的方向延伸,后一所述遮光条的所述第四拼接遮光条向远离前一所述遮光条的方向延伸;
沿远离所述第二独立曝光区域的方向,前一所述遮光条的所述第二拼接遮光条向靠近后一所述遮光条的方向延伸,后一所述遮光条的所述第二拼接遮光条向靠近前一所述遮光条的方向延伸;
沿远离所述第三独立曝光区域的方向,前一所述遮光条的所述第三拼接遮光条向靠近后一所述遮光条的方向延伸,后一所述遮光条的所述第三拼接遮光条向靠近前一所述遮光条的方向延伸。
10.根据权利要求1~9任一项所述的掩膜板,其特征在于,所述第一拼接曝光区域沿所述第一方向的尺寸,等于所述目标宽度的1.5~8倍。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010383667.XA CN111443566B (zh) | 2020-05-08 | 2020-05-08 | 掩膜板 |
PCT/CN2021/086282 WO2021223569A1 (zh) | 2020-05-08 | 2021-04-09 | 掩膜板 |
US17/639,071 US20220326599A1 (en) | 2020-05-08 | 2021-04-09 | Mask plate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010383667.XA CN111443566B (zh) | 2020-05-08 | 2020-05-08 | 掩膜板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111443566A true CN111443566A (zh) | 2020-07-24 |
CN111443566B CN111443566B (zh) | 2022-10-11 |
Family
ID=71650408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010383667.XA Active CN111443566B (zh) | 2020-05-08 | 2020-05-08 | 掩膜板 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220326599A1 (zh) |
CN (1) | CN111443566B (zh) |
WO (1) | WO2021223569A1 (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112346294A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-09 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 多重图形亚分辨率辅助图形添加方法 |
WO2021223569A1 (zh) * | 2020-05-08 | 2021-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板 |
CN114236973A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-03-25 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 提升拼接工艺窗口容许度的方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004071767A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Sony Corp | マスク、露光方法および半導体装置の製造方法 |
WO2004064126A1 (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Leepl Corp. | 荷電粒子露光方法、それに使用する相補分割マスク、及び該方法を使用して製造した半導体デバイス |
CN102819183A (zh) * | 2012-08-24 | 2012-12-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、采用掩膜板制作阵列基板的方法、阵列基板 |
CN108761995A (zh) * | 2018-06-21 | 2018-11-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、曝光方法和触控面板 |
CN110333642A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-10-15 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种光罩 |
CN111025842A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-04-17 | 云谷(固安)科技有限公司 | 掩膜板、拼接曝光方法及基板 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111736422A (zh) * | 2019-03-25 | 2020-10-02 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种掩模板和拼接曝光方法 |
CN110058486B (zh) * | 2019-03-26 | 2022-06-28 | 云谷(固安)科技有限公司 | 掩膜板组件及掩膜板组件拼接精度的检测方法 |
CN111443566B (zh) * | 2020-05-08 | 2022-10-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板 |
-
2020
- 2020-05-08 CN CN202010383667.XA patent/CN111443566B/zh active Active
-
2021
- 2021-04-09 WO PCT/CN2021/086282 patent/WO2021223569A1/zh active Application Filing
- 2021-04-09 US US17/639,071 patent/US20220326599A1/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004071767A (ja) * | 2002-08-05 | 2004-03-04 | Sony Corp | マスク、露光方法および半導体装置の製造方法 |
WO2004064126A1 (ja) * | 2003-01-08 | 2004-07-29 | Leepl Corp. | 荷電粒子露光方法、それに使用する相補分割マスク、及び該方法を使用して製造した半導体デバイス |
CN102819183A (zh) * | 2012-08-24 | 2012-12-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板、采用掩膜板制作阵列基板的方法、阵列基板 |
CN108761995A (zh) * | 2018-06-21 | 2018-11-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、曝光方法和触控面板 |
CN110333642A (zh) * | 2019-07-10 | 2019-10-15 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种光罩 |
CN111025842A (zh) * | 2019-12-26 | 2020-04-17 | 云谷(固安)科技有限公司 | 掩膜板、拼接曝光方法及基板 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021223569A1 (zh) * | 2020-05-08 | 2021-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板 |
CN112346294A (zh) * | 2020-11-13 | 2021-02-09 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 多重图形亚分辨率辅助图形添加方法 |
CN112346294B (zh) * | 2020-11-13 | 2023-11-14 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 多重图形亚分辨率辅助图形添加方法 |
CN114236973A (zh) * | 2021-12-14 | 2022-03-25 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 提升拼接工艺窗口容许度的方法 |
CN114236973B (zh) * | 2021-12-14 | 2024-03-08 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 提升拼接工艺窗口容许度的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2021223569A1 (zh) | 2021-11-11 |
CN111443566B (zh) | 2022-10-11 |
US20220326599A1 (en) | 2022-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN111443566B (zh) | 掩膜板 | |
CN205862051U (zh) | 一种彩膜基板及显示装置 | |
CN104503128B (zh) | 用于显示器的彩膜基板的制造方法 | |
US10012862B2 (en) | Method for manufacturing liquid crystal cell, liquid crystal cell, and display device | |
US9423687B2 (en) | Mask plate, method for fabricating array substrate using the same, and array substrate | |
WO2019148749A1 (en) | Touch substrate, manufacturing method thereof and display apparatus | |
CN104570467B (zh) | 显示面板 | |
CN104407471A (zh) | 彩色滤光膜及其制作方法及显示面板 | |
CN107219720A (zh) | 一种掩膜板、曝光装置以及膜层图案化的制作方法 | |
US8804075B2 (en) | Color filter and color filter manufacturing method | |
CN216595827U (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN210573180U (zh) | 掩模板 | |
CN105842944A (zh) | 液晶显示装置以及其制造方法 | |
CN108363270A (zh) | 一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置 | |
TW543199B (en) | Method for forming pattern on substrate and method for fabricating liquid crystal display using the same | |
KR20150114371A (ko) | 액정표시장치용 노광마스크와 이를 이용한 액정표시장치의 노광방법 | |
CN112230465B (zh) | 一种彩膜基板及其制备方法、显示面板 | |
CN114690491A (zh) | 阵列基板及显示面板 | |
CN113419399A (zh) | 半色调掩膜板、显示基板的制作方法及显示基板 | |
CN107065428B (zh) | 用于形成色阻层、黑矩阵的拼接单元光罩 | |
WO2021237552A1 (zh) | 掩膜板、曝光方法和触控面板 | |
CN110989237B (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
JP2010113268A (ja) | シールド材の製造方法及びフォトマスク | |
US20200401036A1 (en) | Mask and Method for preparing a Mask | |
CN108051981A (zh) | 曝光方法、uv掩膜板及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |