CN114690491A - 阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括第一基板、驱动层及透明电极层，透明电极层绝缘设置于驱动层远离第一基板的一侧，驱动层包括数据线；其中，透明电极层包括多个阵列排布的电场产生图案和位于相邻两列电场产生图案之间的电场屏蔽图案，电场产生图案包括若干公共电极条和若干像素电极条，公共电极条与像素电极条在行方向上交替设置，且公共电极条与像素电极条之间具有第一缝隙；电场屏蔽图案与电场产生图案之间间隔设置，电场屏蔽图案用于写入与公共电极条相同的公共电位；其中，电场屏蔽图案覆盖数据线；在行方向上：数据线的相对两侧边相对电场屏蔽图案的两侧边内缩。该方案减少了遮挡数据线的黑矩阵使用，对面板品质有提升。

Description

阵列基板及显示面板
技术领域
本公开属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
目前，液晶显示面板需要利用对置基板上的黑矩阵（BM）对阵列基板上的金属走线，例如：数据线等，进行遮挡，但这样会降低开口率，另外，还存在BM对位精度差等一系列问题，从而导致整体显示效果不良。
发明内容
本公开的目的在于提供一种阵列基板及显示面板，能够适当提高开口率以及减少因BM对位精度造成的一系列工艺问题，从而对面板制造工艺和面板品质提升具有重大意义。
本公开第一方面提供了一种阵列基板，包括第一基板、驱动层及透明电极层，所述透明电极层绝缘设置于所述驱动层远离所述第一基板的一侧，所述驱动层包括数据线；
所述透明电极层包括多个阵列排布的电场产生图案和位于相邻两列所述电场产生图案之间的电场屏蔽图案，所述电场产生图案包括若干公共电极条和若干像素电极条，所述公共电极条与所述像素电极条在行方向上交替设置，且所述公共电极条与所述像素电极条之间具有第一缝隙；所述电场屏蔽图案与所述电场产生图案之间间隔设置，且所述电场屏蔽图案用于写入与所述公共电极条相同的公共电位；
其中，所述电场屏蔽图案覆盖所述数据线；在行方向上：所述数据线的相对两侧边相对所述电场屏蔽图案的两侧边内缩。
在本公开的一种示例性实施例中，所述电场屏蔽图案包括第一屏蔽电极条，所述第一屏蔽电极条用于写入所述公共电位，所述第一屏蔽电极条覆盖所述数据线；在行方向上：所述数据线的相对两侧边相对所述第一屏蔽电极条的两侧边内缩。
在本公开的一种示例性实施例中，所述电场屏蔽图案还包括位于所述第一屏蔽电极条在行方向上相对两侧的第二屏蔽电极条，所述第二屏蔽电极条用于写入所述公共电位，所述第二屏蔽电极条与所述第一屏蔽电极条之间具有第二缝隙。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第二屏蔽电极条与所述像素电极条相邻设置，且所述第二屏蔽电极条与所述像素电极条之间具有第三缝隙。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阵列基板还包括形成在所述第一基板上的遮光部，每个所述数据线在行方向上的相对两侧均设置有所述遮光部；
其中，所述遮光部的一部分与所述第三缝隙在所述第一基板上存在交叠，所述遮光部的一部分与所述像素电极条靠近所述第二屏蔽电极条的边缘区域在所述第一基板上存在交叠。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一缝隙、所述第二缝隙及所述第三缝隙在行方向上的尺寸相等。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一屏蔽电极条与所述像素电极条相邻设置，所述第一屏蔽电极条与所述像素电极条之间具有第四缝隙；
所述阵列基板还包括形成在所述第一基板上的遮光部，每个所述数据线在行方向上的相对两侧均设置有所述遮光部，且所述遮光部遮挡所述第四缝隙。
在本公开的一种示例性实施例中，所述遮光部在所述第一基板上的正投影覆盖所述第四缝隙以及覆盖所述像素电极条和所述第一屏蔽电极条的边缘区域；和/或
所述第四缝隙与所述第一缝隙在行方向上的尺寸相等。
在本公开的一种示例性实施例中，所述驱动层还包括位于所述透明电极层靠近所述第一基板一侧的晶体管，所述晶体管的栅极与所述遮光部间隔且同层设置，所述晶体管的源极和漏极与所述数据线同层设置，所述源极与所述数据线连接，所述漏极与所述像素电极条连接；和/或
所述阵列基板还包括彩膜层，所述彩膜层位于所述透明电极层与所述驱动层之间。
本公开第二方面提供了一种显示面板，包括对置基板及液晶层，其中，所述显示面板还包括上述任一项所述的阵列基板，所述阵列基板与所述对置基板对盒设置，所述液晶层夹设在所述阵列基板与所述对置基板之间；其中，
所述阵列基板还包括第二基板及位于所述第二基板靠近所述阵列基板一侧的黑矩阵，所述黑矩阵与所述电场屏蔽图案在所述第一基板上的正投影不存在交叠。
本公开方案的有益效果：
本公开的阵列基板将数据线放置在透明电极层的电场屏蔽图案下，利于电场屏蔽图案各处均是相同的公共电位，这样无论像素电极条给的是什么样的电位，电场屏蔽图案处对应的液晶分子基本上都不会产生转动，液晶分子不转动，意味着偏振光的相位不改变，穿过下偏光片的偏振光，在常黑模式的液晶显示面板中，相位如果没有改变是无法穿过上偏光片的，因此，电场屏蔽图案处起到相当于黑矩阵（BM）的作用，起到遮光的目的，故该种设计方案可减少用于遮挡数据线的BM使用，减少了因BM对位精度造成的一系列工艺问题，对面板制造工艺和面板品质提升具有重大意义。另外，由于减少用于遮挡数据线的BM使用，因此，还可适当提高像素开口率。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本公开实施例一所述的阵列基板的平面示意图。
图2示出了图1中所示的沿D-D方向的剖视示意图。
图3示出了本公开实施例二所述的阵列基板的平面示意图。
图4示出了图3中所示的沿A-A方向的剖视示意图。
图5示出了图1或图3中所示的沿B-B方向的剖视示意图。
图6示出了实施例三所述的显示面板在一截面下的剖视示意图。
图7示出了实施例三所述的显示面板在另一截面下的剖视示意图。
附图标记说明：
100、第一基板；101、晶体管；101c、源极；101d、漏极；102、扫描线；103、数据线；104、栅绝缘层；105、钝化层；106、公共电极条；107、像素电极条；108、像素信号导电条；109、第一屏蔽电极条；110、第二屏蔽电极条；111、公共信号连接条；112、遮光部；113、公共信号走线；114、彩膜层；115、平坦层；116、第二基板；117、液晶层；118、黑矩阵；
C、电场产生图案；P、电场屏蔽图案；S1、第一缝隙；S2、第二缝隙；S3、第三缝隙；S4、第四缝隙；X、行方向；Y、列方向。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。
在本公开中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本公开的各方面。
实施例一
本公开实施例提供了一种阵列基板，此阵列基板可应用于液晶显示面板。举例而言，本实施例的液晶显示面板可为IPS（In-Plane Switching，平面转换）型。应当理解的是，本实施例的液晶显示面板应用于常黑显示模式，像素不开启的情况下常黑。
具体地，结合图1、图2和图5所示对本实施例的阵列基板进行具体介绍。
阵列基板可包括第一基板100、驱动层及透明电极层，此驱动层可包括晶体管101、扫描线102、数据线103等。
第一基板100可为单层结构，例如为玻璃基板，但不限于此，也可为多种材料堆叠的复合结构，在此不作详细说明。
扫描线102设于第一基板100上，此扫描线102整体可看作在行方向X上延伸，扫描线102可设置多行并间隔排布。
数据线103设于第一基板100上，此数据线103整体可看作在列方向Y上延伸，数据线103可设置多列并间隔排布。其中，数据线103可位于扫描线102远离第一基板100的一侧，也就是说，数据线103可在扫描线102之后制作于第一基板100上，此数据线103与扫描线102之间绝缘设置，也就是说，数据线103与扫描线102之间设置有栅绝缘层104。
举例而言，扫描线102和数据线103等可采用金属材料制作而成，例如包括铜、钼、铝及钛等，以保证其良好的导电性能，但不限于此，也可采用其他具有良好导电性能的材料制作而成。
晶体管101可位于透明电极层靠近第一基板100的一侧，此晶体管101可包括有源层、栅极、源极101c和漏极101d。其中，栅极可与扫描线102同层设置并连接，应当理解的是，栅极也可理解为由扫描线102的部分结构构成，即：扫描线102中与有源层对应的部分区域可用来构成晶体管101的栅极，源极101c、漏极101d和数据线103可同层设置，其中，源极101c与数据线103连接。
应该理解的是，在本公开中，“同层设置”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。即一次构图工艺对应一道掩模板(mask，也称光罩)。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度，从而简化制作工艺，节省制作成本，提高生产效率。
举例而言，本实施例的晶体管101可为底栅型，在晶体管101为底栅型时，栅极可位于有源层靠近第一基板100的一侧，并与有源层之间可设置有栅绝缘层104，源极101c和漏极101d分别与有源层两端的源掺杂区和漏掺杂区直接搭接；但不限于此，晶体管101也可为顶栅型，视具体情况而定。
透明电极层可绝缘设置于驱动层远离第一基板100的一侧，也就是说，透明电极层在驱动层之后制作在第一基板100上，且透明电极层与驱动层之间设置有钝化层105。举例而言，透明电极层可采用氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、氧化锌（ZnO）等透明导电材料制作而成。
其中，透明电极层包括多个阵列排布的电场产生图案C和位于相邻两列电场产生图案C之间的电场屏蔽图案P。此电场产生图案C用于在像素工作时形成电场，以使得与电场产生图案C对应的液晶分子偏转，从而使得光线可以从此处通过；电场屏蔽图案P则用于实现电场屏蔽，故像素工作时该区域上方的液晶分子不发生偏转，从而可实现遮光效果，也就是说，本公开实施例通过利用透明电极层实现部分区域电场屏蔽，以起到遮光效果，这样可减少对置基板上BM的使用。
具体地，电场产生图案C可包括若干公共电极条106和若干像素电极条107。
像素电极条107可与晶体管101的漏极101d连接，以用于写入像素电位，其中，电场产生图案C可包括像素信号导电条108，此像素信号导电条108用于相邻两数据线103之间的各像素电极条107连接，以形成像素电极，此像素信号导电条108可与晶体管101的漏极101d连接，具体可通过穿过两者之间的过孔连接。
而公共电极条106用于写入公共电位，公共电极条106与像素电极条107在行方向X上交替设置，且公共电极条106与像素电极条107之间具有第一缝隙S1，这样可使像素电极条107与公共电极条106之间形成水平电场，使得与其相对的液晶分子发生偏转。
电场屏蔽图案P与电场产生图案C之间间隔设置，且电场屏蔽图案P用于写入与公共电极条106相同的公共电位，换言之，电场屏蔽图案P各处均为公共电位，无像素电位，因此无电场形成，此处液晶分子不发生偏转。
其中，电场屏蔽图案P覆盖数据线103；本实施例中通过将数据线103放置在透明电极层的电场屏蔽图案P下，利于电场屏蔽图案P各处均是相同的公共电位，这样无论像素电极条107给的是什么样的电位，电场屏蔽图案P处对应的液晶分子基本上都不会产生转动，液晶分子不转动，意味着偏振光的相位不改变，穿过下偏光片的偏振光，在常黑模式的液晶显示面板中，相位如果没有改变是无法穿过上偏光片的，因此，电场屏蔽图案P处起到相当于黑矩阵（BM）的作用，起到遮光的目的，故该种设计方案可减少用于遮挡数据线103的BM使用，减少了因BM对位精度造成的一系列工艺问题，对面板制造工艺和面板品质提升具有重大意义。另外，由于减少用于遮挡数据线103的BM使用，因此，还可适当提高像素开口率。
具体地，在行方向X上：数据线103的相对两侧边相对电场屏蔽图案P的两侧边内缩，这样进一步保证数据线103位于无电场且液晶分子不偏转的区域，从而保证利用电场屏蔽图案P进行遮光的效果。
在本实施例中，电场屏蔽图案P可包括第一屏蔽电极条109，用于写入公共电位，此第一屏蔽电极条109可覆盖数据线103，在行方向X上：数据线103的相对两侧边相对第一屏蔽电极条109的两侧边内缩，以保证电场屏蔽图案P的面积，从而更好地实现遮光效果。
可选地，本实施例的电场屏蔽图案P还可包括位于第一屏蔽电极条109在行方向X上相对两侧的第二屏蔽电极条110，第二屏蔽电极条110用于写入公共电位，由于第二屏蔽电极条110与第一屏蔽电极条109之间写入相同的公共电位，因此，第二屏蔽电极条110与第一屏蔽电极条109之间无电场，即：液晶分子在此处不发生偏转，起到遮光效果。
其中，第二屏蔽电极条110与第一屏蔽电极条109之间具有第二缝隙S2，也就是说，第二屏蔽电极条110与数据线103在第一基板100上的正投影不存在交叠，这样可进一步增加电场屏蔽的面积，从而保证良好的遮光效果。
在实施例中，第二屏蔽电极条110可与像素电极条107相邻设置，且第二屏蔽电极条110与像素电极条107之间具有第三缝隙S3，虽然第二屏蔽电极条110与像素电极条107之间能够形成电场，但由于此电场离数据线103较远，因此，不影响电场屏蔽图案P对数据线103的遮挡效果。
应当理解的是，前述提到的第一缝隙S1、第二缝隙S2及第三缝隙S3在行方向X上的尺寸相等，这样可降低产品设计难度。
此外，第二屏蔽电极条110、公共电极条106、像素电极条107在行方向X上的尺寸也可设计为相等，以降低产品设计难度，而用于覆盖数据线103的第一屏蔽电极条109则可略宽于第二屏蔽电极条110、公共电极条106、像素电极条107，这样在加工透明电极层的过程中可方便对位。
举例而言，透明电极层中可包括公共信号连接条111，此公共信号连接条111可用于连接第一屏蔽电极条109、第二屏蔽电极条110和各公共电极条106，以保证第一屏蔽电极条109和公共电极条106同时写入相同的公共电位，即：公共信号连接条111、第一屏蔽电极条109、第二屏蔽电极条110和各公共电极条106连接在一起可看作公共电极。
在本实施例中，阵列基板还可包括形成在第一基板100上的遮光部112，其中，每个数据线103在行方向X上的相对两侧均可设置有此遮光部112，应当理解的是，遮光部112与数据线103在第一基板100上的正投影存在间隔。
其中，遮光部112的一部分与第三缝隙S3在第一基板100上存在交叠，遮光部112的一部分与像素电极条107靠近第二屏蔽电极条110的边缘区域在第一基板100上存在交叠，也就是说，遮光部112会对第三缝隙S3进行遮盖，此遮盖可为完全遮盖，也可为遮盖第三缝隙S3的部分，且遮光部112还会遮盖像素电极条107靠近第二屏蔽电极条110的边缘区域。由于位于边缘的像素电极条107与第二屏蔽电极条110之间的边缘电场相比于中间的电场更靠近数据线103，因此，可能会受到数据线103等结构的影响而导致此处液晶分子偏转紊乱，基于此，通过遮光部112遮盖像素电极条107靠近第二屏蔽电极条110的边缘区域，可对此处边缘电场区域的液晶分子进行遮挡，改善显示效果。
举例而言，此遮光部112可为金属材料制成，可用于阻挡背光模组发光的光线通过，具体地，此遮光部112可与晶体管101的栅极同层设置，以减少光罩次数，降低成本；其中，遮光部112与栅极和扫描线102等间隔设置，也就是说，遮光部112与栅极和扫描线102不具有相同电位。
应当理解的是，本实施例还可包括与栅极和扫描线102同层设置的公共信号走线113，此公共信号走线113用于提供公共电位，其中，前述提到的公共信号连接条111与公共信号走线113通过穿过绝缘层的过孔连接。
阵列基板还包括彩膜层114，此彩膜层114可位于透明电极层和驱动层之间，具体可位于钝化层105与透明电极层之间。
其中，在制作完彩膜层114之后且制作透明电极层之前，还可再制作一层平坦层115，通过在制作透明电极层之前对基板进行平坦化处理，可降低后续透明电极层的制作难度。
实施例二
如图3至图5所示，本实施例二与实施例一的主要区别在于：电场屏蔽图案P仅包括第一屏蔽电极条109，而不包括第二屏蔽电极条110，也就是说，第一屏蔽电极条109与像素电极条107相邻设置，其中，第一屏蔽电极条109与像素电极条107之间具有第四缝隙S4。
由于第一屏蔽电极条109与像素电极条107的电位不同，因此，会产生一定的电场，基于此，为了避免此处电场影响遮光效果，可使遮光部112遮挡第四缝隙S4，这样即使此处液晶分子发生偏转，但由于遮光部112具有遮光性能，可阻挡光线从此处穿过，从而此处不需要用BM层进行遮挡。
具体地，遮光部112在第一基板100上的正投影覆盖第四缝隙S4以及覆盖像素电极条107和第一屏蔽电极条109的边缘区域，以进一步保证遮挡效果。
在本实施例中，第四缝隙S4与第一缝隙S1在行方向X上的尺寸相等，以降低设计难度。
需要说明的是，本实施例二除了上述提到的特征与实施例一具有区别，其他可采用实施例一所记载的特征，在此不作重复赘述。
实施例三
本实施例提供了一种显示面板，此显示面板除了包括实施例一或实施例二所描述的阵列基板之外，如图6所示，还可包括对置基板和液晶层117，阵列基板与对置基板对盒设置，且液晶层117夹设在阵列基板与对置基板之间，也就是说，此显示面板可为液晶显示面板。
其中，如图7所示，对置基板可包括第二基板116以及位于第二基板116靠近阵列基板一侧的黑矩阵118，此黑矩阵118与电场屏蔽图案在第一基板100上的正投影不存在交叠，如图6所示，也就是说，电场屏蔽图案上方可不用设置黑矩阵进行遮挡，本实施例通过减少用于遮挡数据线103的BM使用，减少了因BM对位精度造成的一系列工艺问题，对面板制造工艺和面板品质提升具有重大意义。另外，由于减少用于遮挡数据线103的BM使用，因此，还可适当提高像素开口率。
应当理解的是，虽然数据线103上方的黑矩阵减少了，但是还是需要黑矩阵的使用，此黑矩阵118主要用于对扫描线102、晶体管101、公共信号走线113以及非显示区等区域进行遮挡，如图7所示。
本公开实施例的显示面板可配合背光模组形成液晶显示器，此液晶显示器可应用于电视、手机、平板、笔记本电脑等电子设备，在此不再赘述。
在本说明书的描述中，参考术语 “一些实施例”、“示例地”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本公开的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本公开的限制，本领域的普通技术人员在本公开的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型，故但凡依本公开的权利要求和说明书所做的变化或修饰，皆应属于本公开专利涵盖的范围之内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，包括第一基板、驱动层及透明电极层，所述透明电极层绝缘设置于所述驱动层远离所述第一基板的一侧，所述驱动层包括数据线；其特征在于，
所述透明电极层包括多个阵列排布的电场产生图案和位于相邻两列所述电场产生图案之间的电场屏蔽图案，所述电场产生图案包括若干公共电极条和若干像素电极条，所述公共电极条与所述像素电极条在行方向上交替设置，且所述公共电极条与所述像素电极条之间具有第一缝隙；所述电场屏蔽图案与所述电场产生图案之间间隔设置，且所述电场屏蔽图案用于写入与所述公共电极条相同的公共电位；
其中，所述电场屏蔽图案覆盖所述数据线；在行方向上：所述数据线的相对两侧边相对所述电场屏蔽图案的两侧边内缩。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电场屏蔽图案包括第一屏蔽电极条，所述第一屏蔽电极条用于写入所述公共电位，所述第一屏蔽电极条覆盖所述数据线；在行方向上：所述数据线的相对两侧边相对所述第一屏蔽电极条的两侧边内缩。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述电场屏蔽图案还包括位于所述第一屏蔽电极条在行方向上相对两侧的第二屏蔽电极条，所述第二屏蔽电极条用于写入所述公共电位，所述第二屏蔽电极条与所述第一屏蔽电极条之间具有第二缝隙。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二屏蔽电极条与所述像素电极条相邻设置，且所述第二屏蔽电极条与所述像素电极条之间具有第三缝隙。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括形成在所述第一基板上的遮光部，每个所述数据线在行方向上的相对两侧均设置有所述遮光部；
其中，所述遮光部的一部分与所述第三缝隙在所述第一基板上存在交叠，所述遮光部的一部分与所述像素电极条靠近所述第二屏蔽电极条的边缘区域在所述第一基板上存在交叠。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一缝隙、所述第二缝隙及所述第三缝隙在行方向上的尺寸相等。
7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一屏蔽电极条与所述像素电极条相邻设置，所述第一屏蔽电极条与所述像素电极条之间具有第四缝隙；
所述阵列基板还包括形成在所述第一基板上的遮光部，每个所述数据线在行方向上的相对两侧均设置有所述遮光部，且所述遮光部遮挡所述第四缝隙。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光部在所述第一基板上的正投影覆盖所述第四缝隙以及覆盖所述像素电极条和所述第一屏蔽电极条的边缘区域；和/或
所述第四缝隙与所述第一缝隙在行方向上的尺寸相等。
9.根据权利要求5或7所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动层还包括位于所述透明电极层靠近所述第一基板一侧的晶体管，所述晶体管的栅极与所述遮光部间隔且同层设置，所述晶体管的源极和漏极与所述数据线同层设置，所述源极与所述数据线连接，所述漏极与所述像素电极条连接；和/或
所述阵列基板还包括彩膜层，所述彩膜层位于所述透明电极层与所述驱动层之间。
10.一种显示面板，包括对置基板及液晶层，其特征在于，所述显示面板还包括如权利要求1至9中任一项所述的阵列基板，所述阵列基板与所述对置基板对盒设置，所述液晶层夹设在所述阵列基板与所述对置基板之间；其中，
所述对置基板还包括第二基板及位于所述第二基板靠近所述阵列基板一侧的黑矩阵，所述黑矩阵与所述电场屏蔽图案在所述第一基板上的正投影不存在交叠。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115202117A (zh) * 2022-07-29 2022-10-18 惠科股份有限公司 阵列基板、显示装置和驱动电路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1434338A (zh) * 2002-01-10 2003-08-06 日本电气株式会社 采用横向电场的有源矩阵寻址液晶显示装置
CN104597643A (zh) * 2015-01-30 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN110824795A (zh) * 2019-10-18 2020-02-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种基板及液晶显示面板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1434338A (zh) * 2002-01-10 2003-08-06 日本电气株式会社 采用横向电场的有源矩阵寻址液晶显示装置
CN104597643A (zh) * 2015-01-30 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN110824795A (zh) * 2019-10-18 2020-02-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种基板及液晶显示面板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115202117A (zh) * 2022-07-29 2022-10-18 惠科股份有限公司 阵列基板、显示装置和驱动电路
CN115202117B (zh) * 2022-07-29 2023-06-16 惠科股份有限公司 阵列基板、显示装置和驱动电路

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