CN111443494B - 光源装置 - Google Patents

光源装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111443494B
CN111443494B CN201911323180.6A CN201911323180A CN111443494B CN 111443494 B CN111443494 B CN 111443494B CN 201911323180 A CN201911323180 A CN 201911323180A CN 111443494 B CN111443494 B CN 111443494B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
incident
optical system
condensing
light source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911323180.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111443494A (zh
Inventor
三浦雄一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
Publication of CN111443494A publication Critical patent/CN111443494A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111443494B publication Critical patent/CN111443494B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0916—Adapting the beam shape of a semiconductor light source such as a laser diode or an LED, e.g. for efficiently coupling into optical fibers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/095—Refractive optical elements
    • G02B27/0955—Lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/0977—Reflective elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/09—Beam shaping, e.g. changing the cross-sectional area, not otherwise provided for
    • G02B27/0938—Using specific optical elements
    • G02B27/0994—Fibers, light pipes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08086—Multiple-wavelength emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0225—Out-coupling of light
    • H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

本发明提供一种使用从多个射出区域射出光的外部谐振器型半导体激光光源射出提高了角度分布均匀性的光的光源装置。该光源装置的特征在于，具有：外部谐振器型半导体激光光源，包含波长转换元件，将由所述波长转换元件转换波长而成的光从第一光射出区域及与所述第一光射出区域不同的第二光射出区域射出；第一光波导以及第二光波导，从各个光射出面对同一照射面照射光；第一聚光光学系统，使从所述第一光射出区域射出的多个第一光束会聚到所述第一光波导的入射面；以及第二聚光光学系统，使从所述第二光射出区域射出的多个第二光束会聚到所述第二光波导的入射面。

Description

光源装置
技术领域
本发明涉及光源装置，尤其涉及使用从外部谐振器型半导体激光光源射出的光的光源装置。
背景技术
以往，作为光源装置之一，已知有外部谐振器型半导体激光光源，为了提高光的取出效率，外部谐振器型半导体激光光源已知有从多个区域射出光的光源装置。本申请人开发了利用波长转换元件对从半导体元件射出的多个基本光进行波长转换，从两个不同的光射出区域射出相同波段的光的激光光源(下述专利文献1)。
专利文献1：日本特开2014-187138号公报
在此，为了对从具有多个光射出区域的激光光源射出的光进行聚光，考虑使用聚光透镜进行聚光的方法。但是，本发明人在对如上述专利文献1所记载的激光光源那样、利用聚光透镜对从多个射出区域射出的相同波段的光进行聚光的光源装置进行研究时发现存在以下那样的课题。以下，参照附图进行说明。
首先，作为具有多个光射出区域的激光光源，对上述专利文献1所记载的具有2个光射出区域(10a、10b)的激光光源10的结构的一例进行说明。图1A是表示上述专利文献1所记载的外部谐振型半导体激光光源的结构的示意性侧视图。
图1B是从光的射出方向(图1A中的Z方向)观察图1A所示的半导体元件101时的放大图。如图1B所示，从在半导体元件101上形成为阵列状的发光部102射出的光，通过VBG(Volume Bragg Gratings)103反射特定波段的光。被VBG103反射的光在与半导体元件101之间反复反射而振荡。在半导体元件101和VBG103之间反复反射的光被波长转换元件104逐渐转换为规定的波段的光。
通过波长转换元件104转换为规定波段的光的光通过VBG103而直接从第一光射出区域10a射出。转换为规定波段的光的剩余的光被配置在半导体元件与波长转换元件104之间的、反射规定波段的光的反射部件(105、106)向第二光射出区域10b引导并射出。
激光光源10的第一光射出区域10a与第二光射出区域10b的分离距离由用于将由波长转换元件104转换后的光向第二光射出区域10b引导的两个反射部件(105、106)的配置间隔决定。需要以两个反射部件不接触的方式配置两个反射部件(105、106)的间隔。另外，即使能够使两个反射部件(105、106)的间隔接近，也需要避免其再次入射到波长转换元件104。若由波长转换元件104转换后的光再次入射到波长转换元件104，则一部分光被波长转换元件104吸收，与直接射出的光相比，光强度降低。因此，需要使第一光射出区域10a和第二光射出区域10b分开一定距离以上。
根据上述的情况，外部振荡器型的激光光源10具有隔开一定距离以上的两个光射出区域(10a、10b)。另外，发光部102在半导体元件101上形成为阵列状，因此也从2个光射出区域(10a、10b)分别射出多个射束(光束)。
图2A是示意性地表示包含激光光源10、聚光透镜110及光纤111而构成的，光源装置100的YZ平面视图。图2A示意性地图示了从激光光源10的两个不同的光射出区域(10a、10b)射出的光(激光)的行进路径的侧视。如图2A所示，从激光光源10射出的各激光入射到聚光透镜110。从聚光透镜110射出的各激光朝向光纤111的入射面111a聚光。
在图2A中，将与光纤111的入射面111a正交的轴作为光轴112。另外，将光轴112方向设为Z方向，将与Z方向正交的平面设为XY平面，将光相对于入射面111a的入射角设为θ1。进而，在各光射出区域(10a、10b)中，将伴随着发光部102配置成阵列状而激光排列的方向设为X方向，将各光射出区域(10a、10b)相对的方向设为Y方向。另外，在本说明书中，将从各光射出区域(10a、10b)的中心与光轴112平行地射出的光线称为“主光线”，将从各光射出区域(10a、10b)射出的形成为束状的光线组称为“光束”。
接着，说明朝向Y方向观察光源装置100的情况。图2B是从Y方向观察图2A所示的光源装置100时的示意图。
从激光光源10射出的多个光束从第一光射出区域10a和第二光射出区域10b以排列成一列的状态射出，并入射到聚光透镜110。从聚光透镜110射出的多个光束朝向光纤111的入射面111a聚光。另外，由于从第一光射出区域10a射出的多个光束与从第二光射出区域10b射出的多个光束同样成列地射出，因此在俯视(图2B)中，被从第二光射出区域10b射出的多个光束遮挡。
进而，对在XY平面上观察聚光透镜110的入射面110a的情况进行说明。图2C是从激光光源10侧向Z方向观察图2A的聚光透镜110的入射面110a时的示意图。如图2C所示，在聚光透镜110的入射面110a上，从第一光射出区域10a射出的光束L10a和从第二光射出区域10b射出的光束L10b入射到以光轴112为中心在Y方向上对称的位置。在图2C中，图示了以光轴112为中心连接距光轴112的距离相同的光束的主光线的同心圆。
这样，当各光束(L10a、L10b)入射到聚光透镜110的入射面110a时，如图2C所示，在光轴112附近不存在光，或者与主光线附近相比，产生光强度极低的区域。
若在聚光透镜110的入射面110a，光不存于光轴112的周边，或者与主光线附近比较光强度极低的区域产生的光通过聚光透镜110朝向光纤111的入射面111a聚光，则入射到光纤111的光成为，在光纤111的入射面111a的入射角θ1小的区域不存在光，或者与主光线附近相比产生光强度极低的区域的光。图2A～图2C所示的结构的角度分布的详细情况在图3的说明中后述。
图3是示意性地表示光纤111的入射面111a中的光的角度分布的曲线图。在图3中，横轴对应于入射面103中的光的入射角θ1，纵轴对应于按每个入射角θ1的光强度。如图3所示，在光纤111的入射面111a的入射角θ1小的区域中，产生在一部分不存在光或者与主光线附近相比光强度极低的区域。
光纤111的入射面111a中的光的角度分布在射出面111b也被保持。即，在光纤111的射出面111b中，在光存在的角度范围内，存在一部分不存在光或者与主光线附近相比光强度极低的区域，成为照度不均的原因。因此，可知若使用具有多个射出区域的激光光源，则在图2A～图2C所示的结构的光源装置中，无法得到角度分布均匀的光，产生照度不均。
鉴于上述课题，能够考虑将聚光透镜110的入射面110a中的光束的入射位置错开的方法。但是，如上所述，在减小激光光源10的光射出区域(10a、10b)的分离距离上存在极限。因此，当从任意一方的光射出区域(10a、10b)射出的光束以接近光轴112的方式进行调整时，从另一方的光射出区域(10a、10b)射出的光束会进一步远离光轴112。
因此，即使调整了聚光透镜110的入射面110a的光束的入射位置，由于激光光源10的各个光射出区域(10a、10b)之间需要一定的间隔距离，因此，在光存在的角度范围内，产生在一部分不存在光或与主光线附近相比光强度极低的区域，因此无法消除从光源装置100射出的光的照度不均。
发明内容
鉴于上述课题，本发明的目的在于提供一种光源装置，其使用从多个射出区域射出光的外部谐振器型半导体激光光源射出角度分布的均匀性提高的光。
本发明所涉及的光源装置，其具有：
外部谐振器型半导体激光光源，包含波长转换元件，将由所述波长转换元件转换波长而成的光从第一光射出区域及与所述第一光射出区域不同的第二光射出区域射出；
第一光波导以及第二光波导，从各个光射出面对同一照射面射出光且包括圆形的入射面；
第一聚光光学系统，使从所述第一光射出区域射出的多个第一光束会聚到所述第一光波导的入射面；以及
第二聚光光学系统，使从所述第二光射出区域射出的多个第二光束会聚到所述第二光波导的入射面。
从激光光源的第一光射出区域射出的多个第一光束入射到第一聚光光学系统的入射面，从激光光源的第二光射出区域射出的多个第二光束入射到第二聚光光学系统的入射面。通过设为这样的结构，能够使多个第一光束入射到第一聚光光学系统的入射面的任意位置，并能够使多个第二光束入射到第二聚光光学系统的入射面的任意位置。
光波导对于从入射面入射的光保持相对于光轴的入射角的角度，使以光轴为中心的周向的分布均匀，从而以与入射角相同的角度从射出面射出。详细内容在图5B的说明中后述。
通过使光束入射到聚光光学系统的任意位置，能够调整相对于光波导的入射面的入射角的分布。因此，通过调整从光波导射出的光的角度分布，能够使角度分布的均匀性提高，并能够得到照度不均被抑制的光。
在上述光源装置中，
入射至所述第一聚光光学系统的入射面的多个所述第一光束中的、入射至最接近所述第一聚光光学系统的光轴的位置的第一特定光束的主光线与所述第一聚光光学系统的光轴之间的间隔d1a，比所述第一特定光束的主光线与邻接于所述第一特定光束的所述第一光束的主光线之间的间隔d1b短，
入射到所述第二聚光光学系统的入射面的多个所述第二光束中的、入射到最接近所述第二聚光光学系统的光轴的位置的第二特定光束的主光线与所述第二聚光光学系统的光轴之间的间隔d2a，比所述第二特定光束的主光线与邻接于所述第二特定光束的所述第二光束的主光线之间的间隔d2b短。
在聚光光学系统的入射面中，光束入射到接近光轴的区域，从而能够得到光波导的入射面内的入射角小的区域的光。通过设为上述的结构，能够使第一聚光光学系统的入射面中的多个第一光束和第二聚光光学系统的入射面中的多个第二光束均入射到靠近聚光光学系统的光轴的区域。
入射到聚光光学系统的入射面的多个光束中的、入射到最接近聚光光学系统的光轴的位置的特定光束的主光线与聚光光学系统的光轴之间的间隔(d1a，d2a)比特定光束的主光线和与特定光束相邻的光束的主光线之间的间隔(d1b，d2b)短，从而能够使入射角小的光入射到光波导的入射面。能够得到光波导的入射面的入射角小的区域的光，能够进一步提高角度分布的均匀性，得到抑制了照度不均的光。
在上述光源装置中，
所述间隔d1a与所述间隔d2a之差为所述间隔d1b或所述间隔d2b的1/4以上且1/2以下。
通过使间隔d1a与间隔d2a之差为间隔d1b或间隔d2b的1/4以上且1/2以下，在从第一光波导射出的光的角度分布和从第二光波导射出的光的角度分布各自的光存在的角度范围内，能够相互补充一部分不存在光或与主光线附近比较光强度极低的区域，能够进一步提高角度分布的均匀性，能够得到照度不均被抑制的光。
在上述光源装置中，可以为
所述第一聚光光学系统具有第一透镜部分和第二透镜部分，其中，所述第一透镜部分为，多个所述第一光束中的一部分入射到该第一透镜部分而会聚到所述第一光波导的入射面上的第一聚光区域，所述第二透镜部分为，多个所述第一光束中的另一部分入射到该第二透镜部分而会聚到所述第一光波导的入射面上的与所述第一聚光区域不同的第二聚光区域，
在所述第一聚光光学系统的入射面上，位于多个所述第一光束的中央的光束的主光线位于所述第一透镜部分的光轴与所述第二透镜部分的光轴之间。
并且，在上述光源装置中，可以为
所述第二聚光光学系统具有第三透镜部分和第四透镜部分，其中，所述第三透镜部分为，多个所述第二光束中的一部分入射到该第三透镜部分而会聚到所述第二光波导的入射面上的第三聚光区域，所述第四透镜部分为，多个所述第二光束中的另一部分入射到该第四透镜部分而会聚在所述第二光波导的入射面上的与所述第三聚光区域不同的第四聚光区域，
在所述第二聚光光学系统的入射面上，位于多个所述第二光束的中央的光束的主光线位于所述第三透镜部分的光轴与所述第四透镜部分的光轴之间。
半导体激光光源具有射出光的半导体元件(半导体激光元件)。该半导体元件在为了发光而流过电流时因内部电阻而发热。即，在以射出多个光束的方式配置有多个半导体元件的情况下，配置于中央部的半导体元件也受到周围的半导体元件的热影响，因此与配置于端部的半导体元件相比成为高温。
半导体元件随着温度上升、发光所需的电流量(阈值电流)变大，因此如果以一定的电流值驱动多个半导体元件，则有成为高温的中央部的半导体元件发生不点亮或光强度的降低的情况。详细情况在图10的说明中后述。
因此，若使电流在半导体元件中流动而使半导体元件点亮，不久半导体元件成为高温，则中央部的半导体元件变得不点亮，存在从半导体激光光源的第一光射出区域以及第二光射出区域射出的多个光束中的位于中央部的光束无法射出的情况。
通过设为上述结构，即使一部分的光束因发热而熄灭，通过另一部分光束，也能够在光存在的角度范围内相互补充在一部分不存在光或者与主光线附近相比光强度极低的区域。因此，在激光光源的温度上升、从各光射出区域射出的多个光束中位于中央部的光束的光强度降低的情况下，能够避免从光源装置射出的光的角度分布的均匀性大幅降低。
在上述光源装置中，可以为，
所述第一聚光光学系统和所述第二聚光光学系统结合而构成为一体。
在上述光源装置中，
所述外部谐振器型半导体激光光源具备：
发出基本光的半导体元件；
波长选择元件，从所述半导体元件观察，配置在比所述波长转换元件远的位置，在与所述半导体元件之间构成所述基本光的外部谐振器，并且使由所述波长转换元件转换所述基本光的波长而成的转换光透过，进而引导至所述第一光射出区域；及
反射构件，反射从所述波长转换元件向所述半导体元件的方向射出的所述转换光，进而引导至所述第二光射出区域。
在上述外部谐振器型半导体激光光源中，可以为，
所述半导体元件具有配置成阵列状的多个发光部，
所述多个发光部分别射出所述基本光。
通过在半导体元件中以阵列状形成多个发光部，从外部谐振器型半导体激光光源的第一光射出区域以及第二光射出区域射出的光束在聚光光学系统的入射面以规定的间隔排列入射。因此，能够容易进行根据入射位置调整角度分布。
发明效果：
根据本发明，能够提供一种使用从多个光射出区域射出光的外部谐振器型半导体激光光源来射出角度分布的均匀性提高了的光的光源装置。
附图说明
图1A是示意性地表示外部谐振器型半导体激光光源的一个实施方式的侧视图。
图1B是从光的射出方向观察图1A的半导体元件时的示意图。
图2A是示意性地表示由激光光源、聚光透镜及光纤构成的光源装置的YZ平面视图。
图2B是从Y方向观察图2A的光源装置时的示意图。
图2C是从激光光源侧向Z方向观察图2A的聚光透镜的入射面时的示意性的图。
图3是示意性地表示光纤的入射面中的光的角度分布的曲线图。
图4A是示意性地表示光源装置的一实施方式的构成例的YZ平面视图。
图4B是从Y方向观察图4A的光源装置时的示意图。
图4C是从激光光源侧向Z方向观察图4A的聚光光学系统的入射面时的示意图。
图5A是示意性地表示在YZ平面视图中在第一光波导内行进的光的图。
图5B是示意地表示在XY平面视图中在第一光波导内行进的光的图。
图5C是示意性地表示从第一光波导射出的光的图。
图6是示意性地表示图4A的光源装置照射的光的角度分布的曲线图。
图7A是示意性地表示光源装置的其他实施方式的构成例的XZ平面视图。
图7B是从激光光源侧向Z方向观察图7A的聚光光学系统的入射面时的示意图。
图8是示意性地表示图7A的光源装置射出的光的角度分布的曲线图。
图9A是示意性地表示光源装置的其他实施方式的构成例的XZ平面视图。
图9B是从激光光源侧向Z方向观察图9A的聚光光学系统的入射面时的示意图。
图10是表示外部谐振器型半导体激光光源的光输出的温度特性的图。
图11是从激光光源侧朝向Z方向观察光源装置的其他实施方式中的聚光光学系统的入射面时的示意图。
图12是示意性地表示光源装置的其他实施方式的构成例的YZ平面视图。
图13A是示意性地表示外部谐振器型半导体激光光源的另一实施方式的侧视图。
图13B是从光的射出方向观察图13A的半导体元件时的示意图。
符号说明：
1：光源装置
10：激光光源
11：第一聚光光学系统
11a：入射面
11c：光轴
11L：第一透镜部
11R：第二透镜部
12：第二聚光光学系统
12a：入射面
12c，12d，12e：光轴
12L：第三透镜部
12R：第四透镜部
13：第一光波导
13a：入射面
13b：射出面
13c：光轴
14：第二光波导
14a：入射面
14b：射出面
15：照射面
16a：第一聚光区域
16b：第二聚光区域
20，21：反射构件
22：光束
71，72，73，74：光束
81，82，83，84：光束
91，92，93，94，95，96，97，98：光束
100：光源装置
101：半导体元件
102：发光部
103：VBG
104：波长转换元件
105，106：反射构件
110：聚光透镜
110a：入射面
111：光纤
111a：入射面
112：光轴
D1a，d1b，d2a，d2b：距离
L10a，L10b：光束
θ1：入射角
θ2：射出角
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的光源装置进行说明。需要说明的是，以下的各附图均示意性地图示，附图上的尺寸比、个数与实际的尺寸比、个数不一定一致。
[第一实施方式]
图4A是示意性地表示光源装置1的一实施方式的结构例的图。如图4A所示，光源装置1具备：具有第一光射出区域10a和第二光射出区域10b的激光光源10；第一聚光光学系统11；第二聚光光学系统12；第一光波导13；第二光波导14。
第一聚光光学系统11是使从第一光射出区域10a射出的多个光束(以下，称为“第一光束”)会聚到第一光波导13的入射面13a的光学系统。第二聚光光学系统12是使从第二光射出区域10b射出的多个光束(以下，称为“第二光束”)会聚到第二光波导14的入射面14a的光学系统。
第一光波导13是具有圆形的入射面13a并将从第一聚光光学系统11入射到上述入射面13a的光引导至光射出面13b后，相对于照射面15射出的导光部件。第二光波导14是具有圆形的入射面14a且将从第二聚光光学系统12入射的光引导至光射出面14b后，相对于照射面15射出的导光部件。即，各光波导(13、14)是从各自的光射出面(13b、14b)对同一照射面15射出光的结构。
在以下的说明中，将与第一光波导13以及第二光波导14的入射面(13a、14a)正交的各个轴作为光轴(11c、12c)。另外，将光轴(11c、12c)方向设为Z方向，将与Z方向正交的平面设为XY平面，将光相对于入射面13a的入射角设为θ1。进而，在各射出区域(10a、10b)中，将光束排列的方向设为X方向，将各射出区域(10a、10b)相对的方向设为Y方向。
图4B是从Y方向观察图4A所示的光源装置1时的示意图。如图4B所示，从激光光源10射出的多个第二光束从第二光射出区域10b以排列成一列的状态射出，并入射到第二聚光光学系统12。从第二聚光光学系统12射出的多个光束朝向第二光波导14的入射面14a聚光。
此外，与图2B同样地，从第一光射出区域10a射出的多个第一光束形成与从第二光射出区域10b射出的多个第二光束同样的列而射出，因此在俯视时，被从第二光射出区域10b射出的多个第二光束遮挡。另外，第一聚光光学系统11以及第一光波导13分别被第二聚光光学系统12和第二光波导14遮挡。
在第一实施方式中，激光光源10是外部谐振器型半导体激光光源。作为一例，能够采用与参照图1A说明的以往的激光光源10相同的构造。即，如图1A所示，激光光源10具有：发出基本光的半导体元件101；从半导体元件101观察，配置在比波长转换元件104远的位置，在与半导体元件101之间构成基本光的外部谐振器，并使由波长转换元件104转换上述基本光的波长而成的转换光透过并引导至第一光射出区域10a的波长选择元件116；和对从波长转换元件104向半导体元件101的方向射出的转换光进行反射，从而引导至第二光射出区域10b的反射构件(105、106)。
第一聚光光学系统11以及第二聚光光学系统12配置为从激光光源10射出的光束入射到平坦面，并从凸面射出，但也可以配置为，从激光光源10射出的光束入射到凸面并从平坦面射出。
图4C是从激光光源10侧向Z方向观察图4A的聚光光学系统(11、12)的入射面(11a、12a)时的示意图。如图4C所示，在第一实施方式中，入射到第一聚光光学系统11的第一光束L10a在入射面11a上的相对于中心的相对的入射位置与入射到第二聚光光学系统12的第二光束L10b在入射面12a上的相对于中心的相对的入射位置相同。
此外，在图4C的例子中，配置为，入射到各个聚光光学系统(11、12)的入射面(11a、12a)的各光束的主光线在直线上排列，且配置为，连结各光束的主光线的直线的中点位于各个聚光光学系统(11、12)的光轴(11c、12c)上。
另外，在图4C中图示了以光轴(11c、12c)为中心连结距光轴(11c、12c)的距离相同的光束的主光线的同心圆。以下，在图示聚光光学系统的入射面的附图中也同样地进行图示。
在此，将入射到第一聚光光学系统11的入射面11a的多个第一光束中的、入射到最接近第一聚光光学系统11的光轴11c的位置的光束称为“第一特定光束”。在图4C中，作为入射到入射面11a的多个第一光束L10a的一例，图示了包含4个光束(71、72、73、74)的情况。在该例子中，光束72或光束73相当于上述第一特定光束。在此，将光束72作为第一特定光束进行处理。
而且，设第一特定光束72的主光线与第一聚光光学系统11的光轴11c之间的间隔为d1a。另外，设第一特定光束72的主光线和与第一特定光束相邻的第一光束(在此为光束71和光束73)的主光线之间的间隔为间隔d1b。
对于第二聚光光学系统12也同样，将入射到第二聚光光学系统12的入射面12a的多个第二光束中的、入射到最接近第二聚光光学系统12的光轴12c的位置的光束称为“第二特定光束”。在图4C中，作为入射到入射面12a的多个第二光束L10b的一例，图示了包含4个光束(81、82、83、84)的情况。在该例子中，光束82或光束83相当于上述第一特定光束。在此，将光束82作为第一特定光束进行处理。
并且，设第二特定光束82的主光线与第二聚光光学系统12的光轴12c之间的间隔为d2a。另外，设第二特定光束82的主光线和与第二特定光束相邻的第二光束(在此为光束81与光束83)的主光线之间的间隔为间隔d2b。
在各个聚光光学系统(11、12)的入射面(11a、12a)中，各光束(L10a、L10b)如图4C所示那样配置，由此，间隔d1a比间隔d1b短，间隔d2a比间隔d2b短。间隔d1a比间隔d1b短，间隔d2a比间隔d2b短，由此，从第一光射出区域10a以及第二光射出区域10b射出并入射到光波导(13、14)的入射面(13a、14a)的光在小的入射角θ1的范围内光分布。
在此，说明入射到第一光波导13的光束如何被变换而射出。图5A是示意性地表示在YZ平面视中在第一光波导13内行进的光的图。如图5A所示，第一光波导13一边使入射的光在侧面反复反射，一边将光线向射出面13b引导。
在图5A中，示意性地仅表示一条光线，但多个光束入射至第一光波导13，光线汇集于第一光波导13内并从射出面13b射出。
接着，说明在XY平面上观察在光波导(13、14)内行进的光的情况。图5B是示意性地表示在XY平面视中在第一光波导13内行进的光的图。如图5B所示，入射到第一光波导13的光束22在作为圆形的第一光波导13的内壁面上反射。在此，具有一定宽度的光束22在第一光波导13的圆形的内壁面上反射时，一边朝向对置的壁面宽度扩展一边行进。
图5C是示意地表示从第一光波导13射出的光的图。如上所述，从入射面13a入射到第一光波导13内的光束22在第一光波导13的内壁面上一边反复反射一边行进，不久成为一边在第一光波导13的内壁面的整个周向上反射一边行进的光束22。
到达射出面13b的光束作为以光轴13c为中心、射出角为θ2的圆环状的光束22射出。在第一实施方式中，第一光波导13在入射面13a与射出面13b之间弯曲，但光的入射角θ1维持至射出面13b，因此与图5C所示的结构同样，能够从射出面13b以射出角θ2射出。
为了使从第一光波导13射出的光不产生的照度不均，如上所述，需要如下方式进行光源、光学系统的配置，在第一聚光光学系统11的入射面11a上，光不存在于以第一聚光光学系统11的光轴11c为中心的同心圆上，或者不存在与主光线附近比较光强度极低的区域。另外，入射到第二光波导14的光束也与入射到第一光波导13的光束22同样地被转换，因此省略说明。
如上所述，从第一光波导13射出的光和从第二光波导14射出的光朝向同一照射面15而射出光。在此，为了保持光波导(13，14)的入射面(13a，14a)中的关于入射角θ1的角度分布，从第一光波导13以及第二光波导14的射出面(13b、14b)射出并照射到照射面15的光的角度分布为针对射入第一光波导13以及第二光波导14的光的入射角θ1的角度分布的叠加。
图6是示意性地表示图4A的光源装置1射出的光的角度分布的曲线图。如图6所示，光源装置1通过采用第一实施方式那样的结构，对于光波导(13、14)的入射面(13a、14a)，即使在较小的入射角θ1内光也进行分布，角度分布的均匀性得以提高。即，能够射出抑制了照度不均的光。
[第二实施方式]
关于本发明的光源装置的第二实施方式的结构，以与第一实施方式不同的部分为中心进行说明。
图7A是示意性地表示光源装置1的其他实施方式的结构例的XZ平面视图。另外，图7B是从激光光源10侧向Z方向观察图7A的聚光光学系统(11、12)的入射面(11a、12a)时的示意图。如图7A及图7B所示，在第二实施方式中，第一聚光光学系统11以间隔d1a为间隔d1b的1/2的方式配置，第二聚光光学系统12以间隔d2a为0、即第二特定光束82的主光线与第二聚光光学系统12的光轴12c一致的方式配置。另外，在图7B中，由于间隔d2a为0，因此未图示。
如上所述，光源装置1射出的光的角度分布是从第一光波导13射出的光的角度分布和从第二光波导14射出的光的角度分布的叠加，是关于入射到第一光波导13以及第二光波导14的光的入射角θ1的角度分布。
图8是示意性地表示图7A的光源装置1射出的光的角度分布的曲线图。如图8所示，光源装置1射出的光的角度分布相互补充在一部分不存在光或者与主光线附近相比光强度极低的区域，角度分布的均匀性得以提高，能够射出照度不均被抑制的光。
在第二实施方式中，第一聚光光学系统11配置为间隔d1a成为间隔d1b的1/2，第二聚光光学系统12以间隔d2a成为0的方式配置，但除此之外也可以为，第一聚光光学系统11以间隔d1a成为间隔d1b的1/4的方式配置，第二聚光光学系统12以间隔d2a成为0的方式配置。另外，间隔(d1a、d2a)的一方不为0也可以，只要间隔d1a与间隔d2a之差为间隔d1b或间隔d2b的1/4以上且1/2以下即可。
[第三实施方式]
关于本发明的光源装置的第三实施方式的结构，以与第一实施方式及第二实施方式不同的部分为中心进行说明。
图9A是示意性地表示光源装置1的其他实施方式的结构例的XZ平面视图。另外，图9B是从激光光源10侧向Z方向观察图9A的聚光光学系统12的入射面12a时的示意图。如图9A以及图9B所示，在第三实施方式中，第一聚光光学系统11具有聚光于第一光波导13的入射面13a上的第一聚光区域16a的第一透镜部11L、和聚光于与第一聚光区域16a不同的第二聚光区域16b的第二透镜部11R。第二聚光光学系统12具有聚光于第二光波导14的入射面14a上的第一聚光区域16a的第三透镜部12L、和聚光于与第一聚光区域16a不同的第二聚光区域16b的第四透镜12R。
例如，第二光波导14能够设为将第一聚光区域16a设为一个入射面、将第二聚光区域16b设为另一入射面的光纤束。对于第一光波导13也是同样的。
在第三实施方式中，第一聚光光学系统11和第二聚光光学系统12为相同的结构，从第一光射出区域10a射出的多个第一光束和从第二光射出区域10b射出的多个第二光束以相同的方式入射到各自的入射面(11a、12a)。以下，基于图9A以及图9B，仅对从第二光射出区域10b射出的第二光束L10b的转换进行说明。
在第三实施方式中，如图9B所示，作为入射到入射面12a的多个第二光束L10b的一例，图示了包含8个光束(91、92、93、94、95、96、97、98)的情况。从第二光射出区域10b射出的8个第二光束L10b中的一部分光束(91、92、93、94)入射到第二聚光光学系统12的第三透镜部分12L，剩余的一部分光束(95、96、97、98)入射到第二聚光光学系统12的第四透镜部分12R。
入射到第三透镜部分12L的第二光束(91、92、93、94)会聚于第一聚光区域16a，并向第二光波导14入射。入射到第四透镜部分12R的第二光束(95、96、97、98)聚光于第二聚光区域16b，并向第二光波导14入射。另外，在第二聚光光学系统12的入射面上，位于8个第二光束L10b的中央部的光束(94、95)位于第三透镜部分12L的光轴12d与第四透镜部分12R的光轴12e之间。
首先说明与外部谐振器型半导体激光光源的光输出相关的温度特性。图10是表示外部谐振器型半导体激光光源的光输出的温度特性的图。如图10所示，外部谐振器型的激光光源10的温度上升时，光输出降低。因此，若以恒定的驱动电流点亮，则温度逐渐因发热而上升，光输出降低。这依赖于发出基本光的半导体元件101的光输出的温度特性。
如参照图1B所述的那样，第三实施方式中的激光光源10将发出基本光的多个发光部102排列成一列的阵列状。排列成一列的阵列状的发光部102若流过用于发光的驱动电流，则因内部电阻而发热。配置成阵列状的发光部102中的位于中央部侧的发光部102不易散热，且受到周围的发光部102的热的影响，因此与位于端部侧的发光部102相比成为高温。
因此，位于发光部102的中央部侧的发光部102与位于端部侧的发光部102相比，光输出容易降低，激光光源10内的振荡动作容易停止。即，从各光射出区域(10a、10b)射出的各光束(L10a、L10b)有时不输出中央部侧的光束。
在如图4C、图7B所示的第一实施方式、第二实施方式中，若中央部侧的光束(72、73、82、83)的光输出降低或者它们熄灭，则从光波导(13、14)输出的光成为中央部的光强度极端低或者中央部的光欠缺的光。
因此，通过形成为图9A和图9B所示的结构，入射到最接近第三透镜部分12L的光轴12d的是光束92和光束93、入射到最接近第四透镜部分12R的光轴12e的是光束96和光束97，均不是位于第二光束L10b的中央部的光束(94、95)。
基于同样的理由，对于构成第一聚光光学系统11的第一透镜部分11L以及第二透镜部分11R，入射到最接近各自的光轴的位置的光束并非是位于第一光束L10a的中央部的光束。
因此，假设发光部102的点亮状态长时间持续使用，在多个发光部102中，配置于中央部的发光部102因温度的上升而使光输出降低或熄灭，即使不输出光束(94、95)，从光波导(13、14)输出的光也不会成为中央部的光强度极低或中央部的光欠缺的光。即，在激光光源10的温度上升，光束(94、95)的光强度降低的情况下，能够避免从光源装置1射出的光的角度分布的均匀性大幅降低。
在第三实施方式中，第一聚光光学系统11和第二聚光光学系统12为相同的结构，从第一光射出区域10a射出的多个第一光束和从第二光射出区域10b射出的多个第二光束，以相同的方式入射到各自的入射面(11a、12a)，但也可以构成为使聚光光学系统(11、12)的入射面(11a、12a)的入射位置不同。
[其他实施方式]
以下，对其他实施方式进行说明。
<1>图11是从激光光源侧向Z方向观察光源装置1的其他实施方式中的聚光光学系统(11、12)的入射面时的示意图。如图11所示，第一聚光光学系统11和第二聚光光学系统12也可以结合而构成为一体。
<2>图12是示意性地表示光源装置1的其他实施方式的结构例的YZ平面视图。如图12所示，从第一光射出区域10a或第二光射出区域10b射出的光束也可以构成为，使用反射构件(20、21)而引导至任意的位置，并向聚光光学系统(11、12)的入射面(11a、12a)入射。
<3>图13A是示意性地表示外部谐振器型半导体激光光源的另一实施方式的侧视图。图13B是从光的射出方向观察图13A的半导体元件101时的示意图。如图13以及图13B所示，构成为半导体元件101的发光部102也可以沿X方向配置。并且也可以构成为，在X方向和Y方向的任一个方向上均构成多列。
在图1A以及图1B所示的半导体元件101上形成的发光部102朝向X方向排列配置。因此，从各个光射出区域(10a、10b)射出的在X方向上排列的多个光束以在Y方向上对置的方式射出。
在图13A以及图13B所示的半导体元件101上形成的发光部102朝向Y方向排列配置。因此，从光射出区域(10a、10b)射出的全部光束在Y方向上排列射出。
<4>参照图1A和图13A说明的激光光源10以包含选择性地反射特定波段的光的VBG103作为波长选择元件的情况为例进行了说明。但是，也可以是选择特定波段的光的元件(例如标准滤光器、TFF(Thin Film Filter)等)和分色镜的组合等。

Claims (7)

1.一种光源装置，其具有：
外部谐振器型半导体激光光源，包含波长转换元件，将由所述波长转换元件转换波长而成的光从第一光射出区域及与所述第一光射出区域不同的第二光射出区域射出；
第一光波导以及第二光波导，从各个光射出面对同一照射面射出光且包括圆形的入射面；
第一聚光光学系统，使从所述第一光射出区域射出的多个第一光束会聚到所述第一光波导的入射面；以及
第二聚光光学系统，使从所述第二光射出区域射出的多个第二光束会聚到所述第二光波导的入射面。
2.根据权利要求1所述的光源装置，其特征在于，
入射至所述第一聚光光学系统的入射面的多个所述第一光束中的、入射至最接近所述第一聚光光学系统的光轴的位置的第一特定光束的主光线与所述第一聚光光学系统的光轴之间的间隔d1a，比所述第一特定光束的主光线与邻接于所述第一特定光束的所述第一光束的主光线之间的间隔d1b短，
入射到所述第二聚光光学系统的入射面的多个所述第二光束中的、入射到最接近所述第二聚光光学系统的光轴的位置的第二特定光束的主光线与所述第二聚光光学系统的光轴之间的间隔d2a，比所述第二特定光束的主光线与邻接于所述第二特定光束的所述第二光束的主光线之间的间隔d2b短。
3.根据权利要求2所述的光源装置，其特征在于，
所述间隔d1a与所述间隔d2a之差为所述间隔d1b或所述间隔d2b的1/4以上且1/2以下。
4.根据权利要求1或2所述的光源装置，其特征在于，
所述第一聚光光学系统具有第一透镜部分和第二透镜部分，其中，所述第一透镜部分为，多个所述第一光束中的一部分入射到该第一透镜部分而会聚到所述第一光波导的入射面上的第一聚光区域，所述第二透镜部分为，多个所述第一光束中的另一部分入射到该第二透镜部分而会聚到所述第一光波导的入射面上的与所述第一聚光区域不同的第二聚光区域，
在所述第一聚光光学系统的入射面上，位于多个所述第一光束的中央的光束的主光线位于所述第一透镜部分的光轴与所述第二透镜部分的光轴之间。
5.根据权利要求4所述的光源装置，其特征在于，
所述第二聚光光学系统具有第三透镜部分和第四透镜部分，其中，所述第三透镜部分为，多个所述第二光束中的一部分入射到该第三透镜部分而会聚到所述第二光波导的入射面上的第三聚光区域，所述第四透镜部分为，多个所述第二光束中的另一部分入射到该第四透镜部分而会聚在所述第二光波导的入射面上的与所述第三聚光区域不同的第四聚光区域，
在所述第二聚光光学系统的入射面上，位于多个所述第二光束的中央的光束的主光线位于所述第三透镜部分的光轴与所述第四透镜部分的光轴之间。
6.根据权利要求1或2所述的光源装置，其特征在于，
所述第一聚光光学系统和所述第二聚光光学系统结合而构成为一体。
7.根据权利要求1或2所述的光源装置，其特征在于，
所述外部谐振器型半导体激光光源具备：
发出基本光的半导体元件；
波长选择元件，从所述半导体元件观察，配置在比所述波长转换元件远的位置，在与所述半导体元件之间构成所述基本光的外部谐振器，并且使由所述波长转换元件转换所述基本光的波长而成的转换光透过，进而引导至所述第一光射出区域；及
反射构件，反射从所述波长转换元件向所述半导体元件的方向射出的所述转换光，进而引导至所述第二光射出区域。
CN201911323180.6A 2019-01-17 2019-12-20 光源装置 Active CN111443494B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-006041 2019-01-17
JP2019006041A JP7151497B2 (ja) 2019-01-17 2019-01-17 光源装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111443494A CN111443494A (zh) 2020-07-24
CN111443494B true CN111443494B (zh) 2023-07-28

Family

ID=71610076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911323180.6A Active CN111443494B (zh) 2019-01-17 2019-12-20 光源装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11177635B2 (zh)
JP (1) JP7151497B2 (zh)
CN (1) CN111443494B (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0715076A (ja) * 1993-06-15 1995-01-17 Sony Corp 波長変換装置
JP2003344803A (ja) * 2002-03-19 2003-12-03 Toyoda Mach Works Ltd レンズアレイ、光整列器及びレーザ集光装置
CN102147573A (zh) * 2010-02-08 2011-08-10 优志旺电机株式会社 光照射装置
JP2015040892A (ja) * 2013-08-20 2015-03-02 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4080608B2 (ja) * 1998-09-25 2008-04-23 浜松ホトニクス株式会社 半導体レーザ光源装置
KR100982421B1 (ko) * 2004-10-14 2010-09-15 삼성전자주식회사 깔대기 형태의 전류주입영역을 구비하는 면발광 고출력레이저 소자
US7561612B2 (en) * 2006-09-28 2009-07-14 Seiko Epson Corporation Laser source device, image display device equipped with the laser source device, and monitor device
JP4449976B2 (ja) * 2006-12-26 2010-04-14 セイコーエプソン株式会社 外部共振型レーザ光源装置
US7963677B2 (en) * 2006-12-28 2011-06-21 Seiko Epson Corporation Light source device, having wavelength conversion and separation means, and projector
JP2009194126A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Seiko Epson Corp 光源装置、プロジェクタ、及びモニタ装置
JP5957937B2 (ja) * 2012-02-16 2016-07-27 セイコーエプソン株式会社 照明装置およびプロジェクター
JP2014187138A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Ushio Inc レーザ光源装置
JP2017204530A (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 三菱電機株式会社 外部共振半導体レーザ装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0715076A (ja) * 1993-06-15 1995-01-17 Sony Corp 波長変換装置
JP2003344803A (ja) * 2002-03-19 2003-12-03 Toyoda Mach Works Ltd レンズアレイ、光整列器及びレーザ集光装置
CN102147573A (zh) * 2010-02-08 2011-08-10 优志旺电机株式会社 光照射装置
JP2015040892A (ja) * 2013-08-20 2015-03-02 セイコーエプソン株式会社 光源装置およびプロジェクター

Also Published As

Publication number Publication date
JP7151497B2 (ja) 2022-10-12
CN111443494A (zh) 2020-07-24
JP2020115416A (ja) 2020-07-30
US20200235549A1 (en) 2020-07-23
US11177635B2 (en) 2021-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3589299B2 (ja) ビーム整形装置
EP3018776B1 (en) Laser device
JP4002286B2 (ja) 半導体レーザ装置
US20050073750A1 (en) Power combination optical system and light source module
CN115053097A (zh) 用于车辆的照明装置、尤其是前照灯
JP2013214651A (ja) 半導体レーザ光学装置
KR101033759B1 (ko) 반도체 레이저 장치
CN109417270A (zh) 激光模块
JP2011086905A (ja) レーザ・アセンブリ
JP2006261194A (ja) ファイバレーザ発振器
CN111801856B (zh) 激光模块
JP4024270B2 (ja) 半導体レーザ装置
CN111443494B (zh) 光源装置
US20220190551A1 (en) Fiber-coupled diode laser module and method of its assembling
JP6521098B2 (ja) 合波レーザ光源
JP3994961B2 (ja) 光導波路アレイ及びレーザ発光装置
JP2006301195A (ja) レーザ装置およびファイバカップリングモジュール
JP6662460B2 (ja) 発光装置
CN112673294B (zh) 复用光学系统
JP7316098B2 (ja) 半導体レーザモジュール及びレーザ加工装置
JP2021152567A (ja) 光源装置、プロジェクタおよび機械加工装置
JP2009168846A (ja) 集光装置および集光方法
JP7331902B2 (ja) 光源装置及び投影装置
KR20240116950A (ko) 반도체 레이저를 위한 광학 디바이스, 및 이러한 광학 디바이스를 포함하는 레이저 디바이스
KR100219582B1 (ko) 빔정형 콜리메이터

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant