CN111438370A - 一种银纳米粒子的制备方法及其在导电油墨及薄膜上的应用 - Google Patents
一种银纳米粒子的制备方法及其在导电油墨及薄膜上的应用 Download PDFInfo
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Abstract
本发明属于纳米材料技术领域,涉及了一种含有硝酸银,胺化合物,具有一个以上羟基的芳族羧酸或者其芳族羧酸盐,或用具有一个以上羟基的芳香羧酸酯的溶液,在适当的条件下还原硝酸银的工艺,从而得到银纳米粒子的湿式制备方法。该湿式制备方法能够得到具有非常好的分散性的银纳米粒子。另外,根据本发明所记载的制备方法得到的银纳米粒子,能够制备含有银纳米粒子分散液的喷墨用油墨,同时也能通过改进含有银纳米粒子分散液的工艺,进行表面涂覆加工,并且在低温条件下干燥即可得到一种具有良好导电率的薄膜。银纳米粒子具有稳定的物理化学性能,可广泛应用于导电浆料、电子元器件、抗菌材料、催化剂等领域,具有广阔的应用前景。
Description
技术领域:
本发明属于纳米材料技术领域,涉及了一种含有硝酸银,胺化合物,具有一个以上羟基的芳族羧酸或者其芳族羧酸盐,或用具有一个以上羟基的芳香羧酸酯的溶液,在适当的条件下还原硝酸银的工艺,从而得到银纳米粒子的湿式制备方法。
背景技术:
近年,随着电子机器的高机能化发展,电子部件的小型化及高密度化成为研究热点,为了制造更精巧的电子回路,银微纳米粒子是一种有效的材料,银纳米粒子具有稳定的物理化学性能,在电学、抗菌、催化和光学等方面具有非常优异的性能,可广泛应用于电子元器件、导电浆料、抗菌材料、催化剂等领域,具有广阔的应用前景。因此也越来越需要微细和分散性好的银微纳粒子。作为一般的金属微粒子的制造方法,有CVD法和喷雾热分解法等气相法,利用化学还原的湿式方法也逐渐被利用。但是,根据以往的湿式方法制备的微粒子凝聚性强,难以均匀分散,所以不易絮凝的高纯度银微粒子被研究者注目。使用气相法制备银微粒子,得到的金属微粒子虽然具有好的分散性,但存在成本高且粒度控制困难的问题。因此我们尝试采用湿式方法制备具有良好分散性的银纳米粒子。例如,在专利文献1(特开平10-265812)中,在胶体保护氯化银的条件下的还原方法。在专利文献2(特开2003-253311)中,提出了一种在保护剂存在条件下还原卤化银的方法。
发明内容:
为了克服银纳米粒子分散性问题以及粒径分布不均问题,本发明提出了一个含有硝酸银,胺化合物,具有一个以上羟基的芳族羧酸或者其芳族羧酸盐,或用具有一个以上羟基的芳香羧酸酯的溶液,在适当的条件下还原硝酸银的工艺,从而得到银纳米粒子的湿式制备方法,并且确认了该种方法制备的银纳米粒子具有良好的分散性和计较均匀的粒径分布。另外,根据本发明所述的制备方法能够制得银纳米粒子,并能够调制成含有银纳米粒子分散液的喷墨用油墨,在此基础上,通过分散液的涂覆在低温干燥即可得到导电膜的工艺制备方法。综上所述,本发明通过湿式银纳米粒子的制备技术,得到了良好分散性的银纳米粒子,具有导电性的喷墨用油墨以及一种便利的导电膜制备方法。
附图说明:
图1是银纳米粒子的粒径分布图。
实施方式:
本发明的湿式制备纳米银离子的方法,实验方法是:
(A)硝酸银,(B)胺化合物,(C)具有一个以上羟基的芳族羧酸,一个以上羟基的芳族羧酸盐,或者具有一个以上羟基的芳香羧酸酯(以下,芳族羧酸等,或含有成分C),在最少含有一种以上成分的溶液中还原硝酸银制备银纳米粒子的方法。在这里,银纳米粒子的平均粒径(D50)意味着纳米级的粒子,其中,平均粒径(D50)以下为首选。平均粒径(D50)的下限没有特别限制,但希望1nm以上。
1、本发明的实验,银纳米粒子的原料使用硝酸银。因为使用硝酸银,能够得到粒径小且粒径均匀的银纳米粒子。首先,调制硝酸银溶液,溶剂首选水。其次,将硝酸银溶液和胺化合物混合,准备好溶解的硝酸银和胺化合物的溶液。其中,首选胺化合物溶液慢慢滴入硝酸银溶液。这样做是为了反应能够均匀的进行,保证银纳米粒子的粒径分布均匀。另外,胺化合物的滴下时间比较长的话,得到的银粒子的平均直径能够变小。
2、作为胺化合物,如果能溶解在溶解硝酸银溶液中比较好,如果使用水作溶剂的情况下,应选择水溶性的胺化合物。例如,篦麻毒素,胺、乙醇胺等1级胺,二乙胺,二乙醇胺等2级胺,三乙胺,二甲氨基乙醇等3级胺,咪唑,三唑等。其中,从制备小粒径的银纳米观点出发,三乙胺,二甲氨基乙醇为首选。设定适当的反应速度,为了得到小粒径,胺化合物的使用量与硝酸银的摩尔比为1.0以上,2.0以下,胺化合物起催化剂作用。再者,作为胺化合物,也可以采用两种以上的不同胺化合物并用。
3、将具有一个以上羟基的芳族羧酸或者芳族羧酸盐,或用具有一个以上羟基的芳香羧酸酯和硝酸银调制成溶液,然后与胺化合物的溶液进行混合,把芳族羧酸等成分(C)和溶解了硝酸银和胺化合物的溶液进行混合的时候,可以把芳族羧酸等成分直接的添加到硝酸银和胺化合物的溶液中,首选芳族羧酸等成分溶解在溶剂里后,再与硝酸银和胺化合物溶液混合。其中,首选把用溶剂溶解了的芳族羧酸等成分滴入硝酸银和胺化合物溶液中的工艺。这样做银纳米粒子的粒径能够保证均一性。在这个基础上把滴入时间延长,能够得到平均粒径比较小的银粒子。芳族羧酸等成分的溶剂和硝酸银和胺化合物的溶剂如果有相容性比较好。例如,使用具有一个以上羟基的芳族羧酸或者其芳族羧酸盐的时候,把具有一个以上羟基的芳族羧酸或者其芳族羧酸盐用水溶解,然后和硝酸银和胺化合物的水溶液混合比较好。另外,使用具有一个以上羟基的芳族羧酸酯的时候,可以用醇类等亲水性的极性溶剂溶解所述的芳族羧酸酯,接着再和硝酸银和胺化合物水溶液混合。
4、把具有一个以上羟基的芳族羧酸或者芳族羧酸盐,或者具有一个以上羟基的芳族羧酸酯作为银纳米粒子的分散剂及还原剂使用。
5、作为具有一个以上羟基的芳族羧酸或者芳族羧酸盐,或者具有一个以上羟基的芳族羧酸酯(成分 (C)),可以用下式(1)表示。
(化学式(1)中,2≦m+n≦6,1≦m≦5,1≦n≦5,R为氢,碱性金属,或是一价烃基。)
6、例如,二羟苯甲酸,单羟基甲苯酸,没食子酸以及关联的盐,或者关联的酯。碱性金属盐比较好,特别是钠盐和钾盐。从水或者低级醇类溶剂的溶解性考虑,作为酯来说,碳数1-15的醇类和酯比较好,例如,十二烷基二羟基苯甲酸酯,十二烷基单羟基苯甲酸酯,十二烷基没食子酸酯比较好。
7、在没食子酸,没食子酸盐,没食子酸酯,二羟基苯甲酸,二羟基苯甲酸盐及二羟基苯甲酸酯这些原料中,最少使用其中的一种。而使用这些原料中的任何一个,都能得到分散性非常好的纳米银粒子。不仅如此,具有一个以上羟基的芳族羧酸等物质,作为成分(C),苯环上2个以上氢元素被羟基置换了的芳族羧酸,及其盐和酯的任何一个。并且,最好选择两个羟基是对位或邻位化合物。例如,前述的没食子酸,没食子酸盐,没食子酸酯,3,4-二羟基苯甲酸,3,4-二羟基苯甲酸盐,3,4-二羟基苯甲酸酯,2,5-二羟基苯甲酸,2,5-二羟基苯甲酸盐,2,5-二羟基苯甲酸酯,2,3-二羟基苯甲酸,2,3-二羟基苯甲酸盐,2,3-二羟基苯甲酸酯这些原料,最少使用其中的一种,而使用这些原料中的任何一个,都能得到分散性非常好的银纳米粒子。另外,使用制备的银纳米粒子制成的分散液涂覆后不用烧制,仅仅低温干燥就可以形成导电性非常好的薄膜。
作为芳族羧酸等成分(C),指苯环上2个以上氢元素被羟基置换了的芳族羧酸,及其盐和酯的任何一个。并且,使用两个羟基是对位或邻位化合物的时候,不用烧制,低温干燥就可以制成具有良好导电性的薄膜。前述的两个以上的羟基互相对位或邻位的化合物作为还原剂被氧化,羟基变成酮结构。对于被氧化了的前述化合物,因为双键都变成了共轭双键,所以认为薄膜具有良好的导电性。可以同时使用2种以上前述的芳族羧酸,芳族羧酸盐,芳族羧酸酯原料。前述的芳族羧酸,芳族羧酸盐,芳族羧酸酯的使用量合计为:对于1摩尔的硝酸银,摩尔比为0.5-1.5之间适宜。在保证溶解性的前提下,这样的操作能够适度的调节反应速度,以便得到粒径较小的银纳米粒子。
8、本发明,对于硝酸银的溶剂,使用能溶解具有一个以上羟基芳族羧酸等的溶剂并滴加到硝酸银的溶剂中比较适宜。这样做能够得到平均粒径较小的银纳米粒子。
9、按照以上的方法,把全部原料混合后,搅拌1-2小时得到反应液。反应液中硝酸银浓度为0.01mol/L 以上,0.1mol/L以下适宜。用这样比较稀的浓度能控制并得到平均粒径较小的粒子。本发明,上述的全部工艺应在10℃以上,50℃以下进行实施,不需要特别的加热和冷却,室温条件下为宜。所以这种制造方法具有好的操作性。50℃以下进行实施,可以控制反应速度,得到平均粒径较小的粒子。另外,因为10℃以上的反应条件也可以防止反应速度的降低。另外本发明,上述全部的工艺过程中没有特别的激烈发热反应,是一个简便易操作的制造方法。
10、按照以上的方法制得的反应液用离心机分离,去掉上面的清液,再向得到的沉淀物中加水,再度离心分离,去掉上层清液。不断重复这样的操作,直到获得银纳米粒子的水溶液为止。另外,水溶液中银粒子没有絮凝,分散性也非常好。作为分散性好的理由,我们认为是以下的原因:对于银纳米粒子,芳族羧酸,芳族羧酸盐及芳族羧酸酯的羟基,羧基(或残留羧基)互相配位,并形成螯合物。据此推断,这就是银纳米粒子分散性好的原因。另外,银纳米粒子的平均粒径(D50)50nm以下,1nm以上。这其中,我们期望平均粒径为1nm-10nm之间,并且为球形粒子。我们使用TEM对200个平均粒径(D50)的粒子进行了测定,小粒径的个数占了50%。
11、用上述方法制得的纳米银粒子溶液能够被加工成导电性油墨,例如,把纳米银粒子水溶液和乙醇混合,就能够制得喷墨用油墨。另外,按照以上方法制得的油墨或银纳米粒子分散液涂覆后,通过干燥或烧制即可得到导电薄膜。干燥过程可以是室温放置,或风干最好在60℃以下干燥。干燥的最低温度没有特别的限制,最好是10℃以上,室温条件下为宜。通过干燥,蒸发掉溶剂。干燥过程,不需要烧制和清洗工艺,操作性较好。另外如果进行烧制,需要5分钟以上,100℃以上的条件为佳,因为这样薄膜中的溶剂蒸发并且含有羟基的芳族羧酸等形成炭化物。
12、本发明,不仅仅限定前述的工艺方法,还包括了达到此发明目的范围内的以上工艺的拓展和改良。例如,前述的工艺,准备好前述的硝酸银和胺化合物的水溶液后,添加了具有一个以上羟基芳族羧酸,但是本发明不仅仅主张了这个工艺,还主张了其他类似的工艺过程。例如,预先准备好硝酸银溶液。然后,把具有一个以上羟基的芳族羧酸或芳族羧酸盐的溶液和前述的水溶液进行混合,在此基础上,把胺化合物,硝酸银溶液与上述溶液混合。但是。按照胺化合物,具有一个以上羟基的芳族羧酸等的添加顺序时候,能够制得粒径分布比较均匀的银纳米粒子。
实验说明:
本发明对各实验获得的银纳米粒子水溶液进行干燥,并采用TEM(透过型电子显微镜)进行观察。TEM 型号:JEOL JEM2010。测量了200个银纳米粒子的粒径,我们把样品的累计粒度分布百分数达到50%时所对应的粒径称作平均粒径(D50)。
实验1,用20ml蒸馏水溶解0.5g硝酸银,滴加0.296g三乙胺,室温条件下搅拌10分钟。用30ml蒸馏水溶解0.276g一水没食子酸,然后把这个溶液在室温下用时30分钟滴加到硝酸银及三乙胺溶液中,接着再搅拌1小时。使用搅拌机型号:ASON制水浴搅拌器。按照以上方法制得的反应液用转速5000rpm,1分钟进行离心分离,去掉上层透明液体后,把蒸馏水加入余下的沉淀物中,用转速5000rpm,2分钟进行离心分离得到沉淀物。把这个沉淀物再进行一次离心分离,然后把沉淀物用水分散,得到银纳米粒子的水分散液。以上的实验均在室温下进行。制得的银纳米粒子的平均粒径为10nm,粒径分布非常窄,大约呈均一粒径分布。图1为银纳米粒子的粒径分布图。在7.1nm-28.2nm的范围观察到了峰值,可以看出具有非常窄的分布。测定装置为:Malvern Instruments制的Zetasizer NanoSeries。对于银纳米粒子的水分散液,银纳米粒子没有絮凝现象,能够确认具有非常好的分散性。并且,用TEM观察到了该粒子为球形。用制得的水分散液涂覆到高分子膜上,不用烧制,室温下干燥后,测得膜的电阻率为5.6×10-4Ω·cm,制得了具有良好导电率的薄膜。
实验2,用10ml蒸馏水溶解0.5g硝酸银,室温下搅拌10分钟。接着,用蒸馏水30ml溶解0.276g一水没食子酸后用30分钟滴加到硝酸银水溶液中后得到混合溶液,然后将0.296g三乙胺滴加到这个混合液中,室温下搅拌一小时。使用搅拌机型号:ASON制水浴搅拌器。按照以上方法制得的反应液用转速5000rpm,1分钟进行离心分离,去掉上层透明液体后,把蒸馏水加入余下的沉淀物中,用5000rpm,2分钟进行离心分离得到沉淀物。把这个沉淀物在进行一次离心分离,然后把沉淀物用水分散,得到银纳米粒子的水分散液。以上的实验均在室温下进行。制得的银纳米粒子的平均粒径为15nm,粒径分布非常窄,大约呈均一粒径分布。把制得的银纳米粒子用TEM观察均为球形,银纳米粒子没有絮凝现象,能够确认具有非常好的分散性。
用制得的水分散液涂覆到高分子膜上,不用烧制,室温下干燥后,测得薄膜的电阻率为1.7×10-4Ω· cm,制得了具有良好导电率的薄膜。
实验3,用20ml蒸馏水溶解0.25g硝酸银,滴加0.296g三乙胺,室温下搅拌10分钟。接着,用蒸馏水30ml 溶解0.276g一水没食子酸,然后把这个溶液在室温下用时30分钟滴加到硝酸银及三乙胺溶液中,接着再搅拌1小时。使用搅拌机型号:ASON制水浴搅拌器。按照以上方法制得的反应液用转速5000rpm,1分钟进行离心分离,去掉上层透明液体后,把蒸馏水加入余下的沉淀物中,用5000rpm,2分钟进行离心分离得到沉淀物。把这个沉淀物进行一次离心分离,然后把沉淀物用水分散,得到银纳米粒子的水溶液。以上的实验均在室温下进行。制得的银纳米粒子的平均粒径为18nm,粒径分布非常窄,大约呈均一粒径分布。把制得的银纳米粒子用TEM观察均为球形,银纳米粒子没有絮凝现象,能够确认具有非常好的分散性。
用制得的水分散液涂覆到高分子膜上,不用烧制,室温下干燥后,测得薄膜的电阻率为1.4×10-3Ω·cm,制得了具有良好导电率的薄膜。
实验4,用20ml蒸馏水溶解0.5g硝酸银,滴加0.262gDMAE(二甲氨基乙醇),室温下搅拌10分钟。用蒸馏水30ml溶解0.276g一水没食子酸,然后在室温下用30分钟将其滴入硝酸银和DMAE的溶液中,接着搅拌1 小时。使用搅拌机型号:ASON制水浴搅拌器。按照以上方法制得的反应液用转速5000rpm,1分钟进行离心分离,去掉上层透明液体后,把蒸馏水加入余下的沉淀物中,用5000rpm,2分钟进行离心分离得到沉淀物。把这个沉淀物进行一次离心分离,然后把沉淀物用水分散,得到银纳米粒子的水分散液。以上的实验均在室温下进行。制得的银纳米粒子的平均粒径为3nm,粒径分布非常窄,大约呈均一粒径分布。把制得的银纳米粒子用TEM观察均为球形,银纳米粒子没有絮凝现象,能够确认具有非常好的分散性。
用制得的水分散液涂覆到高分子膜上,不用烧制,室温下干燥后,测得薄膜的电阻率为1.1×10-4Ω· cm,制得了具有良好导电率的薄膜。
实验5,用20ml蒸馏水溶解0.5g硝酸银,滴加0.296g三乙胺,室温条件下搅拌10分钟。用20ml乙醇溶解0.497g十二烷基没食子酸酯,然后把这个溶液在室温下用时20分钟滴加到硝酸银及三乙胺溶液中,接着再搅拌1小时。使用搅拌机型号:ASON制水浴搅拌器。按照以上方法制得的反应液用转速5000rpm,1分钟进行离心分离,去掉上层透明液体后,把蒸馏水加入余下的沉淀物中,用5000rpm,2分钟进行离心分离得到沉淀物。把这个沉淀物在进行一次离心分离,然后把沉淀物用水分散,得到银纳米粒子的水分散液。以上的实验均在室温下进行。制得的银纳米粒子的平均粒径为15nm,粒径分布非常窄,大约呈均一粒径分布。把制得的银纳米粒子用TEM观察均为球形,银纳米粒子没有絮凝现象,能够确认具有非常好的分散性。
用制得的水分散液涂覆到高分子膜上,不用烧制,室温下干燥后,测得薄膜的电阻率为1.7×10-2Ω· cm,制得了具有良好导电率的薄膜。
实验6,用20ml蒸馏水溶解0.5g硝酸银,滴加0.296g三乙胺,室温条件下搅拌10分钟。用蒸馏水20ml 溶解0.227g3,5-二羟基苯甲酸,然后把这个溶液在室温下用时30分钟滴加到硝酸银及三乙胺溶液中,接着再搅拌1小时。使用搅拌机型号:ASON制水浴搅拌器。
按照以上方法制得的反应液用转速5000rpm,1分钟进行离心分离,去掉上层透明液体后,把蒸馏水加入余下的沉淀物中,用转速5000rpm,2分钟进行离心分离得到沉淀物。把这个沉淀物在进行一次离心分离,然后把沉淀物用水分散,得到银纳米粒子的水分散液。以上的实验均在室温下进行。制得的银纳米粒子的平均粒径为8nm,粒径分布非常窄,大约呈均匀粒径分布。把制得的银纳米粒子用TEM观察均为球形,银纳米粒子没有絮凝现象,能够确认具有非常好的分散性。
用制得的水分散液涂覆到高分子膜上,在大气压下烧制,然后用0.05摩尔/L的氢氧化钾溶液浸泡,接着用水清洗干燥后,测量了其电阻率,结果如表1所示,确认了其具有导电性。
焼成 | 0.05MKOHに浸漬 | 抵抗率 |
180℃、1時間 | 5分 | 2.0×10<sup>-3</sup>Ω·cm |
180℃、1時間 | 10分 | 1.1×10<sup>-3</sup>Ω·cm |
180℃、1時間 | 30分 | 8.8×10<sup>-4</sup>Ω·cm |
180℃、1時間 | 45分 | 8.9×10<sup>-4</sup>Ω·cm |
170℃、1時间 | 5分 | 3.0×10<sup>-3</sup>Ω·cm |
170℃、1時間 | 10分 | 1.9×10<sup>-3</sup>Ω·cm |
170℃、1時间 | 30分 | 1.6×10<sup>-3</sup>Ω·cm |
160℃、1時間 | 5分 | 1.2×10<sup>-2</sup>Ω·cm |
160℃、1時間 | 10分 | 5.9×10<sup>-3</sup>Ω·cm |
160℃、1時間 | 30分 | 4.1×10<sup>-3</sup>Ω·cm |
实验7,用20ml蒸馏水溶解0.5g硝酸银,滴加0.296g三乙胺,室温条件下搅拌10分钟。用蒸馏水20ml 溶解0.227g 3,4-二羟基苯甲酸,然后把这个溶液在室温下用时30分钟滴加到硝酸银及三乙胺溶液中,接着再搅拌1小时。使用搅拌机型号:ASON制水浴搅拌器。按照以上方法制得的反应液用转速5000rpm,1分钟进行远心分离,去掉上层透明液体后,把蒸馏水加入余下的沉淀物中,用转速5000rpm,2分钟进行远心分离得到沉淀物。把这个沉淀物在进行一次远心分离,然后把沉淀物用水分散,得到银纳米粒子的水分散液。以上的实验均在室温下进行。制得的银纳米粒子的平均粒径为6nm,粒径分布非常窄,大约呈均一粒径分布。把制得的银纳米粒子用TEM观察均为球形,银纳米粒子没有絮凝现象,能够确认具有非常好的分散性。
用制得的水分散液涂覆到高分子膜上,不用烧制,室温下干燥后,测得薄膜的电阻率为4.8×10-4Ω· cm,制得了具有良好导电率的薄膜。
实验8,用20ml蒸馏水溶解0.5g硝酸银,滴加0.296g三乙胺,室温条件下搅拌10分钟。用蒸馏水20ml 溶解0.227g 2,5-二羟基苯甲酸,然后把这个溶液在室温下用时30分钟滴加到硝酸银及三乙胺溶液中,接着再搅拌1小时。使用搅拌机型号:ASON制水浴搅拌器。按照以上方法制得的反应液用转速5000rpm,1分钟进行远心分离,去掉上层透明液体后,把蒸馏水加入余下的沉淀物中,用5000rpm,2分钟进行远心分离得到沉淀物。把这个沉淀物在进行一次远心分离,然后把沉淀物用水分散,得到银纳米粒子的水分散液。以上的实验均在室温下进行。制得的银纳米粒子的平均粒径为5nm,粒径分布非常窄,大约呈均一粒径分布。把制得的银纳米粒子用TEM观察均为球形,银纳米粒子没有絮凝现象,能够确认具有非常好的分散性。
用制得的水分散液涂覆到高分子膜上,不用烧制,室温下干燥后,测得薄膜的电阻率为1.3×10-4Ω· cm,制得了具有良好导电率的薄膜。
实验9,实验1-8制备的银纳米粒子的水分散液或者乙醇分散液,在室温下风干,加入水或乙醇搅拌再分散后还能得到良好的分散液,可以确认该银纳米粒子具有良好的再分散性。
另外,把实验1-8制备的银纳米粒子的水分散液(搅拌后的不能马上沉降)或者银纳米粒子的乙醇分散液 (搅拌后的不能马上沉降)静置,3.5小时后观察发现没有发生沉降现象。因此可以得出良好分散性的结论。并且,实验1-8制备的银纳米粒子的分散性比文献1,2的分散性要好。
实验10,对于实验1-8制备的银纳米粒子(烧成前),使用UV可见吸收分光光度法测量,在400nm附近 能够观察到吸收峰。这是起因银纳米粒子的等离子共振吸收。另外,对于实验1-8制备的银纳米粒子,用 EDS(能量色散X射线光谱分析)进行了测定,在3keV附近出现了峰值,没有观察到其他峰,由此可以得出 不存在银以外的金属。实验1-5,7,8制备的银纳米粒子,不需烧制也能制备导电膜。实验6制备的粒子使 用温度160-180℃进行烧制,同样也可以得到导电薄膜。据此,如果使用本发明的银纳米粒子,在耐热性 低的基板上可形成导电膜。
Claims (12)
1.一种湿式制备银纳米粒子的技术,其特征在于:包括使用含有硝酸银,胺类化合物,具有一个以上羟基的芳族羧酸或者其芳族羧酸盐,或用具有一个以上羟基的芳香羧酸酯溶液还原硝酸银,得到的银纳米粒子的制备工艺及方法。
3.根据权利要求2所述的湿式制备银纳米粒子技术,其特征在于:所述的银纳米粒子的制备方法,作为所述化学式(1)的化合物,没食子酸,没食子酸盐,没食子酸酯,二羟苯甲酸,二羟基苯甲酸盐,二羟基苯甲酸酯各组分中至少其中一种组分的银纳米粒子制造方法。
4.根据权利要求3所述的湿式制备银纳米粒子技术,其特征在于:所述的任一银纳米粒子制备方法,所述的芳族羧酸或者其芳族羧酸盐,或用具有一个以上羟基的芳香羧酸酯,将苯环上的两个以上氢元素用羟基置换了的芳族羧酸,芳族羧酸盐,芳族羧酸酯中的任何一个。而且,所述的2个羟基互相对位或者邻位的化合物,使用这些化合物来制备银纳米粒子的方法。
5.根据权利要求2至4所述的湿式制备银纳米粒子技术,其特征在于:所述的任一银纳米粒子制备方法,前述的芳族羧酸或其芳族羧酸盐,或用具有一个以上羟基的芳香羧酸酯,没食子酸,没食子酸盐,没食子酸酯,3,4-二羟基苯甲酸,3,4-二羟基苯甲酸盐,3,4-二羟基苯甲酸酯,2,5-二羟基苯甲酸,2,5-二羟基苯甲酸盐,2,5-二羟基苯甲酸酯,2,3-二羟基苯甲酸,2,3-二羟基苯甲酸盐,2,3-二羟基苯甲酸酯中的任何一个。而且,前述的2个羟基互相对位或者邻位的化合物,使用这些化合物来制备银纳米粒子的方法。
6.根据权利要求1至5所述的湿式制备银纳米粒子技术,其特征在于:所述的任一银纳米粒子制备方法,所述得到胺化合物是三乙胺或二甲基乙醇胺为原料制备银纳米粒子的方法。
7.根据权利要求1至6所述的湿式制备银纳米粒子技术,其特征在于:所述的任一银纳米粒子制备方法,银纳米粒子的平均粒径(D50),50nm以下,1nm以上的制备方法。
8.根据权利要求1至7所述的湿式制备银纳米粒子技术,其特征在于:所述的任一银纳米粒子制备方法,包括准备用所述的硝酸银和所述的胺化合物调制水溶液的工艺,以及所述的具有一个以上羟基的芳族羧酸或者其芳族羧酸盐调制水溶液,或用具有一个以上羟基的芳香羧酸酯调制成醇溶液的工艺。再把所述的硝酸银和胺化合物水溶液和前述的芳族羧酸或者其芳族羧酸盐水溶液混合,或用所述的芳香羧酸酯的醇溶液混合,来还原硝酸银制备银纳米粒子的方法。
9.根据权利要求1至8所述的湿式制备银纳米粒子技术,其特征在于:所述的任一银纳米粒子制备方法,包括准备用所述的硝酸银的水溶液的工艺,以及所述的具有一个以上羟基的芳族羧酸或者其芳族羧酸盐调制水溶液,再将上述两种溶液混合的工艺。另外还包含了所述的胺化合物和所述的硝酸银及与具有一个以上羟基的芳族羧酸或者其芳族羧酸盐水溶液的混合工艺,在水中还原硝酸银得到制备银纳米粒子的方法。
10.根据权利要求1至9所述的湿式制备银纳米粒子技术,其特征在于:所述的任一方法制备的任一银纳米粒子,以及含有分散了所述的银纳米粒子的喷墨用油墨。
11.根据权利要求1至10所述的湿式制备银纳米粒子技术,其特征在于:所述的根据任一银纳米粒子制备方法而制备的银纳米粒子,并用该银纳米粒子制备的分散溶液的工艺,以及包含了用分散液涂覆制备导电薄膜的制备方法。
12.根据权利要求11所述的湿式制备银纳米粒子技术,其特征在于:所述的导电薄膜的制备方法,使用前述的导电薄膜制备工艺,在分散液涂覆后不需要煅烧,仅需60℃以下进行干燥即可得到所需的导电薄膜的制备方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010204467.3A CN111438370A (zh) | 2020-03-21 | 2020-03-21 | 一种银纳米粒子的制备方法及其在导电油墨及薄膜上的应用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN111438370A true CN111438370A (zh) | 2020-07-24 |
Family
ID=71629465
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN202010204467.3A Withdrawn CN111438370A (zh) | 2020-03-21 | 2020-03-21 | 一种银纳米粒子的制备方法及其在导电油墨及薄膜上的应用 |
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