CN111430506A - 一种晶体硅太阳电池及其边缘钝化方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种晶体硅太阳电池及其边缘钝化方法，属于光伏技术领域。它将经切片的太阳电池水平放置，堆垛整齐，使各太阳电池的切片断面处于同一平面，放入到片盒中，片盒连同太阳电池一起放入到氧化铝沉积设备中，在太阳电池的切片断面边缘，镀上一层氧化铝薄膜，之后放入电注入退火炉中退火。本发明提出采用氧化铝钝化硅片表面边缘，同时氧化铝薄膜不会覆盖电池主栅的方法来降低电池激光切割面的载流子复合速率的方法。
Description
技术领域
本发明属于光伏技术领域，涉及一种晶体硅太阳电池及其边缘钝化方法。
背景技术
近几年来，随着切半组件、叠瓦组件等新型组件技术的兴起，在制作组件时需要将一块电池分割成两片或多片。工业应用时分割太阳电池的方式一般有激光刻划加机械裂片、热激光低损伤裂片两种方式。电池裂开的断面表面复合速率很大，会对太阳电池的电性能产生较大的影响。例如用激光划片方式将PERC太阳电池一分为二后，其半片电池因边缘复合增加效率降低0.1-0.2％abs；用激光划片方式将接触钝化电池(TOPCon电池)一份为二后，其半片电池效率降低0.2-0.3％abs；异质结太阳电池的开路电压更高，经过激光裂片后效率降低更多。激光裂片导致的太阳电池效率降低也将导致组件功率降低。
为了降低这种损失，其中一种方法是对边缘进行钝化。现有技术多采用二氧化硅钝化硅片边缘，如中国专利一种抑制晶体硅太阳电池激光切半后效率降低的方法[申请号：201811363985.9]，是将切半后的电池片放入链式、箱式或管式加热炉中在150-500℃条件下进行氧化，采用二氧化硅钝化硅片边缘，但这种方法在载流子复合速率的提高上还有待改善。
发明内容
本发明的目的是针对上述问题，提供一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法。
本发明的另一目的是提供一种经过边缘钝化的晶体硅太阳电池。
为达到上述目的，本发明采用了下列技术方案：
一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，将经切片的太阳电池水平放置，堆垛整齐，使各太阳电池的切片断面处于同一平面，放入到片盒中，片盒连同太阳电池一起放入到氧化铝沉积设备中，在太阳电池的切片断面边缘，镀上一层氧化铝薄膜，之后放入电注入退火炉中退火。
一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，将经切片的太阳电池水平放置，堆垛整齐后形成电池堆，在电池堆的上、下表面分别设置一块上挡板和下挡板，使各太阳电池的切片断面处于同一平面，放入到片盒中，片盒连同太阳电池一起放入到氧化铝沉积设备中，在太阳电池的切片断面边缘，镀上一层氧化铝薄膜，之后放入电注入退火炉中退火。
进一步的，所述的电池堆中的各太阳电池的切面断面形成的平面与水平面垂直，上挡板遮盖住电池堆最上方的太阳电池的正面主栅线，下挡板遮盖住电池堆最下方的太阳电池的背面主栅线。
进一步的，当太阳电池放入到片盒中时，太阳电池的切片断面完全裸露在片盒外。
进一步的，所述的电池堆包含2-1000片太阳电池。
进一步的，所述的太阳电池是将整块的电池采用激光刻划加机械裂片的方式一分为二后形成。
进一步的，电池堆中的太阳电池相同的面朝向同一个方向从而使太阳电池紧密贴合，两块相邻的太阳电池之间的间隙为5-30um。
进一步的，所述的氧化铝薄膜镀膜方式为原子层沉积或等离子增强化学气相沉积，氧化铝薄膜厚度为2-30nm。
进一步的，电注入退火炉中退火温度为100-500℃，退火时间为5-180min。
一种晶体硅太阳电池，包括太阳电池，其特征在于，所述的太阳电池的切片断面边缘镀覆有一层氧化铝薄膜。
与现有的技术相比，本发明的优点在于：采用本发明方法，可降低激光切片导致的太阳电池效率和组件功率损失。本发明提出采用氧化铝钝化硅片表面边缘，同时氧化铝薄膜不会覆盖电池主栅的方法来降低电池激光切割面的载流子复合速率的方法。
本发明的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本发明的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。
附图说明
图1是本发明的晶体硅太阳电池的示意图。
图2是太阳电池放入到片盒中的示意图。
图3是太阳电池镀铝后的示意图。
图中：太阳电池1、正面主栅线1a、背面主栅线1b、切片断面2、氧化铝薄膜3、电池堆4、上挡板5、下挡板6、片盒7。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行进一步说明。
实施例1
如图1所示，一种晶体硅太阳电池，包括太阳电池1，太阳电池1的切片断面2边缘镀覆有一层氧化铝薄膜3，氧化铝薄膜厚度L为2-30nm。太阳电池1是将整块的电池采用激光刻划加机械裂片的方式一分为二后形成。
实施例2
本实施例提供了一种制作实施例1的晶体硅太阳电池的晶体硅太阳电池边缘钝化方法，结合图1-3所示，将经切片的太阳电池1水平放置，堆垛整齐后形成电池堆4，在电池堆的上、下表面分别设置一块上挡板5和下挡板6，使各太阳电池的切片断面2处于同一平面，放入到片盒7中，片盒连同太阳电池一起放入到氧化铝沉积设备中，在太阳电池的切片断面边缘，镀上一层氧化铝薄膜3，之后放入电注入退火炉中退火。片盒7材料为石英或者陶瓷等耐高温材料，片盒7的左右两侧设有敞开的开口，该开口与切片断面2所处的平面是对应的。
电注入退火炉中退火温度为100-500℃，退火时间为5-180min，氧化铝薄膜镀膜方式为原子层沉积或等离子增强化学气相沉积，氧化铝薄膜厚度为2-30nm。
退火结束后，对太阳电池1进行分选、测试，得到如图1所示的晶体硅太阳电池，后续封装成半片电池组件。
需要说明的是，图1中太阳电池1的两侧具有氧化铝薄膜3，这是因为镀膜时氧化铝薄膜3是包覆在整个电池堆4的周围，也即太阳电池1没有电池的一端也会包覆氧化铝薄膜3。
具体的说，电池堆中的各太阳电池的切面断面形成的平面与水平面垂直，上挡板5遮盖住电池堆最上方的太阳电池的正面主栅线1a，下挡板6遮盖住电池堆最下方的太阳电池的背面主栅线1b。当太阳电池放入到片盒中时，太阳电池的切片断面完全裸露在片盒外。
电池堆包含2-1000片太阳电池。太阳电池是将整块的电池采用激光刻划加机械裂片的方式一分为二后形成。电池堆中的太阳电池相同的面朝向同一个方向从而使太阳电池紧密贴合，这样形成同面层叠，减少间隙，使得电池片的表面不会镀上AlOx，两块相邻的太阳电池之间的间隙为5-30um。
实施例3
本实施例提供了一种制作实施例1的晶体硅太阳电池的晶体硅太阳电池边缘钝化方法，结合图1-3所示，采用激光刻划加机械裂片的方式将TOPCon太阳电池一分为二，将分好的太阳电池1垂直紧密堆叠在一起，在电池堆4上、下各放置上挡板5和下挡板6，将电池堆放入片盒7内，该片盒材料为石英或者陶瓷等耐高温材料。将装有电池堆4的片盒放入原子层沉积设备中，经过沉积工艺后，在硅片边缘镀上了氧化铝薄膜3，氧化铝膜厚为10nm。因太阳电池1紧密堆叠在一起镀膜，电池片的正面主栅线1a和背面主栅线1b不会镀上氧化铝薄膜3，因而不会对后续组件的焊接造成影响。再将装有已镀氧化铝薄膜的电池堆放入电注入退火炉中退火，温度设定为200度，工艺时间30min.退火结束后，对半片电池进行分选、测试，后续封装成半片电池组件。
实施例4
本实施例提供了一种制作实施例1的晶体硅太阳电池的晶体硅太阳电池边缘钝化方法，结合图1-3所示，采用激光刻划加机械裂片的方式将PERC太阳电池一分为二，将分好的太阳电池1垂直紧密堆叠在一起，在电池堆4上、下各放置上挡板5和下挡板6，将电池堆4放入片盒7内，该片盒材料为石英或者陶瓷等耐高温材料。将装有电池堆的片盒7放入原子层沉积设备中，经过沉积工艺后，在硅片边缘镀上了氧化铝薄膜3，氧化铝膜厚为15nm。再将装有已镀氧化铝薄3的电池堆4放入电注入退火炉中退火，温度设定为200度，工艺时间60min。退火结束后，对半片电池进行分选、测试，后续封装成半片电池组件。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神。
Claims (10)
1.一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，将经切片的太阳电池水平放置，堆垛整齐，使各太阳电池的切片断面处于同一平面，放入到片盒中，片盒连同太阳电池一起放入到氧化铝沉积设备中，在太阳电池的切片断面边缘，镀上一层氧化铝薄膜，之后放入电注入退火炉中退火。
2.一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，将经切片的太阳电池水平放置，堆垛整齐后形成电池堆，在电池堆的上、下表面分别设置一块上挡板和下挡板，使各太阳电池的切片断面处于同一平面，放入到片盒中，片盒连同太阳电池一起放入到氧化铝沉积设备中，在太阳电池的切片断面边缘，镀上一层氧化铝薄膜，之后放入电注入退火炉中退火。
3.根据权利要求2所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，所述的电池堆中的各太阳电池的切面断面形成的平面与水平面垂直，上挡板遮盖住电池堆最上方的太阳电池的正面主栅线，下挡板遮盖住电池堆最下方的太阳电池的背面主栅线。
4.根据权利要求3所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，当太阳电池放入到片盒中时，太阳电池的切片断面完全裸露在片盒外。
5.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，所述的电池堆包含2-1000片太阳电池。
6.根据权利要求1或2所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，所述的太阳电池是将整块的电池采用激光刻划加机械裂片的方式一分为二后形成。
7.根据权利要求1或2所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，电池堆中的太阳电池相同的面朝向同一个方向从而使太阳电池紧密贴合，两块相邻的太阳电池之间的间隙为5-30um。
8.根据权利要求1或2所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，所述的氧化铝薄膜镀膜方式为原子层沉积或等离子增强化学气相沉积，氧化铝薄膜厚度为2-30nm。
9.根据权利要求1或2所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法，其特征在于，电注入退火炉中退火温度为100-500℃，退火时间为5-180min。
10.根据权利要求1-9任意一项所述的一种晶体硅太阳电池边缘钝化方法制造的晶体硅太阳电池，包括太阳电池，其特征在于，所述的太阳电池的切片断面边缘镀覆有一层氧化铝薄膜。
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|---|---|
| CN (1) | CN111430506A (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112687754A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-20 | 天合光能股份有限公司 | 一种边缘掺杂的晶体硅太阳电池结构及制备方法 |
| CN112687763A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-20 | 天合光能股份有限公司 | 一种钝化接触晶体硅电池制备方法 |
| CN112713226A (zh) * | 2021-01-08 | 2021-04-27 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种hjt电池的边缘钝化方法 |
| CN113206172A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-08-03 | 安徽华晟新能源科技有限公司 | 切片硅异质结电池及制备方法、太阳能电池组件 |
| CN115360270A (zh) * | 2022-10-19 | 2022-11-18 | 北京晶澳太阳能光伏科技有限公司 | 太阳能电池及太阳能电池的制备方法 |
| CN117153898A (zh) * | 2023-09-13 | 2023-12-01 | 理想晶延半导体设备(上海)股份有限公司 | 切割电池片及其组件以及电池片的侧切面的钝化镀膜方法 |
| CN117497644A (zh) * | 2023-12-28 | 2024-02-02 | 浙江季丰电子科技有限公司 | 修复太阳能电池切割损失的方法和应用 |
| CN117926227A (zh) * | 2024-03-25 | 2024-04-26 | 无锡松煜科技有限公司 | 一种太阳能电池片半片切割损伤钝化修复方法及装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104465799A (zh) * | 2013-09-25 | 2015-03-25 | 比亚迪股份有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN205264726U (zh) * | 2015-12-18 | 2016-05-25 | 四川钟顺太阳能开发有限公司 | 一种太阳电池 |
| CN110071178A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-07-30 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种切片电池的制备方法及切片电池及光伏组件 |
-
2020
- 2020-04-21 CN CN202010315150.7A patent/CN111430506A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104465799A (zh) * | 2013-09-25 | 2015-03-25 | 比亚迪股份有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN205264726U (zh) * | 2015-12-18 | 2016-05-25 | 四川钟顺太阳能开发有限公司 | 一种太阳电池 |
| CN110071178A (zh) * | 2019-04-12 | 2019-07-30 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | 一种切片电池的制备方法及切片电池及光伏组件 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112687754A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-20 | 天合光能股份有限公司 | 一种边缘掺杂的晶体硅太阳电池结构及制备方法 |
| CN112687763A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-04-20 | 天合光能股份有限公司 | 一种钝化接触晶体硅电池制备方法 |
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