CN117153897A - 一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池为切割分片后的电池；其中，所述电池的切割边缘上依次沉积第一层钝化层和第二层钝化层；其中，所述第一层钝化层为氧化硅层和/或氧化铝层；所述第二层钝化层为氮化硅层。所述制备方法包括以下步骤：先于切割分片后的电池的切割边缘上沉积第一层钝化层，再于第一层钝化层上沉积第二钝化层，最后进行光注入钝化，得到所述切割边缘包含钝化层的太阳能电池。本发明方案实现对切割边缘缺陷和杂质的钝化，从而提高电池片的效率的效率。
Description
技术领域
本发明太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池及其制备方法。
背景技术
近十几年的时间里，光伏硅片的尺寸一直增大，从125mm发展到156mm、166mm，182mm，甚至210mm，光伏组件的功率也随着硅片尺寸的增大迅速提高，成本也在不断降低。但随着硅片尺寸增大，单片电池的电流不断增大，组件单串的损失也在增大。现在组件常对大尺寸电池片进行一切二、一切三甚至一切六的方式来减小组件电流，降低组件内部损耗，从而提高组件功率。
市场上常规激光划裂技术以激光烧蚀配合机械掰片技术为主流：首先利用激光在电池的背面加工出一条贯穿表面的切割道，再采用机械法将电池片沿着切割道掰开。由于激光切割是通过光热作用，开槽区附近会有一段硅片熔融后重铸热影响区，并且可能有裂纹存在，这些均导致在切割后的边缘处，特别是PN结附近以及受光面边缘处的Si出现了键的断裂，形成了许多悬挂键，从而使得由光电效应产生的光生载流子很容易在边缘处形成复合。目前测得激光切割对Perc电池效率的切损达到0.05％/刀的损失，对TOPCon电池效率更是达到了0.2％/刀的切损，切割损伤严重影响了电池片到组件的封装功率损失。
CN111430506A公开了一种晶体硅太阳电池及其边缘钝化方法，该方法将经切片的太阳电池水平放置，堆垛整齐，使各太阳电池的切片断面处于同一平面，放入到片盒中，片盒连同太阳电池一起放入到氧化铝沉积设备中，在太阳电池的切片断面边缘，镀上一层氧化铝薄膜，之后放入电注入退火炉中退火。该方法可一定程度上降低电池激光切割面的载流子复合速率，但由于其仅镀上一层氧化铝薄膜，导致对太阳能电池切割后的损伤的修复能力有限；且发明的钝化最后采用了电注入退火炉中的方式，由于电注入退火时间为5-180min，不仅退火时间过长，且增加了出现缺陷的可能。
CN111509091A明公开一种电池边缘钝化方法，采用涂布方式将浆料印刷至所述晶体硅电池中需要钝化的边缘，并采用紫外光照射于所述边，以在光照催化氧化条件下，在所述边上形成一层氧化硅钝化膜；所述浆料含有过氧化氢和SiO2粉末；所述晶体硅电池上所有需要钝化的边上均形成氧化硅钝化膜后，对完成光照催化氧化的晶体硅电池进行退火处理。利用光催化氧化技术对晶体硅太阳能电池实现边缘钝化，进提高电池的光电转换效率。但由于其仅镀上一层氧化硅钝化膜，导致对太阳能电池切割后的损伤的修复能力有限。
有鉴于此，特提出本发明。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池为切割分片后的电池；其中，所述电池的切割边缘上依次沉积第一层钝化层和第二层钝化层；所述第一层钝化层为氧化硅层和/或氧化铝层；所述第二层钝化层为氮化硅层。通过对电池片切割后的边缘处进行双层的钝化处理，有效的修复因激光切割对电池片造成的效率损失。
本发明的目的之二在于提供一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：先于切割分片后的电池的切割边缘上沉积第一层钝化层，再于第一层钝化层上沉积第二钝化层，最后进行光注入钝化，得到所述切割边缘包含钝化层的太阳能电池。所述方法实现对切割边缘缺陷和杂质的钝化，从而提高电池片的效率的效率。
为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：
第一方面，本发明提供一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，所述太阳能电池为切割分片后的电池；
其中，所述电池的切割边缘上依次沉积第一层钝化层和第二层钝化层；
其中，所述第一层钝化层为氧化硅层和/或氧化铝层；所述第二层钝化层为氮化硅层。
在本发明中，首先是对切割后的小片电池边缘生长由氧化硅或氧化铝的一种或两种作为第一层钝化层，然后在第一层钝化层外生长氮化硅作为第二层钝化层，两层钝化层的相互配合下，实现对切割边缘缺陷和杂质的钝化，修复因切割损伤产生的复合损伤，从而提高电池片的效率的效率，最终提高组件的功率。
优选地，所述第一层钝化层的厚度为1-10nm，例如可以是1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm等。
优选地，所述第二层钝化层的厚度为20-200nm，例如可以是20nm、30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、120nm、140nm、160nm、180nm、200nm等。
优选地，所述太阳能电池选自N型和/或P型电池。
优选地，所述太阳能电池选自PERC或TOPCon。
在本发明中，通过对电池片切割后的边缘处进行钝化处理，有效的修复因激光切割对电池片造成的效率损失；对N型P型或的PERC、TOPCon电池切割后的小片电池都有明显的提效作用。
第二方面，本发明提供一种如第一方面所述切割边缘包含钝化层的太阳能电池的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
先于切割分片后的电池的切割边缘上沉积第一层钝化层，再于第一层钝化层上沉积第二钝化层，最后进行光注入钝化，得到所述切割边缘包含钝化层的太阳能电池。
本发明提供了一种电池片切割边缘钝化修复的技术，通过对切割后小片电池的切割面沉积钝化层来修复切割边缘，再采用光注入工艺进一步对小片电池进行钝化的技术提高钝化效果，达到对电池片切割损伤的修复的效果，使得小片电池效率和组件功率得到有效的提升。其中第一钝化层由二氧化硅或氧化铝中的一种或两种组成，第二钝化层在第一钝化层外沉积一层氮化硅起到二次钝化和保护。最后再通过光注入设备，对电池片进行氢钝化，达到修复激光切割损伤，提升电池效率0.2％以上的效果。
优选地，所述沉积前还包括堆叠的步骤：将切割后的小片电池全部正面朝上水平放置，堆叠整齐使小片电池的切割边缘侧边在同一垂直面。
优选地，所述堆叠的数量为2-1000片，例如可以是2片、10片、20片、40片、60片、80片、100片、150片、200片、250片、300片、350片、400片、500片、600片、700片、800片、900片、1000片等。
优选地，所述沉积的方法为PECVD法或ALD法。
优选地，所述沉积的方法为PECVD法，所述沉积的工艺参数为：压力为1200-2000mTorr，例如可以是1200mTorr、1300mTorr、1400mTorr、1500mTorr、1600mTorr、1700mTorr、1800mTorr、1900mTorr、2000mTorr等；射频功率为2000-20000watt，例如可以是2000watt、4000watt、6000watt、8000watt、10000watt、12000watt、14000watt、16000watt、18000watt、20000watt等；镀膜时间为100-2000s，例如可以是100s、200s、400s、600s、800s、1000s、1200s、1400s、1600s、1800s、2000s等；温度为300-500℃，例如可以是300℃、350℃、400℃、450℃、500℃等。
优选地，所述沉积的方法为ALD法，所述沉积的工艺参数为：沉积温度为150-250℃，例如可以是150℃、160℃、180℃、200℃、220℃、250℃等；工艺时间为200-2000s，例如可以是200s、400s、600s、800s、1000s、1200s、1400s、1600s、1800s、2000s等；升温速率为1-5℃/s，例如可以是1℃/s、2℃/s、3℃/s、4℃/s、5℃/s等。
优选地，采用光注入设备对电池片组的侧边进行光注入钝化，灯管需安装在光注入设备的左右两侧。
优选地，所述光注入钝化的光照强度为20-100(例如可以是20、30、40、50、60、70、80、90、100等)个太阳光强度。
优选地，所述光注入钝化的炉内温度为200-500℃，例如可以是200℃、250℃、300℃、350℃、400℃、450℃、500℃等。
优选地，所述光注入钝化的时间为30-300s，例如可以是30s、50s、100s、150s、200s、250s、300s等。
优选地，所述太阳能电池切割边缘钝化方法具体包括以下步骤：
(a)沉积钝化层：于切割分片后的电池的切割边缘上沉积1-10nm的氧化硅层和/或氧化铝层作为第一层钝化层，再于第一层钝化层上沉积20-200nm的氮化硅层作为第二钝化层；
所述沉积的方法为PECVD法，所述沉积的工艺参数为：压力为1200-2000mTorr；射频功率为2000-20000watt；镀膜时间为100-2000s；温度为300-500℃；
或，所述沉积的方法为ALD法，所述沉积的工艺参数为：工艺时间200-2000s；沉积温度为150-250℃；升温速率为1-5℃/s；
(b)光注入钝化：切割边缘层积完氮化硅层后，再对电池组进行光注入钝化，采用光注入设备对电池片组的侧边进行光注入钝化，灯管需安装在光注入设备的左右两侧；
所述光注入钝化的光照强度为20-100个太阳光强度，炉内温度为200-500℃，钝化的时间为30-300s。
优选地，所述太阳能电池切割边缘钝化方法具体包括以下步骤(如图1所示)：
S1切割：采用激光切割工艺，将电池片分成N份小片电池(如图2所示)；
S2堆叠：将切割后的小片电池全部正面朝上水平放置，堆叠整齐使小片电池的切割边缘侧边在同一垂直面，将堆叠整齐后的电池组装入片盒中；
S3沉积第一钝化层：将堆叠装好的电池组连通片盒一起放入钝化层沉积设备中，在暴露的切割边缘上沉积1-10nm的氧化硅层和/或氧化铝层作为第一层钝化层；
S4沉积第二钝化层：沉积完第一层钝化层后，再将电池组放入另外一个层积设备中，在切割边缘的第一钝化层外在生长一层20-200nm的氮化硅层作为第二层钝化层，得到小片电池组堆叠状态以及沉积后钝化膜层结构图(如图3所示)；
S5光注入钝化：对沉积双层钝化层的电池组进行光注入钝化(如图4所示)，灯管需要安装在设备的左右两侧，灯管的光照强度范围为20-100个太阳光强度，炉内温度为200-500℃，需要经过30-300s的光注入钝化，得到所述切割边缘包含钝化层的太阳能电池。
在上述S1中，图形设计为一切N的电池整片，采用激光切割工艺，将电池片分成N(N可以是2-10，例如可以是2、3、4、5、6、7、8、9、10等)份小片电池。
在上述S2中，将切割后的小片电池全部正面朝上水平放置，堆叠整齐使小片电池的切割侧边在同一垂直面，堆叠的数量可以是2-1000片，将堆叠整齐后的电池组装入片盒中。堆叠装盒的电池组需要露出切割边缘，便于后续钝化工艺不会对电池组切割侧边造成遮挡。电池组的底部和顶部均用挡板进行保护，并使电池片紧密贴合。
在上述S3中，在暴露的切割边缘上层积一层氧化硅或氧化铝中的一种或两种形成第一层钝化层，该钝化层可以对切割边缘进行钝化。
在上述S4中，沉积完第一层钝化层后，再将电池组放入另外一个层积设备中，在切割边缘的钝化层外在生长一层氮化硅层作为第二层钝化层，起到钝化和保护作用。
在上述S3和S4中，第一层钝化层和第二层钝化层的沉积工艺可以是PECVD(等离子增强化学气相沉积)或ALD(原子沉积)。
在上述S5中，切割边缘层积完氮化硅层后，再对电池组进行光注入钝化，正常的光注入设备的是单片电池的正背面进行光注入钝化，灯管安装在设备的顶部和底部。而本次发明的光注入设备需要对电池片组的侧边进行钝化，灯管需要安装在设备的左右两侧，灯管的光照强度范围为20-100个太阳光强度，炉内温度为200-500℃，需要经过30-300s的光注入钝化，将边缘钝化层中的H离子注入到切割边缘，进一步改善切割损伤，提高电池小片效率。
相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明提供的一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，其首先是对切割后的小片电池边缘生长由氧化硅或氧化铝的一种或两种作为第一层钝化层，然后在第一层钝化层外生长氮化硅作为第二层钝化层，最后通过光注入设备对钝化后的电池片进行退火处理，实现对切割边缘缺陷和杂质的钝化，从而提高电池片的效率的效率；
(2)本发明第一钝化层由二氧化硅或氧化铝中的一种或两种组成，第二钝化层在第一钝化层外沉积一层氮化硅起到二次钝化和保护。最后再通过光注入设备，对电池片进行氢钝化，达到修复激光切割损伤，提升电池效率0.2％以上的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明所述切割边缘包含钝化层的太阳能电池制备方法的工艺流程图。
图2为本发明激光切片示意图。
图3为本发明小片电池组堆叠状态以及沉积后钝化膜层结构图；
其中，1为切割分片后的电池、2为第一层钝化层、3为第二层钝化层、4为片盒、5为上挡板、6为下挡板。
图4为光注入设备结构示意图。
具体实施方式
除非本文另有定义，连同本发明使用的科学和技术术语应具有本领域普通技术人员通常理解的含义。术语的含义和范围应当清晰，然而，在任何潜在不明确性的情况下，本文提供的定义优先于任何字典或外来定义。在本申请中，除非另有说明，“或”的使用意味着“和/或”。此外，术语“包括”及其他形式的使用是非限制性的。
一般地，连同本文描述的细胞和组织培养、分子生物学、免疫学、微生物学、遗传学以及蛋白和核酸化学和杂交使用的命名法和其技术是本领域众所周知和通常使用的那些。除非另有说明，本发明的方法和技术一般根据本领域众所周知，且如各种一般和更具体的参考文献中所述的常规方法来进行，所述参考文献在本说明书自始至终引用和讨论。酶促反应和纯化技术根据制造商的说明书、如本领域通常实现的或如本文所述来进行。连同本文描述的分析化学、合成有机化学以及医学和药物化学使用的命名法、以及其实验室程序和技术是本领域众所周知和通常使用的那些。
下面将结合实施例对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面通过实施例对本发明作进一步说明。如无特别说明，实施例中的材料为根据现有方法制备而得，或直接从市场上购得。
实施例1
本实施例提供一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，所述边缘钝化工艺的方法具体包括如下步骤：
S1切割：采用激光切割工艺，将整片210mm×210mm尺寸的P型PERC太阳能电池片分成6份小片电池；切割后的小片电池的尺寸：长210mm、宽35mm、厚150μm；
S2堆叠：将切割后的小片电池全部正面朝上水平放置，堆叠整齐使小片电池的切割侧边在同一垂直面，堆叠的数量可以是500片，将堆叠整齐后的电池组装入片盒中；堆叠装盒的电池组需要露出切割边缘，便于后续钝化工艺不会对电池组切割侧边造成遮挡；
S3沉积第一钝化层：将堆叠装好的电池组连通片盒一起放入钝化层沉积设备中，在暴露的切割边缘上沉积5nm的氧化铝层作为第一层钝化层；
所述沉积采用PECVD法，沉积的工艺参数为：压力为1500mTorr；射频功率为6000watt；时间为100s；温度为350℃；N2O的流量为5.5slm；TMA的流量为0.05sccm；
S4沉积第二钝化层：沉积完第一层钝化层后，再将电池组放入另外一个层积设备中，在切割边缘的第一钝化层外在生长一层80nm的氮化硅层作为第二层钝化层；
所述沉积采用PECVD法，沉积的工艺参数为：压力为1800mTorr；射频功率为10000watt；时间为800s；温度为450℃；NH3的流量为7000sccm；SiH4的流量为1200sccm；
S5光注入钝化：最后将层积完两层钝化层的电池组和片盒一起放入光注入设备中，采用光照强度为30个Suns的光强，在200℃条件下对钝化层进行光注入钝化，光注入时间为60s；
S6组件制作：最终将完成钝化的小片电池进行组件的制作。
实施例2
本实施例提供一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，所述边缘钝化工艺的方法具体包括如下步骤：
S1切割：采用激光切割工艺，将整片210mm×210mm尺寸的N型TOPCon太阳能电池片分成3份小片电池；切割后的小片电池的尺寸：长210mm、宽70mm、厚130μm；
S2堆叠：将切割后的小片电池全部正面朝上水平放置，堆叠整齐使小片电池的切割侧边在同一垂直面，堆叠的数量可以是600片，将堆叠整齐后的电池组装入片盒中；堆叠装盒的电池组需要露出切割边缘，便于后续钝化工艺不会对电池组切割侧边造成遮挡；
S3沉积第一钝化层：将堆叠装好的电池组连通片盒一起放入钝化层沉积设备中，在暴露的切割边缘上沉积二氧化硅和氧化铝复合薄膜作为第一层钝化层，二氧化硅和氧化铝的膜厚度均控制在2nm；
所述沉积采用ALD法，沉积的工艺参数为：工艺时间为500s；沉积温度为200℃；升温速率为2℃/s；
S4沉积第二钝化层：沉积完第一层钝化层后，再将电池组放入另外一个层积设备中，在切割边缘的第一钝化层外在生长一层100nm的氮化硅层作为第二层钝化层；
所述沉积采用PECVD法，沉积的工艺参数为：压力为1800mbar；射频功率为11000W；时间为1000s；沉积温度为460℃；NH3的流量为8000sccm；SiH4的流量为1400sccm；
S5光注入钝化：最后将层积完两层钝化层的电池组和片盒一起放入光注入设备中，采用光照强度为50个Suns的光强，在300℃条件下对钝化层进行光注入钝化，光注入时间为120s；
S6组件制作：最终将完成钝化的小片电池进行组件的制作。
实施例3
本实施例提供一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，与实施例1的区别仅在于，第一层钝化层氧化铝层的厚度为5nm，第二层钝化层氮化硅层的厚度为80nm。
实施例4
本实施例提供一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，与实施例1的区别仅在于，采用光照强度为10个Suns的光强，在300℃条件下对钝化层进行光注入钝化，光注入时间为400s。
实施例5
本实施例提供一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，与实施例1的区别仅在于，采用光照强度为120个Suns的光强，在300℃条件下对钝化层进行光注入钝化，光注入时间为20s。
实施例6
本实施例提供一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，与实施例1的区别仅在于，采用电注入钝化，退火炉中退火温度为400℃，退火时间为60min。
对比例1
本对比例提供一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，所述边缘钝化工艺的方法具体包括如下步骤：
S1切割：采用激光切割工艺，将整片210mm×210mm的P型PERC太阳能电池片分成6份小片电池；切割后的小片电池的尺寸：长210mm、宽35mm、厚150μm；
S2堆叠：将切割后的小片电池全部正面朝上水平放置，堆叠整齐使小片电池的切割侧边在同一垂直面，堆叠的数量可以是500片，将堆叠整齐后的电池组装入片盒中；堆叠装盒的电池组需要露出切割边缘，便于后续钝化工艺不会对电池组切割侧边造成遮挡；
S3沉积钝化层：将堆叠装好的电池组连通片盒一起放入钝化层沉积设备中，在暴露的切割边缘上沉积10nm的氧化铝层作为钝化层；
所述沉积采用ALD法，沉积的工艺参数为：时间为1500s；温度为210℃；O3的流量为30slm；TMA的流量为1500sccm；
S4光注入钝化：最后将层积完两层钝化层的电池组和片盒一起放入光注入设备中，采用光照强度为30个Suns的光强，在200℃条件下对钝化层进行光注入钝化，光注入时间为60s；
S5组件制作：最终将完成钝化的小片电池进行组件的制作。
对比例2
本对比例提供一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，所述边缘钝化工艺的方法具体包括如下步骤：
S1切割：采用激光切割工艺，将整片210mm*210mm尺寸的P型PERC太阳能电池片分成6份小片电池；切割后的小片电池的尺寸：长210mm、宽35mm、厚150μm；
S2堆叠：将切割后的小片电池全部正面朝上水平放置，堆叠整齐使小片电池的切割侧边在同一垂直面，堆叠的数量可以是500片，将堆叠整齐后的电池组装入片盒中；堆叠装盒的电池组需要露出切割边缘，便于后续钝化工艺不会对电池组切割侧边造成遮挡；
S3沉积钝化层：沉将电池组放入沉积设备中，在切割边缘的第一钝化层外在生长一层90nm的氮化硅层作为钝化层；
所述沉积采用PECVD法，沉积的工艺参数为：压力为1800mTorr；射频功率为11000W；时间为900s；温度为450℃；NH3的流量为8000sccm；SiH4的流量为1400sccm；
S4光注入钝化：最后将层积完两层钝化层的电池组和片盒一起放入光注入设备中，采用光照强度为30个Suns的光强，在200℃条件下对钝化层进行光注入钝化，光注入时间为60s；
S5组件制作：最终将完成钝化的小片电池进行组件的制作。
测试例1
电池性能测试
测试样品：实施例1-6提供的电池、对比例1-2提供的电池；
测试项目：进行开路电压(Voc)、转换效率(EFF)、填充因子(FF)、短路电流(Isc)等指标性能测试；
测试方法：测试环境通过冷却控制仪控制在24±1℃，综合电性能(包括开路电压Voc、光电转换效率EFF、填充因子FF、短路电流Isc)是通过太阳模拟器或I-V测试仪测试所得数据。太阳模拟器或I-V测试仪所用光源光照强度需要通过“标片”(标准性能电池片)进行校准标定。
具体测试结果如下表1所示：
表1
由表1测试数据可知，本发明提供的一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，其首先是对切割后的小片电池边缘生长由氧化硅或氧化铝的一种或两种作为第一层钝化层，然后在第一层钝化层外生长氮化硅作为第二层钝化层，最后通过光注入设备对钝化后的电池片进行退火处理，实现对切割边缘缺陷和杂质的钝化，从而提高电池片的效率的效率；本发明第一钝化层由二氧化硅或氧化铝中的一种或两种组成，第二钝化层在第一钝化层外沉积一层氮化硅起到二次钝化和保护。最后再通过光注入设备，对电池片进行氢钝化，达到修复激光切割损伤，提升电池效率0.2％以上的效果。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种切割边缘包含钝化层的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池为切割分片后的电池；
其中，所述电池的切割边缘上依次沉积第一层钝化层和第二层钝化层；
其中，所述第一层钝化层为氧化硅层和/或氧化铝层；所述第二层钝化层为氮化硅层。
2.根据权利要求1所述的切割边缘包含钝化层的太阳能电池，其特征在于，所述第一层钝化层的厚度为1-10nm。
3.根据权利要求1所述的切割边缘包含钝化层的太阳能电池，其特征在于，所述第二层钝化层的厚度为20-200nm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的切割边缘包含钝化层的太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池选自N型和/或P型电池；
优选地，所述太阳能电池选自PERC或TOPCon。
5.一种根据权利要求1-4中任一项所述切割边缘包含钝化层的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
先于切割分片后的电池的切割边缘上沉积第一层钝化层，再于第一层钝化层上沉积第二钝化层，最后进行光注入钝化，得到所述切割边缘包含钝化层的太阳能电池。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述沉积前还包括堆叠的步骤：将切割后的小片电池全部正面朝上水平放置，堆叠整齐使小片电池的切割边缘侧边在同一垂直面；
优选地，所述堆叠的数量为2-1000片。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的方法为PECVD法或ALD法。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的方法为PECVD法，所述沉积的工艺参数为：压力为1200-2000mTorr；射频功率为2000-20000watt；镀膜时间为100-2000s；温度为300-500℃。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述沉积的方法为ALD法，所述沉积的工艺参数为：沉积温度为150-250℃；工艺时间为200-2000s；升温速率为1-5℃/s。
10.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，采用光注入设备对电池片组的侧边进行光注入钝化，灯管需安装在光注入设备的左右两侧；
优选地，所述光注入钝化的光照强度为20-100个太阳光强度；
优选地，所述光注入钝化的炉内温度为200-500℃；
优选地，所述光注入钝化的时间为30-300s。
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