CN214477492U - 太阳能叠层电池和太阳能组件 - Google Patents
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Abstract
本发明适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能叠层电池和太阳能组件。太阳能叠层电池依次设有钙钛矿顶电池、P型微晶硅结合层和N型晶硅底层电池,P型微晶硅结合层用于导通钙钛矿顶电池和N型晶硅底层电池。如此,利用P型微晶硅结合层当作隧穿层,由于P型微晶硅结合层比起N型掺杂多晶硅层有着较低的结晶性,且缺陷态密度较多,载流子复合中心也较多,可使开路电压迭加,故可以提高太阳能叠层电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能叠层电池和太阳能组件。
背景技术
相关技术中,钙钛矿叠层电池为钙钛矿电池与topcon晶硅电池正负极串联。由于将两种不同的电池的材料串联,两种材料间会产生晶格不匹配、隧穿不易的问题,导致填充因子(FF)下降剧烈,电池的转换效率较低。基于此,如何提高太阳能叠层电池的转换效率成为了亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供一种太阳能叠层电池、太阳能组件和太阳能电池制作方法,旨在解决如何提高太阳能叠层电池的转换效率的问题。
第一方面,本发明提供的太阳能叠层电池依次设有钙钛矿顶电池、P型微晶硅结合层和N型晶硅底层电池,所述P型微晶硅结合层用于导通所述钙钛矿顶电池和所述N型晶硅底层电池。
可选地,所述P型微晶硅结合层的厚度在5nm至20nm范围内。
可选地,所述P型微晶硅结合层包括P型微晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层以及掺氢P型微晶硅层中的至少两层。
可选地,所述P型微晶硅结合层包括由上至下依次设置的所述P型微晶硅层、所述掺氢P型微晶氧化硅层以及所述掺氢P型微晶硅层。
可选地,所述P型微晶硅层的厚度在2至10nm范围内,所述掺氢P型微晶氧化硅层的厚度在2至10nm范围内,所述掺氢P型微晶硅层的厚度在2至10nm范围内。
可选地,所述N型晶硅底层电池包括topcon、HJT、IBC或者HBC。
可选地,所述N型晶硅底层电池包括topcon,由上至下设置有N型掺杂多晶硅层、二氧化硅层、N型硅片、硼扩散层以及钝化层。
可选地,所述钙钛矿顶电池包括透明导电层、电子传输层、钙钛矿吸收层和空穴传输层。
第二方面,本发明提供的太阳能组件包括上述任一项所述的太阳能叠层电池。
本发明实施例的太阳能叠层电池和太阳能组件中,利用P型微晶硅结合层当作隧穿层,由于P型微晶硅结合层比起N型掺杂多晶硅层有着较低的结晶性,且缺陷态密度较多,载流子复合中心也较多,可使开路电压迭加,故可以提高太阳能叠层电池的转换效率。
附图说明
图1是本发明实施例的太阳能叠层电池的结构示意图;
图2是本发明实施例的太阳能叠层电池中P型微晶硅结合层的形貌示意图;
图3是本发明实施例的太阳能叠层电池的另一结构示意图;
图4是本发明实施例的太阳能电池制作方法的流程示意图。
主要元件符号说明:
太阳能叠层电池10、钙钛矿顶电池12、顶电极121、透明导电层122、电子传输层124、钙钛矿吸收层126、空穴传输层128、P型微晶硅结合层14、N型晶硅底层电池16、N型掺杂多晶硅层162、二氧化硅层164、N型硅片166、硼扩散层168、钝化层169、底电极161。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
现有的钙钛矿叠层电池串联两种不同的材料,导致电池效率较低。而本发明实施例的太阳能叠层电池利用P型微晶硅结合层当作隧穿层,导通钙钛矿顶电池和N型晶硅底层电池,可以提高太阳能叠层电池的转换效率。
请参阅图1,本发明实施例提供的太阳能叠层电池10依次设有钙钛矿顶电池12、P型微晶硅结合层14和N型晶硅底层电池16,P型微晶硅结合层14用于导通钙钛矿顶电池12和N型晶硅底层电池16。
本发明实施例的太阳能叠层电池10,利用P型微晶硅结合层当作隧穿层,由于P型微晶硅结合层比起N型掺杂多晶硅层有着较低的结晶性,且缺陷态密度较多,载流子复合中心也较多,可使开路电压迭加,故可以提高太阳能叠层电池10的转换效率。
请注意,本发明实施例利用P型微晶硅结合层当作隧穿层,故导通钙钛矿顶电池12和N型晶硅底层电池16的P型微晶硅结合层不包括隧穿层。
具体地,钙钛矿顶电池12包括透明导电层122、电子传输层124、钙钛矿吸收层126和空穴传输层128。钙钛矿顶电池12还可包括顶电极121。顶电极121可为银电极。银的导电性较好,采用银作为电极,有利于提高钙钛矿顶电池12的性能。
请参阅图2,图2是本发明实施例的太阳能叠层电池10中P型微晶硅结合层14的形貌示意图,可采用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)量测。P型微晶硅结合层14的晶格排列为部分长程有序,部分无序排列。
可选地,P型微晶硅结合层14包括P型微晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层以及掺氢P型微晶硅层中的至少两层。
如此,使得P型微晶硅结合层14进一步提高晶格匹配度,减少晶界缺陷,提升界面接触性能,有利于提高太阳能叠层电池10的转换效率。
在一个例子中,P型微晶硅结合层14由P型微晶硅层和掺氢P型微晶氧化硅层组成;在另一个例子中,P型微晶硅结合层14由P型微晶硅层和掺氢P型微晶硅层组成;在又一个例子中,P型微晶硅结合层14由掺氢P型微晶氧化硅层以及掺氢P型微晶硅层组成;在再一个例子中,P型微晶硅结合层14由P型微晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层以及掺氢P型微晶硅层组成。
在P型微晶硅结合层14由P型微晶硅层和掺氢P型微晶氧化硅层组成的例子中,沿钙钛矿顶电池12至N型晶硅底层电池16的方向,可依次层叠P型微晶硅层和掺氢P型微晶氧化硅层,也可依次层叠掺氢P型微晶氧化硅层和P型微晶硅层。
在P型微晶硅结合层14由P型微晶硅层和掺氢P型微晶硅层组成的例子中,沿钙钛矿顶电池12至N型晶硅底层电池16的方向,可依次层叠P型微晶硅层和掺氢P型微晶硅层,也可依次层叠掺氢P型微晶硅层和P型微晶硅层。
在P型微晶硅结合层14由掺氢P型微晶氧化硅层和掺氢P型微晶硅层组成的例子中,沿钙钛矿顶电池12至N型晶硅底层电池16的方向,可依次层叠掺氢P型微晶氧化硅层和掺氢P型微晶硅层,也可依次层叠掺氢P型微晶硅层和掺氢P型微晶氧化硅层。
在P型微晶硅结合层14由P型微晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层以及掺氢P型微晶硅层组成的例子中,沿钙钛矿顶电池12至N型晶硅底层电池16的方向,可依次层叠P型微晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层和掺氢P型微晶硅层,也可依次层叠P型微晶硅层、掺氢P型微晶硅层和掺氢P型微晶氧化硅层,也可依次层叠掺氢P型微晶氧化硅层、P型微晶硅层和掺氢P型微晶硅层,也可依次层叠掺氢P型微晶氧化硅层、掺氢P型微晶硅层和P型微晶硅层,也可依次层叠掺氢P型微晶硅层、P型微晶硅层和掺氢P型微晶氧化硅层,也可依次层叠掺氢P型微晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层和P型微晶硅层。
在此不对P型微晶硅结合层14的具体结构和层叠顺序进行限定。
在本实施例中,P型微晶硅结合层14包括由上至下依次设置的P型微晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层以及掺氢P型微晶硅层。如此,掺氢P型微晶硅层可通过控制晶化率及氢钝化,实现与底电池的晶格匹配,并可以进一步增强界面处的钝化效果。而在P型微晶硅层和掺氢P型微晶硅层之间加入掺氢P型微晶氧化硅层,可实现各层间良好的能级匹配,使载流子更好的选择性通过,减少界面复合,提升钙钛矿有效面积并提升太阳能叠层电池10的转化效率。
可选地,P型微晶硅结合层14的厚度在5至20nm范围内。例如为5nm、5.1nm、6.2nm、6.8nm、7.3nm、8.5nm、9.7nm、10nm、10.1nm、11nm、12.2nm、13.8nm、14.3nm、15.5nm、16.7nm、17nm、18.3nm、19.6nm、20nm。如此,使得P型微晶硅结合层14的性能较好,有利于提高太阳能叠层电池10的转换效率。
具体地,可通过控制沉积时间及通气量来控制P型微晶硅结合层14的厚度。如此,可以方便且准确地控制P型微晶硅结合层14的厚度,从而有利于提高生产效率和保证转换效率。
优选地,P型微晶硅结合层14的厚度在5至10nm范围内。例如为5nm、5.1nm、6.2nm、6.8nm、7.3nm、8.5nm、9.7nm、10nm。如此,使得P型微晶硅结合层14的性能更好,有利于进一步提高太阳能叠层电池10的转换效率。而且,经试验验证,P型微晶硅结合层14的厚度在5至10nm时,提升转化效率的效果相对较好,转化效率提升最高。
可选地,可通过控制P型微晶硅结合层14中各层的厚度来进一步提升转化效率。具体地,P型微晶硅层的厚度在2至10nm范围内,掺氢P型微晶氧化硅层的厚度在2至10nm范围内,掺氢P型微晶硅层的厚度在2至10nm范围内。如此,有利于提高太阳能叠层电池10的转换效率。
具体地,P型微晶硅层的厚度例如为2nm、2.1nm、3.2nm、4.5nm、5.3nm、6.8nm、7.3nm、8.5nm、9.7nm、10nm。掺氢P型微晶氧化硅层的厚度例如为2nm、2.1nm、3.2nm、4.5nm、5.3nm、6.8nm、7.3nm、8.5nm、9.7nm、10nm。掺氢P型微晶硅层的厚度例如为2nm、2.1nm、3.2nm、4.5nm、5.3nm、6.8nm、7.3nm、8.5nm、9.7nm、10nm。在此不对P型微晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层和掺氢P型微晶硅层的厚度的具体数值进行限定,只要在前述范围内即可。
优选地,P型微晶硅层的厚度在2至5nm范围内,掺氢P型微晶氧化硅层的厚度在2至5nm范围内,掺氢P型微晶硅层的厚度在2至5nm范围内。如此,有利于进一步提高太阳能叠层电池10的转换效率。而且,经试验验证,P型微晶硅结合层14的各层厚度分别在前述范围时,提升转化效率的效果相对较好,转化效率提升最高。
具体地,P型微晶硅层的厚度例如为2nm、2.1nm、2.8nm、3.2nm、3.7nm、4.5nm、4.8nm、5nm。掺氢P型微晶氧化硅层的厚度例如为2nm、2.1nm、2.8nm、3.2nm、3.7nm、4.5nm、4.8nm、5nm。掺氢P型微晶硅层的厚度例如为2nm、2.1nm、2.8nm、3.2nm、3.7nm、4.5nm、4.8nm、5nm。在此不对P型微晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层和掺氢P型微晶硅层的厚度的具体数值进行限定,只要在前述范围内即可。
优选的,P型微晶硅层的厚度在2至5nm范围内,掺氢P型微晶氧化硅层的厚度在2至5nm范围内,掺氢P型微晶硅层的厚度在2至5nm范围内。并且,P型微晶硅结合层14的厚度在5至10nm范围内。如此,从P型微晶硅结合层14的总厚度和P型微晶硅结合层14中各层的厚度,两方面,来提高太阳能叠层电池10的转换效率,可使得转换效率进一步提升。
可选地,N型晶硅底层电池16包括topcon、HJT、IBC或者HBC。如此,N型晶硅底层电池16的形式多样,可根据实际情况进行选择。
具体地,TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact,隧穿氧化层钝化接触)电池包括隧穿氧化层和多晶硅薄层,隧穿氧化层和多晶硅薄层形成钝化接触结构。如此,可通过钝化接触结构实现电池表面的钝化,可提高开路电压。
具体地,HJT(Heterojunction with Intrinsic Thinfilm,异质结)电池可设有N型掺杂非晶硅层、本征非晶硅层、N型硅片166、本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层以及透明导电膜。如此,通过设置在N型硅片166和P型掺杂非晶硅层之间的本征非晶硅层来进行电池的表面钝化,可以提高电池的转化效率。
具体地,IBC(Interdigitated back contact,交叉指式背接触)电池的金属栅线电极位于背面,使得前表面不会被遮挡,可以减少光学损失,有利于提高电池的转化效率。
具体地,HBC(交叉指式背接触异质结)电池结合了IBC电池和HJT电池的优点,可以进一步提高电池的转化效率。
请参阅图3,在本实施例中,N型晶硅底层电池16包括topcon,由上至下设置有N型掺杂多晶硅层162、二氧化硅层164、N型硅片166、硼扩散层168以及钝化层169。如此,二氧化硅层164和N型掺杂多晶硅层162形成了钝化接触结构,可实现电池表面的钝化,有利于提高电池的转化效率。
可以理解的是,本实施例中的二氧化硅层164为隧穿层。也即是说,在本实施例中,隧穿层位于N型晶硅底层电池16,而P型微晶硅结合层并不包括隧穿层。
具体地,N型晶硅底层电池16可包括底电极161。底电极161可为银电极。银的导电性较好,采用银作为电极,有利于N型晶硅底层电池16的性能。
本发明实施例提供的太阳能组件包括上述任一项的太阳能叠层电池10。
本发明实施例的太阳能组件中,利用P型微晶硅结合层当作隧穿层,由于P型微晶硅结合层比起N型掺杂多晶硅层有着较低的结晶性,且缺陷态密度较多,载流子复合中心也较多,可使开路电压迭加,故可以提高太阳能叠层电池10的转换效率。
请参阅图4,本发明实施例提供的太阳能电池制作方法,用于制作上述任一项的太阳能叠层电池10,太阳能电池制作方法包括以下步骤:
步骤S12:制作N型晶硅底层电池16;
步骤S14:在N型晶硅底层电池16上沉积P型微晶硅结合层14;
步骤S16:在P型微晶硅结合层14上制作钙钛矿顶电池12。
本发明实施例的太阳能电池制作方法中,利用P型微晶硅结合层当作隧穿层,由于P型微晶硅结合层比起N型掺杂多晶硅层有着较低的结晶性,且缺陷态密度较多,载流子复合中心也较多,可使开路电压迭加,故可以提高太阳能叠层电池10的转换效率。
请注意,本发明实施例利用P型微晶硅结合层当作隧穿层,故导通钙钛矿顶电池12和N型晶硅底层电池16的P型微晶硅结合层不包括隧穿层。
具体地,在步骤S12中,可在N型硅片166上采用镭射开槽局部扩散的工艺制作硼扩散层168;去除硼硅玻璃(BSG removal);清洗硅片;采用PECVD或LPCVD沉积二氧化硅层164(SiOx);采用PECVD沉积N型层(N layer);高温退火加扩散形成N型掺杂多晶硅层162(Npolycrystal);湿制程清洗硅片;采用PECVD沉积Al2O3和SiNx形成钝化层169;通过丝网印刷和高温烧结形成银电极。这样,就制成了N型晶硅底层电池16。
具体地,在步骤S14中,可将已经做好的N型晶硅底层电池16放入PECVD中,N型晶硅底层电池16的N型掺杂多晶硅层162朝上,通入H2、B2H6和SiH4,控制温度在170~200℃范围内,H2、B2H6和SiH4的比例为200~300:1:1,PECVD设备的功率在2000~4000W范围内,P型微晶硅结合层14的厚度为在5~20nm范围内。
进一步地,温度例如为170℃、173℃、182℃、195℃、198℃、200℃。H2、B2H6和SiH4的比例例如为200:1:1、210:1:1、230:1:1、250:1:1、280:1:1、290:1:1、300:1:1。PECVD设备的功率例如为2000W、2100W、2250W、2600W、3000W、3200W、3600W、3800W、4000W。P型微晶硅结合层14的厚度例如为5nm、5.1nm、6.2nm、6.8nm、7.3nm、8.5nm、9.7nm、10nm、10.1nm、11nm、12.2nm、13.8nm、14.3nm、15.5nm、16.7nm、17nm、18.3nm、19.6nm、20nm。
优选地,P型微晶硅结合层14的厚度为在5~10nm范围内。例如为5nm、5.3nm、6.8nm、7.3nm、8.5nm、9.7nm、10nm。
可以理解,由于采用小于200℃的低温工艺,而且已镀完的银电极设于背面,对于后续镀膜影响有限,故可有效的减少制程工序,提高制作效率,在P型微晶硅结合层14镀完后,可继续制作钙钛矿顶电池12。
具体地,在步骤S16中,制作空穴传输层128(Spiro);制作钙钛矿吸收层126(Perovskite);制作氟化锂(LiF)、碳60(C60)和氧化锡(SnO2),以形成电子传输层124;制作透明导电层122(Transparent Conductive Oxide,TCO);制作银电极。这样,就制成了钙钛矿顶电池12。
可选地,步骤S14至少包括以下三个步骤中的两个步骤:
在PECVD设备的内部通入B2H6和SiH4,以形成P型微晶硅层;或
在PECVD设备的内部通入H2、CO2、B2H6和SiH4,以形成掺氢P型微晶氧化硅层;或
在PECVD设备的内部通入H2、B2H6和SiH4,以形成掺氢P型微晶硅层。
如此,实现在N型晶硅底层电池16上沉积P型微晶硅结合层14,使得P型微晶硅结合层14由P型微晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层以及掺氢P型微晶硅层中的至少两层组成。这样,使得P型微晶硅结合层14进一步提高晶格匹配度,减少晶界缺陷,提升界面接触性能,有利于提高太阳能叠层电池10的转换效率。
具体地,在一个例子中,步骤S14包括在PECVD设备的内部通入B2H6和SiH4,以形成P型微晶硅层;和,在PECVD设备的内部通入H2、CO2、B2H6和SiH4,以形成掺氢P型微晶氧化硅层。请注意,这两个步骤的顺序可以互换,在此不对这两个步骤的先后顺序进行限定。
在另一个例子中,步骤S14包括在PECVD设备的内部通入B2H6和SiH4,以形成P型微晶硅层;和,在PECVD设备的内部通入H2、B2H6和SiH4,以形成掺氢P型微晶硅层。请注意,这两个步骤的顺序可以互换,在此不对这两个步骤的先后顺序进行限定。
在又一个例子中,步骤S14包括在PECVD设备的内部通入H2、CO2、B2H6和SiH4,以形成掺氢P型微晶氧化硅层;和,在PECVD设备的内部通入H2、B2H6和SiH4,以形成掺氢P型微晶硅层。请注意,这两个步骤的顺序可以互换,在此不对这两个步骤的先后顺序进行限定。
在再一个例子中,步骤S14至少包括在PECVD设备的内部通入B2H6和SiH4,以形成P型微晶硅层;和,在PECVD设备的内部通入H2、CO2、B2H6和SiH4,以形成掺氢P型微晶氧化硅层;和,在PECVD设备的内部通入H2、B2H6和SiH4,以形成掺氢P型微晶硅层。请注意,这三个步骤的顺序可以互换,在此不对这三个步骤的先后顺序进行限定。
可选地,在PECVD设备的内部通入B2H6和SiH4以形成P型微晶硅层的步骤中,控制温度在170℃至200℃范围内,B2H6和SiH4的比例为1~2:1,PECVD设备的功率在2000至4000W范围内,P型微晶硅层的厚度在2至10nm范围内。
如此,实现P型微晶硅层的制作。而且,由于采用小于200℃的低温工艺,而且已镀完的银电极设于背面,对于后续镀膜影响有限,故可有效的减少制程工序,提高制作效率。
具体地,温度例如为170℃、173℃、182℃、195℃、198℃、200℃。B2H6和SiH4的比例例如为1:1、1.2:1、1.5:1、1.8:1、2:1。PECVD设备的功率例如为2000W、2100W、2250W、2600W、3000W、3200W、3600W、3800W、4000W。P型微晶硅层的厚度例如为2nm、2.1nm、3.2nm、4.5nm、5.3nm、6.8nm、7.3nm、8.5nm、9.7nm、10nm。
优选地,P型微晶硅层的厚度在2至5nm范围内。例如为2nm、2.1nm、2.8nm、3.2nm、3.7nm、4.5nm、4.8nm、5nm。
可选地,在PECVD设备的内部通入H2、CO2、B2H6和SiH4以形成掺氢P型微晶氧化硅层的步骤中,控制控制温度在170℃至200℃范围内,H2、CO2、B2H6和SiH4的比例为200~300:100~200:1~2:1,PECVD设备的功率在2000至4000W范围内,掺氢P型微晶氧化硅层的厚度在2至10nm范围内。
如此,实现掺氢P型微晶氧化硅层的制作。而且,由于采用小于200℃的低温工艺,而且已镀完的银电极设于背面,对于后续镀膜影响有限,故可有效的减少制程工序,提高制作效率。
具体地,温度例如为170℃、173℃、182℃、195℃、198℃、200℃。H2、CO2、B2H6和SiH4的比例例如为200:100:1:1、225:100:1:1、250:100:1:1、280:100:1:1、200:110:1:1、200:150:1:1、200:180:1:1、200:100:1.2:1、200:100:1.5:1、200:100:1.8:1、300:200:2:1。PECVD设备的功率例如为2000W、2100W、2250W、2600W、3000W、3200W、3600W、3800W、4000W。掺氢P型微晶氧化硅层的厚度例如为2nm、2.1nm、3.2nm、4.5nm、5.3nm、6.8nm、7.3nm、8.5nm、9.7nm、10nm。
优选地,掺氢P型微晶氧化硅层的厚度在2至5nm范围内。例如为2nm、2.1nm、2.8nm、3.2nm、3.7nm、4.5nm、4.8nm、5nm。
在PECVD设备的内部通入H2、B2H6和SiH4以形成掺氢P型微晶硅层的步骤中,控制控制温度在170℃至200℃范围内,H2、B2H6和SiH4的比例为200~300:1~2:1,PECVD设备的功率在2000至4000W范围内,掺氢P型微晶硅层厚度在2至10nm范围内。
如此,实现掺氢P型微晶硅层的制作。而且,由于采用小于200℃的低温工艺,而且已镀完的银电极设于背面,对于后续镀膜影响有限,故可有效的减少制程工序,提高制作效率。
具体地,温度例如为170℃、173℃、182℃、195℃、198℃、200℃。H2、B2H6和SiH4的比例例如为200:1:1、220:1:1、250:1:1、280:1:1、200:1.2:1、200:1.5:1、200:1.8:1、300:2:1。PECVD设备的功率例如为2000W、2100W、2250W、2600W、3000W、3200W、3600W、3800W、4000W。掺氢P型微晶硅层的厚度例如为2nm、2.1nm、3.2nm、4.5nm、5.3nm、6.8nm、7.3nm、8.5nm、9.7nm、10nm。
优选地,掺氢P型微晶硅层的厚度在2至5nm范围内。例如为2nm、2.1nm、2.8nm、3.2nm、3.7nm、4.5nm、4.8nm、5nm。
关于本发明实施例的太阳能电池制作方法的其他的解释和说明,请参照前文。为避免冗余,在此不再赘述。
下表1是现有技术中的太阳能电池和本发明实施例的太阳能叠层电池10的电池特性的对比。其中,对比例一为现有技术中的高效穿隧型钙钛矿叠层太阳能电池,对比例二为仅有一层微晶硅层的钙钛矿叠层太阳能电池。以上底电池均选取N型topcon电池。
显然,本发明实施例的太阳能叠层电池10,开路电压较高,短路电流较低,填充因子下降较小,转换效率较高。
以上仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种太阳能叠层电池,其特征在于,依次设有钙钛矿顶电池、P型微晶硅结合层和N型晶硅底层电池,所述P型微晶硅结合层用于导通所述钙钛矿顶电池和所述N型晶硅底层电池。
2.根据权利要求1所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述P型微晶硅结合层的厚度在5nm至20nm范围内。
3.根据权利要求1所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述P型微晶硅结合层包括P型微晶硅层、掺氢P型微晶氧化硅层以及掺氢P型微晶硅层中的至少两层。
4.根据权利要求3所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述P型微晶硅结合层包括由上至下依次设置的所述P型微晶硅层、所述掺氢P型微晶氧化硅层以及所述掺氢P型微晶硅层。
5.根据权利要求4所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述P型微晶硅层的厚度在2至10nm范围内,所述掺氢P型微晶氧化硅层的厚度在2至10nm范围内,所述掺氢P型微晶硅层的厚度在2至10nm范围内。
6.根据权利要求1所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述N型晶硅底层电池包括topcon、HJT、IBC或者HBC。
7.根据权利要求1所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述N型晶硅底层电池包括topcon,由上至下设置有N型掺杂多晶硅层、二氧化硅层、N型硅片、硼扩散层以及钝化层。
8.根据权利要求1所述的太阳能叠层电池,其特征在于,所述钙钛矿顶电池包括透明导电层、电子传输层、钙钛矿吸收层和空穴传输层。
9.一种太阳能组件,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的太阳能叠层电池。
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